JP7414335B1 - 電子部品洗浄装置 - Google Patents
電子部品洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7414335B1 JP7414335B1 JP2022568457A JP2022568457A JP7414335B1 JP 7414335 B1 JP7414335 B1 JP 7414335B1 JP 2022568457 A JP2022568457 A JP 2022568457A JP 2022568457 A JP2022568457 A JP 2022568457A JP 7414335 B1 JP7414335 B1 JP 7414335B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- cleaning
- dry
- wet
- cleaning unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 178
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 157
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims abstract description 95
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 84
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229920001410 Microfiber Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003658 microfiber Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/24—Preliminary treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
ウェーハの表面の洗浄を行う電子部品洗浄装置（１００）であってウェット洗浄ユニット（１０）と、ドライ洗浄ユニット（４０）と、搬送ユニットと、制御ユニット（１７）と、を備え、制御ユニット（１７）は、ウェット洗浄ユニット（１０）でウェーハ（８０）表面のウェット洗浄を行い、洗浄済のウェーハ（８０）をドライ洗浄ユニット（４０）に搬送し、ドライ洗浄ユニット（４０）で大気圧プラズマによりウェーハ（８０）表面のドライ洗浄を行い、ドライ洗浄済のウェーハ（８０）をウェット洗浄ユニット（１０）に搬送し、水素ガスを水に溶解した水素水を用いてウェーハ（８０）の表面の親水化を行う水素水処理を行う。
Description
本開示は、ウェーハ、半導体チップ、基板等の電子部品の表面の洗浄を行う電子部品洗浄装置の構成に関する。
接合により半導体装置を製造する際には、シリコンウェーハや化合物半導体ウェーハ等のウェーハの表面の洗浄が必要となる。特許文献1には、２枚のウェーハの接合を行う際に、洗浄装置によってウェーハの表面を擦り洗いし、プラズマ処理によりウェーハの表面改質を行い、純水によってウェーハの表面を親水化した後に接合する接合システムが開示されている。
しかし、特許文献１に記載された従来技術のように、プラズマによって表面の改質処理を行った後、純水によってウェーハの表面の親水化処理を行う場合には、時間と共に表面の親水性が低下してしまい、ボンディング品質が低下する場合があった。
そこで、本開示は、電子部品の表面を親水性の高い状態に保つことを目的とする。
本開示の電子部品洗浄装置は、電子部品の表面の洗浄を行う電子部品洗浄装置であって、液体により電子部品の表面のウェット洗浄を行うウェット洗浄ユニットと、大気圧プラズマにより電子部品の表面のドライ洗浄を行うドライ洗浄ユニットと、ウェット洗浄ユニットとドライ洗浄ユニットとの間で電子部品を搬送する搬送ユニットと、ウェット洗浄ユニットと、ドライ洗浄ユニットと、搬送ユニットとの動作を調整する制御ユニットと、を備え、制御ユニットは、ウェット洗浄ユニットで液体により電子部品の表面のウェット洗浄を行い、搬送ユニットでウェット洗浄済の電子部品をドライ洗浄ユニットに搬送し、ドライ洗浄ユニットで大気圧プラズマにより電子部品の表面のドライ洗浄を行い、搬送ユニットでドライ洗浄済の電子部品をウェット洗浄ユニットに搬送し、ウェット洗浄ユニットで、水素ガスを水に溶解した水素水を用いて電子部品の表面の親水化を行う水素水処理を行うこと、を特徴とする。
このように、大気圧プラズマによるドライ洗浄の後に水素水処理による親水化を行うことにより、電子部品の表面を親水性の高い状態に保つことができ、ボンディング品質を向上させることができる。
本開示の電子部品洗浄装置において、制御ユニットは、ドライ洗浄の終了直後に搬送ユニットでドライ洗浄済の電子部品をドライ洗浄ユニットからウェット洗浄ユニットに搬送して水素水処理を開始してもよい。ここで、制御ユニットは、ドライ洗浄の終了後３０秒以内、又は１０秒以内に搬送ユニットでドライ洗浄済の電子部品をドライ洗浄ユニットからウェット洗浄ユニットに搬送して水素水処理を開始してもよい。
これにより、より長い時間電子部品の表面を親水性の高い状態に保つことができる。
本開示の電子部品洗浄装置において、ドライ洗浄ユニットは、ウェット洗浄ユニットの上に少なくとも一部が重ね合わされて配置されており、搬送ユニットは、上面に電子部品を保持するとともに、電子部品を保持した状態で上下方向に駆動されるステージでもよい。
この構成により、ドライ洗浄済の電子部品をドライ洗浄ユニットからウェット洗浄ユニットに搬送する時間を短縮することができ、ドライ洗浄の終了後短時間に水素水処理を開始することができる。これにより、電子部品の表面を親水性の高い状態に保つことができ、ボンディング品質を向上させることができる。
本開示の電子部品洗浄装置において、ドライ洗浄ユニットは、ウェット洗浄ユニットの上に少なくとも一部が重ね合わされて配置されており、搬送ユニットは、ウェット洗浄ユニットとドライ洗浄ユニットに隣接して配置され、ウェット洗浄ユニットとドライ洗浄ユニットとに跨って上下方向に延びて、ウェット洗浄ユニットとドライ洗浄ユニットとの間で電子部品を搬送してもよい。
本開示の電子部品洗浄装置において、電子部品は、ウェーハ、半導体チップ、又は半導体装置用の基板でもよい。ここで、半導体チップは、支持材の上に貼り付けられてもよい。
本開示は、電子部品の表面を親水性の高い状態に保つことができる。
以下、図面を参照しながら実施形態の電子部品洗浄装置１００について説明する。尚、以下の説明では、電子部品洗浄装置１００によって電子部品であるウェーハ８０の表面８１の洗浄を行う場合について説明するが、電子部品洗浄装置１００は半導体チップ８５の表面８９（図１５参照）の洗浄を行うこともできるし、半導体チップ８５をボンディングする半導体装置用の基板の表面の洗浄を行うこともできる。
図１、２に示すように、電子部品洗浄装置１００は、図１に示す一階面と、図２に示す二階面との二階構造である。図１に示すように、一階面には、ウェット洗浄ユニット１０と、横搬送ユニット６０とが隣接して配置されている。また、一階面には、制御ユニット１７が配置されている。二階面には、ウェット洗浄ユニット１０の上部に重ね合わせてドライ洗浄ユニット４０が配置されている。
図１、３に示すように、ウェット洗浄ユニット１０は、略直方体のケーシング１１と、ケーシング１１の内部１２に配置されたウェット洗浄チャンバ１３と、処理ステージ１４と、処理ステージ１４を駆動するステージ駆動装置１６と、水ノズル２１と、超音波振動子２２と、ノズルアーム２３と、ノズルアーム駆動部２４と、拭き取りヘッド３１と、ヘッドアーム３２と、ヘッドアーム駆動部３３と、回転押圧駆動部３５と、拭き取り部材３４と、純水タンク２６、水素水タンク２７と、オゾン水タンク２８と、洗浄水タンク３７とを含んでいる。
処理ステージ１４は、上面にウェーハ８０を保持する円板状部材である。処理ステージ１４の下側にはシャフト１５が接続されている。シャフト１５は、ステージ駆動装置１６によって図３の矢印９５ａに示すように回転駆動されるとともに図３に示す矢印９５ｂのように上下方向に駆動される。従って、処理ステージ１４は、ステージ駆動装置１６によってウェーハ８０を保持した状態で回転及び上下方向に駆動される。処理ステージ１４は、後で説明するようにシャッタ４８が開の際に、ウェット洗浄ユニット１０のウェット洗浄チャンバ１３と、ドライ洗浄ユニット４０のドライ洗浄チャンバ４４との間で上下方向にウェーハ８０を搬送する搬送ユニットを構成する。
水ノズル２１は、処理ステージ１４の上方に配置され、純水、オゾン水、水素水を処理ステージ１４の上面に保持されたウェーハ８０に噴射する。水ノズル２１はノズルアーム２３の先端に取り付けられている。ノズルアーム２３の根元部はノズルアーム駆動部２４に接続されている。ノズルアーム駆動部２４は、図１の矢印９１に示すように平面内でノズルアーム２３を回転移動してノズルアーム２３の先端に取り付けられた水ノズル２１を処理ステージ１４の上面に対して出し入れする。水ノズル２１の上部には、水ノズル２１から噴射する純水、水素水、オゾン水に超音波振動を与える超音波振動子２２が取り付けられている。
拭き取りヘッド３１は、処理ステージ１４の上側に配置され、上端に取付けられた回転押圧駆動部３５によって下端に取り付けられた拭き取り部材３４を図３に示す矢印９５ｃのように回転駆動するとともにウェーハ８０の上面に拭き取り部材３４を接触させてウェーハ８０の表面８１を拭き取り洗浄する。拭き取り部材３４は、例えば、マイクロファイバーを用いた織物又は編み物でもよい。また、拭き取りヘッド３１には、洗浄水をウェーハ８０に向けて噴射する洗浄水ノズルが組み込まれている。
拭き取りヘッド３１は、ヘッドアーム３２の先端に取り付けられている。ヘッドアーム３２の根元部はヘッドアーム駆動部３３に接続されている。ヘッドアーム駆動部３３は、図１の矢印９２に示すように平面内でヘッドアーム３２を回転移動してヘッドアーム３２の先端に取り付けられた拭き取りヘッド３１を処理ステージ１４の上面に対して出し入れする。
ウェット洗浄チャンバ１３は、処理ステージ１４の下側に設けられ、水ノズル２１から噴射された純水、オゾン水、水素水、或いは、拭き取りヘッド３１から噴射された洗浄水を受け止める円形のパンであり、上部に向かって開口が狭くなっている。上部の開口は、ウェーハ８０を出し入れ可能な大きさとなっている。
純水タンク２６、水素水タンク２７、オゾン水タンク２８は、それぞれ純水、水素水、オゾン水を駐留するタンクである。ここで、水素水は、水に水素ガスを溶解させた水であり、オゾン水は、水にオゾンガスを溶解させた水である。尚、水素水タンク２７、オゾン水タンク２８に代えて、水素水を生成する水素水生成器、オゾン水を生成するオゾン水生成機を配置してもよい。また、洗浄水タンク３７は、例えば、純水、水素水、アルカリ添加水素水、炭酸水等の洗浄水を貯留する。
純水タンク２６、水素水タンク２７、オゾン水タンク２８は、それぞれ純水バルブ２６ａ、水素水バルブ２７ａ、オゾン水バルブ２８ａと、配管２５とによって水ノズル２１に接続されている。また、洗浄水タンク３７は、洗浄水バルブ３７ａ、配管３６によって拭き取りヘッド３１に接続されている。
図１に示すように、一階面にはウェット洗浄ユニット１０に隣接して横搬送ユニット６０が配置されている。横搬送ユニット６０は、ケーシング６１と、ケーシング６１の内部６２に配置されたウェーハ受け渡しステージ６３と、横搬送装置である横搬送ロボット６４とを備えている。ウェーハ受け渡しステージ６３は、外部から未洗浄のウェーハ８０を受け入れるとともに、洗浄済のウェーハ８０を受け渡しするステージである。ウェット洗浄ユニット１０のケーシング１１の側壁１１ａと横搬送ユニット６０の側壁６１ａとには、ウェーハ８０を横搬送ユニット６０とウェット洗浄ユニット１０との間で搬送するための開口６６が設けられている。横搬送ロボット６４は、図１中の矢印９３に示すように、開口６６を通してウェーハ８０をウェーハ受け渡しステージ６３と、ウェット洗浄ユニット１０の処理ステージ１４との間で搬送する。
図２、３に示すように、ドライ洗浄ユニット４０は、略直方体でウェット洗浄ユニット１０のケーシング１１の上部に重ね合わせて配置されたケーシング４１と、床板４２と、天井板４３と、天井レール４６と、大気圧プラズマヘッド５１と、プラズマ点火装置５２と、プラズマ用ガスタンク５３と、プラズマヘッド駆動部５６とを含んでいる。
ケーシング４１の壁と、床板４２と、天井板４３とで仕切られる空間は、大気圧プラズマヘッド５１から噴射される大気圧プラズマによるドライ洗浄処理行うドライ洗浄チャンバ４４を構成する。また、天井板４３の上側の空間は、大気圧プラズマが進入しない機器配置空間４５を構成する。
大気圧プラズマヘッド５１は、例えば、プラズマ用のガスが流れるセラミックスチューブと、セラミックスチューブの外側に配置した負電極と、セラミックスチューブの中に配置した接地電極とを含み、負電極と接地電極との間に高電圧を印加してセラミックスチューブの中で放電を発生させ、先端からプラズマを噴出させるプラズマ発生装置を複数並べて配置した装置でもよい。大気圧プラズマヘッド５１は、プラズマヘッド駆動部５６を介して天井レール４６に取付けられている。プラズマヘッド駆動部５６は、図３中の矢印９４ａに示すように、大気圧プラズマヘッド５１を水平方向に往復移動させる。
床板４２の中央部で、下側に配置されたウェット洗浄ユニット１０の処理ステージ１４の上側には、処理ステージ１４が上下方向に移動可能な開口４７が設けられている。床板４２の下側には開口４７を開閉するシャッタ４８が設けられている。シャッタ４８は、図示しない駆動部によって図２中の矢印９４ｂに示すようにスライドして開口４７を開閉する。シャッタ４８が開放されると、図８に示すように、ウェット洗浄ユニット１０の処理ステージ１４が矢印９５ｄに示すように上方向に移動してウェット洗浄チャンバ１３からドライ洗浄チャンバ４４の中に移動可能となる。シャッタ４８は、処理ステージ１４がドライ洗浄チャンバ４４の中に移動した後に閉じられる。この際、シャフト１５がウェット洗浄ユニット１０とドライ洗浄ユニット４０との間で貫通できるような開口を形成するように、２つのシャッタ４８の合わせ面の中央には半円形の切欠き４９（図２参照）が設けられている。
プラズマ点火装置５２は、大気圧プラズマヘッド５１の内部に配置された電極に高電圧を供給する装置であり、接続線５５によって大気圧プラズマヘッド５１に接続されている。
プラズマ用ガスタンク５３は、プラズマ用のガスを貯留するタンクである。プラズマ用のガスとしては、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを用いてもよい。プラズマ用ガスタンク５３と大気圧プラズマヘッド５１とはプラズマ用ガスバルブ５３ａと配管５４で接続されている。
制御ユニット１７は、内部にＣＰＵ１８とメモリ１９とを備えるコンピュータである。図４に示すように、制御ユニット１７は、ウェット洗浄ユニット１０のノズルアーム駆動部２４、超音波振動子２２、純水バルブ２６ａ、水素水バルブ２７ａ、オゾン水バルブ２８ａ、ヘッドアーム駆動部３３、回転押圧駆動部３５、洗浄水バルブ３７ａ、ステージ駆動装置１６、シャッタ４８に接続されて、ウェット洗浄ユニット１０の各機器と、搬送ユニットを構成する処理ステージ１４の動作を調整する。また、制御ユニット１７は、大気圧プラズマヘッド５１、プラズマヘッド駆動部５６、プラズマ点火装置５２、プラズマ用ガスバルブ５３ａに接続されてドライ洗浄ユニット４０の各機器の動作を調整する。更に、制御ユニット１７は、横搬送ユニット６０の横搬送ロボット６４に接続されて横搬送ロボット６４の動作を調整する。
次、図５から図１０を参照して上記のように構成された電子部品洗浄装置１００のウェーハ８０の洗浄動作について説明する。
図６に示すように、初期状態では、シャッタ４８は閉となっており、ウェット洗浄ユニット１０とドライ洗浄ユニット４０とはドライ洗浄ユニット４０のケーシング４１の床板４２とシャッタ４８とで仕切られている。また、図１に示すように、ノズルアーム２３と、ヘッドアーム３２とは、水ノズル２１と拭き取りヘッド３１を処理ステージ１４にかからない位置に退避している。
制御ユニット１７は、図５のステップＳ１０１に示すように、図１に示す横搬送ロボット６４を動作させ、ウェーハ受け渡しステージ６３に載置された未洗浄のウェーハ８０をピックアップし、図６に示すようにウェット洗浄ユニット１０の中に搬入し、処理ステージ１４の上に載置する。制御ユニット１７は、処理ステージ１４の上面にウェーハ８０を保持させる。
制御ユニット１７は、図５のステップＳ１０２からステップＳ１０４において、ウェーハ８０の表面８１のウェット洗浄を行う。ここで、図５のステップＳ１０２からステップＳ１０４はウェット洗浄工程を構成する。まず、制御ユニット１７は、図５のステップＳ１０２に示すように水素水洗浄を実行する。
制御ユニット１７は、図７に示すように、ノズルアーム駆動部２４を動作させてノズルアーム２３を回転させ、水ノズル２１を処理ステージ１４に上方に移動させる。そして、制御ユニット１７は、ステージ駆動装置１６によって処理ステージ１４を回転させると共に、水素水バルブ２７ａを開として水ノズル２１から水素水をウェーハ８０に向かって噴射させてウェーハ８０の洗浄を行う。この際、制御ユニット１７は、超音波振動子２２を動作させて水素水に超音波振動を印加し、超音波加振した水素水をウェーハ８０の表面に噴射する。
次に制御ユニット１７は、図５のステップＳ１０３で純水による拭き取り洗浄を行う。制御ユニット１７は、図７に示すように、ヘッドアーム駆動部３３を動作させてヘッドアーム３２を回転させ、拭き取りヘッド３１を処理ステージ１４の上方に移動させる。水ノズル２１は、先の水素水洗浄の際に処理ステージ１４に上方に移動しているので、制御ユニット１７は、純水バルブ２６ａを開として水ノズル２１から純水をウェーハ８０に向かって噴射させると共に、拭き取りヘッド３１の回転押圧駆動部３５を動作させて拭き取り部材３４を回転駆動させながらウェーハ８０の上面に接触させる。制御ユニット１７は、ヘッドアーム駆動部３３によってウェーハ８０の表面８１に沿って拭き取りヘッド３１を移動させてウェーハ８０の表面８１を拭き取り洗浄する。この際、制御ユニット１７は、洗浄水バルブ３７ａを開として拭き取りヘッド３１から洗浄水を噴射させながらウェーハ８０の表面８１の拭き取り洗浄を行ってもよい。
次に、制御ユニット１７は、図５のステップＳ１０４で再度、図５のステップＳ１０２と同様の水素水洗浄を実行する。
図５のステップＳ１０２からステップＳ１０４のウェット洗浄により、無機物、有機質の異物がウェーハ８０の表面８１から除去される。
制御ユニット１７はウェット洗浄を終了したら、図５のステップＳ１０５からステップＳ１０８において、ウェット洗浄チャンバ１３からドライ洗浄チャンバ４４にウェット洗浄済のウェーハ８０を搬送する。
制御ユニット１７は、図５のステップＳ１０５でシャッタ４８を開とする。また、制御ユニット１７は、ノズルアーム駆動部２４とヘッドアーム駆動部３３とを動作させ、ノズルアーム２３と、ヘッドアーム３２と、水ノズル２１と拭き取りヘッド３１とが、処理ステージ１４にかからない位置に退避させる。制御ユニット１７は、図８に示すようにシャッタ４８を開としたら、図５のステップＳ１０７、図８に示すように、ステージ駆動装置１６を動作させて処理ステージ１４を図８中の矢印９５ｄのように上昇させる。これにより、制御ユニット１７は、処理ステージ１４をウェット洗浄チャンバ１３からドライ洗浄チャンバ４４の中に移動し、ウェーハ８０をウェット洗浄チャンバ１３からドライ洗浄チャンバ４４の中に搬送する。
そして、制御ユニット１７は、処理ステージ１４をドライ洗浄チャンバ４４の中に移動させたら図５のステップＳ１０８でシャッタ４８を閉とする。
次に、制御ユニット１７は、図５のステップＳ１０９において大気圧プラズマによるドライ洗浄を行う。ここで図５のステップＳ１０９はドライ洗浄工程を構成する。制御ユニット１７は、プラズマヘッド駆動部５６を動作させ、図９に示すように、大気圧プラズマヘッド５１を処理ステージ１４の上方に移動させる。そして、制御ユニット１７は、プラズマ点火装置５２を動作させてプラズマ点火装置５２から高電圧を大気圧プラズマヘッド５１に供給させるとともに、プラズマ用ガスバルブ５３ａを開としてプラズマ用ガスタンク５３からプラズマ用ガスを大気圧プラズマヘッド５１に供給させ、大気圧プラズマヘッド５１の中で大気圧プラズマを発生させる。そして、制御ユニット１７は、図９中の矢印９６に示すようにプラズマヘッド駆動部５６を動作させて大気圧プラズマヘッド５１をウェーハ８０の上方で往復移動させて大気圧プラズマをウェーハ８０の表面８１に噴射する。
図５のステップＳ１０９のドライ洗浄によって大気圧プラズマの照射によりウェーハ８０の表面８１に付着している異物が除去されると共に、ウェーハ８０の表面の親水化処理がされる。このため、ドライ洗浄後には、ウェーハ８０の表面８１の親水性は高い状態となっている。
次に、制御ユニット１７は、図５のステップＳ１１０からＳ１１２において、ドライ洗浄チャンバ４４からウェット洗浄チャンバ１３にドライ洗浄済のウェーハ８０を搬送する。先に説明したと同様、制御ユニット１７は、図５のステップＳ１１０でシャッタ４８を開とし、図５のステップＳ１１１でステージ駆動装置１６を動作させて処理ステージ１４を下降させ、処理ステージ１４をドライ洗浄チャンバ４４からウェット洗浄チャンバ１３の中に移動させてウェーハ８０をドライ洗浄チャンバ４４からウェット洗浄チャンバ１３の中に搬送する。そして、制御ユニット１７は、図５のステップＳ１１２でシャッタ４８を閉とする。
次に、制御ユニット１７は、図５のステップＳ１１３に進んで水素水処理による表面８１の親水化を行う。ここで、図５のステップＳ１１３は、水素水処理工程を構成する。図５のステップＳ１０２で説明した水素水洗浄と同様、図１０に示すように、ノズルアーム駆動部２４を動作させてノズルアーム２３を回転させ、水ノズル２１を処理ステージ１４に上方に移動させ、ステージ駆動装置１６によって処理ステージ１４を回転させると共に、水素水バルブ２７ａを開として水ノズル２１から水素水をウェーハ８０に向かって噴射させてウェーハ８０の水素水処理を行う。この際、制御ユニット１７は、超音波振動子２２を動作させて水素水に超音波振動を印加し、超音波加振した水素水をウェーハ８０の表面に噴射する。
水素水処理は、図５のステップＳ１０２、ステップＳ１０４の水素水洗浄と同様の処理であるが、ウェーハ８０の表面８１の異物の除去ではなく、表面８１の親水化処理を行うものであり、処理時間は図５のステップＳ１０２、ステップＳ１０４の水素水洗浄よりも短くなっている。
制御ユニット１７は、水素水処理を終了したら、図５のステップＳ１１４に進んで、スピン乾燥処理を行う。制御ユニット１７は、ステージ駆動装置１６によって処理ステージ１４を高速で回転させ、遠心力でウェーハ８０の表面８１に残っている水素水を外周側に飛ばして表面８１を乾燥させる。
制御ユニット１７は、スピン乾燥処理が終了したら、図５のステップＳ１１５に進んで、ウェット洗浄ユニット１０からウェーハ８０を搬出する。制御ユニット１７は、図１に示す横搬送ロボット６４を動作させて処理ステージ１４の上面に載置された洗浄済のウェーハ８０をピックアップしてウェット洗浄ユニット１０からウェーハ８０を搬出し、ウェーハ８０を横搬送ユニット６０のウェーハ受け渡しステージ６３の上に載置する。
次に、図１１を参照しながら、ウェーハ８０の表面８１の親水性の変化について説明する。図１１中の実線ａは、先に説明した実施形態の電子部品洗浄装置１００のウェーハ８０の洗浄動作のように、大気圧プラズマによるドライ洗浄を実行した直後に水素水処理による親水化を行った場合の表面８１の純水接触角の時間変化を示す。また、図１１中の破線ｂは、大気圧プラズマによるドライ洗浄のみを実行した場合の表面８１の純水接触角の時間変化を示す。
ここで、純水接触角は、静止した純水の自由表面が表面８１に接する場所における液面と表面８１とのなす角であり、純水接触角が大きい場合には、親水性が低く、純水接触角が小さい場合には、親水性は高くなる。
最初に図１１に破線ｂで示す大気圧プラズマによるドライ洗浄のみを実行した場合の表面８１の純水接触角、親水性の変化について説明する。
図１１の時刻ｔ１に大気圧プラズマによるドライ洗浄を実行すると大気圧プラズマの照射により表面８１の異物が除去されると共に、表面８１が親水化され、純水接触角はドライ洗浄前より大きく低下する。つまり、親水性が高くなる。大気圧プラズマによるドライ洗浄後、ウェーハ８０を大気中に放置すると、ドライ洗浄が終了した時刻ｔ１から時刻ｔ２の間は、純水接触角は時間の経過とともに緩やかに大きくなっていく。そして、時刻ｔ２を過ぎると時刻ｔ３までの間は、純水接触角は時刻ｔ１からｔ２の間よりも大きく上昇する。そして、時刻ｔ３を過ぎると、純水接触角は、再び緩やかに上昇する。
このように、大気圧プラズマによるドライ洗浄を実行した後、ウェーハ８０を大気中に放置すると、ウェーハ８０の表面の純水接触角は、図１１中の矢印ｄに示すように時刻ｔ２から時刻ｔ３の間にドライ洗浄終了時よりも高い状態に移行し、その後は、緩やかに上昇していく。これを親水性の変化で言えば、ウェーハ８０の表面８１の親水性は、時刻ｔ２から時刻ｔ３の間に親水化終了時よりも低い状態に移行し、その後は、緩やかに低下していくこととなる。
一方、大気圧プラズマによるドライ洗浄の直後に水素水処理による親水化を実行した場合には、図１１中の矢印ｃに示すように、水素水処理が終了した時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間は、ウェーハ８０を大気中に放置しても表面８１の純水接触角は緩やかに低下し、時刻ｔ２以後は、表面８１の純水接触角は緩やかに上昇していく。これを親水性の変化で言えば、水素水処理が終了した時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間は、表面８１の親水性は緩やかに高くなり、時刻ｔ２以後は、表面８１の親水性は緩やかに低下していくこととなる。
このため、大気圧プラズマによるドライ洗浄の直後に水素水処理による親水化を実行した場合には、水素水処理の終了時の親水性よりも高い親水性を長い時間保持することができる。
このように水素水処理の終了後に親水性が時間ともに高くなるのは、水素水処理により、ウェーハ８０の表面８１に水酸基が付くことによると思われる。ここで、発明者の研究により、大気圧プラズマによるドライ洗浄の後、水素水処理による親水化を開始するまでの時間が短くないと、上記のように水素水処理の終了後に親水性が時間ともに高くなる効果が得られなくなることが分かっている。
このため、実施形態の電子部品洗浄装置１００では、ウェット洗浄ユニット１０の上にドライ洗浄ユニット４０を重ねて配置し、処理ステージ１４を上下させてウェーハ８０をドライ洗浄ユニット４０とウェット洗浄ユニット１０との間で搬送することにより、大気圧プラズマによるドライ洗浄と水素水処理による親水化との間隔を短くする構成としている。これにより、実施形態の電子部品洗浄装置１００では、大気圧プラズマによるドライ洗浄の終了直後、より詳しくは、ドライ洗浄の終了の５～１０秒後に水素水処理による親水化を開始することができる。このため、実施形態の電子部品洗浄装置１００は、ウェーハ８０の表面８１の親水性を長時間にわたって高い状態に保つことができ、ボンディング品質を向上させることができる。
次に図１２から１４を参照しながら他の実施形態の電子部品洗浄装置２００について説明する。先に図１から図１１を参照して説明した電子部品洗浄装置１００と同一の部分には、同一の符号を付して説明は省略する。
図１２に示す電子部品洗浄装置２００は、上下に重ね合わせて配置したウェット洗浄ユニット１０とドライ洗浄ユニット２４０の側壁１１ｂ、４１ｂに隣接して縦搬送ユニット７０を配置したものである。縦搬送ユニット７０は、ウェット洗浄チャンバ１３とドライ洗浄チャンバ４４との間でウェーハ８０を搬送する。また、図１２には図示しないが電子部品洗浄装置２００は、制御ユニット１７を備えている。
縦搬送ユニット７０は、ケーシング７１と、ケーシング７１の内部に配置された縦搬送装置７５とを備えている。
ケーシング７１は、ウェット洗浄ユニット１０とドライ洗浄ユニット２４０の側面に隣接して配置され、ウェット洗浄ユニット１０とドライ洗浄ユニット２４０とに跨って上下方向に延びる略直方体の部材である。ケーシング７１の一階の側壁７２にはウェット洗浄ユニット１０のケーシング１１の側壁１１ｂの開口１１ｃに連通する開口７２ａが設けられている。同様に、二階の側壁７３にはドライ洗浄ユニット２４０のケーシング４１の側壁４１ｂの開口４１ｃに連通する開口７３ａが設けられている。開口７２ａ、７３ａには、それぞれシャッタ７２ｂ、７３ｂが取り付けられている。
縦搬送装置７５は、ケーシング７１の内部に配置され、ウェーハ８０をウェット洗浄チャンバ１３とドライ洗浄チャンバ４４とに出し入れするとともに、ウェーハ８０をウェット洗浄チャンバ１３とドライ洗浄チャンバ４４との間で搬送する。
図１２に示すように、縦搬送装置７５は、図１２の矢印９９のように上下方向に移動する本体７６と、本体７６の上に取り付けられて水平方向にスライド移動するチャック７７とで構成されている。チャック７７は、ウェーハ８０を把持して図１２に示す矢印９８ａ，９８ｂのように水平方向に往復移動する。
ウェット洗浄ユニット１０は、ケーシング１１の側壁１１ｂに開口１１ｃが設けられている点以外、先に図１から１１を参照して説明した電子部品洗浄装置１００のウェット洗浄ユニット１０と同一の構成である。
ドライ洗浄ユニット２４０は、ドライ洗浄チャンバ４４の内部にウェーハ８０を保持する処理ステージ５８と、処理ステージ５８を図１２に示す矢印９７の方向に往復移動させるスライド駆動部５７とを備えている。大気圧プラズマヘッド５１は、ブラケット５６ａで天井レール４６に取り付けられており、先に図１～１１を参照して説明したドライ洗浄ユニット４０と異なり大気圧プラズマヘッド５１は往復移動しない。また、ケーシング４１の側壁４１ｂには開口４１ｃが設けられている。
図１３に示すように、電子部品洗浄装置２００では、制御ユニット１７は、ウェット洗浄ユニット１０のノズルアーム駆動部２４、超音波振動子２２、純水バルブ２６ａ、水素水バルブ２７ａ、オゾン水バルブ２８ａ、ヘッドアーム駆動部３３、回転押圧駆動部３５、洗浄水バルブ３７ａ、ステージ駆動装置１６、シャッタ７２ｂに接続されて、ウェット洗浄ユニット１０の各機器の動作を調整する。また、制御ユニット１７は、大気圧プラズマヘッド５１、スライド駆動部５７、プラズマ点火装置５２、プラズマ用ガスバルブ５３ａ、シャッタ７３ｂに接続されてドライ洗浄ユニット４０の各機器の動作を調整する。更に、制御ユニット１７は、縦搬送ユニット７０の縦搬送装置７５に接続されて縦搬送装置７５の動作を調整する。
次に、図１４を参照して上記のように構成された電子部品洗浄装置２００のウェーハ８０の洗浄動作について説明する。先に図５を参照して説明した電子部品洗浄装置１００の動作と同様の動作については同様のステップ番号を付して説明は省略する。
電子部品洗浄装置２００の制御ユニット１７は、図１４のステップＳ１０１において、縦搬送装置７５を動作させてウェット洗浄ユニット１０にウェーハ８０を搬入し電子部品洗浄装置１００と同様、図１４のステップＳ１０２からＳ１０４でウェット洗浄を実行する。
ウェット洗浄が終了したら、制御ユニット１７は、図１４のステップＳ１０５でシャッタ７２ｂ、７３ｂを開放し、図１４のステップＳ２０１で縦搬送装置７５を動作させて、ウェット洗浄ユニット１０からドライ洗浄ユニット２４０にウェーハ８０を搬送する。そして、制御ユニット１７は、ウェーハ８０の搬送が終了したら、図１４のステップＳ１０８でシャッタ７２ｂ、７３ｂを閉とする。そして、制御ユニット１７は、図１４のステップＳ１０９において、スライド駆動部５７によりウェーハ８０を上面に保持している処理ステージ５８を往復移動させてドライ洗浄を行う。ドライ洗浄が終了したら、制御ユニット１７は、図１４のステップＳ１１０でシャッタ７２ｂ、７３ｂを開放し、図１４のステップＳ２０２で縦搬送装置７５によってウェーハ８０をウェット洗浄ユニット１０に搬送する。そして、制御ユニット１７は、図１４のステップＳ１１２でシャッタ７２ｂ、７３ｂを閉として図１４のステップＳ１１３に進み、ウェット洗浄ユニット１０で水素水処理を行う。そして、制御ユニット１７は、図１４のステップＳ１１４でスピン乾燥処理を行った後、図１４のステップＳ１１５で、縦搬送装置７５によってウェット洗浄ユニット１０からウェーハ８０を搬出する。
電子部品洗浄装置２００は、電子部品洗浄装置１００と同様、大気圧プラズマによるドライ洗浄の終了直後に水素水処理による親水化を開始することができるので、ウェーハ８０の表面８１を親水性の高い状態に保つことができ、ボンディング品質を向上させることができる。
以上の説明では、電子部品洗浄装置１００、２００は、ウェーハ８０の表面８１を洗浄することとして説明したが半導体チップ８５表面を洗浄することもできる。半導体チップ８５は、図１５に示すように、円板状のウェーハ８０の下面に支持材であるシリコン製のダイシングフィルム８７を貼り付け、上側からダイシングソーで格子状に切り込みを入れて分割されたものである。また、ダイシングフィルム８７の外周の上側の面は、リング８６に取り付けられている。従って、半導体チップ８５は、ダイシングフィルム８７の上面に貼り付けられた状態でリング８６と一体にハンドリングされる。図１５に示す符号８９は、半導体チップ８５の表面８９を示す。尚、半導体チップ８５はダイシングフィルム８７の上に貼り付けられているものに限らず、シリコンウェーハ、ガラス板、または基板の上に貼り付けられていてもよい。
また、以上の説明では、ウェット洗浄は水素水を用いて行うこととして説明したがこれに限らず、オゾン水を用いて行ってもよい。また、水素水洗浄、水素水処理において、水素水を超音波加振せずにウェーハ８０の表面８１に噴射してもよい。
１０ ウェット洗浄ユニット、１１、４１、６１、７１ ケーシング、１１ａ、１１ｂ、４１ｂ、６１ａ、７２、７３ 側壁、１１ｃ、４１ｃ、４７、６６、７２ａ、７３ａ 開口、１２、６２ 内部、１３ ウェット洗浄チャンバ、１４、５８ 処理ステージ、１５ シャフト、１６ ステージ駆動装置、１７ 制御ユニット、１８ ＣＰＵ、１９ メモリ、２１ 水ノズル、２２ 超音波振動子、２３ ノズルアーム、２４ ノズルアーム駆動部、２５、３６、５４ 配管、２６ 純水タンク、２６ａ 純水バルブ、２７ 水素水タンク、２７ａ 水素水バルブ、２８ オゾン水タンク、２８ａ オゾン水バルブ、３１ 拭き取りヘッド、３２ ヘッドアーム、３３ ヘッドアーム駆動部、３４ 拭き取り部材、３５ 回転押圧駆動部、３７ 洗浄水タンク、３７ａ 洗浄水バルブ、４０、２４０ ドライ洗浄ユニット、４２ 床板、４３ 天井板、４４ ドライ洗浄チャンバ、４５ 機器配置空間、４６ 天井レール、４８、７２ｂ，７３ｂ シャッタ、４９ 切欠き、５１ 大気圧プラズマヘッド、５２ プラズマ点火装置、５３ プラズマ用ガスタンク、５３ａ プラズマ用ガスバルブ、５５ 接続線、５６ プラズマヘッド駆動部、５６ａ ブラケット、５７ スライド駆動部、６０ 横搬送ユニット、６３ ウェーハ受け渡しステージ、６４ 横搬送ロボット、７０ 縦搬送ユニット、７５ 縦搬送装置、７６ 本体、７７ チャック、８０ ウェーハ、８１、８９ 表面、８５ 半導体チップ、８６ リング、８７ ダイシングフィルム、１００、２００ 電子部品洗浄装置。
Claims (8)
- 電子部品の表面の洗浄を行う電子部品洗浄装置であって、
液体により前記電子部品の表面のウェット洗浄を行うウェット洗浄ユニットと、
大気圧プラズマにより前記電子部品の表面のドライ洗浄を行うドライ洗浄ユニットと、
前記ウェット洗浄ユニットと前記ドライ洗浄ユニットとの間で前記電子部品を搬送する搬送ユニットと、
前記ウェット洗浄ユニットと、前記ドライ洗浄ユニットと、前記搬送ユニットとの動作を調整する制御ユニットと、を備え、
前記制御ユニットは、
前記ウェット洗浄ユニットで液体により前記電子部品の表面の前記ウェット洗浄を行い、
前記搬送ユニットでウェット洗浄済の前記電子部品を前記ドライ洗浄ユニットに搬送し、
前記ドライ洗浄ユニットで大気圧プラズマにより前記電子部品の表面の前記ドライ洗浄を行い、
前記搬送ユニットでドライ洗浄済の前記電子部品を前記ウェット洗浄ユニットに搬送し、
前記ウェット洗浄ユニットで、水素ガスを水に溶解した水素水を用いて前記電子部品の表面の親水化を行う水素水処理を行うこと、
を特徴とする電子部品洗浄装置。 - 請求項１に記載の電子部品洗浄装置であって、
前記制御ユニットは、
前記ドライ洗浄が終了した後に前記搬送ユニットでドライ洗浄済の前記電子部品を前記ドライ洗浄ユニットから前記ウェット洗浄ユニットに搬送して前記水素水処理を開始すること、
を特徴とする電子部品洗浄装置。 - 請求項２に記載の電子部品洗浄装置であって、
前記制御ユニットは、
前記ドライ洗浄の終了後３０秒以内に前記搬送ユニットでドライ洗浄済の前記電子部品を前記ドライ洗浄ユニットから前記ウェット洗浄ユニットに搬送して前記水素水処理を開始すること、
を特徴とする電子部品洗浄装置。 - 請求項３に記載の電子部品洗浄装置であって、
前記制御ユニットは、
前記ドライ洗浄の終了後１０秒以内に前記搬送ユニットでドライ洗浄済の前記電子部品を前記ドライ洗浄ユニットから前記ウェット洗浄ユニットに搬送して前記水素水処理を開始すること、
を特徴とする電子部品洗浄装置。 - 請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品洗浄装置であって、
前記ドライ洗浄ユニットは、前記ウェット洗浄ユニットの上に少なくとも一部が重ね合わされて配置されており、
前記搬送ユニットは、上面に前記電子部品を保持するとともに、前記電子部品を保持した状態で上下方向に駆動されるステージであること、
を特徴とする電子部品洗浄装置。 - 請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品洗浄装置であって、
前記ドライ洗浄ユニットは、前記ウェット洗浄ユニットの上に少なくとも一部が重ね合わされて配置されており、
前記搬送ユニットは、前記ウェット洗浄ユニットと前記ドライ洗浄ユニットに隣接して配置され、前記ウェット洗浄ユニットと前記ドライ洗浄ユニットとに跨って上下方向に延びて、前記ウェット洗浄ユニットと前記ドライ洗浄ユニットとの間で前記電子部品を搬送すること、
を特徴とする電子部品洗浄装置。 - 請求項１から６のいずれか１項に記載の電子部品洗浄装置であって、
前記電子部品は、ウェーハ、半導体チップ、又は半導体装置用の基板であること、
を特徴とする電子部品洗浄装置。 - 請求項７に記載の電子部品洗浄装置であって、
前記半導体チップは、支持材の上に貼り付けられていること、
を特徴とする電子部品洗浄装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2022/016054 WO2023188128A1 (ja) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 電子部品洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2023188128A1 JPWO2023188128A1 (ja) | 2023-10-05 |
| JP7414335B1 true JP7414335B1 (ja) | 2024-01-16 |
Family
ID=88199694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022568457A Active JP7414335B1 (ja) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 電子部品洗浄装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7414335B1 (ja) |
| KR (1) | KR20230155004A (ja) |
| CN (1) | CN117157737A (ja) |
| TW (1) | TW202337580A (ja) |
| WO (1) | WO2023188128A1 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008518470A (ja) | 2004-10-26 | 2008-05-29 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． | プラズマボンディングのための方法及びプラズマボンディングによって形成される接着構造物 |
| WO2010021020A1 (ja) | 2008-08-18 | 2010-02-25 | アクアサイエンス株式会社 | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 |
| JP2012250232A (ja) | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Semes Co Ltd | 基板処理設備及び基板処理方法 |
| WO2021132133A1 (ja) | 2019-12-26 | 2021-07-01 | ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 | 半導体チップ洗浄方法及び半導体チップ洗浄装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7365827B2 (ja) | 2019-03-13 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム、および接合方法 |
-
2022
- 2022-03-30 CN CN202280005063.9A patent/CN117157737A/zh active Pending
- 2022-03-30 WO PCT/JP2022/016054 patent/WO2023188128A1/ja active Application Filing
- 2022-03-30 JP JP2022568457A patent/JP7414335B1/ja active Active
- 2022-03-30 KR KR1020237035133A patent/KR20230155004A/ko unknown
-
2023
- 2023-01-07 TW TW112100661A patent/TW202337580A/zh unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008518470A (ja) | 2004-10-26 | 2008-05-29 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． | プラズマボンディングのための方法及びプラズマボンディングによって形成される接着構造物 |
| WO2010021020A1 (ja) | 2008-08-18 | 2010-02-25 | アクアサイエンス株式会社 | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 |
| JP2012250232A (ja) | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Semes Co Ltd | 基板処理設備及び基板処理方法 |
| WO2021132133A1 (ja) | 2019-12-26 | 2021-07-01 | ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 | 半導体チップ洗浄方法及び半導体チップ洗浄装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230155004A (ko) | 2023-11-09 |
| TW202337580A (zh) | 2023-10-01 |
| CN117157737A (zh) | 2023-12-01 |
| WO2023188128A1 (ja) | 2023-10-05 |
| JPWO2023188128A1 (ja) | 2023-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4570008B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| CN109496346B (zh) | 图案倒塌恢复方法、基板处理方法以及基板处理装置 | |
| TWI558476B (zh) | 基板清潔方法及基板清潔裝置 | |
| JP4732918B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP6418554B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US20080053488A1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
| US20100319726A1 (en) | Substrate preparation using megasonic coupling fluid meniscus | |
| US20200144081A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
| JP7414335B1 (ja) | 電子部品洗浄装置 | |
| WO2023188154A1 (ja) | 電子部品洗浄方法 | |
| JP6029975B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
| JPH1167705A (ja) | 処理装置 | |
| JP6966917B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP6817821B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP7422432B1 (ja) | ウェーハ洗浄装置及びボンディングシステム | |
| US20240258125A1 (en) | Electronic component cleaning apparatus | |
| JP2017069336A (ja) | 基板処理装置、吸着保持部の洗浄方法および記憶媒体 | |
| CN115565925A (zh) | 基板处理装置和防雾件的清洗方法 | |
| JPH02252238A (ja) | 基板の洗浄装置 | |
| JP2000208466A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH04213826A (ja) | 半導体製造用ウェーハ洗浄装置 | |
| WO2022210088A1 (ja) | 基板処理装置、および基板処理方法 | |
| JP2002305174A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
| JP2003297793A (ja) | 基板処理装置及び洗浄処理方法 | |
| JP2008124503A (ja) | 液処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230814 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231013 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231127 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231221 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7414335 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |