JPH1167705A

JPH1167705A - 処理装置

Info

Publication number: JPH1167705A
Application number: JP23653197A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Nakajima; 敏中嶋; Takanori Miyazaki; 高典宮崎; Hiromi Taniyama; 博己谷山
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1997-08-18
Filing date: 1997-08-18
Publication date: 1999-03-09
Anticipated expiration: 2017-08-18
Also published as: JP3377414B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の表面及び裏面を同時に処理でき，特に
基板の裏面をむらなく処理できる処理装置を提供するこ
とにある。【解決手段】ウェハＷを回転自在に保持するスピンチ
ャック２０と，スピンチャック２０に保持されたウェハ
Ｗの表面を処理する表面処理ノズル２４，表面スクラブ
洗浄機２５と，スピンチャック２０に保持されたウェハ
Ｗの裏面を処理する裏面処理ノズル３０，裏面スクラブ
洗浄機３１を備えた処理装置１３において，スピンチャ
ック２０の回転軸２７を中空に形成し，この中空に形成
された回転軸２７の内部に裏面処理ノズル３０，裏面ス
クラブ洗浄機３１を配置したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，例えばＬＣＤ基板
や半導体ウェハのような基板の表面及び裏面を処理する
処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）の基板
の表面及び裏面を清浄な状態にすることが極めて重要で
ある。そのため，ウェハの表面及び裏面に付着したパー
ティクル，有機汚染物，金属不純物等のコンタミネーシ
ョンを除去するために洗浄処理システムが使用されてい
る。ウェハを洗浄する洗浄処理システムの一つして，枚
葉型の処理装置を用いた洗浄処理システムが知られてい
る。

【０００３】この洗浄処理システムには，例えばウェハ
を収納したキャリアを載置する載置部と，載置部に載置
されたキャリアから洗浄前のウェハを取り出し，また，
洗浄後のウェハをキャリアに搬入する取出搬入部と，ウ
ェハの表面と裏面を洗浄処理及び乾燥処理する洗浄処理
部と，これら取出搬入部と洗浄処理部との間でウェハの
搬送を行う搬送部が設けられている。さらに，洗浄処理
部内には，アンモニア，フッ酸，硫酸等の薬液や純水と
いった各種の処理液を用いて洗浄処理する洗浄処理装置
が配置されている。

【０００４】ここで，図１０は従来の裏面洗浄処理装置
の典型例の断面図であり，図１１はその平面図である。
図１０で示すように，裏面洗浄処理装置１００はスピン
チャク１０１を備えており，このスピンチャック１０１
は，モータ１０２と，モータ１０２の回転駆動によって
回転する回転軸１０３と，回転軸１０３の上部に取り付
けられた載置板１０４と，載置板１０４の周縁部に配置
された保持部１０５とから構成されている。さらに，載
置板１０４の下方には，ウェハＷの裏面に洗浄処理液を
吐出する裏面処理ノズル１０６が回転軸１０２の外側に
配置されている。また，図１１に示すように，載置板１
０４には複数の隙間１１０が形成されており，この隙間
１１０から裏面処理ノズル１０６のノズル本体１０７が
ウェハＷの裏面を覗いているような構成になっている。
そして，ウェハＷは処理容器１０８内で裏面を洗浄処理
される。以上のように構成された従来の裏面洗浄処理装
置１００で行われる洗浄処理では，スピンチャック１０
１に保持され回転しているウェハＷの裏面に，裏面処理
ノズル１０６から洗浄処理液を吐出して洗浄処理を行
う。

【０００５】また，スピンチャックに保持され回転して
いるウェハの表面や裏面に洗浄処理液を供給しつつ，ブ
ラシやスポンジ等の処理部材を回転させながら基板の表
面や裏面に付着したパーティクル等をこすり落として除
去するスクラブ洗浄が知られている。そして，ウェハの
表面をスクラブ洗浄した後に，適当なウェハ反転機構を
用いて，ウェハの表裏を反転させ，ウェハの裏面を上に
した状態でスピンチャックに再び保持させウェハの裏面
をスクラブ洗浄することが行われている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで，従来の処理
装置では，ウェハの表面と裏面を別々に洗浄するために
処理時間が長くなると共に，表面洗浄と裏面洗浄の２種
類の処理装置が必要となるので洗浄処理システム自体を
大型化させてしまう。また，図１０に示すように，従来
の裏面洗浄処理装置は，裏面処理ノズル１０６から吐出
される洗浄処理液にとって，洗浄処理中に回転している
載置台１０４が障害物となる。このため，ウェハＷの裏
面の所定の箇所では洗浄処理液の吐出が妨げられ，洗浄
不良が発生する。また，中途半端に濡れた状態のウェハ
の裏面箇所においては気液界面が多数発生する。この気
液界面は外部雰囲気中のパーティクルを吸い寄せ，ウェ
ハＷの裏面に付着するパーティクルを増加させてしま
う。

【０００７】また，スクラブ洗浄を適応させた処理装置
では，ウェハ反転機構を介して，ウェハの表面と裏面を
別々に洗浄するため処理時間が長くなると共に，処理装
置毎にウェハ反転機構を設ける必要があるため，浄処理
システム自体を大型化させてしまう。

【０００８】本発明の目的は，基板の表面及び裏面を同
時に処理でき，特に基板の裏面をむらなく処理できる処
理装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は，基板
を回転自在に保持する回転保持手段と，前記回転保持手
段に保持された基板の表面を処理する表面処理手段と，
前記回転保持手段に保持された基板の裏面を処理する裏
面処理手段を備えた処理装置において，前記回転保持手
段の回転軸を中空に形成し，この中空に形成された回転
軸の内部に前記裏面処理手段を配置したことを特徴とす
る。

【００１０】この請求項１の処理装置によれば，中空に
形成された回転軸の内部に裏面処理手段を配置している
ので，裏面処理手段による処理を回転保持手段が邪魔す
ることはない。従って，裏面処理手段は，基板の裏面に
対して有効な処理を行える。

【００１１】この請求項１の発明において，請求項２に
記載したように，前記裏面処理手段は，基板の裏面に向
かって処理液を吐出する液吐出機構であっても良い。か
かる構成によれば，障害物が存在しないため，液吐出機
構は常に処理液を基板の裏面に吐出することができる。
基板の裏面は処理液の液膜に覆われ，基板の裏面にパー
ティクルを付着させる気液界面を発生させることがな
い。

【００１２】また，請求項３の記載したように，前記裏
面処理手段は，基板の裏面に処理体を接触させて処理す
るスクラブ洗浄機構であっても良い。かかる構成によれ
ば，処理体と基板の裏面との間に障害物となるものがな
いので，基板を回転させながら処理体を基板の裏面に接
触させて洗浄処理することができる。さらに，請求項４
に記載したように，前記裏面処理手段は，前記液吐出機
構と前記スクラブ洗浄機構の両方を備えても良い。

【００１３】また，請求項５に記載したように，前記液
吐出機構は，少なくとも基板の裏面中央から任意の周縁
部にまで同時に処理液を吐出するように構成されている
ことが良い。また，請求項６に記載したように，前記液
吐出機構は，少なくとも基板の裏面中央から任意の周縁
部まで処理液を供給できるように移動自在に構成されて
いるのも好ましい。いずれの構成においても，基板を回
転させながら，基板の裏面中央から任意の周縁部まで処
理液を吐出し，基板の裏面全体に処理液を供給すること
ができる。

【００１４】さらに，請求項７に記載したように，前記
液吐出機構は，高圧の処理液を吐出するジェット液吐出
機構であることが良い。また，請求項８に記載したよう
に，前記液吐出機構は，超音波によって励振した処理液
を吐出するメガソニック液吐出機構であるのも好まし
い。

【００１５】また，請求項９に記載したように，前記ス
クラブ洗浄機構は，少なくとも基板の裏面中央から任意
の周縁部まで移動自在な処理体を備えているのが良い。
かかる構成によれば，基板を回転させながら，スクラブ
洗浄機構の処理体を基板の裏面中央から任意の周縁部ま
で往復移動させる。これより，スクラブ洗浄機構の処理
体を基板の裏面全体に漏れなく接触させることができ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の実施の形態はキャリア単位でのウ
ェハの搬入，洗浄，乾燥，キャリア単位での搬出までを
一貫して行うように構成された洗浄処理システムとして
構成されたものである。図１は，本発明の好ましい実施
の形態を説明するための洗浄処理システム１の平面図で
あり，図２はその斜視図である。

【００１７】この洗浄処理システム１は，ウェハＷを収
納したキャリアＣを載置させる載置部２と，載置部２に
載置されたキャリアＣに対してウェハＷを取り出し又は
搬入する取出搬入アーム３が設けられた取出搬入部５
と，ウェハＷに対して所定の洗浄処理及び乾燥処理を行
う洗浄処理部６と，取出搬入部５と洗浄処理部６との間
でウェハＷを搬送する搬送アーム８が設けられた搬送部
１０とを備えている。

【００１８】載置部２は，ウェハを２５枚収納したキャ
リアＣを３個分載置できる構成になっている。そして，
洗浄前のウェアＷをキャリアＣ単位で洗浄処理システム
１の載置部２に搬入し，また，洗浄後のウェハＷをキャ
リアＣ単位で洗浄処理システム１の載置部２から搬出す
るように構成されている。

【００１９】取出搬入部５に設けられた取出搬入アーム
３は，水平（Ｘ，Ｙ）方向に移動すると共に，昇降自在
であり，かつ鉛直軸を中心に回転できるように構成され
ている。また，取出搬入部５の両側の空間には，一方側
に搬入・バッファ機構１１が設けられており，他方側に
搬出・バッファ機構１２がそれぞれ設けられている。ま
た，取出搬入アーム３には，２本のアーム３ａ，３ｂが
上下２段に取り付けられている。そして，取出搬入アー
ム３は，下段に取り付けられたアーム３ａで洗浄前のウ
ェハＷを一枚づつキャリアＣから取り出し搬入・バッフ
ァ機構１１に載置し，一方，上段に取り付けられたアー
ム３ｂで搬送部１０から搬出・バッファ機構１２へ載置
された洗浄後のウェハＷを搬出・バッファ機構１２から
取り出しキャリアＣに一枚ずつ搬入する操作を行う。

【００２０】洗浄処理部６には，ウェハＷの洗浄処理及
び乾燥処理を行う処理装置１３，１４，１５が配置され
ている。処理装置１３の下方には処理装置１３と同様な
処理工程を行うように構成された処理装置１６が配置さ
れ，同様に処理装置１４の下方には処理装置１４と同様
な処理工程を行うように構成された処理装置１７が配置
され，同様に処理装置１５の下方には処理装置１５と同
様な処理工程を行うように構成された処理装置１８が配
置されている。そして，処理装置１３〜１５及び処理装
置１６〜１８において同時に処理が進行できる構成にな
っている。なお，これら処理装置１３〜１８の背面に
は，ウェハＷを洗浄処理する際に使用される薬液が貯留
されている薬液供給装置１９が配置されている。

【００２１】搬送部１０に設けられた搬送アーム８は，
水平（Ｘ，Ｙ）方向に移動すると共に，昇降自在であ
り，かつ鉛直軸を中心に回転できるように構成されてい
る。また，搬送アーム８には，３本のアーム８ａ，８
ｂ，８ｃが上中下の３段に取り付けられている。そし
て，搬送アーム８は，下段に取り付けられたアーム８ａ
及び中段に取り付けられたアーム８ｂで搬入・バッファ
機構１１から処理装置１３，１６に搬送すると共に処理
装置１３，１６から処理装置１４，１７，１６，１８に
順次ウェハＷを搬送する操作を行い，一方，上段に取り
付けられたアーム８ｃで洗浄後のウェハＷを洗浄処理部
４から搬出し搬出・バッファ機構１２に載置する操作を
行う。

【００２２】以上のように構成された洗浄処理システム
１において，載置部２に載置されたカセットＣ内のウェ
ハＷは，取出搬入アーム３によって取り出され搬入・バ
ッファ機構１１に載置される。搬入・バッファ機構１１
に載置されたウェハＷは搬送アーム８に受け渡され，処
理装置１３〜１８に適宜搬送される。即ち，まずウェハ
Ｗは，例えば処理装置１３において，薬液成分を主体に
した処理液によって洗浄処理され，その後に純水による
リンス処理，スピンによる乾燥処理の順で処理される。
処理装置１３で処理されたウェハＷは続いて，処理装置
１４において，処理装置１４とは異なる薬液成分を主体
とした処理液によって同様に洗浄処理され，その後に純
水によるリンス処理，スピンによる乾燥処理の順で処理
される。そして，最後に処理装置１５において，純水に
よるリンス処理で最終洗浄され，スピンによる乾燥処理
される。なお，処理装置１６〜１８においても同様な洗
浄工程が行われる。

【００２３】なお各処理装置１３〜１８の配列，各処理
装置の組合わせは，ウェハＷに対する洗浄の種類によっ
て任意に組み合わせることができる。例えば，ある処理
装置を減じたり，逆にさらに他の処理装置を付加しても
よい。

【００２４】次に，処理装置１３〜１８の構成について
説明する。なお，本発明の実施の形態にかかる洗浄処理
システム１の処理装置１３〜１８は何れも同様の構成を
備えているので，処理装置１３を代表として説明する。

【００２５】図３は処理装置１３の要部を示す断面図，
図４はその平面図である。この処理装置１３のケーシン
グ１３ａ内には，基板であるウェハＷを回転自在に保持
する回転保持手段としてのスピンチャック２０と，この
スピンチャック２０及びウェハＷを包囲する処理容器２
１と，ウェハＷの表面に処理液や乾燥ガスを供給する移
動自在な表面処理ノズル２４とウェハＷの表面をスクラ
ブ洗浄処理する移動自在な表面スクラブ洗浄機２５とを
備えている。

【００２６】スピンチャック２０は，モータ２６により
回転させられる回転軸２７の上部に装着された載置台２
８と，この載置板２８上に配置されたメカニカルチャッ
クなどから成る保持部２９とから構成されている。ここ
で，下方をモータ２６内部に組み込ませている回転軸２
７は，モータ２６の出力軸として機能する。

【００２７】スピンチャック２０の回転軸２７は両端が
開口した中空の円筒形状をなし，この中空に形成された
回転軸２７の内部に，裏面処理ノズル３０，裏面スクラ
ブ洗浄機３１を配置している。この裏面処理ノズル３
０，裏面スクラブ洗浄機３１はいずれも回転軸２７を通
じてウェハＷの裏面下方に位置している。ここで，回転
軸２７は，下方をモータ２６内部に組み込まれモータ２
６の出力軸として構成されている。なお，モータ２６の
代わりに，プーリやベルト等から構成される回転伝達機
構を回転軸２７に取り付けて回転軸２７を回転自在にす
るようにして良い。

【００２８】ここで，図５に示すように，裏面処理ノズ
ル３０は，第１のアーム３２，第２のアーム３３から成
る水平方向に移動できる水平関節型ロボットを備え，第
２のアーム３３の先端部にはジェットノズル３４が上向
きに装着されている。第１のアーム３２の基端部には，
モータ３５の動力によって正逆回転する回転軸３６が接
続されており，モータ３５の回転駆動の切換によって，
ジェットノズル３４が，図４に示すように，少なくとも
ウェハＷの裏面中央から任意の周縁部の間をθ方向で往
復回動できるようになっている。

【００２９】このジェットノズル３４には，図６に示す
ように，ポンプ４０，開閉弁４１を備えた薬液供給回路
４２と，ポンプ４３，開閉弁４４を備えた純水供給回路
４５が接続されており，これら供給回路４２，４５から
供給されることにより，ジェットノズル３４は，スピン
チャック２０によって保持・回転しているウェハＷの裏
面に向かって高圧な薬液や純水等の処理液を吐出するこ
とができるようになっている。

【００３０】一方，裏面スクラブ洗浄機３１も裏面処理
ノズル３０と同様に，第１のアーム５０，第２のアーム
５１から成る水平方向に移動できる水平関節型ロボット
を備え，第２のアーム５１の先端部には処理体５２が装
着されている。第１のアーム５０の基端部には，回転昇
降機構５３の動力によって正逆回転する回転軸５４が接
続されており，回転昇降機構５３の回転駆動の切換によ
って，処理体５２が，図４に示すように，少なくともウ
ェハＷの裏面中央から任意の周縁部の間をθ’方向で往
復回動できるようになっている。

【００３１】さらに，回転昇降機構５３の昇降駆動によ
って処理体５２は上下移動し，スピンチャック２０に保
持されたウェハＷの裏面に接触した状態と，ウェハＷの
裏面の下方に下がった状態とに切り換えるように構成さ
れている。図示の例では，回転昇降機構５３の稼働によ
って，裏面スクラブ洗浄機３１が最も上昇し処理体５２
をウェハＷの裏面に接触させた状態を示している。

【００３２】この処理体５２は，ブラシやスポンジなど
から成る処理部材５５を備えており，処理部材５５は第
２のアーム５１内に内蔵されたモータ（図示せず）によ
って回転する回転軸５６の上部に取り付けられている。
また，処理部材５５の中央には，処理液として例えば純
水を吐出する吐出口５７が開口している。そして，処理
体５２をウェハＷの裏面に接触させる際には，吐出口５
７から純水を吐出しながら，回転している処理部材５５
をウェハＷの裏面に接触させるようになっている。

【００３３】なお，処理容器２１及び回転軸２７の中空
内部の雰囲気は，いずれも外部に設置されている真空ポ
ンプなどの排気手段（図示せず）によって排気される。
また，ウェハＷの表面の洗浄処理に使用された処理液
は，処理容器２１の底部に設けられた排液管６０などを
通じてから排液され，ウェハＷの裏面の洗浄処理に使用
された処理液は，処理容器２１の排液管６０などを通じ
て排液されるようになっている。

【００３４】なお，ジェットノズル３４を設ける代わり
に，図７に示すように，裏面処理ノズル３０の第２のア
ーム３３の先端部に処理液を超音波によって励振するた
めの励振器６５が内蔵されたメガソニックノズル６６を
設けても良い。これらジェットノズル３４，メガソニッ
クノズル６６は，洗浄処理の種類に対応して変更するこ
とができる。

【００３５】次に，以上のように構成された洗浄処理シ
ステム１において行われるウェハＷの処理を説明する。
まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されていない
ウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを載置
部２に載置する。そして，この載置部２に載置されたキ
ャリアＣからウェハＷが取り出され，取出アーム３から
搬入・バッファ機構１１を介して搬送アーム７に受け渡
され，ウェハＷは処理装置１３，１４，１５に順次搬送
される。こうして，ウェハＷの表面及び裏面に付着して
いる有機汚染物，パーティクル等の不純物質を除去する
ための洗浄を行う。

【００３６】ここで，処理装置１３での洗浄処理を説明
する。先に図２で説明したようにスピンチャック２０の
載置台２１にウェハＷが載置され保持される。即ち，保
持部２９はウェハＷの周縁部を押さえウェハＷを保持す
る。そして，モータ２６の回転駆動によって回転軸２７
は回転し，保持部２９に保持されたウェハＷが回転す
る。

【００３７】次に，先に図３で説明したように，ジェッ
トノズル３４は回転していウェハＷの裏面に高圧な処理
液を吐出する。そして，先に図４，５で説明したよう
に，モータ３５の回転駆動によって，ジェットノズル３
４を少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁部ま
で往復移動させる。これにより，ウェハＷの裏面の表面
全体に高圧な処理液を供給する。

【００３８】ここで，裏面処理ノズル３０は回転軸２７
の中空に配置されているため，ウェハＷの裏面とジェッ
トノズル３４の間には，障害物が存在しない。このた
め，ジェットノズル３４は常に処理液をウェハＷの裏面
に供給でき，ウェハＷの裏面は処理液の液膜に覆われ
る。こうして，裏面処理ノズル３０は有効なパーティク
ル除去を行うことができる。

【００３９】一方，先に図３で説明したように，回転昇
降機構５３の昇降稼働によって，裏面スクラブ洗浄機３
１が上昇し，処理体５２をウェハＷの裏面に接触させ
る。処理体５２は，純水を吐出しながら処理部材５５を
回転させ，ウェハＷの裏面に付着したパーティクルをこ
すり落とす。さらに，回転しているウェハＷの裏面に処
理体５２を接触させた状態で，先に図４，５で説明した
ように，回転昇降機構５３の回転駆動によって，処理体
５２を少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁部
まで往復移動させる。そして，裏面スクラブ洗浄機３１
の処理体５２は，ウェハＷの裏面全体に漏れなく接触し
洗浄処理する。

【００４０】ここで，裏面スクラブ洗浄機３１は回転軸
２７の中空に配置されているため，処理体５２の軌道に
対して干渉するものが存在しない。このため処理体５２
は，回転軸２７内を円滑に移動し，裏面スクラブ洗浄機
３１は，ウェハＷの裏面全体をむらなく洗浄処理する。
なお，ウェハＷの表面においても，表面供給ノズル２４
と表面スクラブ洗浄機２５によって洗浄処理が行われ
る。

【００４１】所定時間が経過し，洗浄処理が終了する
と，裏面処理ノズル３０からの処理液の供給が停止す
る。一方，裏面スクラブ洗浄機３１は，回転昇降機構５
３の下降稼働によって下がり，処理体５２はウェハＷの
裏面から離れる。その後，スピンチャック２０を更に高
速回転させて，ウェハＷの裏面から処理液を振り切って
乾燥処理を行う。この際に，ウェハＷの表面の乾燥処理
も行われる。

【００４２】その後，処理工程が終了したウェハＷは処
理装置１３から搬出され，処理装置１４に搬送され，以
下同様に，処理装置１４，１５において，ウェハＷの表
面及び裏面に対して，洗浄処理及び乾燥処理が行われ
る。こうして，洗浄処理部６での処理工程が終了したウ
ェハＷは再びキャリアＣに収納され，続いて，残りの２
４枚のウェハＷに対しても一枚づつ同様な処理が行われ
ていく。こうして，２５枚のウェハＷの処理が終了する
と，キャリアＣ単位で洗浄処理システム１外に搬出され
る。

【００４３】かくして，本発明の実施の形態の処理装置
１３によれば，スピンチャック２０の回転軸２７を中空
に形成し，この中に裏面処理ノズル３０を配置させるこ
とにより，裏面処理ノズル３０による処理液の吐出を邪
魔するものがなくなる。従って，ウェハＷの裏面に気液
界面が発生するのを防止し，むらなく洗浄処理すること
ができる。その結果，裏面処理ノズル３０による有効な
洗浄処理が可能となる。また，裏面スクラブ洗浄機３１
も回転軸２７を中空に配置しているため，裏面スクラブ
洗浄機３１による洗浄動作を邪魔するものがなく，ウェ
ハＷの裏面をむらなく洗浄処理することができる。その
結果，裏面スクラブ洗浄機３１による有効な洗浄処理が
可能となる。また，ウェハＷの表面を洗浄処理する表面
処理ノズル２４と表面スクラブ機２５を設けるので，一
つの処理装置１３でウェハＷの表面と裏面を同時に処理
液で洗浄処理できる。従って，処理時間を短縮すると共
に，ウェハＷ反転機構等を設ける必要がなく，システム
自体の小型化が実現可能となる。

【００４４】なお，処理装置１３において，裏面処理ノ
ズルをウェハＷの裏面中央から任意の周縁部まで同時に
処理液を供給するように構成しても良い。図８に示す実
施の形態では，裏面処理ノズル７０は，長手方向の幅が
ウェハＷの半径とほぼ等しい長さを有しているノズル本
体７１を備えており，このノズル本体７１の上面には，
少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁部に沿っ
て複数の吐出口７２が並んで配置されている。以上の構
成によれば，洗浄処理をする際に，裏面処理ノズル７０
は，ノズル本体７１の複数の吐出口７２から処理液を吐
出し，少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁部
に処理液を同時に供給する。そして，スピンチャック２
０の回転により，ウェハＷの裏面全体に処理液が供給さ
れる。こうして，裏面処理ノズル７０は，ウェハＷの裏
面をむらなく洗浄処理することができる。なお，図８で
示す裏面処理ノズル７０では，ノズル本体７１の形状以
外は先に説明した図３の裏面処理ノズル３０と同様の構
成を有しているので，その他の構成については説明を省
略する。

【００４５】さらに，ノズル本体に吐出部を設けさせ，
そこから少なくともウェハＷの裏面中央から任意の周縁
部までを同時に処理液を供給するように構成しても良
い。図９に示す実施の形態では，裏面処理ノズル７３
は，ノズル本体７４に吐出部７５を設け，この吐出部７
５からスプレー状に処理液を吐出することにより，ウェ
ハＷの裏面中央から任意の周縁部まで同時に処理液を供
給する。また，洗浄処理の種類によっては回転軸の中空
に，裏面処理ノズルだけを設け処理液の供給のみでウェ
ハＷの裏面を洗浄処理をしても良し，スクラブ洗浄機だ
けを設けスクラブ洗浄のみでウェハＷの裏面を洗浄処理
しても良い。

【００４６】

【発明の効果】請求項１の処理装置によれば，裏面処理
手段を中空に形成された回転軸の内部に裏面処理手段を
配置しているので，裏面処理手段による洗浄動作が回転
保持手段に係る構成要素によって邪魔されない。その結
果，裏面処理手段は，基板の裏面に対して有効な洗浄処
理を行える。さらに，一つの処理装置でウェハＷの表面
と裏面を同時に処理できるので，処理時間を短縮すると
共に，システム自体の小型化が実現可能となる。

【００４７】請求項２〜４の処理装置によれば，裏面処
理手段を液吐出機構やスクラブ洗浄機構で構成すること
により，有効な洗浄処理が実現できる。

【００４８】請求項５，６の処理装置によれば，基板を
回転させた状態で，少なくとも基板の裏面中央から任意
の周縁部まで処理液を吐出できるので，基板の裏面全体
に処理液を均一に供給することができる。

【００４９】請求項７，８の処理装置によれば，液吐出
機構をジェット液吐出機構やメガソニック液吐出機構と
して構成することにより，更に有効な洗浄処理が行え
る。

【００５０】請求項９の処理装置によれば，基板を回転
させた状態で，スクラブ洗浄機構の処理体を基板の裏面
中央から任意の周縁部まで移動自在するので，スクラブ
洗浄機構は基板の裏面全体に漏れなく接触できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる処理装置を備えた
洗浄処理システムの平面図である。

【図２】洗浄処理システムの斜視図である。

【図３】処理装置の断面図である。

【図４】処理装置の平面図である。

【図５】裏面処理ノズル及び裏面スクラブ洗浄機の斜視
図である。

【図６】薬液供給回路及び純水供給回路の回路図であ
る。

【図７】裏面処理ノズルをメガソニックノズルにした場
合の説明図である。

【図８】裏面処理ノズルを少なくともウェハＷの裏面中
央から任意の周縁部まで同時に処理液を供給できるよう
にした場合の説明図である。

【図９】裏面処理ノズルを少なくともウェハＷの裏面中
央から任意の周縁部まで同時に処理液を供給できるよう
にした図８とは異なる場合の説明図である。

【図１０】従来の裏面洗浄処理装置の断面図である。

【図１１】従来の裏面洗浄処理装置の平面図である。

【符号の説明】

Ｗウェハ１洗浄処理システム１３，１４，１５，１６，１７，１８処理装置２０スピンチャック２６モータ２７回転軸３０裏面処理ノズル３１裏面スクラブ洗浄機３４ジェットノズル５２処理体６５励振器６６メガソニックノズル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を回転自在に保持する回転保持手段
と，前記回転保持手段に保持された基板の表面を処理す
る表面処理手段と，前記回転保持手段に保持された基板
の裏面を処理する裏面処理手段を備えた処理装置におい
て，前記回転保持手段の回転軸を中空に形成し，この中
空に形成された回転軸の内部に前記裏面処理手段を配置
したことを特徴とする処理装置。
【請求項２】前記裏面処理手段は，基板の裏面に向か
って処理液を吐出する液吐出機構であることを特徴とす
る請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】前記裏面処理手段は，基板の裏面に処理
体を接触させて処理するスクラブ洗浄機構であることを
特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項４】前記裏面処理手段は，前記液吐出機構と
前記スクラブ洗浄機構の両方を備えていることを特徴と
する請求項１に記載の処理装置。
【請求項５】前記液吐出機構は，少なくとも基板の裏
面中央から任意の周縁部にまで同時に処理液を吐出する
ように構成されていることを特徴とする請求項２又は４
に記載の処理装置。
【請求項６】前記液吐出機構は，少なくとも基板の裏
面中央から任意の周縁部まで処理液を供給できるように
移動自在に構成されていることを特徴とする請求項２又
は４に記載の処理装置。
【請求項７】前記液吐出機構は，高圧の処理液を吐出
するジェット液吐出機構であることを特徴とする請求項
２，４，５又は６の何れかに記載の処理装置。
【請求項８】前記液吐出機構は，超音波によって励振
した処理液を吐出するメガソニック液吐出機構であるこ
とを特徴とする請求項２，４，５又は６の何れかに記載
の処理装置。
【請求項９】前記スクラブ洗浄機構は，少なくとも基
板の裏面中央から任意の周縁部まで移動自在な処理体を
備えている特徴とする請求項３又は４に記載の処理装
置。