WO2022201666A1 - ウエハ裏面洗浄装置 - Google Patents

ウエハ裏面洗浄装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2022201666A1
WO2022201666A1 PCT/JP2021/045925 JP2021045925W WO2022201666A1 WO 2022201666 A1 WO2022201666 A1 WO 2022201666A1 JP 2021045925 W JP2021045925 W JP 2021045925W WO 2022201666 A1 WO2022201666 A1 WO 2022201666A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wafer
cleaning
back surface
hand
cleaning water
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/045925
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
淳一 福島
Original Assignee
株式会社東京精密
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社東京精密 filed Critical 株式会社東京精密
Priority to KR1020237032808A priority Critical patent/KR20230152086A/ko
Priority to CN202180096325.2A priority patent/CN117063263A/zh
Publication of WO2022201666A1 publication Critical patent/WO2022201666A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Definitions

  • the present invention relates to a wafer back surface cleaning apparatus that cleans the back surface of a semiconductor wafer, for example, before grinding the semiconductor wafer.
  • wafers semiconductor wafers
  • wafers silicon wafers
  • a rotatable rotating plate is provided on the back surface side of the wafer, and a hole provided in the center of the rotating plate is provided with a wafer support mechanism and a liquid discharge port.
  • the liquid ejection plate can be moved up and down to receive the wafer with the liquid ejection plate protruding upward.
  • the wafer is horizontally held by the holding member, and a liquid film is formed by supplying a processing liquid or a rinsing liquid between the wafer and the rotating plate from a liquid discharge nozzle continuously provided below the liquid discharge port.
  • FIG. 7 is an overall perspective view of the wafer back surface cleaning apparatus 101
  • FIG. 8 is a perspective view showing the inside of the cleaning position with some components omitted.
  • a wafer back surface cleaning apparatus 101 shown in FIGS. 7 and 8 includes a hand h2 that transports a wafer W before grinding with the front surface of the wafer W facing upward from the position of the alignment 102 to the cleaning position (the position shown in FIG. 7). and a hand h1 (not shown) that receives the wafer W that has been cleaned at the cleaning position and transports it to the next wafer grinding step.
  • a rotating plate 103 there are a rotating plate 103, a cleaning pad 104 made of, for example, a sponge that rotates together with the rotating plate 103, and a cleaning pad 104 that supplies cleaning water (pure water) to the cleaning pad 104 during cleaning. Equipped with a water supply nozzle 105 and a wafer suction pad 106 for holding the wafer W after cleaning, and in a non-rotating position where drying air is blown to the back surface of the wafer W after cleaning, the hand h2 and the wafer suction pad 106. It has an air blower 107 provided.
  • FIG. 1 An example of the operation of the wafer back surface cleaning apparatus 101 configured in this way is shown as an operation flow in FIG.
  • the operation of the wafer back surface cleaning apparatus 101 will be described in order of steps S101 to S106 according to the operation flow shown in FIG.
  • the hand h2 chucks (holds) the wafer W before grinding that has been transported onto the alignment 102, and the hand h2 rotates to carry the chucked wafer W directly to the cleaning position (step S101).
  • the hand h2 presses the wafer W against the rotating cleaning pad 104 to perform scrub cleaning (step S102).
  • the hand h2 moves away from the cleaning pad 104 while holding the wafer W. Also, at the cleaning position, the wafer suction pad 106 is raised and positioned above the cleaning pad 104 . Then, drying air is blown from the air blower 107 to the back surface of the wafer W and from the air blower 108 to the wafer suction pad 106 , respectively. and water are removed (step S103).
  • step S104 the hand h2 descends, and the hand h2 once transfers the gripped wafer W onto the wafer suction pad 106 (step S104). Then, only the hand h2 rises to a predetermined position. Thereafter, in order to prevent sticking of the pad portion of the hand h2 and the surface of the wafer W due to water during transfer, dry air is blown from the air blower 107 to remove foreign matter and water adhering to the pad portion of the hand h2. be Drying air is also blown from the air blower 108 to remove foreign matter and water adhering to the surface of the wafer W (step S105).
  • step S106 the wafer W on the wafer suction pad 106 is transferred to another hand h1, and the hand h1 transfers the cleaned wafer W to the next wafer grinding step (step S106). . This completes one cycle of operation.
  • the front surface of the wafer W and the hand are blown with air to prevent sticking due to water.
  • a second hand that holds the wafer with its surface facing upward, conveys the wafer before cleaning to a cleaning position, and transfers the wafer after cleaning to the first hand;
  • a cleaning pad that is arranged at a cleaning position and is slidably contactable with the back surface of the wafer, and a cleaning water supply nozzle that discharges cleaning water onto the back surface of the wafer, wherein the second hand
  • scrub cleaning the back surface of the wafer is brought into contact with the cleaning pad while the cleaning water supply nozzle is supplying cleaning water to the back surface of the wafer.
  • the back surface cleaning apparatus for a wafer separates the wafer after scrub cleaning from the cleaning pad while cleaning water is being supplied to the back surface of the wafer, and transfers the wafer to the first hand after the rinse cleaning.
  • the second hand grips the wafer placed at the alignment position or the like with the back surface facing down, conveys the wafer to the cleaning position, and scrubs and cleans the wafer at the cleaning position. Perform rinse cleaning.
  • scrub cleaning the second hand brings the cleaning pad into contact with the back surface of the wafer while the cleaning water supply nozzle is supplying cleaning water to the back surface of the wafer.
  • the scrub-cleaned wafer can be separated from the cleaning pad while cleaning water is being supplied to the rear surface of the wafer, and after rinsing, the wafer can be transferred to the first hand.
  • the back surface of the wafer is scrub-cleaned with a cleaning pad such as a sponge, and as a finishing step, cleaning water is poured over the entire back surface of the wafer from a cleaning water supply nozzle to perform a rinse-cleaning process, thereby washing off the stains raised by the scrub-cleaning process. expected to be effective.
  • the second hand receives the wafer from a predetermined position such as an alignment position, cleans the wafer, and then transfers the wafer to the first hand. Therefore, it is possible to prevent foreign substances from adhering again to the front and back surfaces of the wafer W during and after cleaning.
  • the invention according to claim 2 provides the wafer back surface cleaning apparatus in the configuration according to claim 1, wherein the cleaning water supply nozzle obliquely discharges the cleaning water to the back surface of the wafer.
  • the cleaning water supply nozzle rotates integrally with the rotary plate and discharges the cleaning water from the cleaning water supply nozzle obliquely toward the back surface of the wafer. can be spread throughout. As a result, it is possible to further remove foreign matter and the like that could not be completely removed by the scrub cleaning process by this cleaning process.
  • the invention according to claim 3 provides the wafer back surface cleaning apparatus in the configuration according to claim 1 or 2, wherein the cleaning position is provided with a cylindrical cover arranged to surround the outer periphery of the wafer.
  • the cylindrical cover prevents the cleaning liquid from splashing to the surface side of the wafer during the scrub cleaning process and the rinse cleaning process, respectively, and from running around to the surface side of the wafer and the second hand side. be able to.
  • the invention according to claim 4 is the configuration according to claim 1, 2 or 3, wherein the first hand grips the outer peripheral portion of the wafer when receiving the wafer from the second hand. provides a wafer backside cleaning apparatus.
  • the wafer after cleaning is received by the first hand from the second hand by gripping the outer peripheral portion of the wafer, thereby maintaining the state of the wafer after cleaning and performing the next grinding process. can be transported to
  • the back surface of the wafer is scrub-washed with a cleaning pad such as a sponge, and then the back surface of the wafer is rinsed with cleaning water such as pure water over the entire back surface of the wafer.
  • a cleaning pad such as a sponge
  • cleaning water such as pure water over the entire back surface of the wafer.
  • FIG. 1 is a schematic overall perspective view of a wafer back surface cleaning apparatus shown as an example according to an embodiment of the present invention
  • FIG. FIG. 2 is a perspective view showing the internal structure of the same wafer back surface cleaning apparatus with a part broken away
  • FIG. 2 is a plan view showing the inside of the same wafer back surface cleaning apparatus with a part thereof omitted
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining cleaning water discharge from a cleaning water supply nozzle and action of a cylindrical cover in the same wafer back surface cleaning apparatus
  • FIG. 4 is an operation flow diagram showing an example of operations in the same wafer back surface cleaning apparatus
  • FIG. 4 is an operation explanatory diagram of the same wafer back surface cleaning apparatus
  • 1 is an overall perspective view showing an example of a conventional wafer back surface cleaning apparatus
  • FIG. FIG. 8 is a perspective view showing the internal structure of the wafer back surface cleaning apparatus shown in FIG. 7, with some components omitted
  • FIG. 8 is a flowchart showing an operation example of the conventional wafer back surface
  • a wafer back surface cleaning apparatus comprising: a first hand for receiving the wafer after cleaning; a second hand that transfers the wafer to the first hand; a cleaning pad that is arranged at the cleaning position and is slidably contactable with the back surface of the wafer; and a cleaning water that is applied to the back surface of the wafer.
  • the second hand presses the back surface of the wafer against the cleaning pad while the cleaning water supply nozzle is supplying cleaning water to the back surface of the wafer.
  • the wafer after scrub cleaning is separated from the cleaning pad while the cleaning water supply nozzle is supplying cleaning water to the back surface of the wafer, and after the rinse cleaning, the wafer is This is realized by the configuration of handing over to the first hand.
  • drawings may exaggerate by enlarging and exaggerating characteristic parts in order to make the features easier to understand, and the dimensional ratios, etc. of the constituent elements may not necessarily be the same as the actual ones.
  • hatching of some components may be omitted in order to facilitate understanding of the cross-sectional structure of the components.
  • FIG. 1 to 3 show a wafer back surface cleaning apparatus 10 according to the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view of the entire wafer back surface cleaning apparatus 10.
  • FIG. FIG. 3 is a perspective view, and
  • FIG. 3 is a plan view showing the inside of the wafer back surface cleaning apparatus 10 with a part omitted.
  • the wafer back surface cleaning apparatus 10 is an automated apparatus that grips the wafer W before grinding from a position on the alignment 11 with the surface of the wafer W facing upward, and A hand H2 as a second hand that transports W to the cleaning position (the position shown in FIGS. 1 and 2) and holds it until the cleaning process is completed, and the wafer W that has been cleaned at the cleaning position.
  • a hand H1 is provided as a first hand that receives and conveys to the next process.
  • a rotating plate 12 At the cleaning position, there are provided a rotating plate 12, a cleaning pad 13 made of, for example, a sponge that rotates integrally with the rotating plate 12, and a supply of cleaning water (pure water) to the cleaning pad 13 during cleaning. and a cleaning water supply nozzle 14 for supplying cleaning water (pure water) for rinsing to the back surface of the wafer W.
  • FIG. A cylindrical cover 20 is provided at the washing position so as to surround the outside of the rotating plate 12 .
  • the hand H2 is equipped with a wafer suction pad 15 that serves as a ceramic porous chuck that vacuum-chucks the upper surface of the wafer W to hold it. Further, the hand H2 is capable of horizontal turning and vertical movement.
  • the hand H1 carries the wafer W from a predetermined position onto the alignment 11 before processing, receives the wafer W cleaned at the cleaning position from the hand H2, holds it, and carries it to the next grinding step. have.
  • the hand H1 grips the wafer W so that the front surface of the wafer W faces upward, and the outer peripheral surface of the wafer W is gripped and conveyed.
  • the position of the cleaning pad 13 can be adjusted vertically with respect to the rotary plate 12 and the cleaning water supply nozzle 14 . That is, when the scrub cleaning process is performed, the cleaning water supply nozzle 14 moves to an upper position, that is, a position protruding upward from the ejection of cleaning water from the cleaning water supply nozzle 14, and the cleaning water is ejected from the outlet of the cleaning water supply nozzle 14 toward the back surface of the wafer W. Scrub cleaning is performed using the cleaning water.
  • the cleaning water supply nozzle 14 moves to a lower position, that is, below the discharge of cleaning water from the cleaning water supply nozzle 14, and is arranged at a position that does not interfere with the rinse cleaning process by the cleaning water supply nozzle 14, which will be described later. be.
  • a pair of cleaning water supply nozzles 14 are provided on the left and right sides of the cleaning pad 13 .
  • the direction of the ejection port of the cleaning water supply nozzle 14 is set so that the cleaning water is ejected obliquely downward to the back surface of the wafer W, as shown in detail in FIG.
  • the cleaning water is discharged and sprayed onto the back surface of the wafer W.
  • the cleaning water flows along the entire back surface of the wafer W, so that the cleaning water can be distributed over the entire back surface of the wafer W.
  • FIG. Although a pair of cleaning water supply nozzles 14 are provided on the left and right sides of the cleaning pad 13, the structure may be such that only one nozzle is provided on one side.
  • the cover 20 is a cylindrical cover made by molding plastic such as polyvinyl chloride (PVC), fixed to the rotating plate 12, and rotated integrally.
  • the inner diameter of the cover 20 is slightly larger than the outer diameter of the wafer W. As shown in FIG.
  • the gap between the outer peripheral edge of the wafer W and the cover 20 can prevent the cleaning water discharged obliquely from the cleaning water supply nozzle 14 onto the back surface of the wafer W from going around to the front side of the wafer W. set to an extent.
  • the operation of the wafer back surface cleaning apparatus 10 is controlled by control means (not shown).
  • the control means controls each component constituting the wafer back surface cleaning apparatus 10 .
  • the control means is, for example, a computer, and is composed of a CPU, a memory, and the like.
  • the function of the control means may be realized by controlling using software, or may be realized by operating using hardware.
  • FIG. 5 is a flowchart showing an operation example of the wafer back surface cleaning apparatus 10
  • FIG. 6 is an operation diagram of the wafer back surface cleaning apparatus 10 corresponding to the flowchart of FIG. Therefore, steps S1 to S5 in FIG. 5 will be described in order by adding the operation diagram shown in FIG. 6 to the operation flow shown in FIG.
  • the wafer W before grinding is brought onto the alignment 11 by the hand H1 and placed with the surface of the wafer W facing upward.
  • the hand H2 chucks (holds) the wafer W before grinding that has been transported onto the alignment 11, and the hand H2 rotates as it is to carry the wafer W to the cleaning position (step S1 and FIG. 6B). , (c)).
  • the cleaning pad 13 is arranged at an upper position where scrub cleaning processing is performed. Then, the hand H2 presses the back side of the wafer W against the cleaning pad 13 rotating integrally with the rotating plate 12 to perform scrub cleaning (step S2). In this scrub cleaning process, the cleaning pad 13 is moved to a position protruding upward from the cleaning water discharge port of the cleaning water supply nozzle 14, and the cleaning water is discharged from the discharge port of the cleaning water supply nozzle 14 onto the back surface of the wafer W. Scrub cleaning is performed by using the cleaning water discharged toward. As a result, dirt on the back surface of the wafer can be removed with a cleaning pad 13 such as a sponge.
  • a rinse cleaning process is performed with the cleaning water discharged from the cleaning water supply nozzle 14 (step S3 and (d) of FIG. 6). That is, by performing the rinsing process by pouring the finishing cleaning water over the entire back surface of the wafer, it is possible to further remove the stains raised by the scrubbing process.
  • the rotation of the rotating plate 12 stops and the discharge of cleaning water from the cleaning water supply nozzle 14 stops.
  • the hand H2 is raised to a predetermined position together with the wafer W that has finished the cleaning process, and then the wafer W is transferred to the hand H1 with the wafer surface facing upward (step S4, FIG. 6(e)).
  • the hand H1 receives the wafer W from the hand H2 while gripping the outer periphery of the wafer W so that the front and back surfaces of the wafer W are not soiled.
  • the hand H1 which has received the wafer W for which the cleaning process has been completed, carries the received wafer W to the wafer grinding process, which is the next process (step S5), thereby completing one cycle of operation.
  • the hand H2 grips the wafer W before wafer grinding placed at a predetermined position such as the alignment 11 with the back surface of the wafer W facing downward.
  • the wafer W is transported to the cleaning position, and the back surface of the wafer W is pressed against the cleaning pad 13 at the cleaning position to perform the scrub cleaning process of the wafer back surface.
  • the back surface of the wafer is rinsed with cleaning water supplied from the cleaning water supply nozzle 14, and then the wafer W can be transferred to the hand H1 with the front side up.
  • the back surface of the wafer W is scrub-cleaned with a cleaning pad 13 such as a sponge, and then, as a finishing step, cleaning water is applied to the entire back surface of the wafer W from a cleaning water supply nozzle 14 to perform a rinse cleaning process. You can remove the dirt that has come to the fore with the rinse cleaning process.
  • a cleaning pad 13 such as a sponge
  • the hand H2 can continuously perform a series of operations from receiving the wafer W from a predetermined position such as the alignment 11 and transferring it to the hand H1 after cleaning, the hand H2 can hold the wafer W continuously. In addition, it is possible to prevent foreign matter from adhering again to the front and rear surfaces of the wafer W after cleaning.
  • the cleaning water supply nozzle 14 rotates integrally with the rotating plate 12 and discharges the cleaning water from the cleaning water supply nozzle 14 obliquely to the wafer back surface. Since it is designed to spread over the entire surface, the foreign substances that could not be removed by the scrub cleaning process can be further removed by the rinsing process.
  • the cleaning position is provided with a cylindrical cover 20 that surrounds the outer circumference of the wafer W, the cleaning liquid is splashed onto the surface side of the wafer W during the scrub cleaning process and the rinse cleaning process. , the surface side of the wafer W and the hand H2 side can be prevented from being contaminated.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

【課題】洗浄時及び洗浄後に、ウエハＷの表裏面に異物等が再付着するのを防ぐことができるウエハ裏面洗浄装置を提供する。 【解決手段】洗浄位置での洗浄を終えたウエハＷを受け取り、次の工程に搬送するハンドＨ１と、研削前のウエハＷを洗浄位置まで搬送し、洗浄を終えたウエハＷを、ウエハの表面を上側にしてハンドＨ１に受け渡すハンドＨ２と、洗浄位置に配置された、洗浄パッド１３、及び、洗浄パッド１３への洗浄水の供給とウエハＷの裏面への洗浄水の吐出とを行う洗浄水供給ノズル１４と、を備え、ハンドＨ２は、洗浄位置まで搬送したウエハＷの裏面を、洗浄パッド１３に接触させてウエハ裏面のスクラブ洗浄処理を行い、スクラブ洗浄後、ウエハ裏面に洗浄水供給ノズル１４から洗浄水の吐出を受けてリンス洗浄処理をした後、ウエハＷをハンドＨ１に受け渡すようにした。

Description

ウエハ裏面洗浄装置
　本発明は、例えば半導体ウエハの研削前に、半導体ウエハの裏面を洗浄するウエハ裏面洗浄装置に関するものである。
　一般に、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、シリコンウエハ等の半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）に、ウエハ研削前の工程で付着した汚れ、例えばパーティクルやコンタミネーション等の異物を除去する工程が必要とされている。
　ウエハの裏面の洗浄処理を行う装置としては、ウエハの裏面側に回転可能な回転プレートを設け、この回転プレートの中央に設けられた孔部に、ウエハ支持機構と液吐出口を有する、非回転の液吐出プレートを設け、この液吐出プレートを昇降可能にして、この液吐出プレートを上方に突出させた状態で、そこにウエハを受け取り、その後、液吐出プレートを下降させて回転プレートに設けられた保持部材によりウエハを水平に保持し、液吐出口の下方に連続して設けられた液吐出ノズルからウエハと回転プレートとの間に処理液やリンス液を供給して液膜を形成した状態でウエハの裏面を洗浄するものが知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
　しかしながら、特許文献１、特許文献２に記載される洗浄処理では、回転プレートとウエハの裏面との間に異物が挟まれていると、ウエハの加工仕上がりに悪影響がでる。
　そこで、今日では、例えば図７及び図８に示す、自動化されたウエハ裏面洗浄装置１０１が提案されている。図７は、ウエハ裏面洗浄装置１０１の全体斜視図であり、図８は、一部の構成部品を省略して洗浄位置内を示している斜視図である。図７及び図８に示すウエハ裏面洗浄装置１０１は、研削前のウエハＷを、そのウエハＷの表面を上側にして、アライメント１０２の位置から洗浄位置（図７で示す位置）まで搬送するハンドｈ２と、洗浄位置での洗浄を終えたウエハＷを受け取り、次のウエハ研削工程に搬送する図示しないハンドｈ１を備える。
　また、洗浄位置には、回転する回転プレート１０３と、回転プレート１０３と一体に回転する、例えばスポンジ等でなる洗浄パッド１０４、及び、洗浄時に洗浄パッド１０４に洗浄水（純水）を供給する洗浄水供給ノズル１０５、並びに、洗浄後のウエハＷを保持するウエハ吸着パッド１０６を備えるとともに、洗浄後のウエハＷの裏面とハンドｈ２及びウエハ吸着パッド１０６に乾燥用のエアを吹き付ける、非回転位置に設けられたエアブロー１０７を備えている。
　このように構成されたウエハ裏面洗浄装置１０１の動作の一例を、図９に動作フローとして示す。図９に示す動作フローに従って、ウエハ裏面洗浄装置１０１の動作をステップＳ１０１～ステップＳ１０６の順に説明する。まず、アライメント１０２上に搬送されて来た研削前のウエハＷを、ハンドｈ２でチャック（把持）し、ハンドｈ２は旋回して、そのチャックしたウエハＷをそのまま洗浄位置に運ぶ（ステップＳ１０１）。
　洗浄位置では、ハンドｈ２が、ウエハＷを回転している洗浄パッド１０４に押し付けてスクラブ洗浄処理を行う（ステップＳ１０２）。
　スクラブ洗浄処理が終了したら、ハンドｈ２がウエハＷを把持したまま、洗浄パッド１０４から離れる。また、洗浄位置では、ウエハ吸着パッド１０６が上昇し、ウエハ吸着パッド１０６が洗浄パッド１０４よりも上側に配置される。そして、エアブロー１０７からウエハＷの裏面、エアブロー１０８からウエハ吸着パッド１０６に、それぞれ乾燥用のエアが吹き付けられ、ウエハＷの裏面に残留する異物や水が取り除かれるとともに、ウエハ吸着パッド１０６上の異物や水が取り除かれる（ステップＳ１０３）。
　次いで、ハンドｈ２が下降し、ハンドｈ２は、把持しているウエハＷをウエハ吸着パッド１０６上に一度受け渡す（ステップＳ１０４）。そして、ハンドｈ２だけが所定の位置まで上昇する。その後、ハンドｈ２のパッド部分とウエハＷの表面に、搬送時の水による張り付きを防止するのに、エアブロー１０７から乾燥用のエアが吹き付けられ、ハンドｈ２のパッド部分に付着した異物や水が取り除かれる。また、エアブロー１０８からも乾燥用のエアが吹き付けられ、ウエハＷの表面に付着した異物や水が取り除かれる（ステップＳ１０５）。
　エアブロー１０７とエアブロー１０８によるエア洗浄が終わったら、ウエハ吸着パッド１０６上のウエハＷを別のハンドｈ１に受け渡し、ハンドｈ１が洗浄を終えたウエハＷを次のウエハ研削工程に搬送する（ステップＳ１０６）。これにより１サイクルの動作が終了する。
特開平９－２９８１８１号公報 特許第４９４００６６号公報
　しかしながら、図７及び図８に示したウエハ裏面洗浄装置１０１のように、スポンジ等で形成された洗浄パッド１０４を用いてスクラブ洗浄をするタイプでは、ウエハＷの裏面にスポンジ等の汚れが残ってしまう可能性がある。
　また、洗浄後のウエハ搬送の際、ウエハＷの裏面がウエハ吸着パッド１０６に触れて、汚れが再付着してしまう懸念があった。
　さらに、洗浄後のウエハ搬送の際、水による張り付き防止のため、ウエハＷの表面及びハンドにエアブローを行っているが、異物がウエハＷの裏面に再付着してしまう懸念があった。
　そこで、洗浄時及び洗浄後に、ウエハＷの表裏面に異物等が再付着するのを防ぐことができるウエハ裏面洗浄装置を提供するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
　本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１に記載の発明は、ウエハの裏面を洗浄するウエハ裏面洗浄装置であって、洗浄を終えた前記ウエハを受け取る第１のハンドと、前記ウエハの表面を上側にした状態で保持し、洗浄前の前記ウエハを洗浄位置まで搬送し、洗浄後の前記ウエハを前記第１のハンドに受け渡す第２のハンドと、前記洗浄位置に配置された、前記ウエハの裏面に摺動して接触可能な洗浄パッド、及び、前記ウエハの裏面へ洗浄水を吐出する洗浄水供給ノズルと、を備え、前記第２のハンドは、スクラブ洗浄では、前記洗浄水供給ノズルが前記ウエハの裏面に洗浄水を供給している状態で前記ウエハの裏面を前記洗浄パッドに接触させ、リンス洗浄では、前記洗浄水供給ノズルが前記ウエハの裏面に洗浄水を供給している状態でスクラブ洗浄後の前記ウエハを前記洗浄パッドから離間させ、前記リンス洗浄後に、前記ウエハを前記第１のハンドに受け渡す、ウエハ裏面洗浄装置を提供する。
　この構成によれば、アライメント位置等に置かれたウエハ研削前のウエハを、第２のハンドが、ウエハの裏面を下側にして把持し、洗浄位置まで搬送し、洗浄位置で、スクラブ洗浄とリンス洗浄を行う。そして、第２のハンドは、スクラブ洗浄では、洗浄水供給ノズルがウエハの裏面に洗浄水を供給している状態でウエハの裏面に洗浄パッドを接触させ、リンス洗浄では、洗浄水供給ノズルがウエハの裏面に洗浄水を供給している状態でスクラブ洗浄後のウエハを洗浄パッドから離間させ、リンス洗浄後は、ウエハを第１のハンドに受け渡すことができる。これによりウエハ裏面をスポンジ等の洗浄パッドでスクラブ洗浄をし、更に仕上げとして洗浄水供給ノズルからウエハ裏面全体に洗浄水をかけてリンス洗浄処理を行うことで、スクラブ洗浄処理で浮き出た汚れを洗い落とす効果が期待できる。また、第２のハンドが、アライメント位置等の所定の位置からウエハを受け取り、洗浄後、第１のハンドに受け渡すまでの一連の動作を、ウエハを持ち替えることなく、同じ第２のハンドで把持して行うことができるので、洗浄時及び洗浄後に、ウエハＷの表裏面に異物等が再付着するのを防ぐことができる。
　請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の構成において、前記洗浄水供給ノズルは、前記洗浄水を、前記ウエハの裏面に対して斜めに吐出する、ウエハ裏面洗浄装置を提供する。
　この構成によれば、前記洗浄水供給ノズルは、回転プレートと一体に回転する洗浄水供給ノズルからの洗浄水の吐出を、ウエハの裏面に対して斜めから行うことにより、洗浄水をウエハの裏面全体に行き渡せることができる。これにより、スクラブ洗浄処理で落としきれなかった異物等を、この洗浄処理で更に落として無くすことができる。
　請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の構成において、前記洗浄位置に、前記ウエハの外周を囲って配置された円筒形のカバーを備える、ウエハ裏面洗浄装置を提供する。
　この構成によれば、スクラブ洗浄処理時、及び、リンス洗浄処理時に洗浄液が、それぞれウエハの表面側に飛び跳ねて、ウエハの表面側及び第２のハンド側に回り込むのを、円筒形のカバーにより防ぐことができる。
　請求項４に記載の発明は、請求項１、２又は３に記載の構成において、前記第１のハンドは、前記第２のハンドから前記ウエハを受け取る際に、前記ウエハの外周部を把持する、ウエハ裏面洗浄装置を提供する。
　この構成によれば、洗浄後のウエハを、第１のハンドが、第２のハンドからウエハの外周部を把持して受け取ることにより、洗浄後のウエハの状態を維持して、次の研削工程へ搬送することができる。
　本発明によれば、ウエハ裏面をスポンジ等の洗浄パッドでスクラブ洗浄をし、仕上げとして純水等の洗浄水をウエハ裏面全体にかけてリンス処理をすることで、スクラブ洗浄で浮き出た汚れをリンス洗浄処理で更に落とす効果が期待できる。
　また、アライメント位置等の所定の位置からウエハを受け取り、洗浄後、第１のハンドに受け渡すまでの一連の動作を、第２のハンドで把持して連続的に行うことができるので、洗浄時及び洗浄後に、ウエハＷの表裏面に異物等が再付着するのを防ぐことができる。
　また、一連の動作を第２のハンドで把持して連続的に行うことができるので、タクトタイムの短縮が図れ、生産性の向上に寄与する。
本発明の実施の形態に係る実施例として示すウエハ裏面洗浄装置の概略全体斜視図である。 同上ウエハ裏面洗浄装置の一部を破断して内部構造を示した斜視図である。 同上ウエハ裏面洗浄装置の一部を省略して洗浄装置内を示している平面図である。 同上ウエハ裏面洗浄装置における洗浄水供給ノズルの洗浄水吐出と円筒形カバーの作用を説明する模式図である。 同上ウエハ裏面洗浄装置における動作の一例を示す動作フロー図である。 同上ウエハ裏面洗浄装置における動作説明図である。 従来のウエハ裏面洗浄装置の一例を示す全体斜視図である。 図７に示したウエハ裏面洗浄装置の一部の構成部品を省略して、洗浄装置内の構成を示している斜視図である。 図７に示した従来におけるウエハ裏面洗浄装置の一動作例を示すフロー図である。
　本発明は、洗浄時及び洗浄後に、ウエハＷの表裏面に異物等が再付着するのを防ぐことができるウエハ裏面洗浄装置を提供する、という目的を達成するために、ウエハの裏面を洗浄するウエハ裏面洗浄装置であって、洗浄を終えた前記ウエハを受け取る第１のハンドと、前記ウエハの表面を上側にした状態で保持し、洗浄前の前記ウエハを洗浄位置まで搬送し、洗浄後の前記ウエハを前記第１のハンドに受け渡す第２のハンドと、前記洗浄位置に配置された、前記ウエハの裏面に摺動して接触可能な洗浄パッド、及び、前記ウエハの裏面へ洗浄水を吐出する洗浄水供給ノズルと、を備え、前記第２のハンドは、スクラブ洗浄では、前記洗浄水供給ノズルが前記ウエハの裏面に洗浄水を供給している状態で前記ウエハの裏面を前記洗浄パッドに接触させ、リンス洗浄では、前記洗浄水供給ノズルが前記ウエハの裏面に洗浄水を供給している状態でスクラブ洗浄後の前記ウエハを前記洗浄パッドから離間させ、前記リンス洗浄後に、前記ウエハを前記第１のハンドに受け渡す、構成にしたことにより実現した。
　以下、本発明の実施形態に係る一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施例において、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
　また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。
　また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。
　また、以下の説明において、上下や左右等の方向を示す表現は、絶対的なものではなく、本発明のウエハ裏面洗浄装置の各部が描かれている姿勢である場合に適切であるが、その姿勢が変化した場合には姿勢の変化に応じて変更して解釈されるべきものである。また、実施例の説明の全体を通じて同じ要素には同じ符号を付している。
　図１～図３は本発明に係るウエハ裏面洗浄装置１０を示すもので、図１は、その概略全体斜視図、図２は、一部を破断してウエハ裏面洗浄装置１０の内部構造を示した斜視図、図３は、ウエハ裏面洗浄装置１０の一部を省略して洗浄装置内を示している平面図である。
　図１～図３において、ウエハ裏面洗浄装置１０は、自動化された装置であり、研削前のウエハＷを、アライメント１１上の位置から、ウエハＷの表面を上側にして把持し、その把持したウエハＷを洗浄位置（図１及び図２に示す位置）まで搬送し、かつ、洗浄処理を終えるまで把持している第２のハンドとしてのハンドＨ２と、洗浄位置での洗浄を終えたウエハＷを受け取り、次の工程に搬送する第１のハンドとしてのハンドＨ１を備える。
　また、洗浄位置には、回転する回転プレート１２と、回転プレート１２と一体的に回転する、例えばスポンジ等でなる洗浄パッド１３、及び、洗浄時に洗浄パッド１３への洗浄水（純水）の供給とウエハＷの裏面へのリンス用の洗浄水（純水）の供給を行う洗浄水供給ノズル１４とを備えている。また、洗浄位置には、回転プレート１２の外側を囲むようにして円筒形のカバー２０が設けられている。
　ハンドＨ２は、ウエハＷの上面を真空チャックして把持するセラミックポーラスチャックとしてなる、ウエハ吸着パッド１５を備えている。また、ハンドＨ２は、水平な旋回と、上下方向の移動が可能である。一方、ハンドＨ１は、加工前のウエハＷを所定の位置からアライメント１１上に搬送し、また洗浄位置で洗浄されたウエハＷをハンドＨ２から受け取り、把持して次の研削工程へ搬送する機能を有している。なお、ハンドＨ１のウエハＷの把持は、ウエハＷの表面を上側に向けて、ウエハＷの外周面を把持して搬送できるようになっている。
　洗浄パッド１３は、回転プレート１２及び洗浄水供給ノズル１４に対して上下方向に位置調整が可能である。すなわち、スクラブ洗浄処理を行うときには上方の位置、すなわち洗浄水供給ノズル１４の洗浄水吐出よりも上側に突き出た位置に移動し、洗浄水供給ノズル１４の吐出口からウエハＷの裏面に向かって吐出される洗浄水を受け、その洗浄水を用いてスクラブ洗浄を行う。一方、スクラブ洗浄処理を終えると下方の位置、すなわち、洗浄水供給ノズル１４の洗浄水吐出よりも下側に移動し、後述する洗浄水供給ノズル１４によるリンス洗浄処理の邪魔にならない位置に配置される。
　洗浄水供給ノズル１４は、図３に示すように、洗浄パッド１３を挟んで左右の位置に１対設けられている。洗浄水供給ノズル１４の吐出口の向きは、図４に詳細に示すように、ウエハＷの裏面に対して下側斜め方向から洗浄水を吐出するように設定している。このように、回転プレート１２と一体に回転する洗浄水供給ノズル１４からの洗浄水の吐出を、ウエハ裏面に対して下側斜め方向から行うようにすると、吐出されてウエハＷの裏面に吹き付けられた洗浄水は、裏面全体に沿って流れ、洗浄水をウエハＷの裏面全体に行き渡せることができる。なお、洗浄水供給ノズル１４は、洗浄パッド１３を挟んで左右の位置に１対設けているが、片側に１個だけも設けた構造であってもよい。
　カバー２０は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等のプラスチックを成形して作られた円筒形のカバーであり、回転プレート１２に固定されて、一体に回転する。カバー２０の内径は、ウエハＷの外径よりも僅かに大きく形成されている。そして、そのウエハＷの外周縁とカバー２０との間の隙間は、洗浄水供給ノズル１４からウエハＷの裏面に斜め方向より吐出された洗浄水が、ウエハＷの表面側に回り込むのを防止できる程度に設定される。
　ウエハ裏面洗浄装置１０の動作は、図示しない制御手段によって制御される。制御手段は、ウエハ裏面洗浄装置１０を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御手段は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ、メモリ等により構成される。なお、制御手段の機能は、ソフトウエアを用いて制御することにより実現されてもよく、ハードウエアを用いて動作するようにして実現されてもよい。
　次に、ウエハ裏面洗浄装置１０の動作の一例を説明する。図５は、ウエハ裏面洗浄装置１０の一動作例を示すフロー図で、図６は図５のフロー図に対応するウエハ裏面洗浄装置１０の動作図である。そこで、図５に示す動作フローに図６に示す動作図を加えて、図５のステップＳ１～ステップＳ５の順に説明する。
　まず、図６の（ａ）に示すように、アライメント１１上に研削前のウエハＷが、ハンドＨ１により運ばれて来て、ウエハＷの表面を上側に向けて配置される。そのアライメント１１上に搬送されて来た研削前のウエハＷをハンドＨ２でチャック（把持）し、ハンドＨ２はそのまま旋回して洗浄位置にウエハＷを運ぶ（ステップＳ１、及び図６の（ｂ）、（ｃ））。
　洗浄位置では、洗浄パッド１３が、スクラブ洗浄処理を行う上方の位置に配置される。そして、ハンドＨ２が、回転プレート１２と一体に回転している洗浄パッド１３にウエハＷの裏面側を押し付け、スクラブ洗浄を行う（ステップＳ２）。このスクラブ洗浄処理では、洗浄パッド１３は洗浄水供給ノズル１４の洗浄水吐出口よりも上側に突き出た位置に移動していて、洗浄水供給ノズル１４の吐出口から吐出してウエハＷの裏面に向かって吐出されている洗浄水を使用してスクラブ洗浄を行う。これによりウエハ裏面の汚れをスポンジ等の洗浄パッド１３で落とすことができる。
　スクラブ洗浄処理が終了したら、洗浄パッド１３は下降し、洗浄水供給ノズル１４が洗浄パッド１３よりも上側に突き出た状態になる。続いて、洗浄水供給ノズル１４から吐出されている洗浄水で、リンス洗浄処理が行われる（ステップＳ３、及び図６の（ｄ））。すなわち、仕上げの洗浄水をウエハ裏面全体にかけてリンス洗浄処理を行うことにより、スクラブ洗浄処理で浮き出た汚れを更に落とすことができる。
　リンス洗浄処理が終了したら、回転プレート１２の回転が停止すると共に、洗浄水供給ノズル１４からの洗浄水の吐出が停止する。そして、ハンドＨ２が洗浄処理を終えたウエハＷと共に所定の位置まで上昇し、その後、ウエハＷをハンドＨ１にウエハ表面を上側にしたまま受け渡す（ステップＳ４、図６の（ｅ））。このハンドＨ１でのウエハＷの受け取りは、ウエハＷの表裏面を汚さないように、ウエハＷの外周部を把持してハンドＨ２から受け取る。
　洗浄処理を終えたウエハＷを受け取ったハンドＨ１は、受け取ったウエハＷを次工程であるウエハ研削工程に搬送し（ステップＳ５）、これにより１サイクルの動作が終了する。
　したがって、本実施例によるウエハ裏面洗浄装置１０によれば、アライメント１１等の所定の位置に置かれたウエハ研削前のウエハＷを、ハンドＨ２が、ウエハＷの裏面を下側にして把持し、洗浄位置まで搬送し、その洗浄位置でウエハＷの裏面を洗浄パッド１３に押し付けてウエハ裏面のスクラブ洗浄処理を行う。また、スクラブ洗浄後、同じくウエハ裏面に洗浄水供給ノズル１４から洗浄水の供給を受けてリンス洗浄処理をし、その後、ハンドＨ１にウエハＷの表面を上側にしたまま受け渡すことができる。すなわち、ウエハＷの裏面をスポンジ等の洗浄パッド１３でスクラブ洗浄をし、更に仕上げとして洗浄水供給ノズル１４からウエハＷの裏面全体に洗浄水をかけてリンス洗浄処理を行うことで、スクラブ洗浄処理で浮き出た汚れをリンス洗浄処理で落とすことができる。
　また、ハンドＨ２がアライメント１１等の所定の位置からウエハＷを受け取り、洗浄後、ハンドＨ１に受け渡すまでの一連の動作を、ハンドＨ２で把持して連続的に行うことができるので、洗浄時及び洗浄後に、ウエハＷの表裏面に異物等が再付着するのを防ぐことができる。
　また、洗浄水供給ノズル１４が、回転プレート１２と一体に回転する洗浄水供給ノズル１４からの洗浄水の吐出を、ウエハ裏面に対して斜め方向から行うようにして、洗浄水をウエハＷの裏面全体に行き渡せるようにしているので、スクラブ洗浄処理で落としきれなかった異物等を、リンス洗浄処理で更に落として無くすことができる。
　また、洗浄位置に、ウエハＷの外周を囲って配置された円筒形のカバー２０を設けているので、スクラブ洗浄処理時、及び、リンス洗浄処理時に、洗浄液がそれぞれウエハＷの表面側に飛び跳ねて、ウエハＷの表面側及びハンドＨ２側に回り込んで汚すのを防ぐことができる。
　なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を成すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
１０：裏面洗浄装置
１１：アライメント
１２：回転プレート
１３：洗浄パッド
１４：洗浄水供給ノズル
１５：ウエハ吸着パッド
２０：カバー
Ｈ１：ハンド（第１のハンド）
Ｈ２：ハンド（第２のハンド）
Ｗ　：ウエハ

Claims (4)

  1. 　ウエハの裏面を洗浄するウエハ裏面洗浄装置であって、
    　洗浄を終えた前記ウエハを受け取る第１のハンドと、
    　前記ウエハの表面を上側にした状態で保持し、洗浄前の前記ウエハを洗浄位置まで搬送し、洗浄後の前記ウエハを前記第１のハンドに受け渡す第２のハンドと、
    　前記洗浄位置に配置された、前記ウエハの裏面に摺動して接触可能な洗浄パッド、及び、前記ウエハの裏面へ洗浄水を吐出する洗浄水供給ノズルと、を備え、
    　前記第２のハンドは、スクラブ洗浄では、前記洗浄水供給ノズルが前記ウエハの裏面に洗浄水を供給している状態で前記ウエハの裏面を前記洗浄パッドに接触させ、リンス洗浄では、前記洗浄水供給ノズルが前記ウエハの裏面に洗浄水を供給している状態でスクラブ洗浄後の前記ウエハを前記洗浄パッドから離間させ、前記リンス洗浄後に、前記ウエハを前記第１のハンドに受け渡す、
    　ことを特徴とするウエハ裏面洗浄装置。
  2. 　前記洗浄水供給ノズルは、前記洗浄水を、前記ウエハの裏面に対して斜めに吐出する、ことを特徴とする請求項１に記載のウエハ裏面洗浄装置。
  3. 　前記洗浄位置に、前記ウエハの外周を囲って配置された円筒形のカバーを備える、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のウエハ裏面洗浄装置。
  4. 　前記第１のハンドは、前記第２のハンドから前記ウエハを受け取る際に、前記ウエハの外周部を把持する、ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載のウエハ裏面洗浄装置。
PCT/JP2021/045925 2021-03-26 2021-12-14 ウエハ裏面洗浄装置 WO2022201666A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020237032808A KR20230152086A (ko) 2021-03-26 2021-12-14 웨이퍼 이면 세정 장치
CN202180096325.2A CN117063263A (zh) 2021-03-26 2021-12-14 晶圆内面清洗装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021052536A JP2022150097A (ja) 2021-03-26 2021-03-26 ウエハ裏面洗浄装置
JP2021-052536 2021-03-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022201666A1 true WO2022201666A1 (ja) 2022-09-29

Family

ID=83396583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/045925 WO2022201666A1 (ja) 2021-03-26 2021-12-14 ウエハ裏面洗浄装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022150097A (ja)
KR (1) KR20230152086A (ja)
CN (1) CN117063263A (ja)
WO (1) WO2022201666A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335599A (ja) * 1994-06-03 1995-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JPH1167705A (ja) * 1997-08-18 1999-03-09 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2003297793A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び洗浄処理方法
JP2010094785A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09298181A (ja) 1996-05-07 1997-11-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の裏面洗浄装置
JP4940066B2 (ja) 2006-10-23 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、洗浄方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335599A (ja) * 1994-06-03 1995-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JPH1167705A (ja) * 1997-08-18 1999-03-09 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2003297793A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び洗浄処理方法
JP2010094785A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN117063263A (zh) 2023-11-14
JP2022150097A (ja) 2022-10-07
KR20230152086A (ko) 2023-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6727044B2 (ja) 基板処理装置
JP6054805B2 (ja) 基板洗浄装置
JP6974067B2 (ja) 基板を研磨する方法および装置
JP6420415B2 (ja) 基板処理装置
TW201005852A (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and storage medium
KR20150075357A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
TWI712081B (zh) 基板洗淨裝置、基板處理裝置、基板洗淨方法及基板處理方法
JPH10284448A (ja) 半導体ウェーハの研磨システム
WO2022201666A1 (ja) ウエハ裏面洗浄装置
JP2004235216A (ja) 基板処理装置及び方法
JPH10177999A (ja) 基板搬送用ハンド及びポリッシング装置
JP2003100687A (ja) 基板処理装置及びその洗浄方法
US20240173750A1 (en) Wafer back surface cleaning device
US20080237066A1 (en) Electrolytic processing unit device, and method for electrolytic processing, washing, and drying
JP2000183020A (ja) 洗浄装置
JP6987184B2 (ja) 基板処理装置
JP2017147334A (ja) 基板の裏面を洗浄する装置および方法
JP3999540B2 (ja) スクラブ洗浄装置におけるブラシクリーニング方法及び処理システム
EP3396707B1 (en) Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
JP2000040684A (ja) 洗浄装置
KR20210044705A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
JP2006179955A (ja) ポリッシング装置
JP2002049144A (ja) 基板端面洗浄装置
JP7491774B2 (ja) 基板保持回転機構、基板処理装置
JP7200345B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21933258

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18283186

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20237032808

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202180096325.2

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21933258

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1