JP2001070896A - 基板洗浄装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
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Abstract
(57)【要約】
【解決課題】ウエハをその軸線を中心に回転し、筒状表
面を有するスクラブ洗浄部材を当該ウエハの被洗浄面に
係合させることによりスクラブ研磨を行う洗浄装置で
は、ウエハの周縁部分にスクラブ洗浄部材を係合させる
ことができないために、研磨剤等の微小粒子が周縁部分
に残る虞があるため、これを解消する洗浄装置を提供す
る。 【解決手段】筒状の洗浄部材を軸まわりで回転させなが
ら、表面を基板Wの被洗浄面に擦り付けてスクラブ洗浄
するスクラブ洗浄部材40a, 40bと、基板の周縁部Bに接
触して該周縁部をスクラブ洗浄する周縁洗浄部材46が設
けられていることを特徴とする。周縁洗浄部材は、スク
ラブ洗浄部材の少なくとも一方の端部に取り付けられて
おり、スクラブ洗浄部材と一体に回転する基部48と、該
基部に前記スクラブ洗浄部材の方向へ向けて植設された
ブラシ部材54とを有する。
面を有するスクラブ洗浄部材を当該ウエハの被洗浄面に
係合させることによりスクラブ研磨を行う洗浄装置で
は、ウエハの周縁部分にスクラブ洗浄部材を係合させる
ことができないために、研磨剤等の微小粒子が周縁部分
に残る虞があるため、これを解消する洗浄装置を提供す
る。 【解決手段】筒状の洗浄部材を軸まわりで回転させなが
ら、表面を基板Wの被洗浄面に擦り付けてスクラブ洗浄
するスクラブ洗浄部材40a, 40bと、基板の周縁部Bに接
触して該周縁部をスクラブ洗浄する周縁洗浄部材46が設
けられていることを特徴とする。周縁洗浄部材は、スク
ラブ洗浄部材の少なくとも一方の端部に取り付けられて
おり、スクラブ洗浄部材と一体に回転する基部48と、該
基部に前記スクラブ洗浄部材の方向へ向けて植設された
ブラシ部材54とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板洗浄装置に係
り、特に、半導体ウエハ、ガラス基板、液晶パネル等の
高度の清浄度が要求される基板を洗浄するのに好適な基
板洗浄装置に関する。
り、特に、半導体ウエハ、ガラス基板、液晶パネル等の
高度の清浄度が要求される基板を洗浄するのに好適な基
板洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に、配線間距離が0.5μm以下の光リソ
グラフィの場合は、焦点深度が浅くなるためにステッバ
の結像面の高い平坦度を必要とする。また、基板上に配
線間距離より大きなパーティクルが存在すると、配線が
ショートするなどの不具合が生じるので、基板の処理に
おいては、平坦化とともに清浄化を図ることが重要とな
る。このような事情は、マスク等に用いるガラス基板、
或いは液晶パネル等の基板のプロセス処理においても同
様である。
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に、配線間距離が0.5μm以下の光リソ
グラフィの場合は、焦点深度が浅くなるためにステッバ
の結像面の高い平坦度を必要とする。また、基板上に配
線間距離より大きなパーティクルが存在すると、配線が
ショートするなどの不具合が生じるので、基板の処理に
おいては、平坦化とともに清浄化を図ることが重要とな
る。このような事情は、マスク等に用いるガラス基板、
或いは液晶パネル等の基板のプロセス処理においても同
様である。
【０００３】平坦化とともに清浄化を実現する従来の研
磨装置として、図4に示すように、研磨部10、ロード・
アンロード部22、2基の搬送機24a,24b、3つの洗浄機26
a,26b,26c、及び必要に応じて反転機28を備えたものが
ある。搬送機24a,24bは、図4に示すレール上を自走する
形式でも、多間接アームの先端にロボットハンドを有す
る固定型でもよい。
磨装置として、図4に示すように、研磨部10、ロード・
アンロード部22、2基の搬送機24a,24b、3つの洗浄機26
a,26b,26c、及び必要に応じて反転機28を備えたものが
ある。搬送機24a,24bは、図4に示すレール上を自走する
形式でも、多間接アームの先端にロボットハンドを有す
る固定型でもよい。
【０００４】研磨部10は、図5に示すように、上面にク
ロス(研磨布)11を貼り付けた研磨テーブル12と、半導体
ウエハ(基板)Wを保持しつつ研磨テーブル12に押しつけ
るトップリング13と、クロス11と基板Wの間に砥液を供
給するノズル14とを具備している。これらの各部は、相
互の汚染を防止するためにできるだけ隔壁で仕切るよう
にしており、特に研磨部10における研磨材粒子や研磨さ
れて発生するウエハの粒子を、洗浄工程以降の空間に拡
散させないために、各空間の空調や圧力調整等がなされ
ている。
ロス(研磨布)11を貼り付けた研磨テーブル12と、半導体
ウエハ(基板)Wを保持しつつ研磨テーブル12に押しつけ
るトップリング13と、クロス11と基板Wの間に砥液を供
給するノズル14とを具備している。これらの各部は、相
互の汚染を防止するためにできるだけ隔壁で仕切るよう
にしており、特に研磨部10における研磨材粒子や研磨さ
れて発生するウエハの粒子を、洗浄工程以降の空間に拡
散させないために、各空間の空調や圧力調整等がなされ
ている。
【０００５】このような構成の研磨装置では、基板Wを
ロード・アンロード部22から搬送機24a,24bで受渡台38
を介して研磨部10に搬送し、ここで、ノズル14より所定
の砥液Q(Si基板上の絶縁物(酸化膜)を研磨する場合には
所定の粒径の砥粒をアルカリ水溶液に浮遊させたもの)
を供給しつつ、研磨テーブル12とトップリング13をそれ
ぞれ回転させながら基板Wをクロス11面に押圧して基板W
の研磨を行なう。研磨を終えた基板Wは、洗浄・乾燥工
程を経てロード・アンロード部22に戻される。
ロード・アンロード部22から搬送機24a,24bで受渡台38
を介して研磨部10に搬送し、ここで、ノズル14より所定
の砥液Q(Si基板上の絶縁物(酸化膜)を研磨する場合には
所定の粒径の砥粒をアルカリ水溶液に浮遊させたもの)
を供給しつつ、研磨テーブル12とトップリング13をそれ
ぞれ回転させながら基板Wをクロス11面に押圧して基板W
の研磨を行なう。研磨を終えた基板Wは、洗浄・乾燥工
程を経てロード・アンロード部22に戻される。
【０００６】第1の洗浄機26aは、図6に示すように、基
板Wを取り囲むように複数の直立したローラ3Oを配置
し、ローラ30の頂部に形成した把持溝によって基板Wの
縁部を保持し、ローラ30の回転によって基板Wを回転さ
せる低速回転型の洗浄機であり、スポンジ等からなる―
対のロール型スクラブ洗浄部材40a,40bが上下から基板W
に接触・待避可能に設けられている。
板Wを取り囲むように複数の直立したローラ3Oを配置
し、ローラ30の頂部に形成した把持溝によって基板Wの
縁部を保持し、ローラ30の回転によって基板Wを回転さ
せる低速回転型の洗浄機であり、スポンジ等からなる―
対のロール型スクラブ洗浄部材40a,40bが上下から基板W
に接触・待避可能に設けられている。
【０００７】第2及び第3の洗浄機26b,26cは、回転軸32
の上端に基板Wを把持するアーム34が放射状に延びて形
成された回転テーブル36を有する高速回転が可能な洗浄
機である。より詳細には、図8に示すように、各アーム
の先端には、ウエハWを把持するための垂直に延びるチ
ャック34’が設けられており、その上端においてウエハ
を把持するようになっている。該ウエハに対しては、ピ
ボット軸35の周りで枢動可能とされたアーム37の先端に
取付けられ、垂直な軸線を中心に回転駆動されるスポン
ジ部材等から形成されたスクラブ洗浄部材38が当接され
て洗浄が行われる。洗浄に際しては、ノズル39から洗浄
液が、また、ノズル40からリンス液（超純水）がウエハ
上に供給される。
の上端に基板Wを把持するアーム34が放射状に延びて形
成された回転テーブル36を有する高速回転が可能な洗浄
機である。より詳細には、図8に示すように、各アーム
の先端には、ウエハWを把持するための垂直に延びるチ
ャック34’が設けられており、その上端においてウエハ
を把持するようになっている。該ウエハに対しては、ピ
ボット軸35の周りで枢動可能とされたアーム37の先端に
取付けられ、垂直な軸線を中心に回転駆動されるスポン
ジ部材等から形成されたスクラブ洗浄部材38が当接され
て洗浄が行われる。洗浄に際しては、ノズル39から洗浄
液が、また、ノズル40からリンス液（超純水）がウエハ
上に供給される。
【０００８】いずれの洗浄機26a,26b,26cの場合も、基
板Wの表面に供給される洗浄液等の飛散を防止する周壁
及びミストの拡散を防止するための下降気流を形成する
空調設備等が設けられている。
板Wの表面に供給される洗浄液等の飛散を防止する周壁
及びミストの拡散を防止するための下降気流を形成する
空調設備等が設けられている。
【０００９】基板研磨工程の後の洗浄工程は、以下のよ
うにして行われる。まず、第1の洗浄機26aでは、ローラ
30によって基板Wを保持し、回転させながら、図6に示す
ように、基板Wの上下面に純水や洗浄液を供給しつつ上
下からロール型スクラブ洗浄部材40a,40bを擦り付けて
スクラブ洗浄(1次洗浄)を行なう。このスクラブ洗浄工
程では、基板Wの上面及び下面に付着した砥液や研磨か
す等の付着物を基板Wの全面から除去する。この後に純
水等を供給してから第2の洗浄機26bまたは第3の洗浄機2
6cに移送する。
うにして行われる。まず、第1の洗浄機26aでは、ローラ
30によって基板Wを保持し、回転させながら、図6に示す
ように、基板Wの上下面に純水や洗浄液を供給しつつ上
下からロール型スクラブ洗浄部材40a,40bを擦り付けて
スクラブ洗浄(1次洗浄)を行なう。このスクラブ洗浄工
程では、基板Wの上面及び下面に付着した砥液や研磨か
す等の付着物を基板Wの全面から除去する。この後に純
水等を供給してから第2の洗浄機26bまたは第3の洗浄機2
6cに移送する。
【００１０】第2の洗浄機26bまたは第3の洗浄機26cで
は、基板Wを100〜500rpm程度の低迷で回転させながら、
例えば超音波で加振された純水を基板Wの中心部を通過
するように供給して、基板Wの表面の仕上げ洗浄(2次洗
浄)を行う。そして、純水の供給を止め、基板Wの回転速
度を1500〜5000rpm程度の高速回転に移し、必要に応じ
て清浄な不活性ガスを供給しながら基板Wの乾燥工程を
行なう。洗浄・乾燥工程を終えた基板Wは、搬送機24a,2
4bの清浄なハンドによってロード・アンロード部22に戻
される。
は、基板Wを100〜500rpm程度の低迷で回転させながら、
例えば超音波で加振された純水を基板Wの中心部を通過
するように供給して、基板Wの表面の仕上げ洗浄(2次洗
浄)を行う。そして、純水の供給を止め、基板Wの回転速
度を1500〜5000rpm程度の高速回転に移し、必要に応じ
て清浄な不活性ガスを供給しながら基板Wの乾燥工程を
行なう。洗浄・乾燥工程を終えた基板Wは、搬送機24a,2
4bの清浄なハンドによってロード・アンロード部22に戻
される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のス
クラブ洗浄(1次洗浄)を行う洗浄機26aにおいては、ロー
ル型スクラブ洗浄部材40a,40bの長さが基板Wの直径より
長めに設定されて、基板Wの全面に亘るスクラブ洗浄を
行えるように構成されているが、図7(b)に示すように、
基板Wの周縁部Bとスクラブ洗浄部材40a,4Obとの間に隙
間Sが生じてしまい、基板Wの周縁部Bをロール型スクラ
ブ洗浄部材40a,40bでスクラブ洗浄できないといった不
具合があった。そして、基板Wの周縁部Bに砥液や研磨か
す等の付着物が残ると、これらの物質がパーティクルと
なって、半導体装置の製造工程における製品の歩留まり
の低下につながってしまう。
クラブ洗浄(1次洗浄)を行う洗浄機26aにおいては、ロー
ル型スクラブ洗浄部材40a,40bの長さが基板Wの直径より
長めに設定されて、基板Wの全面に亘るスクラブ洗浄を
行えるように構成されているが、図7(b)に示すように、
基板Wの周縁部Bとスクラブ洗浄部材40a,4Obとの間に隙
間Sが生じてしまい、基板Wの周縁部Bをロール型スクラ
ブ洗浄部材40a,40bでスクラブ洗浄できないといった不
具合があった。そして、基板Wの周縁部Bに砥液や研磨か
す等の付着物が残ると、これらの物質がパーティクルと
なって、半導体装置の製造工程における製品の歩留まり
の低下につながってしまう。
【００１２】なお、基板の周縁部を洗浄するため、例え
ば周縁部用の洗浄ボックス等の特別な機構部を備えて、
基板の周縁部を選択的に洗浄できるようにしたものが提
案されている。しかしながら、このように、基板の周縁
部を洗浄するために特別な機構を付加すると、機械的、
制御的に装置が複雑化し、設備コスト、メンテナンスコ
ストが上昇してしまう。
ば周縁部用の洗浄ボックス等の特別な機構部を備えて、
基板の周縁部を選択的に洗浄できるようにしたものが提
案されている。しかしながら、このように、基板の周縁
部を洗浄するために特別な機構を付加すると、機械的、
制御的に装置が複雑化し、設備コスト、メンテナンスコ
ストが上昇してしまう。
【００１３】本発明は、かかる実情に鑑みて、簡単な構
成で基板の周縁部を容易かつ確実に洗浄できるようにし
た基板洗浄装置を提供することを目的とする。
成で基板の周縁部を容易かつ確実に洗浄できるようにし
た基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、筒状の洗浄部材を軸まわりに自転させながら該洗浄
部材の表面を基板の被洗浄面に擦り付けてスクラブ洗浄
するスクラブ洗浄部材と、基板の周縁部に接触して該周
縁部をスクラブ洗浄する周縁洗浄部材が設けられている
ことを特徴とする基板洗浄装置である。これにより、ス
クラブ洗浄部材で基板の上下面のスクラブ洗浄する際
に、基板の周縁部に周縁洗浄部材を接触させて、基板の
表面と周縁部を同時にスクラブ洗浄することができる。
基板をスクラブ洗浄部材に対して被洗浄面に沿って相対
回転させることにより、基板の全面及び全周縁部を洗浄
することができる。スクラブ洗浄部材を基板の両側に一
対設けて基板の表裏面を同時に洗浄するようにしてもよ
い。
は、筒状の洗浄部材を軸まわりに自転させながら該洗浄
部材の表面を基板の被洗浄面に擦り付けてスクラブ洗浄
するスクラブ洗浄部材と、基板の周縁部に接触して該周
縁部をスクラブ洗浄する周縁洗浄部材が設けられている
ことを特徴とする基板洗浄装置である。これにより、ス
クラブ洗浄部材で基板の上下面のスクラブ洗浄する際
に、基板の周縁部に周縁洗浄部材を接触させて、基板の
表面と周縁部を同時にスクラブ洗浄することができる。
基板をスクラブ洗浄部材に対して被洗浄面に沿って相対
回転させることにより、基板の全面及び全周縁部を洗浄
することができる。スクラブ洗浄部材を基板の両側に一
対設けて基板の表裏面を同時に洗浄するようにしてもよ
い。
【００１５】請求項2に記載の発明は、前記周縁洗浄部
材は、前記スクラブ洗浄部材の少なくとも一方の端部に
取り付けられており、前記スクラブ洗浄部材と一体に回
転する基部と、これに植設されたブラシ部材を有するこ
とを特徴とする請求項1に記識の基板洗浄装置である。
ブラシ部材は、例えばモヘアやフッ素樹脂のような適当
な素材で形成する。
材は、前記スクラブ洗浄部材の少なくとも一方の端部に
取り付けられており、前記スクラブ洗浄部材と一体に回
転する基部と、これに植設されたブラシ部材を有するこ
とを特徴とする請求項1に記識の基板洗浄装置である。
ブラシ部材は、例えばモヘアやフッ素樹脂のような適当
な素材で形成する。
【００１６】請求項3に記載の発明は、周縁洗浄部材
を、スクラブ洗浄部材の少なくとも一方の端部に取り付
けられ、スクラブ洗浄部材の軸のまわりで回転する基部
と、該基部のスクラブ洗浄部材に面する側に設けられた
多孔質スポンジ部材とから構成した基板洗浄装置であ
る。多孔質スポンジ部材は、例えば、PVAや発泡性ウレ
タン等から形成される。
を、スクラブ洗浄部材の少なくとも一方の端部に取り付
けられ、スクラブ洗浄部材の軸のまわりで回転する基部
と、該基部のスクラブ洗浄部材に面する側に設けられた
多孔質スポンジ部材とから構成した基板洗浄装置であ
る。多孔質スポンジ部材は、例えば、PVAや発泡性ウレ
タン等から形成される。
【００１７】請求項4に記載の発明は、基板を研磨する
研磨部と、研磨後の基板を洗浄する洗浄部とを備え、前
記洗浄部は請求項1又は2記載の基板洗浄装置を有するこ
とを特徴とする研磨装置である。
研磨部と、研磨後の基板を洗浄する洗浄部とを備え、前
記洗浄部は請求項1又は2記載の基板洗浄装置を有するこ
とを特徴とする研磨装置である。
【００１８】請求項5の発明は、スクラブ洗浄部材を、
当該スクラブ洗浄部材の前記一方の端部においては前記
基盤の周縁部をスクラブ洗浄部材よりも露出させ、該端
部に取付けた前記周縁洗浄部材を基盤の周縁部の外側に
位置決めして、前記周縁洗浄部材が該周縁部に係合する
ようになし、同スクラブ洗浄部材の他方の端部は、該端
部自体が前記基盤の周縁部の外側まで延出するようにな
され、当該スクラブ洗浄部材をその軸の周りで回転する
ことにより、前記スクラブ洗浄部材及び周縁洗浄部材
が、それぞれ、前記表面及び前記周縁部を同時にスクラ
ブ洗浄するようにしたことを特徴とする請求項1に記載
の基盤洗浄装置である。
当該スクラブ洗浄部材の前記一方の端部においては前記
基盤の周縁部をスクラブ洗浄部材よりも露出させ、該端
部に取付けた前記周縁洗浄部材を基盤の周縁部の外側に
位置決めして、前記周縁洗浄部材が該周縁部に係合する
ようになし、同スクラブ洗浄部材の他方の端部は、該端
部自体が前記基盤の周縁部の外側まで延出するようにな
され、当該スクラブ洗浄部材をその軸の周りで回転する
ことにより、前記スクラブ洗浄部材及び周縁洗浄部材
が、それぞれ、前記表面及び前記周縁部を同時にスクラ
ブ洗浄するようにしたことを特徴とする請求項1に記載
の基盤洗浄装置である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
実施の形態を説明する。図1及び図2は、本発明の基板洗
浄装置の１つの実施形態を示すもので、これは、図4で
説明した研磨装置における図6で説明した第1の洗浄機26
aに適用したもので、研磨部10で研磨された基板Wの上下
両面、及び、周縁をスクラブ洗浄(1次洗浄)するための
ものである。
実施の形態を説明する。図1及び図2は、本発明の基板洗
浄装置の１つの実施形態を示すもので、これは、図4で
説明した研磨装置における図6で説明した第1の洗浄機26
aに適用したもので、研磨部10で研磨された基板Wの上下
両面、及び、周縁をスクラブ洗浄(1次洗浄)するための
ものである。
【００２０】この洗浄機26aには、基板W保持用の複数の
直立したローラ30が基板Wの周囲に開閉自在に設けられ
ている。そして、基板Wを上下方向から挟むように一対
のロール型のスクラブ洗浄部材40a,40bが基板Wの上面及
び下面に接触・待避可能に配置され、周囲には、基板W
の上下面に純水を供給する純水供給ノズル42とエッチン
グ液等の薬液を供給する薬液供給ノズル44とがそれぞれ
設けられている。
直立したローラ30が基板Wの周囲に開閉自在に設けられ
ている。そして、基板Wを上下方向から挟むように一対
のロール型のスクラブ洗浄部材40a,40bが基板Wの上面及
び下面に接触・待避可能に配置され、周囲には、基板W
の上下面に純水を供給する純水供給ノズル42とエッチン
グ液等の薬液を供給する薬液供給ノズル44とがそれぞれ
設けられている。
【００２１】基板Wの下面側に位置するスクラブ洗浄部
材40bの一方の端部には、この例では、モヘアブラシ46
で構成された周縁洗浄部材が該スクラブ洗浄部材40bと
一体に回転するように設けられている。このモヘアブラ
シ46は、スクラブ洗浄部材40bの直径よりも大径の円板
状の基部48と軸部5Oとを有する支持体52の該基部48の軸
部50側の表面に多数のモヘアブラシ54をスクラブ洗浄部
材4Obの軸方向に延出させてリング状に植毛したもので
ある。
材40bの一方の端部には、この例では、モヘアブラシ46
で構成された周縁洗浄部材が該スクラブ洗浄部材40bと
一体に回転するように設けられている。このモヘアブラ
シ46は、スクラブ洗浄部材40bの直径よりも大径の円板
状の基部48と軸部5Oとを有する支持体52の該基部48の軸
部50側の表面に多数のモヘアブラシ54をスクラブ洗浄部
材4Obの軸方向に延出させてリング状に植毛したもので
ある。
【００２２】このスクラブ洗浄部材40a,40bは、従来の
場合と異なり、基板Wと接触する際にモヘアブラシ46の
側の基板Wの周縁部Bを露出させるようにその長さや配置
が設定されている。そして、モヘアブラシ46は、スクラ
ブ洗浄部材4Oが基板Wの下面に接触した時に、スクラブ
洗浄部材40bの自由端側の端面から外方に突出する基板W
の周縁部Bにモヘア54が該周縁部Bに接触するように、そ
の基部48の直径及び軸部50の長さが設定されている。一
方、基盤の周縁部Aでは、従来の場合と同様に、スクラ
ブ洗浄部材40a,40bが該周縁部を超えて外側まで延出し
ており、その部分の上面及び下面のスクラブ洗浄を行う
ようになっており、基盤Wの回転に伴って、前記した露
出した周縁部Bも周縁部Aの位置まできて、その上面及び
下面のスクラブ洗浄が行われる。従って、基盤の上面及
び下面の全面が、スクラブ洗浄を受けることになる。ま
た、周縁部Aも、基盤の回転に伴って、周縁部Bに位置ま
で来るので、モヘアブラシによる周縁洗浄が行われ、従
って、全周縁の洗浄が行われる。周縁洗浄部材としての
ブラシ46は、上側及び下側のいずれかのスクラブ洗浄部
材に設ければよい。尚、ブラシ部材の材料としては、モ
ヘアのほかに、例えばフッ素樹脂等を用いることができ
る。
場合と異なり、基板Wと接触する際にモヘアブラシ46の
側の基板Wの周縁部Bを露出させるようにその長さや配置
が設定されている。そして、モヘアブラシ46は、スクラ
ブ洗浄部材4Oが基板Wの下面に接触した時に、スクラブ
洗浄部材40bの自由端側の端面から外方に突出する基板W
の周縁部Bにモヘア54が該周縁部Bに接触するように、そ
の基部48の直径及び軸部50の長さが設定されている。一
方、基盤の周縁部Aでは、従来の場合と同様に、スクラ
ブ洗浄部材40a,40bが該周縁部を超えて外側まで延出し
ており、その部分の上面及び下面のスクラブ洗浄を行う
ようになっており、基盤Wの回転に伴って、前記した露
出した周縁部Bも周縁部Aの位置まできて、その上面及び
下面のスクラブ洗浄が行われる。従って、基盤の上面及
び下面の全面が、スクラブ洗浄を受けることになる。ま
た、周縁部Aも、基盤の回転に伴って、周縁部Bに位置ま
で来るので、モヘアブラシによる周縁洗浄が行われ、従
って、全周縁の洗浄が行われる。周縁洗浄部材としての
ブラシ46は、上側及び下側のいずれかのスクラブ洗浄部
材に設ければよい。尚、ブラシ部材の材料としては、モ
ヘアのほかに、例えばフッ素樹脂等を用いることができ
る。
【００２３】図３には、図２で示した洗浄装置における
ブラシ５４に代えて、PVAスポンジや、発泡性ウレタン
等から作られた多孔質スポンジ部材54'を取付けた例が
示されている。スクラブ洗浄部材40a, 40bには普通、PV
Aスポンジが用いられるため、スクラブ洗浄部材と周縁
洗浄部材には同じ素材の多孔質スポンジを用いることに
なる。スポンジ部材は、その表面に多数の微細な凹みが
あるため、ウエハに付着している粒子を取り除く効果が
高い。また、図２に示したブラシに比べて、スクラブ洗
浄部材40bに近づけて設定することができる。スクラブ
洗浄部材40bをもスポンジ部材54'と同じ材料で作る場合
には、両者を一体構成にすることができる。
ブラシ５４に代えて、PVAスポンジや、発泡性ウレタン
等から作られた多孔質スポンジ部材54'を取付けた例が
示されている。スクラブ洗浄部材40a, 40bには普通、PV
Aスポンジが用いられるため、スクラブ洗浄部材と周縁
洗浄部材には同じ素材の多孔質スポンジを用いることに
なる。スポンジ部材は、その表面に多数の微細な凹みが
あるため、ウエハに付着している粒子を取り除く効果が
高い。また、図２に示したブラシに比べて、スクラブ洗
浄部材40bに近づけて設定することができる。スクラブ
洗浄部材40bをもスポンジ部材54'と同じ材料で作る場合
には、両者を一体構成にすることができる。
【００２４】次に、この実施の形態の洗浄機26aにおけ
る動作を説明する。
る動作を説明する。
【００２５】先ず、ローラ30が外側に後退した開位置
に、スクラブ洗浄部材40a,40bが上下の退避位置にそれ
ぞれ位置する時に、図3に示す研磨部10で研磨された基
板Wを搬送機24a,24bでローラ30の内部の所定の位置に搬
送し、ローラ30を前進させて基板Wを保持する。
に、スクラブ洗浄部材40a,40bが上下の退避位置にそれ
ぞれ位置する時に、図3に示す研磨部10で研磨された基
板Wを搬送機24a,24bでローラ30の内部の所定の位置に搬
送し、ローラ30を前進させて基板Wを保持する。
【００２６】この状態で、ローラ30によって基板Wを数
十(好ましくは100rpm)〜300rpm程度の低回転数で水平方
向に回転させ、同時にスクラブ洗浄部材40a,40bを,好ま
しくは50rpm以上で自転させながら、退避位置から基板W
に向けて同期して移動させて基板Wの上下面に接触さ
せ、基板Wの上下面に純水供給ノズル42から純水を供給
しつつスクラブ洗浄部材40a,40bを擦り付けてスクラブ
洗浄(1次洗浄)を行なう。
十(好ましくは100rpm)〜300rpm程度の低回転数で水平方
向に回転させ、同時にスクラブ洗浄部材40a,40bを,好ま
しくは50rpm以上で自転させながら、退避位置から基板W
に向けて同期して移動させて基板Wの上下面に接触さ
せ、基板Wの上下面に純水供給ノズル42から純水を供給
しつつスクラブ洗浄部材40a,40bを擦り付けてスクラブ
洗浄(1次洗浄)を行なう。
【００２７】この時、基板Wの下面側に位置するスクラ
ブ洗浄部材4Obの端部に設けたモへアブラシ46はスクラ
ブ洗浄部材40bと一体に回転し、基板Wの周縁部Bに接触
して周縁部Bをスクラブ洗浄する。基板Wはロ一ラ30によ
って回転するので、基板Wの全周縁部Bが順次洗浄され
る。また、図2において露出している周縁部Bも他の位置
Aで上下のローラ30に接触するので充分に洗浄される。
これによって、従来洗浄しにくかった基板Wの周縁部Bの
領域が洗浄されるので、ここに残った砥液や研磨かすが
後の段階でパーティクルの原因となることが防止され
る。
ブ洗浄部材4Obの端部に設けたモへアブラシ46はスクラ
ブ洗浄部材40bと一体に回転し、基板Wの周縁部Bに接触
して周縁部Bをスクラブ洗浄する。基板Wはロ一ラ30によ
って回転するので、基板Wの全周縁部Bが順次洗浄され
る。また、図2において露出している周縁部Bも他の位置
Aで上下のローラ30に接触するので充分に洗浄される。
これによって、従来洗浄しにくかった基板Wの周縁部Bの
領域が洗浄されるので、ここに残った砥液や研磨かすが
後の段階でパーティクルの原因となることが防止され
る。
【００２８】次に、必要に応じて、基板Wの回転速度を
変化させながら薬液供給ノズル44よりエッチング液を基
板Wの上下面に供給し、基板W表面のエッチング(化学的
洗浄)を行って、基板W表面に残留する金属イオンを除去
し、その後に、純水供給ノズル42から純水を供給し、純
水置換を行ってエッチング液を除去する。エッチング液
及び純水は、ウエハの中心部分に行うことが好ましく、
このようにすることにより液のウエハ全面にわたる均一
で効率的な供給が可能となる。その他、薬液として、有
機アルカリ（TMAH（アンモニウム系薬液）やキレート剤
(界面活性剤等)）、又は有機酸を使用するとよい。
変化させながら薬液供給ノズル44よりエッチング液を基
板Wの上下面に供給し、基板W表面のエッチング(化学的
洗浄)を行って、基板W表面に残留する金属イオンを除去
し、その後に、純水供給ノズル42から純水を供給し、純
水置換を行ってエッチング液を除去する。エッチング液
及び純水は、ウエハの中心部分に行うことが好ましく、
このようにすることにより液のウエハ全面にわたる均一
で効率的な供給が可能となる。その他、薬液として、有
機アルカリ（TMAH（アンモニウム系薬液）やキレート剤
(界面活性剤等)）、又は有機酸を使用するとよい。
【００２９】第１の洗浄機26aによる1次洗浄が終了した
後、基板Wは、第２及び第３の洗浄機26b,26cに順次送ら
れ、前述と同様にして、仕上げ洗浄が行われる。第３の
洗浄機による洗浄が終了すると、当該洗浄機でのウエハ
の回転数を1500〜5000rpmとしてスピン乾燥を行い、乾
燥したウエハをロード・アンロード部22に戻す。
後、基板Wは、第２及び第３の洗浄機26b,26cに順次送ら
れ、前述と同様にして、仕上げ洗浄が行われる。第３の
洗浄機による洗浄が終了すると、当該洗浄機でのウエハ
の回転数を1500〜5000rpmとしてスピン乾燥を行い、乾
燥したウエハをロード・アンロード部22に戻す。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特別な機構を付加することなく、基板の表裏面の洗浄と
同時に基板の周縁部を周縁洗浄部材で容易かつ確実に洗
浄することができる。従って、この領域に砥液や研磨か
す等の付着物が残り、後の段階でパーティクルが発生す
る事態を防止し、半導体装置の製造工程における製品の
歩留まりを向上させることができる。
特別な機構を付加することなく、基板の表裏面の洗浄と
同時に基板の周縁部を周縁洗浄部材で容易かつ確実に洗
浄することができる。従って、この領域に砥液や研磨か
す等の付着物が残り、後の段階でパーティクルが発生す
る事態を防止し、半導体装置の製造工程における製品の
歩留まりを向上させることができる。
【図１】本発明の基板洗浄装置の一実施形態の概要を示
し、(a)は斜視図、(b)はその作用を示す図である。
し、(a)は斜視図、(b)はその作用を示す図である。
【図２】図1の基板洗浄装置によるスクラブ洗浄中の状
態を示す図であり、(a)は正面図、(b)は要部拡大断面図
である。
態を示す図であり、(a)は正面図、(b)は要部拡大断面図
である。
【図３】図２に類似する図であるが、周縁洗浄部材とし
てブラシの代わりに、スポンジ部材を用いた例を示す図
である。
てブラシの代わりに、スポンジ部材を用いた例を示す図
である。
【図４】従来の研磨装置の全体の構成を示す図である。
【図５】図4の装置における研磨部の構成を示す断面図
である。
である。
【図６】図4の装置における第1の洗浄機を示し、(a)は
斜視図、(b)はその作用を示す図である。
斜視図、(b)はその作用を示す図である。
【図７】同第1の洗浄機によるスクラブ洗浄中の状態を
示す図であり、(a)は正面図、(b)は要部拡大断面図であ
る。
示す図であり、(a)は正面図、(b)は要部拡大断面図であ
る。
【図８】図４の装置における第２及び第２の洗浄機を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【符号の説明】 10 研磨部 12 研磨テーブル 13 トップリング 22 ロード・アンロード部 2６a,26b,26c 洗浄機 30 ローラ 32 回転軸 34 アーム 36 回転テーブル 40a,4Ob ロール型スクラブ洗浄部材 4２ 純水供給ノズル 44 薬液供給ノズル 46 モヘアブラシ（周縁洗浄部材） 48 基部 50 軸部 52 支持体 54モヘアブラシ 54' スポンジ部材 B 周縁部 W 基板
Claims (5)
- 【請求項1】筒状の洗浄部材を軸まわりで回転させなが
ら、表面を基板の被洗浄面に擦り付けてスクラブ洗浄す
るスクラブ洗浄部材と、 基板の周縁部に接触して該周縁部をスクラブ洗浄する周
縁洗浄部材が設けられていることを特徴とする基板洗浄
装置。 - 【請求項2】前記周縁洗浄部材は、前記スクラブ洗浄部
材の少なくとも一方の端部に取り付けられており、前記
スクラブ洗浄部材と一体に回転する基部と、該基部に前
記スクラブ洗浄部材の方向へ向けて植設されたブラシ部
材を有することを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄
装置。 - 【請求項3】前記周縁洗浄部材は、前記スクラブ洗浄部
材の少なくとも一方の端部に取り付けられており、前記
スクラブ洗浄部材の軸のまわりで回転する基部と、該基
部の前記スクラブ洗浄部材に面する側に設けられた多孔
質スポンジ部材とを有することを特徴とする請求項1に
記載の基板洗浄装置。 - 【請求項４】基板を研磨する研磨部と、研磨後の基板を
洗浄する洗浄部とを備え、前記洗浄部は請求項1、2、若
しくは3に記載の基板洗浄装置を有することを特徴とす
る研磨装置。 - 【請求項５】前記スクラブ洗浄部材を、当該スクラブ洗
浄部材の前記一方の端部においては前記基盤の周縁部を
スクラブ洗浄部材よりも露出させ、該端部に取付けた前
記周縁洗浄部材を基盤の周縁部の外側に位置決めして、
前記周縁洗浄部材が該周縁部に係合するようになし、同
スクラブ洗浄部材の他方の端部は、該端部自体が前記基
盤の周縁部の外側まで延出するようになされ、当該スク
ラブ洗浄部材をその軸の周りで回転することにより、前
記スクラブ洗浄部材及び周縁洗浄部材が、それぞれ、前
記表面及び前記周縁部を同時にスクラブ洗浄するように
したことを特徴とする請求項1に記載の基盤洗浄装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000196683A JP2001070896A (ja) | 1999-07-06 | 2000-06-29 | 基板洗浄装置 |
| KR1020000038558A KR100695980B1 (ko) | 1999-07-06 | 2000-07-06 | 기판세정장치 |
| US09/610,989 US6560809B1 (en) | 1999-07-06 | 2000-07-06 | Substrate cleaning apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-192321 | 1999-07-06 | ||
| JP19232199 | 1999-07-06 | ||
| JP2000196683A JP2001070896A (ja) | 1999-07-06 | 2000-06-29 | 基板洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001070896A true JP2001070896A (ja) | 2001-03-21 |
| JP2001070896A5 JP2001070896A5 (ja) | 2005-07-14 |
Family
ID=26507249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000196683A Pending JP2001070896A (ja) | 1999-07-06 | 2000-06-29 | 基板洗浄装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6560809B1 (ja) |
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| KR (1) | KR100695980B1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100892809B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2009-04-10 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| JP2013126751A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 封口用マスクの洗浄方法及び洗浄装置、並びにハニカム構造体の製造方法 |
| JP2013162044A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Ebara Corp | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
| JP2014212237A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
| JP2017123397A (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | 株式会社ディスコ | 洗浄スポンジ |
| JP2019145687A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄具、基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
| JP2019534160A (ja) * | 2016-11-08 | 2019-11-28 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスシートをクリーニングするための方法、装置、およびアセンブリ |
| TWI759727B (zh) * | 2020-04-24 | 2022-04-01 | 弘塑科技股份有限公司 | 批次式基板浸泡洗邊設備 |
| JP2023009162A (ja) * | 2017-12-13 | 2023-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6827633B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-12-07 | Ebara Corporation | Polishing method |
| US7743449B2 (en) * | 2002-06-28 | 2010-06-29 | Lam Research Corporation | System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module |
| US7007333B1 (en) * | 2002-06-28 | 2006-03-07 | Lam Research Corporation | System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module |
| US20050048768A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Hiroaki Inoue | Apparatus and method for forming interconnects |
| TWI362064B (en) * | 2005-04-25 | 2012-04-11 | Applied Materials Inc | Methods and apparatus for cleaning an edge of a substrate |
| JP4719051B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-07-06 | ソニー株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8844546B2 (en) * | 2008-10-01 | 2014-09-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate using pressurized fluid |
| CN106216274A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-12-14 | 陕西彩虹电子玻璃有限公司 | 一种玻璃基板边部刷洗装置及其控制方法 |
| JP7300433B2 (ja) * | 2020-10-28 | 2023-06-29 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの洗浄方法 |
| CN116153803B (zh) * | 2023-04-23 | 2023-07-14 | 苏州晶睿半导体科技有限公司 | 一种带有清理结构的半导体晶圆测试台及方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0175278B1 (ko) | 1996-02-13 | 1999-04-01 | 김광호 | 웨이퍼 세정장치 |
| US5937469A (en) * | 1996-12-03 | 1999-08-17 | Intel Corporation | Apparatus for mechanically cleaning the edges of wafers |
| US5901399A (en) * | 1996-12-30 | 1999-05-11 | Intel Corporation | Flexible-leaf substrate edge cleaning apparatus |
| JP4271267B2 (ja) | 1997-02-14 | 2009-06-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法 |
| JPH10229040A (ja) | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
2000
- 2000-06-29 JP JP2000196683A patent/JP2001070896A/ja active Pending
- 2000-07-06 US US09/610,989 patent/US6560809B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-06 KR KR1020000038558A patent/KR100695980B1/ko active IP Right Grant
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100892809B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2009-04-10 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US7979942B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-07-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| JP2013126751A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 封口用マスクの洗浄方法及び洗浄装置、並びにハニカム構造体の製造方法 |
| JP2013162044A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Ebara Corp | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
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