JP2000208466A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法および基板処理装置

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JP2000208466A
JP2000208466A JP11005430A JP543099A JP2000208466A JP 2000208466 A JP2000208466 A JP 2000208466A JP 11005430 A JP11005430 A JP 11005430A JP 543099 A JP543099 A JP 543099A JP 2000208466 A JP2000208466 A JP 2000208466A
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cleaning
brush
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holding
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JP11005430A
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English (en)
Inventor
Tadao Okamoto
伊雄 岡本
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】基板の表面に形成された銅やアルミニウムのパ
ターンを壊すことなく研磨および洗浄を良好に行うこと
ができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。 【解決手段】未洗浄のウエハが1枚ずつ順次取り出さ
れ、両面ブラシ洗浄部50に搬入される。両面ブラシ洗
浄部では、有機アルカリ供給源58Aから供給されたテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含み、無
機酸および無機アルカリを含まない洗浄液がウエハに供
給され、ブラシ洗浄によって、表面および裏面に付着し
た大粒子径の付着物が除去される。さらにウエハは、表
面ブラシ洗浄部に搬入される。この表面ブラシ洗浄部で
は、有機酸供給源CNAから供給されたクエン酸を含
み、無機酸および無機アルカリを含まない洗浄液がウエ
ハに供給され、ブラシ洗浄によって粒子径の小さな付着
物や金属汚染を精密に除去する。その後、ウエハは、水
洗・乾燥処理部に搬入されて、水洗処理および乾燥処理
を受ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面に銅またはアルミ
ニウムを含む薄膜が形成された基板を研磨処理する基板
処理方法および基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体素子の製造工程において、
基板となる半導体ウエハの表面に形成された酸化膜など
を研磨して平坦化するためのいわゆるCMP法による処
理は一般に知られている。CMP工程においてはスラリ
ーと呼ばれる研磨材が用いられ、CMP工程を経た基板
には、研磨材や研磨パッド、削りカス等の汚染物が付着
している。そして、CMP法による処理後にこれらの汚
染物等を取り除くために基板を洗浄する装置も特開平7
−66161号公報などで公知である。ところで、この
種のCMP処理後の洗浄工程において、スラリー等の汚
染物を除去するためには、アンモニアを含む洗浄液を基
板に供給しつつ基板表面をブラシ等でスクラブ処理する
のが一般的である。またスラリー等に含まれる金属不純
物を除去するためにはふっ酸またはアンモニアを含む洗
浄液を使用するのが一般的である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体素子等の
製造工程において、たとえば配線材料として銅やアルミ
ニウムが使用することが考えられる。そこで、銅やアル
ミニウムを基板表面に成膜した後にCMP工程によって
平坦化した場合、その後の洗浄工程において上述のよう
な洗浄液を用いると、形成された銅やアルミニウムのパ
ターンがかかる洗浄液によってエッチングされて壊れて
しまうという問題があった。
【0004】そこで、本発明の目的は、形成された銅や
アルミニウムのパターンを壊すことなく研磨および洗浄
工程を行うことができる基板処理方法と基板処理装置を
提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、表面に銅
またはアルミニウムを含む薄膜が形成された基板を研磨
処理する研磨工程と、研磨処理された基板に対して有機
酸または有機アルカリを含む液を供給して洗浄する洗浄
工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法である。
この方法によれば、形成された銅やアルミニウムのパタ
ーンを壊すことなく研磨および洗浄工程を行うことがで
きる。
【0006】請求項2記載の発明は、上記洗浄工程が、
基板に対して有機酸または有機アルカリを含む液を供給
しつつ基板をスクラブ部材を用いてスクラブ洗浄する工
程を含むことを特徴とする。
【0007】請求項3記載の発明は、上記有機酸が、ク
エン酸または蓚酸を含むものである。
【0008】請求項4記載の発明は、上記有機アルカリ
が、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドまた
はコリンを含むものである。
【0009】請求項5記載の発明は、表面に銅またはア
ルミニウムを含む薄膜が形成されかつ当該薄膜が研磨処
理された基板を保持する保持機構と、該保持機構に保持
された基板に対して有機酸または有機アルカリを含む液
を供給する液供給機構と、を備えたことを特徴とする基
板処理装置である。この装置によれば、形成された銅や
アルミニウムのパターンを壊すことなく研磨および洗浄
工程を行うことができる。
【0010】請求項6記載の発明は、保持機構に保持さ
れた基板をスクラブ洗浄するスクラブ機構をさらに備え
たことを特徴とする。
【0011】請求項7記載の発明は、表面に銅またはア
ルミニウムを含む薄膜が形成された基板を研磨処理する
研磨機構と、該研磨機構により研磨された基板を前記保
持機構に搬送する搬送機構と、をさらに備えたことを特
徴とする。
【0012】請求項8記載の発明は、上記有機酸が、ク
エン酸または蓚酸を含むものである。
【0013】請求項9記載の発明は、上記有機アルカリ
が、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドまた
はコリンを含むものである。
【0014】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施形態を、
添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この発明
の一実施形態に係る基板洗浄装置20の設置状態を示す
簡略化した斜視図である。この装置20は、主として半
導体ウエハ(以下単にウエハと称する)であって、特に
表面に銅またはアルミニウムの薄膜を形成した後に、そ
の表面を研磨剤(スラリー)を用いて化学的および物理
的に研磨するCMP(ChemicalMechanical Polishing
)処理して平坦化したウエハに対して、そのCMP処
理後にウエハに付着しているスラリーを除去するための
洗浄装置である。
【0015】この洗浄装置20は、隔壁1によって仕切
られた一対の空間11,12の境界部に配置されてい
る。すなわち、装置20の主要部は空間11側に配置さ
れており、隔壁1に形成された矩形の開口2において、
洗浄装置の前面21が空間12に露出している。空間1
1は、空間12よりも清浄度が低い空間であり、ウエハ
に対して、CMP処理およびその後の洗浄処理をはじめ
とする各種の処理を施すための処理空間である。空間1
2は、主として、洗浄処理後のウエハを搬送したりする
ための清浄空間である。
【0016】洗浄装置20は、大略的に直方体形状の外
形を有しており、清浄空間12に臨む前面21には、未
洗浄のウエハを導入するためのウエハ導入口22と、洗
浄処理済みのウエハを搬出するためのウエハ搬出口23
とが形成されている。ウエハ導入口22に関連して、こ
のウエハ導入口22を開閉するための一対のドア22
a,22bが備えられている。また、ウエハ搬出口23
に関連して、このウエハ搬出口23を開閉するためのド
ア24が取り付けられている。ウエハ導入口22の上方
には、洗浄装置20に動作指令を与えるための入力装置
と、警報メッセージなどを表示するための表示装置とを
備えた操作パネル25が配置されている。
【0017】ウエハ搬入口22とウエハ搬出口23とは
左右に隣り合って形成されており、また、操作パネル2
5はウエハ搬入口22の上方に隣接して配置されてい
る。したがって、清浄空間12においては、前面21の
付近の小面積の領域を確保しておけば、ウエハの搬入お
よび搬出ならびに洗浄装置20の操作を行える。
【0018】洗浄装置20において、処理空間11内に
位置する側壁16の所定位置には、処理空間11内にお
いて、CMP処理装置とインライン接続するための接続
用開口27が形成されている。この洗浄装置20は、図
6に示すように、酸化膜を成膜する成膜装置5と、フォ
トリソグラフィ法によって酸化膜のエッチング等を行っ
てパターニングするパターニング装置6と、銅の薄膜を
形成する成膜装置7と、CMP処理装置8とに、この順
序でインラインされている。CMP処理装置8には、ウ
エハ表面に研磨材を供給して研磨する研磨機構(図示せ
ず)が内蔵されている。また、各装置の間にはウエハを
カセットに収納した状態で搬送する搬送機構9が設けら
れる。
【0019】図2は、洗浄装置20の内部の全体の構成
を簡略化して示す平面図である。洗浄装置20の前面2
1のウエハ導入口22および接続用開口27の背後に相
当する位置には、CMP処理ずみで洗浄処理前のウエハ
が複数枚収容されるカセット33を水槽34に貯留され
た水中に浸漬させておくことができる水中ローダ31
(ウエハ供給機構)が備えられており、同じく前面21
のウエハ搬出口23の背後に相当する位置には、洗浄処
理済みのウエハが収容されるカセット37が載置される
アンローダ32(ウエハ収納機構)が備えられている。
【0020】洗浄処理装置20によって処理されるウエ
ハは、水中ローダ31からアンローダ32に至る平面視
においてU字状の経路40を通って搬送され、その過程
で、洗浄処理および乾燥処理が行われるようになってい
る。すなわち、この経路40に沿って、水中ローダ31
側から順に、両面ブラシ洗浄部50(スクラブ洗浄機
構)、表面ブラシ洗浄部60(スクラブ洗浄機構)、水
洗・乾燥処理部70が配置されている。
【0021】さらに、経路40上には、水中ローダ31
と両面ブラシ洗浄部50との間に、ローダ搬送ロボット
41が配置され、両面ブラシ洗浄部50と表面ブラシ洗
浄部60との間に、第1中間搬送ロボット81が配置さ
れ、表面ブラシ洗浄部60と水洗・乾燥処理部70との
間に、第2中間搬送ロボット82が配置され、水洗・乾
燥処理部70とアンローダ32との間に、アンローダ搬
送ロボット42が配置されている。すなわち、これらの
搬送ロボット41,81,82,42によって、水中ロ
ーダ31からアンローダ32に至る処理部間でのウエハ
の移送が行われることにより、ウエハはU字状の経路4
0を搬送されつつ、両面ブラシ洗浄、表面洗浄および水
洗・乾燥処理などの処理を受けて、アンローダ32に配
置されたカセット37に収容される。
【0022】水中ローダ31は、ウエハをカセット33
に収容した状態で純水中に浸漬しておくための水槽34
と、カセット33が載置されるステージ35と、このス
テージ35を昇降するための昇降機構36とを有してい
る。これにより、洗浄処理のためにウエハを取り出すと
きにのみ、ステージ35を必要な高さまで上昇させ、処
理対象のウエハを水面上に浮上させることができる。
【0023】一方、アンローダ32は、カセット37が
載置されるカセット載置部38と、このカセット載置部
38に載置されたカセット37内の各ウエハ収容棚にお
けるウエハの有無を検知するための光学式のセンサ39
とを有している。カセット37内には、上下方向に複数
段のウエハ収容棚が配列されており、各ウエハ収容棚に
は各1枚のウエハを収容することができる。センサ39
は、たとえば、発光素子と受光素子との対からなり、こ
の発光素子−受光素子対を上下動させることにより、各
ウエハ収容棚におけるウエハの有無を検知する構成とな
っている。
【0024】水中ローダ31に隣接して配置されたロー
ダ搬送ロボット41は、水中ローダ31において水上に
浮上させられた1枚のウエハを受け取り、両面ブラシ洗
浄部50に受け渡す。このローダ搬送ロボット41は、
水平面に沿って回動自在な下アームLAと、この下アー
ムLAの先端において水平面に沿う回動が自在であるよ
うに設けられた上アームUAとを有するスカラー式ロボ
ットによって構成されている。すなわち、下アームLA
が回動すると、上アームUAは、下アームLAの回動方
向とは反対方向に、下アームLAの回動角度の2倍の角
度だけ回動するように構成されている。これにより、下
アームLAと上アームUAとは、両アームが上下に重な
りあった収縮状態と、両アームが経路40に沿って、水
中ローダ31側または両面ブラシ洗浄部50に向かって
展開された伸長状態とをとることができる。その結果、
収縮状態において下アームLAの回動中心のほぼ上方に
位置する上アームUAの先端は、経路40に沿って直線
移動することができる。
【0025】上アームUAの基端部寄りの位置には、ウ
エハの外周縁に沿う円弧形状のガイド面を有するガイド
部材Gが取り付けられている。一方、上アームUAの先
端には、ウエハの下面を真空吸着して保持するための吸
着孔Hが形成されている。したがって、ローダ搬送ロボ
ット41は、水中ローダ31から受け取ったウエハの下
面を真空吸着して保持し、そのウエハを両面ブラシ洗浄
部50に向けて直線搬送することができる。
【0026】ウエハの搬送中におけるウエハの表面およ
び裏面の乾燥を防止するために、ローダ搬送ロボット4
1に関連して、このローダ搬送ロボット41によって保
持されて搬送されている途中のウエハの上面に純水を吐
出するための純水吐出手段としてのスプレーノズルSN
が配置されている。
【0027】第1中間搬送ロボット81および第2中間
ロボット82は、ローダ搬送ロボット41と同様に構成
されているので、これらのロボット81,82の各部に
は、ローダ搬送ロボット41の対応部分の参照符号を付
して表すこととし、説明を省略する。搬送中のウエハの
乾燥を防止するためにスプレーノズルSNが第1および
第2中間搬送ロボット81,82に関連して設けられて
いる点も、ローダ搬送ロボット41の場合と同様であ
る。
【0028】アンローダ搬送ロボット42は、上下一対
のアーム43,44で構成されたスカラー式ロボット
と、このスカラー式ロボットを経路40に沿って往復直
線移動させるための直線搬送機構(図示せず)と、さら
に、スカラー式ロボットを昇降させるための昇降機構
(図示せず)とを組み合わせて構成されている。すなわ
ち、スカラー式ロボットの下アーム44は、水平面に沿
って回動自在とされており、上アーム43は、下アーム
44の先端において、水平面に沿う回動が自在であるよ
うに取り付けられている。そして、下アーム44が回動
すると、上アーム43は、下アーム44の回動方向とは
反対方向に、下アーム44の回動角度の2倍だけ回動す
るように構成されている。このスカラー式ロボット全体
が、上記昇降機構に保持されており、この昇降機構が、
上記直線搬送機構のキャリッジ(図示せず)に支持され
ている。直線搬送機構は、たとえば、ボールねじ機構で
あってもよい。
【0029】上アーム43は、板状のビームで構成され
ており、その先端部および基端部には、それぞれ、ウエ
ハの周縁に沿う円弧形状に形成されたガイド面46a,
47aを有するガイド部材46,47が設けられてい
る。ガイド面46a,47aは、ウエハの下面の周縁部
のみに接触するウエハ保持面と、このウエハ保持面から
立ち上がり、ウエハ保持面に向けてウエハを案内するた
めに上方に向かうに従って外側に拡開した形状のテーパ
ー面(逆円錐面)とを有している。この構成により、上
アーム43は、洗浄処理後のウエハの裏面の中央付近に
接触することなくウエハを保持することができる。
【0030】水洗・乾燥処理部70での処理が終了した
ウエハを搬出する際には、上アーム43および下アーム
44からなるスカラー式ロボットを参照符号42Aで示
す状態に展開した後、上記直線搬送機構によって、さら
に、上アーム43および下アーム44を水洗・乾燥処理
部70に向かって直線移動させ、上記昇降機構によっ
て、上昇させる。これにより、上アーム43が水洗・乾
燥処理部70に入り込み、処理後のウエハを受け取るこ
とができる。
【0031】その後、上記直線搬送機構は、上記スカラ
ー式ロボットを原点(水洗・乾燥処理部70とアンロー
ダ32との間のほぼ中間位置)にまで直線移動させる。
その後、スカラー式ロボットは、上アーム43および下
アーム44を、収縮状態を経て、反対側に伸長させ、参
照符号42Bで示すように、アンローダ32に向けて展
開させる。この状態から、上記直線搬送機構が上記スカ
ラー式ロボットをアンローダ32に載置されたカセット
37に向かって移動させ、上記昇降機構によって、下降
させることにより、このカセット37内に洗浄処理後の
ウエハが収容される。
【0032】カセット37内に多段に設けられた任意の
ウエハ収容棚にウエハを収容することができるように、
上記昇降機構がスカラー式ロボットを昇降させる。その
際、ウエハの収容位置は、センサ39の出力に基づいて
決定される。ウエハは、たとえば、カセット37の上の
ウエハ収容棚から順に収容されてもよいし、下のウエハ
収容棚から順に収容されてもよい。ただし、上アーム4
3などからのパーティクルの落下の可能性を考慮すれ
ば、上のウエハ収容棚から順に洗浄済みのウエハを収容
するのが好ましい。
【0033】図3は、両面ブラシ洗浄部50の構成を簡
略化して示す斜視図である。両面ブラシ洗浄部50は、
ローダ搬送ロボット41によって搬入されたウエハWを
水平に保持し、かつ、水平面内で回転させるための複数
本(この実施例では6本)の保持ローラ51a,51
b,51c;52a,52b,52cを有しており、こ
れらは、すべて駆動力が与えられる駆動ローラであっ
て、基板保持機構に相当している。保持ローラ51a,
51b,51c;52a,52b,52cによって水平
に保持されたウエハWを上下から挟むように、上ディス
クブラシ53Uおよび下ディスクブラシ53Lが設けら
れており、これらは、ウエハWの両面をスクラブ洗浄す
る両面スクラブ洗浄機構53を構成している。
【0034】6本の保持ローラのうちの3本の保持ロー
ラ51a,51b,51cの組と、残る3本の保持ロー
ラ52a,52b,52cの組とは、ウエハWを挟んで
ほぼ対向して配置されている。各保持ローラ51a,5
1b,51c;52a,52b,52cは、鉛直方向に
沿って立設されており、かつ、それぞれウエハWの端面
に当接している。
【0035】一方の組を構成する3本の保持ローラ51
a,51b,51cのうちの中央の保持ローラ51bに
は、モータM1からの回転力がベルトB1を介して伝達
されている。そして、保持ローラ51bの回転が、ベル
トB2およびB3を介して、保持ローラ51aおよび5
1cにそれぞれ伝達されるようになっている。
【0036】他方の組を構成する3本の保持ローラ52
a,52b,52cについても同様であり、中央の保持
ローラ52bにモータM2からの回転力がベルトB4を
介して伝達され、保持ローラ52bの回転が、ベルトB
5およびB6を介して他の2本の保持ローラ52aおよ
び52cに伝達されるようになっている。
【0037】一方の組を構成する3本の保持ローラ51
a,51b,51cと、他方の組を構成する3本の保持
ローラ52a,52b,52cとは、それぞれ図2に示
す保持機構51,52に保持されており、互いに近接し
たり離反したりすることができるようになっている。こ
れにより、ウエハWを保持した状態と、ウエハWの保持
を開放した状態とをとることができる。
【0038】両面スクラブ洗浄機構53の上ディスクブ
ラシ53Uおよび下ディスクブラシ53Lは、ウエハW
の中心から周縁までの領域をスクラブできる様に円板状
に形成されている。上ディスクブラシ53Uは、鉛直方
向に沿って配設された回転軸55の下端に固定されてお
り、この回転軸55には、モータM3からの回転力がベ
ルトB7を介して伝達されている。同様に、下ディスク
ブラシ53Lは、鉛直方向に沿って配設された回転軸5
6の上端に固定されており、モータM4からの回転力が
ベルトB8を介して与えられることによって、鉛直軸線
まわりに回転駆動されるようになっている。さらに、上
ディスクブラシ53Uおよび下ディスクブラシ53L
が、ウエハWの表面および裏面に対して近接/離反する
ことができるように、上ディスクブラシ53Uおよび下
ディスクブラシ53Lを昇降するための昇降機構10
1,102がそれぞれ備えられている。
【0039】回転軸55,56は、いずれも中空の軸で
構成されており、その内部には、ディスクブラシ53
U,53Lの表面の近傍にまで至る処理液供給管57
U,57Lが挿通している。この処理液供給管57U,
57Lには、それぞれ、薬液供給弁58を介する薬液
や、純水供給弁59を介する純水を、選択的に供給する
ことができるようになっており、これらが、第1洗浄液
供給機構を構成している。
【0040】薬液供給弁58は、有機アルカリを含む洗
浄液を貯溜している有機アルカリ供給源58Aに接続さ
れている。さらに詳しくは、有機アルカリ供給源58A
に貯溜されている洗浄液に含まれている有機アルカリ
は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドであ
る。また、必要に応じて、洗浄液に対して、キレート剤
および/または界面活性剤を加えてもよいし、必要に応
じてこれらを任意に純水で希釈してもちいてもよい。洗
浄液の希釈の程度は、例えば有機アルカリの濃度が重量
%で例えば0.1%程度である。ただし、ここにおい
て、有機アルカリ供給源58Aから供給する洗浄液は、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド以外の成
分として、フッ酸、塩酸、硫酸、燐酸のような無機酸や
アンモニアのような無機アルカリは含まないものを用い
ている。
【0041】モータM3,M4を付勢して上下のディス
クブラシ53U,53Lを回転し、この回転状態のディ
スクブラシ53U,53LをウエハWの表面および裏面
にそれぞれ接触させると、ウエハWの表面および裏面を
スクラブ洗浄することができる。その際、保持ローラ5
1a,51b,51c;52a,52b,52cにより
ウエハWが低速回転されるため、保持ローラ51a,5
1b,51c;52a,52b,52cとウエハWとが
当接する位置は刻々と変化し、また、スクラブ洗浄され
る位置も刻々と変化する。これにより、ウエハWの中心
から周縁までの領域をカバーするように設けられたディ
スクブラシ53U,53Lは、ウエハWの表面および裏
面の全域を隈無くスクラブすることができる。
【0042】スクラブ洗浄を行う際、処理液供給管57
U,57Lには、洗浄液または純水が供給され、これら
の処理液を供給しながら、ウエハWの表面および裏面を
スクラブすることによって、CMP処理後のウエハWの
表面のスラリーのうち、比較的粒子径の大きなものを除
去することができる。
【0043】図4は、表面ブラシ洗浄部60の概念的な
構成を示す図解図である。この表面ブラシ洗浄部60
は、両面ブラシ洗浄部50での処理によって、比較的大
きな粒径の異物が除去された後のウエハWの表面に残る
小粒径の異物や金属汚染を除去するためのものである。
【0044】この表面ブラシ洗浄部60は、たとえば6
本の保持ピン61でウエハWの裏面の周縁部付近を支持
する構成のスピンチャック62を備えており、このスピ
ンチャック62が第2基板保持手段に相当する。6本の
保持ピンのうち、1本おきに配設された3本の保持ピン
61は、鉛直軸線周りに回動することができるようにな
っており、ウエハWの端面に対して、保持面を選択的に
当接させることができるように構成されている。これに
より、ウエハWは、結果として、6本の保持ピン61に
よって強固に握持される。
【0045】スピンチャック62は、この6本の保持ピ
ン61によって水平保持されたウエハWを、鉛直軸線ま
わりに回転させるために、保持ピン61を保持する保持
部材65と、この保持部材65の中央の下面に鉛直方向
に沿って固定された回転軸66と、この回転軸66を回
転駆動するための回転駆動機構67とを備えている。
【0046】スピンチャック62に保持されたウエハW
の上方には、表面スクラブ洗浄機構としてのスキャンブ
ラシ63が備えられている。スキャンブラシ63は、ウ
エハWの表面に対してほぼ垂直な方向に沿う回転軸まわ
りに回転駆動されるディスク型ブラシである自転ブラシ
63aと、この自転ブラシ63aを先端において下方に
向けて支持する揺動腕63bと、この揺動腕63bを、
スピンチャック62に保持されたウエハWよりも外側に
設定された鉛直軸線まわりに揺動させる揺動駆動機構6
3cとを備えている。
【0047】この構成により、揺動腕63bを揺動させ
ることにより、ウエハWの半径方向に沿って、その中心
位置から周縁部までの範囲で、自転ブラシ63aを繰り
返し往復させることができる。自転ブラシ63aが、ウ
エハWの中心から周縁部に向かう際には、自転ブラシ6
3aは下方位置にあって、ウエハWの表面をスクラブ洗
浄する。その際、スピンチャック62によってウエハW
が回転されているので、ウエハWの表面のほぼ全域をス
クラブすることができる。自転ブラシ63aがウエハW
の周縁部から中心位置に戻されるときには、自転ブラシ
63aは、上方位置とされ、ウエハWから離間した状態
とされる。これを数回繰り返すことにより、ウエハWの
表面の小粒径の異物を、スクラブすることによって浮き
出させ、さらにその異物をウエハWの外側に向かって掃
き出すとともに、微少な金属汚染を除去することができ
る。
【0048】スピンチャック62に関連して、薬液をウ
エハWの表面に供給するための薬液供給ノズルCN、純
水をウエハWの表面に供給するための純水ノズルDN、
および超音波振動が付与された純水をウエハWの表面に
供給するための超音波洗浄ノズルDSNが備えられてい
る。薬液供給ノズルCN,CN10は、図示しない弁を
介して、有機酸を含む洗浄液を貯溜している有機酸供給
源CNAに接続されている。さらに詳しくは、有機酸供
給源CNAに貯溜されている洗浄液に含まれている有機
酸は、クエン酸である。また、必要に応じて、洗浄液に
対して、キレート剤および/または界面活性剤を加えて
もよいし、必要に応じてこれらを任意に純水で希釈して
もちいてもよい。洗浄液の希釈の程度は、例えば有機酸
の濃度が重量%で例えば0.1%程度である。ただし、
ここにおいて、洗浄液は、フッ酸、塩酸、硫酸、燐酸の
ような無機酸やアンモニアのような無機アルカリは含ま
ないものを用いる。
【0049】この構成により、スキャンブラシ63によ
るウエハWの表面のスクラブ洗浄の際に、薬液、純水お
よび超音波振動が付与された純水を、それぞれ単独で、
または組み合わせて供給することにより、ウエハWの表
面の異物を効果的に除去することができる。とくに、超
音波振動の付与された純水をウエハの表面に供給するこ
とによって、微小粒径の付着物を効果的に除去でき、さ
らに、超音波振動が付与された純水と薬液とを同時に使
用すれば、薬液による洗浄効果と超音波振動による洗浄
効果との相乗効果を期待することもできる。しかも、ス
キャンブラシ63によるスクラブ洗浄は、保持ピン61
と自転ブラシ63aとの干渉を避ける必要性から、ウエ
ハWの周縁部に対してまでは施すことができないのであ
るが、超音波振動が付与された純水は、ウエハWの表面
の全域に達するから、ウエハWの表面の全域において、
微小粒径の付着物の除去を効果的に行うことができる。
【0050】なお、スピンチャック62に保持されたウ
エハWの裏面側にも、薬液供給ノズルCN10からの薬
液および純水ノズルDN10からの純水を供給すること
ができ、これにより、ウエハWの裏面の清浄をも行うこ
とができる。
【0051】図5は、水洗・乾燥処理部70の概念的な
構成を示す図解図である。水洗・乾燥処理部70は、ウ
エハWを水平に保持して回転させるスピンチャック71
と、このスピンチャック71の上方に設けられた不活性
ガス供給機構72とを有している。不活性ガス供給機構
72に関連して、スピンチャック71に保持されたウエ
ハWの表面に純水を供給するための純水供給ノズルDN
1が設けられており、この純水供給ノズルDN1には、
純水供給源73から純水が供給されるようになってい
る。また、スピンチャック71の下方には、ウエハWの
裏面に純水を供給するための純水ノズルDN2,DN3
が配置されている。
【0052】スピンチャック71は、図4に示された表
面ブラシ洗浄部60のスピンチャック62と同様の構成
を有しており、6本の保持ピン84によって、ウエハW
の裏面の周縁部を支持し、かつ、端面を握持するように
なっている。このスピンチャック71も、スピンチャッ
ク62と同様に、保持ピン84を保持する保持部材85
と、この保持部材85の下面に鉛直方向に沿って固定さ
れた回転軸86と、この回転軸86を回転駆動するため
の回転駆動機構87とを備えている。
【0053】不活性ガス供給機構72は、遮蔽円板75
と、この遮蔽円板75を支持する支持部材76と、この
遮蔽円板75の中央付近に設けられた不活性ガス供給ノ
ズル77と、この不活性ガス供給ノズル77に不活性ガ
スとしての加熱されたN2(窒素)ガスを供給する不活
性ガス供給源78とを有している。上記の純水供給ノズ
ルDN1も、遮蔽円板75の中央付近に設けられてい
る。
【0054】支持部材76は、昇降駆動機構79によっ
て昇降されるようになっている。この昇降駆動機構79
は、ウエハWの表面および裏面を水洗するときには、遮
蔽円板75をウエハWから所定距離だけ上方に離間した
上位置に位置させ、ウエハWの表面および裏面を乾燥さ
せるときには、遮蔽円板75を上記上位置よりもウエハ
Wの表面に近接した下位置に位置させるように、支持部
材76を昇降する。
【0055】水洗・乾燥処理部70の動作を概説すれば
次のとおりである。まず、第2中間搬送ロボット82
(図2参照)によって搬入されるウエハWは、スピンチ
ャック71によって保持される。その後、スピンチャッ
ク62は、回転駆動機構87によって、低速回転され、
この低速回転されているスピンチャック62に保持され
ているウエハWの表面および裏面には、純水供給ノズル
DN1,DN2,DN3からの純水が供給される。これ
により、前工程において使用された薬液や、ウエハWの
表面および裏面に残留している付着物を洗い流すための
リンス処理が行われる。このリンス処理期間中、遮蔽円
板75は上位置にあり、不活性ガス供給ノズル77から
は、不活性ガスは供給されない。
【0056】このリンス処理の後には、回転駆動機構8
7は、スピンチャック62を高速回転させる。その一方
で、遮蔽円板75が下位置に導かれ、不活性ガス供給ノ
ズル77からは、ウエハWの表面に向けて、加熱された
N2 ガスが供給される。これにより、遠心力によって、
ウエハWの表面および裏面の水分が振り切られる一方
で、加熱されたN2 ガスによって、ウエハWの表面が速
やかに乾燥させられる。こうして、ウエハの全域を効率
よく乾燥させることができるので、ウエハWに対して高
品位の処理を施すことができる。しかも、ウエハWの周
囲を不活性ガス雰囲気で充満させることができるから、
ウォータマークの発生が防止される。このことにより、
ウエハWに対する処理のさらなる高品位化が図られてい
る。
【0057】以上のようにこの実施例の洗浄装置におい
ては、両面ブラシ洗浄部50により、ウエハの両面の付
着物のうち粒子径の大きなものを除去し、その後に、表
面ブラシ洗浄部60により、ウエハの表面の比較的粒子
径の小さな付着物や金属汚染を除去するようにしてい
る。これにより、ウエハの表面の付着物を効率的に除去
することができるので、高品位な洗浄処理を行うことが
できる。しかも、表面ブラシ洗浄部60においては、超
音波が付与された純水による洗浄を併用しているので、
ウエハ表面の周縁部に付着している微小粒子をも除去で
きる。これにより、さらに、高品位な洗浄処理が可能と
なる。
【0058】また、両面ブラシ洗浄部50は、保持ロー
ラ51a,51b,51c;52a,52b,52cに
よって、ウエハWの端面を保持しつつ回転させ、その一
方で、ウエハWの表面および裏面をディスクブラシでス
クラブ洗浄する構成を採用しているので、ウエハWの表
面および裏面の全域を隈無く良好に洗浄することができ
る。
【0059】さらに、水洗・乾燥処理部70において
は、ウエハを高速回転させて水切り乾燥を行うだけでな
く、ウエハの表面に加熱された不活性ガス(N2 ガス)
を供給して、速やかにウエハを乾燥し、かつ、ウエハの
周囲を不活性ガス雰囲気で充満させるようにしている。
そのため、乾燥処理時間に要する時間が短縮されるう
え、ウォータマークの発生も防止できる。
【0060】さて、以上の装置構成によって実施される
この発明の方法について、装置の動作とともに詳細に説
明する。まず、成膜装置5によって、シリコンよりなる
ウエハSの表面全面に酸化膜の一種であるP−TEOS
膜Pが形成される。次にこのウエハは搬送機構9によっ
てパターニング装置6へ搬送される。このパターニング
装置6において、フォトリソグラフィの手法を用いて、
ウエハS上の酸化膜Pに所望の配線のパターンPTを凹
状に形成する。この様子を図7(a)に示す。次にウエ
ハSは搬送機構9によって成膜装置7へ搬送される。こ
の成膜装置7はウエハSの酸化膜P上に銅の膜Fを形成
するものである。銅膜F形成後のウエハSは図7(b)
のようになる。そして、ウエハSは次に搬送機構9によ
ってCMP装置8へ搬送される。 CMP処理装置8に
おいて、ウエハSは研磨機構によりその表面に研磨材が
供給されて研磨され、その表面に形成された銅の薄膜F
の不要部分が除去されて平坦化され、配線パターンPT
部分に銅による配線が形成される。この様子を図7
(c)に示す。CMP処理装置8において研磨処理され
た図7(c)に示す状態では、ウエハS表面には、研磨
材やそれによって削られた銅粒子が付着して汚れた状態
である。かかる状態のウエハSは、次に搬送機構9によ
って洗浄装置20へ搬送される。
【0061】洗浄装置20において、水中ローダ31に
て水中に収容されたウエハは、ローダ搬送ロボット41
によって1枚づつ取り出され、両面ブラシ洗浄部50へ
運ばれる。両面ブラシ洗浄部50においてウエハは、上
述した有機アルカリ供給源58Aから供給される有機ア
ルカリを含んだ洗浄液を供給されながら、その両面を上
ディスクブラシ53Uおよび下ディスクブラシ53Lに
よりスクラブ洗浄される。このような有機アルカリを含
む洗浄液を供給しながらブラシによってスクラブ洗浄を
おこなうことにより、有機アルカリによる化学洗浄とブ
ラシによる物理洗浄とがあいまって、ウエハ表面に付着
している研磨剤や研磨用のパッド、削りカス等をきわめ
て効果的に洗浄除去する。このとき、洗浄液は、有機ア
ルカリを含むが無機酸や無機アルカリを含んでおらず、
ウエハ表面に形成された銅の配線をほとんど腐食させる
ことなく、ウエハの表面に付着しているスラリーなどの
不純物を効果的に除去する。
【0062】次にウエハは表面ブラシ洗浄部60へ運ば
れる。表面ブラシ洗浄部60では、ウエハは純水ノズル
DNからの純水と、必要に応じて超音波洗浄ノズルDS
Nからの超音波振動を付与した純水、または薬液供給ノ
ズルCN,CN10からの洗浄液を供給しつつ、自転ブ
ラシ63aによってスクラブ洗浄される。表面ブラシ洗
浄部60においてウエハは、その両面に上述した有機酸
供給源CNAから供給される有機酸を含んだ洗浄液を供
給されながら、その上面を自転ブラシ63aによりスク
ラブ洗浄される。このような有機酸を含む洗浄液を供給
しながらブラシによってスクラブ洗浄をおこなうことに
より、有機酸による化学洗浄とブラシによる物理洗浄と
があいまって、ウエハ表面の小粒径の異物やウエハに付
着している金属汚染などをきわめて効果的に洗浄除去す
る。このとき、洗浄液は、有機酸を含むが無機酸や無機
アルカリを含んでおらず、ウエハ表面に形成された銅の
配線をほとんどエッチングすることなく、ウエハの表面
に付着している異物や金属汚染を効果的に除去する。
【0063】次にウエハは水洗・乾燥処理部70へ搬送
される。ここでは、ウエハに純水供給ノズルDN1、D
N2、DN3から純水を供給して十分な水洗を行って洗
浄液成分などを洗い流した後、ウエハを高速回転させて
乾燥させる。これにより、ウエハに対する一連の処理が
終了し、ウエハはアンローダ搬送ロボット42によって
アンローダ32へ搬送され、カセット37へ収納され
る。
【0064】なお、この実施形態では、基板表面に成膜
した銅膜をCMP処理した後の洗浄について説明した
が、銅膜にかえて例えばアルミニウム膜を使用する場合
においても同様に、配線として用いているアルミニウム
をほとんど損なうことなく、ウエハ表面を清浄に洗浄す
ることができる。
【0065】また、以上の実施形態では、有機アルカリ
供給源58Aから供給している洗浄液は0.1%のテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドであって、そ
の他、フッ酸、塩酸、硫酸、燐酸のような無機酸やアン
モニアのような無機アルカリは含まないもの、有機酸供
給源CNAから供給している洗浄液は0.1%のクエン
酸であって、その他、フッ酸、塩酸、硫酸、燐酸のよう
な無機酸やアンモニアのような無機アルカリは含まない
ものであった。このような洗浄液を用いることにより、
例えば0.16ミクロンから0.2ミクロン程度の粒子
径までの異物を十分なレベルで除去することができた。
【0066】しかるに、ウエハ表面の異物について、そ
の粒子径が0.16ミクロンよりも細かい、例えば0.
12ミクロン程度の異物を問題にする際には、上記の洗
浄液では十分に除去できない場合がある。このようなさ
らに小さな粒子径の異物を十分に除去するためには、次
のような洗浄液を用いる。すなわち、有機アルカリ供給
源58Aから供給する洗浄液として、0.1%のテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドと、0.05%
以下の無機アルカリ、例えば0.05%以下のアンモニ
アとを共に含む洗浄液を、有機酸供給源CNAから供給
する洗浄液として0.1%のクエン酸と0.1%以下の
無機酸、例えば0.1%以下のフッ酸とを共に含む洗浄
液を、それぞれ用いる。このような洗浄液では、たとえ
ばフッ酸は一般的なタングステン膜のCMP後の洗浄に
使用されるような0.5%程度のフッ酸洗浄液と比べて
十分にうすい。そのため、配線材として銅やアルミニウ
ムを使用する場合においても、それら銅やアルミニウム
をほとんど損なうことなく、かつ粒子径の小さな異物を
も十分に除去することができる。なお、無機酸と無機ア
ルカリとは必ずしも両方使用する必要はないが、両方の
使用により最も優れた効果を得られる。
【0067】また、以上の実施形態では、ウエハをまず
両面ブラシ洗浄部50で有機アルカリを含む洗浄液を用
いて洗浄し、次に表面ブラシ洗浄部60で有機酸を含む
洗浄液を用いて洗浄していたが、使用するスラリーの種
類などによっては、例えば酸でも十分に除去できるスラ
リーであれば、両面ブラシ洗浄部50と表面ブラシ洗浄
部60との両方で有機酸を含む洗浄液を使用してもよ
い。なお、有機アルカリとしては、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド(TMAH)以外には、例え
ばコリンが使用できる。また、有機酸としては、クエン
酸以外には、例えば蓚酸が使用できる。例えば蓚酸の濃
度は0.5%程度が適当である。
【0068】またこの発明は、上記の実施形態以外にも
種々の形態で実施することが可能である。たとえば、上
記の実施形態においては、両面スクラブ洗浄機構53
は、ディスクブラシ53U,53Lによってウエハの表
面および裏面をスクラブしているが、ウエハの表面およ
び裏面のうちの少なくともいずれか一方をロールブラシ
によってスクラブ洗浄するようにしても差し支えない。
同様に、表面ブラシ洗浄部60においても、ディスク型
ブラシからなる自転ブラシ63aに代えて、ロールブラ
シが適用されてもよい。ただし、粒子径の小さな付着物
の除去のためには、ディスク型ブラシの方が適してい
る。
【0069】また、上記の実施形態においては、両面ブ
ラシ洗浄部50の保持ローラ51a,51b,51c;
52a,52b,52cは、すべて駆動ローラである
が、たとえば、一方の組を構成する保持ローラ51a,
51b,51cを駆動ローラとし、他方の組を構成する
保持ローラ52a,52b,52cは、ウエハWの回転
に従動して回転する従動ローラとしてもよい。ただし、
すべての保持ローラを駆動ローラとする方が、ウエハW
に働く偏心力を少なくすることができるので、回転を安
定させることができる。
【0070】さらに、保持ローラの数は、6本である必
要はなく、少なくとも2本の保持ローラで、ウエハWを
回転可能に保持すればよい。ただし、ウエハWを安定に
保持し、かつその回転を安定に行うためには、少なくと
も3本の保持ローラが備えられていることが好ましい。
【0071】また、上記の実施形態においては、ウエハ
Wの両面を洗浄した後に、ウエハWの表面を洗浄するよ
うにしているが、ウエハWの表面をまず洗浄し、その後
に、ウエハWの両面を洗浄するようにしてもよい。この
ようにしても、異なる洗浄方法でウエハWの表面を2回
に渡って洗浄することができるから、ウエハWの表面を
良好に洗浄することができる。ただし、ウエハWの両面
を最初に洗浄しておけば、その後の工程においては、ウ
エハWの裏面をスピンチャックで保持することができる
という利点がある。
【0072】さらにまた、上記の実施形態においては、
洗浄処理前のウエハを待機させておくために、ウエハを
水槽中に浸漬させておく水中ローダ31が適用されてい
るが、たとえば、内壁面に純水を噴霧するスプレーノズ
ルが配置されたシャワー槽内に、ウエハを収容したカセ
ットを配置しておくようにしたシャワーローダが適用さ
れてもよい。
【0073】さらに、上記の実施形態においては、不活
性ガス供給機構は、加熱されたN2ガスを供給するもの
としたが、たとえば、常温のN2 ガス、ヘリウムガス、
アルゴンガスなどの他の不活性ガスが適用されてもよい
ことは言うまでもない。
【0074】また、上記の実施形態では、表面ブラシ洗
浄部60および水洗・乾燥処理部70においては、ウエ
ハWの端面を機械的に保持する構成のスピンチャック6
2,71が用いられているが、ウエハWの裏面を真空吸
着して保持するバキューム型スピンチャックが適用され
てもよい。
【0075】さらに、上記の実施形態においては、処理
空間11内に配置されたCMP処理装置8と洗浄装置2
0とを接続用開口27においてインライン接続し、この
接続用開口27から、洗浄処理されるべきウエハを水中
ローダ31に供給される構成について説明した。この場
合には、処理空間11側にCMP処理装置および洗浄装
置20を配置することができるので、CMP処理後の汚
染されたウエハが清浄空間12に持ち込まれることがな
く、清浄空間20内の空気の汚染を抑制できる。しか
し、本発明としては、清浄空間12から、ドア22a,
22bを開けて、水中ローダ31にウエハが供給される
構成にしてもよい。
【0076】また、上記の実施形態では、ウエハを洗浄
する装置を例にとったが、この発明は、液晶表示装置用
ガラス基板やPDP表示装置用ガラス基板などのような
他の種類の被処理基板の洗浄のためにも適用することが
できる。
【0077】その他、特許請求の範囲に記載された技術
的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能であ
る。
【0078】
【発明の効果】本発明の基板処理方法および基板処理装
置によれば、形成された銅やアルミニウムのパターンを
壊すことなく研磨および洗浄工程を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の設
置状態を示す簡略化した斜視図である。
【図2】上記基板洗浄装置の内部の全体の構成を簡略化
して示す平面図である。
【図3】両面ブラシ洗浄部の構成を簡略化して示す斜視
図である。
【図4】表面ブラシ洗浄部の概念的な構成を示す図解図
である。
【図5】水洗・乾燥処理部の概念的な構成を示す図解図
である。
【図6】基板処理装置の全体を示す模式図である。
【図7】処理の進行状況を示すウエハの断面図である。
【符号の説明】
20 洗浄装置 31 水中ローダ 32 アンローダ 33,37 カセット 41 ローダ搬送ロボット 42 アンローダ搬送ロボット 50 両面ブラシ洗浄部 60 表面ブラシ洗浄部 70 水洗・乾燥処理部 51a,51b,51c,52a,52b,52c
保持ローラ 53 両面スクラブ洗浄機構 57U,57L 処理液供給管 58A 有機アルカリ供給源 62 スピンチャック 63 スキャンブラシ DN 純水ノズル CN 薬液ノズル CNA 有機酸供給源 DSN 超音波洗浄ノズル 71 スピンチャック 72 不活性ガス供給機構

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表面に銅またはアルミニウムを含む薄膜が
    形成された基板を研磨処理する研磨工程と、 研磨処理された基板に対して有機酸または有機アルカリ
    を含む液を供給して洗浄する洗浄工程と、を含むことを
    特徴とする基板処理方法。
  2. 【請求項2】上記洗浄工程は、基板に対して有機酸また
    は有機アルカリを含む液を供給しつつ基板をスクラブ部
    材を用いてスクラブ洗浄する工程を含むことを特徴とす
    る請求項1記載の基板処理方法。
  3. 【請求項3】上記有機酸は、クエン酸または蓚酸を含む
    ものである請求項1または2記載の基板処理方法。
  4. 【請求項4】上記有機アルカリは、テトラメチルアンモ
    ニウムハイドロオキサイドまたはコリンを含むものであ
    る請求項1または2記載の基板処理方法。
  5. 【請求項5】表面に銅またはアルミニウムを含む薄膜が
    形成されかつ当該薄膜が研磨処理された基板を保持する
    保持機構と、該保持機構に保持された基板に対して有機
    酸または有機アルカリを含む液を供給する液供給機構
    と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項6】前記保持機構に保持された基板をスクラブ
    洗浄するスクラブ機構をさらに備えたことを特徴とする
    請求項5記載の基板処理装置。
  7. 【請求項7】表面に銅またはアルミニウムを含む薄膜が
    形成された基板を研磨処理する研磨機構と、該研磨機構
    により研磨された基板を前記保持機構に搬送する搬送機
    構と、をさらに備えたことを特徴とする請求項5または
    6記載の基板処理装置。
  8. 【請求項8】上記有機酸は、クエン酸または蓚酸を含む
    ものである請求項5〜7のいずれかに記載の基板処理装
    置。
  9. 【請求項9】上記有機アルカリは、テトラメチルアンモ
    ニウムハイドロオキサイドまたはコリンを含むものであ
    る請求項5〜7のいずれかに記載の基板処理装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020064552A (ko) * 2001-02-02 2002-08-09 삼성전자 주식회사 반도체 웨이퍼의 밑면 세정장치 및 이를 이용한 반도체웨이퍼의 밑면 세정방법
JP2002359223A (ja) * 2001-05-30 2002-12-13 Shibaura Mechatronics Corp 洗浄液
KR100795622B1 (ko) * 2005-03-30 2008-01-17 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101151652B1 (ko) 2011-03-14 2012-06-08 지앤피테크놀로지 주식회사 웨이퍼 세정장치
JP2014529641A (ja) * 2011-08-09 2014-11-13 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se シリコン基板の表面を処理するための水性アルカリ性組成物および方法
CN106180110A (zh) * 2016-08-24 2016-12-07 赣州帝晶光电科技有限公司 一种研磨后液晶玻璃基板表面清洗方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0448633A (en) * 1990-06-14 1992-02-18 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Surface treating agent for aluminum wiring semiconductor substrate
JPH08144075A (ja) * 1994-11-18 1996-06-04 Mitsubishi Electric Corp メタル上の異物の除去方法およびその装置
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH1072594A (ja) * 1996-06-05 1998-03-17 Wako Pure Chem Ind Ltd 洗浄処理剤
JPH10214803A (ja) * 1996-11-29 1998-08-11 Canon Inc 半導体装置の製造方法
JPH10289891A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
JPH10303170A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2001521285A (ja) * 1997-10-21 2001-11-06 オントラック・システムズ・インコーポレーテッド 銅フィルムの研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0448633A (en) * 1990-06-14 1992-02-18 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Surface treating agent for aluminum wiring semiconductor substrate
JPH08144075A (ja) * 1994-11-18 1996-06-04 Mitsubishi Electric Corp メタル上の異物の除去方法およびその装置
JPH1072594A (ja) * 1996-06-05 1998-03-17 Wako Pure Chem Ind Ltd 洗浄処理剤
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH10214803A (ja) * 1996-11-29 1998-08-11 Canon Inc 半導体装置の製造方法
JPH10289891A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
JPH10303170A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2001521285A (ja) * 1997-10-21 2001-11-06 オントラック・システムズ・インコーポレーテッド 銅フィルムの研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020064552A (ko) * 2001-02-02 2002-08-09 삼성전자 주식회사 반도체 웨이퍼의 밑면 세정장치 및 이를 이용한 반도체웨이퍼의 밑면 세정방법
JP2002359223A (ja) * 2001-05-30 2002-12-13 Shibaura Mechatronics Corp 洗浄液
JP4713767B2 (ja) * 2001-05-30 2011-06-29 株式会社東芝 洗浄液および半導体装置の製造方法
KR100795622B1 (ko) * 2005-03-30 2008-01-17 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US7913346B2 (en) 2005-03-30 2011-03-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR101151652B1 (ko) 2011-03-14 2012-06-08 지앤피테크놀로지 주식회사 웨이퍼 세정장치
JP2014529641A (ja) * 2011-08-09 2014-11-13 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se シリコン基板の表面を処理するための水性アルカリ性組成物および方法
CN106180110A (zh) * 2016-08-24 2016-12-07 赣州帝晶光电科技有限公司 一种研磨后液晶玻璃基板表面清洗方法

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