JP7422844B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7422844B2
JP7422844B2 JP2022179549A JP2022179549A JP7422844B2 JP 7422844 B2 JP7422844 B2 JP 7422844B2 JP 2022179549 A JP2022179549 A JP 2022179549A JP 2022179549 A JP2022179549 A JP 2022179549A JP 7422844 B2 JP7422844 B2 JP 7422844B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
cleaning body
wafer
section
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022179549A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023009162A (ja
Inventor
信彦 毛利
隆憲 小原
靖史 滝口
輝彦 小玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018197918A external-priority patent/JP7232615B2/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JP2023009162A publication Critical patent/JP2023009162A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7422844B2 publication Critical patent/JP7422844B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B08B1/14—Wipes; Absorbent members, e.g. swabs or sponges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B08B1/36—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members rotating about an axis orthogonal to the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/40—Cleaning tools with integrated means for dispensing fluids, e.g. water, steam or detergents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

開示の実施形態は、基板処理装置に関する。
従来、ブラシやスポンジ等を用いて基板を物理的に洗浄する基板処理装置が知られている。たとえば、特許文献１には、基板の上面を洗浄するブラシを備えた基板処理装置が開示されている。
特開２０１０－１０９２２５号公報
しかしながら、従来技術では、基板にブラシを押し当てることによって基板がブラシから逃げる方向に撓んでしまうため、基板に強い力を加えることが難しい。このため、従来技術においては、基板を強力に洗浄することが困難である。
実施形態の一態様は、基板を強力に洗浄することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、保持部と、第１洗浄体と、第２洗浄体と、第３洗浄体とを備える。保持部は、基板を保持する。第１洗浄体は、保持部に保持された基板の上面および下面のうち一方の面に流体を吐出することによって、または、前記一方の面に接触して一方の面を洗浄する。第２洗浄体は、保持部に保持された基板の上面および下面のうち他方の面に接触して他方の面を洗浄する。第３洗浄体は、保持部に保持された基板の端部に接触して端部を洗浄する。
実施形態の一態様によれば、基板を強力に洗浄することができる。
図１は、第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。 図２は、第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。 図３は、基板処理装置による一連の洗浄処理の手順を示すフローチャートである。 図４は、搬入処理の動作例を示す図である。 図５は、搬入処理の動作例を示す図である。 図６は、下面洗浄処理の動作例を示す図である。 図７は、下面洗浄処理の動作例を示す図である。 図８は、下面洗浄処理の動作例を示す図である。 図９は、両面洗浄処理の動作例を示す図である。 図１０は、両面洗浄処理の動作例を示す図である。 図１１は、両面洗浄処理の動作例を示す図である。 図１２は、両面洗浄処理の動作例を示す図である。 図１３は、両面洗浄処理の動作例を示す図である。 図１４は、ウェハの下面のみを洗浄する場合の例を示す図である。 図１５は、ウェハの両面を同時に洗浄する場合の例を示す図である。 図１６は、第１洗浄体と第２洗浄体との同期を開始させるタイミングの他の例を示す図である。 図１７は、第１洗浄体と第２洗浄体との同期を開始させるタイミングの他の例を示す図である。 図１８は、第２洗浄体が第１洗浄体と重複する位置の他の例を示す図である。 図１９は、両面洗浄処理の他の動作例を示す図である。 図２０は、両面洗浄処理の他の動作例を示す図である。 図２１は、両面洗浄処理の他の動作例を示す図である。 図２２は、下面洗浄処理における上部カップの高さ位置を示す図である。 図２３は、両面洗浄処理における上部カップの高さ位置を示す図である。 図２４は、他の洗浄ツールの例を示す図である。 図２５は、第４の実施形態に係る両面洗浄処理の動作例を示す図である。 図２６は、ツール洗浄処理の動作例を示す図である。 図２７は、第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。 図２８は、第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。 図２９は、第６の実施形態に係る両面洗浄処理の動作例を示す図である。 図３０は、第６の実施形態に係る両面洗浄処理の動作例を示す図である。 図３１は、第７の実施形態に係る第２洗浄体の構成を示す斜視図である。 図３２は、第７の実施形態に係る第２洗浄体の構成を示す縦断面図である。 図３３は、第７の実施形態に係る第２洗浄体をウェハに押し当てた状態を示す図である。 図３４は、第８の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す側面図である。 図３５は、ウェハと洗浄体および研磨体と回転板とを示す平面図である。 図３６は、ウェハと洗浄体および研磨体と回転板とを示す平面図である。 図３７は、第９の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。 図３８は、第９の実施形態における下面洗浄処理の動作例を示す図である。 図３９は、第９の実施形態における両面洗浄処理の動作例を示す図である。
以下に、本願に係る基板処理装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本願に係る基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る基板処理装置の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。また、図２は、第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
基板処理装置１は、半導体ウェハやガラス基板等の基板（以下、ウェハＷと記載する）の下面を水平に吸着保持する２つの吸着パッド１０と、この吸着パッド１０から受け取ったウェハＷの下面を水平に吸着保持するスピンチャック１１と、上面が開口した筐体１３と、ウェハＷの上面の洗浄処理を行う第１洗浄部１７と、ウェハＷの下面の洗浄処理を行う第２洗浄部１８とを備える。
なお、ウェハＷの上面および下面の少なくとも一方には回路が形成されている。ここでは、ウェハＷの上面に回路が形成されているものとする。
図１に示すように、２つの吸着パッド１０は、細長の略矩形状に形成されており、ウェハＷ下面の周縁部を保持できるように、平面視においてスピンチャック１１を挟んで略平行に設けられている。各吸着パッド１０は、当該吸着パッド１０より長い略矩形状の支持板１４によりそれぞれ支持されている。支持板１４は、駆動機構（図示せず）により水平方向（図１のＸ軸方向）および上下方向（図１のＺ軸方向）に移動自在な枠体１５によりその両端部を支持されている。
枠体１５の上面には、上部カップ１６が設けられている。上部カップ１６の上面には、ウェハＷの直径より大きな径の開口部が形成されており、この開口部を介して基板処理装置１の外部に設けられた搬送機構と吸着パッド１０との間でウェハＷの受け渡しが行われる。
図２に示すように、スピンチャック１１は、シャフト２０を介して駆動機構２１に接続される。スピンチャック１１は、駆動機構２１により回転および上下動自在となっている。
スピンチャック１１の周囲には昇降機構（図示せず）により昇降自在な、たとえば３つの昇降ピン２２が設けられている。これにより、昇降ピン２２と、基板処理装置１の外部に設けられた搬送機構（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。
筐体１３の底部には、洗浄液を排出するドレン管４０と、基板処理装置１内に下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管４１とが設けられている。
次に、第１洗浄部１７および第２洗浄部１８の構成について説明する。図２に示すように、第１洗浄部１７は、第１洗浄体１７１と、第１支柱部材１７２と、第１駆動部１７３とを備える。
第１洗浄体１７１は、ウェハＷの上面に押し当てられる部材である。第１洗浄体１７１は、たとえば、多数の毛束で構成されたブラシである。第１洗浄体１７１の下面すなわちウェハＷとの接触面は、たとえばウェハＷの上面よりも小さい円形状を有する。なお、第１洗浄体１７１は、スポンジであってもよい。
第１洗浄体１７１の上面には、第１支柱部材１７２が設けられる。第１支柱部材１７２は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って延在し、一端部において第１洗浄体１７１を支持する。
第１支柱部材１７２の他端部には、第１駆動部１７３が設けられる。第１駆動部１７３は、第１支柱部材１７２を鉛直軸まわりに回転させる。これにより、第１支柱部材１７２に支持された第１洗浄体１７１を鉛直軸まわりに回転させることができる。
第１洗浄部１７は、アーム７０によって水平に支持される。アーム７０には、スピンチャック１１に保持されたウェハＷの上面に対して洗浄用流体を供給する洗浄ノズル７０ａが、第１洗浄部１７に隣接して設けられる。洗浄用流体としては、たとえば純水が用いられる。
アーム７０には、第１洗浄体１７１のウェハＷへの押し当て力を検知する荷重検知部７５が設けられる。荷重検知部７５は、たとえばロードセルである。
アーム７０は、移動部７１に接続される。移動部７１は、水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿って延在するレール７２に沿ってアーム７０を水平移動させる。また、移動部７１は、アーム７０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って昇降させる。
第２洗浄部１８は、第２洗浄体１８１と、第２支柱部材１８２と、第２駆動部１８３とを備える。
第２洗浄体１８１は、ウェハＷの下面に押し当てられる部材である。第２洗浄体１８１は、たとえば、多数の毛束で構成されたブラシである。第２洗浄体１８１の上面すなわちウェハＷとの接触面は、たとえばウェハＷの上面よりも小さい円形状を有する。なお、第２洗浄体１８１は、スポンジであってもよい。
第２洗浄体１８１の下面には、第２支柱部材１８２が設けられる。第２支柱部材１８２は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って延在し、一端部において第２洗浄体１８１を支持する。
第２支柱部材１８２の他端部には、第２駆動部１８３が設けられる。第２駆動部１８３は、第２支柱部材１８２を鉛直軸まわりに回転させる。これにより、第２支柱部材１８２に支持された第２洗浄体１８１を鉛直軸まわりに回転させることができる。
第２洗浄部１８は、アーム８０によって水平に支持される。アーム８０には、吸着パッド１０またはスピンチャック１１に保持されたウェハＷの下面に対して洗浄用流体を供給する洗浄ノズル８０ａが、第２洗浄体１８１に隣接して設けられている。洗浄用流体としては、たとえば純水が用いられる。
アーム８０は、移動部８１に接続される。移動部８１は、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って延在するレール８２に沿ってアーム８０を水平移動させる。また、移動部８１は、アーム８０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って昇降させる。
アーム８０は、たとえば図示しない駆動部によって水平方向（Ｘ軸方向）に沿って伸縮する。これにより、アーム８０は、第２洗浄部１８および洗浄ノズル８０ａをＸ軸方向すなわち第１洗浄部１７の移動方向と同じ方向に沿って移動させることができる。
アーム８０には、第２洗浄体１８１のウェハＷへの押し当て力を検知する荷重検知部８５が設けられる。荷重検知部８５は、たとえばロードセルである。
以上の基板処理装置１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、たとえばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種駆動装置や移動装置などの駆動系の動作や各種ノズルを制御して、基板処理装置１における洗浄処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、たとえばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。
次に、基板処理装置１におけるウェハＷの洗浄処理について説明する。図３は、基板処理装置１による一連の洗浄処理の手順を示すフローチャートである。また、図４および図５は、搬入処理の動作例を示す図であり、図６～図８は、下面洗浄処理の動作例を示す図であり、図９～図１３は、両面洗浄処理の動作例を示す図である。
図３に示すように、基板処理装置１では、まず、搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。搬入処理では、図４に示すように、基板処理装置１の外部に設けられた搬送機構９０によりウェハＷが上部カップ１６の上方に搬送される。つづいて、昇降ピン２２が上昇して、ウェハＷが昇降ピン２２に受け渡される。このとき、吸着パッド１０はその上面が第２洗浄体１８１の上面よりも高い位置で待機し、スピンチャック１１はその上面が第２洗浄体１８１の上面より低い位置まで退避している。その後、昇降ピン２２が下降して、図５に示すように、ウェハＷが吸着パッド１０に受け渡されて吸着保持される。
つづいて、下面洗浄処理が行われる（ステップＳ１０２）。下面洗浄処理では、まず、図６に示すように、ウェハＷを保持した吸着パッド１０を支持板１４および上部カップ１６とともに水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に移動させる。これにより、スピンチャック１１がウェハＷの外周部に近い場所に配置され、第２洗浄部１８がウェハＷの中央部に近い場所に配置された状態となる。
つづいて、図７に示すように、たとえば、移動部８１（図２参照）を用いて第２洗浄部１８を上昇させることにより、第２洗浄体１８１をウェハＷの下面に押し当てる。このとき、移動部８１は、第２洗浄体１８１のウェハＷへの押し当て力が所望の値となるように、第２洗浄部１８を上昇させる。第２洗浄部１８を上昇させる距離は、たとえば荷重検知部８５の検知結果に基づいて決定することができる。ここでは、第２洗浄部１８を上昇させることとしたが、吸着パッド１０を下降させることによってウェハＷの下面を第２洗浄体１８１に押し当ててもよい。また、第２洗浄部１８を上昇させつつ、吸着パッド１０を下降させてもよい。
その後、洗浄ノズル８０ａ（図１参照）からウェハＷの下面への純水の供給を開始する。また、第２洗浄体１８１の回転を開始する。
第２洗浄部１８によるウェハＷ下面の洗浄は、吸着パッド１０によるウェハＷの移動と移動部８１による第２洗浄部１８の移動との組み合わせにより進行する。たとえば、図８に示すように、第２洗浄体１８１に対して２つの吸着パッド１０間をＹ軸方向に沿って往復移動させ、第２洗浄体１８１の移動方向が切り替わる際に第２洗浄体１８１の直径以下の距離だけ吸着パッド１０をＸ軸負方向に移動させる。これにより、スピンチャック１１によって吸着保持される領域を含むウェハＷの中央領域Ａが第２洗浄体１８１によって洗浄される。その後、第２洗浄体１８１の回転を停止し、洗浄ノズル８０ａからの純水の供給を停止する。
つづいて、両面洗浄処理が行われる（ステップＳ１０３）。両面洗浄処理では、まず、図９に示すように、吸着パッド１０を移動させてウェハＷの中央部をスピンチャック１１の上方に位置させた後、吸着パッド１０によるウェハＷの吸着を解除し、スピンチャック１１を上昇させることにより、吸着パッド１０からスピンチャック１１へウェハＷを受け渡す。
また、図１０に示すように、移動部７１（図２参照）を用いて第１洗浄部１７をウェハＷの中央上方に位置させた後、第１洗浄部１７を下降させて第１洗浄体１７１をウェハＷの上面に押し当てる。このとき、移動部７１は、第１洗浄体１７１のウェハＷへの押し当て力が所望の値となるように、具体的には、第２洗浄体１８１のウェハＷへの押し当て力と同一の値となるように、第１洗浄部１７を下降させる。第１洗浄部１７を下降させる距離は、たとえば荷重検知部７５の検知結果に基づいて決定することができる。
ここでは、第１洗浄部１７および第２洗浄部１８の両方について、ウェハＷへの押し当て力が所望の値となるように荷重検知部７５，８５の検知結果に基づく圧力制御を行うこととしたが、第１洗浄部１７および第２洗浄部１８のうち一方については、圧力制御を行わず、予め決められた高さ位置に配置された状態を維持する位置制御を行うようにしてもよい。たとえば、第１洗浄部１７については予め決められた高さ位置に第１洗浄体１７１が配置された状態を維持しつつ、第２洗浄部１８のウェハＷへの押し当て力が所望の値となるように荷重検知部８５の検知結果に基づいて第２洗浄部１８の高さ位置を調整してもよい。これにより、第１洗浄部１７および第２洗浄部１８のうち一方の圧力制御のみで、ウェハＷの上面および下面を同一の押し当て力で洗浄することが可能となるため、押し当て力の調整を容易化することができる。
つづいて、図１１に示すように、駆動機構２１を用いてスピンチャック１１を回転させることによってウェハＷを回転させる。また、洗浄ノズル７０ａからウェハＷの上面への純水の供給を開始するとともに、第１洗浄体１７１の回転を開始する。そして、移動部７１を用いて第１洗浄体１７１を水平方向（Ｘ軸正方向）に移動させる。これにより、ウェハＷの上面の中央領域が第１洗浄体１７１によって洗浄される。なお、ウェハＷおよび第１洗浄体１７１を回転させた後で、第１洗浄体１７１をウェハＷに押し当てるようにしてもよい。
第２洗浄体１８１は、ウェハＷの中心からレール７２（図１参照）に沿った方向にずれた位置で停止しているものとする。すなわち、第２洗浄体１８１は、平面視において第１洗浄体１７１の進路と重なる位置に配置される。
つづいて、図１２に示すように、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とが平面視において重なる位置に第１洗浄体１７１が到達すると、洗浄ノズル８０ａ（図１参照）からウェハＷの下面への純水の供給を開始するとともに、第２洗浄体１８１の回転を開始する。そして、図１３に示すように、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とが平面視において重なり合った状態が維持されるように、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とをウェハＷの外周部に向けて同一の速度で同一の方向（Ｘ軸正方向）に水平移動させる。つまり、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを同期して水平移動させる。
第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを同期して水平移動させる間、第１洗浄体１７１のウェハＷへの押し当て力は、第２洗浄体１８１のウェハＷへの押し当て力と同一となるように調整される。このため、第１洗浄体１７１に押されてウェハＷが下方に撓んだり、第２洗浄体１８１に押されてウェハＷが上方に撓んだりすることを防止することができる。
第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１がウェハＷの外周部に到達すると、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１の回転を停止し、洗浄ノズル７０ａ，８０ａからの純水の供給を停止する。また、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１をウェハＷから退避させる。
なお、洗浄ノズル７０ａからの純水の供給を停止するタイミングは、洗浄ノズル８０ａからの純水の供給を停止した後であることが好ましい。これにより、ウェハＷ下面から回路形成面であるウェハＷの上面への純水の回り込みを抑制することができる。ただし、これに限らず、洗浄ノズル７０ａ，８０ａからの純水の供給を同時に停止することとしてもよい。
つづいて、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０４）。乾燥処理では、スピンチャック１１を高速で回転させてウェハＷに付着している純水を振り切ることによってウェハＷを乾燥させる。
その後、搬出処理が行われる（ステップＳ１０５）。搬出処理では、搬入処理（ステップＳ１０１）とは逆の順序でウェハＷが搬送機構９０に受け渡される。これにより、１枚のウェハＷについての一連の洗浄処理が終了する。
このように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、第１洗浄部１７および第２洗浄部１８を同期して水平移動させることによってウェハＷの上面および下面の両方を同時に洗浄する両面洗浄処理を行うこととした。
これにより、ウェハＷの上面とウェハＷの下面とを別個に洗浄する場合と比べ、ウェハＷをより強い押し当て力で洗浄することができる。この点について図１４および図１５を参照して説明する。図１４は、ウェハＷの下面のみを洗浄する場合の例を示す図であり、図１５は、ウェハＷの両面を同時に洗浄する場合の例を示す図である。
図１４に示すように、たとえば、第２洗浄部１８を用いてウェハＷの下面のみを洗浄する場合、第２洗浄体１８１をウェハＷに押し当てることで、ウェハＷが第２洗浄体１８１から逃げる方向に撓んでしまうため、ウェハＷに強い力を加えることが難しい。これは、第１洗浄体１７１を用いてウェハＷの上面のみを洗浄する場合も同様である。
また、第２洗浄部１８を用いてウェハＷの下面のみを洗浄する場合、第２洗浄体１８１をウェハＷに押し当てることで、ウェハＷに上向きの力が加わるため、ウェハＷがスピンチャック１１から外れてしまうおそれがある。したがって、第２洗浄体１８１の押し当て力は、スピンチャック１１の吸着力による制約を受けることとなる。つまり、スピンチャック１１からウェハＷが外れない程度の押し当て力に制限される。このような理由から、ウェハＷの下面を強力に洗浄することは特に困難である。
これに対し、第１の実施形態に係る基板処理装置１では、第１洗浄部１７と第２洗浄部１８とでウェハＷを挟み込むことで、ウェハＷを上方および下方の両方向から押し付けることとした。これにより、第１洗浄部１７がウェハＷを押し下げる力と第２洗浄部１８がウェハＷを押し上げる力とを互いに打ち消し合うことができる。このため、ウェハＷを撓ませることなく、また、スピンチャック１１の吸着力による制約を受けることなく、第１洗浄部１７および第２洗浄部１８の押し当て力を高く設定することが可能となる。たとえば、ウェハＷ上面に与えることが許容される力（たとえば膜を削り過ぎない圧力）またはウェハＷ上面の洗浄を効果的に行うことができる力に応じて決定される第１洗浄体１７１の押し当て力にウェハＷ下面の押し当て力を合わせることで、スピンチャック１１の吸着力による制約を考慮して決定される押し当て力よりも強い押し当て力でウェハＷの下面を強力に洗浄することができる。
このように、第１の実施形態に係る基板処理装置１によれば、単一の洗浄体を用いてウェハＷの一方の面のみを洗浄する場合と比較して、ウェハＷを強力に洗浄することができる。
また、第１の実施形態に係る基板処理装置１によれば、ウェハＷの上面および下面を同時に洗浄することにより、たとえば、ウェハＷの一方の面を洗浄した後、反転機構を用いてウェハＷの表裏を反転した後で、他方の面の洗浄を行う場合と比較して、ウェハＷの両面を洗浄するのに要する時間を短縮することができる。
第１の実施形態に係る基板処理装置１では、たとえば、平面視において第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とが完全に重なった場合、具体的には、第１洗浄体１７１の回転中心と第２洗浄体１８１の回転中心とが平面視において一致した場合に、第２洗浄体１８１を第１洗浄体１７１と同期して水平移動させる。これにより、第１洗浄体１７１の回転中心と第２洗浄体１８１の回転中心とがずれた状態で第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを水平移動させる場合と比べてウェハＷの撓みをより確実に抑制することができる。
第１洗浄体１７１が受ける力は、第１洗浄体１７１がウェハＷの中心側にずれていると、第１洗浄体１７１の位置がずれていないときよりも低くなり、外周側にずれている場合には、第１洗浄体１７１の位置がずれていないときよりも高くなる。そこで、制御部２００は、荷重検知部７５（図２参照）の検知結果に基づいて、第１洗浄体１７１の位置ずれを検出してもよい。第２洗浄体１８１についても同様であり、制御部２００は、荷重検知部８５の検知結果に基づき、第２洗浄体１８１の位置ずれを検出することが可能である。
第１洗浄体１７１のウェハＷとの接触面のサイズと第２洗浄体１８１のウェハＷとの接触面のサイズとは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。たとえば、ウェハＷの回路形成面は、回路が形成されていない面と比べてソフトに洗浄されることが望まれる場合がある。このような場合、ウェハＷの回路形成面である上面を洗浄する第１洗浄体１７１の接触面のサイズを、第２洗浄体１８１の接触面のサイズよりも大きくしてもよい。接触面のサイズを大きくすることで、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを同じ力でウェハＷに押し当てた場合であっても、ウェハＷの上面にかかる単位面積当たりの力を下面にかかる単位面積当たりの力よりも小さくすることができる。したがって、ウェハＷの上面を下面よりもソフトに洗浄することができる。また、ウェハＷの下面を洗浄する第２洗浄体１８１の接触面のサイズを、第１洗浄体１７１の接触面のサイズよりも大きくしてもよい。接触面のサイズを大きくすることで、より短い時間で対象面を洗浄することができる。また、接触面のサイズを大きくすることで、より少ない移動量でウェハＷの洗浄対象部を洗浄することができることから、駆動部（たとえばレール７２，８２等）を小型化することができる。したがって、基板処理装置１を小型化することができる。
また、ウェハＷの回路形成面をソフトに洗浄したい場合、ウェハＷの回路形成面である上面を洗浄する第１洗浄体１７１を、第２洗浄体１８１よりも柔らかい素材で形成することとしてもよい。第１洗浄体１７１を柔らかい素材で形成することで、回路形成面に傷を付けにくくすることができるため、ウェハＷの上面を下面よりもソフトに洗浄することができる。
また、ここでは、平面視において第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とが完全に重なった場合、言い換えれば、第１洗浄体１７１の回転中心と第２洗浄体１８１の回転中心とが平面視において一致した場合に、第２洗浄体１８１を第１洗浄体１７１と同期して移動させることとした。しかし、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１との同期を開始させるタイミングは、上記の例に限定されない。この点について図１６および図１７を参照して説明する。図１６および図１７は、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１との同期を開始させるタイミングの他の例を示す図である。
上述した例では、第１洗浄体１７１がＸ軸正方向に沿って移動していき、平面視において第１洗浄体１７１の回転中心Ｒ１が第２洗浄体１８１の回転中心Ｒ２と一致した時点で、第２洗浄体１８１を第１洗浄体１７１と同期して移動させることとした。しかし、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１との同期は、第１洗浄体１７１のウェハＷとの接触面と第２洗浄体１８１のウェハＷとの接触面とが平面視において重複している期間内に開始されればよい。
したがって、たとえば図１６に示すように、第１洗浄体１７１のＸ軸方向への移動によって第１洗浄体１７１の接触面の一部と第２洗浄体１８１の接触面の一部とが重なり合った後、第１洗浄体１７１の回転中心Ｒ１と第２洗浄体１８１の回転中心Ｒ２とが平面視において一致する前に、第２洗浄体１８１を第１洗浄体１７１と同期して移動させてもよい。また、図１７に示すように、第１洗浄体１７１の接触面と第２洗浄体１８１の接触面とが重なり合っている間であれば、第１洗浄体１７１の回転中心Ｒ１と第２洗浄体１８１の回転中心Ｒ２とが平面視において一致した後に、第２洗浄体１８１を第１洗浄体１７１と同期して移動させてもよい。
また、第２洗浄体１８１の接触面は、平面視において必ずしも第１洗浄体１７１の接触面と重複していることを要しない。この点について図１８を参照して説明する。図１８は、第２洗浄体１８１が第１洗浄体１７１と重複する位置の他の例を示す図である。
図１８に示すように、ウェハＷが中心軸Ｃまわりに一回転する間に第１洗浄体１７１とウェハＷの上面とが接触する領域（以下、接触領域Ｂと記載する）と、第２洗浄体１８１のウェハＷとの接触面とが平面視において重複した状態が維持されるように、第２洗浄体１８１を第１洗浄体１７１と同期して水平移動させてもよい。この場合であっても、第２洗浄部１８がウェハＷを押し上げる力を、第１洗浄部１７がウェハＷを押し下げる力によって弱めることができる。このため、ウェハＷを撓ませることなく、また、スピンチャック１１の吸着力による制約を受けることなく、第２洗浄部１８の押し当て力を高く設定することが可能となる。
この場合の両面洗浄処理の例について図１９～図２１を参照して説明する。図１９～図２１は、両面洗浄処理の他の動作例を示す図である。
たとえば、図１９に示すように、第１洗浄体１７１をウェハＷのＸ軸正方向側の端部の上面に接触させ、第２洗浄体１８１をウェハＷのＸ軸正方向側の端部の下面に接触させる。つづいて、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１を回転させて、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１をウェハＷのＸ軸負方向側の端部に向けてＸ軸負方向に沿って同一の速度で移動させる。これにより、第２洗浄体１８１は、平面視において接触領域Ｂと重複した状態を維持しながら移動する。
つづいて、図２０に示すように、スピンチャック１１と干渉する手前の位置で第２洗浄体１８１の移動および回転を停止させる。一方、第１洗浄体１７１については引き続き移動を継続させる。これにより、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１との同期は解除される。
つづいて、図２１に示すように、第１洗浄体１７１がＸ軸負方向側へさらに移動して、第２洗浄体１８１と接触領域Ｂとが平面視において再び重複すると、第２洗浄体１８１を回転させ、第１洗浄体１７１と同一の速度で且つ第１洗浄体１７１とは反対方向に第２洗浄体１８１を移動させる。これにより、第２洗浄体１８１は、再び、平面視において接触領域Ｂと重複した状態を維持しながら移動する。その後、第１洗浄体１７１がウェハＷのＸ軸負方向側の端部に到達するとともに、第２洗浄体１８１がウェハＷのＸ軸正方向側の端部に到達した場合に、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１の回転を停止して、両面洗浄処理を終える。
上述してきたように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、スピンチャック１１（保持部の一例）と、第１洗浄体１７１と、アーム７０、移動部７１およびレール７２（第１移動機構の一例）と、第２洗浄体１８１と、アーム８０、移動部８１およびレール８２（第２移動機構の一例）と、制御部２００とを備える。スピンチャック１１は、ウェハＷ（基板の一例）を保持する。第１洗浄体１７１は、スピンチャック１１に保持されたウェハＷの上面に接触してウェハＷの上面を洗浄する。アーム７０、移動部７１およびレール７２は、第１洗浄体１７１を水平移動させる。第２洗浄体１８１は、スピンチャック１１に保持されたウェハＷの下面に接触してウェハＷの下面を洗浄する。アーム８０、移動部８１およびレール８２は、第２洗浄体１８１を水平移動させる。制御部２００は、移動部７１およびアーム８０を制御して、ウェハＷの上面に接触させた第１洗浄体１７１とウェハＷの下面に接触させた第２洗浄体１８１とを同期して水平移動させる両面洗浄処理を実行する。
たとえば、制御部２００は、スピンチャック１１に保持されたウェハＷを厚み方向から見た平面視において、第１洗浄体１７１のウェハＷの上面との接触面と第２洗浄体１８１のウェハＷの下面との接触面とが重複した状態を維持しつつ第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを水平移動させる処理を両面洗浄処理として実行する。
これにより、たとえば、第１洗浄部１７がウェハＷを押し下げる力と第２洗浄部１８がウェハＷを押し上げる力とを互いに打ち消し合うことができるため、ウェハＷを撓ませることなく、また、スピンチャック１１の吸着力による制約を受けることなく、第１洗浄体１７１および第２洗浄部１８の押し当て力を高く設定することが可能となる。したがって、第１の実施形態に係る基板処理装置１によれば、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１を用いてウェハＷを強力に洗浄することができる。
また、基板処理装置１は、第１洗浄体１７１を鉛直軸まわりに回転させる第１駆動部１７３と、第２洗浄体１８１を鉛直軸まわりに回転させる第２駆動部１８３とをさらに備え、制御部２００は、第１駆動部１７３による第１洗浄体１７１の回転中心と第２駆動部１８３による第２洗浄体１８１の回転中心とを一致させた状態で、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを水平移動させる処理を両面洗浄処理として実行する。これにより、第１洗浄体１７１の回転中心と第２洗浄体１８１の回転中心とがずれている場合と比べてウェハＷの撓みをより確実に抑制することができる。
また、制御部２００は、両面洗浄処理において、第１洗浄体１７１のウェハＷの上面への押し当て力と第２洗浄体１８１のウェハＷの下面への押し当て力とが同一の大きさとなるように、移動部７１または移動部８１の少なくとも一方を制御して、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１の少なくとも一方の高さ位置を調整する。このように、第１洗浄体１７１のウェハＷの上面への押し当て力と第２洗浄体１８１のウェハＷの下面への押し当て力とを同一の大きさとすることで、たとえば、第１洗浄体１７１の押し当て力が第２洗浄体１８１の押し当て力を上回ることで、ウェハＷが下方に撓んだり、第２洗浄体１８１の押し当て力が第１洗浄体１７１の押し当て力を上回ることで、ウェハＷが上方に撓んだりすることを抑制することができる。
また、基板処理装置１は、第１洗浄体１７１のウェハＷの上面への押し当て力または第２洗浄体１８１のウェハＷの下面への押し当て力を検知する荷重検知部７５，８５をさらに備える。そして、制御部２００は、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１のうち一方を予め決められた高さ位置に配置し、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１のうち他方の高さ位置を荷重検知部７５，８５の検知結果に基づいて調整する。これにより、押し当て力の調整を容易化することができる。
（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態では、上部カップ１６の高さを一定に保った状態で下面洗浄処理（ステップＳ１０２）と両面洗浄処理（ステップＳ１０３）とを行うこととしたが、下面洗浄処理と両面洗浄処理とで上部カップ１６の高さを変えてもよい。かかる場合について図２２および図２３を参照して説明する。図２２は、下面洗浄処理における上部カップ１６の高さ位置を示す図であり、図２３は、両面洗浄処理における上部カップ１６の高さ位置を示す図である。
たとえば、図２２に示すように、第２の実施形態に係る基板処理装置１Ａは、上部カップ１６と独立して支持板１４を昇降させる昇降機構４５を備える。昇降機構４５は、たとえば、支持板１４を支持する支柱部材４６と、支柱部材４６を昇降させる駆動部４７とを備える。
基板処理装置１Ａでは、下面洗浄処理において、昇降機構４５を用いて支持板１４を上昇させることにより、上部カップ１６の高さ位置をＨ１に設定する。上部カップ１６の高さ位置とは、吸着パッド１０またはスピンチャック１１に吸着保持されたウェハＷの上面を基準とした場合の上部カップ１６の高さ位置をいう。高さ位置Ｈ１は、ウェハＷの下面から上面への純水等の回り込みを抑制することのできる位置である。
つづいて、基板処理装置１Ａでは、上部カップ１６の高さ位置をＨ１よりも高いＨ２に設定した後で、両面洗浄処理が行われる。すなわち、上部カップ１６の高さ位置をＨ２に変更した後で、洗浄ノズル７０ａからウェハＷの上面への純水の供給が開始される。高さ位置Ｈ２は、回転する第１洗浄体１７１から飛散する純水等が上部カップ１６の外部へ飛散することを抑制することのできる高さ位置である。上部カップ１６の高さ位置の変更は、たとえば、スピンチャック１１の高さ位置を調整することにより行うことができる。
このように、基板処理装置１Ａは、下面洗浄処理時と両面洗浄処理時とでウェハＷを基準とする上部カップ１６の高さ位置を変更してもよい。これにより、たとえば下面洗浄処理時におけるウェハＷの上面への純水等の回り込みや両面洗浄処理時における上部カップ１６外への純水等の飛散を抑制することができる。
（第３の実施形態）
上述した各実施形態では、基板処理装置１，１Ａが、洗浄ツールとして、第１洗浄部１７および第２洗浄部１８を備える場合の例について説明したが、他の洗浄ツールを備えていてもよい。かかる点について図２４を参照して説明する。図２４は、他の洗浄ツールの例を示す図である。
図２４に示すように、第３の実施形態に係る基板処理装置１Ｂは、第１洗浄部１７および第２洗浄部１８以外に、たとえば、ブラシやスポンジ等の洗浄体を用いてウェハＷの端部を洗浄する第３洗浄部３０、ウェハＷの下面に向けて洗浄用流体を供給する第４洗浄部３１、ウェハＷの上面に向けて洗浄用流体を供給する第５洗浄部３２等を備えていてもよい。基板処理装置１Ｂは、これら複数の洗浄ツールの中から、対象とするウェハＷの種類に応じて最適なツールを選択して用いることができる。
たとえば、下面洗浄処理において、第２洗浄部１８に加えて、第４洗浄部３１を用いてウェハＷの下面を洗浄してもよい。また、両面洗浄処理において、第１洗浄部１７に加えて、第５洗浄部３２を用いてウェハＷの上面を洗浄してもよい。このように、複数種の洗浄ツールで同時に洗浄することで、洗浄時間を短縮することができる。また、たとえば、第１洗浄体１７１または第２洗浄体１８１によって浮き上がったゴミ等を第４洗浄部３１または第５洗浄部３２を用いて効率的に除去することができる。また、両面洗浄処理を終えた後に、第４洗浄部３１および第５洗浄部３２を用いてリンス処理を行い、その後、乾燥処理を行うようにしてもよい。
第４洗浄部３１および第５洗浄部３２は、たとえば２流体ノズルである。２流体ノズルとしての第４洗浄部３１および第５洗浄部３２は、洗浄液をミスト化してウェハＷに吹き付ける。なお、第４洗浄部３１および第５洗浄部３２は、２流体ノズルに限らず、洗浄液を吐出する通常のノズルであってもよい。
また、基板処理装置１Ｂは、除去性能がそれぞれ異なる複数の第１洗浄部１７を備えていてもよい。たとえば、高い除去性能が要求される場合には、除去能力の高い第１洗浄体１７１を持つ第１洗浄部１７を使用したり、上面を極力傷つけずに洗浄したい場合には、柔らかい第１洗浄体１７１を持つ第１洗浄部１７を使用したりすることができる。同様に、基板処理装置１Ｂは、除去性能がそれぞれ異なる複数の第２洗浄部１８を備えていてもよい。
このように、基板処理装置１Ｂは、第１洗浄部１７および第２洗浄部１８以外の洗浄ツールを備えていてもよい。
（第４の実施形態）
上述した実施形態では、両面洗浄処理において、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを同期させてウェハＷの両面を同時に洗浄することとしたが、第２洗浄体１８１と同期させる洗浄ツールは、第１洗浄体１７１に限定されない。かかる点について図２５を参照して説明する。図２５は、第４の実施形態に係る両面洗浄処理の動作例を示す図である。
図２５に示すように、第４の実施形態に係る基板処理装置１Ｃは、たとえば、洗浄ツールとして、第２洗浄部１８と第５洗浄部３２とを備える。第５洗浄部３２は、２流体ノズルである。
第４の実施形態に係る基板処理装置１Ｃは、両面洗浄処理を第２洗浄部１８と第５洗浄部３２とを同期させて行う。具体的には、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを同期させる場合と同様であり、図２５に示すように、第５洗浄部３２の吐出位置と第２洗浄体１８１の接触面とが平面視において重複する位置に第５洗浄部３２が到達した場合に、第２洗浄体１８１を回転させるとともに、第５洗浄部３２と同一の速度で同一の方向（Ｘ軸正方向）に水平移動させる。
第４の実施形態に係る基板処理装置１Ｃによれば、第２洗浄部１８がウェハＷを押し上げる力を、第５洗浄部３２から供給されるミスト状の洗浄液がウェハＷを押し下げる力によって弱めることができる。このため、ウェハＷを撓ませることなく、また、スピンチャック１１の吸着力による制約を受けることなく、第２洗浄部１８の押し当て力を高く設定することが可能となる。なお、第２洗浄部１８および第５洗浄部３２を用いた両面洗浄処理においても、上部カップ１６の高さ位置を下面洗浄処理時における高さ位置Ｈ１よりも高い位置に設定することが望ましい。これにより、第５洗浄部３２から供給されたミスト化された洗浄液が上部カップ１６外に飛散することを抑制することができる。
（第５の実施形態）
第５の実施形態では、ウェハＷの上面を洗浄する洗浄ツールと、ウェハＷの下面を洗浄する洗浄ツールとを用いて両洗浄ツールを洗浄する処理について図２６を参照して説明する。図２６は、ツール洗浄処理の動作例を示す図である。
たとえば、図２６に示すように、第５の実施形態に係る基板処理装置１Ｄは、第１洗浄部１７と第２洗浄部１８とを備える。かかる基板処理装置１Ｄは、吸着パッド１０およびスピンチャック１１にウェハＷが吸着保持されていない場合、たとえば、搬出処理（ステップＳ１０５）後、次のウェハＷの搬入処理（ステップＳ１０１）が行われる前に、ツール洗浄処理を行う。
具体的には、基板処理装置１Ｄは、第１洗浄体１７１のウェハＷとの接触面と、第２洗浄体１８１のウェハＷとの接触面とを接触させた状態で、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１を回転させる。また、基板処理装置１Ｄは、洗浄ノズル７０ａから第２洗浄体１８１に向けて純水を供給する。これにより、第１洗浄体１７１の接触面と、第２洗浄体１８１の接触面とを同時に洗浄することができる。このとき、第１洗浄体１７１は、第２洗浄体１８１の回転方向と逆方向に回転させることで、第１洗浄体１７１の接触面および第２洗浄体１８１の接触面をより強力に洗浄することができる。
ツール洗浄処理は、上記の例に限定されない。たとえば、第３の実施形態に係る基板処理装置１Ｂは、第５洗浄部３２から第２洗浄体１８１の接触面に向けて洗浄用流体を供給することによって第２洗浄体１８１の接触面を洗浄するツール洗浄処理を行ってもよい。また、基板処理装置１Ｂは、第４洗浄部３１から第１洗浄体１７１の接触面に向けて洗浄用流体を供給することによって第１洗浄体１７１の接触面を洗浄するツール洗浄処理を行ってもよい。
（第６の実施形態）
上述した各実施形態では、両面洗浄処理において、第１洗浄部１７と第２洗浄部１８とを一部同期させる場合の例について説明したが、第１洗浄部１７と第２洗浄部１８とを完全に同期させることも可能である。かかる点について図２７～図３０を参照して説明する。図２７は、第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。図２８は、第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。また、図２９および図３０は、第６の実施形態に係る両面洗浄処理の動作例を示す図である。
図２７および図２８に示すように、第６の実施形態に係る基板処理装置１Ｅは、ウェハＷの周縁部を把持する複数の把持部２３を備えた環状の保持部２４と、保持部２４の外周側において保持部２４と同心円状に配置された環状の固定部２５と、保持部２４と固定部２５との間に配置された環状の軸受２６とを備える。
固定部２５は、たとえば上部カップ１６Ｅの内壁に固定される。保持部２４は、軸受２６を介して固定部２５に回転可能に支持される。軸受２６は、たとえば、ボールベアリングである。
また、基板処理装置１Ｅは、保持部２４の周面に架け渡されたベルト２７とベルト２７を介して保持部２４を回転させる駆動部２８とを備える。ベルト２７は、たとえば、上部カップ１６Ｅの側面に形成された開口部１６１を介して上部カップ１６Ｅの外部に引き出されて駆動部２８に接続される。
また、図２７に示すように、第６の実施形態に係る第２洗浄部１８は、アーム８０Ｅによって水平に支持される。アーム８０Ｅは、移動部８１Ｅに接続される。移動部８１Ｅは、水平方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿って延在するレール８２Ｅに沿ってアーム８０Ｅを水平移動させる。また、移動部８１Ｅは、アーム８０Ｅを鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って昇降させる。
第６の実施形態に係る基板処理装置１Ｅは、搬入処理（ステップＳ１０１）の後、下面洗浄処理（ステップＳ１０２）を行うことなく、両面洗浄処理（ステップＳ１０３）を開始する。図２９に示すように、第６の実施形態に係る両面洗浄処理では、第１洗浄体１７１をウェハＷの上面の中央部に押し当てるとともに、第２洗浄体１８１をウェハＷの下面の中央部に押し当てる。その後、駆動部２８を用いて保持部２４を回転させることによってウェハＷを回転させる。また、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１を回転させる。なお、ウェハＷ、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１を回転させた後で、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１をウェハＷに押し当てるようにしてもよい。
つづいて、図３０に示すように、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とをウェハＷの外周部に向けて同一の速度で同一の方向（Ｘ軸正方向）に水平移動させる。これにより、ウェハＷの上面の全面が第１洗浄体１７１によって洗浄されるとともに、ウェハＷの下面の全面が第２洗浄体１８１によって洗浄される。
このように、第６の実施形態に係る基板処理装置１Ｅは、ウェハＷの下面の中央部にスピンチャック１１が存在しないため、第２洗浄体１８１の移動をウェハＷの下面の中央部から開始させることができる。したがって、第６の実施形態に係る基板処理装置１Ｅによれば、両面洗浄処理において第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを完全に同期させることができる。
なお、ここでは、両面洗浄処理をウェハＷの中央部から開始することとしたが、両面洗浄処理は、ウェハＷの一方（たとえば、Ｘ軸負方向側）の端部から開始してもよい。すなわち、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１をウェハＷの一方の端部から他方の端部へ向けて同一の速度で移動させてもよい。
また、ここでは、ベルト２７を用いて保持部２４を回転させる場合の例について示したが、保持部２４を回転させる方法は、上記の例に限定されない。たとえば、ギアボックスを用いて保持部２４を回転させてもよい。また、ウェハＷの外周を保持する保持プレートと、保持プレートの下部に接続されるシャフトと、シャフトを回転させる駆動部とを備え、保持プレートおよびシャフトを上下に貫通する貫通孔を設け、かかる貫通孔に第２洗浄体１８１を支持するアームを挿通させて、第２洗浄体１８１をウェハＷと保持プレートとの間に配置させた構成としてもよい。この構成によれば、シャフトに干渉することなく第２洗浄体１８１をウェハＷの中央部から外周部まで移動させることができる。
（第７の実施形態）
第７の実施形態では、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１の他の構成例について説明する。一例として、第２洗浄体１８１の他の構成例を図３１～図３３に示す。図３１は、第７の実施形態に係る第２洗浄体の構成を示す斜視図である。また、図３２は、第７の実施形態に係る第２洗浄体の構成を示す縦断面図である。また、図３３は、第７の実施形態に係る第２洗浄体をウェハＷに押し当てた状態を示す図である。
図３１に示す第７の実施形態に係る第２洗浄体１８１Ｆは、洗浄体としての機能に加えて、ウェハＷの下面を研磨する研磨体としての機能も有する。
具体的には、図３１に示すように、第２洗浄体１８１Ｆは、たとえば発泡ウレタンや不織布などからなる研磨面５０ａを有する研磨部材５０と、たとえばポリビニルアルコールやポリプロピレン、ナイロンといった伸縮自在な材料からなる洗浄部材５１と、研磨部材５０及び洗浄部材５１を支持する支持部材５２と、を有している。研磨部材５０の研磨面５０ａは、たとえばウェハＷの直径よりも小さくなるように形成された、たとえばウェハＷの四分の一程度の直径の略円環形状の環状部材５０ｂの上面に、発砲ウレタンや不織布で形成されたシートを張り付けることで構成されている。なお、図３１では、研磨部材５０の形状の一例として、所定の幅を有する円弧状の研磨面５０ａが所定の間隔を空けて同心円状に８つ設けられた状態を描図している。
洗浄部材５１は、たとえば扇形に形成され、円環状の研磨部材５０の内側に当該研磨部材５０と同心円をなすように複数配置されている。なお、図３１では、扇形に形成された４つの洗浄部材５１が研磨部材５０の内側に配置された場合の一例を示している。
研磨部材５０及び洗浄部材５１における支持部材５２と反対側の面は、それぞれウェハＷと対向して設けられた研磨面５０ａと洗浄面であり、たとえば図３２に示すように、洗浄部材５１の洗浄面５１ａは、研磨部材５０の研磨面５０ａよりも上方に突出するように形成されている。したがって、第２洗浄体１８１ＦをウェハＷの下面に近づけると、先ず洗浄部材５１がウェハＷの下面と接触する。そして、洗浄部材５１は伸縮自在な材料により構成されているため、洗浄部材５１がウェハＷに接触した後も第２洗浄体１８１ＦをウェハＷ側に押圧することで、たとえば図３３に示すように、洗浄部材５１が押し縮められて研磨部材５０もウェハＷの下面と接触し、ウェハＷの研磨処理が行えるようになる。
このように、第２洗浄体１８１Ｆは、研磨体としての機能を有していてもよい。この場合、たとえば、図３３に示すように、研磨部材５０をウェハＷの下面に接触させた状態で第２洗浄体１８１Ｆを回転させることにより、ウェハＷの下面を研磨することができる。また、その後、第２洗浄体１８１Ｆを僅かに下降させるなどしてウェハＷの下面に洗浄部材５１のみが接触した状態としたうえで、第２洗浄体１８１Ｆを回転させることにより、ウェハＷの下面を洗浄することができる。
（第８の実施形態）
第８の実施形態では、洗浄体と研磨部とを個別に備えた基板処理装置の構成について図３４～図３６を参照して説明する。図３４は、第８の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す側面図である。また、図３５および図３６は、ウェハＷと洗浄体および研磨体と回転板とを示す平面図である。
図３４に示すように、第８の実施形態に係る基板処理装置１Ｇは、たとえば円板よりなり、吸着パッド１０またはスピンチャック１１に保持されたウェハＷと対向するように設けられた面状体をなす回転板１０１と、この回転板１０１の上に設けられた洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂとを備える。回転板１０１は、その下面側に設けられた旋回軸１０２を介して駆動機構１０３により鉛直軸まわりに回転自在に構成される。旋回軸１０２は、回転板１０１の中心に設けられる。したがって、平面視において回転板１０１の中心と旋回軸１０２の中心とが揃い、この中心が旋回中心Ｏ１となる。この例では、回転板１０１と旋回軸１０２と駆動機構１０３とにより旋回機構が形成されている。
図３５に示すように、回転板１０１はその半径ｒ１が、ウェハＷの半径ｒ２よりも小さくなるように設定されている。また、ウェハＷの下面の中央部を含む領域を洗浄するときには、ウェハＷが吸着パッド１０に保持されて水平移動するが、旋回軸１０２はこのウェハＷの移動領域内に設けられている。つまりウェハＷの下面の中央部を含む領域を洗浄するときには、旋回軸１０２はウェハＷに重なって位置するように配置されている。さらに平面視において、回転板１０１の旋回軸１０２と、スピンチャック１１のシャフト２０とが、水平方向（Ｘ軸方向）に沿って並ぶように設けられている。
洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂは、たとえば円柱状のブラシよりなり、駆動軸１１１Ａ，１１１Ｂを介して駆動機構１１２Ａ，１１２Ｂに接続される。駆動機構１１２Ａ，１１２Ｂは、回転板１０１上に設けられ、洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂを昇降及び鉛直軸周りに回転させる。
洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂは、回転板１０１上に互いに横方向に離れて配置されている。また、洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂは、ウェハＷがスピンチャック１１により保持されて回転しているときに一方向に旋回することにより、これら洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂの両方でウェハＷの下面の中央部以外の全ての領域を洗浄および研磨できるように配置されている。一方向に旋回するとは、回転板１０１の旋回軸１０２からスピンチャック１１のシャフト２０を見て左側及び右側のうちの一方側この例では左側に位置する洗浄体６Ａが他方側この例では右側に向かって旋回して移動することをいう。
この例では、平面視において、スピンチャック１１に保持されたウェハＷに対して、洗浄体６Ａが中央にあるときに研磨体６Ｂが周縁に位置し、研磨体６Ｂが中央にあるときに洗浄体６Ａが周縁に位置するように設けられている。周縁に位置するとは、スピンチャック１１に保持されたウェハＷの外縁を洗浄（研磨）できるように洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂが位置し、中央に位置するとは、スピンチャック１１の回転中心Ｏ２と旋回中心Ｏ１とを結んだ直線Ｌ上を洗浄（研磨）できるように洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂが位置することをいう。図３５は、洗浄体６Ａが周縁にあり、研磨体６Ｂが中央にある状態を示し、図３６は、洗浄体６Ａが中央にあり、研磨体６Ｂが周縁にある状態を示している。
こうして左側に位置する洗浄体６Ａが右側に向かう旋回の開始時には、研磨体６Ｂが、回転板１０１の旋回軸１０２とスピンチャック１１のシャフト２０とを結ぶ直線Ｌ上に位置し、旋回の終了時には、洗浄体６Ａが直線Ｌ上に位置することとなる。さらに回転板１０１の半径ｒ１はウェハＷの半径ｒ２よりも短いことから、洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂの旋回半径は、ウェハＷの半径ｒ２よりも短くなる。旋回半径とは、洗浄体６Ａおよび研磨体６Ｂの中心と回転板１０１の旋回中心Ｏ１を結ぶ線の長さをいう。
このように、洗浄体６Ａと研磨体６Ｂとは、第７の実施形態に係る第２洗浄体１８１Ｆのように一体的に設けられる場合に限定されず、個別に設けられてもよい。
（第９の実施形態）
次に、第９の実施形態について図３７～図３９を参照して説明する。まず、第９の実施形態に係る基板処理装置の構成例について図３７を参照して説明する。図３７は、第９の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。
図３７に示すように、第９の実施形態に係る基板処理装置１Ｈは、第１洗浄部１７Ｈを備える。
第１洗浄部１７Ｈは、第１洗浄体１７１Ｈを備える。第１洗浄体１７１Ｈは、たとえば２流体ノズルである。かかる第１洗浄体１７１Ｈは、図示しない気体供給源から供給される気体と、図示しない液体供給源から供給される液体とを混合することにより、気体と液体とが混合した混合流体をウェハＷの上面に吐出する。なお、気体供給源から供給される気体は、たとえば、窒素などの不活性ガスである。また、液体供給源から供給される液体は、たとえば、純水である。
第１洗浄部１７Ｈは、アーム７０Ｈによって水平に支持され、アーム７０Ｈは、移動部７１Ｈに接続される。移動部７１Ｈは、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って延在するレール７２Ｈに沿ってアーム７０Ｈを水平移動させる。
また、第９の実施形態に係る基板処理装置１Ｈにおいて、第２洗浄部１８を支持するアーム８０は、旋回部８１Ｈに接続され、旋回部８１Ｈは、アーム８０を鉛直軸まわりに旋回させる。なお、基板処理装置１Ｈは、第１の実施形態に係る基板処理装置１と同様に、アーム８０を水平移動させる移動部８１を備える構成であってもよい。
次に、第９の実施形態における下面洗浄処理について図３８を参照して説明する。図３８は、第９の実施形態における下面洗浄処理の動作例を示す図である。
図３８に示すように、第９の実施形態において、第２洗浄部１８によるウェハＷ下面の洗浄は、吸着パッド１０（図３７参照）によるウェハＷの移動と旋回部８１Ｈによる第２洗浄部１８の旋回移動との組み合わせにより進行する。具体的には、制御部２００Ｈは、第２洗浄体１８１を回転させるとともに、一方（たとえば、Ｙ軸正方向）への旋回移動と他方（たとえば、Ｙ軸負方向）への旋回移動とを所定回数繰り返す。また、制御部２００Ｈは、吸着パッド１０によりウェハＷをＸ軸負方向へ移動させる。これにより、中央領域Ａが第２洗浄体１８１によって洗浄される。
次に、第９の実施形態に係る両面洗浄処理について図３９を参照して説明する。図３９は、第９の実施形態における両面洗浄処理の動作例を示す図である。
図３９に示すように、制御部２００Ｈは、両面洗浄処理において、第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１とが離れる方向に第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１とを水平移動させる。
第１洗浄体１７１Ｈの吐出位置と第２洗浄体１８１の回転中心とが平面視において重複しない場合、第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１との距離が近いと、第２洗浄体１８１によるウェハＷ下面の洗浄が適切に行われないおそれがある。これは、第１洗浄体１７１Ｈから吐出される混合流体の圧力によってウェハＷが撓むことで、ウェハＷが第２洗浄体１８１から部分的に浮いてしまうためである。したがって、第１洗浄体１７１Ｈの吐出位置と第２洗浄体１８１の回転中心とが平面視において重複しない場合、第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１とはできるだけ離した方がよい。
そこで、第９の実施形態では、両面洗浄処理において、第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１とが離れる方向に第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１とを水平移動させることとした。これにより、第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１とが近づくことがないため、混合流体の圧力によるウェハＷの撓みによってウェハＷが第２洗浄体１８１から部分的に浮くことが抑制される。したがって、第２洗浄体１８１によるウェハＷ下面の洗浄を適切に行うことができることから、第２洗浄体１８１を用いてウェハＷを強力に洗浄することができる。
具体的には、制御部２００Ｈは、まず、スピンチャック１１を回転させることによってウェハＷを回転させる。また、制御部２００Ｈは、ウェハＷの外周部よりも径方向内側、且つ、ウェハＷの中心よりも後述する第１洗浄体１７１Ｈの移動方向（ここでは、Ｙ軸負方向）側にシフトした位置に第２洗浄体１８１を配置する。なお、この位置は、上述した下面洗浄処理の終了時における第２洗浄体１８１の位置であってもよい。その後、制御部２００Ｈは、第２洗浄体１８１をウェハＷの下面に接触させた状態で、洗浄ノズル８０ａからウェハＷ下面への純水の供給を開始するとともに、第２洗浄体１８１を回転させる。
つづいて、制御部２００Ｈは、旋回部８１Ｈを制御することにより、ウェハＷの中心よりも第１洗浄体１７１Ｈの移動方向の反対側（ここでは、Ｙ軸正方向側）にシフトした位置におけるウェハＷの外周部まで第２洗浄体１８１を旋回移動させる。そして、制御部２００Ｈは、第２洗浄体１８１がウェハＷの外周部に到達すると、旋回部８１Ｈによる第２洗浄体１８１の旋回移動を停止させて、第２洗浄体１８１をその場で一定時間回転させる。
また、制御部２００Ｈは、移動部７１Ｈを制御することにより、第１洗浄体１７１ＨをウェハＷの中央上方に配置させ、第１洗浄体１７１ＨからウェハＷ上面の中心に混合流体を吐出させる。そして、制御部２００Ｈは、第２洗浄体１８１が少なくともウェハＷの中心よりも第１洗浄体１７１Ｈの移動方向の反対側（ここでは、Ｙ軸正方向側）に移動した後のタイミングで、移動部７１Ｈを制御することにより、第１洗浄体１７１ＨをウェハＷの中心よりもＹ軸負方向の外周部まで移動させる。これにより、第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１とが近づくことなく両面洗浄処理を実行することができる。
上述したように、第９の実施形態に係る基板処理装置１Ｈは、保持部（一例として、スピンチャック１１）と、第１洗浄体１７１Ｈと、第１移動機構（一例として、アーム７０Ｈ、移動部７１Ｈ、レール７２Ｈ）と、第２洗浄体１８１と、第２移動機構（一例として、アーム８０および旋回部８１Ｈ）と、制御部２００Ｈとを備える。保持部は、基板（一例として、ウェハＷ）を保持する。第１洗浄体１７１Ｈは、保持部に保持された基板の上面および下面のうち一方の面（一例として、上面）に流体（一例として、混合流体）を吐出することによって一方の面を洗浄する。第１移動機構は、第１洗浄体１７１Ｈを水平移動させる。第２洗浄体１８１は、保持部に保持された基板の上面および下面のうち他方の面（一例として、下面）に接触して他方の面を洗浄する。第２移動機構は、第２洗浄体１８１を水平移動させる。制御部２００Ｈは、第１移動機構および第２移動機構を制御して、一方の面に対して流体を吐出している第１洗浄体１７１Ｈと下面に接触させた前記第２洗浄体とを同期して水平移動させる両面洗浄処理を実行する。
具体的には、制御部２００Ｈは、両面洗浄処理において、第１移動機構および第２移動機構を制御して、第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１とが離れる方向に第１洗浄体１７１Ｈと第２洗浄体１８１とを水平移動させる。
したがって、第９の実施形態に係る基板処理装置１Ｈによれば、混合流体の圧力によるウェハＷの撓みの影響を受けにくくすることができることから、第２洗浄体１８１を用いてウェハＷを強力に洗浄することができる。
なお、ここでは、第１洗浄体１７１Ｈを用いてウェハＷの上面を洗浄し、第２洗浄体１８１を用いてウェハＷの下面を洗浄する場合の例を示したが、第１洗浄部１７Ｈを用いてウェハＷの下面を洗浄し、第２洗浄体１８１を用いてウェハＷの上面を洗浄してもよい。
また、ここでは、第１洗浄体１７１ＨをＹ軸負方向側に移動させる場合の例を示したが、第１洗浄体１７１Ｈの移動方向はこれに限定されず、たとえば、Ｙ軸正方向側に移動させてもよい。この場合、制御部２００Ｈは、第２洗浄体１８１を、ウェハＷの中心よりもＹ軸方向正方向側にシフトした位置からウェハＷの中心よりもＹ軸負方向側にシフトした位置におけるウェハＷの外周部まで移動させればよい。
また、ここでは、第１洗浄体１７１Ｈが気体と液体との混合流体を吐出する２流体ノズルである場合の例を示したが、第１洗浄体１７１Ｈは、ウェハＷに対して流体を供給するものであればよく、必ずしも２流体ノズルであることを要しない。
（変形例）
上述した実施形態では、両面洗浄処理の開始後、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを同期させるまでの間、すなわち、第１洗浄体１７１がウェハＷの中央部を洗浄している間、第２洗浄体１８１を停止させておくこととした。しかし、これに限らず、第１洗浄体１７１がウェハＷの中央部を洗浄している間、第２洗浄体１８１を用いてウェハＷの下面を洗浄してもよい。
また、上述した実施形態では、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１をウェハＷと同じ方向に回転させることとしたが、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１をウェハＷと逆方向に回転させてもよい。また、上述した実施形態では、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを同じ方向に回転させることとしたが、第１洗浄体１７１と第２洗浄体１８１とを逆方向に回転させてもよい。第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１の回転速度は、ウェハＷの回転速度と同じであってもよいし、ウェハＷの回転速度より遅くてもよいし、ウェハＷの回転速度より速くてもよい。また、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１は、必ずしも回転させなくてもよい。
また、上述した実施形態では、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１をレール７２，８２に沿って直線的に移動させることとしたが、たとえば、鉛直軸まわりに旋回する第１旋回アームに第１洗浄体１７１を支持させるとともに、鉛直軸まわりに旋回する第２旋回アームに第２洗浄体１８１を支持させることにより、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１を円弧状に移動させてもよい。この場合、第１旋回アームおよび第２旋回アームの旋回中心の位置を一致させることで、第１洗浄体１７１および第２洗浄体１８１の移動を同期させることができる。
また、上述した実施形態では、両面洗浄処理を行う場合の例について説明したが、たとえばウェハＷの種類によっては、下面洗浄処理のみ行ってもよい。両面洗浄処理を行わず下面洗浄処理のみを行う場合、ウェハＷの上面側への純水等の回り込みを抑制するため、両面洗浄処理を行う場合と比べてウェハＷの回転数を低くしてもよい。また、両面洗浄処理を行わずにウェハＷの上面の洗浄のみを行ってもよい。
ここで、ウェハＷの両面洗浄処理は、回路形成面と回路が形成されていない面の洗浄に限定されない。たとえば、ウェハＷの少なくとも一方が回路形成面に貼り合わされた部材であってもよい。その場合は、回路を保護する保護部材またはウェハ同士が接合した接合ウェハなどがある。また、回路が形成される前のウェハＷであってもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
Ｗ ウェハ
１ 基板処理装置
１０ 吸着パッド
１１ スピンチャック
１３ 筐体
１４ 支持板
１５ 枠体
１６ 上部カップ
１７ 第１洗浄部
１８ 第２洗浄部
１７１ 第１洗浄体
１８１ 第２洗浄体
２００ 制御部

Claims (8)

  1. 基板を保持する保持部と、
    鉛直軸まわりに回転可能であり、前記保持部に保持された前記基板の上面に接触して前記上面を洗浄する平面視円形の第１洗浄体と、
    鉛直軸まわりに回転可能であり、前記保持部に保持された前記基板の下面に接触して前記下面を洗浄する平面視円形の第２洗浄体と、
    前記保持部に保持された前記基板の端部に接触して前記端部を洗浄する第３洗浄体と
    を備え、
    前記第２洗浄体は、研磨面を有する研磨部材と、伸縮自在な材料からなる洗浄部材と、前記研磨部材及び前記洗浄部材を支持する支持部材とを有し、
    前記保持部は、前記基板の前記下面における中央部を含む第１の領域を吸着保持する回転可能な第１保持部を備える、基板処理装置。
  2. 前記研磨部材は、平面視円環状であり、
    前記洗浄部材は、平面視において前記研磨部材の内側に配置される、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記洗浄部材の洗浄面は、前記研磨面よりも突出している、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第２洗浄体を移動させる移動機構と、
    前記移動機構を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記移動機構を制御して、前記研磨部材および前記洗浄部材を前記下面に接触させて前記下面の研磨処理を行った後、前記第２洗浄体を下降させて前記研磨部材および前記洗浄部材のうち前記洗浄部材のみを前記下面に接触させて前記下面を洗浄する、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記保持部は、前記基板の前記下面における前記第１の領域以外の領域である第２の領域を吸着保持する第２保持部を備える、請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記下面に流体を吐出することによって前記下面を洗浄する第４洗浄部と、
    前記上面に流体を吐出することによって前記上面を洗浄する第５洗浄部と
    を備える、請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記第４洗浄部および前記第５洗浄部は、ミスト状の洗浄液を吐出する２流体ノズルである、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記第１洗浄体を水平移動させる第１移動機構と、
    前記第２洗浄体を水平移動させる第２移動機構と、
    前記第１移動機構および前記第２移動機構を制御して、前記上面に接触させた前記第１洗浄体と前記下面に接触させた前記第２洗浄体とを同期して水平移動させる両面洗浄処理を実行する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、前記両面洗浄処理において、前記第２洗浄体に加えて前記第４洗浄部を用いて前記下面を洗浄し、前記第１洗浄体に加えて前記第５洗浄部を用いて前記上面を洗浄する、請求項６または７に記載の基板処理装置。
JP2022179549A 2017-12-13 2022-11-09 基板処理装置 Active JP7422844B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017239072 2017-12-13
JP2017239072 2017-12-13
JP2018197918A JP7232615B2 (ja) 2017-12-13 2018-10-19 基板処理装置および基板処理方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018197918A Division JP7232615B2 (ja) 2017-12-13 2018-10-19 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023009162A JP2023009162A (ja) 2023-01-19
JP7422844B2 true JP7422844B2 (ja) 2024-01-26

Family

ID=66697287

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022179549A Active JP7422844B2 (ja) 2017-12-13 2022-11-09 基板処理装置
JP2023021613A Active JP7442706B2 (ja) 2017-12-13 2023-02-15 基板処理装置および基板処理方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023021613A Active JP7442706B2 (ja) 2017-12-13 2023-02-15 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US11139182B2 (ja)
JP (2) JP7422844B2 (ja)
KR (2) KR102629319B1 (ja)
CN (1) CN109962027A (ja)
TW (2) TWI834489B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7108450B2 (ja) * 2018-04-13 2022-07-28 株式会社ディスコ 研磨装置
US11467508B2 (en) * 2018-07-25 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Pellicle adhesive residue removal system and methods
JP2020048124A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 キヤノン株式会社 清掃装置
WO2021006091A1 (ja) * 2019-07-10 2021-01-14 東京エレクトロン株式会社 分離装置及び分離方法
TWI765192B (zh) * 2019-11-19 2022-05-21 大量科技股份有限公司 化學機械研磨裝置之研磨墊檢測方法與研磨墊檢測裝置
CN110823309B (zh) * 2019-11-26 2021-06-15 徐州润物科技发展有限公司 一种智能水表盖体
US11417512B2 (en) * 2020-02-10 2022-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for cleaning semiconductor wafer backside surface by hybrid brush assembly
TWI814077B (zh) * 2020-09-18 2023-09-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板洗淨裝置
JP2022103731A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法
CN113594063B (zh) * 2021-06-01 2023-12-29 陕西东芯恒科电子有限公司 一种晶圆清洁装置以及清洁方法
JP2023003251A (ja) 2021-06-23 2023-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001070896A (ja) 1999-07-06 2001-03-21 Ebara Corp 基板洗浄装置
JP2002170806A (ja) 2000-11-30 2002-06-14 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
JP2006332386A (ja) 2005-05-27 2006-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2009194034A (ja) 2008-02-12 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
JP2010109225A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄ブラシ及び基板処理装置並びに基板洗浄方法
JP2012182507A (ja) 2012-06-28 2012-09-20 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置
JP2015198167A (ja) 2014-04-01 2015-11-09 株式会社ディスコ 洗浄装置
JP2017069262A (ja) 2015-09-28 2017-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW316995B (ja) * 1995-01-19 1997-10-01 Tokyo Electron Co Ltd
US5675856A (en) * 1996-06-14 1997-10-14 Solid State Equipment Corp. Wafer scrubbing device
JPH11625A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Mitsubishi Materials Corp ウェーハの洗浄装置
JP3654779B2 (ja) * 1998-01-06 2005-06-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄具及び基板洗浄方法
JP3333733B2 (ja) * 1998-02-20 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP4086398B2 (ja) 1999-01-28 2008-05-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
US7743449B2 (en) * 2002-06-28 2010-06-29 Lam Research Corporation System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
JP2004247582A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Tokyo Electron Ltd 洗浄ブラシ及び基板洗浄装置
JP2005072429A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 両面洗浄処理方法及び装置
JP4734063B2 (ja) * 2005-08-30 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法。
KR100892809B1 (ko) * 2006-03-30 2009-04-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2007273611A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Sony Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP4983565B2 (ja) * 2006-12-20 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
US8578953B2 (en) * 2006-12-20 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
JP2008288517A (ja) 2007-05-21 2008-11-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄用ブラシおよび基板洗浄装置
TWI372661B (en) * 2007-11-21 2012-09-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning apparatus and cleaning method
US8356376B2 (en) * 2008-06-18 2013-01-22 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and storage medium
JP4976341B2 (ja) * 2008-06-18 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法、ならびに記憶媒体
JP5743853B2 (ja) * 2010-12-28 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2013089797A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Ebara Corp 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP5878441B2 (ja) 2012-08-20 2016-03-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置
JP6048043B2 (ja) * 2012-09-28 2016-12-21 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム
US9704730B2 (en) * 2013-05-28 2017-07-11 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
JP6210935B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 研磨洗浄機構、基板処理装置及び基板処理方法
JP6559602B2 (ja) * 2015-09-18 2019-08-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理チャンバ洗浄方法
JP6753762B2 (ja) * 2015-12-28 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3203956U (ja) 2016-02-16 2016-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
JP7232615B2 (ja) * 2017-12-13 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001070896A (ja) 1999-07-06 2001-03-21 Ebara Corp 基板洗浄装置
JP2002170806A (ja) 2000-11-30 2002-06-14 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
JP2006332386A (ja) 2005-05-27 2006-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2009194034A (ja) 2008-02-12 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
JP2010109225A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄ブラシ及び基板処理装置並びに基板洗浄方法
JP2012182507A (ja) 2012-06-28 2012-09-20 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置
JP2015198167A (ja) 2014-04-01 2015-11-09 株式会社ディスコ 洗浄装置
JP2017069262A (ja) 2015-09-28 2017-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20240213046A1 (en) 2024-06-27
US20190181022A1 (en) 2019-06-13
CN109962027A (zh) 2019-07-02
US11139182B2 (en) 2021-10-05
US11887869B2 (en) 2024-01-30
TW202322917A (zh) 2023-06-16
JP7442706B2 (ja) 2024-03-04
TWI834489B (zh) 2024-03-01
KR20240011849A (ko) 2024-01-26
US20210398827A1 (en) 2021-12-23
JP2023055999A (ja) 2023-04-18
TW202417129A (zh) 2024-05-01
KR20190070874A (ko) 2019-06-21
KR102629319B1 (ko) 2024-01-24
JP2023009162A (ja) 2023-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7422844B2 (ja) 基板処理装置
JP7232615B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US10328546B2 (en) Polishing cleaning mechanism, substrate processing apparatus, and substrate processing method
TW417194B (en) A cleaner
US9144881B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
CN108183081B (zh) 基板处理装置以及处理基板的制造方法
JP2009224383A (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
JP2001070896A (ja) 基板洗浄装置
JP2016043471A (ja) 基板処理装置
JP3892635B2 (ja) 洗浄装置
WO2019138881A1 (ja) 洗浄装置、洗浄方法及びコンピュータ記憶媒体
JP6625461B2 (ja) 研磨装置
JP6415662B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TWI810835B (zh) 帶有整合基板對準台的乾燥系統
JP2006319249A (ja) 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの製造方法により製造された半導体デバイス
KR20070095702A (ko) 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마장치
US10651057B2 (en) Apparatus and method for cleaning a back surface of a substrate
JP6346541B2 (ja) バフ処理装置、および、基板処理装置
JP6430177B2 (ja) バフ処理モジュール、及び、処理装置
JP2016111264A (ja) バフ処理装置、および、基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231017

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7422844

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150