JP2009194034A - 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】洗浄装置100は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する2つの基板保持手段(吸着パッド2、スピンチャック3)を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材(ブラシ5)は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、2つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。また基板がスピンチャック3により保持され、回転されるときに、基板の裏面の洗浄と合わせて、基板表面及びベベル部に夫々洗浄液を供給して、当該表面とベベル部の洗浄を行う。
【選択図】図1
Description
基板表面を上にした状態で、この基板の裏面の第1の領域を水平に保持する第1の基板保持手段と、
この第1の基板保持手段より基板を受け取って、前記第1の領域とは重ならない基板裏面の第2の領域を水平に保持すると共に、この基板を鉛直軸周りに回転させる第2の基板保持手段と、
前記第2の基板保持手段により回転される基板の表面に、表面用の洗浄液を供給して当該表面を洗浄するための表面洗浄ノズルと、
前記第2の基板保持手段により回転される基板のベベル部に、ベベル部用の洗浄液を供給して当該ベベル部を洗浄するためのベベル洗浄ノズルと、
前記第1の基板保持手段又は第2の基板保持手段に保持された基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記第1の基板保持手段又は第2の基板保持手段に保持された基板の裏面に接触して当該裏面を洗浄する洗浄部材と、を備えたことを特徴とする。
レジストが塗布され、液浸露光される前の基板を、この基板の表面を上にした状態で、この基板の裏面の第1の領域を第1の基板保持手段により保持し、この基板の裏面における前記第1の領域とは重ならない第2の領域を洗浄する工程と、
次いで基板を第1の基板保持手段から第2の基板保持手段により受け取って、前記第2の領域を水平に保持する工程と、
前記第2の基板保持手段に保持され、鉛直軸周りに回転された基板の表面に、表面用の洗浄液を供給して当該表面を洗浄する工程と、
前記第2の基板保持手段に保持され、鉛直軸周りに回転された基板のベベル部に、ベベル部用の洗浄液を供給して当該ベベル部を洗浄する工程と、
前記基板を第2の基板保持手段に保持させて、鉛直軸周りに回転させながら、基板の裏面における前記第2の領域以外の領域を洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。
また本発明の記憶媒体は、レジストが塗布され、その表面に液層を形成して液浸露光される前の基板を洗浄する洗浄装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、前記洗浄方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
上述のシステムにおけるウエハWの流れの一例について説明する。先ず外部からウエハWが収納されたキャリアC1が載置部120に載置されると、開閉部121と共にキャリアC1の蓋体が外されて受け渡し手段A1によりウエハWが取り出される。そしてウエハWは、棚ユニットU1の一段をなす受け渡しユニットを介して主搬送手段A2に受け渡され、先ず疎水化処理ユニットにて、疎水化処理が行なわれる。続いてウエハWは反射防止膜形成ユニットBARCに搬送されて反射防止膜が形成された後、加熱ユニットにてベーク処理が行われる。
次いでウエハWは、塗布ユニットCOTにてその表面にレジスト膜が形成された後、加熱ユニットにてべーク処理が行われ、この後主搬送手段A3によりインターフェイス部B3へと搬送される。インターフェイス部B3では、第1の搬送アームA4→棚ユニットU6の受け渡しユニット→第2の搬送アームA5→洗浄ユニット100の経路にて洗浄ユニット100に受け渡され、当該洗浄ユニット100において、液浸露光前のウエハWに対して、その表面及びベベル部並びに裏面に対する洗浄処理が行われる。なお液浸露光用の保護膜をレジスト膜のウエハWに塗布する場合には、冷却ユニットにて冷却された後、処理部B2内における図示しないユニットにて保持膜用の薬液の塗布が行われる。
こうして洗浄されたウエハWは、露光部B4に搬入されて、ウエハWの表面に例えば純水の液膜を形成した状態で液浸露光が行われる。しかる後液浸露光を終えたウエハWは、露光部B4から取り出され、例えばインターフェイス部B3に設けられた洗浄装置100より、ウエハW表面の水滴の除去が行われ、その後棚ユニットU6の一段をなす加熱ユニットに搬入され、PEB処理が行われる。
続いてウエハWは第1の搬送アームA4によって加熱ユニットから取り出されて主搬送手段A3に受け渡され、この主搬送手段A3により現像ユニットDEVに搬入される。こうして所定の現像処理が行われた後、ウエハWは加熱ユニットにて加熱され、受け渡し手段A1を介してキャリア載置部B1の元のキャリアC1へと戻される。
この際、ウエハ表面の洗浄は、洗浄液ノズル61からウエハWの中心に向けて洗浄液Fを吐出した後、当該表面洗浄ノズル6を、例えば図11において左方向にスライド移動させ、こうしてガスノズル62の先端をウエハWの中心に位置させて、窒素ガスを例えば2秒程度吐出する(図13参照)。このようにウエハW表面の中心部に洗浄液Fを供給した後、窒素ガスを当該ウエハ表面の中心部に吹き付けると、洗浄液の中心に窒素ガスが吹き付けられ、その吹き付けられた領域は乾燥する。一方洗浄液ノズル61は洗浄液を吐出させながら、当該ノズル61をウエハWの中心から外縁に向けて徐々に移動させる。このようにすると、供給された洗浄液Fは回転の遠心力で外方に向かって流れていくので、一度乾燥した中心部が再び洗浄液Fによって濡れることがなく、洗浄液の乾燥が促進される。この例は、ガスノズル62も洗浄液ノズル61と共にスライド移動させるように構成されているが、ガスノズル62はウエハWの中心部にガスを吹きつける構成であればよいので、洗浄液ノズル61のみをスライド移動させるように構成してもよい。
100,110 洗浄装置
2 吸着パッド
2a 吸着孔
3 スピンチャック
3a 吸着孔
3b 軸部
5 ブラシ
5a 洗浄液ノズル
5b ブローノズル
6 表面洗浄ノズル
7 ベベル洗浄ノズル
8 裏面周縁洗浄ノズル
200 制御部
Claims (13)
- レジストが塗布され、その表面に液層を形成して液浸露光される前の基板を洗浄する洗浄装置において、
基板表面を上にした状態で、この基板の裏面の第1の領域を水平に保持する第1の基板保持手段と、
この第1の基板保持手段より基板を受け取って、前記第1の領域とは重ならない基板裏面の第2の領域を水平に保持すると共に、この基板を鉛直軸周りに回転させる第2の基板保持手段と、
前記第2の基板保持手段により回転される基板の表面に、表面用の洗浄液を供給して当該表面を洗浄するための表面洗浄ノズルと、
前記第2の基板保持手段により回転される基板のベベル部に、ベベル部用の洗浄液を供給して当該ベベル部を洗浄するためのベベル洗浄ノズルと、
前記第1の基板保持手段又は第2の基板保持手段に保持された基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記第1の基板保持手段又は第2の基板保持手段に保持された基板の裏面に接触して当該裏面を洗浄する洗浄部材と、を備えたことを特徴とする洗浄装置。 - 前記第1の基板保持手段を前記第2の基板保持手段に対して相対的に横方向に移動させるための移動手段と、
前記第1の基板保持手段を前記第2の基板保持手段に対して相対的に上下方向に移動させるための昇降手段と、を備えることを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。 - 基板を第1の基板保持手段に保持させて、前記洗浄部材により前記第2の領域を含む基板の裏面を洗浄し、次いで基板を第1の基板保持手段から第2の基板保持手段に受け渡し、この第2の基板保持手段により基板を回転させて、前記洗浄部材により前記第2の領域以外の基板の裏面を洗浄するように、制御指令を出力する手段と、を備えることを特徴とする請求項1又は2記載の洗浄装置。
- 前記制御指令を出力する手段は、前記洗浄部材により第2の領域以外の基板の裏面を洗浄しながら、表面洗浄手段及びベベル洗浄手段から夫々基板に向けて洗浄液を供給して、前記基板の表面及びベベル部の洗浄を行うように制御指令を出力することを特徴とする請求項3記載の洗浄装置。
- 前記第2の基板保持手段に保持され、回転される基板の裏面の周縁領域に、裏面周縁用の洗浄液を供給する裏面周縁洗浄手段をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の洗浄装置。
- 前記制御指令を出力する手段は、前記洗浄部材により第2の領域以外の基板の裏面を洗浄しながら、表面洗浄手段及びベベル洗浄手段並びに裏面周縁洗浄手段から夫々基板に向けて洗浄液を供給して、前記基板の表面及びベベル部並びに裏面ベベル部の洗浄を行うように制御指令を出力することを特徴とする請求項5記載の洗浄装置。
- 基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、
その表面に液層を形成して液浸露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像ユニットと、
前記請求項1ないし請求項6のいずれか一に記載の洗浄装置と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - レジストが塗布され、その表面に液層を形成して液浸露光される前の基板を洗浄する洗浄方法において、
レジストが塗布され、液浸露光される前の基板を、この基板の表面を上にした状態で、この基板の裏面の第1の領域を第1の基板保持手段により保持し、この基板の裏面における前記第1の領域とは重ならない第2の領域を洗浄する工程と、
次いで基板を第1の基板保持手段から第2の基板保持手段により受け取って、前記第2の領域を水平に保持する工程と、
前記第2の基板保持手段に保持され、鉛直軸周りに回転された基板の表面に、表面用の洗浄液を供給して当該表面を洗浄する工程と、
前記第2の基板保持手段に保持され、鉛直軸周りに回転された基板のベベル部に、ベベル部用の洗浄液を供給して当該ベベル部を洗浄する工程と、
前記基板を第2の基板保持手段に保持させて、鉛直軸周りに回転させながら、基板の裏面における前記第2の領域以外の領域を洗浄する工程と、を含むことを特徴とする洗浄方法。 - 前記基板の表面を洗浄する工程と、前記ベベル部を洗浄する工程と、前記基板の裏面における前記第2の領域以外の領域を洗浄する工程とは、互いに洗浄時間が重なるように行われることを特徴とする請求項8記載の洗浄方法。
- 前記第2の基板保持手段に保持され、回転された基板の裏面における周縁領域に裏面周縁用の洗浄液を供給して、当該周縁領域を洗浄する工程をさらに備えることを特徴とする請求項8又は9記載の塗布、現像方法。
- 前記基板の表面を洗浄する工程と、前記基板の周縁を洗浄する工程と、前記基板における前記第2の領域以外の領域を洗浄する工程と、前記基板の裏面の周縁領域を洗浄する工程とは、互いに洗浄時間が重なるように行われることを特徴とする請求項10記載の洗浄方法。
- レジストが塗布され、その表面に液層を形成して液浸露光される後の基板を現像処理する塗布、現像方法において、レジストが塗布され、液浸露光される前の基板に対して請求項8ないし請求項11のいずれか一に記載の洗浄方法が行われることを特徴とする塗布、現像方法。
- レジストが塗布され、その表面に液層を形成して液浸露光される前の基板を洗浄する洗浄装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項8ないし請求項12に記載された洗浄方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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KR1020090008423A KR101451442B1 (ko) | 2008-02-12 | 2009-02-03 | 세정 장치 및 그 방법, 도포 현상 장치 및 그 방법, 및 기억 매체 |
US12/366,198 US8851092B2 (en) | 2008-02-12 | 2009-02-05 | Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium |
TW098104343A TWI401734B (zh) | 2008-02-12 | 2009-02-11 | 洗淨裝置及其方法,塗佈,顯像裝置及其方法,以及記憶媒體 |
US14/460,020 US9120120B2 (en) | 2008-02-12 | 2014-08-14 | Cleaning apparatus and cleaning method, coater/developer and coating and developing method, and computer readable storing medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008030857A JP5136103B2 (ja) | 2008-02-12 | 2008-02-12 | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 |
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---|---|
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---|---|
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KR (1) | KR101451442B1 (ja) |
TW (1) | TWI401734B (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009260032A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2014187273A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
WO2017169635A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム記録媒体 |
JP2020064981A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2021093427A (ja) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JPWO2020105340A1 (ja) * | 2018-11-22 | 2021-10-07 | セントラル硝子株式会社 | ベベル部処理剤組成物およびウェハの製造方法 |
WO2023008024A1 (ja) * | 2021-07-28 | 2023-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP7336967B2 (ja) | 2019-11-21 | 2023-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP7422844B2 (ja) | 2017-12-13 | 2024-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7446144B2 (ja) | 2019-09-17 | 2024-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP7464467B2 (ja) | 2020-07-01 | 2024-04-09 | 株式会社ディスコ | ウェーハ洗浄装置 |
JP7477410B2 (ja) | 2020-09-18 | 2024-05-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI567847B (zh) * | 2009-12-11 | 2017-01-21 | 聯華電子股份有限公司 | 晶圓清洗裝置及晶圓清洗方式 |
US8707974B2 (en) | 2009-12-11 | 2014-04-29 | United Microelectronics Corp. | Wafer cleaning device |
JP5067432B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
US9931017B2 (en) * | 2010-11-16 | 2018-04-03 | Martin A. Alpert | Washing apparatus and method with spiral air flow for drying |
JP5314057B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5829092B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2015-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
US20130092186A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Removal of particles on back side of wafer |
JP5693439B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP5996381B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5632860B2 (ja) * | 2012-01-05 | 2014-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
JP6009832B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2016-10-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
TWI452423B (zh) * | 2012-11-19 | 2014-09-11 | Gudeng Prec Industral Co Ltd | 光罩清洗方法及其系統 |
US9728428B2 (en) * | 2013-07-01 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | Single use rinse in a linear Marangoni drier |
WO2015024956A1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Drying device for use in a lithography system |
TWI569349B (zh) * | 2013-09-27 | 2017-02-01 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US20150107619A1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Wafer particle removal |
US10128103B2 (en) * | 2014-02-26 | 2018-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and process for wafer cleaning |
JP2017003824A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10332795B2 (en) * | 2015-06-11 | 2019-06-25 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
JP6439766B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像方法及び塗布、現像装置 |
KR102185140B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2020-12-01 | 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6920849B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-08-18 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法および装置 |
JP7001400B2 (ja) * | 2017-09-11 | 2022-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US11256180B2 (en) * | 2019-04-29 | 2022-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Processing apparatus and method thereof |
KR20210006566A (ko) * | 2019-07-08 | 2021-01-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
WO2021053995A1 (ja) | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置 |
CN111570353A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-08-25 | 湖南科技学院 | 一种用于计算机硬件清洁维护系统 |
TWI738304B (zh) * | 2020-04-23 | 2021-09-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 半導體晶圓加工方法及清潔刷頭 |
JP2022189495A (ja) * | 2021-06-11 | 2022-12-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置 |
TWI806788B (zh) * | 2022-10-11 | 2023-06-21 | 邱俊榮 | 光罩清潔設備、光罩翻轉機構及光罩清潔方法 |
CN117497401A (zh) * | 2024-01-02 | 2024-02-02 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 | 一种晶圆背面清洗方法和装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124846A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
JPH11162816A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法 |
JP2006189687A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Jsr Corp | フォトレジストパターン形成方法、及びフォトレジストパターン形成用基板 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3424137B2 (ja) | 1994-03-14 | 2003-07-07 | 大日本印刷株式会社 | フオトマスク製造用スピン処理装置 |
JP3236742B2 (ja) | 1994-09-28 | 2001-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置 |
JP3850951B2 (ja) * | 1997-05-15 | 2006-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
US6261378B1 (en) * | 1998-03-23 | 2001-07-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning unit and cleaning method |
US6295683B1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-10-02 | United Microelectronics Corp. | Equipment for brushing the underside of a semiconductor wafer |
KR100802810B1 (ko) * | 2000-05-08 | 2008-02-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 액 처리 장치, 액 처리 방법, 반도체 디바이스 제조 방법,반도체 디바이스 제조 장치 |
JP3910054B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2007-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
TWI236944B (en) * | 2001-12-17 | 2005-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Film removal method and apparatus, and substrate processing system |
KR100954895B1 (ko) * | 2003-05-14 | 2010-04-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박막제거장치 및 박막제거방법 |
JP4271109B2 (ja) | 2004-09-10 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
JP4486476B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー処理装置及びレーザー処理方法 |
JP2006319249A (ja) | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Nikon Corp | 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの製造方法により製造された半導体デバイス |
JP4830523B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2011-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。 |
JP2008135583A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法 |
-
2008
- 2008-02-12 JP JP2008030857A patent/JP5136103B2/ja active Active
-
2009
- 2009-02-03 KR KR1020090008423A patent/KR101451442B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-05 US US12/366,198 patent/US8851092B2/en active Active
- 2009-02-11 TW TW098104343A patent/TWI401734B/zh active
-
2014
- 2014-08-14 US US14/460,020 patent/US9120120B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124846A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
JPH11162816A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | スピン式レジスト塗布装置およびウェーハ処理方法 |
JP2006189687A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Jsr Corp | フォトレジストパターン形成方法、及びフォトレジストパターン形成用基板 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009260032A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2014187273A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
KR20140116782A (ko) * | 2013-03-25 | 2014-10-06 | 가부시키가이샤 스크린 세미컨덕터 솔루션즈 | 기판 처리 장치 |
US10109513B2 (en) | 2013-03-25 | 2018-10-23 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
KR101951490B1 (ko) | 2013-03-25 | 2019-02-22 | 가부시키가이샤 스크린 세미컨덕터 솔루션즈 | 기판 처리 장치 |
US11004706B2 (en) | 2013-03-25 | 2021-05-11 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
WO2017169635A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム記録媒体 |
JP7422844B2 (ja) | 2017-12-13 | 2024-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US11469117B2 (en) | 2018-10-17 | 2022-10-11 | SCREEN Holdings Co. Ltd. | Substrate processing apparatus, and substrate processing method |
JP7160624B2 (ja) | 2018-10-17 | 2022-10-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2020064981A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JPWO2020105340A1 (ja) * | 2018-11-22 | 2021-10-07 | セントラル硝子株式会社 | ベベル部処理剤組成物およびウェハの製造方法 |
US11817310B2 (en) | 2018-11-22 | 2023-11-14 | Central Glass Company, Limited | Bevel portion treatment agent composition and method of manufacturing wafer |
JP7328564B2 (ja) | 2018-11-22 | 2023-08-17 | セントラル硝子株式会社 | ベベル部処理剤組成物およびウェハの製造方法 |
JP7446144B2 (ja) | 2019-09-17 | 2024-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP7336967B2 (ja) | 2019-11-21 | 2023-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP7291068B2 (ja) | 2019-12-09 | 2023-06-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP2021093427A (ja) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP7464467B2 (ja) | 2020-07-01 | 2024-04-09 | 株式会社ディスコ | ウェーハ洗浄装置 |
JP7477410B2 (ja) | 2020-09-18 | 2024-05-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置 |
TWI830266B (zh) * | 2021-07-28 | 2024-01-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 |
WO2023008024A1 (ja) * | 2021-07-28 | 2023-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101451442B1 (ko) | 2014-10-15 |
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