JP5632860B2 - 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 - Google Patents
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Description
請求項20又は21に記載の基板洗浄装置において、上記制御手段からの制御信号に基づいて、基板を回転させながら、基板の表面の中心部から基板の周縁に向かって上記洗浄液ノズルから洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成し、その後、上記ガスノズルを上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって移動させながらガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成し、更にその後、上記残存液除去機構を基板の径方向に移動して、上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去させるように制御するのが好ましい(請求項22)。
この発明の基板洗浄装置を現像処理装置に組み合わせた実施の形態について図3及び図4を参照して説明する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第2実施形態について、図11ないし図14を参照して説明する。第2実施形態は、第1実施形態で用いられる基板洗浄装置における第1ガスノズル70と第2ガスノズル80を兼用する兼用ガスノズル70Aを形成し、第2乾燥工程では兼用ガスノズル70AをウエハWの周縁からウエハWの中心部に向かって移動させて、回路パターン間に残存する洗浄液Lを除去(排出)するようにした場合である。第2実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。以下、第2実施形態の洗浄工程について説明する。なお、第2実施形態においてステップ1とステップ2は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第3実施形態について、図15及び図16を参照して説明する。図16に示すように、第3実施形態では残存液除去機構は、ウエハWの回転により生じる気流Aを乾燥領域Dに誘導拡散気する気流制御部であるディフューザ80Bにて形成されている。第3実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第4実施形態について、図17及び図18を参照して説明する。図18に示すように、第4実施形態では残存液除去機構80Cは、ウエハWの表面にガスを吐出するガスノズル80aと、上記ガスノズル80aから吐出されたガスを乾燥領域Dに誘導拡散する気流制御部である整流板80bとを具備している。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第5実施形態について、図19及び図20を参照して説明する。図20に示すように、第5実施形態では残存液除去機構は、乾燥領域Dにおける回路パターン間に残存する洗浄液Lを吸引する吸引ノズル80Dにて形成されている。この場合、吸引ノズル80Dは吸引管80cを介して吸引ポンプ等の吸引装置80d及び流量調整器80eに接続されている。第5実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第6実施形態について、図21を参照して説明する。図21に示すように、第6実施形態では残存液除去機構80Eは、ウエハWの表面にガスを吐出するガスノズル80fと、ガスノズル80fのガス供給管80gに介設されてガスノズル80fに供給されるガス例えばN2ガスGを例えば40℃に加熱する加熱体である加熱器80hと、を具備している。第6実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第7実施形態について、図22及び図23を参照して説明する。図23に示すように、第7実施形態では残存液除去機構は、ウエハWの表面に輻射熱を照射して、回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体、例えば輻射光照射体80Fにて形成されている。この場合、輻射光照射体80Fは、複数の発光ダイオード80i(以下にLED80iという)を具備している。なお、第7実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第8実施形態について、図24及び図25を参照して説明する。図25に示すように、第8実施形態では残存液除去機構は、ウエハWの表面に高揮発性の有機溶剤例えばイソプロピルアルコール(IPA)を吐出する有機溶剤吐出ノズル80G(以下に、IPA吐出ノズル80Gという)にて形成されている。この場合、IPA吐出ノズル80Gは、流量調整器80jを介設したIPA供給管80kを介してIPA供給源80lに接続されている。なお、第8実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第9実施形態について、図26及び図27を参照して説明する。図26に示すように、第9実施形態では残存液除去機構は、X軸方向に配設されるガイド部材57に沿って横方向(X方向)に移動可能な移動基台67に固定されるY方向に伸縮自在なノズルアーム66Aの先端部に連結されたノズル保持部65Aに洗浄液ノズル60及び第1ガスノズル70と共に設けられる第2ガスノズル80にて形成されている。この場合、ノズル保持部65Aの伸縮方向(Y方向)の先端側に洗浄液ノズル60と第1ガスノズル70が配設され、基端側に第2ガスノズル80が配設されている。また、ノズルアーム66Aは移動基台67に固定されるシリンダ部66aとシリンダ部66aに対して伸縮自在なロッド部66bとで構成されている。なお、第9実施形態において、その他の部分は第1実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
以上、いくつかの実施形態を参照しながらこの発明を説明したが、この発明は上記の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に含まれる事項の範囲で種々の変形が可能である。
60 洗浄液ノズル
63 洗浄液供給源
65 ノズル保持部
66 ノズルアーム
70 第1ガスノズル
70A 兼用ガスノズル
73 N2ガス供給源
80 第2ガスノズル(残存液除去機構)
80B ディフューザ(気流制御部、残存液除去機構)
80C 残存液除去機構
80a ガスノズル
80b 整流板
80D 吸引ノズル(残存液除去機構)
80E 残存液除去機構
80f ガスノズル
80h 加熱器
80F 輻射式加熱体(残存液除去機構)
80i LED
80GIPA吐出ノズル
90 制御コンピュータ(制御手段)
100 基板洗浄装置
200 現像液ノズル移動機構
300 洗浄液ノズル・ガスノズル移動機構
Claims (32)
- 回路パターンが形成された基板の表面を洗浄する基板洗浄方法であって、
上記基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら基板表面の中心部から基板の周縁に洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成する工程と、
上記基板を回転させながら、上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって吐出位置を移動させつつガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成する第1乾燥工程と、
上記基板を回転させながら、上記回路パターン間に残存する液を除去する位置を、上記基板の径方向に移動して上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去する第2乾燥工程と、を具備することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1に記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべく上記第1乾燥工程のガス吐出位置より上記回路パターンを形成する一回の露光領域以上離れている、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1又は2に記載の基板洗浄方法において、
上記第1乾燥工程は、上記回路パターンを形成する一回の露光領域における上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべくガス吐出位置の移動速度を一定以上にする、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記洗浄液の供給位置における線速度が一定値以下となるように、上記洗浄液の供給位置が上記基板の周縁に近づくにつれて、上記基板の回転数が低くなる、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第1乾燥工程の終了後から上記第2乾燥工程の開始までの間における上記基板の地点では、上記回路パターンの倒れを防止すべく上記基板の遠心力と回転時間の積が制御される、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターンの倒れを防止すべく上記基板の遠心力が制御される、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第1乾燥工程が終了する前に上記第2乾燥工程を開始する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第1乾燥工程が終了した後に上記第2乾燥工程を開始する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記回路パターン間に残存する液を除去する位置を上記基板の表面中心部から基板の周縁に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし6又は8のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記回路パターン間に残存する液を除去する位置を上記基板の周縁から基板の表面中心部に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし10のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記洗浄液の供給位置と、上記第1乾燥工程におけるガスの吐出位置とを所定の間隔離間させた状態で、上記洗浄液の供給位置と上記ガスの吐出位置とを上記基板の周縁に向かって一体的に移動する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記洗浄液の供給位置、上記第1乾燥工程におけるガスの吐出位置及び上記第2乾燥工程における上記回路パターン間に残存する液を除去する位置とをそれぞれ所定の間隔離間させた状態で、上記洗浄液の供給位置、上記ガスの吐出位置及び上記第2乾燥工程における上記回路パターン間に残存する液を除去する位置とを上記基板の周縁に向かって一体的に移動する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の表面にガスを吐出して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、気流制御部により上記基板の回転により生じる気流を上記乾燥領域に誘導拡散して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の表面にガスを吐出すると共に、気流制御部により上記ガスを上記乾燥領域に誘導拡散して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記回路パターン間に残存する液を吸引して除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、加熱により上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の表面にガスを吐出すると共に、加熱により上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第2乾燥工程は、上記基板の表面に有機溶剤を吐出して、上記回路パターン間に残存する液を有機溶剤に置換して除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 回路パターンが形成された基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であって、
上記基板の中心部とその回転中心軸とが一致するように上記基板を水平に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、
上記基板保持部に保持された基板表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
上記基板保持部に保持された基板表面にガスを吐出する第1乾燥用のガスノズルと、
上記基板保持部に保持された基板の表面に形成された乾燥領域内の上記回路パターン間に残存する液を除去する第2乾燥用の残存液除去機構と、
上記洗浄液ノズル、上記ガスノズル及び残存液除去機構をそれぞれ移動させるための移動機構と、
上記回転機構、上記洗浄液ノズルの供給部、上記ガスノズルの供給部、上記残存液除去機構の駆動部及び上記移動機構を制御する制御手段と、を具備する、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20に記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべく上記ガスノズルのガス吐出位置より上記回路パターンを形成する一回の露光領域以上離れている、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20又は21に記載の基板洗浄装置において、
上記制御手段からの制御信号に基づいて、基板を回転させながら、基板の表面の中心部から基板の周縁に向かって上記洗浄液ノズルから洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成し、その後、上記ガスノズルを上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって移動させながらガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成し、更にその後、上記残存液除去機構を基板の径方向に移動して、上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去させるように制御する、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし22のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面中心部から基板の周縁に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去するように制御される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし22のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の周縁から基板の表面中心部に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去するように制御される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし24のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルにて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし24のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の回転により生じる気流を上記乾燥領域に誘導拡散する気流制御部にて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし24のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルと、上記ガスノズルから吐出されたガスを上記乾燥領域に誘導拡散する気流制御部とを具備する、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし24のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記回路パターン間に残存する液を吸引する吸引ノズルにて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし24のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面に輻射熱を照射して、上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体にて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし24のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルと、上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体と、を具備することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項20ないし24のいずれかに記載洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面に有機溶剤を吐出する有機溶剤吐出ノズルにて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 回路パターンが形成された基板表面を洗浄する基板洗浄装置に用いられ、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
上記制御プログラムは、請求項1ないし19のいずれか一つの基板洗浄方法を実行するように工程が組まれていることを特徴とする基板洗浄用記憶媒体。
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