JP6318012B2 - 基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を処理する基板処理方法に関する。

基板処理装置は、インデクサ部と処理部とインターフェース部とを備えている。インデクサ部は、複数枚の基板を収容するキャリアから基板を取り出して処理部に搬送し、処理部から出力された基板をキャリアに収納する。処理部は、レジストなどの塗布処理、現像処理、および熱処理等を行う。そして、インターフェース部は、外部装置である露光機に対して基板を引き渡しおよび受け取りを行う。

露光機は、基板処理装置のインターフェース部に隣接して配置されている。露光機には、近年、露光パターンのさらなる微細化を可能にするため、露光機の投影光学系と基板との間に液体を満たして露光する液浸法による露光技術（以下、「液浸露光技術」と呼ぶ）が用いられている。しかしながら、液浸露光技術では、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理終了後の基板に液体（液浸液）が付着した状態で露光機から搬出される。これにより、露光機から搬出された基板に付着している液体が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の動作不良や基板処理装置内の清浄度の悪化を招くおそれがある。

そこで、基板に付着した液体を除去するため、上述のインターフェース部内に洗浄乾燥ユニットを配置し、洗浄および乾燥の基板処理を行うことが特許文献１および２に提案されている。また、上述の目的で用いられることが記載されていないが、特許文献３には、洗浄および乾燥の基板処理方法が開示されている。これらの基板処理方法を順番に説明する。

まず、特許文献１の基板処理方法を説明する。スピンチャックで保持し、回転させた基板Ｗを洗浄液で洗浄し、リンス液で洗浄液を洗い流す。この後、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層（パドル）Ｌを形成する。リンス液の吐出を停止し、ノズル（液供給ノズル）を退避させる。基板Ｗの回転速度を上げ、基板Ｗの周縁部側の厚みを大きくすると共に、基板Ｗの中心部側の厚みを小さくする（図１４（ａ）参照）。このとき、液層Ｌの中心部側と周縁部側は互いに引き合った状態となっている。

その後、不活性ガス供給ノズル２８４を基板Ｗの中心部上方に移動させ、不活性ガス供給ノズル２８４から厚みの小さい液層Ｌに向けて不活性ガスを吐出し、基板Ｗの中心部にホールＨを形成する（図１４（ｂ）参照）。これにより、上述の引き合った状態が解除され、液層Ｌは、遠心力により、ホールＨと液層Ｌのリング状の境界を維持しながら一体的に基板Ｗの外側に移動する（図１４（ｃ）参照）。これにより、基板Ｗ上の液層リンス液の微小液滴の形成を抑えつつ、基板Ｗを乾燥させることができる。

次に、特許文献２の基板処理方法を説明する。スピンチャックに保持し、回転させた基板Ｗを洗浄液で洗浄し、リンス液で洗浄液を洗い流す。この後、基板Ｗの中心部上方のノズル２８３からリンス液を吐出しながら基板Ｗの回転速度を上げ、基板Ｗの表面全面にリンス液の液層Ｌを形成する（図１５（ａ）参照）。次に、ノズル２８３を基板Ｗの中心部上方から外側に向けて移動させる。このとき、基板Ｗの回転に伴う遠心力で液層Ｌの中心部側の厚みが小さくなる。この厚みが小さい領域を薄層領域と呼ぶ。

ノズル２８３は、基板Ｗの中心部上方から所定距離を移動した位置で移動を一旦停止する。この期間に遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部にホール（乾燥コア）Ｈが形成される（図１５（ｂ）参照）。ホールＨの形成後、ノズルを再び外側に移動する。それに伴い、遠心力によりホールＨを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域（ホールＨ）が基板Ｗ上で拡大する（図１５（ｃ）参照）。ノズル２８３が基板Ｗの周縁部上方まで移動されるとリンス液の吐出を停止させ、ノズル２８３を基板Ｗ外に移動する。これにより、リンス液の液層Ｌが一体に保持された状態でホールＨが基板Ｗ上の全体に広がり、微小液滴の形成を防止しつつ、基板Ｗを乾燥させることができる。

次に、特許文献３の基板処理方法を説明する。スピンチャック（ウエハ支持回転部）に保持し、回転させた基板を洗浄液などで処理し、洗浄液などを純水でリンスする。このリンスは、基板の表面全体に液層（液膜）を形成して行う。この後、基板の回転速度を下げ、基板の中心部上方のノズル（吐出部）から小流量の純水を供給する。このとき、基板の表面全体に形成されている液層は維持されずに壊れ、基板上に吐出された純水が、基板の中心部から外周に向けて筋状（又は川状）に流れる。そして、ノズルから純水を供給しながら、ノズルを基板の外周に向けて移動させる。その際、基板の表面全体に形成されていた液層が壊れた後の基板の表面上に残っている微小な水滴を、純水の筋状の流れに取り込みながらノズルを移動させる。そして、ノズルが基板の外周の外側まで移動すると、基板の表面上から筋状に流れる純水が消失し、基板の表面が乾燥される。

特開２００８−０２８２２６号公報（図６、図７） 特開２００９−０７１０２６号公報（図７、図８等） 特開２０１２−２２２２３７号公報（図３等）

しかしながら、従来の基板の洗浄乾燥処理では、次のような問題が３点ある。１点目は、パターン形成に用いられる感光性膜およびその保護膜の表面の撥水性が益々、高くなっており、基板の表面全体に液層Ｌを形成することが難しくなっていることである。これは、従来に比べ、浸液法を用いた露光機の処理能力を向上させるため、基板に対する投影光学系の高速移動に伴い、投影光学系と基板の間の液体も高速で移動させる必要があるためである。これにより、液層形成時間の増加するおそれ、あるいは液層形成自体が不可能となるおそれがある。

２点目は、液層Ｌ中にバブルＢＢが存在すると、液残りの原因となるおそれがあることである。例えば、図１４（ａ）のように、基板Ｗの中心部以外の液層Ｌ中にバブルＢＢが存在すると、そのバブルＢＢを中心にホールが形成されることがある。例えば、バブルＢを中心としたホールの拡大と、基板Ｗの中心部に形成されたホールＨの拡大とが交わったときに、微小水滴が発生する。微小水滴は、その大きさが小さいほど、また、基板の中心部側に位置するほど、遠心力の影響が弱くなり、基板Ｗの外側に飛ばすことが難しくなる。なお、リンス液は脱気されており、バブルＢＢは何かの原因でまれに混入する。

また、３点目は、特許文献３のように、基板の中心部上方のノズル（吐出部）から純水を吐出し、純水を吐出しながらノズルを基板の外側に移動させると、液残りの原因となることである。すなわち、基板の中心部に向けて吐出された純水は、あらゆる方向に流れる。そして、その状態で、ノズルの基板の外縁部側に移動させると、ノズルの移動と反対方向にも純水が流れる。このノズルの移動と反対方向に流れる純水が原因となり、結果的に微小水滴となって基板の中心部付近に残ってしまうことがある。上述のように、基板上に残った微小水滴は、基板の中心部側に位置するほど、また、微小水滴のサイズが小さいほど遠心力が弱く、微小水滴を基板外に飛ばすことが難しい。そのため、基板の中心部に向けて吐出している純水を基板の周縁部に向けて移動させる際に発生する微小水滴を考慮しなければならない。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、液残りを抑えつつ、基板の洗浄乾燥処理を行うことができる基板処理方法を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る基板処理方法は、撥水性を有する膜が表面に形成された基板を回転保持部により保持して回転させ、前記基板の表面に沿った方向に前記基板の中心部から予め設定された距離離れた位置に向けてノズルにより洗浄液またはリンス液である処理液の吐出を開始し、処理液の吐出開始直後より前記基板上で処理液を１本にまとまるように流し、処理液の吐出開始後、前記基板上に到達した処理液の広がりが一時的に前記基板の中心部まで及ばせ、前記ノズルで処理液を連続して吐出しながら、前記ノズルを前記基板の外側に向けて移動させることを特徴とするものである。

本発明に係る基板処理方法によれば、撥水性を有する膜が表面に形成された基板を回転保持部で保持して回転させた状態で、ノズルによる処理液の吐出を開始する。なお、処理液は、洗浄液またはリンス液である。処理液が基板上で複数に分離して流れると、分離する際に微小水滴が発生しやすくなる。しかしながら、処理液は、基板の中心部から予め設定された距離離れた位置に向けて吐出され、処理液の吐出開始直後より基板上で１本にまとまるように流される。これにより、微小水滴の発生を抑えることができる。また、ノズルにより処理液を連続して吐出しながら、ノズルを基板の外側に向けて移動させる。これにより、基板上で１本の流れとしてまとまった状態の処理液を維持しながら、処理液の流れ全体を基板の外側に向けて移動させることができる。なお、処理液の流れの内側は乾燥領域となる。したがって、液残りを抑えつつ、基板の洗浄乾燥処理を行うことができる。

なお、例えば、特許文献３のように、基板の中心部上方のノズルから純水を供給した状態で、ノズルを基板の外周部に移動させる場合、液残りが発生することがある。すなわち、基板の中心部に向けて吐出された純水は、あらゆる方向に流れる。そして、ノズルを基板の外周部に移動させると、ノズルの移動と反対方向に流れる純水が、ノズルにより順次吐出されて形成される純水の本流と分離する。この分離の際に微小水滴が発生しやすくなる。すなわち、ノズルにより吐出された全ての純水がまとまって一本の流れとなれば、微小水滴の発生が抑えられる。しかしながら、基板の中心部上方からノズルを移動させる際に、純水が分離し、微小水滴が発生する。基板中心部付近に残った微小水滴は、その後にノズルにより順次吐出されて形成される純水の本流に巻き込まれることがなく。また、遠心力の影響を受けにくいので、液残りとなる。本発明によれば、処理液の吐出開始直後より基板上で処理液を１本にまとまるように流しているので、基板の中心部に向けて吐出している処理液を基板の周縁部に移動させる際に処理液が分離することを防止し、微小水滴の発生を抑えることができる。

また、従来は、液層を形成していた。しかしながら、基板表面の撥水性が益々高くなり液層形成が難しくなると、液層を形成するだけで時間がかかってしまい、また、基板サイズが大きいほど更に時間がかかってしまう。これにより、液層形成時間の増加するおそれ、あるいは液層形成自体が不可能となるおそれがあった。本発明によれば、基板全面に液層を形成しないので、液層形成の問題を解消することができる。また、時間がかかる等の液層形成を行わないので、スループットを向上させることができる。また、本発明では、液層を形成しないので、液層中に存在するバブルの影響の問題を解消することができる。

また、回転する基板上に到達した処理液の広がりが一時的に基板の中心部まで及ぶので、ノズルの中心部から予め設定された距離離れた位置に向けて処理液を吐出した場合であっても、基板の中心部を処理液で処理することができる。

また、本発明に係る基板処理方法の好ましい一例は、前記ノズルの移動は、前記基板の外側の予め設定された位置を軸に前記ノズルを旋回させることにより行うことである。基板の外側の予め設定された位置を軸にノズルを旋回させることで、基板上で１本の流れとしてまとまった処理液を維持しながら、処理液の流れ全体を基板の外側に移動させることができる。

また、本発明に係る基板処理方法の好ましい一例は、前記ノズルの移動は、前記基板の半径方向に前記ノズルを直線移動させることにより行われることである。基板の半径方向にノズルを直線移動させることで、基板上で１本の流れとしてまとまった状態の処理液を維持しながら、処理液の流れ全体を基板の外側に移動させることができる。

また、本発明に係る基板処理方法の好ましい一例は、前記処理液は、リンス無しの洗浄液であることである。これにより、処理時間を短縮することができる。

また、本発明に係る基板処理方法の好ましい一例は、前記基板は、液浸法による露光処理後の未洗浄の基板であることである。液浸法による露光処理後の未洗浄の基板は、液浸法による露光処理時の液浸液が残った状態の基板である。このような基板に対し、液残りを抑えつつ、基板の洗浄乾燥処理を行うことができる。

本発明に係る基板処理方法によれば、撥水性を有する膜が表面に形成された基板を回転保持部で保持して回転させた状態で、ノズルによる処理液の吐出を開始する。処理液が基板上で複数に分離して流れると、分離する際に微小水滴が発生しやすくなる。しかしながら、処理液は、基板の中心部から予め設定された距離離れた位置に向けて吐出され、処理液の吐出開始直後より基板上で１本にまとまるように流される。これにより、微小水滴の発生を抑えることができる。また、ノズルにより処理液を連続して吐出しながら、ノズルを基板の外側に向けて移動させる。これにより、基板上で１本の流れとしてまとまった状態の処理液を維持しながら、処理液の流れ全体を基板の外側に向けて移動させることができる。なお、処理液の流れの内側は乾燥領域となる。したがって、液残りを抑えつつ、基板の洗浄乾燥処理を行うことができる。

実施例１に係る基板処理装置の概略平面図である。 実施例１に係る基板処理装置の概略縦断面図である。 実施例１に係る基板処理装置の概略右側面図である。 実施例１に係る基板処理装置の概略左側面図である。 （ａ）は、実施例１に係る洗浄乾燥ユニットの概略平面図であり、（ｂ）は、実施例１に係る洗浄乾燥ユニットの概略縦断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、ノズルを旋回させる場合の基板の洗浄乾燥処理の経過を示す図である。 （ａ）〜（ｆ）は、ノズルを旋回させる場合の基板の洗浄乾燥処理の経過を示す図である。 基板中心部からのノズル距離量を変化させたときの水滴評価結果を示す図である。 基板回転数を変化させたときの水滴評価結果を示す図である。 処理液流量を変化させたときの水滴評価結果を示す図である。 基板中心部からのノズル距離量と処理液流量を変化させたときの予測を含む水滴評価結果を示す図である。 （ａ）は、実施例２に係る洗浄乾燥ユニットの概略平面図であり、（ｂ）は、実施例２に係る洗浄乾燥ユニットの概略縦断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、ノズルを直線移動させる場合の基板の洗浄乾燥処理の経過を示す図である。 （ａ）〜（ｆ）は、従来の基板処理方法を説明するための図である。 （ａ）〜（ｆ）は、従来の基板処理方法を説明するための図である。

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、基板処理装置１の概略平面図であり、図２は、基板処理装置１の概略縦断面図である。図３は、基板処理装置１の概略右側面図であり、図４は、基板処理装置１の概略左側面図である。

図１を参照する。基板処理装置１は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と呼ぶ）３と、処理部５と、インターフェース部（以下、「ＩＦ部」と呼ぶ）７とを備えている。ＩＤ部３、処理部５およびＩＦ部７は、この順で隣接して設けられている。ＩＦ部７には、更に、基板処理装置１とは別の露光機ＥＸＰが隣接して設けられている。以下、各構成を順番に説明する。

［ＩＤ部３］
ＩＤ部３は、複数枚の基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗを収容するキャリアＣを載置するキャリア載置台９と、２つのＩＤ部内搬送機構（以下適宜、「搬送機構」と呼ぶ）ＴＡ１、ＴＡ２とを備えている。搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、いわゆる搬送ロボットである。搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、キャリアＣから基板Ｗを取り出して例えば載置部ＰＳ１ａに基板Ｗを搬送し、処理部５から搬出され、例えば載置部ＰＳ１ｂ（図２参照）に搬送された基板Ｗを受け取って各キャリアＣに収納する（戻す）ものである。搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、１又は２本の基板Ｗを保持する保持アーム１１と、保持アーム１１を上下および水平方向に移動させ、保持アーム１１を上下（Ｚ方向）軸心周りに旋回させる保持アーム支持台１３とを備えている。

なお、図１において、キャリア載置台９は、２つ設けられているが、１つ又は３つ以上であってもよい。また、搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、２つ設けられているが、３つ以上であってもよく、また、１つで構成され、基板処理装置１の幅方向（Ｙ方向）に移動可能に構成されていてもよい。なお、キャリアＣは、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）が例示されるが、その他のものであってもよい。

［処理部５］
処理部５は、図２のように、４つの処理ブロックＢ１〜Ｂ４を備えている。各処理ブロックＢ１〜Ｂ４は、図１のように、符号ＰＨＰ、符号ＣＰ、符号ＨＰ、符号ＲＥＳＩＳＴ、符号ＤＥＶ等の１以上の処理ユニットＵと、単一の主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４とを備えている。また、各処理ブロックＢ１〜Ｂ４は、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４により基板Ｗを搬送するための搬送スペースＡ１〜Ａ４が設けられている。各搬送スペースＡ１〜Ａ４は、Ｘ方向に長手に設けられている。そして、各搬送スペースＡ１〜Ａ４の両側に、図３の処理ユニットＵおよび図４の処理ユニットＵが設けられている。

＜処理ブロックＢ１，Ｂ３＞
２つの処理ブロックＢ１，Ｂ３は各々、図３のように、基板Ｗに反射防止膜を形成する反射防止膜用の塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜を形成するレジスト膜用の塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを備えている。各処理ブロックＢ１，Ｂ３は、塗布処理ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳＩＳＴを、水平方向２つ、かつ上下方向に２つの２列×２段で配置できるようになっている。

各塗布処理ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳＩＳＴは、図１のように、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部２１と、基板Ｗに塗布液（例えばレジスト液）を供給する塗布液供給部２３と等を備えている。塗布液供給部２３は、複数の塗布ノズル２５の中の１つの塗布ノズル２５を選択し、塗布ノズル２５の待機位置と基板Ｗの上方の塗布位置の間を移動できるようになっている。

また、各処理ブロックＢ１，Ｂ３は、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット２７を備えている。熱処理ユニット２７は、図４のように、基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰと、密着強化処理ユニットＰＡＨＰとを備えている。密着強化処理ユニットＰＡＨＰは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の密着強化剤を基板Ｗに塗布して加熱することで、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるものである。熱処理ユニット２７は、例えば、水平方向に３つ、かつ縦方向５つの３列×５段で配置できるようになっている。また、各熱処理ユニット２７は、図１のように、基板Ｗを載置するプレート２９を備えている。

＜処理ブロックＢ２，Ｂ４＞
一方、２つの処理ブロックＢ２，Ｂ４は各々、図３のように、基板Ｗを現像する現像処理ユニットＤＥＶを備えている。各処理ブロックＢ２，Ｂ４は、現像処理ユニットＤＥＶを、水平方向３つ、かつ上下方向に２つの３列×２段で配置できるようになっている。また、現像処理ユニットＤＥＶは、図１のように、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３１と、現像液を供給する処理液供給部３３と等を備えている。処理液供給部３３は、現像液を吐出するノズル３５と、ノズル３５をＸ方向に移動可能に支持するガイドレール３７とを備えている。

また、各処理ブロックＢ２，Ｂ４は、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット３９を備えている。熱処理ユニット３９は、図４のように、基板Ｗを加熱する加熱ユニットＨＰと、基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰと、加熱冷却ユニットＰＨＰとを備えている。熱処理ユニット３９は、例えば、水平方向に４つ、かつ縦方向５つの４列×５段で配置できるようになっている。

なお、各処理ブロックＢ１〜Ｂ４において、各種の処理ユニットＵの種類、個数および配置等は、図３および図４のものに限定されず、適宜、設定されている。

＜ＩＤ部３とＩＦ部７との間の基板搬送＞
次に、ＩＤ部３とＩＦ部７との間の基板搬送について説明する。基板搬送は、各主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４により、載置台ＰＳ１ａ〜ＰＳ６ａ，ＰＳ１ｂ〜ＰＳ６ｂを介して行われる。各主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、図２のように、基板Ｗを保持するための２本の保持アーム４１と、各々の保持アーム４１を水平方向に移動させ、保持アーム４１の向きを軸Ｑ周りに変えられるアーム支持台４３と、アーム支持台４３を２次元方向（ＸＺ方向）に移動するアーム支持台移動部４５とを備えている。アーム支持台移動部４５は、アーム支持台４３をＸ方向に移動可能に支持するガイドレール４７と、アーム支持台４３をＺ方向に移動可能に支持するガイドレール４９とを備えている。

これにより、例えば、主搬送機構ＴＢ１は、処理ブロックＢ１の各種の処理ユニットＵ、および４つの載置部ＰＳ１ａ，ＰＳ１ｂ，ＰＳ３ａ，ＰＳ３ｂに対し、基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかを行うことができる。主搬送機構ＴＢ２〜ＴＢ４も同様である。

また、処理ブロックＢ１，Ｂ２では、処理ユニットＵを除いて、次のように基板搬送される。ＩＤ部３からＩＦ部７に基板搬送する場合は、順番に、載置部ＰＳ１ａ、載置部ＰＳ３ａ、載置部ＰＳ５ａに基板Ｗが搬送される。逆に、ＩＦ部７からＩＤ部３に基板搬送する場合は、順番に、載置部ＰＳ５ｂ、載置部ＰＳ３ｂ、載置部ＰＳ１ｂに基板Ｗが搬送される。一方、処理ブロックＢ３，Ｂ４では、処理ユニットＵを除いて、次のように基板搬送される。ＩＤ部３からＩＦ部７に基板搬送する場合は、順番に、載置部ＰＳ２ａ、載置部ＰＳ４ａ、載置部ＰＳ６ａに基板Ｗが搬送される。逆に、ＩＦ部７からＩＤ部３に基板搬送する場合は、順番に、載置部ＰＳ６ｂ、載置部ＰＳ４ｂ、載置部ＰＳ２ｂに基板Ｗが搬送される。

［ＩＦ部７］
ＩＦ部７は、処理部５から搬出された基板Ｗを外部装置である露光機ＥＸＰに搬送し、また、露光機ＥＸＰから搬出された露光処理後の基板Ｗを処理部５に戻すためのものである。ＩＦ部７は、図１のように、第１の処理部側搬送機構（以下適宜、「搬送機構」と呼ぶ）ＴＣ１と、第２の処理部側搬送機構（以下適宜、「搬送機構」と呼ぶ）ＴＣ２と、単一の露光機側搬送機構（以下適宜、「搬送機構」と呼ぶ）ＴＤとを備えている。搬送機構ＴＣ１，ＴＣ２，ＴＤは、搬送機構ＴＡ１，ＴＡ２と同様に構成されているので、説明を省略する。

また、ＩＦ部７は、冷却機能を有する載置兼冷却部Ｐ−ＣＰと、載置台ＰＳ７と、送りバッファ部ＳＢＦと、戻りバッファ部ＲＢＦとを備えている。また、ＩＦ部７は、処理ユニットＵとして、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰと、露光処理前の基板Ｗを洗浄し、乾燥させる露光前の洗浄乾燥ユニット５１と、露光処理後の基板Ｗを洗浄し、乾燥させる露光後の洗浄乾燥ユニット５３とを備えている（図１〜図４参照）。

エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部で保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。加熱冷却ユニットＰＨＰは、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行う。なお、洗浄乾燥ユニット５１，５３についての詳細は、後で説明する。

なお、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、載置台ＰＳ７、送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦは、１枚以上の基板Ｗを載置できるように構成されている。また、エッジ露光ユニットＥＥＷ、加熱冷却ユニットＰＨＰ、露光前の洗浄乾燥ユニット５１、および露光後の洗浄乾燥ユニット５３は、１つ以上で構成される。なお、エッジ露光ユニットＥＥＷは、処理部５の２つの処理ブロックＢ２，Ｂ４に設けられてもよい。各種の処理ユニットＵの種類、個数および配置等は、図１〜図４のものに限定されず、適宜、設定されている。

２つの搬送機構ＴＣ１，ＴＣ２は各々、載置部ＰＳ５ａ，ＰＳ５ｂ，ＰＳ６ａ，ＰＳ６ｂ、エッジ露光ユニットＥＥＷ、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、載置部ＰＳ７および加熱冷却ユニットＰＨＰ、送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦに対し、基板Ｗを受け取りおよび引き渡しを行う。また、搬送機構ＴＤは、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、露光機ＥＸＰおよび載置部ＰＳ７に対し、基板Ｗを受け取りおよび引き渡しを行う。

［制御系の構成］
基板処理装置１は、主制御部６１と入出力部６３を備えている。主制御部６１および入出力部６３は、図１のように、例えば、ＩＤ部３に設置されている。主制御部６１は、ＩＤ部３、処理部５およびＩＦ部７の各構成を統括的に制御し、ＣＰＵ等によって構成されている。具体的には、主制御部６１は、搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４および処理ユニットＵ等の動作を制御する。

入出力部６３は、例えばＩＤ部３の側壁に取り付けられている。入出力部６３は、基板処理装置１における基板Ｗの搬送状況や処理状況を表示する。また、ユーザは、入出力部６３の表示に関連する命令や、搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４等および処理ユニットＵの動作に関連する命令を入出力部６３により入力可能である。

［基板処理装置１の動作］
次に、図１〜図４を参照して基板処理装置１の動作を説明する。なお、処理部５において、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２と、２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４は、並行に、同じ一連の処理が行われる。そのため、処理部５の説明は、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２を代表して説明する。

ＩＤ部３の例えば搬送機構ＴＡ１は、ユーザ等によりキャリア載置台９に搬送されたキャリアＣから基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを載置部ＰＳ１ａに搬送する。処理ブロックＢ１では、主搬送機構ＴＢ１により、順番に、冷却ユニットＣＰ，塗布処理ユニットＢＡＲＣ，加熱冷却ユニットＰＨＰ，冷却ユニットＣＰ，塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ，加熱冷却ユニットＰＨＰ，冷却ユニットＣＰに搬送され、各々において処理が行われる。そして、全ての処理が終了した基板Ｗは、載置部ＰＳ３ａに搬送される。載置部ＰＳ３ａに搬送された基板Ｗは、更に、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２により、載置部ＰＳ５ａに搬送される。なお、塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴでは、レジストを塗布して、例えばフッ素を含んだ撥水性を有するレジスト膜を形成する。また、基板Ｗと反射防止膜との密着性を得るために、密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬送するようにしてもよい。

載置部ＰＳ５ａに搬送された基板Ｗは、ＩＦ部７の搬送機構ＴＣ１，ＴＣ２により、順番に、エッジ露光ユニットＥＥＷ、露光前の洗浄乾燥ユニット５１、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送され、各々において所定の処理が行われる。なお、ＩＦ部７において、露光前の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ等に搬送できないときは、基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに一時的に保管する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送された基板Ｗは、ＩＦ部７の搬送機構ＴＤにより、露光機ＥＸＰに搬送される。

露光機ＥＸＰでは、液浸法による露光処理が行われる。露光処理後の基板Ｗは、ＩＦ部７の搬送機構ＴＤにより、載置部ＰＳ７に搬送される。載置部ＰＳ７に搬送された基板Ｗは、ＩＦ部７の搬送機構ＴＣ１，ＴＣ２により、順番に、露光後の洗浄乾燥ユニット５３、加熱冷却ユニットＰＨＰ、載置部ＰＳ５ｂに搬送され、各々において所定の処理が行われる。なお、ＩＦ部７において、露光後の基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ等に搬送できないときは、基板Ｗを戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に保管する。なお、露光後の洗浄乾燥ユニット５３には、液浸法による露光処理後の未洗浄の基板Ｗ、すなわち、液浸法による露光処理時の液浸液が残った状態の基板Ｗが搬送される。洗浄乾燥ユニット５３は、液残りのない基板Ｗの洗浄乾燥処理を実現できる。

載置部ＰＳ５ｂに搬送された基板Ｗは、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２により、順番に、冷却ユニットＣＰ，現像処理ユニットＤＥＶ，加熱ユニットＨＰ，冷却ユニットＣＰ、載置部ＰＳ３ｂに搬送され、各々において所定の処理が行われる。載置部ＰＳ３ｂに搬送された基板Ｗは、更に、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１により、載置部ＰＳ１ｂに搬送される。載置部ＰＳ１ｂに搬送された基板Ｗは、ＩＤ部３の例えば搬送機構ＴＡ１により、キャリア載置台９の元のキャリアＣに戻される。全ての基板ＷがキャリアＣに戻されたとき、ユーザ等は、そのキャリアＣを他の装置に搬送する。

［洗浄乾燥ユニット５１，５３］
次に、洗浄乾燥ユニット５１，５３について詳細に説明する。図５（ａ）は、洗浄乾燥ユニット５１，５３の概略平面図であり、図５（ｂ）は、洗浄乾燥ユニット５１，５３の概略縦断面図である。洗浄乾燥ユニット５１，５３は、基板Ｗを水平姿勢で保持し、保持した基板Ｗを回転させるスピンチャック８１と、スピンチャック８１に保持された基板Ｗの表面に処理液ＰＬを吐出するノズル（又は「液供給ノズル」と呼ぶ）８３とを備えている。

スピンチャック８１は、基板Ｗの中心部を通る鉛直な軸ＡＸ１周りに基板Ｗを回転させるようになっている。すなわち、基板Ｗの中心部は、基板Ｗの回転中心軸ＡＸ１と一致するので、基板Ｗの中心部を符号ＡＸ１で示す。また、スピンチャック８１には、図示しない吸気路が形成されており、その吸気路内を排気することにより、基板Ｗの裏面を真空吸着して保持するようになっている。スピンチャック８１は、モータ等のチャック回転機構８５により回転される。なお、スピンチャック８１およびチャック回転機構８５は、本発明の回転保持部に相当する。

スピンチャック８１で保持される基板Ｗの外側の予め設定された位置には、軸ＡＸ２周りに回転可能に支持されたノズル回転軸８７が設けられている。ノズル８３とノズル回転軸８７は、棒状のノズル用アーム８９により連結されている。なお、ノズル回転軸８７は、モータ等のノズル移動機構９１により旋回される。これにより、ノズル８３は、基板Ｗの外側の予め設定された位置に設定された軸ＡＸ２周りに旋回されることで、基板Ｗ上方にあるノズル８３を基板Ｗの外側に移動することができる。ノズル８３は、例えば、基板Ｗの中心部ＡＸ１上方と、基板Ｗ外側の所定の退避位置との間で双方向に移動可能である。

ノズル回転軸８７およびノズル用アーム８９には、ノズル８３に処理液ＰＬを供給するための処理液供給管９３が設けられている。処理液供給管９３には、バルブ９５を介して処理液供給源９７が接続されている。バルブ９５は、開閉を制御することで、処理液ＰＬの供給量を調整できるようになっている。処理液ＰＬとしては、例えば純水が用いられる。また、スピンチャック８１に保持された基板Ｗは、カップ９９内に収容される。カップ９９は、昇降可能な上側カップ部１０１と、下側カップ部１０３とを備えている。下側カップ部１０３には、基板Ｗから飛散した処理液ＰＬを回収するための排液口１０３ａと、排気するための排気口１０３ｂが設けられている。

次に、洗浄乾燥ユニット５１，５３の動作について説明する。図６（ａ）〜図６（ｆ）および図７（ａ）〜図７（ｆ）は、ノズル８３を旋回させる場合の基板Ｗの洗浄乾燥処理の経過を示す図である。搬送機構ＴＣ１，ＴＣ２は、基板Ｗをスピンチャック８１上に搬送する。基板搬送後に、上側カップ部１０１は、図示しない昇降機構により上昇され、基板Ｗの側面を覆う。基板Ｗは、スピンチャック８１により保持されている。スピンチャック８１は、チャック回転機構８５により回転され、これに伴い、基板Ｗは回転される。

スピンチャック８１により基板Ｗが保持された後、ノズル８３は、基板Ｗの外側に設定された軸ＡＸ２周りにノズル移動機構９１により旋回されて、処理液ＰＬ（例えば純水）を吐出する位置に移動される。処理液ＰＬを吐出する位置は、基板Ｗの表面に沿った方向に基板Ｗの中心部ＡＸ１から予め設定された距離Ｄ離れた位置である。

ノズル８３は、図６（ａ）および図６（ｂ）のように、回転する基板Ｗの表面上に処理液ＰＬを吐出する。ノズル８３は、基板Ｗの表面に沿った方向に基板Ｗの中心部ＡＸ１を基準に予め設定された距離Ｄ離れた位置に向けて処理液ＰＬの吐出を開始する。このとき、ノズル８３は、基板Ｗの中心部ＡＸ１から予め設定された距離Ｄ離れた位置の基板Ｗ上方に存在し、吐出口８３ａを真下に向けて処理液ＰＬを吐出する。

処理液ＰＬは、撥水性を有する例えばレジスト膜が表面に形成され、回転した状態の基板Ｗ上を流れるが、処理液ＰＬの吐出開始直後より基板Ｗ上で処理液ＰＬを１本にまとまるように流す。すなわち、処理液ＰＬは、処理液ＰＬの吐出開始直後より、一続きに帯状（又は筋状）に流される。そして、基板Ｗ上を１本の流れとしてまとまった状態の処理液ＰＬは、基板Ｗの周縁部から基板Ｗに排出される。

また、処理液ＰＬの吐出開始後、基板Ｗ上に到達した処理液ＰＬの広がりが、一時的に、基板Ｗの中心部ＡＸ１まで及ぶようになっている。これを実現するために、例えば、吐出する処理液ＰＬの流量を調整する。また、基板Ｗの表面に到達した処理液ＰＬが跳ね散らないように流量を調整する。このように、回転する基板Ｗの表面に到達した処理液ＰＬの広がり（処理液ＰＬの縁）が基板Ｗの中心部ＡＸ１に及ぶので、基板Ｗの中心部ＡＸ１から予め設定された距離Ｄ離れた位置に向けてノズル８３で処理液ＰＬを吐出した場合であっても、基板Ｗの中心部ＡＸ１を処理液ＰＬで洗浄することができる。

なお、基板Ｗの中心部ＡＸ１から距離Ｄ離れた位置に処理液ＰＬの吐出を開始するにもかかわらず、基板の中心部ＡＸ１を処理液で処理し、また、微小水滴が残ることを抑えるために、処理条件が設定される。処理条件は、例えば、中心部ＡＸ１からのノズル８３の距離（ノズル距離量Ｄ）、基板回転数（回転速度）、カップ９９の排気圧（Ｐａ）、ノズル８３の吐出口８３ａの大きさ、処理液の吐出流量（処理液流量）および吐出圧力の少なくともいずれかを調整して設定される。

そして、ノズル８３により処理液ＰＬを連続して吐出しながら、基板Ｗの中心部ＡＸ１から予め設定された距離Ｄ離れた位置を基準にノズル８３を基板Ｗの外側に移動させる。すなわち、基板Ｗの外側に設定された軸ＡＸ２周りにノズル移動機構９１により旋回されて、ノズル８３は、順番に、図６（ｃ）、図６（ｅ）、図７（ａ）、図７（ｃ）、図７（ｅ）のように、基板Ｗ外に移動される。なお、図７（ｅ）および図７（ｆ）のように、ノズル８３が基板Ｗの周縁部上方に位置する場合に、処理液ＰＬの吐出を停止しているが、ノズル８３が基板Ｗの外側に位置する場合に処理液ＰＬの吐出を停止してもよい。ノズル８３は、最終的には、基板Ｗの外側の退避位置に移動される。

基板Ｗの外側の軸ＡＸ２周りにノズル８３を旋回させることで、基板Ｗ上で１本の流れとしてまとまった処理液ＰＬを維持しながら、処理液ＰＬの流れ全体を基板Ｗの外側に移動させることができる。また、このとき、ノズル８３により処理液ＰＬを吐出して基板Ｗを洗浄しつつ、ノズル８３の移動の反対側では、基板Ｗの乾燥が行われる。処理液ＰＬの１本の流れが維持されるので、微小水滴が残ることなく基板Ｗを乾燥させることができる。

なお、基板Ｗの回転速度は一定であるが、処理液ＰＬの１本の流れが維持されるのであれば、ノズル８３の移動途中で、基板の回転速度を変えてもよい。

［水滴評価結果］
次に、図８〜図１１を参照しつつ、発明の評価結果について説明する。なお、図８〜図１１において、処理液ＰＬの流量、ノズル距離量Ｄ、および基板回転数のいずれかを変化させて、基板中心部ＡＸ１の洗浄がされたか否か、および基板中心部ＡＸ１の洗浄がされた場合の基板Ｗ上の液残りの有無を調べている。

まず、図８は、処理液流量：５００ｍｌ／ｍｉｎ、および基板回転数：６００ｒｐｍで固定し、基板中心部ＡＸ１からのノズル８３の距離を示すノズル距離量Ｄを変化させたときの水滴評価結果である。図８の結果によれば、ノズル距離量Ｄが８ｍｍ以上１３ｍｍ以下で、基板中心部ＡＸ１が洗浄され、基板Ｗ上に液残りが無い良好な結果を得た。これに対し、ノズル距離量Ｄが小さい（８ｍｍ未満）場合は、基板中心部ＡＸ１付近（基板中心部ＡＸ１を含む）に液残りが有った。また、ノズル距離量Ｄが大きい（１３ｍｍを超える）場合は、基板中心部ＡＸ１が洗浄されなかった。

また、図９は、処理液流量：５００ｍｌ／ｍｉｎ、およびノズル距離量Ｄ：１０ｍｍと固定し、基板回転数を変化させたときの水滴評価結果である。図９の結果によれば、基板回転数が２００ｒｐｍ以上８００ｒｐｍ以下で、基板中心部ＡＸ１が洗浄され、基板Ｗ上に液残りがない良好な結果を得た。これに対し、基板回転数が遅い（２００ｒｐｍ未満）場合は、基板中心部ＡＸ１付近に液残りが有った。また、基板回転数が速い（８００ｒｐｍを超える）場合は、基板中心部ＡＸ１の洗浄がされなかった。

また、図１０は、基板回転数：６００ｒｐｍ、およびノズル距離量Ｄを１０ｍｍと固定して、処理液流量を変化させたときの水滴評価結果である。図１０の結果によれば、処理液流量が３００ｍｌ／ｍｉｎ以上７００ｍｌ／ｍｉｎ以下で、基板中心部ＡＸ１が洗浄され、基板Ｗ上に液残りがない良好な結果を得た。これに対し、処理液流量が多い（７００ｍｌ／ｍｉｎを超える）場合は、基板中心部ＡＸ１付近に液残りが有った。また、処理液流量が少ない（３００ｍｌ／ｍｉｎ未満）場合は、基板中心部ＡＸ１が洗浄されなかった。

図１１は、基板回転数を６００ｒｐｍで固定し、ノズル距離量Ｄと処理液流量を変化させたときの予測を含む水滴評価結果である。まず、図１１の見方を説明する。図１１中の「ＯＫ」および「ＮＧ」のように、大文字で示した評価結果は、図８および図１０のように評価結果があり、実際の評価結果を表している。一方、「ｏｋ」および「ｎｇ」のように、小文字で示した評価結果は、評価結果がなく予測を表している。

また、図１１中の「右斜線」のセルのように、ノズル距離量Ｄが小さく、処理液流量が多い場合は、基板中心部ＡＸ１付近に液残り（微小水滴）が発生しやすい。一方、図１１中の「ドット」のセルのように、ノズル距離量Ｄが大きく、処理液流量が少ない場合は、基板中心部ＡＸ１の洗浄がされていない可能性がある。そして、図１１中の「網目」のような領域においては、基板中心部ＡＸ１が洗浄され、基板Ｗ上に液残りがない良好な結果を得られることが予測される。

本実施例によれば、撥水性を有するレジスト膜等が表面に形成された基板Ｗをスピンチャック８１等で保持して回転させた状態で、ノズル８３による処理液ＰＬ（例えば純水）の吐出を開始する。処理液ＰＬが基板Ｗ上で複数に分離して流れると、分離する際に微小水滴が発生しやすくなる。しかしながら、処理液ＰＬは、基板Ｗの中心部ＡＸ１から予め設定された距離Ｄ離れた位置に向けて吐出され、処理液ＰＬの吐出開始直後より基板Ｗ上で１本にまとまるように流される。これにより、微小水滴の発生を抑えることができる。また、ノズル８３により処理液ＰＬを連続して吐出しながら、ノズル８３を基板Ｗの外側に向けて移動させる。これにより、基板Ｗ上で１本の流れとしてまとまった状態の処理液ＰＬを維持しながら、処理液ＰＬの流れ全体を基板Ｗの外側に向けて移動させることができる。なお、処理液ＰＬの流れの内側は乾燥領域となる。したがって、液残りを抑えつつ、基板Ｗの洗浄乾燥処理を行うことができる。

なお、例えば、特許文献３のように、基板Ｗの中心部ＡＸ１上方のノズル８３から純水を供給した状態で、ノズル８３を基板Ｗの外周部に移動させる場合、液残りが発生することがある。すなわち、基板Ｗの中心部ＡＸ１に向けて吐出された純水は、あらゆる方向に流れる。そして、ノズル８３を基板Ｗの外周部に移動させると、ノズル８３の移動と反対方向に流れる純水が、ノズル８３により順次吐出されて形成される純水の本流と分離する。この分離の際に微小水滴が発生しやすくなる。すなわち、ノズル８３により吐出された全ての純水がまとまって一本の流れとなれば、微小水滴の発生が抑えられるのである。しかしながら、基板Ｗの中心部ＡＸ１上方からノズル８３を移動させる際に、純水が分離し、微小水滴が発生する。基板Ｗ中心部ＡＸ１付近に残った微小水滴は、その後にノズル８３により順次吐出されて形成される純水の本流に巻き込まれることがなく。また、遠心力の影響を受けにくいので、液残りとなる。本発明によれば、処理液ＰＬの吐出開始直後より基板Ｗ上で処理液ＬＰを１本にまとまるように流しているので、基板Ｗの中心部ＡＸ１に向けて吐出している処理液ＰＬを基板Ｗの周縁部に移動させる際に処理液ＰＬが分離することを防止し、微小水滴の発生を抑えることができる。

また、従来は、液層Ｌを形成していた。しかしながら、基板Ｗ表面の撥水性が益々高くなり液層Ｌ形成が難しくなると、液層Ｌを形成するだけで時間がかかってしまい、また、基板Ｗサイズが大きいほど更に時間がかかってしまう。これにより、液層形成時間の増加するおそれ、あるいは液層形成自体が不可能となるおそれがあった。本発明によれば、基板Ｗ全面に液層Ｌを形成しないので、液層形成の問題を解消することができる。また、基板Ｗの中心部ＡＸ１に処理液を吐出して時間がかかる等の液層形成を行わないので、スループットを向上させることができる。また、本発明では、液層Ｌを形成しないので、液層Ｌ中に存在するバブルＢＢの影響の問題を解消することができる。

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図１２（ａ）は、洗浄乾燥ユニットの概略平面図であり、図１２（ｂ）は、洗浄乾燥ユニットの概略縦断面図である。図１３（ａ）〜図１３（ｆ）は、ノズルを直線移動させる場合の基板の洗浄乾燥処理の経過を示す図である。

実施例１の洗浄乾燥ユニット５１，５３では、基板Ｗの外側へのノズル８３の移動は、基板Ｗの外側の予め設定された位置を軸ＡＸ２にノズル８３を旋回させることにより行われていた。この点、実施例２では、基板Ｗの外側へのノズル８３の移動は、基板Ｗの半径方向にノズル８３を直線移動させることにより行われてもよい。

図１２（ａ）を参照する。ノズル用アーム８９は、一端にノズル８３が連結され、他端に回転しない固定軸１１１が連結されている。実施例１と同様に、ノズル用アーム８９および固定軸１１１は、ノズル８３に処理液ＰＬを供給するために、処理液供給管９３が設けられている。処理液供給管９３には、バルブ９５を介して処理液供給源９７が接続されている。

ノズル８３は、ノズル移動機構１１３により、ｍ方向に自在に移動される。ノズル移動機構１１３は、可動部１１５と、ガイドレール１１７と、図示しないモータ等の駆動部とを備えている。可動部１１５は、固定軸１１１を支持し、可動部１１５は、ガイドレール１１７に沿って（ｍ方向）移動可能に支持されている。すなわち、ノズル８３は、ノズル移動機構１１３により、基板Ｗの中心部ＡＸ１と、基板Ｗの中心部ＡＸ１から予め設定された距離Ｄ離れた位置と、基板Ｗの外側の退避位置との間で、基板Ｗの半径方向に移動される。

洗浄乾燥ユニット５１，５３の動作を簡単に説明する。図１３（ａ）のように、基板Ｗを回転させた状態で、基板Ｗの中心部ＡＸ１から予め設定された距離Ｄ離れた位置に向けてノズル８３により処理液ＰＬの吐出を開始する。処理液ＰＬは、吐出開始直後より基板Ｗ上で処理液ＰＬを一本にまとまるように流される。そして、図１３（ｂ）〜図１３（ｆ）のように、ノズル８３により処理液ＰＬを連続して吐出しながら、ノズル８３を基板Ｗの外側に向けて移動させる。基板Ｗの周縁部および基板Ｗの外側のいずれかにノズル８３が移動されると、処理液ＰＬの吐出を停止する。ノズル８３により処理液ＰＬを連続して吐出することで、基板Ｗ上の処理液ＰＬの１本の流れが途切れないようにする。また、処理液ＰＬを一本の流れとしてまとまった状態で流して、ノズル８３を移動させているので、微小水滴の発生を抑えることができる。なお、ノズル８３は、最終的に、退避位置に移動される。

本実施例によれば、基板Ｗの半径方向にノズル８３を直線移動させることで、基板Ｗ上で１本の流れとしてまとまった処理液ＰＬを維持しながら、処理液ＰＬの流れ全体を基板Ｗの外側に向けて移動させることができる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例１では、基板Ｗの外側の軸ＡＸ２周りにノズル８３を旋回させ、また、上述した実施例２では、ノズル８３を直線移動させていた。しかしながら、基板Ｗの外側へのノズル８３の移動は、これらに限定されない。例えば、実施例２において、ノズル８３は、ガイドレール１１７に沿ったｍ方向（１次元方向）にのみ移動することができたが、ｍ方向と直交するｎ方向にも移動可能にガイドレールを設け、ｍ方向およびｎ方向（２次元方向）に移動可能に構成してもよい。そして、例えば、図１２（ａ）において、一点鎖線のノズル８３の位置から矢印１１９の方向にノズル８３を移動させるようにしてもよい。なお、この場合は、２次元方向にノズル８３を移動させるので、１次元方向に移動させる場合よりも構成が複雑になってしまう。

（２）上述した各実施例および変形例（１）では、図５（ｂ）のように、ノズル８３の吐出口８３ａは、基板Ｗの表面に対して直交する方向（真下）に向いていたが、ノズル８３の吐出口８３ａが基板Ｗの表面に対して傾いていてもよい。すなわち、ノズル８３により吐出した処理液ＰＬが、基板Ｗの表面に沿った方向に基板Ｗの中心部ＡＸ１から予め設定された距離Ｄ離れた基板Ｗ上の位置に到達するようになっていればよい。

（３）上述した各実施例および各変形例では、撥水性を有する膜として、フッ素を含むレジスト膜を例示したが、これに限定されない。撥水性を有する膜として、レジスト膜の全面を覆うレジストカバー膜であってもよい。レジストカバー膜は、例えばフッ素樹脂で形成される。レジストカバー膜を形成する場合、処理ブロックＢ１，Ｂ３には、レジストカバー膜を形成する塗布処理ユニットＣＯＶが設けられる。また、処理ブロックＢ２，Ｂ４には、現像処理の前にレジストカバー膜を除去する除去ユニットＲＥＭが設けられる。

（４）上述した各実施例および各変形例では、処理液ＰＬの流れ全体を基板Ｗの外側に移動させる際に、特に不活性ガスを使用していない。しかし、これに限られるものではなく、ノズル８３から吐出された処理液ＰＬの基板中心部ＡＸ１の液膜が基板Ｗの外側へ向かって移動し始めるタイミングで、別途設けたガスノズルからＮ_２等の不活性ガスを基板Ｗの中心部ＡＸ１へ向けて供給し、処理液ＰＬの流れ全体の基板Ｗの外側に向けての移動と同期させてガスノズルも不活性ガスを吐出しながら基板Ｗの外側に向けて移動させ、処理液ＰＬの移動を補助するようにしてよい。

（５）上述した各実施例および各変形例では、ＩＦ部７の洗浄乾燥ユニット５１，５３のノズル８３は、処理液ＰＬとして、リンス（すすぎ）の必要のない、リンス無しの洗浄液（例えば純水）を基板Ｗに吐出していた。これにより、１回の処理で済むので、処理時間を短縮することができる。しかしながら、処理液ＰＬはリンス無しの洗浄液に限定されない。すなわち、処理液ＰＬは、洗浄液およびリンス液、あるいはリンス液のいずれかであってもよい。

洗浄液は、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、およびフッ素系薬液などのいずれかが用いられる。一方、リンス液は、例えば、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）および有機系の液体などのいずれかが用いられる。

基板Ｗを洗浄液で洗浄した後に、例えば、図６、図７、図１３のように、基板Ｗをリンス液ですすぐ。すなわち、撥水性を有するレジスト膜等が表面に形成された基板Ｗをスピンチャック８１に保持し、チャック回転機構８５により基板Ｗを回転させ、基板Ｗを洗浄液で洗浄した後、基板Ｗを回転させた状態で、基板Ｗの表面に沿った方向に基板Ｗの中心部ＡＸ１から予め設定された距離Ｄ離れた位置に向けてノズル８３によりリンス液の吐出を開始し、ノズル８３によりリンス液を連続して吐出しながら、ノズル８３を基板Ｗの外側に移動させる。

洗浄液による基板Ｗの洗浄は、例えば特許文献１〜３のように、公知な方法で行われてもよい。また、図６、図７、図１３のように、本発明の基板Ｗの洗浄乾燥処理方法で洗浄してもよい。

なお、洗浄液による基板Ｗの洗浄を、基板Ｗの回転を停止して行うことができるときは、基板Ｗの表面を洗浄液で洗浄した後、チャック回転機構８５により基板Ｗを回転させて、基板Ｗの表面をリンス液ですすぐようにしてもよい。

（６）上述した各実施例および各変形例では、洗浄乾燥ユニット５１，５３における基板Ｗの洗浄乾燥処理であったが、例えば、現像処理ユニットＤＥＶのリンス液を吐出して行う基板Ｗの洗浄乾燥処理においても適用可能である。但し、現像後の基板Ｗの表面のほぼ全面が撥水性を有する必要がある。適用例としては、撥水性を有するレジスト膜が形成され、現像処理後にレジスト膜に複数の微細なホールが形成された基板Ｗをリンス液で洗い流す場合が挙げられる。

１ … 基板処理装置
７ … インターフェース部（ＩＦ部）
３１ … 回転保持部
３３ … 処理液供給部
３５ … ノズル
３７ … ガイドレール
５１，５３… 洗浄乾燥ユニット
６１ … 主制御部
８１ … スピンチャック
８３ … ノズル
８５ … チャック回転機構
８７ … ノズル回転軸
８９ … ノズル用アーム
９１ … ノズル移動機構
１０３ｂ… 排気口
ＥＸＰ … 露光機
ＡＸ１ … 軸（基板の中心部）
ＡＸ２ … 軸
Ｄ … ノズル距離量

Claims (5)

1. 撥水性を有する膜が表面に形成された基板を回転保持部により保持して回転させ、
   前記基板の表面に沿った方向に前記基板の中心部から予め設定された距離離れた位置に向けてノズルにより洗浄液またはリンス液である処理液の吐出を開始し、処理液の吐出開始直後より前記基板上で処理液を１本にまとまるように流し、
   処理液の吐出開始後、前記基板上に到達した処理液の広がりが一時的に前記基板の中心部まで及ばせ、
   前記ノズルで処理液を連続して吐出しながら、前記ノズルを前記基板の外側に向けて移動させることを特徴とする基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記ノズルの移動は、前記基板の外側の予め設定された位置を軸に前記ノズルを旋回させることにより行われることを特徴とする基板処理方法。
3. 請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記ノズルの移動は、前記基板の半径方向に前記ノズルを直線移動させることにより行われることを特徴とする基板処理方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記処理液は、リンス無しの洗浄液であることを特徴とする基板処理方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記基板は、液浸法による露光処理後の未洗浄の基板であることを特徴とする基板処理方法。

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