TWI387034B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI387034B TW097134498A TW97134498A TWI387034B TW I387034 B TWI387034 B TW I387034B TW 097134498 A TW097134498 A TW 097134498A TW 97134498 A TW97134498 A TW 97134498A TW I387034 B TWI387034 B TW I387034B
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Miyagi Tadashi
Kanaoka Masashi
Shigemori Kazuhito
Yasuda Shuichi
Sanada Masakazu
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種用以對基板實施處理之基板處理裝置及基板處理方法。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板等各種基板進行各種處理而使用一種基板處理裝置。
此種基板處理裝置通常係對一片基板連續進行複數次不同之處理。日本專利特開2003-324139號公報中所記載之基板處理裝置係由索引器(indexer)區塊、反射防止膜用處理區塊、阻劑膜用處理區塊、顯影處理區塊及介面區塊構成。以與介面區塊相鄰接之方式配置有與基板處理裝置不為一體之作為外部裝置的曝光裝置。
於上述基板處理裝置中，自索引器區塊搬入之基板於反射防止膜用處理區塊及阻劑膜用處理區塊中經過反射防止膜之形成及阻劑膜之塗佈處理後，經由介面區塊被搬送至曝光裝置中。於曝光裝置中對基板上之阻劑膜進行曝光處理後，經由介面區塊將基板搬送至顯影處理區塊中。於顯影處理區塊中對基板上之阻劑膜進行顯影處理，藉此形成阻劑圖案後，將基板搬送至索引器區塊中。
近年來，伴隨裝置之高密度化及高積體化，阻劑圖案之微細化正成為重要課題。於習知之一般曝光裝置中，經由投影透鏡將光罩(reticle)之圖案縮小投影於基板上，藉此進行曝光處理。然而，於此種習知之曝光裝置中，由於曝光圖案之線寬係由曝光裝置之光源之波長而決定，因此阻劑圖案之微細化受到限制。
因此，作為可使曝光圖案更微細化之投影曝光方法，提出有液浸法(例如，參照國際公開第99/49504號說明書)。於專利文獻2之投影曝光裝置中，投影光學系統與基板之間充滿液體，而可使於基板表面上曝光之光短波長化。藉此，可使曝光圖案進一步微細化。
然而，於上述國際公開第99/49504號說明書之投影曝光裝置中，於基板與液體相接觸之狀態下進行曝光處理，因此基板以附著有液體之狀態自曝光裝置中搬出。因此，於將如上述國際公開第99/49504號說明書中所記載之使用液浸法之曝光裝置作為外部裝置而設置於上述日本專利特開2003-324139號公報之基板處理裝置上時，自曝光裝置搬出之基板上所附著的液體落入基板處理裝置內，而有發生基板處理裝置之電系統之異常等動作不良之虞。
又，若曝光處理後之基板上附著有液體，則存在灰塵等易於附著於該基板上，並且附著於基板之液體對形成於基板上之膜造成不良影響之情形。因此，有可能發生對基板之處理不良。
本發明之目的在於提供一種防止曝光裝置中因附著於基板上之液體造成之動作不良及處理不良的基板處理裝置及基板處理方法。
本發明之一態樣之基板處理裝置係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置，其具備用以對基板進行處理之處理部、用以於處理部與曝光裝置間進行基板之交接之交接部，而處理部及交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，乾燥處理單元包含將基板保持成大致水平之基板保持裝置、使由基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉之旋轉驅動裝置、將清洗液(rinse liquid)供給至由基板保持裝置保持之基板上之清洗液供給部、以及使清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板之中心部連續地供給至周緣部之清洗液供給移動機構，且旋轉驅動裝置以於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉且於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。
於該基板處理裝置中，藉由處理部對基板進行特定之處理，並藉由交接部將該基板自處理部交接至曝光裝置。藉由曝光裝置對基板進行曝光處理後，藉由交接部將該基板自曝光裝置交接至處理部。於由曝光裝置進行曝光處理前或曝光處理後，藉由乾燥處理單元對基板進行乾燥處理。
於乾燥處理單元中，在由基板保持裝置將基板保持成大致水平之狀態，藉由旋轉驅動裝置使其旋轉。然後，清洗液供給部一邊朝基板供給清洗液一邊藉由清洗液供給移動機構移動。藉此，將清洗液自基板之中心部連續地供給至周緣部。
藉由朝旋轉之基板中心部供給清洗液而於基板上形成清洗液之液層。其次，使基板上之清洗液之供給位置自基板之中心部向周緣部移動。藉此，於液層之中心部形成不存在清洗液之乾燥區域。之後，在環狀之液層於基板上保持一體之狀態下，藉由離心力使乾燥區域自液層之中心部朝外側擴大。此時，藉由液層之表面張力，可防止乾燥區域內形成微小液滴。
此處，基板周緣部之周速度大於基板中心部之周速度。因此，供給於基板周緣部之清洗液比供給於基板中心部之清洗液易於飛散。因此，於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉，於朝基板周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉。此時，可防止供給於基板周緣部之清洗液飛散。因此，可防止飛散之清洗液再次附著於基板之乾燥區域內，可確實地防止微小液滴殘留於基板上。
於對曝光處理後之基板進行上述乾燥處理之情形時，即便於曝光裝置中液體附著於基板上，亦可防止該液體落入基板處理裝置內。其結果，可防止基板處理裝置之動作不良。
又，可防止環境中之灰塵等附著於殘留在基板上之液體。更進一步，可防止殘留於基板上之液體對基板上之膜造成不良影響。因此，可防止基板之處理不良。
另一方面，於對曝光處理前之基板進行乾燥處理之情形時，藉由於基板上形成液層，可於曝光處理前去除已於曝光處理前之處理步驟中附著於基板上之灰塵等。其結果，可防止曝光裝置內之污染，可防止基板之處理不良。
本發明之其他態樣之基板處理裝置係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置，其具備用以對基板進行處理之處理部、用以於處理部與曝光裝置間進行基板之交接之交接部，而處理部及交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，乾燥處理單元包含將基板保持成大致水平之基板保持裝置、使由基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉之旋轉驅動裝置、將清洗液供給至由基板保持裝置保持的基板上之清洗液供給部、以及使清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部之清洗液供給移動機構，清洗液供給部按照以第1流量朝基板之中心部供給清洗液且以少於第1流量之第2流量朝基板之周緣部供給清洗液之方式，分階段地或連續地改變清洗液之流量。
於該基板處理裝置中，藉由處理部對基板進行特定之處理，並藉由交接部將該基板自處理部交接至曝光裝置。藉由曝光裝置對基板進行曝光處理後，藉由交接部將該基板自曝光裝置交接至處理部。於由曝光裝置進行之曝光處理前或曝光處理後，藉由乾燥處理單元對基板進行乾燥處理。
於乾燥處理單元中，在由基板保持裝置將基板保持成大致水平之狀態下，藉由旋轉驅動裝置使其旋轉。其次，清洗液供給部一邊朝基板供給清洗液一邊由清洗液供給移動機構移動。藉此，自基板之中心部朝周緣部連續地供給清洗液。
藉由朝旋轉之基板中心部供給清洗液而於基板上形成清洗液之液層。其次，使基板上清洗液之供給位置自基板之中心部朝周緣部移動。藉此，於液層之中心部形成不存在清洗液之乾燥區域。之後，於環狀液層於基板上保持一體之狀態下，藉由離心力使乾燥區域自液層之中心部朝外側擴大。此時，藉由液層之表面張力，可防止乾燥區域內形成微小液滴。
又，以第1流量朝基板之中心部供給清洗液，以少於第1流量之第2流量朝基板之周緣部供給清洗液。藉此，可防止供給於基板周緣部之清洗液飛散。因此，可防止飛散之清洗液再次附著於基板之乾燥區域內，並可確實地防止微小液滴殘留於基板上。
於對曝光處理後之基板進行上述乾燥處理之情形時，即便於曝光裝置中液體附著於基板上，亦可防止該液體落入基板處理裝置內。其結果，可防止基板處理裝置之動作不良。
又，可防止環境中之灰塵等附著於殘留在基板上之液體上。更進一步，可防止殘留於基板上之液體對基板上之膜造成不良影響。因此，可防止基板之處理不良。
另一方面，於對曝光處理前之基板進行乾燥處理之情形時，藉由於基板上形成液層，可於曝光處理前去除已於曝光處理前之處理步驟中附著於基板上之灰塵等。其結果，可防止曝光裝置內之污染，可防止基板之處理不良。
更進一步，本發明之其他態樣之基板處理裝置係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置，其具備用以對基板進行處理之處理部、用以於處理部與曝光裝置間進行基板之交接之交接部，而處理部及交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，乾燥處理單元包含將基板保持成大致水平之基板保持裝置、使由基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉之旋轉驅動裝置、將清洗液供給至由基板保持裝置保持之基板上之清洗液供給部、以及使清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板之中心部連續地供給至周緣部之清洗液供給移動機構，清洗液供給部按照以第1供給壓力朝基板中心部供給清洗液且以低於第1供給壓力之第2供給壓力朝基板周緣部供給清洗液之方式，分階段地或連續地改變清洗液之供給壓力。
於該基板處理裝置中，藉由處理部對基板進行特定之處理，並藉由交接部將該基板自處理部交接至曝光裝置。在藉由曝光裝置對基板進行曝光處理後，藉由交接部將該基板自曝光裝置交接至處理部。於由曝光裝置進行曝光處理前或曝光處理後，藉由乾燥處理單元對基板進行乾燥處理。
於乾燥處理單元中，在藉由基板保持裝置將基板保持成大致水平之狀態下，藉由旋轉驅動裝置使其旋轉。然後，清洗液供給部一邊朝基板供給清洗液一邊藉由清洗液供給移動機構而移動。藉此，自基板之中心部朝周緣部連續地供給清洗液。
藉由朝旋轉之基板中心部供給清洗液而於基板上形成清洗液之液層。其次，使基板上之清洗液之供給位置自基板之中心部朝周緣部移動。藉此，於液層之中心部形成不存在清洗液之乾燥區域。之後，在環狀液層於基板上保持一體之狀態下，藉由離心力使乾燥區域自液層之中心部朝外側擴大。此時，藉由液層之表面張力，可防止乾燥區域內形成微小液滴。
又，以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液，以低於第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液。藉此，可防止供給於基板周緣部之清洗液飛散。因此，可防止飛散之清洗液再次附著於基板之乾燥區域內，並可確實地防止微小液滴殘留於基板上。
在對曝光處理後之基板進行上述乾燥處理之情形時，即便於曝光裝置中液體附著於基板，亦可防止該液體落入基板處理裝置內。其結果，可防止基板處理裝置之動作不良。
又，可防止環境中之灰塵等附著於殘留在基板上之液體。更進一步，可防止殘留於基板上之液體對基板上之膜造成不良影響。因此，可防止基板之處理不良。
另一方面，在對曝光處理前之基板進行乾燥處理之情形時，藉由於基板上形成液層，可於曝光處理前去除已於曝光處理前之處理步驟中附著於基板上灰塵等。其結果，可防止曝光裝置內之污染，可防止基板之處理不良。
於朝離基板中心部特定距離之位置處供給清洗液之狀態下，清洗液供給移動機構亦可使上述清洗液供給部之移動暫時停止。
此時，可防止基板上之液層斷裂成複數個部分，且可確實地使一個乾燥區域自液層之中心部擴大。藉此，可穩定地進行基板之乾燥，同時可更確實地防止基板上形成微小液滴。
乾燥處理單元可更包含氣體供給部，該氣體供給部於由清洗液供給部朝遠離基板中心之位置處供給清洗液之狀態下，朝基板之中心部噴出氣體。
此時，於基板上之液層上形成乾燥區域之後不久，藉由氣體供給部朝基板之中心部噴出氣體，而可瞬間擴大該乾燥區域。藉此，可防止基板上之液層斷裂成複數個部分。因此，可穩定地進行基板之乾燥，同時可更確實地防止基板上形成微小液滴。
乾燥處理單元可更包含氣體供給移動機構，該氣體供給移動機構使氣體供給部移動，以使基板上之氣體供給位置在比上述清洗液供給部之清洗液供給位置更接近基板中心部之位置處自基板之中心部朝基板之周緣部移動。
此時，由於朝基板上之乾燥區域噴附氣體，因此可更確實地防止微小液滴殘留於乾燥區域內。又，由於可確實地擴大乾燥區域，因此可有效且確實地使基板乾燥。
處理部更包含於曝光處理前之基板形成由感光性材料構成之感光性膜之感光性膜形成單元、及對曝光處理後之基板進行顯影處理之顯影處理單元，乾燥處理單元可於由曝光裝置進行曝光處理後且由顯影處理單元進行顯影處理前，對基板進行乾燥處理。
此時，於對基板實施曝光處理至實施顯影處理之期間內，可防止液體殘留於感光性膜上。藉此，可防止於曝光處理後之感光性膜上所進行的反應受殘留液體阻礙。又，可防止曝光圖案因殘留液體而發生變形。因此，可確實地防止顯影處理時線寬精度下降等處理不良。
更進一步，本發明之其他態樣之基板處理方法係於以與曝光裝置相鄰接之方式配置、且包含處理部及交接部之基板處理裝置中對基板進行處理之基板處理方法，其包含：藉由處理部對基板進行曝光前之處理之步驟、藉由交接部將經處理部處理之基板自處理部交接至曝光裝置之步驟、藉由交接部將經曝光裝置曝光處理後之基板自曝光裝置交接至處理部之步驟、藉由處理部對基板進行曝光處理後之處理之步驟、以及於處理部及交接部之至少一者中對基板進行乾燥處理之步驟，對基板進行乾燥處理之步驟包含將基板保持成大致水平並使其圍繞垂直於基板之軸旋轉之步驟、自旋轉之基板之中心部朝周緣部連續地供給清洗液之步驟，於使基板旋轉之步驟中，按照於朝基板之中心部供給清洗液期間使基板以第1旋轉速度旋轉且於朝基板之周緣部供給清洗液期間使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。
於該基板處理方法中，藉由處理部對基板進行曝光處理前之處理，並藉由交接部將該基板自處理部交接至曝光裝置。在藉由曝光裝置對基板進行曝光處理後，藉由交接部將該基板自曝光裝置交接至處理部，對該基板進行曝光處理後之處理。於由曝光裝置進行之曝光處理前或曝光處理後，於處理部及交接部之至少一者中藉由乾燥處理單元對基板進行乾燥處理。
在乾燥處理時，於將基板保持成大致水平之狀態下使其旋轉。其次，自旋轉之基板中心部朝周緣部連續地供給清洗液。藉由朝旋轉之基板中心部供給清洗液而於基板上形成清洗液之液層。其次，使基板上清洗液之供給位置自基板之中心部朝周緣部移動。藉此，於液層之中心部形成不存在清洗液之乾燥區域。之後，於環狀液層於基板上保持一體之狀態下，藉由離心力使乾燥區域自液層之中心部朝外側擴大。此時，由於液層之表面張力，可防止乾燥區域內形成微小液滴。
又，於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉，於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉。藉此，可防止供給於基板周緣部之清洗液飛散。因此，可防止飛散之清洗液再次附著於基板之乾燥區域內，可確實地防止微小液滴殘留於基板上。
於對曝光處理後之基板進行上述乾燥處理之情形時，即便於曝光裝置中液體附著於基板上，亦可防止該液體落入基板處理裝置內。其結果，可防止基板處理裝置之動作不良。
又，可防止環境中之灰塵等附著於殘留在基板上之液體。更進一步，可防止殘留於基板上之液體對基板上之膜造成不良影響。因此，可防止基板之處理不良。
另一方面，於對曝光處理前之基板進行乾燥處理之情形時，藉由於基板上形成液層，可於曝光處理前去除已於曝光處理前之處理步驟中附著於基板之灰塵等。其結果，可防止曝光裝置內之污染，可防止基板之處理不良。
更進一步，本發明之其他態樣之基板處理方法係於以與曝光裝置相鄰接之方式配置、且包含處理部及交接部之基板處理裝置中對基板進行處理之基板處理方法，其包含：藉由處理部對基板進行曝光前之處理之步驟、藉由交接部將經處理部處理之基板自處理部交接至曝光裝置之步驟、藉由交接部將經曝光裝置曝光處理後之基板自曝光裝置交接至處理部之步驟、藉由處理部對基板進行曝光處理後之處理之步驟、以及於處理部及交接部之至少一者中對基板進行乾燥處理之步驟，而對基板進行乾燥處理之步驟包含將基板保持成大致水平並使其圍繞垂直於基板之軸旋轉之步驟、及自旋轉之基板中心部朝周緣部連續地供給清洗液之步驟，於供給清洗液之步驟中，按照以第1流量朝基板之中心部供給清洗液且以少於上述第1流量之第2流量朝基板之周緣部供給清洗液之方式，分階段地或連續地改變清洗液之流量。
於該基板處理方法中，藉由處理部對基板進行曝光處理前之處理，並藉由交接部將該基板自處理部交接至曝光裝置。在藉由曝光裝置對基板進行曝光處理後，藉由交接部將該基板自曝光裝置交接至處理部，對該基板進行曝光處理後之處理。於由曝光裝置進行之曝光處理前或曝光處理後，於處理部及交接部之至少一者中藉由乾燥處理單元對基板進行乾燥處理。
在乾燥處理時，於將基板保持成大致水平之狀態下使其旋轉。然後，自旋轉之基板中心部朝周緣部連續地供給清洗液。藉由朝旋轉之基板中心部供給清洗液而於基板上形成清洗液之液層。其次，使基板上清洗液之供給位置自基板之中心部朝周緣部移動。藉此，於液層之中心部形成不存在清洗液之乾燥區域。其後，於環狀液層於基板上保持一體之狀態下，藉由離心力使乾燥區域自液層之中心部朝外側擴大。此時，藉由液層之表面張力，可防止乾燥區域內形成微小液滴。
又，以第1流量朝基板之中心部供給清洗液，以少於第1流量之第2流量朝基板之周緣部供給清洗液。藉此，可防止供給於基板周緣部之清洗液飛散。因此，可防止飛散之清洗液再次附著於基板之乾燥區域內，可確實地防止微小液滴殘留於基板上。
於對曝光處理後之基板進行上述乾燥處理之情形時，即便於曝光裝置中液體附著於基板上，亦可防止該液體落入基板處理裝置內。其結果，可防止基板處理裝置之動作不良。
又，可防止環境中之灰塵等附著於殘留在基板上之液體。更進一步，可防止殘留於基板上之液體對基板上之膜造成不良影響。因此，可防止基板之處理不良。
另一方面，於對曝光處理前之基板進行乾燥處理之情形時，藉由於基板上形成液層，可於曝光處理前去除已於曝光處理前之處理步驟中附著於基板之灰塵等。其結果，可防止曝光裝置內之污染，並可防止基板之處理不良。
更進一步，本發明之其他態樣之基板處理方法係於以與曝光裝置相鄰接之方式配置、且包含處理部及交接部之基板處理裝置中對基板進行處理之基板處理方法，其包含：藉由處理部對基板進行曝光前之處理之步驟、藉由交接部將經處理部處理之基板自處理部交接至曝光裝置之步驟、藉由交接部將經曝光裝置曝光處理後之基板自曝光裝置交接至處理部之步驟、藉由處理部對基板進行曝光處理後之處理之步驟、以及於處理部及交接部之至少一者中對基板進行乾燥處理之步驟，對基板進行乾燥處理之步驟包含將基板保持成大致水平並使其圍繞垂直於基板之軸旋轉之步驟、及自旋轉之基板之中心部朝周緣部連續地供給清洗液之步驟，於供給清洗液之步驟中，按照以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液且以低於第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液之方式，分階段地或連續地改變清洗液之供給壓力。
於該基板處理方法中，藉由處理部對基板進行曝光處理前之處理，並藉由交接部將該基板自處理部交接至曝光裝置。在藉由曝光裝置對基板進行曝光處理後，藉由交接部將該基板自曝光裝置交接至處理部，對該基板進行曝光處理後之處理。於由曝光裝置進行之曝光處理前或曝光處理後，在處理部及交接部之至少一者中藉由乾燥處理單元對基板進行乾燥處理。
在乾燥處理時，於將基板保持成大致水平之狀態下使其旋轉。然後，自旋轉之基板中心部朝周緣部連續地供給清洗液。藉由朝旋轉之基板中心部供給清洗液而於基板上形成清洗液之液層。其次，使基板上清洗液之供給位置自基板之中心部朝周緣部移動。藉此，於液層之中心部形成不存在清洗液之乾燥區域。之後，於環狀液層於基板上保持一體之狀態下，藉由離心力使乾燥區域自液層之中心部朝外側擴大。此時，藉由液層之表面張力，可防止乾燥區域內形成微小液滴。
又，以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液，以低於第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液。藉此，可防止供給於基板周緣部之清洗液飛散。因此，可防止飛散之清洗液再次附著於基板之乾燥區域內，並可確實地防止微小液滴殘留於基板上。
於對曝光處理後之基板進行上述乾燥處理之情形時，即使於曝光裝置中液體附著於基板上，亦可防止該液體落入基板處理裝置內。其結果，可防止基板處理裝置之動作不良。
又，可防止環境中之灰塵等附著於殘留在基板上之液體。更進一步，可防止殘留於基板上之液體對基板上之膜造成不良影響。因此，可防止基板之處理不良。
另一方面，於對曝光處理前之基板進行乾燥處理之情形時，藉由於基板上形成液層，可於曝光處理前去除已於曝光處理前之處理步驟中附著於基板上之灰塵等。其結果，可防止曝光裝置內之污染，可防止基板之處理不良。
根據本發明，對由曝光裝置進行之曝光處理前或曝光處理後之基板進行乾燥處理。於對曝光處理後之基板進行乾燥處理之情形時，即便於曝光裝置中液體附著於基板上，亦可防止該液體落入基板處理裝置內。其結果，可防止基板處理裝置之動作不良。
又，可防止環境中之灰塵等附著於殘留在基板上之液體上。更進一步，可防止殘留於基板上之液體對基板上之膜造成不良影響。因此，可防止基板之處理不良。
另一方面，於對曝光處理前之基板進行乾燥處理之情形時，藉由於基板上形成液層，可於曝光處理前去除已於曝光處理前之處理步驟中附著於基板上之灰塵等。其結果，可防止曝光裝置內之污染，可防止基板之處理不良。
以下，使用圖式就本發明實施形態之基板處理裝置加以說明。於以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板等。
(1)基板處理裝置之構成
圖1係本發明一實施形態之基板處理裝置之俯視圖。再者，於圖1以及下述之圖2～圖4中，為了明確位置關係而附有表示彼此正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向係於水平面內彼此正交，Z方向相當於垂直方向。再者，於各方向中將箭頭所朝向之方向作為+方向，將與其相反之方向作為-方向。又，將以Z方向為中心之旋轉方向作為θ方向。
如圖1所示，基板處理裝置500包含索引器區塊9、反射防止膜用處理區塊10、阻劑膜用處理區塊11、顯影處理區塊12、阻劑覆蓋膜用處理區塊13、阻劑覆蓋膜去除區塊14及介面區塊15。又，以與介面區塊15相鄰接之方式配置曝光裝置16。於曝光裝置16中，利用液浸法對基板W進行曝光處理。
以下，索引器區塊9、反射防止膜用處理區塊10、阻劑膜用處理區塊11、顯影處理區塊12、阻劑覆蓋膜用處理區塊13、阻劑覆蓋膜去除區塊14及介面區塊15均稱為處理區塊。
索引器區塊9包含對各處理區塊之動作進行控制之主控制器(控制部)30、複數個載體載置台40及索引器機械裝置IR。於索引器機械裝置IR中設置有用以交接基板W之手部IRH。
反射防止膜用處理區塊10包含反射防止膜用熱處理部100、101，反射防止膜用塗佈處理部50及第1中心機械裝置(center robot)CR1。反射防止膜用塗佈處理部50隔著第1中心機械裝置CR1且對向於反射防止膜用熱處理部100、101而設置。於第1中心機械裝置CR1上下設置有用以交接基板W之手部CRH1、CRH2。
於索引器區塊9與反射防止膜用處理區塊10之間設置有環境阻斷用之隔離壁17。於該隔離壁17中，上下接近地設置有用以在索引器區塊9與反射防止膜用處理區塊10之間交接基板W之基板載置部PASS1、PASS2。上側之基板載置部PASS1於將基板W自索引器區塊9搬送至反射防止膜用處理區塊10時使用，下側之基板載置部PASS2於將基板W自反射防止膜用處理區塊10搬送至索引器區塊9時使用。
又，於基板載置部PASS1、PASS2中設置有檢測基板W之有無之光學式感測器(未圖示)。藉此，可進行基板W是否被載置於基板載置部PASS1、PASS2上之判定。又，於基板載置部PASS1、PASS2中設置有被固定設置之複數根支持銷。再者，於下述之基板載置部PASS3～PASS13中同樣設置有上述光學式感測器及支持銷。
阻劑膜用處理區塊11包含阻劑膜用熱處理部110、111，阻劑膜用塗佈處理部60及第2中心機械裝置CR2。阻劑膜用塗佈處理部60隔著第2中心機械裝置CR2且對向於阻劑膜用熱處理部110、111而設置。於第2中心機械裝置CR2中上下設置有用以交接基板W之手部CRH3、CRH4。
於反射防止膜用處理區塊10與阻劑膜用處理區塊11之間設置有環境阻斷用之隔離壁18。於該隔離壁18中，上下接近地設置有用以在反射防止膜用處理區塊10與阻劑膜用處理區塊11之間交接基板W之基板載置部PASS3、PASS4。上側之基板載置部PASS3於將基板W自反射防止膜用處理區塊10搬送至阻劑膜用處理區塊11時使用，下側之基板載置部PASS4於將基板W自阻劑膜用處理區塊11搬送至反射防止膜用處理區塊10時使用。
顯影處理區塊12包含顯影用熱處理部120、121，顯影處理部70及第3中心機械裝置CR3。顯影處理部70隔著第3中心機械裝置CR3且對向於顯影用熱處理部120、121而設置。於第3中心機械裝置CR3中，上下設置有用以交接基板W之手部CRH5、CRH6。
於阻劑膜用處理區塊11與顯影處理區塊12之間設置有環境阻斷用之隔離壁19。於該隔離壁19中，上下接近地設置有用以在阻劑膜用處理區塊11與顯影處理區塊12之間交接基板W之基板載置部PASS5、PASS6。上側之基板載置部PASS5於將基板W自阻劑膜用處理區塊11搬送至顯影處理區塊12時使用，下側之基板載置部PASS6於將基板W自顯影處理區塊12搬送至阻劑膜用處理區塊11時使用。
阻劑覆蓋膜用處理區塊13包含阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131，阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80及第4中心機械裝置CR4。阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80隔著第4中心機械裝置CR4且對向於阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131而設置。於第4中心機械裝置CR4中，上下設置有用以交接基板W之手部CRH7、CRH8。
於顯影處理區塊12與阻劑覆蓋膜用處理區塊13之間設置有環境阻斷用之隔離壁20。於該隔離壁20中，上下接近地設置有用以在顯影處理區塊12與阻劑覆蓋膜用處理區塊13之間交接基板W之基板載置部PASS7、PASS8。上側之基板載置部PASS7於將基板W自顯影處理區塊12搬送至阻劑覆蓋膜用處理區塊13時使用，下側之基板載置部PASS8於將基板W自阻劑覆蓋膜用處理區塊13搬送至顯影處理區塊12時使用。
阻劑覆蓋膜去除區塊14包含曝光後烘烤用熱處理部140、141、阻劑覆蓋膜去除用處理部90及第5中心機械裝置CR5。曝光後烘烤用熱處理部141與介面區塊15相鄰接，如後述，其具備基板載置部PASS11、PASS12。阻劑覆蓋膜去除用處理部90隔著第5中心機械裝置CR5且對向於曝光後烘烤用熱處理部140、141而設置。於第5中心機械裝置CR5中，上下設置有用以交接基板W之手部CRH9、CRH10。
於阻劑覆蓋膜用處理區塊13與阻劑覆蓋膜去除區塊14之間設置有環境阻斷用之隔離壁21。於該隔離壁21中，上下接近地設置有用以在阻劑覆蓋膜用處理區塊13與阻劑覆蓋膜去除區塊14之間交接基板W之基板載置部PASS9、PASS10。上側之基板載置部PASS9於將基板W自阻劑覆蓋膜用處理區塊13搬送至阻劑覆蓋膜去除區塊14時使用，下側之基板載置部PASS10於將基板W自阻劑覆蓋膜去除區塊14搬送至阻劑覆蓋膜用處理區塊13時使用。
介面區塊15包含傳送緩衝部SBF、洗淨/乾燥處理單元SD1、第6中心機械裝置CR6、邊緣曝光部EEW、返回緩衝部RBF、載置兼冷卻單元PASS-CP(以下簡稱為P-CP)、基板載置部PASS13、介面用搬送機構IFR及洗淨/乾燥處理單元SD2。再者，洗淨/乾燥處理單元SD1對曝光處理前之基板W進行洗淨及乾燥處理，洗淨/乾燥處理單元SD2對曝光處理後之基板W進行洗淨及乾燥處理。洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之詳細情況於後述。
又，於第6中心機械裝置CR6中，上下設置有用以交接基板W之手部CRH11、CRH12(參照圖4)，於介面用搬送機構IFR中，上下設置有用以交接基板W之手部H1、H2(參照圖4)。介面區塊15之詳細情況於後述。
於本實施形態之基板處理裝置500中，沿Y方向依序並設有索引器區塊9、反射防止膜用處理區塊10、阻劑膜用處理區塊11、顯影處理區塊12、阻劑覆蓋膜用處理區塊13、阻劑覆蓋膜去除區塊14及介面區塊15。
圖2係自+X方向觀察圖1之基板處理裝置500之概略側視圖，圖3係自-X方向觀察圖1之基板處理裝置500之概略側視圖。再者，於圖2中主要表示設置於基板處理裝置500之+X側者，於圖3中主要表示設置於基板處理裝置500之-X側者。
首先，使用圖2就基板處理裝置500之+X側之構成加以說明。如圖2所示，於反射防止膜用處理區塊10之反射防止膜用塗佈處理部50(參照圖1)中，上下疊層地配置有三個塗佈單元BARC。各塗佈單元BARC具備旋轉夾盤51及供給噴嘴52，上述旋轉夾盤51以水平姿勢吸附保持基板W並使其旋轉，上述供給噴嘴52朝保持於旋轉夾盤51上之基板W供給反射防止膜之塗佈液。
於阻劑膜用處理區塊11之阻劑膜用塗佈處理部60(參照圖1)中，上下疊層地配置有三個塗佈單元RES。各塗佈單元RES具備旋轉夾盤61及供給噴嘴62，上述旋轉夾盤61以水平姿勢吸附保持基板W並使其旋轉，上述供給噴嘴62向保持於旋轉夾盤61上之基板W供給阻劑膜之塗佈液。
於顯影處理區塊12之顯影處理部70中，上下疊層地配置有五個顯影處理單元DEV。各顯影處理單元DEV具備旋轉夾盤71及供給噴嘴72，上述旋轉夾盤71以水平姿勢吸附保持基板W並使其旋轉，上述供給噴嘴72朝保持於旋轉夾盤71上之基板W供給顯影液。
於阻劑覆蓋膜用處理區塊13之阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80中，上下疊層地配置有三個塗佈單元COV。各塗佈單元COV具備旋轉夾盤81及供給噴嘴82，上述旋轉夾盤81以水平姿勢吸附保持基板W並使其旋轉，上述供給噴嘴82朝保持於旋轉夾盤81上之基板W供給阻劑覆蓋膜之塗佈液。作為阻劑覆蓋膜之塗佈液，可使用與阻劑及水之親和力較低之材料(與阻劑及水之反應性較低之材料)。例如，氟樹脂。塗佈單元COV一邊使基板W旋轉一邊於基板W上進行塗佈塗佈液，藉此於形成於基板W上之阻劑膜上形成阻劑覆蓋膜。
於阻劑覆蓋膜去除區塊14之阻劑覆蓋膜去除用處理部90中，上下疊層地配置有三個去除單元REM。各去除單元REM具備旋轉夾盤91及供給噴嘴92，上述旋轉夾盤91以水平姿勢吸附保持基板W並使其旋轉，上述供給噴嘴92朝保持於旋轉夾盤91上之基板W供給剝離液(例如氟樹脂)。去除單元REM一邊使基板W旋轉一邊於基板W上塗佈剝離液，藉此將形成於基板W上阻劑覆蓋膜去除。
再者，去除單元REM中之阻劑覆蓋膜去除方法並不限定於上述例。例如，亦可於基板W之上方一邊使狹縫噴嘴移動一邊朝基板W上供給剝離液，藉此去除阻劑覆蓋膜。
於介面區塊15內之+X側，上下疊層地配置有邊緣曝光部EEW及三個洗淨/乾燥處理單元SD2。各邊緣曝光部EEW具備旋轉夾盤98及光照射器99，上述旋轉夾盤98以水平姿勢吸附保持基板W並使其旋轉，上述光照射器99對保持於旋轉夾盤98上之基板W之周邊進行曝光。
其次，使用圖3就基板處理裝置500之-X側之構成加以說明。如圖3所示，於反射防止膜用處理區塊10之反射防止膜用熱處理部100、101中，分別疊層配置有兩個加熱單元(加熱板)HP及兩個冷卻單元(冷卻板)CP。又，於反射防止膜用熱處理部100、101中，於最上部分別配置有對加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度進行控制之現場控制器LC(local controller)。
於阻劑膜用處理區塊11之阻劑膜用熱處理部110、111中，分別疊層配置有兩個加熱單元HP及兩個冷卻單元CP。又，於阻劑膜用熱處理部110、111中，於最上部分別配置有對加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度進行控制之現場控制器LC。
於顯影處理區塊12之顯影用熱處理部120、121中，分別疊層配置有兩個加熱單元HP及兩個冷卻單元CP。又，於顯影用熱處理部120、121中，於最上部分別配置有對加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度進行控制之現場控制器LC。
於阻劑覆蓋膜用處理區塊13之阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131中，分別疊層配置有兩個加熱單元HP及兩個冷卻單元CP。又，於阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131中，於最上部分別配置有對加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度進行控制之現場控制器LC。
於阻劑覆蓋膜去除區塊14之曝光後烘烤用熱處理部140中，上下疊層配置有兩個加熱單元HP及兩個冷卻單元CP，於曝光後烘烤用熱處理部141中上下疊層配置有兩個加熱單元HP，兩個冷卻單元CP及基板載置部PASS11、PASS12。又，於曝光後烘烤用熱處理部140、141中，於最上部分別配置有對加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度進行控制之現場控制器LC。
其次，使用圖4就介面區塊15加以詳細說明。
圖4係自+Y側觀察介面區塊15之概略側視圖。如圖4所示，於介面區塊15內，於-X側疊層配置有傳送緩衝部SBF及三個洗淨/乾燥處理單元SD1。又，於介面區塊15內，於+X側之上部配置有邊緣曝光部EEW。
於邊緣曝光部EEW之下方，於介面區塊15內之大致中央部上下疊層配置有返回緩衝部RBF、兩個載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS13。於邊緣曝光部EEW之下方，於介面區塊15內之+X側上下疊層配置有三個洗淨/乾燥處理單元SD2。
又，於介面區塊15內之下部，設置有第6中心機械裝置CR6及介面用搬送機構IFR。第6中心機械裝置CR6被設置成可於傳送緩衝部SBF及洗淨/乾燥處理單元SD1與邊緣曝光部EEW、返回緩衝部RBF、載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS13之間上下移動且旋轉。介面用搬送機構IFR被設置成可於返回緩衝部RBF、載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS13與洗淨/乾燥處理單元SD2之間上下移動且旋轉。
(2)基板處理裝置之動作
其次，一邊參照圖1～圖4一邊就本實施形態之基板處理裝置500之動作加以說明。
(2-1)索引器區塊～阻劑覆蓋膜去除區塊之動作
首先，就索引器區塊9～阻劑覆蓋膜去除區塊14之動作加以簡單說明。
將多層收納有複數片基板W之載體C搬入至索引器區塊9之載體載置台40上。索引器機械裝置IR使用手部IRH將收納於載體C內之未處理之基板W取出。其後，索引器機械裝置IR一邊於±X方向上移動一邊於±θ方向上旋轉移動，而將未處理之基板W載置於基板載置部PASS1上。
於本實施形態中，採用FOUP(front opening unified pod，前開式晶圓盒)作為載體C，但並不限定於此，亦可使用SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械介面)盒或使收納基板W曝露於外部氣體中之OC(open cassette，開放式卡匣)等。
更進一步，於索引器機械裝置IR、第1～第6中心機械裝置CR1～CR6及介面用搬送機構IFR中，分別使用使手部相對於基板W直線滑動而進行手部之進退動作的線性運動型搬送機械裝置，但並不限定於此，亦可使用藉由作動關節而直線地進行手部之進退動作之多關節型搬送機械裝置。
載置於基板載置部PASS1上之未處理之基板W由反射防止膜用處理區塊10之第1中心機械裝置CR1收入。第1中心機械裝置CR1將該基板W搬入反射防止膜用熱處理部100、101中。
其後，第1中心機械裝置CR1自反射防止膜用熱處理部100、101中取出經熱處理之基板W，並將該基板W搬入反射防止膜用塗佈處理部50中。該反射防止膜用塗佈處理部50為了減少曝光時所產生之駐波或暈光，而藉由塗佈單元BARC於基板W上塗佈形成反射防止膜。
其次，第1中心機械裝置CR1自反射防止膜用塗佈處理部50中取出經塗佈處理之基板W，並將該基板W搬入反射防止膜用熱處理部100、101中。其後，第1中心機械裝置CR1自反射防止膜用熱處理部100、101中取出經熱處理之基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS3上。
載置於基板載置部PASS3上之基板W由阻劑膜用處理區塊11之第2中心機械裝置CR2收入。第2中心機械裝置CR2將該基板W搬入阻劑膜用熱處理部110、111中。
其後，第2中心機械裝置CR2自阻劑膜用熱處理部110、111中取出經熱處理之基板W，並將該基板W搬入阻劑膜用塗佈處理部60中。該阻劑膜用塗佈處理部60藉由塗佈單元RES於塗佈形成有反射防止膜之基板W上塗佈形成阻劑膜。
其次，第2中心機械裝置CR2自阻劑膜用塗佈處理部60中取出經塗佈處理之基板W，並將該基板W搬入阻劑膜用熱處理部110、111中。其後，第2中心機械裝置CR2自阻劑膜用熱處理部110、111中取出經熱處理之基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS5上。
載置於基板載置部PASS5上之基板W由顯影處理區塊12之第3中心機械裝置CR3收入。第3中心機械裝置CR3將該基板W載置於基板載置部PASS7上。
載置於基板載置部PASS7上之基板W由阻劑覆蓋膜用處理區塊13之第4中心機械裝置CR4收入。第4中心機械裝置CR4將該基板W搬入阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80中。該阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80藉由塗佈單元COV於塗佈形成有阻劑膜之基板W上塗佈形成阻劑覆蓋膜。藉由形成阻劑覆蓋膜，於曝光裝置16中即便基板W與液體接觸，亦可防止阻劑膜與液體接觸，並防止阻劑之成分溶出於液體中。
其次，第4中心機械裝置CR4自阻劑覆蓋膜用塗佈處理部80取出經塗佈處理之基板W，並將該基板W搬入阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131中。之後，第4中心機械裝置CR4自阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131中取出經熱處理之基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS9上。
載置於基板載置部PASS9上之基板W由阻劑覆蓋膜去除區塊14之第5中心機械裝置CR5收入。第5中心機械裝置CR5將該基板W載置於基板載置部PASS11上。
載置於基板載置部PASS11上之基板W由介面區塊15之第6中心機械裝置CR6收入，如後述，於介面區塊15及曝光裝置16中實施特定之處理。於介面區塊15及曝光裝置16中對基板W實施特定之處理後，藉由第6中心機械裝置CR6將該基板W搬入阻劑覆蓋膜去除區塊14之曝光後烘烤用熱處理部141中。
於曝光後烘烤用熱處理部141中，對基板W進行曝光後烘烤(PEB)。其後，第6中心機械裝置CR6自曝光後烘烤用熱處理部141中取出基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS12上。
再者，於本實施形態中，藉由曝光後烘烤用熱處理部141進行曝光後烘烤，但亦可藉由曝光後烘烤用熱處理部140進行曝光後烘烤。
載置於基板載置部PASS12上之基板W由阻劑覆蓋膜去除區塊14之第5中心機械裝置CR5收入。第5中心機械裝置CR5將該基板W搬入阻劑覆蓋膜去除用處理部90中。於阻劑覆蓋膜去除用處理部90中去除阻劑覆蓋膜。
其次，第5中心機械裝置CR5自阻劑覆蓋膜去除用處理部90中取出經處理之基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS10上。
藉由阻劑覆蓋膜用處理區塊13之第4中心機械裝置CR4將載置於基板載置部PASS10上之基板W載置於基板載置部PASS8上。
載置於基板載置部PASS8上之基板W由顯影處理區塊12之第3中心機械裝置CR3收入。第3中心機械裝置CR3將該基板W搬入顯影處理部70中。於顯影處理部70中，對經曝光之基板W實施顯影處理。
其次，第3中心機械裝置CR3自顯影處理部70中取出經顯影處理之基板W，並將該基板W搬入顯影用熱處理部120、121中。其後，第3中心機械裝置CR3自顯影用熱處理部120、121中取出經熱處理後之基板W，並將該基板W載置於基板載置部PASS6上。
藉由阻劑膜用處理區塊11之第2中心機械裝置CR2將載置於基板載置部PASS6上之基板W載置於基板載置部PASS4上。藉由反射防止膜用處理區塊10之第1中心機械裝置CR1將載置於基板載置部PASS4上之基板W載置於基板載置部PASS2上。
藉由索引器區塊9之索引器機械裝置IR將載置於基板載置部PASS2上之基板W收納於載體C內。藉此，基板處理裝置500中之基板W之各項處理結束。
(2-2)介面區塊之動作
其次，就介面區塊15之動作加以詳細說明。
如上述，對搬入索引器區塊9中之基板W實施特定之處理後，將其載置於阻劑覆蓋膜去除區塊14(圖1)之基板載置部PASS11上。
載置於基板載置部PASS11上之基板W由介面區塊15之第6中心機械裝置CR6收入。第6中心機械裝置CR6將該基板W搬入邊緣曝光部EEW(圖4)中。於該邊緣曝光部EEW中，對基板W之周緣部實施曝光處理。
其次，第6中心機械裝置CR6自邊緣曝光部EEW中取出經邊緣曝光之基板W，並將該基板W搬入洗淨/乾燥處理單元SD1之任一者中。於洗淨/乾燥處理單元SD1中，如上述對曝光處理前之基板W進行洗淨及乾燥處理。
此處，藉由曝光裝置16進行曝光處理之時間通常比其他處理步驟及搬送步驟長。其結果，曝光裝置16無法收納後面基板W之情形較多。此時，藉由傳送緩衝部SBF(圖4)暫時收納保管基板W。於本實施形態中，第6中心機械裝置CR6自洗淨/乾燥處理單元SD1中取出經洗淨及乾燥處理之基板W，並將該基板W搬送至傳送緩衝部SBF中。
其次，第6中心機械裝置CR6自傳送緩衝部SBF中取出被收納保管之基板W，並將該基板W搬入載置兼冷卻單元P-CP中。以與曝光裝置16內相同之溫度(例如，23℃)維持被搬送至載置兼冷卻單元P-CP之基板W。
再者，於曝光裝置16具有充分之處理速度之情形時，亦可不將基板W收納保管於傳送緩衝部SBF，而自洗淨/乾燥處理單元SD1將基板W搬送至載置兼冷卻單元P-CP中。
接著，藉由介面用搬送機構IFR之上側手部H1(圖4)收入載置兼冷卻單元P-CP中以上述特定溫度維持之基板W，並將其搬入曝光裝置16內之基板搬入部16a(圖1)中。
藉由介面用搬送機構IFR之下側手部H2(圖4)將曝光裝置16中實施過曝光處理之基板W自基板搬出部16b(圖1)搬出。介面用搬送機構IFR藉由手部H2將該基板W搬入於洗淨/乾燥處理單元SD2之任一者中。於洗淨/乾燥處理單元SD2中，如上述對曝光處理後之基板W進行洗淨及乾燥處理。
藉由介面用搬送機構IFR之手部H1(圖4)將於洗淨/乾燥處理單元SD2中經洗淨及乾燥處理之基板W取出。介面用搬送機構IFR藉由手部H1將該基板W載置於基板載置部PASS13上。
載置於基板載置部PASS13上之基板W由第6中心機械裝置CR6收入。第6中心機械裝置CR6將該基板W搬送至阻劑覆蓋膜去除區塊14(圖1)之曝光後烘烤用熱處理部141中。
再者，因去除單元REM(圖2)之故障等而導致阻劑覆蓋膜去除區塊14暫時無法收納基板W時，可將曝光處理後之基板W暫時收納保管於返回緩衝部RBF中。
此處，於本實施形態中，第6中心機械裝置CR6使基板W於基板載置部PASS11(圖1)、邊緣曝光部EEW、洗淨/乾燥處理單元SD1、傳送緩衝部SBF、載置兼冷卻單元P-CP、基板載置部PASS13及曝光後烘烤用熱處理部141之間搬送，且可於短時間(例如，24秒)內進行該一連串之動作。
又，介面用搬送機構IFR使基板W於載置兼冷卻單元P-CP、曝光裝置16、洗淨/乾燥處理單元SD2及基板載置部PASS13之間搬送，且可於短時間(例如，24秒)內進行該一連串之動作。
該等之結果，可確實提升處理量。
(3)洗淨/乾燥處理單元
其次，利用圖式就洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2加以詳細說明。再者，洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2可使用相同構成者。
(3-1)構成
圖5係表示洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之構成之模式性側視圖，圖6係圖5之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之模式性俯視圖。如圖5及圖6所示，洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2具備旋轉夾盤621，該旋轉夾盤621使基板W保持水平，同時使基板W圍繞穿過基板W中心之垂直旋轉軸旋轉。
旋轉夾盤621固定於藉由夾盤旋轉驅動機構636(圖5)旋轉之旋轉軸625(圖5)之上端。又，於旋轉夾盤621中形成有進氣通道(未圖示)，於將基板W載置於旋轉夾盤621上之狀態下使進氣通道內排氣，藉此使基板W之下表面真空吸附於旋轉夾盤621上，而可以水平姿勢保持基板W。
於旋轉夾盤621之外側設置有馬達660。於馬達660中連接有轉動軸661。又，支臂662以沿水平方向延伸之方式與轉動軸661連結，且於支臂662之前端設置有液體供給噴嘴650。
藉由馬達660使轉動軸661旋轉，同時使支臂662旋轉。藉此，使液體供給噴嘴650在藉由旋轉夾盤621保持之基板W中心部上方之位置與基板W之外側位置之間移動(圖6)。
以穿過馬達660、轉動軸661及支臂662內部之方式而設置有洗淨處理用供給管663。洗淨處理用供給管663經由閥Va及閥Vb而連接於洗淨液供給源R1及清洗液供給源R2。
藉由對該閥Va、Vb之開閉進行控制，可進行供給於洗淨處理用供給管663之處理液選擇及供給量調整。於圖5之構成中，藉由打開閥Va可朝洗淨處理用供給管663供給洗淨液，藉由打開閥Vb可朝洗淨處理用供給管663供給清洗液。
自洗淨液供給源R1或清洗液供給源R2通過洗淨處理用供給管663朝液體供給噴嘴650供給洗淨液或清洗液。藉此，可朝基板W表面供給洗淨液或清洗液。作為洗淨液，例如可使用純水、將錯合物(經離子化者)溶解於純水所形成之溶液或氟系藥液等。作為清洗液，例如可使用純水、碳酸水、氫水、電解離子水、HFE(hydrofluoroether，氫氟醚)或有機系液體等。
又，作為洗淨液或清洗液，亦可使用於曝光裝置16中進行曝光處理時所使用之液浸液。作為液浸液之例，可列舉：純水、具有高折射率之甘油、將高折射率之微粒子(例如，鋁氧化物)與純水混合而形成之混合液及有機系液體等。作為液浸液之其他例，可列舉：將錯合物(經離子化者)溶解於純水所形成之溶液、碳酸水、氫水、電解離子水、HFE(氫氟醚)、氫氟酸、硫酸及硫酸過水(sulfuric hyperhydration)等。
如圖5所示，藉由旋轉夾盤621保持之基板W係被收容於處理杯623內。於處理杯623之內側設置有筒狀之間隔壁633。又，以圍繞旋轉夾盤621之周圍之方式，形成有用以供基板W之處理中所使用之處理液(洗淨液或清洗液)排出之排液空間631。更進一步，以圍繞排液空間631之方式，於處理杯623與間隔壁633之間形成有用以回收基板W處理中所使用之處理液的回收液空間632。
於排液空間631中連接有用以朝排液處理裝置(未圖示)導入處理液之排液管634，於回收液空間632中連接有用以朝回收處理裝置(未圖示)導入處理液之回收管635。
於處理杯623上方設置有用以防止來自基板W之處理液朝外側飛散之護件624。該護件624相對於旋轉軸625成旋轉對稱之形狀。於護件624之上端部內表面環狀形成有剖面為ㄑ字狀之排液導引槽641。
又，於護件624之下端部內表面形成有由朝外側下方傾斜之傾斜面構成之回收液導引部642。於回收液導引部642之上端附近形成有用以收入處理杯623之間隔壁633的間隔壁收納槽643。
於該護件624中設置有由滾珠螺桿機構等構成之護件升降驅動機構(未圖示)。護件升降驅動機構使護件624於回收位置與排液位置之間上下移動，上述回收位置係回收液導引部642與保持於旋轉夾盤621上之基板W之外圍端面對向之位置，上述排液位置係排液導引槽641與保持於旋轉夾盤621上之基板W之外周端面對向之位置。於護件624位於回收位置(圖5所示之護件之位置)之情形時，藉由回收液導引部642將自基板W朝外側飛散之處理液導入回收液空間632中，並通過回收管635將其回收。另一方面，於護件624位於排液位置之情形時，藉由排液導引槽641將自基板W朝外側飛散之處理液導入排液空間631中，並通過排液管634將其排出。藉由以上之構成進行處理液之排液及回收。
(3-2)動作
其次，就具有上述構成之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之處理動作加以說明。再者，以下所說明之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之各構成元件之動作由圖1之主控制器(控制部)30控制。
首先，基板W之搬入時，護件624下降，同時圖1之第6中心機械裝置CR6或介面用搬送機構IFR將基板W載置於旋轉夾盤621上。藉由旋轉夾盤621來吸附保持載置於旋轉夾盤621上之基板W。
其次，護件624移動至上述排液位置為止，同時液體供給噴嘴650朝基板W中心部上方移動。之後，旋轉軸625旋轉，伴隨該旋轉，保持於旋轉夾盤621上之基板W進行旋轉。其後，自液體供給噴嘴650朝基板W上表面吐出洗淨液。藉此，進行基板W之洗淨。
再者，於洗淨/乾燥處理單元SD1中，洗淨時基板W上之阻劑覆蓋膜之成分溶出於洗淨液中。又，於基板W之洗淨中，一邊使基板W旋轉一邊朝基板W上供給洗淨液。此時，基板W上之洗淨液因離心力而經常朝基板W之周緣部移動飛散。因此，可防止溶出於洗淨液中之阻劑覆蓋膜之成分殘留於基板W上。
再者，例如亦可於基板W上盛上純水並保持固定時間以使上述阻劑覆蓋膜成分溶出。又，亦可藉由使用二流體噴嘴之微噴(soft spray)方式朝基板W上供給洗淨液。
經過特定時間後，停止洗淨液之供給，自液體供給噴嘴650吐出清洗液。藉此來沖洗基板W上之洗淨液。之後，進行下述之乾燥處理，藉此去除基板W上之清洗液並使基板W乾燥。詳細說明於後述。
其後，護件624下降，同時圖1之第6中心機械裝置CR6或介面用搬送機構IFR將基板W搬出。藉此，洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中之處理動作結束。再者，較好的是根據處理液之回收或排液之必要性而適當改變洗淨及乾燥處理中之護件624位置。
再者，於上述實施形態中，為了可自液體供給噴嘴650供給洗淨液及清洗液中之任一者，而採用洗淨液之供給及清洗液之供給共用的液體供給噴嘴650之構成，但亦可採用將洗淨液供給用之噴嘴與清洗液供給用之噴嘴分開之構成。
又，於使用純水作為洗淨基板W之洗淨液之情形時，亦可使用該洗淨液進行下述之乾燥處理。
又，於基板W之污染為輕微之情形時，亦可不進行使用洗淨液之洗淨。此時，進行如以下所示之使用清洗液之乾燥處理，藉此可充分去除基板W上之污染物。
(3-3)基板之乾燥處理之詳細情況
以下，就洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中之基板W之乾燥處理加以詳細說明。再者，將於本例中所使用基板W之直徑例如設為200～300mm。
於利用離心力對基板W進行乾燥之情形時，微小液滴易殘留於基板W上。其原因在於：僅有對應於質量之較小之離心力作用於微小液滴，因而難以將此自基板W上分離。又，若基板W之中心部附近存在微小液滴，則作用於該微小液滴之離心力變得更小，而難以去除微小液滴。於基板W上之阻劑覆蓋膜之疏水性較高之情形時，此種微小液滴特別容易形成。
於本實施形態中，可防止基板W上之微小液滴形成及附著，且能確實地自基板W上去除清洗液。
圖7及圖8係用以說明基板W之乾燥處理之詳細情況之圖。再者，圖7(a)～(c)及圖8(a)～(c)係自上方觀察基板W之圖，圖7(d)～(f)及圖8(d)～(f)係自側方觀察基板W之圖。
如上述，對基板W進行洗淨處理後，液體供給噴嘴650朝基板W之中心部上方移動，並朝基板W上吐出清洗液。藉此來沖洗基板W上之洗淨液。經過特定時間後，於繼續自液體供給噴嘴650吐出清洗液之狀態下，基板W之旋轉速度上升。清洗液之流量例如為0.2～0.8L/min。此時，如圖7(a)及圖7(d)所示，以覆蓋基板W一邊之方式形成清洗液之液層L。
接著，如圖7(b)及圖7(e)所示，液體供給噴嘴650自基板W之中心部上方朝外側移動。移動速度例如為6～10mm/sec。此時，藉由伴隨基板W旋轉之離心力，液層L之中心部厚度變小。以下將厚度變小之液層L區域稱為薄層區域。
使液體供給噴嘴650於自基板W中心部上方移動特定距離之時暫時停止。液體供給噴嘴650之停止位置與基板W之旋轉軸之水平距離例如為15～25mm。又，停止時間例如為10秒左右。於該期間內，如圖7(c)及圖7(f)所示，藉由離心力使液層L於薄層區域內斷裂，且於液層L之中心部形成孔部(以下稱為乾燥核心C)。
此時，藉由暫時停止液體供給噴嘴650，液層L之薄層區域之擴大受到限制。若薄層區域擴大，則於該薄層區域內形成複數個乾燥核心。於本實施形態中，可防止形成複數個乾燥核心C，僅形成一個乾燥核心C。
為了確實地僅形成一個乾燥核心C，根據實驗等事先決定使液體供給噴嘴650暫時停止之位置及停止之時間。又，較好的是根據基板W之種類、大小、表面狀態及旋轉速度、自液體供給噴嘴650之清洗液之吐出流量、以及液體供給噴嘴650之移動速度等各種條件適當設定使液體供給噴嘴650暫時停止之時序及位置。
在形成乾燥核心C之後，如圖8(a)及圖8(d)所示，液體供給噴嘴650再次朝外側移動。伴隨與此，由於離心力而不存在清洗液之乾燥區域R1以乾燥核心C為起點於基板W上擴大。
接著，如圖8(b)及圖8(e)所示，若液體供給噴嘴650移動至基板W之周緣部上方，則基板W之旋轉速度下降。液體供給噴嘴650之移動速度維持原樣。
之後，停止清洗液之吐出，同時使液體供給噴嘴650朝基板W之外側移動。藉此，如圖8(c)及圖8(f)所示，乾燥區域R1擴展至整個基板W，而使基板W得到乾燥。
如此，於基板W旋轉之狀態下，液體供給噴嘴650一邊吐出清洗液一邊自基板W之中心部上方朝周緣部上方移動，藉此於清洗液之液層L保持一體之狀態下乾燥區域R1於基板W上擴大。此時，藉由液層L之表面張力可防止乾燥區域R1中之微小液滴形成。藉此，可確實地使基板W乾燥。
又，藉由在液體供給噴嘴650移動特定距離時暫時停止來調整液層L之薄層區域之面積，而確實地形成一個乾燥核心C。於形成複數個而非一個乾燥核心C之情形時，無法穩定地擴大乾燥區域R1。又，由於複數個乾燥區域R1以複數個乾燥核心C為起點而各自擴大，因此複數個乾燥區域R1互相干涉而易形成微小液滴。因此，藉由僅形成一個乾燥核心C，可穩定地進行基板W之乾燥，同時可更確實地防止微小液滴殘留於基板W上。
其次，就乾燥處理時之基板W之旋轉速度變化加以說明。圖9係表示基板W之旋轉速度之變化之一例之圖。於圖9中，橫軸表示基板W之旋轉軸與液體供給噴嘴650之水平距離，縱軸表示基板W之旋轉速度。
於圖9所示之例中，於基板W之旋轉軸與液體供給噴嘴650之水平距離為0～60mm之期間內，設定基板W之旋轉速度為1800～2100rpm。若基板W之旋轉軸與液體供給噴嘴650之水平距離超過60mm，則設定基板W之旋轉速度為1000～1200rpm。即，液體供給噴嘴650於基板W之周緣部上方移動期間之基板W之旋轉速度被設定低於液體供給噴嘴650於基板W之中心部上方移動期間之基板W之旋轉速度。
於基板W之旋轉時，基板W周緣部之周速度大於基板W中心部之周速度。又，於基板W之周緣部易於發生清洗液之亂流。因此，當基板W之旋轉速度保持一定時，與朝基板W之中心部吐出之清洗液相比，朝基板W之周緣部吐出之清洗液易飛散。若自基板W之周緣部飛散之清洗液作為微小液滴附著於基板W之乾燥區域R1中，則之後難以將此去除。
因此，當液體供給噴嘴650於基板W之周緣部上方移動時，藉由降低基板W之旋轉速度，可防止朝基板W之周緣部吐出之清洗液飛散。因此，能更確實地防止微小液滴殘留於基板W上，且能更確實地使基板W乾燥。
再者，於本實施形態中，在乾燥處理時將基板W之旋轉速度調整為兩個階段，但並不限定於此，亦能夠以三個階段以上之多階段來調整基板W之旋轉速度，或者亦可於液體供給噴嘴650自基板之中心部上方朝基板W之周緣部上方移動之期間內連續地降低基板W之旋轉速度。
(4)實施形態之效果
本實施形態之基板處理裝置500中，於介面區塊15之洗淨/乾燥處理單元SD2中，對曝光處理後之基板W進行乾燥處理，使基板W確實地乾燥。藉此，可防止曝光處理時附著於基板W上之液體落入基板處理裝置500內。因此，可防止基板處理裝置500之電系統之異常等動作不良。
又，由於可防止環境中之灰塵等附著於曝光處理後之基板W上，因此可防止基板W之污染。更進一步，藉由防止液體殘留於基板W上，可防止該液體對基板W上之阻劑膜及阻劑覆蓋膜造成不良影響。藉由該等而可防止基板W之處理不良。
又，由於可防止附著有液體之基板W於基板處理裝置500內搬送，因此可防止曝光處理時附著於基板W上之液體對基板處理裝置500內之環境造成影響。藉此，基板處理裝置500內之溫濕度調整變得容易。
又，由於可防止曝光處理時附著於基板W上之液體附著於索引器機械裝置IR及第1～第6中心機械裝置CR1～CR6上，因此可防止液體附著於曝光處理前之基板W上。藉此，由於可防止環境中之灰塵等附著於曝光處理前之基板W上，因此可防止基板W之污染。其結果，可防止曝光處理時之解析性能之劣化，同時可防止曝光裝置16內之污染。
又，於將基板W自洗淨/乾燥處理單元SD2朝顯影處理部70搬送期間，能確實地防止阻劑之成分或阻劑覆蓋膜之成分溶出於殘留在基板W上之洗淨液及清洗液中。藉此，可防止形成於阻劑膜上之曝光圖案之變形。結果，可確實地防止顯影處理時線寬精度下降。
又，於洗淨/乾燥處理單元SD2中，於乾燥處理前對基板W進行洗淨處理。此時，於曝光處理時即便環境中之灰塵等附著於附著有液體之基板W上，亦可去除該附著物。藉此，可防止基板W之污染。其結果，能確實地防止基板之處理不良。
又，於曝光裝置16中對基板W進行曝光處理前，於洗淨/乾燥處理單元SD1中對基板W進行洗淨處理。於該洗淨處理時，基板W上之阻劑覆蓋膜之成分之一部分溶出於洗淨液或清洗液中，並被沖洗掉。因此，於曝光裝置16中即便基板W與液體接觸，基板W上之阻劑覆蓋膜之成分幾乎不溶出於液體中。又，可去除附著於曝光處理前之基板W上的灰塵等。該等之結果，可防止曝光裝置16內之污染。
又，於洗淨/乾燥處理單元SD1中，於基板W之洗淨處理後對基板W進行乾燥處理。藉此，由於洗淨處理時附著於基板W上之洗淨液或清洗液被去除，因此可防止環境中之灰塵等再次附著於洗淨處理後之基板W上。其結果，可確實地防止曝光裝置16內之污染。
又，藉由去除在洗淨處理時附著於基板W上之洗淨液或清洗液，可防止在曝光處理前洗淨液或清洗液滲入基板W上之阻劑覆蓋膜或阻劑膜中。藉此，可防止曝光處理時之解析性能之劣化。
(5)洗淨/乾燥處理單元之其他例
圖10係表示洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之其他構成之模式性側視圖，圖11係圖10之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之模式性俯視圖。以下，就圖10及圖11所示之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2與圖5及圖6所示之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之不同點加以說明。
於該洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中，於隔著旋轉夾盤621與馬達660對向之位置處設置有馬達671。於馬達671中連接有轉動軸672。支臂673以沿水平方向延伸之方式與轉動軸672連結，於支臂673之前端設置有氣體供給噴嘴670。
藉由馬達671使轉動軸672旋轉，同時使支臂673旋轉。藉此，使氣體供給噴嘴670於由旋轉夾盤621保持的基板W之中心部上方位置與基板W之外側位置間移動。此時，液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670自基板W之中心部上方彼此朝向相反側之方向移動至基板W之外側位置。
以穿過馬達671、轉動軸672及支臂673之內部之方式而設置有乾燥處理用供給管674。乾燥處理用供給管674經由閥Vc連接於惰性氣體供給源R3。藉由對該閥Vc之開閉進行控制，可調整供給於乾燥處理用供給管674的惰性氣體之供給量。
自惰性氣體供給源R3通過乾燥處理用供給管674朝氣體供給噴嘴670供給惰性氣體。藉此，可朝基板W之表面供給惰性氣體。作為惰性氣體，例如可使用氮氣。再者，亦可使用空氣(air)等其他氣體代替惰性氣體。
其次，就圖10及圖11之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中之基板W之乾燥處理加以說明。圖12係表示圖10及圖11之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中之基板W之乾燥處理之一部分之圖。
關於液體供給噴嘴650之動作及基板W之旋轉速度之變化，與圖5及圖6之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2相同。此處，主要就氣體供給噴嘴670之動作加以說明。
氣體供給噴嘴670於液體供給噴嘴650自基板W之中心部上方開始移動後(參照圖7(b)及圖7(e))，朝基板W之中心部上方移動。然後，當於液層L上形成乾燥核心C後(參照圖7(c)及圖7(f))，則如圖12(a)及圖12(d)所示，氣體供給噴嘴670朝基板W之中心部噴出惰性氣體。
此時，乾燥區域R1以形成於液層L上之第一個乾燥核心C為起點瞬間擴大。藉此，可防止在形成第一個乾燥核心C後形成其他乾燥核心C。如上所述，當形成複數個乾燥核心C後，則於基板W上易形成微小液滴。因此，本例中，可更確實地防止微小液滴之形成。
再者，為了在第一個乾燥核心C形成後不形成其他乾燥核心C，而藉由實驗等事先決定噴出惰性氣體之時序。又，較好的是根據基板W之種類、大小、表面狀態及旋轉速度、自液體供給噴嘴650之清洗液之吐出流量、以及液體供給噴嘴650之移動速度等各種條件適當設定噴出惰性氣體之時序。
接著，如圖12(b)及圖12(e)所示，液體供給噴嘴650一邊吐出清洗液一邊向外側移動，同時氣體供給噴嘴670一邊吐出惰性氣體一邊朝與液體供給噴嘴650相反之方向移動。將液體供給噴嘴650之移動速度與氣體供給噴嘴670之移動速度調整為彼此大致相等。藉此，與液體供給噴嘴650相比，氣體供給噴嘴670經常位於更接近基板W之旋轉軸之位置處，並朝基板W上之乾燥區域R1噴出惰性氣體。
之後，液體供給噴嘴650停止吐出清洗液，同時朝基板W之外側移動，氣體供給噴嘴670停止噴出惰性氣體，同時朝基板W之外側移動。藉此，如圖12(c)及圖12(f)所示，乾燥區域R1擴展至整個基板W上，使基板W乾燥。
如此，氣體供給噴嘴670一邊噴出惰性氣體一邊自基板W之中心部上方朝外側移動，藉此可更確實地防止微小液滴殘留於基板W上之乾燥區域R1中。又，可確實地擴大乾燥區域R1，且可有效並確實地使基板W乾燥。
又，液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670朝相反方向移動，藉此自液體供給噴嘴650吐出之清洗液與自氣體供給噴嘴670噴出之惰性氣體互相不會產生干涉。藉此，可防止因與惰性氣體產生干涉而使清洗液飛散，而可防止清洗液之微小液滴附著於乾燥區域R1中。
又，由於清洗液與惰性氣體不會產生干涉，設定惰性氣體之流量及噴出角度等之自由度變大。藉此，可更有效地使基板W乾燥。
再者，於上述例中，氣體供給噴嘴670一邊吐出惰性氣體一邊自基板W之中心部上方朝周緣部上方移動，但氣體供給噴嘴670亦可僅於乾燥核心C形成後之短時間(例如1秒鐘)內噴出惰性氣體。即，例如以1秒左右朝圖12(a)及圖12(d)所示基板W之中心部噴出惰性氣體，之後停止噴出惰性氣體亦可。此時，惰性氣體之流量例如調整為10L/min。
又，氣體供給噴嘴670亦可不自基板W之中心部上方移動，而連續幾秒鐘朝基板W之中心部噴出惰性氣體。此時，惰性氣體之流量例如調整為10L/min。
又，於上述例中，液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670自基板W之中心部上方彼此朝相反方向移動，但只要可抑制清洗液與惰性氣體之干涉，則液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670例如亦可沿正交之方向移動，或者亦可沿相同之方向移動。於液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670沿相同之方向移動之情形時，液體供給噴嘴650與氣體供給噴嘴670亦可為一體。
(6)洗淨/乾燥處理單元之更進一步其他例
圖13係表示洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之更進一步其他構成之模式性側視圖。以下，就圖13所示之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2與圖5及圖6所示之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之不同點加以說明。
於該洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中設置有三向閥Vt、旁通管663a及流量調整閥680。旁通管663a之一端經由三向閥Vt與閥Vb上游側之洗淨處理用供給管663之一部分連接，旁通管663a之另一端與三向閥Vt與閥Vb間之洗淨處理用供給管663之一部分連接。流量調整閥680插於旁通管663a中。藉由流量調整閥680，可減少通過旁通管663a供給於液體供給噴嘴650之清洗液流量。
於圖5及圖6之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中，當乾燥處理時液體供給噴嘴650移動至基板W之周緣部上方，則基板W之旋轉速度降低。藉此，可防止朝基板W之周緣部吐出之清洗液飛散。
相對於此，於圖13之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中，當乾燥處理時液體供給噴嘴650移動至基板W之周緣部上方，則切換三向閥Vt以使清洗液導入於旁通管663a中。再者，將基板W之旋轉速度維持於固定之速度，例如1800～2100rpm。此時，與朝基板W之中心部附近吐出的清洗液之流量相比，朝基板W之周緣部吐出的清洗液之流量減少。藉此，可防止朝基板W之周緣部吐出的清洗液飛散。
再者，本例中，將乾燥處理時之清洗液流量調整為兩個階段，但並不限定於此，亦可以三個階段以上之多階段來調整清洗液之流量，或者亦可於液體供給噴嘴650自基板之中心部上方朝基板W之外側移動之期間內連續減少清洗液之流量。
又，於圖13所示之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中亦可設置圖10之馬達671、轉動軸672、支臂673及氣體供給噴嘴670。
(7)洗淨/乾燥處理單元之更進一步其他例
圖14係表示洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之更進一步其他構成之模式性側視圖。以下，就圖14所示之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2與圖13所示之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之不同點加以說明。
於該洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中設置有減壓閥681來代替流量調整閥680。透過減壓閥681來降低通過旁通管663a而供給於液體供給噴嘴650的清洗液之供給壓力。
於該洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中，當乾燥處理時液體供給噴嘴650移動至基板W之周緣部上方，則切換三向閥Vt以使清洗液被導入於旁通管663a中。此時，與朝基板W之中心部附近的清洗液之吐出壓力相比，朝基板W之周緣部的清洗液之吐出壓力變低。藉此，可防止朝基板W之周緣部吐出的清洗液飛散。
再者，本例中，將乾燥處理時之清洗液吐出壓力調整為兩個階段，但並不限定於此，亦可以三個階段以上之多階段來調整清洗液之吐出壓力，或者亦可於液體供給噴嘴650自基板之中心部上方朝基板W之外側移動之期間內連續地降低清洗液之吐出壓力。
又，於圖14所示之洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2中，亦可設置圖10之馬達671、轉動軸672、支臂673及氣體供給噴嘴670。
(8)其他實施形態
亦可設置阻劑覆蓋膜用處理區塊13。此時，於洗淨/乾燥處理單元SD1中之洗淨處理時，阻劑膜成分之一部分溶出於洗淨液中。藉此，於曝光裝置16中即便阻劑膜與液體接觸，亦可防止阻劑之成分溶出於液體中。其結果，可防止曝光裝置16內之污染。
又，於不設置阻劑覆蓋膜用處理區塊13之情形時，亦可不設置阻劑覆蓋膜去除區塊14。藉此，可減少基板處理裝置500之佔據面積。再者，於不設置阻劑覆蓋膜用處理區塊13及阻劑覆蓋膜去除區塊14之情形時，以顯影處理區塊12之顯影用熱處理部121來進行基板W之曝光後烘烤。
又，於上述實施形態中，洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2被配置於介面區塊15內，但洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之至少一者亦可被配置於圖1所示之阻劑覆蓋膜去除區塊14內。或者，亦可將包含洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之至少一者之洗淨/乾燥處理區塊設置於圖1所示之阻劑覆蓋膜去除區塊14與介面區塊15之間。
又，可配合各處理區塊之處理速度適當改變洗淨/乾燥處理單元SD1、洗淨/乾燥處理單元SD2、塗佈單元BARC、RES、COV、顯影處理單元DEV、去除單元REM、加熱單元HP、冷卻單元CP及載置兼冷卻單元P-CP之個數。例如，於設置兩個邊緣曝光部EEW之情形時，可將洗淨/乾燥處理單元SD2之個數設為兩個。
(9)申請專利範圍之各構成元件與實施形態之各部分之對應
以下，就申請專利範圍之各構成元件與實施形態之各元件之對應例加以說明，但本發明並不限定於下述之例。
於上述實施形態中，反射防止膜用處理區塊10、阻劑膜用處理區塊11、顯影處理區塊12、阻劑覆蓋膜用處理區塊13及阻劑覆蓋膜去除區塊14為處理部之例，介面區塊15為交接部之例，洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2為乾燥處理單元之例。
又，旋轉夾盤621為基板保持裝置之例，夾盤旋轉驅動機構636為旋轉驅動裝置之例，液體供給噴嘴650為清洗液供給部之例，馬達660為清洗液供給移動機構之例，氣體供給噴嘴670為氣體供給部之例，馬達671為氣體供給移動機構之例，塗佈單元RES為感光性膜形成單元之例。
作為申請專利範圍之各構成元件，亦可使用具有申請專利範圍中所記載之構成或功能之其他各種元件。
9．．．索引器區塊
10．．．反射防止膜用處理區塊
11．．．阻劑膜用處理區塊
12．．．顯影處理區塊
13．．．阻劑覆蓋膜用處理區塊
14．．．阻劑覆蓋膜去除區塊
15．．．介面區塊
16．．．曝光裝置
16a．．．基板搬入部
16b．．．基板搬出部
17、18、19、20、21．．．隔離壁
30．．．主控制器
40．．．載體載置台
50．．．反射防止膜用塗佈處理部
51、61、71、81、91、98、621．．．旋轉夾盤
52、62、72、82、92．．．供給噴嘴
60．．．阻劑膜用塗佈處理部
70．．．顯影處理部
80．．．阻劑覆蓋膜用塗佈處理部
90．．．阻劑覆蓋膜去除用處理部
99．．．光照射器
100、101．．．反射防止膜用熱處理部
110、111．．．阻劑膜用熱處理部
120、121．．．顯影用熱處理部
130、131．．．阻劑覆蓋膜用熱處理部
140、141．．．曝光後烘烤用熱處理部
500．．．基板處理裝置
623．．．處理杯
624．．．護件
625．．．旋轉軸
631．．．排液空間
632．．．回收液空間
633．．．間隔壁
634．．．排液管
635．．．回收管
636．．．夾盤旋轉驅動機構
641．．．排液導引槽
642．．．回收液導引部
643．．．間隔壁收納槽
650．．．液體供給噴嘴
660、671．．．馬達
661、672．．．轉動軸
662、673．．．支臂
663、674．．．供給管
663a．．．旁通管
670．．．氣體供給噴嘴
680．．．流量調整閥
681．．．減壓閥
BARC、RES、COV．．．塗佈單元
C．．．載體(乾燥核心)
CP．．．冷卻單元(冷卻板)
CR1．．．第1中心機械裝置
CR2．．．第2中心機械裝置
CR3．．．第3中心機械裝置
CR4．．．第4中心機械裝置
CR5．．．第5中心機械裝置
CR6．．．第6中心機械裝置
DEV．．．顯影處理單元
EEW．．．邊緣曝光部
HP．．．加熱單元(加熱板)
IFR．．．介面用搬送機構
IR．．．索引器機械裝置
IRH、CRH1～CRH12、H1、H2．．．手部
L．．．液層
LC．．．現場控制器
PASS1～PASS13．．．基板載置部
P-CP．．．載置兼冷卻單元
REM．．．去除單元
RBF．．．返回緩衝部
R1．．．洗淨液供給源(乾燥區域)
R2．．．清洗液供給源
R3．．．惰性氣體供給源
SBF．．．傳送緩衝部
SD1、SD2．．．洗淨/乾燥處理單元
Va、Vb、Vc．．．閥
Vt．．．三向閥
W．．．基板
圖1係本發明第1實施形態之基板處理裝置之俯視圖。
圖2係自+X方向觀察圖1之基板處理裝置之概略側視圖。
圖3係自-X方向觀察圖1之基板處理裝置之概略側視圖。
圖4係自+Y側觀察介面區塊之概略側視圖。
圖5係用以說明洗淨/乾燥處理單元之構成之圖。
圖6係圖5之洗淨/乾燥處理單元之模式性俯視圖。
圖7(a)至(f)係用以說明基板之乾燥處理之詳細情況之圖。
圖8(a)至(f)係用以說明基板之乾燥處理之詳細情況之圖。
圖9係表示基板之旋轉速度之變化一例之圖。
圖10係表示洗淨/乾燥處理單元其他構成之模式性側視圖。
圖11係圖9之洗淨/乾燥處理單元之模式性俯視圖。
圖12(a)至(f)係表示圖10及圖11之洗淨/乾燥處理單元中之基板乾燥處理一部分之圖。
圖13係表示洗淨/乾燥處理單元更進一步其他構成之模式性側視圖。
圖14係表示洗淨/乾燥處理單元之更進一步其他構成之模式性側視圖。
650．．．液體供給噴嘴
L．．．液層
R1．．．乾燥區域(洗淨液供給源)
W．．．基板

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置；其具備有：處理部，用以對基板進行處理；以及交接部，用以於上述處理部與上述曝光裝置間進行基板之交接；而上述處理部及上述交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，上述乾燥處理單元包含：基板保持裝置，將基板保持成大致水平；旋轉驅動裝置，使由上述基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉；清洗液(rinse liquid)供給部，將清洗液供給至由上述基板保持裝置保持之基板上；清洗液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部；以及氣體供給部，該氣體供給部於藉由上述清洗液供給部朝遠離基板中心之位置供給清洗液之狀態下，朝基板之中心部噴出氣體；上述旋轉驅動裝置以於朝基板之中心部供給清洗液之狀態下使基板以第1旋轉速度旋轉且於朝基板之周緣部供給清洗液之狀態下使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋 轉之方式，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於向離基板之中心部特定距離之位置處供給清洗液之狀態下，上述清洗液供給移動機構使上述清洗液供給部之移動暫時停止。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給移動機構，該氣體供給移動機構使上述氣體供給部移動，以使基板上之氣體供給位置在比上述清洗液供給部之清洗液供給位置更接近基板中心部的位置處自基板之中心部朝基板之周緣部移動。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理部更包含：感光性膜形成單元，於曝光處理前之基板形成由感光性材料構成之感光性膜；以及顯影處理單元，對曝光處理後之基板進行顯影處理；而上述乾燥處理單元於由上述曝光裝置進行曝光處理後且由上述顯影處理單元進行顯影處理前，對基板進行乾燥處理。
  5. 一種基板處理裝置，係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置；其具備有：處理部，用以對基板進行處理；交接部，用以於上述處理部與上述曝光裝置之間進行基板之交接； 而上述處理部及上述交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，上述乾燥處理單元包含：基板保持裝置，將基板保持成大致水平；旋轉驅動裝置，使由上述基板保持裝置保持之基板圍繞垂直於該基板之軸旋轉；清洗液供給部，將清洗液供給至由上述基板保持裝置保持之基板上；以及清洗液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部；上述清洗液供給部按照以第1流量朝基板中心部供給清洗液且以少於上述第1流量之第2流量朝基板之周緣部供給清洗液之方式，於藉由上述清洗液供給移動機構所進行之移動中，分階段地或連續地改變清洗液之流量。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，於朝離基板中心部特定距離之位置處供給清洗液之狀態下，上述清洗液供給移動機構使上述清洗液供給部之移動暫時停止。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給部，該氣體供給部於由上述清洗液供給部朝遠離基板中心之位置處供給清洗液之狀態下，朝基板之中心部噴出氣體。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給移動機構，該氣體供給移動機構使上述氣體供給部移動，以使基板上之氣體供給位置在比上述清洗液供給部之清洗液供給位置更接近基板中心部之位置處自基板之中心部朝基板之周緣部移動。
  9. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述處理部更包含：感光性膜形成單元，於曝光處理前之基板形成由感光性材料構成之感光性膜；以及顯影處理單元，對曝光處理後之基板進行顯影處理；而上述乾燥處理單元於由上述曝光裝置進行曝光處理後且由上述顯影處理單元進行顯影處理前，對基板進行乾燥處理。
  10. 一種基板處理裝置，係以與曝光裝置相鄰接之方式配置之基板處理裝置；其具備有：處理部，用以對基板進行處理；以及交接部，用以於上述處理部與上述曝光裝置間進行基板之交接；而上述處理部及上述交接部之至少一者包含對基板進行乾燥處理之乾燥處理單元，上述乾燥處理單元包含：基板保持裝置，將基板保持成大致水平；旋轉驅動裝置，使由上述基板保持裝置保持之基板圍繞垂直 於該基板之軸旋轉；清洗液供給部，將清洗液供給至由上述基板保持裝置保持之基板上；以及清洗液供給移動機構，使上述清洗液供給部移動以將清洗液自旋轉之基板中心部連續地供給至周緣部；上述清洗液供給部按照以第1供給壓力朝基板之中心部供給清洗液且以低於上述第1供給壓力之第2供給壓力朝基板之周緣部供給清洗液之方式，分階段地或連續地改變清洗液之供給壓力。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，於朝離基板中心部特定距離之位置供給清洗液之狀態下，上述清洗液供給移動機構使上述清洗液供給部之移動暫時停止。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給部，該氣體供給部於由上述清洗液供給部朝遠離基板中心之位置處供給清洗液之狀態下，朝基板之中心部噴出氣體。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述乾燥處理單元更包含氣體供給移動機構，該氣體供給移動機構使上述氣體供給部移動，以使基板上之氣體供給位置於比上述清洗液供給部之清洗液供給位置更接近於基板中心部之位置處，自基板之中心部朝基板之周緣部移動。
  14. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中， 上述處理部更包含：感光性膜形成單元，於曝光處理前之基板形成由感光性材料構成之感光性膜；以及顯影處理單元，對曝光處理後之基板進行顯影處理；而上述乾燥處理單元於由上述曝光裝置進行曝光處理後且由上述顯影處理單元進行顯影處理前，對基板進行乾燥處理。
  15. 一種基板處理方法，係於以與曝光裝置相鄰接之方式配置、且包含處理部及交接部的基板處理裝置中對基板進行處理之基板處理方法；其包含：藉由上述處理部對基板進行曝光前之處理之步驟；藉由上述交接部將經上述處理部處理之基板自上述處理部交接至上述曝光裝置之步驟；藉由上述交接部將經上述曝光裝置曝光處理後之基板自上述曝光裝置交接至上述處理部之步驟；藉由上述處理部對基板進行曝光處理後之處理之步驟；以及於上述處理部及上述交接部之至少一者中對基板進行乾燥處理之步驟；而上述對基板進行乾燥處理之步驟包含：將基板保持成大致水平並使其圍繞垂直於基板之軸旋轉之步驟；自旋轉之基板中心部朝周緣部連續供給清洗液之步驟；以及於朝遠離基板中心之位置供給清洗液之狀態下，朝基板之中 心噴出氣體之步驟；於上述使基板旋轉之步驟中，以於朝基板之中心部供給清洗液期間使基板以第1旋轉速度旋轉並於朝基板之周緣部供給清洗液期間使基板以低於上述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉之方式，分階段地或連續地改變基板之旋轉速度。
  16. 一種基板處理方法，係於以與曝光裝置相鄰接之方式配置、且包含處理部及交接部之基板處理裝置中對基板進行處理之基板處理方法；其包含：藉由上述處理部對基板進行曝光前之處理之步驟；藉由上述交接部將經上述處理部處理之基板自上述處理部交接至上述曝光裝置之步驟；藉由上述交接部將經上述曝光裝置曝光處理後之基板自上述曝光裝置交接至上述處理部之步驟；藉由上述處理部對基板進行曝光處理後之處理之步驟；以及於上述處理部及上述交接部之至少一者中對基板進行乾燥處理之步驟；而上述對基板進行乾燥處理之步驟包含：將基板保持成大致水平並使其圍繞垂直於基板之軸旋轉之步驟；以及自旋轉之基板中心部朝周緣部連續地供給清洗液之步驟；於上述供給清洗液之步驟中，按照以第1流量朝基板中心部供給清洗液且以少於上述第1流量之第2流量朝基板周緣部供 給清洗液之方式，於藉由上述清洗液供給移動機構所進行之移動中，分階段地或連續地改變清洗液之流量。
  17. 一種基板處理方法，係於以與曝光裝置相鄰接之方式配置、且包含處理部及交接部之基板處理裝置中對基板進行處理之基板處理方法；其包含：藉由上述處理部對基板進行曝光前之處理之步驟；藉由上述交接部將經上述處理部處理之基板自上述處理部交接至上述曝光裝置之步驟；藉由上述交接部將經上述曝光裝置曝光處理後之基板自上述曝光裝置交接至上述處理部之步驟；藉由上述處理部對基板進行曝光處理後之處理之步驟；以及於上述處理部及上述交接部之至少一者中對基板進行乾燥處理之步驟；而上述對基板進行乾燥處理之步驟包含：將基板保持成大致水平並使其圍繞垂直於基板之軸旋轉之步驟；以及自旋轉之基板中心部朝周緣部連續地供給清洗液之步驟；於上述供給清洗液之步驟中，按照以第1供給壓力朝基板中心部供給清洗液，以低於上述第1供給壓力之第2供給壓力朝基板周緣部供給清洗液之方式，分階段地或連續地改變清洗液之供給壓力。
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