JP5166802B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に処理を施すための基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
しかしながら、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、基板は、液体が付着した状態で露光装置から搬出される。そのため、上記特許文献１の基板処理装置に上記特許文献２に記載されているような液浸法を用いた露光装置を外部装置として設ける場合、露光装置から搬出された基板に付着している液体が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良が発生するおそれがある。
また、露光処理後の基板に液体が付着していると、その基板に塵埃等が付着しやすくなるとともに、基板に付着する液体が基板上に形成されている膜に悪影響を与える場合がある。これらに起因して、基板に処理不良が発生するおそれがある。
本発明の目的は、露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、乾燥処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段により保持された基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段と、回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液が供給されるようにリンス液供給手段を移動させるリンス液供給移動手段とを含み、リンス液供給移動手段は、基板の中心部から所定距離離れた位置にリンス液が供給される状態でリンス液供給手段の移動を一時的に所定時間停止させ、所定時間は、基板の回転に伴う遠心力によって基板の中心部に１つだけ乾燥コアが形成されるように予め設定されるものである。
その基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置により基板に露光処理が行われた後、その基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ受け渡される。露光装置による露光処理前または露光処理後には、乾燥処理ユニットにより基板の乾燥処理が行われる。
乾燥処理ユニットにおいては、基板が基板保持手段により略水平に保持された状態で回転駆動手段により回転する。そして、リンス液供給手段が基板にリンス液を供給しつつリンス液供給移動手段によって移動する。それにより、基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液が供給される。
回転する基板の中心部にリンス液が供給されることにより基板上にリンス液の液層が形成される。次いで、基板上におけるリンス液の供給位置が基板の中心部から周縁部に移動する。それにより、液層の中心部にリンス液が存在しない乾燥領域が形成される。その後、基板上に環状の液層が一体に保持された状態で、遠心力により乾燥領域が液層の中心部から外側に拡大していく。この場合、液層の表面張力により、乾燥領域内に微小液滴が形成されることが防止される。
また、基板の中心部から所定距離離れた位置にリンス液が供給される状態でリンス液供給手段の移動を一時的に停止させることにより、基板上の液層が複数の部分に分断されることを防止することができる。それにより、液層の中心部から確実に１つの乾燥領域を拡大させることができる。したがって、安定に基板の乾燥を進行させることができるとともに、基板上における微小液滴の形成をより確実に防止することができる。
このような乾燥処理が露光処理後の基板に行われる場合、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。その結果、基板処理装置の動作不良を防止することができる。
また、基板上に残留する液体に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止される。さらに、基板上に残留する液体が基板上の膜に悪影響を与えることが防止される。したがって、基板の処理不良を防止することができる。
一方、乾燥処理が露光処理前の基板に行われる場合、基板上に液層が形成されることにより、露光処理前の処理工程で基板に付着した塵埃等を露光処理前に取り除くことができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができ、基板の処理不良を防止することができる。
（２）所定距離は、リンス液供給手段の移動が一時的に停止する期間に基板の中心部に１つだけ乾燥コアが形成されるように予め設定されてもよい。
（３）回転駆動手段は、基板の中心部にリンス液が供給される状態で基板が第１の回転速度で回転し、基板の周縁部にリンス液が供給される状態で基板が第１の回転速度より低い第２の回転速度で回転するように基板の回転速度を段階的または連続的に変化させてもよい。
基板の周縁部の周速度は基板の中心部の周速度よりも大きい。そのため、基板の周縁部に供給されるリンス液は基板の中心部に供給されるリンス液よりも飛散しやすい。そこで、基板の周縁部にリンス液が供給される状態での基板の回転速度を基板の中心部にリンス液が供給される状態での基板の回転速度より低く設定することにより、基板の周縁部に供給されるリンス液が飛散することを防止することができる。それにより、飛散したリンス液が基板の乾燥領域内に再付着することを防止することができ、基板上に微小液滴が残留することを確実に防止することができる。
（４）リンス液供給手段は、第１の流量で基板の中心部にリンス液を供給し、第１の流量より少ない第２の流量で基板の周縁部にリンス液を供給するようにリンス液の流量を段階的または連続的に変化させてもよい。
この場合、基板の周縁部に供給されるリンス液が飛散することが防止される。したがって、飛散したリンス液が基板の乾燥領域内に再付着することを防止することができ、基板上に微小液滴が残留することを確実に防止することができる。
（５）リンス液供給手段は、第１の供給圧で基板の中心部にリンス液を供給し、第１の供給圧より低い第２の供給圧で基板の周縁部にリンス液を供給するようにリンス液の供給圧を段階的または連続的に変化させてもよい。
この場合、基板の周縁部に供給されるリンス液が飛散することが防止される。したがって、飛散したリンス液が基板の乾燥領域内に再付着することを防止することができ、基板上に微小液滴が残留することを確実に防止することができる。
（６）乾燥処理ユニットは、リンス液供給手段により基板の中心から離れた位置にリンス液が供給される状態で、基板の中心部にガスを吹き出すガス供給手段をさらに含んでもよい。
この場合、基板上の液層に乾燥領域が形成された直後に、ガス供給手段によって基板の中心部にガスを吹き出すことにより、その乾燥領域を瞬時に拡大することができる。それにより、基板上の液層が複数の部分に分断されることをより確実に防止することができる。したがって、より安定に基板の乾燥を進行させることができるとともに、基板上における微小液滴の形成をより確実に防止することができる。
（７）乾燥処理ユニットは、基板上におけるガスの供給位置がリンス液供給手段によるリンス液の供給位置よりも基板の中心部に近い位置において基板の中心部から基板の周縁部に移動するようにガス供給手段を移動させるガス供給移動手段をさらに含んでもよい。
この場合、基板上の乾燥領域にガスが吹き付けられるので、乾燥領域内における微小液滴の残留がより確実に防止される。また、乾燥領域を確実に拡大させることができるため、効率良く確実に基板を乾燥させることができる。
（８）処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、露光処理後の基板に現像処理を行う現像処理ユニットとをさらに含み、乾燥処理ユニットは、露光装置による露光処理後であって現像処理ユニットによる現像処理前に基板の乾燥処理を行ってもよい。
この場合、基板に露光処理が施されてから現像処理が施されるまでの期間に、感光性膜上に液体が残留することが防止される。それにより、露光処理後の感光性膜で進行する反応が残留液体によって阻害されることが防止される。また、残留液体によって露光パターンが変形することが防止される。したがって、現像処理時における線幅精度の低下等の処理不良が確実に防止される。
（９）第２の発明に係る基板処理方法は、露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において基板を処理する基板処理方法であって、処理部により基板に露光前の処理を行う工程と、処理部により処理された基板を受け渡し部により処理部から露光装置に受け渡す工程と、露光装置による露光処理後の基板を受け渡し部により露光装置から処理部に受け渡す工程と、処理部により基板に露光処理後の処理を行う工程と、処理部および受け渡し部の少なくとも一方において基板に乾燥処理を行う工程とを備え、基板に乾燥処理を行う工程は、基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで回転させる工程と、リンス液供給手段を移動させることにより回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液を供給する工程とを含み、リンス液を供給する工程は、基板の中心部から所定距離離れた位置にリンス液が供給される状態でリンス液供給手段の移動を一時的に所定時間停止させ、所定時間は、基板の回転に伴う遠心力によって基板の中心部に１つだけ乾燥コアが形成されるように予め設定されることを含むものである。
その基板処理方法では、処理部により基板に露光処理前の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置により基板に露光処理が行われた後、その基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ受け渡され、その基板に露光処理後の処理が行われる。露光装置による露光処理前または露光処理後には、処理部および受け渡し部の少なくとも一方において乾燥処理ユニットにより基板に乾燥処理が行われる。
乾燥処理時には、基板が略水平に保持された状態で回転する。そして、リンス液供給手段がリンス液を供給しつつ移動し、回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液が供給される。回転する基板の中心部にリンス液が供給されることにより基板上にリンス液の液層が形成される。次いで、基板上におけるリンス液の供給位置が基板の中心部から周縁部に移動する。それにより、液層の中心部にリンス液が存在しない乾燥領域が形成される。その後、基板上に環状の液層が一体に保持された状態で、遠心力により乾燥領域が液層の中心部から外側に拡大していく。この場合、液層の表面張力により、乾燥領域内に微小液滴が形成されることが防止される。
また、基板の中心部から所定距離離れた位置にリンス液が供給される状態でリンス液供給手段の移動が一時的に停止する。それにより、基板上の液層が複数の部分に分断されることを防止することができる。そのため、液層の中心部から確実に１つの乾燥領域を拡大させることができる。したがって、安定に基板の乾燥を進行させることができるとともに、基板上における微小液滴の形成をより確実に防止することができる。
このような乾燥処理が露光処理後の基板に行われる場合、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。その結果、基板処理装置の動作不良を防止することができる。
また、基板上に残留する液体に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止される。さらに、基板上に残留する液体が基板上の膜に悪影響を与えることが防止される。したがって、基板の処理不良を防止することができる。
一方、乾燥処理が露光処理前の基板に行われる場合、基板上に液層が形成されることにより、露光処理前の処理工程で基板に付着した塵埃等を露光処理の直前に取り除くことができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができ、基板の処理不良を防止することができる。
本発明によれば、露光装置による露光処理前または露光処理後の基板に乾燥処理が行われる。乾燥処理が露光処理後の基板に行われる場合、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。その結果、基板処理装置の動作不良を防止することができる。
また、基板上に残留する液体に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止される。さらに、基板上に残留する液体が基板上の膜に悪影響を与えることが防止される。したがって、基板の処理不良を防止することができる。
一方、乾燥処理が露光処理前の基板に行われる場合、基板上に液層が形成されることにより、露光処理前の処理工程で基板に付着した塵埃等を露光処理前に取り除くことができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができ、基板の処理不良を防止することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。レジストカバー膜が形成されることにより、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジスト膜が液体と接触することが防止され、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。
（３）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２について図面を用いて詳細に説明する。なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は同様の構成のものを用いることができる。
（３−１）構成
図５は洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成を示す模式的側面図であり、図６は図５の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の模式的平面図である。図５および図６に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６（図５）によって回転される回転軸６２５（図５）の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
スピンチャック６２１の外方には、モータ６６０が設けられている。モータ６６０には、回動軸６６１が接続されている。また、回動軸６６１には、アーム６６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６６２の先端に液供給ノズル６５０が設けられている。
モータ６６０により回動軸６６１が回転するとともにアーム６６２が回動する。それにより、液供給ノズル６５０が、スピンチャック６２１により保持された基板Ｗの中心部上方の位置と基板Ｗの外方位置との間で移動する（図６）。
モータ６６０、回動軸６６１およびアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。
このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図５の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。
液供給ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）または有機系の液体などが用いられる。
また、洗浄液またはリンス液として、露光装置１６において露光処理の際に用いられる液浸液を使用してもよい。液浸液の例としては、純水、高屈折率を有するグリセロール、高屈折率の微粒子（例えば、アルミニウム酸化物）と純水とを混合した混合液および有機系の液体等が挙げられる。液浸液の他の例としては、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水等が挙げられる。
図５に示すように、スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図５に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
（３−２）動作
次に、上記構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、液供給ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。
なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、液供給ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。その後、後述の乾燥処理が行われることにより、基板Ｗ上のリンス液が取り除かれ、基板Ｗが乾燥される。詳細は後述する。
その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
なお、上記実施の形態においては、液供給ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に液供給ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。
また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、その洗浄液を用いて後述の乾燥処理を行ってもよい。
また、基板Ｗの汚染が軽微な場合、洗浄液を用いた洗浄を行わなくてもよい。この場合、以下に示すようなリンス液を用いた乾燥処理を行うことで基板Ｗ上の汚染物を十分に取り除くことができる。
（３−３）基板の乾燥処理の詳細
以下、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における基板Ｗの乾燥処理について詳細に説明する。なお、本例で用いる基板Ｗの直径は例えば２００〜３００ｍｍであるとする。
遠心力を利用して基板Ｗの乾燥を行う場合、基板Ｗ上に微小液滴が残留しやすい。これは、微小液滴には質量に応じた小さな遠心力しか働かないため、基板Ｗから引き離すことが困難であるためである。また、基板Ｗの中心部近傍に微小液滴が存在すると、その微小液滴に働く遠心力はさらに小さくなり、微小液滴を取り除くことがさらに困難となる。基板Ｗ上のレジストカバー膜の疎水性が高い場合には、このような微小液滴が特に形成されやすい。
本実施の形態では、基板Ｗにおける微小液滴の形成および付着が防止され、基板Ｗ上からリンス液が確実に取り除かれる。
図７および図８は、基板Ｗの乾燥処理の詳細を説明するための図である。なお、図７（ａ）〜（ｃ）および図８（ａ）〜（ｃ）は基板Ｗを上方から見た図であり、図７（ｄ）〜（ｆ）および図８（ｄ）〜（ｆ）は基板Ｗを側方から見た図である。
上記のように、基板Ｗに洗浄処理が行われた後には、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動し、基板Ｗ上にリンス液を吐出する。それにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。所定時間経過後、液供給ノズル６５０からのリンス液の吐出が継続された状態で、基板Ｗの回転速度が上昇する。リンス液の流量は、例えば０．２〜０．８Ｌ／ｍｉｎである。この場合、図７（ａ）および図７（ｄ）に示すように、基板Ｗの一面を覆うようにリンス液の液層Ｌが形成される。
続いて、図７（ｂ）および図７（ｅ）に示すように、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。移動速度は例えば６〜１０ｍｍ／ｓｅｃである。この場合、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって液層Ｌの中心部の厚みが小さくなる。以下、厚みが小さくなった液層Ｌの領域を薄層領域と呼ぶ。
液供給ノズル６５０は、基板Ｗの中心部上方から所定距離移動した時点で一旦停止する。液供給ノズル６５０の停止位置と基板Ｗの回転軸との水平距離は例えば１５〜２５ｍｍである。また、停止時間は例えば１０秒程度である。この期間に、図７（ｃ）および図７（ｆ）に示すように、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に孔部（以下、乾燥コアＣと呼ぶ）が形成される。
この場合、液供給ノズル６５０が一旦停止することにより、液層Ｌの薄層領域の拡大が制限される。薄層領域が拡大すると、その薄層領域に複数の乾燥コアが形成されることがある。本実施の形態では、複数の乾燥コアＣが形成されることが防止され、乾燥コアＣが１つだけ形成される。
液供給ノズル６５０を一旦停止させる位置および停止させる時間は、確実に１つだけ乾燥コアＣが形成されるように、実験等によって予め決定しておく。また、基板Ｗの種類、大きさ、表面状態および回転速度、液供給ノズル６５０からのリンス液の吐出流量、ならびに液供給ノズル６５０の移動速度等の種々の条件に応じて液供給ノズル６５０を一旦停止させるタイミングおよび位置を適宜設定することが好ましい。
乾燥コアＣの形成後、図８（ａ）および図８（ｄ）に示すように、液供給ノズル６５０が再び外方に向かって移動する。それに伴い、遠心力により乾燥コアＣを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。
続いて、図８（ｂ）および図８（ｅ）に示すように、液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると、基板Ｗの回転速度が下降する。液供給ノズル６５０の移動速度はそのままで維持される。
その後、リンス液の吐出が停止されるとともに液供給ノズル６５０が基板Ｗの外方に移動する。それにより、図８（ｃ）および図８（ｆ）に示すように、乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上の全体に広がり、基板Ｗが乾燥される。
このように、基板Ｗが回転する状態で、液供給ノズル６５０がリンス液を吐出しつつ基板Ｗの中心部上方から周縁部上方に移動することにより、基板Ｗ上にリンス液の液層Ｌが一体に保持された状態で乾燥領域Ｒ１が拡大していく。この場合、液層Ｌの表面張力によって乾燥領域Ｒ１における微小液滴の形成を防止することができる。それにより、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
また、液供給ノズル６５０が所定距離移動したときに一旦停止することにより、液層Ｌの薄層領域の面積が調整され、確実に１つの乾燥コアＣが形成される。乾燥コアＣが１つではなく複数形成された場合、安定して乾燥領域Ｒ１を拡大させることができない。また、複数の乾燥コアＣを始点として複数の乾燥領域Ｒ１がそれぞれ拡大するので、複数の乾燥領域Ｒ１が互いに干渉し、微小液滴が形成されやすい。したがって、乾燥コアＣを１つだけ形成することにより、安定に基板Ｗの乾燥を進行させることができるとともに、基板Ｗ上に微小液滴が残留することをより確実に防止することができる。
次に、乾燥処理時における基板Ｗの回転速度の変化について説明する。図９は、基板Ｗの回転速度の変化の一例を示す図である。図９において、横軸は基板Ｗの回転軸と液供給ノズル６５０との水平距離を示し、縦軸は基板Ｗの回転速度を示す。
図９に示す例では、基板Ｗの回転軸と液供給ノズル６５０との水平距離が０〜６０ｍｍである期間には、基板Ｗの回転速度が１８００〜２１００ｒｐｍに設定される。基板Ｗの回転軸と液供給ノズル６５０との水平距離が６０ｍｍを超えると、基板Ｗの回転速度が１０００〜１２００ｒｐｍに設定される。すなわち、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方を移動する期間の基板Ｗの回転速度より、液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方を移動する期間の基板Ｗの回転速度が低く設定される。
基板Ｗの回転時において、基板Ｗの周縁部における周速度は、基板Ｗの中心部における周速度よりも大きい。また、基板Ｗの周縁部にはリンス液の乱流が発生しやすい。そのため、基板Ｗの回転速度が一定である場合、基板Ｗの周縁部に吐出されるリンス液は、基板Ｗの中心部に吐出されるリンス液よりも飛散しやすい。基板Ｗの周縁部から飛散したリンス液が微小液滴として基板Ｗの乾燥領域Ｒ１に付着すると、その後に取り除くことが困難となる。
そこで、液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方を移動する際に基板Ｗの回転速度を下降させることにより、基板Ｗの周縁部に吐出されるリンス液が飛散することを防止することができる。したがって、微小液滴が基板Ｗ上に残留することがより確実に防止され、基板Ｗがより確実に乾燥される。
なお、本実施の形態では、乾燥処理時に基板Ｗの回転速度が２段階に調整されるが、これに限らず、３段階以上の多段階で基板Ｗの回転速度が調整されてもよく、または液供給ノズル６５０が基板の中心部上方から基板Ｗの周縁部上方に移動する期間に基板Ｗの回転速度が連続的に下降してもよい。
（４）実施の形態の効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００では、インターフェースブロック１５の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗに乾燥処理が行われ、基板Ｗが確実に乾燥される。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。したがって、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良が防止される。
また、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。さらに、基板Ｗ上における液体の残留が防止されることにより、その液体による基板Ｗ上のレジスト膜およびレジストカバー膜への悪影響を防止することができる。これらにより、基板Ｗの処理不良を防止することができる。
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。
また、露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。
また、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれることにより、露光処理前に洗浄液またはリンス液が基板Ｗ上のレジストカバー膜またはレジスト膜に染み込むことが防止される。それにより、露光処理時における解像性能の劣化を防止することができる。
（５）洗浄／乾燥処理ユニットの他の例
図１０は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の他の構成を示す模式的側面図であり、図１１は図１０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の模式的平面図である。以下、図１０および図１１に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２が図５および図６に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２と異なる点を説明する。
この洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、スピンチャック６２１を挟んでモータ６６０と対向する位置に、モータ６７１が設けられている。モータ６７１には、回動軸６７２が接続されている。回動軸６７２には、アーム６７３が水平方向に延びるように連結され、アーム６７３の先端にガス供給ノズル６７０が設けられている。
モータ６７１により回動軸６７２が回転するとともにアーム６７３が回動する。それにより、ガス供給ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの中心部上方の位置と基板Ｗの外方位置との間で移動する。この場合、液供給ノズル６５０とガス供給ノズル６７０とは、基板Ｗの中心部上方から互いに反対側の方向に向かって基板Ｗの外方位置に移動する。
モータ６７１、回動軸６７２およびアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
ガス供給ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。なお、不活性ガスの代わりに、エアー（空気）等の他の気体を用いてもよい。
次に、図１０および図１１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における基板Ｗの乾燥処理について説明する。図１２は、図１０および図１１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における基板Ｗの乾燥処理の一部を示す図である。
液供給ノズル６５０の動作および基板Ｗの回転速度の変化については、図５および図６の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２と同様である。ここでは、ガス供給ノズル６７０の動作を主に説明する。
ガス供給ノズル６７０は、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方から移動を開始した後に（図７（ｂ）および図７（ｅ）参照）、基板Ｗの中心部上方に移動する。そして、液層Ｌに乾燥コアＣが形成されると（図７（ｃ）および図７（ｆ）参照）、図１２（ａ）および図１２（ｄ）に示すように、ガス供給ノズル６７０が基板Ｗの中心部に向けて不活性ガスを吹き出す。
この場合、液層Ｌに形成された１つ目の乾燥コアＣを始点として乾燥領域Ｒ１が瞬時に拡大される。それにより、１つ目の乾燥コアＣの形成後に他の乾燥コアＣが形成されることが防止される。上記のように、複数の乾燥コアＣが形成されると、基板Ｗ上に微小液滴が形成されやすい。したがって、本例においては、微小液滴の形成をより確実に防止することができる。
なお、不活性ガスを吹き出すタイミングは、１つ目の乾燥コアＣの形成後に他の乾燥コアＣが形成されないように実験等によって予め決定しておく。また、基板Ｗの種類、大きさ、表面状態および回転速度、液供給ノズル６５０からのリンス液の吐出流量、ならびに液供給ノズル６５０の移動速度等の種々の条件に応じて不活性ガスを吹き出すタイミングを適宜設定することが好ましい。
続いて、図１２（ｂ）および図１２（ｅ）に示すように、液供給ノズル６５０がリンス液を吐出しつつ外方に移動するとともに、ガス供給ノズル６７０が不活性ガスを吐出しつつ液供給ノズル６５０とは逆方向に移動する。液供給ノズル６５０の移動速度とガス供給ノズル６７０の移動速度とは互いにほぼ等しく調整される。それにより、ガス供給ノズル６７０は液供給ノズル６５０よりも常に基板Ｗの回転軸に近い位置にあり、基板Ｗ上の乾燥領域Ｒ１に向けて不活性ガスを吹き出す。
その後、液供給ノズル６５０がリンス液の吐出を停止するとともに基板Ｗの外方に移動し、ガス供給ノズル６７０が不活性ガスの吹き出しを停止するととも基板Ｗの外方に移動する。これにより、図１２（ｃ）および図１２（ｆ）に示すように、乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上の全体に広がり、基板Ｗが乾燥される。
このように、ガス供給ノズル６７０が不活性ガスを吹き出しつつ基板Ｗの中心部上方から外方に移動することにより、基板Ｗ上の乾燥領域Ｒ１における微小液滴の残留がより確実に防止される。また、乾燥領域Ｒ１を確実に拡大させることができ、効率よく確実に基板Ｗを乾燥させることができる。
また、液供給ノズル６５０とガス供給ノズル６７０とが逆方向に移動することにより、液供給ノズル６５０から吐出されるリンス液とガス供給ノズル６７０から吹き出される不活性ガスとが互いに干渉しない。それにより、不活性ガスとの干渉によるリンス液の飛散が防止され、乾燥領域Ｒ１にリンス液の微小液滴が付着することが防止される。
また、リンス液と不活性ガスとが干渉しないことにより、不活性ガスの流量および吹き付け角度等の設定の自由度が大きくなる。それにより、より効率よく基板Ｗを乾燥させることが可能となる。
なお、上記の例では、ガス供給ノズル６７０が不活性ガスを吐出しつつ基板Ｗの中心部上方から周縁部上方に移動するが、乾燥コアＣの形成後の短時間（例えば１秒間）にのみ、ガス供給ノズル６７０が不活性ガスを吹き出してもよい。すなわち、図１２（ａ）および図１２（ｄ）に示す基板Ｗの中心部に向けた不活性ガスの吹き出しを例えば１秒程度行い、その後不活性ガスの吹き出しを停止してもよい。この場合、不活性ガスの流量は例えば１０Ｌ／ｍｉｎに調整される。
また、ガス供給ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から移動することなく、基板Ｗの中心部に向けて数秒間継続的に不活性ガスを吹き出してもよい。この場合、不活性ガスの流量は例えば１０Ｌ／ｍｉｎに調整される。
また、上記の例では、液供給ノズル６５０とガス供給ノズル６７０とが基板Ｗの中心部上方から互いに逆方向に移動するが、リンス液と不活性ガスとの干渉を抑制することができるのであれば、液供給ノズル６５０とガス供給ノズル６７０とが例えば直交する方向に移動してもよく、または同じ方向に移動してもよい。液供給ノズル６５０とガス供給ノズル６７０とが同じ方向に移動する場合には、液供給ノズル６５０とガス供給ノズル６７０とが一体であってもよい。
（６）洗浄／乾燥処理ユニットのさらに他の例
図１３は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のさらに他の構成を示す模式的側面図である。以下、図１３に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２が図５および図６に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２と異なる点を説明する。
この洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２には、三方弁Ｖｔ、バイパス管６６３ａおよび流量調整弁６８０が設けられている。バイパス管６６３ａの一端は三方弁Ｖｔを介してバルブＶｂの上流側における洗浄処理用供給管６６３の部分に接続されており、バイパス管６６３ａの他端は三方弁ＶｔとバルブＶｂとの間の洗浄処理用供給管６６３の部分に接続されている。流量調整弁６８０は、バイパス管６６３ａに介挿されている。流量調整弁６８０により、バイパス管６６３ａを通して液供給ノズル６５０に供給されるリンス液の流量が低減される。
図５および図６の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２では、乾燥処理時に液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると基板Ｗの回転速度が低くなる。それにより、基板Ｗの周縁部に吐出されるリンス液が飛散することが防止される。
それに対して、図１３の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２では、乾燥処理時において、液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると、リンス液がバイパス管６６３ａに導かれるように三方弁Ｖｔが切り替えられる。なお、基板Ｗの回転速度は例えば１８００〜２１００ｒｐｍで一定に維持される。この場合、基板Ｗの中心部付近に吐出されるリンス液の流量に比べて基板Ｗの周縁部に吐出されるリンス液の流量が低減される。それにより、基板Ｗの周縁部に吐出されるリンス液が飛散することが防止される。
なお、本例では、乾燥処理時におけるリンス液の流量が２段階に調整されるが、これに限らず、３段階以上の多段階でリンス液の流量が調整されてもよく、または液供給ノズル６５０が基板の中心部上方から基板Ｗの外方に移動する期間にリンス液の流量が連続的に低減されてもよい。
また、図１３に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２に、図１０のモータ６７１、回動軸６７２、アーム６７３およびガス供給ノズル６７０が設けられてもよい。
（７）洗浄／乾燥処理ユニットのさらに他の例
図１４は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のさらに他の構成を示す模式的側面図である。以下、図１４に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２が図１３に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２と異なる点を説明する。
この洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、流量調整弁６８０の代わりに減圧弁６８１が設けられている。減圧弁６８１により、バイパス管６６３ａを通して液供給ノズル６５０に供給されるリンス液の供給圧が低下する。
この洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２では、乾燥処理時に、液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると、リンス液がバイパス管６６３ａに導かれるように三方弁Ｖｔが切り替えられる。この場合、基板Ｗの中心部付近へのリンス液の吐出圧に比べて基板Ｗの周縁部へのリンス液の吐出圧が低くなる。それにより、基板Ｗの周縁部に吐出されるリンス液が飛散することが防止される。
なお、本例では、乾燥処理時におけるリンス液の吐出圧が２段階に調整されるが、これに限らず、３段階以上の多段階でリンス液の吐出圧が調整されてもよく、または液供給ノズル６５０が基板の中心部上方から基板Ｗの外方に移動する期間にリンス液の吐出圧が連続的に低減されてもよい。
また、図１４に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２に、図１０のモータ６７１、回動軸６７２、アーム６７３およびガス供給ノズル６７０が設けられてもよい。
（８）他の実施の形態
レジストカバー膜用処理ブロック１３は設けなくてもよい。この場合、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における洗浄処理時に、レジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１６においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を防止することができる。
また、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けない場合には、レジストカバー膜除去ブロック１４を設けなくてよい。それにより、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。なお、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４を設けない場合には、基板Ｗの露光後ベークは、現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２１で行われる。
また、上記実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２がインターフェースブロック１５内に配置されるが、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方が図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４内に配置されてもよい。あるいは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方を含む洗浄／乾燥処理ブロックを図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２が乾燥処理ユニットの例である。
また、スピンチャック６２１が基板保持手段の例であり、チャック回転駆動機構６３６が回転駆動手段の例であり、液供給ノズル６５０がリンス液供給手段の例であり、モータ６６０がリンス液供給移動手段の例であり、ガス供給ノズル６７０がガス供給手段の例であり、モータ６７１がガス供給移動手段の例であり、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
が、本発明は下記の例に限定されない。
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 図５の洗浄／乾燥処理ユニットの模式的平面図である。 基板の乾燥処理の詳細を説明するための図である。 基板の乾燥処理の詳細を説明するための図である。 基板の回転速度の変化の一例を示す図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の構成を示す模式的側面図である。 図９の洗浄／乾燥処理ユニットの模式的平面図である。 図１０および図１１の洗浄／乾燥処理ユニットにおける基板の乾燥処理の一部を示す図である。 洗浄／乾燥処理ユニットのさらに他の構成を示す模式的側面図である。 洗浄／乾燥処理ユニットのさらに他の構成を示す模式的側面図である。
符号の説明
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
５０ 反射防止膜用塗布処理部
６０ レジスト膜用塗布処理部
７０ 現像処理部
８０ レジストカバー膜用塗布処理部
９０ レジストカバー膜除去用処理部
５００ 基板処理装置
６２１ スピンチャック
６２５ 回転軸
６３６ チャック回転駆動機構
６５０ 液供給ノズル
６６０，６７１ モータ
６７０ ガス供給ノズル
６８０ 流量調整弁
６８１ 減圧弁
ＥＥＷ エッジ露光部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄／乾燥処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却ユニット
Ｗ 基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３ 基板載置部

Claims (9)

  1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行うための処理部と、
    前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
    基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、
    前記乾燥処理ユニットは、
    基板を略水平に保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
    前記基板保持手段により保持された基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
    回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液が供給されるように前記リンス液供給手段を移動させるリンス液供給移動手段とを含み、
    前記リンス液供給移動手段は、基板の中心部から所定距離離れた位置にリンス液が供給される状態で前記リンス液供給手段の移動を一時的に所定時間停止させ、
    前記所定時間は、基板の回転に伴う遠心力によって基板の中心部に１つだけ乾燥コアが形成されるように予め設定されることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記所定距離は、前記リンス液供給手段の移動が一時的に停止する期間に基板の中心部に１つだけ乾燥コアが形成されるように予め設定される、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記回転駆動手段は、基板の中心部にリンス液が供給される状態で基板が第１の回転速度で回転し、基板の周縁部にリンス液が供給される状態で基板が前記第１の回転速度より低い第２の回転速度で回転するように基板の回転速度を段階的または連続的に変化させることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 前記リンス液供給手段は、第１の流量で基板の中心部にリンス液を供給し、前記第１の流量より少ない第２の流量で基板の周縁部にリンス液を供給するようにリンス液の流量を段階的または連続的に変化させることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  5. 前記リンス液供給手段は、第１の供給圧で基板の中心部にリンス液を供給し、前記第１の供給圧より低い第２の供給圧で基板の周縁部にリンス液を供給するようにリンス液の供給圧を段階的または連続的に変化させることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  6. 前記乾燥処理ユニットは、前記リンス液供給手段により基板の中心から離れた位置にリンス液が供給される状態で、基板の中心部にガスを吹き出すガス供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
  7. 前記乾燥処理ユニットは、基板上におけるガスの供給位置が前記リンス液供給手段によるリンス液の供給位置よりも基板の中心部に近い位置において基板の中心部から基板の周縁部に移動するように前記ガス供給手段を移動させるガス供給移動手段をさらに含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
  8. 前記処理部は、
    基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
    露光処理後の基板に現像処理を行う現像処理ユニットとをさらに含み、
    前記乾燥処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後であって前記現像処理ユニットによる現像処理前に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
  9. 露光装置に隣接するように配置され、処理部および受け渡し部を含む基板処理装置において基板を処理する基板処理方法であって、
    前記処理部により基板に露光前の処理を行う工程と、
    前記処理部により処理された基板を前記受け渡し部により前記処理部から前記露光装置に受け渡す工程と、
    前記露光装置による露光処理後の基板を前記受け渡し部により前記露光装置から前記処理部に受け渡す工程と、
    前記処理部により基板に露光処理後の処理を行う工程と、
    前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方において基板に乾燥処理を行う工程とを備え、
    前記基板に乾燥処理を行う工程は、
    基板を略水平に保持しつつ基板に垂直な軸の周りで回転させる工程と、
    リンス液供給手段を移動させることにより回転する基板の中心部から周縁部に連続的にリンス液を供給する工程とを含み、
    前記リンス液を供給する工程は、基板の中心部から所定距離離れた位置にリンス液が供給される状態で前記リンス液供給手段の移動を一時的に所定時間停止させることを含み、前記所定時間は、基板の回転に伴う遠心力によって基板の中心部に１つだけ乾燥コアが形成されるように予め設定されることを特徴とする基板処理方法。
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