CN101388327B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种基板处理装置以及基板处理方法，在清洗了基板后，形成冲洗液的液层，覆盖基板的一面。接着，液体供给喷嘴从基板的中心部上方向外侧移动。液体供给喷嘴在从基板的中心部上方移动到规定距离时暂时停止。在此期间内，离心力使液层在薄层区域内切断，从而在液层的中心部形成干燥核斑。然后，液体供给喷嘴再次向外侧移动，从而使没有冲洗液的干燥区域在基板上以干燥核斑为起点扩大。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种用于对基板实施处理的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
为了对半导体衬底、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等各种基板实施各种处理，使用基板处理装置。
在这种基板处理装置中，通常连续地对一个基板实施多种不同的处理。JP特开2003-324139号公报记载的基板处理装置由分度器模块、防反射膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块以及接口模块构成。将曝光装置配置为与接口模块相邻，该曝光装置是与基板处理装置分开另外设置的外部装置。
在上述基板处理装置中，在防反射膜用处理模块以及抗蚀膜用处理模块中对从分度器模块搬入的基板进行形成防反射膜和涂敷抗蚀膜的处理，然后经由分度器模块将其搬运至曝光装置。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行了曝光处理后，经由分度器模块将基板搬运至显影处理模块。在显影处理模块对基板上的抗蚀膜进行显影处理，从而形成抗蚀图案，然后将基板搬运至分度器模块。
近年来，随着设备的高密度以及高集成化，抗蚀图案的微细化成为重要的课题。在以往通常的曝光装置中，经由投影透镜将标线的图案缩小投影在基板上，从而进行曝光处理。但是，在这种以往的曝光装置中，曝光图案的线的宽度由曝光装置的光源的波长决定，因此对于抗蚀图案的微细化存在极限。
因此，作为能够使曝光图案进一步微细化的投影曝光方法，提出了液浸法(例如，参照国际公布99/49504号小册子)。在国际公布99/49504号小册子的投影曝光装置中，在投影光学系统和基板之间充满液体，能够使基板表面的曝光用光的波长缩短。由此，能够使曝光图案进一步微细化。
然而，在上述国际公布99/49504号小册子的投影曝光装置中，在基板与液体相接触的状态下进行曝光处理，因此基板在附着有液体的状态下被搬出曝光装置。由此，在上述JP特开2003-324139号公报的基板处理装置中设置上述国际公布99/49504号小册子所记载的使用液浸法的曝光装置并作为外部装置的情况下，附着在从曝光装置搬出的基板上的液体会落到基板处理装置内，导致可能会发生基板处理装置的电气系统异常等的动作不良。
另外，如果在曝光处理后的基板上附着有液体，则该基板容易附着灰尘等，并且附着在基板上的液体有时会对形成在基板上的膜带来坏的影响。由于这些原因，可能会在基板上发生处理不良。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够防止因在曝光装置中附着于基板上的液体而发生动作不良和处理不良。
(1)本发明的一个技术方案提供一种基板处理装置，其配置成与曝光装置相邻，其具有处理部以及交接部，其中，该处理部用于对基板进行处理，该交接部用于在处理部与曝光装置之间交接基板；处理部和交接部中的至少一方包括对基板进行干燥处理的干燥处理单元，干燥处理单元包括：将基板保持为大致水平的基板保持装置，使基板保持装置所保持的基板围绕垂直于该基板且通过该基板的中心的轴旋转的旋转驱动装置，向基板保持装置所保持的基板上供给冲洗液的冲洗液供给部，移动冲洗液供给部从而从旋转的基板的中心部向周边部连续供给冲洗液的冲洗液供给移动机构；冲洗液供给移动机构使冲洗液供给部在供给冲洗液的状态下，暂时停止在从基板的中心部远离规定距离的位置，上述规定距离以及暂时停止的时间被预先设定，以使在暂时停止上述冲洗液供给部的移动的期间，在基板的中心部只形成一个干燥核斑。
在该基板处理装置中，通过处理部对基板进行规定的处理，通过交接部将该基板从处理部交接至曝光装置。通过曝光装置对基板进行曝光处理之后，通过交接部将该基板从曝光装置交接至处理部。在曝光装置进行曝光处理前或曝光处理后，通过干燥处理单元对基板进行干燥处理。
在干燥处理单元中，在基板保持装置大致水平地保持基板的状态下，旋转驱动装置旋转该基板。然后，冲洗液供给部对基板供给冲洗液，同时冲洗液供给移动机构使该冲洗液供给部移动。由此，从基板的中心部向周边部连续供给冲洗液。
通过向旋转的基板的中心部供给冲洗液，在基板上形成冲洗液的液层。接着，使基板上供给冲洗液的位置从基板的中心部向周边部移动。由此，在液层的中心部形成没有冲洗液的干燥区域。然后，在环状的液层一体地保持于基板上的状态下，离心力使干燥区域从液层的中心部向外侧扩大。此时，液层的表面张力能够防止在干燥区域内形成微小液滴。
另外，在对从基板的中心部远离规定距离的位置供给冲洗液的状态下，使冲洗液供给部的移动暂时停止，由此能够防止基板上的液层被切断为多个部分。从而，能够可靠地从液层的中心部扩大一个干燥区域。因此，能够稳定地对基板进行干燥，并且能够更可靠地防止在基板上形成微小液滴。
在对曝光处理后的基板进行干燥处理的情况下，即使基板在曝光装置中附着有液体，也能够防止该液体落在基板处理装置内。其结果，能够防止基板处理装置发生动作不良。
另外，能够防止残留在基板上的液体附着环境中的灰尘等。进一步，能够防止残留在基板上的液体给基板上的膜带来坏影响。由此，能够防止对基板的处理发生不良。
另一方面，在曝光处理前对基板进行干燥处理的情况下，通过在基板上形成液层，能够在曝光处理前除去在曝光处理前的处理工序中附着于基板上的灰尘等。其结果，能够防止曝光装置被污染，而且能够防止对基板的处理发生不良。
(2)旋转驱动装置可以分阶段地或者连续地改变基板的转速：在向基板的中心部供给冲洗液的状态下使基板以第一转速旋转，在向基板的周边部供给冲洗液的状态下使基板以低于第一转速的第二转速旋转。
基板的周边部的圆周速度比基板的中心部的圆周速度大。因此，喷射到基板的周边部的冲洗液比喷射到基板的中心部的冲洗液更容易飞散。因此，将在对基板的周边部供给冲洗液的状态下的基板的转速设定得低于在对基板的中心部供给冲洗液的状态下的基板的转速，由此能够防止供给到基板的周边部的冲洗液飞散。因此，能够防止飞散的冲洗液再次附着在基板的干燥区域，而且能够可靠地防止微小液滴残留在基板上。
(3)冲洗液供给部可以分阶段地或者连续地改变冲洗液的流量：以第一流量向基板的中心部供给冲洗液，以小于第一流量的第二流量向基板的周边部供给冲洗液。
在此情况下，能够防止供给到基板的周边部的冲洗液飞散。因此，能够防止飞散的冲洗液再次附着在基板的干燥区域，而且能够可靠地防止微小液滴残留在基板上。
(4)冲洗液供给部可以分阶段地或者连续地改变冲洗液的供给压：以第一供给压向基板的中心部供给冲洗液，以低于第一供给压的第二供给压向基板的周边部供给冲洗液。
在此情况下，能够防止供给到基板的周边部的冲洗液飞散。因此，能够防止飞散的冲洗液再次附着在基板的干燥区域，而且能够可靠地防止微小液滴残留在基板上。
(5)干燥处理单元还可以包括气体供给部，该气体供给部在冲洗液供给部对远离基板中心的位置供给冲洗液的状态下，对基板的中心部喷射气体。
在此情况下，在基板上的液层形成了干燥区域之后，立刻通过气体供给部向基板的中心部喷射气体，从而能够使该干燥区域瞬间扩大。由此，能够更可靠地防止基板上的液层被切断为多个部分。因此，能够更稳定地对基板进行干燥，并且能够更可靠地防止在基板上形成微小液滴。
(6)干燥处理单元还可以包括气体供给移动机构，该气体供给移动机构移动气体供给部，使得基板上供给气体的位置，在保持处于比冲洗液供给部供给冲洗液的位置更靠近基板的中心部的位置上的状态下，从基板的中心部向基板的周边部移动。
在此情况下，由于对基板上的干燥区域喷射气体，因此能够更可靠地防止在干燥区域内残留微小液滴。另外，由于能够可靠扩大干燥区域，因此能够高效可靠地干燥基板。
(7)处理部还包括：感光膜形成单元以及显影处理单元，其中，该感光膜形成单元在基板上形成由感光材料构成的感光膜，该显影处理单元对曝光处理后的基板进行显影处理；在曝光装置进行曝光处理后且在显影处理单元进行显影处理前，干燥处理单元可以对基板进行干燥处理。
在此情况下，在开始对基板实施曝光处理到实施显影处理的期间内，防止在感光膜上残留液体。由此，能够防止残留液体妨碍利用曝光处理后的感光膜进行的反应。另外，能够防止残留液体导致曝光图案变形。因此，能够可靠防止发生在显影处理时线宽精度下降等的处理不良。
(8)本发明的其它技术方案提供一种基板处理方法，在基板处理装置中对基板进行处理，该基板处理装置配置成与曝光装置相邻，并且包括处理部和交接部，该基板处理方法包括：通过处理部对基板进行曝光处理前的处理的工序，通过交接部将处理部处理过的基板从处理部交接至曝光装置的工序，通过交接部将曝光装置曝光处理后的基板从曝光装置交接至处理部的工序，通过处理部对基板进行曝光处理后的处理的工序，在处理部和交接部中的至少一方中对基板进行干燥处理的工序；对基板进行干燥处理的工序包括：保持基板为大致水平，同时使基板围绕垂直于基板且通过基板的中心的轴旋转的工序，通过移动冲洗液供给部，从旋转的基板的中心部向周边部连续供给冲洗液的工序；在供给冲洗液的工序中，使冲洗液供给部在供给冲洗液的状态下，暂时停止在从基板的中心部远离规定距离的位置，上述规定距离以及暂时停止的时间被预先设定，以使在暂时停止上述冲洗液供给部的移动的期间，在基板的中心部只形成一个干燥核斑。
在该基板处理方法中，通过处理部对基板进行曝光处理前的处理，通过交接部将该基板从处理部交接至曝光装置。通过曝光装置对基板进行了曝光处理之后，通过交接部将该基板从曝光装置交接至处理部，对该基板进行曝光处理后的处理。在由曝光装置进行曝光处理前或曝光处理后，在处理部和交接部的至少一方中，通过干燥处理单元对基板进行干燥处理。
在干燥处理时，在保持基板为大致水平的状态下使该基板旋转。然后，冲洗液供给部一边供给冲洗液一边移动，从旋转的基板的中心部向周边部连续供给冲洗液。通过向旋转的基板的中心部供给冲洗液，从而在基板上形成冲洗液的液层。接着，使基板上供给冲洗液的位置从基板的中心部向周边部移动。由此，在液层的中心部形成没有冲洗液的干燥区域。然后，在环状的液层一体地保持于基板上的状态下，离心力使干燥区域从液层的中心向外侧扩大。在此情况下，液层的表面张力能够防止在干燥区域内形成微小液滴。
另外，在对从基板的中心部远离规定距离的位置供给冲洗液的状态下，使冲洗液供给部的移动暂时停止。由此，能够防止基板上的液层被切断为多个部分。从而，能够可靠地从液层的中心部扩大一个干燥区域。因此，能够稳定地对基板进行干燥，并且能够更可靠地防止在基板上形成微小液滴。
在对曝光处理后的基板进行干燥处理的情况下，即使基板在曝光装置中附着有液体，也能够防止该液体落在基板处理装置内。其结果，能够防止基板处理装置发生动作不良。
另外，能够防止残留在基板上的液体附着环境中的灰尘等。进一步，能够防止残留在基板上的液体给基板上的膜带来坏影响。由此，能够防止对基板进行的处理发生不良。
另一方面，在曝光处理前对基板进行干燥处理的情况下，通过在基板上形成液层，能够在曝光处理前除去在曝光处理前的处理工序中附着在基板上的灰尘等。其结果，能够防止曝光装置被污染，而且能够防止对基板的处理发生不良。
通过本发明，在曝光装置进行曝光处理前或曝光处理后，对基板进行干燥处理。在对曝光处理后的基板进行干燥处理的情况下，即使基板在曝光装置中附着有液体，也能够防止该液体落在基板处理装置内。其结果，能够防止基板处理装置发生动作不良。
另外，能够防止残留在基板上的液体附着环境中的灰尘等。进一步，能够防止残留在基板上的液体给基板上的膜带来坏影响。由此，能够防止对基板的处理发生不良。
另一方面，在曝光处理前对基板进行干燥处理的情况下，通过在基板上形成液层，能够在曝光处理前除去在曝光处理前的处理工序中附着在基板上的灰尘等。其结果，能够防止曝光装置被污染，而且能够防止对基板的处理发生不良。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置时所见的概略侧视图。
图3是从-X方向观察图1的基板处理装置时所见的概略侧视图。
图4是从+Y侧观察分度器模块时所见的概略侧视图。
图5是用于说明清洗/干燥处理单元的结构的图。
图6是图5的清洗/干燥处理单元的示意俯视图。
图7A～图7F是用于详细说明基板的干燥处理的图。
图8A～图8F是用于详细说明基板的干燥处理的图。
图9是表示基板的转速变化的一个例子的图。
图10是表示清洗/干燥处理单元的其它结构的示意侧视图。
图11是图10的清洗/干燥处理单元的示意俯视图。
图12A～图12F是表示图10及图11的清洗/干燥处理单元对基板进行干燥处理的一部分的图。
图13是表示清洗/干燥处理单元的另外其它结构的示意侧视图。
图14是表示清洗/干燥处理单元的另外其它结构的示意侧视图。
具体实施方式
下面，利用附图来说明本发明的实施方式的基板处理装置。在下面的说明中，基板是指半导体衬底、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。
(1)基板处理装置的结构
图1是本发明一个实施方式的基板处理装置的俯视图。此外，在图1以及后述的图2～图4中，为了明确位置关系而附有箭头，并表示相互垂直相交的X方向、Y方向以及Z方向。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直相交，Z方向相当于铅直方向。此外，在各方向上，箭头朝向的方向为+方向，其相反的方向为-方向。另外，以Z方向为中心的旋转方向为θ方向。
如图1所示，基板处理装置500包括分度器模块9、防反射膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀盖膜除去模块14以及接口模块15。另外，曝光装置16与接口模块15相邻配置。在曝光装置16中，通过液浸法对基板W进行曝光处理。
下面，分别将分度器模块9、防反射膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀盖膜除去模块14以及接口模块15称为处理模块。
分度器模块9包括用于控制各处理模块的动作的主控制器(控制部)30、多个搬运器装载台40以及分度器机械手IR。在分度器机械手IR上设有用于交接基板W的手部IRH。
防反射膜用处理模块10包括防反射膜用热处理部100、101，还包括防反射膜用涂敷处理部50以及第一中心机械手CR1。防反射膜用涂敷处理部50隔着第一中心机械手CR1而与防反射膜用热处理部100、101对置设置。在第一中心机械手CR1的上下设有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在分度器模块9与防反射膜用处理模块10之间设有隔断环境用的隔断壁17。在该隔断壁17上，上下接近地设有基板装载部PASS1、PASS2，基板装载部PASS1、PASS2用于在分度器模块9与防反射膜用处理模块10之间交接基板W。在将基板W从分度器模块9向防反射膜用处理模块10搬运时使用上侧的基板装载部PASS1，在将基板W从防反射膜用处理模块10向分度器模块9搬运时使用下侧的基板装载部PASS2。
另外，在基板装载部PASS1、PASS2上设有用于检测有无基板W的光学传感器(未图示)。由此，能够判定在基板装载部PASS1、PASS2上是否装载有基板W。另外，在基板装载部PASS1、PASS2上设有被固定设置的多根支撑销。此外，同样在后述的基板装载部PASS3～PASS13上也设置有上述光学传感器和支撑销。
抗蚀膜用处理模块11包括抗蚀膜用热处理部110、111，还包括抗蚀膜用涂敷处理部60以及第二中心机械手CR2。抗蚀膜用涂敷处理部60隔着第二中心机械手CR2而与抗蚀膜用热处理部110、111对置设置。在第二中心机械手CR2的上下设有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在防反射膜用处理模块10与抗蚀膜用处理模块11之间设有隔断环境用的隔断壁18。在该隔断壁18上，上下接近地设有基板装载部PASS3、PASS4，基板装载部PASS3、PASS4用于在防反射膜用处理模块10与抗蚀膜用处理模块11之间交接基板W。在将基板W从防反射膜用处理模块10向抗蚀膜用处理模块11搬运时使用上侧的基板装载部PASS3，在将基板W从抗蚀膜用处理模块11向防反射膜用处理模块10搬运时使用下侧的基板装载部PASS4。
显影处理模块12包括显影用热处理部120、121，还包括显影处理部70以及第三中心机械手CR3。显影处理部70隔着第三中心机械手CR3而与显影用热处理部120、121对置设置。在第三中心机械手CR3的上下设有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蚀膜用处理模块11与显影处理模块12之间设有隔断环境用的隔断壁19。在该隔断壁19上，上下接近地设有基板装载部PASS5、PASS6，基板装载部PASS5、PASS6用于在抗蚀膜用处理模块11与显影处理模块12之间交接基板W。在将基板W从抗蚀膜用处理模块11向显影处理模块12搬运时使用上侧的基板装载部PASS5，在将基板W从显影处理模块12向抗蚀膜用处理模块11搬运时使用下侧的基板装载部PASS6。
抗蚀盖膜用处理模块13包括抗蚀盖膜用热处理部130、131，还包括抗蚀盖膜用涂敷处理部80以及第四中心机械手CR4。抗蚀盖膜用涂敷处理部80隔着第四中心机械手CR4而与抗蚀盖膜用热处理部130、131对置设置。在第四中心机械手CR4的上下设有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
在显影处理模块12与抗蚀盖膜用处理模块13之间设有隔断环境用的隔断壁20。在该隔断壁20上，上下接近地设有基板装载部PASS7、PASS8，基板装载部PASS7、PASS8用于在显影处理模块12与抗蚀盖膜用处理模块13之间交接基板W。在将基板W从显影处理模块12向抗蚀盖膜用处理模块13搬运时使用上侧的基板装载部PASS7，在将基板W从抗蚀盖膜用处理模块13向显影处理模块12搬运时使用下侧的基板装载部PASS8。
抗蚀盖膜除去模块14包括曝光后烘干用热处理部140、141，还包括抗蚀盖膜除去用处理部90以及第五中心机械手CR5。曝光后烘干用热处理部141与接口模块15相邻，如后述那样具有基板装载部PASS11、PASS12。抗蚀盖膜除去用处理部90隔着第五中心机械手CR5而与曝光后烘干用热处理部140、141对置设置。在第五中心机械手CR5的上下设有用于交接基板W的手部CRH9、CRH10。
在抗蚀盖膜用处理模块13与抗蚀盖膜除去模块14之间设有隔断环境用的隔断壁21。在该隔断壁21上，上下接近地设有基板装载部PASS9、PASS10，基板装载部PASS9、PASS10用于在抗蚀盖膜用处理模块13与抗蚀盖膜除去模块14之间交接基板W。在将基板W从抗蚀盖膜用处理模块13向抗蚀盖膜除去模块14搬运时使用上侧的基板装载部PASS9，在将基板W从抗蚀盖膜除去模块14向抗蚀盖膜用处理模块13搬运时使用下侧的基板装载部PASS10。
接口模块15包括输送缓冲部SBF、清洗/干燥处理单元SD1、第六中心机械手CR6、边缘曝光部EEW、返回缓冲部RBF、装载兼冷却单元PASS-CP(以下简称为P-CP)、基板装载部PASS13、接口用搬运机构IFR以及清洗/干燥处理单元SD2。此外，清洗/干燥处理单元SD1对曝光处理前的基板W进行清洗和干燥处理，清洗/干燥处理单元SD2对曝光处理后的基板W进行清洗和干燥处理。在后面对清洗/干燥处理单元SD1、SD2进行详细描述。
另外，在第六中心机械手CR6的上下设有用于交接基板W的手部CRH11、CRH12(参照图4)，在接口用搬运机构IFR的上下设有用于交接基板W的手部H1、H2(参照图4)。在后面对接口模块15进行详细描述。
在本实施方式的基板处理装置500中，沿着Y方向按顺序排列设置有分度器模块9、防反射膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀盖膜除去模块14以及接口模块15
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置500时所见的概略侧视图，图3是从-X方向观察图1的基板处理装置500时所见的概略侧视图。此外，图2主要表示设置在基板处理装置500的+X侧的部分，图3主要表示设置在基板处理装置500的-X侧的部分。
首先，利用图2对基板处理装置500的+X侧的结构进行说明。如图2所示，在防反射膜用处理模块10的防反射膜用涂敷处理部50(参照图1)上，上下层叠配置有三个涂敷单元BARC。各涂敷单元BARC具有旋转卡盘51和供给喷嘴52，该旋转卡盘51以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴52对保持在旋转卡盘51上的基板W供给防反射膜的涂敷液。
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用涂敷处理部60(参照图1)上，上下层叠配置有三个涂敷单元RES。各涂敷单元RES具有旋转卡盘61和供给喷嘴62，该旋转卡盘61以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴62对保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀膜的涂敷液。
在显影处理模块12的显影处理部70上，上下层叠配置有五个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有旋转卡盘71和供给喷嘴72，该旋转卡盘71以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴72对保持在旋转卡盘71上的基板W供给显影液。
在抗蚀盖膜用处理模块13的抗蚀盖膜用涂敷处理部80上，上下层叠配置有三个涂敷单元COV。各涂敷单元COV具有旋转卡盘81和供给喷嘴82，该旋转卡盘81以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴82对保持在旋转卡盘81上的基板W供给抗蚀盖膜的涂敷液。作为抗蚀盖膜的涂敷液，能够使用与抗蚀剂以及水的亲和力小的材料(与抗蚀剂以及水的反应性弱的材料)。例如氟树脂。涂敷单元COV在使基板W旋转的同时，在基板W上涂敷涂敷液，从而在形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀盖膜。
在抗蚀盖膜除去模块14的抗蚀盖膜除去用处理部90上，上下层叠配置有三个除去单元REM。各除去单元REM具有旋转卡盘91和供给喷嘴92，该旋转卡盘91以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴92对保持在旋转卡盘91上的基板W供给剥离液(例如氟树脂)。除去单元REM在使基板W旋转的同时，在基板W上涂敷剥离液，从而除去形成于基板W上的抗蚀盖膜。
此外，除去单元REM除去抗蚀盖膜的方法并不仅限于上述的例子。例如，可以在基板W的上方移动狭缝喷嘴，同时对基板W上供给剥离液，从而除去抗蚀盖膜。
在接口模块15内的+X侧，上下层叠配置有边缘曝光部EEW以及三个清洗/干燥处理单元SD2。各边缘曝光部EEW具有旋转卡盘98和光照射器99，该旋转卡盘98以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该光照射器99对保持在旋转卡盘98上的基板W的周边进行曝光。
接着，利用图3对基板处理装置500的-X侧的结构进行说明。如图3所示，在防反射膜用处理模块10的防反射膜用热处理部100、101上，分别层叠配置有两个加热单元(加热板)HP和两个冷却单元(冷却板)CP。另外，防反射膜用热处理部100、101在其最上部分别配置有对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用热处理部110、111上，分别层叠配置有两个加热单元HP和两个冷却单元CP。另外，抗蚀膜用热处理部110、111在其最上部分别配置有对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
在显影处理模块12的显影热处理部120、121上，分别层叠配置有两个加热单元HP和两个冷却单元CP。另外，显影热处理部120、121在其最上部分别配置有对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
在抗蚀盖膜用处理模块13的抗蚀盖膜用热处理部130、131上，分别层叠配置有两个加热单元HP和两个冷却单元CP。另外，抗蚀盖膜用热处理部130、131在其最上部分别配置有对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
在抗蚀盖膜除去模块14的曝光后烘干用热处理部140上，上下层叠配置有两个加热单元HP和两个冷却单元CP，在曝光后烘干用热处理部141上，上下层叠配置有两个加热单元HP、两个冷却单元CP以及基板装载部PASS11、PASS12。另外，曝光后烘干用热处理部140、141在其最上部分别配置有对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
接着，利用图4对接口模块15进行详细说明。
图4是从+Y侧观察分度器模块15时所见的概略侧视图。如图4所示，在接口模块15内，在-X侧层叠配置有输送缓冲部SBF以及三个清洗/干燥处理单元SD1。另外，在接口模块15内，在+X侧的上部配置有边缘曝光部EEW。
在边缘曝光部EEW的下方，在接口模块15内的大致中央部，上下层叠配置有返回缓冲部RBF、两个装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13。在边缘曝光部EEW的下方，在接口模块15内的+X侧，上下层叠配置有三个清洗/干燥处理单元SD2。
另外，在接口模块15内的下部，设有第六中心机械手CR6和接口用搬运机构IFR。将第六中心机械手CR6设置为，能够在输送缓冲部SBF及清洗/干燥处理单元SD1和边缘曝光部EEW、返回缓冲部RBF、装载兼冷却单元P-CP及基板装载部PASS13之间上下移动且能够转动。将接口用搬运机构IFR设置为，能够在返回缓冲部RBF、装载兼冷却单元P-CP及基板装载部PASS13和清洗/干燥处理单元SD2之间上下移动并且能够转动。
(2)基板处理装置的动作
接着，参照图1～图4，针对本实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。
(2-1)分度器模块～抗蚀盖膜除去模块的动作
首先，针对分度器模块9～抗蚀盖膜除去模块14的动作进行简单说明。
将搬运器C搬入到分度器模块9的搬运器装载台40上，其中该搬运器C以多层容置多个基板W。分度器机械手IR利用手部IRH取出容置在搬运器C内的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR向±X方向移动的同时向±θ方向转动，从而将未处理的基板W装载在基板装载部PASS1上。
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod：前开式统一标准箱)作为搬运器C，但并不仅限于此，也可以采用SMIF(Standard MechanicalInter Face：标准机械界面)容器或将容置的基板W暴露在外部空气中的OC(open cassette：开放式盒子)等。
进一步，分度器机械手IR、第一～第六中心机械手CR1～CR6以及接口用搬运机构IFR分别使用直动式搬运机械手，该直动式搬运机械手相对基板W进行直线滑动，从而实现手部的进退动作，但并不仅限于此，也可以使用通过使关节活动从而直线地进行手部的进退动作的多关节式搬运机械手。
装载在基板装载部PASS1上的未处理的基板W被防反射膜用处理模块10的第一中心机械手CR1接收。第一中心机械手CR1将该基板W搬入到防反射膜用热处理部100、101。
然后，第一中心机械手CR1从防反射膜用热处理部100、101中取出经过热处理的基板W，将该基板W搬入防反射膜用涂敷处理部50。在该防反射膜用涂敷处理部50中，为了减少曝光时发生的驻波或光晕，通过涂敷单元BARC，在基板W上涂敷形成防反射膜。
接着，第一中心机械手CR1从防反射膜用涂敷处理部50中取出经过涂敷处理的基板W，将该基板W搬入到防反射膜用热处理部100、101。然后，第一中心机械手CR1从防反射膜用热处理部100、101中取出经过热处理的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS3上。
装载在基板装载部PASS3上的基板W被抗蚀膜用处理模块11的第二中心机械手CR2接收。第二中心机械手CR2将该基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。
然后，第二中心机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110、111中取出经过热处理的基板W，将该基板W搬入到抗蚀膜用涂敷处理部60。在该抗蚀膜用涂敷处理部60中，通过涂敷单元RES在涂敷形成有防反射膜的基板W上涂敷形成抗蚀膜。
接着，第二中心机械手CR2从抗蚀膜用涂敷处理部60中取出经过涂敷处理的基板W，将该基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。然后，第二中心机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110、111中取出经过热处理的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS5上。
装载在基板装载部PASS5上的基板W被显影处理模块12的第三中心机械手CR3接收。第三中心机械手CR3将该基板W装载在基板装载部PASS7上。
装载在基板装载部PASS7上的基板W被抗蚀盖膜用处理模块13的第四中心机械手CR4接收。第四中心机械手CR4将该基板W搬入到抗蚀盖膜涂敷处理部80。在该抗蚀盖膜涂敷处理部80中，通过涂敷单元COV在涂敷形成有抗蚀膜的基板W上涂敷形成抗蚀盖膜。由于形成了抗蚀盖膜，即使在曝光装置16中基板W与液体接触，也能够防止抗蚀膜与液体接触，从而防止抗蚀剂的成分溶解到液体中。
接着，第四中心机械手CR4从抗蚀盖膜用涂敷处理部80中取出经过涂敷处理的基板W，将该基板W搬入到抗蚀盖膜用热处理部130、131。然后，第四中心机械手CR4从抗蚀盖膜用热处理部130、131中取出经过热处理的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS9上。
装载在基板装载部PASS9上的基板W被抗蚀盖膜除去模块14的第五中心机械手CR5接收。第五中心机械手CR5将该基板W装载在基板装载部PASS11上。
装载在基板装载部PASS11上的基板W被接口模块15的第六中心机械手CR6接收，如后述那样，在接口模块15以及曝光装置16中实施规定的处理。在接口模块15以及曝光装置16中对基板W实施了规定的处理后，该基板W被第六中心机械手CR6搬入到抗蚀盖膜除去模块14的曝光后烘干用热处理部141。
在曝光后烘干用热处理部141中，对基板进行曝光后烘干(PEB)。然后，第六中心机械手CR6从曝光后烘干用热处理部141中取出基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS12上。
此外，在本实施方式中通过曝光后烘干用热处理部141进行曝光后烘干，但也可以通过曝光后烘干用热处理部140进行曝光后烘干。
装载在基板装载部PASS12上的基板W被抗蚀盖膜除去模块14的第五中心机械手CR5接收。第五中心机械手CR5将该基板W搬入到抗蚀盖膜除去用处理部90。在抗蚀盖膜除去用处理部90中，除去抗蚀盖膜。
接着，第五中心机械手CR5从抗蚀盖膜除去用处理部90中取出经过处理的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS10上。
装载在基板装载部PASS10上的基板W被抗蚀盖膜用处理模块13的第四中心机械手CR4装载在基板装载部PASS8上。
装载在基板装载部PASS8上的基板W被显影处理模块12的第三中心机械手CR3接收。第三中心机械手CR3将该基板W搬入到显影处理部70。在显影处理部70中，对经过曝光的基板W进行显影处理。
接着，第三中心机械手CR3从显影处理部70中取出经过显影处理的基板W，将该基板W搬入到显影用热处理部120、121。然后，第三中心机械手CR3从显影用热处理部120、121中取出热处理后的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS6上。
装载在基板装载部PASS6上的基板W被抗蚀膜用处理模块11的第二中心机械手CR2装载在基板装载部PASS4上。装载在基板装载部PASS4上的基板W被防反射膜用处理模块10的第一中心机械手CR1装载在基板装载部PASS2上。
装载在基板装载部PASS2上的基板W被分度器模块9的分度器机械手IR容置在搬运器C中。由此，基板处理装置500对基板W进行的各处理结束。
(2-2)接口模块的动作
接着，针对接口模块15的动作进行详细说明。
如上所述，对搬入到分度器模块9中的基板W实施了规定的处理后，将该基板W装载在抗蚀盖膜除去模块14(图1)的基板装载部PASS11上。
装载在基板装载部PASS11上的基板W被接口模块15的第六中心机械手CR6接收。第六中心机械手CR6将该基板W搬入到边缘曝光部EEW(图4)。在该边缘曝光部EEW中，对基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第六中心机械手CR6从边缘曝光部EEW中取出经过边缘曝光处理的基板W，将该基板W搬入到某一个清洗/干燥处理单元SD1中。在清洗/干燥处理单元SD1中，如上述那样对曝光处理前的基板W进行清洗以及干燥处理。
在此，曝光装置16进行曝光处理的时间通常比其它处理工序和搬运工序的时间长。其结果，很多时候曝光装置16无法接收排在后面的基板W。此时，将基板W暂时容置保管在输送缓冲部SBF(图4)中。在本实施方式中，第六中心机械手CR6从清洗/干燥处理单元SD1中取出经过干燥处理的基板W，将该基板W搬运至输送缓冲部SBF。
接着，第六中心机械手CR6取出容置保管在输送缓冲部SBF中的基板W，将该基板W搬入到装载兼冷却单元P-CP。将搬入到装载兼冷却单元P-CP中的基板W保持为与曝光装置16内相同的温度(例如23℃)。
此外，在曝光装置16具有足够的处理速度的情况下，可以不将基板W容置保管在输送缓冲部SBF中，而是将基板W从清洗/干燥处理单元SD1搬运至装载兼冷却单元P-CP。
接着，通过接口用搬运机构IFR的上侧的手部H1(图4)接收由装载兼冷却单元P-CP保持为上述规定温度的基板W，并将该基板W搬入到曝光装置16内的基板搬入部16a(图1)。
在曝光装置16中对基板W实施曝光处理，然后通过接口用搬运机构IFR的下侧的手部H2(图4)将该基板W从基板搬出部16b(图1)搬出。接口用搬运机构IFR通过手部H2将该基板W搬入到某一个清洗/干燥处理单元SD2。在清洗/干燥处理单元SD2中，如上述那样对曝光处理后的基板W进行清洗以及干燥处理。
在清洗/干燥处理单元SD2中，对基板W实施清洗和干燥处理，然后通过接口用搬运机构IFR的手部H1(图4)取出该基板W。接口用搬运机构IFR通过手部H1将该基板W装载在基板装载部PASS13上。
装载在基板装载部PASS13上的基板W被第六中心机械手CR6接收。第六中心机械手CR6将该基板W搬运至抗蚀盖膜除去模块14(图1)的曝光后烘干用热处理部141。
此外，在因除去单元REM(图2)发生故障等而导致抗蚀盖膜除去模块14暂时无法接收基板W时，能够将曝光处理后的基板W暂时容置保管在返回缓冲部RBF中。
因此，在本实施方式中，第六中心机械手CR6虽然在基板装载部PASS11(图1)、边缘曝光部EEW、清洗/干燥处理单元SD1、输送缓冲部SBF、装载兼冷却单元P-CP、基板装载部PASS13以及曝光后烘干用热处理部141之间搬运基板W，但能够在短时间(例如24秒)内进行这一系列的动作。
另外，接口用搬运机构IFR虽然在装载兼冷却单元P-CP、曝光装置16、清洗/干燥处理单元SD2以及基板装载部PASS13之间搬运基板W，但能够在短时间(例如24秒)内进行这一系列的动作。
这些处理的结果，能够可靠地提高生产力。
(3)清洗/干燥处理单元
接着，利用附图详细说明清洗/干燥处理单元SD1、SD2。此外，清洗/干燥处理单元SD1、SD2可以使用相同的结构。
(3-1)结构
图5是表示清洗/干燥处理单元SD1、SD2的结构的示意侧视图，图6是图5的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的示意俯视图。如图5和图6所示，清洗/干燥处理单元SD1、SD2具有旋转卡盘621，该旋转卡盘621用于水平保持基板W，并且使基板W围绕通过基板W中心的铅直的旋转轴进行旋转。
旋转卡盘621固定在旋转轴625(图5)的上端，其中该旋转轴625由卡盘旋转驱动机构636(图5)而旋转。另外，在旋转卡盘621上形成有吸气线路(未图示)，在基板W装载于旋转卡盘621上的状态下，对吸气线路进行排气，由此使基板W的下表面真空吸附在旋转卡盘621上，从而能够以水平姿态保持基板W。
在旋转卡盘621的外侧设有马达660。马达660连接有转动轴661。另外，在转动轴661上连接有水平方向延伸的臂部662，在臂部662的前端设有液体供给喷嘴650。
马达660使转动轴661旋转，并且使臂部662转动。由此，液体供给喷嘴650在由旋转卡盘621保持的基板W的中心部上方的位置和基板W的外侧位置之间移动(图6)。
以通过马达660、转动轴661以及臂部662的内部的方式设置清洗处理用供给管663。清洗处理用供给管663经由阀Va和阀Vb与清洗液供给源R1和冲洗液供给源R2连接。
通过控制阀Va和阀Vb的开闭，能够选择向清洗处理用供给管663供给的处理液且能够调整处理液的供给量。在图5的结构中，打开阀Va则能够向清洗处理用供给管663供给清洗液，打开阀Vb则能够向清洗处理用供给管663供给冲洗液。
针对液体供给喷嘴650，通过清洗处理用供给管663从清洗液供给源R1或者冲洗液供给源R2供给清洗液或者冲洗液。由此，能够向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液。作为清洗液，例如采用纯水、纯水中溶解了络合物(离子化的物质)的液体或者氟系列药液等。作为冲洗液，采用了例如纯水、碳酸水、富氢水、电解离子水以及HFE(氢氟醚)或有机类液体等。
另外，可以将在曝光装置16中进行曝光处理时所使用的浸液液体作为清洗液或冲洗液。作为浸液液体，可以举出纯水、具有高折射率的丙三醇、混合了高折射率的微粒(例如，铝氧化物)与纯水的混合液以及有机类液体等。作为浸液液体的其他例子，可以举出在纯水中溶解了络合物(离子化的物质)的液体、碳酸水、富氢水、电解离子水、HFE(氢氟醚)、氢氟酸、硫酸以及硫酸过氧化氢水溶液等。
如图5所示，由旋转卡盘621保持的基板W被容纳于处理杯623内。在处理杯623的内侧，设置有筒状的隔断壁633。另外，以包围旋转卡盘621的周围的方式形成有用于排出在基板W的处理中使用的处理液(清洗液或者冲洗液)的排液空间631。进一步，以包围排液空间631的方式在处理杯623和隔断壁633之间形成有用于回收在基板W的处理中使用过的处理液的回收液空间632。
排液空间631连接有用于向排液处理装置(未图示)导入处理液的排液管634，回收液空间632连接有用于向回收处理装置(未图示)导入处理液的回收管635。
在处理杯623的上方设置有用于防止来自基板W的处理液向外侧飞散的挡板624。该挡板624具有相对旋转轴625旋转对称的形状。在挡板624上端部的内面，环状地形成有剖面为“<”字状的排液引导槽641。
另外，在挡板624下端部的内面，形成有由向外侧下方倾斜的倾斜面构成的回收液引导部642。在回收液引导部642的上端附近，形成有用于容纳处理杯623的隔断壁633的隔断壁容纳槽643。
在该挡板624设置有由滚珠丝杠机构等构成的挡板升降驱动机构(未图示)。挡板升降驱动机构使挡板624在以下两个位置之间上下移动，这里的两个位置分别是，回收液引导部642与由旋转卡盘621保持的基板W的外周端面相对置的回收位置，排液引导槽641与由旋转卡盘621保持的基板W的外周端面相对置的排液位置。在挡板624位于回收位置(如图5所示的挡板的位置)的情况下，回收液引导部642将从基板W向外侧飞散的处理液导入回收液空间632，并通过回收管635进行回收。另一方面，在挡板624位于排液位置的情况下，排液引导槽641将从基板W向外侧飞散的处理液导入排液空间631，并通过排液管634进行排液。通过以上的结构，进行对处理液的排液以及回收。
(3-2)动作
下面，对具有上述结构的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的处理动作进行说明。此外，对以下要说明的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的各构成要素的动作，通过图1的主控制器(控制部)30来进行控制。
首先，当搬入基板W时，使挡板624下降，同时图1的第六中心机械手CR6或接口用搬运机构IFR将基板W装载到旋转卡盘621上。装载到旋转卡盘621上的基板W，被旋转卡盘621吸附保持。
接着，挡板624移动到上述排液位置，并且液体供给喷嘴650向基板W的中心部上方移动。然后，旋转轴625旋转，随着该旋转，被保持在旋转卡盘621上的基板W也旋转。然后，液体供给喷嘴650将清洗液喷到基板W的上表面。由此，对基板W进行清洗。
此外，在清洗/干燥处理单元SD1中，当进行该清洗时基板W上的抗蚀盖膜的成分会溶解到清洗液中。另外，在对基板W的清洗中，使基板W旋转的同时向基板W上供给清洗液。此时，离心力使基板W上的清洗液总是向基板W的周边部移动并飞散。因而，能够防止溶解到清洗液中的抗蚀盖膜的成分残留在基板W上。
此外，对于上述抗蚀盖膜的成分，例如也可以通过在基板W上盛满纯水并保持一定时间来进行溶解。另外，也可以通过使用双流体喷嘴的柔性喷射(soft spray)方式来向基板W供给清洗液。
经过规定时间后，停止供给清洗液，并从液体供给喷嘴650喷射冲洗液。由此，冲洗掉基板W上的清洗液。然后，通过进行后述的干燥处理，除去基板W上的冲洗液，干燥基板W。详细过程如后述。
然后，挡板624下降，并且图1的第六中心机械手CR6或接口用搬运机构IFR搬出基板W。由此，结束在清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的处理动作。此外，优选地按照处理液的回收或者排液的需要对在清洗以及干燥处理中的挡板624的位置进行适当的变更。
此外，在上述实施方式中，采用了清洗液的供给以及冲洗液的供给都共用液体供给喷嘴650的结构，以使从液体供给喷嘴650既能够供给清洗液又能够供给冲洗液，但也可以采用分别分开清洗液供给用的喷嘴和冲洗液供给用喷嘴的结构。
另外，在将纯水作为清洗基板W的清洗液来使用的情况下，可以使用该清洗液进行后述的干燥处理。
另外，在基板W存在轻微污染的情况下，可以利用清洗液进行清洗。此时，通过下述利用冲洗液进行的干燥处理，能够充分地除去基板W上的污染物。
(3-3)基板的干燥处理的详情
下面，详细地说明清洗/干燥处理单元SD1、SD2对基板W进行的干燥处理。此外，本例子所使用的基板W的直径例如为200～300mm。
在利用离心力对基板W进行干燥的情况下，容易在基板W上残留微小液滴。这是由于，对于微小液体仅作用与质量相对应的小的离心力，很难从基板W上脱离。另外，如果在基板W的中心部附近存在微小液滴，则对该微小液滴起作用的离心力更小，难以除去微小液滴。在基板W上的抗蚀盖膜的疏水性高的情况下，尤其容易形成这种微小液滴。
在本实施方式中，能够防止微小液滴在基板W上形成以及附着，从而能够可靠地从基板W上除去冲洗液。
图7A～图7F以及图8A～图8F是用于详细说明基板W的干燥处理的图。此外，图7A～图7C以及图8A～图8C是从上方观察基板W时所见的图，图7D～图7F以及图8D～图8F是从侧方观察基板W时所见的图。
如上所述，对基板W进行了清洗处理后，液体供给喷嘴650移动至基板W的中心部上方，向基板W喷射冲洗液。由此，冲洗掉基板W上的清洗液。经过规定时间后，在液体供给喷嘴650持续喷射冲洗液的状态下，提升基板W的转速。冲洗液的流量例如为0.2～0.8L/min。此时，如图7A至图7D所示，形成冲洗液的液层L，以便覆盖基板W的一个面。
接着，如图7B和图7E所示，液体供给喷嘴650从基板W的中心部上方向外侧移动。移动速度例如为6～10mm/sec。在此情况下，伴随基板W的旋转产生的离心力使液层L的中心部的厚度变小。以下，将厚度变小的液层L的区域称为薄层区域。
液体供给喷嘴650在从基板W的中心部上方移动了规定距离的时刻暂时停止移动。液体供给喷嘴650停止的位置与基板W的旋转轴之间的水平距离例如为15～25mm。另外，停止时间例如为10秒左右。此时，如图7C和图7F所示，离心力在薄层区域内切断液层L，从而在液层L的中心部形成孔部(以下称为干燥核斑C)。
此时，液体供给喷嘴650暂时停止移动，以此限制液层L的薄层区域扩大。如果薄层区域扩大，则在该薄层区域内会形成多个干燥核斑。在本实施方式中，防止形成多个干燥核斑C，从而只形成一个干燥核斑C。
通过实验等来决定使液体供给喷嘴650暂时停止的位置和停止的时间，以便可靠地只形成一个干燥核斑C。另外，优选地根据基板W的种类、大小、表面状态和转速、来自液体供给喷嘴650的冲洗液的喷射流量以及液体供给喷嘴650的移动速度等各种条件，恰当设定暂时停止液体供给喷嘴650的时机和位置。
在形成干燥核斑C后，如图8A和图8D所示，液体供给喷嘴650再次向外侧移动。与此相伴，离心力使得没有冲洗液的干燥区域R1以干燥核斑C为起点在基板W上扩大。
接着，如图8B和图8E所示，若液体供给喷嘴650移动到基板W的周边部上方，则基板W的转速开始下降。液体供给喷嘴650的移动速度保持不变。
然后，停止喷射冲洗液，并且使液体供给喷嘴650向基板W的外侧移动。由此，如图8C和图8F所示，干燥区域R1扩大到整个基板W上，从而干燥基板W。
这样，在基板W旋转的状态下，液体供给喷嘴650一边喷射冲洗液一边从基板W的中心部上方移动到周边部，由此，冲洗液的液层L在基板W上保持为一体，在此状态下干燥区域R1扩大。在此情况下，液层L的表面张力能够防止在干燥区域R1中形成微小液滴。由此，能够可靠地干燥基板W。
另外，液体供给喷嘴650在移动了规定距离时暂时停止移动，以此调整液层L的薄层区域的面积，而且可靠地形成一个干燥核斑C。在不是形成一个而是形成了多个干燥核斑C的情况下，无法稳定地扩大干燥区域R1。另外，多个干燥区域R1分别以多个干燥核斑C为起点扩大，因此导致多个干燥区域R1互相影响，容易形成微小液滴。因此，通过只形成一个干燥核斑C，能够稳定地干燥基板W，并且能够更加可靠地防止在基板W上残留微小液滴。
接着，对在进行干燥处理时基板W的转速的变化进行说明。图9是表示基板W的转速变化的一个例子的图。在图9中，横轴表示基板W的旋转轴与液体供给喷嘴650之间的水平距离，纵轴表示基板W的转速。
在图9所示的例子中，在基板W的旋转轴与液体供给喷嘴650之间的水平距离为0～60mm的期间内，将基板W的转速设定为1800～2100rpm。如果基板W的旋转轴与液体供给喷嘴650之间的水平距离超过60mm，则将基板W的转速设定为1000～1200rpm。即，将液体供给喷嘴650在基板W的周边部上方移动期间的基板W的转速设定成低于液体供给喷嘴650在基板W的中心部上方移动期间的基板W的转速。
在基板W旋转时，基板W的周边部的圆周速度(peripheral velocity)比基板W的中心部的圆周速度大。另外，在基板W的周边部容易发生湍流。因此，在基板W的转速恒定的情况下，喷射到基板W的周边部的冲洗液比喷射到基板W的中心部的冲洗液更容易飞散。如果从基板W的周边部飞散的冲洗液作为微小液滴附着在基板W的干燥区域R1，则之后难以除去。
因此，在液体供给喷嘴650在基板W的周边部上方移动时，使基板W的转速下降，从而能够防止喷射到基板W的周边部的冲洗液飞散。因此，能够更可靠地防止微小液滴残留在基板W上，从而更可靠地干燥基板W。
此外，在本实施方式中，在干燥处理时分两阶段调整基板W的转速，但并不仅限于此，可以分为三个阶段以上的多阶段来调整基板W的转速，或者也可以在液体供给喷嘴650从基板W的中心部上方向基板W的周边部上方移动的期间内，连续降低基板W的转速。
(4)实施方式的效果
在本实施方式的基板处理装置500中，接口模块15的清洗/干燥处理单元SD2对曝光处理后的基板W进行干燥处理，从而可靠地干燥基板W。由此，能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体落在基板处理装置500内。因此，能够防止基板处理装置500的电气系统发生异常等动作不良。
另外，能够防止环境中的灰尘等附着在曝光处理后的基板W上，因此能够防止基板W被污染。进一步，防止在基板W上残留液体，从而能够防止该液体给基板W上的抗蚀膜和抗蚀盖膜带来坏影响。由此，能够防止对基板W的处理发生不良。
另外，能够防止在基板处理装置500内搬运附着有液体的基板W，因此能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体影响到基板处理装置500内的环境。由此，能够容易地调整基板处理装置500内的温湿度。
另外，能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体进一步附着于分度器机械手IR和第一～第六中心机械手CR1～CR6上，因此能够防止液体附着在曝光处理前的基板W上。由此，能够防止环境中的灰尘等附着在曝光处理前的基板W上，因此能够防止基板W被污染。其结果，能够防止在曝光处理时析像性能被恶化，并且能够防止曝光装置16被污染。
另外，在从清洗/干燥处理单元SD2向显影处理部70搬运基板W的期间内，能够可靠地防止抗蚀剂的成分或抗蚀盖膜的成分溶解到在基板W上残留的清洗液和冲洗液中。由此，能够防止形成在抗蚀膜上的曝光图案变形。其结果，能够可靠地防止在显影处理时线宽精度下降。
另外，在清洗/干燥处理单元SD2中，在干燥处理前对基板W进行清洗处理。在此情况下，即使环境中的灰尘等附着到在曝光处理时已附着了液体的基板W上，也能够除去该附着物。由此，能够防止基板W被污染。其结果，能够可靠地防止对基板的处理产生不良。
另外，在曝光装置16对基板W进行曝光处理前，在清洗/干燥处理单元SD1中对基板W进行清洗处理。在进行该清洗处理时，基板W上的抗蚀盖膜的一部分成分会溶解到清洗液或冲洗液中，从而被冲洗掉。因此，即使在曝光装置16中基板W与液体相接触，基板W上的抗蚀盖膜的成分也基本不会溶解到液体中。另外，能够除去附着在曝光处理前的基板W上的灰尘等。其结果，能够防止曝光装置16被污染。
另外，在清洗/干燥处理单元SD1中，对清洗处理后的基板W进行干燥处理。由此，除去清洗处理时附着在基板W上的清洗液或冲洗液，从而能够防止环境中的灰尘等再次附着在清洗处理后的基板W上。其结果，能够可靠地防止曝光装置16被污染。
另外，除去在清洗处理时附着在基板W上的清洗液或冲洗液，从而能够防止在曝光处理前清洗液或冲洗液渗入到基板W上的抗蚀盖膜或抗蚀膜中。由此，能够防止在曝光处理时的析像性能恶化。
(5)清洗/干燥处理单元的其他例子
图10是表示清洗/干燥处理单元SD1、SD2的其它结构的示意侧视图，图11是图10的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的示意俯视图。下面，对图10和图11所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2与图5和图6所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2之间的不同点进行说明。
在该清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，在隔着旋转卡盘621而与马达660相对置的位置，设有马达671。马达671与转动轴672连接。臂部673以向水平方向延伸的方式连接在转动轴672上，并在臂部673的前端设有气体供给喷嘴670。
马达671使转动轴672旋转，并使臂部673转动。由此，气体供给喷嘴670在由旋转卡盘621保持的基板W的中心部上方的位置与基板W外侧的位置之间移动。在此情况下，液体供给喷嘴650与气体供给喷嘴670从基板W的中心部上方朝着相反的方向移动至基板W的外侧。
以通过马达671、转动轴672以及臂部673的内部的方式设置有干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674经由阀门Vc与非活性气体供给源R3连接。通过控制该阀门Vc的开闭，可以调整供给到干燥处理用供给管674的非活性气体的供给量。
非活性气体经由干燥处理用供给管674从非活性气体供给源R3供给到气体供给喷嘴670。由此，能够向基板W的表面供给非活性气体。作为非活性气体例如可以使用氮气。此外，也可以取代非活性气体而使用大气(空气)等其他气体。
接着，说明图10和图11的清洗/干燥处理单元SD1、SD2对基板W进行的干燥处理。图12A～图12F是表示图10及图11的清洗/干燥处理单元SD1、SD2对基板W进行的干燥处理的一部分的图。
关于液体供给喷嘴650的动作和基板W的转速的变化，与图5和图6的清洗/干燥处理单元SD1、SD2相同。在此，主要说明气体供给喷嘴670的动作。
在液体供给喷嘴650从基板W的中心部上方开始移动之后(参照图7B和图7E)，气体供给喷嘴670移动到基板W的中心部上方。然后，如果在液层L上形成干燥核斑C(参照图7C和图7F)，则如图12A和图12B所示，气体供给喷嘴670向基板W的中心部喷射非活性气体。
在此情况下，干燥区域R1以形成在液层L上的第一个干燥核斑C为起点瞬间扩大。由此，能够防止在形成第一个干燥核斑C之后形成其他干燥核斑C。如上所述，如果形成多个干燥核斑C，则容易在基板W上形成微小液滴。因此，在本实施方式中，能够可靠地防止形成微小液滴。
此外，通过实验等预先决定喷射非活性气体的时机，使得在形成第一个干燥核斑C之后不再形成其它的干燥核斑C。另外，优选地根据基板W的种类、大小、表面状态和转速、来自液体供给喷嘴650的冲洗液的喷射流量以及液体供给喷嘴650的移动速度等各种条件，恰当地设定喷射非活性气体的时机。
接着，如图12B和图12E所示，液体供给喷嘴650一边喷射冲洗液一边向外侧移动，并且气体供给喷嘴670一边喷射非活性气体一边向与液体供给喷嘴650相反的方向移动。将液体供给喷嘴650的移动速度和气体供给喷嘴670的移动速度调整为大致相等。由此，气体供给喷嘴670总是比液体供给喷嘴650位于更靠近基板W的旋转轴的位置，并向基板W上的干燥区域R1喷射非活性气体。
然后，液体供给喷嘴650停止喷射冲洗液，并且向基板W的外侧移动；气体供给喷嘴670停止喷射非活性气体，并且向基板W的外侧移动。由此，如图12C和图12F所示，干燥区域R1扩大到整个基板W上，从而干燥基板W。
这样，气体供给喷嘴670一边喷射非活性气体一边从基板W的中心部上方向外侧移动，从而能够更可靠地防止在基板W上的干燥区域R1内残留微小液滴。另外，能够可靠地扩大干燥区域R1，更高效可靠地干燥基板W。
另外，液体供给喷嘴650与气体供给喷嘴670向相反方向移动，因此液体供给喷嘴650喷射的冲洗液与气体供给喷嘴670喷射的非活性气体互不影响。由此，能够防止因非活性气体的影响而导致冲洗液飞散，从而能够防止在干燥区域R1附着微小液滴。
另外，冲洗液与非活性气体互不影响，因此增大了设定非活性气体的流量和喷射角度等的自由度。由此，能够更高效地干燥基板W。
此外，在上述的例子中，气体供给喷嘴670一边喷射非活性气体一边从基板W的中心部上方移动到周边部上方，但也可以只在形成干燥核斑C后的短时间(例如一秒钟)内由气体供给喷嘴670喷射非活性气体。即，如图12A和图12D所示，例如可以向基板W的中心部喷射一秒钟左右的非活性气体，然后停止喷射非活性气体。此时，例如将非活性气体的流量调整为10L/min。
另外，气体供给喷嘴670可以不从基板W的中心部上方移动，而是向着基板W的中心部持续喷射非活性气体数秒钟。此时，例如将非活性气体的流量调整为10L/min。
而且，在上述的例子中，液体供给喷嘴650与气体供给喷嘴670从基板W的中心部上方朝着相反的方向移动，但是只要能够抑制冲洗液与非活性气体之间的相互影响，则例如也可以使液体供给喷嘴650与气体供给喷嘴670向垂直相交的方向移动，或者可以向相同方向移动。在液体供给喷嘴650与气体供给喷嘴670向相同方向移动时，液体供给喷嘴650与气体供给喷嘴670可以是一体。
(6)清洗/干燥处理单元的另外的其他例子
图13是表示清洗/干燥处理单元SD1、SD2的另外其它结构的示意侧视图。下面，对图13所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2与图5和图6所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2之间的不同点进行说明。
在该清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，设有三通阀Vt、迂回管663a和流量调整阀680。迂回管663a的一端经由三通阀Vt而连接至清洗处理用供给管663上处于阀Vb上游侧的部分，迂回管663a的另一端连接至清洗处理用供给管663上处于三通阀Vt与阀Vb之间的部分。将流量调整阀680插在迂回管663a上。利用流量调整阀680，降低通过迂回管663a供给至液体供给喷嘴650的冲洗液的流量。
在图5和图6的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，在干燥处理时，如果液体供给喷嘴650移动到基板W的周边部上方，则降低基板W的转速。由此，能够防止喷射到基板W的周边部的冲洗液飞散。
与此相对，在图13的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，在干燥处理时如果液体供给喷嘴650移动到基板W的周边部上方，则通过三通阀Vt进行切换，使得冲洗液导入到迂回管663a中。并且，例如将基板W的转速保持在1800～2100rpm。在此情况下，喷射到基板W的周边部的冲洗液的流量比喷射到基板W的中心部附近的冲洗液的流量小。由此，能够防止喷射到基板W的周边部的冲洗液飞散。
此外，在本例子中，在干燥处理时分两阶段调整冲洗液的流量，但并不仅限于此，也可以分为三个阶段以上的多阶段来调整冲洗液的流量，或者在液体供给喷嘴650从基板W的中心部上方向基板W的外侧移动的期间内，连续降低冲洗液的流量。
另外，在图13所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，可以设置图10的马达671、转动轴672、臂部673以及气体供给喷嘴670。
(7)清洗/干燥处理单元的另外的其他例子
图14是表示清洗/干燥处理单元SD1、SD2的另外其它结构的示意侧视图。下面，对图14所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2与图13所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2之间的不同点进行说明。
在该清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，取代流量调整阀680而设有减压阀681。利用减压阀681来降低供给压，其中，该供给压是通过迂回管663a供给至液体供给喷嘴650的冲洗液的供给压。
在该清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，在干燥处理时如果将液体供给喷嘴650移动到基板W的周边部上方，则通过三通阀Vt进行切换，使得冲洗液导入到迂回管663a中。在此情况下，喷射到基板W的周边部的冲洗液的喷射压比喷射到基板W的中心部附近的冲洗液的喷射压小。由此，能够防止喷射到基板W的周边部的冲洗液飞散。
此外，在本例子中，在干燥处理时分两阶段调整冲洗液的喷射压，但并不仅限于此，也可以分为三个阶段以上的多阶段来调整冲洗液的喷射压，或者在液体供给喷嘴650从基板W的中心部上方向基板W的外侧移动的期间内，连续降低冲洗液的喷射压。
另外，在图14所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，可以设置图10的马达671、转动轴672、臂部673以及气体供给喷嘴670。
(8)其它实施方式
可以不设置抗蚀盖膜用处理模块13。在此情况下，在清洗/干燥处理单元SD1进行清洗处理时，抗蚀膜的一部分成分溶解到清洗液中。因此，即使在曝光装置16中抗蚀膜与液体相接触，也能够防止抗蚀剂的成分溶解到液体中。其结果，能够防止曝光装置16被污染。
另外，在不设置抗蚀盖膜用处理模块13的情况下，也可以不设置抗蚀盖膜除去模块14。由此，能够减少基板处理装置500的占用面积。此外，在不设置抗蚀盖膜用处理模块13和抗蚀盖膜除去模块14的情况下，通过显影处理模块12的显影热处理部121对基板W进行曝光后烘干的处理。
而且，在上述实施方式中，清洗/干燥处理单元SD1、SD2配置在接口模块15内，但也可以将清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的至少一方配置在图1所示的抗蚀盖膜除去模块14内。或者，将包括清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的至少一方的清洗/干燥处理模块，设置在图1所示的抗蚀盖膜除去模块14与接口模块15之间。
另外，对于清洗/干燥处理单元SD1、清洗/干燥处理单元SD2、涂敷单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、加热单元HP、冷却单元CP以及装载兼冷却单元P-CP的个数，可以配合各模块的处理速度而适当地变更。例如，在设置两个边缘曝光部EEW的情况下，可以将清洗/干燥处理单元SD2的个数设为两个。
(9)技术方案的各构成要素与第一实施方式的各部分的对应
下面，说明技术方案的各构成要素与实施方式的各要素相对应的例子，但本发明并不被下述内容所限定。
在上述实施方式中，作为处理部的例子具有防反射膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀盖膜用处理模块13以及抗蚀盖膜除去模块14，作为交接部的例子具有接口模块15，作为干燥处理单元的例子具有清洗/干燥处理单元SD1、SD2。
另外，旋转卡盘621作为基板保持装置的例子，卡盘旋转驱动机构636作为旋转驱动装置的例子，液体供给喷嘴650作为冲洗液供给部的例子，马达660作为冲洗液供给移动机构的例子，气体供给喷嘴670作为气体供给部的例子，马达671作为气体供给移动机构的例子，涂敷单元RES作为感光膜形成单元的例子。
作为技术方案中的各结构要素，能够使用具有技术方案所记载的结构或功能的其它各种要素。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，配置成与曝光装置相邻，其特征在于，
具有：
处理部，其用于对基板进行处理，
交接部，其用于在上述处理部与上述曝光装置之间交接基板；
上述处理部和上述交接部中的至少一方包括干燥处理单元，该干燥处理单元用于对基板进行干燥处理，
上述干燥处理单元包括：
基板保持装置，其将基板保持为大致水平，
旋转驱动装置，其使上述基板保持装置所保持的基板围绕垂直于该基板且通过该基板的中心的轴旋转，
冲洗液供给部，其向上述基板保持装置所保持的基板上供给冲洗液，
冲洗液供给移动机构，其移动上述冲洗液供给部，从而从旋转的基板的中心部向周边部连续供给冲洗液；
上述冲洗液供给移动机构使上述冲洗液供给部在供给冲洗液的状态下，暂时停止在从基板的中心部远离规定距离的位置，
上述规定距离以及暂时停止的时间被预先设定，以使在暂时停止上述冲洗液供给部的移动的期间，在基板的中心部只形成一个干燥核斑。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述旋转驱动装置分阶段地或者连续地改变基板的转速：在向基板的中心部供给冲洗液的状态下使基板以第一转速旋转，在向基板的周边部供给冲洗液的状态下使基板以低于上述第一转速的第二转速旋转。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述冲洗液供给部分阶段地或者连续地改变冲洗液的流量：以第一流量向基板的中心部供给冲洗液，以小于上述第一流量的第二流量向基板的周边部供给冲洗液。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述冲洗液供给部分阶段地或者连续地改变冲洗液的供给压：以第一供给压向基板的中心部供给冲洗液，以低于上述第一供给压的第二供给压向基板的周边部供给冲洗液。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述干燥处理单元还包括气体供给部，该气体供给部在上述冲洗液供给部对远离基板中心的位置供给冲洗液的状态下，对基板的中心部喷射气体。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述干燥处理单元还包括气体供给移动机构，该气体供给移动机构移动上述气体供给部，使得基板上供给气体的位置在保持比上述冲洗液供给部供给冲洗液的位置更靠近基板的中心部的位置的状态下，从基板的中心部向基板的周边部移动。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部还包括：
感光膜形成单元，其在基板上形成由感光材料构成的感光膜，
显影处理单元，其对曝光处理后的基板进行显影处理；
在上述曝光装置进行了曝光处理后且在上述显影处理单元进行显影处理前，上述干燥处理单元对基板进行干燥处理。
8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述规定距离是15～25mm，上述暂时停止的时间是10秒。
9.一种基板处理方法，在基板处理装置中对基板进行处理，该基板处理装置配置成与曝光装置相邻，并且包括处理部和交接部，其特征在于，
包括：
通过上述处理部，对基板进行曝光处理前的处理的工序，
通过上述交接部，将上述处理部处理过的基板从上述处理部交接至上述曝光装置的工序，
通过上述交接部，将上述曝光装置曝光处理后的基板从上述曝光装置交接至上述处理部的工序，
通过上述处理部，对基板进行曝光处理后的处理的工序，
在上述处理部和上述交接部中的至少一方中，对基板进行干燥处理的工序；
对上述基板进行干燥处理的工序包括：
保持上述基板为大致水平，同时使上述基板围绕垂直于基板且通过基板的中心的轴旋转的工序，
通过移动冲洗液供给部，从旋转的基板的中心部向周边部连续供给冲洗液的工序；
在供给上述冲洗液的工序中，使上述冲洗液供给部在供给冲洗液的状态下，暂时停止在从基板的中心部远离规定距离的位置，
上述规定距离以及暂时停止的时间被预先设定，以使在暂时停止上述冲洗液供给部的移动的期间，在基板的中心部只形成一个干燥核斑。
10.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，上述规定距离是15～25mm，上述暂时停止的时间是10秒。
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