CN100495639C - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有接口区。相邻于接口区而配置有曝光装置。接口区包括第一以及第二清洗/干燥处理单元。在第一清洗/干燥处理单元中，对曝光处理前的基板进行清洗以及干燥处理；在第二清洗/干燥处理单元中，对曝光处理后的基板进行清洗以及干燥处理。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置。
背景技术
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等各种基板进行种种处理，而使用基板处理装置。
在这样的基板处理装置中，一般对一张基板连续地进行多个不同的处理。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置由分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区以及接口区构成。以相邻于接口区的方式而配置有与基板处理装置分开独立的、作为外部装置的曝光装置。
在上述的基板处理装置中，从分度器区搬入的基板，在反射防止膜用处理区以及抗蚀膜用处理区中进行了反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂敷处理之后，经由接口区被搬送到曝光装置。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理之后，基板经由接口区被搬送到显影处理区。通过在显影处理区中对基板上的抗蚀膜进行显影处理而形成抗蚀图形之后，基板被搬送到分度器区。
近年来，伴随着器件的高密度化以及高集成化，抗蚀图形的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将标线的图形经由投影透镜缩小投影在基板上来进行曝光处理。可是，在这样的以往的曝光装置中，因为曝光图案的线宽取决于曝光装置的光源波长，所以对抗蚀图形的微细化受到了限制。
因此，作为可将曝光图案进一步微细化的投影曝光方法，而提出了浸液法(例如，参考国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册中的投影曝光装置中，在投影光学系统和基板之间充满有液体，从而能够使在基板表面的曝光用光短波长化。由此，可使曝光图案进一步微细化。
可是，上述的国际公开第99/49504号手册中的投影曝光装置中，由于在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，因此，基板在附着有液体的状态下从曝光装置搬出。因此，上述JP特开2003-324139号公报的基板处理装置上，将如上述国际公开第99/49504号手册中所记载的采用浸液法的曝光装置作为外部装置而设置时，附着在从曝光装置搬出的基板上的液体滴落在基板处理装置内，有可能会发生基板处理装置的电气系统异常等动作不良。
另外，当在曝光处理后的基板上附着有液体时，也有可能会在基板上附着有尘埃等。当在基板上附着有尘埃时，有可能会发生基板的处理不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以防止由在曝光装置内附着在基板上的液体所导致的动作不良以及处理不良的基板处理装置。
(1)本发明的一种基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，该基板处理装置，具有：处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接，交接部包括：第一以及第二搬送单元，其用于搬送基板；清洗处理单元，其在通过曝光装置进行曝光处理前对基板进行清洗处理；干燥处理单元，其在通过上述曝光装置进行曝光处理后对基板进行干燥处理；装载部，其用于暂时装载基板，第一搬送单元在处理部、清洗处理单元以及装载部之间搬送基板；第二搬送单元在装载部、曝光装置以及干燥处理单元之间搬送基板。
该基板处理装置中，在处理部对基板实施规定的处理后，基板通过交接部的第一搬送单元被搬送到清洗处理单元。在清洗处理单元中，对基板实施清洗处理后，基板通过第一搬送单元被搬送到装载部。接下来，基板通过第二搬送单元从装载部被搬送到曝光装置。在曝光装置对基板实施曝光处理后，基板通过第二搬送单元被搬送到干燥处理单元。在干燥处理单元中，对基板实施干燥处理后，基板通过第二搬送单元被搬送到装载部。然后，基板通过第一搬送单元从装载部被搬送到处理部。
由此，曝光处理后的基板，在干燥处理单元被干燥处理后，被搬送到处理部。这种情况下，即使在曝光装置中液体附着在基板上，也能够防止该液体落入基板处理装置内。其结果是，能够防止基板处理装置的动作不良。
另外，通过对基板实施干燥处理，而能够防止在曝光处理时附着在基板上液体里附着有环境中的尘埃等。由此，能够防止基板的处理不良。
另外，在清洗处理单元中，对曝光处理前的基板实施清洗处理。由此，能够在曝光处理前除去在曝光处理前的处理工序中附着在基板上的尘埃等。其结果是，能够防止曝光装置内的污染，能够确实防止基板的处理不良。
(2)清洗处理单元也可以在基板的清洗后对基板进行干燥处理。此时，能够防止环境中的尘埃等附着在清洗处理后的基板上。由此，能够确实曝光装置内的污染。其结果是，能够更加确实防止基板的处理不良。
(3)干燥处理单元也可以在基板的干燥处理前对基板进行清洗处理。此时，在将在曝光处理时附着有液体的基板从曝光装置搬送到干燥处理单元期间，即使在基板上附着有环境中的尘埃等，也能够确实除去该附着物。由此，能够确实地防止基板的处理不良。
(4)装载部，也可以含有温度管理待机单元，该温度管理待机单元将由曝光装置进行曝光处理前的基板维持在规定温度的同时，使基板待机直到能向曝光装置进行搬入为止。
上述情况下，由于该温度管理待机单元具有将基板维持在规定温度的功能、和可使基板待机到能向曝光装置进行搬入的功能，因此，没有必要设置使基板待机到能向曝光装置进行搬入的、一般的基板装载部。由此，能够消减第二搬送单元的搬送工序。其结果是，在能够提高处理能力的同时，能够削减第二搬送单元的搬送的访问位置，因而能提高可靠性。
(5)处理部、交接部以及曝光装置在第一方向上并排设置，交接部在水平面内与第一方向垂直的第二方向上至少具有1个侧面；干燥处理单元，在上述交接部内被配置在1个侧面一侧。
上述情况下，由于干燥处理单元在交接部中被配置在与处理部以及曝光装置不接触的1个侧面一侧，因此，从该1个侧面就能够容易地进行干燥处理单元的维护。
(6)交接部在第二方向上具有与1个侧面相对置的另一侧面，清洗处理单元在交接部内被配置在另一侧面侧。
上述情况下，由于清洗处理装置在交接部中被配置在与处理部及曝光装置不接触的另一侧面侧，因此，从该另一侧面就能够容易地进行干燥处理单元的维护。
(7)装载部被配置在交接部内的第二方向上的大致中央部，第一搬送单元被配置在清洗处理单元和装载部之间，第二搬送单元被配置在装载部和干燥处理单元之间。
上述情况下，可在短时间内进行通过第一搬送单元向清洗处理单元及装载部交接基板、以及通过第二搬送单元向装载部及干燥处理单元交接基板。由此，能够提高处理能力。
(8)交接部在第二方向上具有与1个侧面相对置的另一侧面，第一搬送单元在上述交接部内被配置在另一侧面侧，清洗处理单元以及装载部被层叠配置在交接部内的第二方向上的大致中央部，第二搬送单元被配置在清洗处理单元以及装载部、和干燥处理单元之间。
上述情况下，可在短时间内进行通过第一搬送单元向清洗处理单元及装载部交接基板、以及通过第二搬送单元向装载部及干燥处理单元交接基板。由此，能够提高处理能力。
另外，由于清洗处理单元及装载部被层叠配置，因此，能够降低基板处理装置的占用面积。
(9)第二搬送单元包括保持基板的第一以及第二保持部，在搬送由曝光装置进行曝光处理前以及由干燥处理单元进行干燥处理后的基板时，由第一保持部保持基板，在从曝光装置向干燥处理单元搬送曝光处理后的基板时，由第二保持部保持基板。
上述情况下，在搬送曝光处理前及干燥处理后的基板时使用第一保持部，在搬送曝光处理后的基板时使用第二保持部。由此，即使在曝光装置中液体附着在基板上，液体也不会附着在第一保持部上。另外，由于干燥处理后的基板通过第一保持部搬送，因此，能够防止液体附着在干燥处理后的基板上。
(10)第二保持部也可设置在第一保持部的下方。上述情况下，即使液体从第二保持部和由其保持的基板上落下，液体也不会在附着在第一保持部和由其保持的基板上。由此，可确实地防止液体附着在干燥处理的基板上。
(11)交接部还包括对基板的边缘部进行曝光的边缘曝光部，第一搬送单元在处理部、边缘曝光部、清洗处理单元以及装载部之间搬送基板。上述情况下，在边缘曝光部对基板的周边部进行曝光处理。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是从+X方向观察到的图1的基板处理装置的概略侧视图。
图3是从-X方向观察到的图1的基板处理装置的概略侧视图。
图4是从+Y方向观察到的接口区的概略侧视图。
图5是用于说明清洗/干燥处理单元的构成的图。
图6是用于说明清洗/干燥处理单元的动作的图。
图7是一体地设置有清洗处理用喷嘴和干燥处理用喷嘴时的示意图。
图8是表示干燥处理用喷嘴的其它例子的示意图。
图9是用于说明使用了图8的干燥处理用喷嘴时的基板的干燥处理方法的图。
图10是表示干燥处理用喷嘴的其它例子的示意图。
图11是表示清洗/干燥处理单元的其它例子的示意图。
图12是用于说明使用了图11的清洗/干燥处理单元时的基板的干燥处理方法的图。
图13是表示在清洗及干燥处理所使用的二流体喷嘴的内部构造的一个例子的纵剖面图。
图14是用于说明使用了图13的二流体喷嘴时的基板的清洗及干燥处理方法的图。
图15是本发明的第二实施方式的基板处理装置的俯视图。
图16是从+Y侧观察到的图15的接口区的概要侧视图。
具体实施方式
下面，针对本发明的实施方式的基板处理装置，使用附图进行说明。在以下的说明中，所谓基板指的是半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。
A.第一实施方式
(1)基板处理装置的结构
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的俯视图。另外，在图1及后述的图2～图4、图15及图16中，为了明确位置关系，标有表示相互垂直的X方向、Y方向、Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直，而Z方向相当于铅垂方向。此外，在各方向上，将箭头指向的方向设为+方向，而将其相反的方向设为—方向。另外，将以Z方向为中心的旋转方向设为θ方向。
如图1所示，基板处理装置500包括：分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀盖膜用处理区13、抗蚀盖膜除去区14以及接口区15。另外，以与接口区15相邻的方式配置有曝光装置16。在曝光装置16中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。
以下，将每一个分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀盖膜用处理区13、抗蚀盖膜除去区14以及接口区15称作处理区。
分度器区9包括控制各处理区的动作的主控制器(控制部)30、多个运送器装载台40以及分度器机械手IR。在分度器机械手IR上，设置有用于交接基板W的手部IRH。
反射防止膜用处理区10包括反射防止膜用热处理部100、101、反射防止膜用涂敷处理部50以及第一中央机械手CR1。反射防止膜用涂敷处理部50隔着第一中央机械手CR1与反射防止膜用热处理部100、101相对置而设置。在第一中央机械手CR1，上下设置有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间，设置有隔离环境用的隔断壁17。在该隔断壁17，上下接近设置有基板装载部PASS1、PASS2，该基板装载部PASS1、PASS2用于在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS1在将基板W从分度器区9搬送到反射防止膜用处理区10时使用，而下侧的基板装载部PASS2在将基板W从反射防止膜用处理区10搬送到分度器区9时使用。
另外，在基板装载部PASS1、PASS2上，设置有检测出有无基板W的光学式的传感器(未图示)。由此，能够进行在基板装载部PASS1、PASS2上是否装载有基板W的判定。另外，在基板装载部PASS1、PASS2上，设置有被固定设置的多个支撑销。此外，上述光学式的传感器及支撑销也同样地被设置在后述的基板装载部PASS3～PASS13上设置。
抗蚀膜用处理区11包括抗蚀膜用热处理部110、111、抗蚀膜用涂敷处理部60以及第二中央机械手CR2。抗蚀膜用涂敷处理部60隔着第二中央机械手CR2与抗蚀膜用热处理部110、111相对置而设置。在第二中央机械手CR2，上下设置有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间，设置有隔离环境用的隔断壁18。在该隔断壁18，上下接近设置有基板装载部PASS3、PASS4，该基板装载部PASS3、PASS4用于在反射防止膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS3在将基板W从反射防止膜用处理区10搬送到抗蚀膜用处理区11时使用，而下侧的基板装载部PASS4在将基板W从抗蚀膜用处理区11搬送到反射防止膜用处理区10时使用。
显影处理区12包括显影用热处理部120、121、显影处理部70以及第三中央机械手CR3。显影处理部70隔着第三中央机械手CR3与显影用热处理部120、121相对置而设置。在第三中央机械手CR3，上下设置有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间，设置有隔离环境用的隔断壁19。在该隔断壁19，上下接近设置有基板装载部PASS5、PASS6，该基板装载部PASS5、PASS6用于在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS5在将基板W从抗蚀膜用处理区11搬送到显影处理区12时使用，而下侧的基板装载部PASS6在将基板W从显影处理区12搬送到抗蚀膜用处理区11时使用。
抗蚀盖膜用处理区13包括抗蚀盖膜用热处理部130、131、抗蚀盖膜用涂敷处理部80以及第四中央机械手CR4。抗蚀盖膜用涂敷处理部80隔着第四中央机械手CR4与抗蚀盖膜用热处理部130、131相对置而设置。在第四中央机械手CR4，上下设置有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
在显影处理区12和抗蚀盖膜用处理区13之间，设置有隔离环境用的隔断壁20。在该隔断壁20，上下接近设置有用于基板装载部PASS7、PASS8，该基板装载部PASS7、PASS8在显影处理区12和抗蚀盖膜用处理区13之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS7在将基板W从显影处理区12搬送到抗蚀盖膜用处理区13时使用，而下侧的基板装载部PASS8在将基板W从抗蚀盖膜用处理区13搬送到显影处理区12时使用。
抗蚀盖膜除去区14包括曝光后烘干用热处理部140、141、抗蚀盖膜除去用处理部90以及第五中央机械手CR5。曝光后烘干用热处理部141与接口区15邻接，如后面所述，设置有基板装载部PASS11、PASS12。抗蚀盖膜除去用处理部90隔着第五中央机械手CR5与曝光后烘干用热处理部140、141相对置而设置。在第五中央机械手CR5，上下设置有用于交接基板W的手部CRH9、CRH10。
在抗蚀盖膜用处理区13和抗蚀盖膜除去区14之间，设置有隔离环境用的隔断壁21。在该隔断壁21，上下接近设置有基板装载部PASS9、PASS10，该基板装载部PASS9、PASS10用于在抗蚀盖膜用处理区13和抗蚀盖膜除去区14之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS9在将基板W从抗蚀盖膜用处理区13搬送到抗蚀盖膜除去区14时使用，而下侧的基板装载部PASS10在将基板W从抗蚀盖膜除去区14搬送到抗蚀盖膜用处理区13时使用。
接口区15包括输送缓冲贮存部SBF、第一清洗/干燥处理单元SD1、第六中央机械手CR6、边缘曝光部EEW、返回缓冲贮存部RBF、装载兼冷却单元PASS-CP(以下，简称为P-CP)、基板装载部PASS13、接口用搬送机构IFR及第二清洗/干燥处理单元SD2。此外，第一清洗/干燥处理单元SD1，进行曝光处理前的基板W的清洗及干燥处理，第二清洗/干燥处理单元SD2，进行曝光处理后的基板W的清洗及干燥处理。第一以及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的详细描述在后面进行。
另外，第六中央机械手CR6，上下设置有用于交接基板W的手部CRH11、CRH12(参照图4)，在接口用搬送机构IFR，上下设置有用于交接基板W的手部H1、H2(参照图4)。关于接口区15的详细描述在后面进行。
在本实施方式的基板处理装置500中，沿着Y方向，依次并排设置有分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀盖膜用处理区13、抗蚀盖膜除去区14以及接口区15。
图2是从+X方向观察到的图1的基板处理装置500的概略侧视图，图3是从-X方向观察到的图1的基板处理装置500的概略侧视图。此外，在图2中，主要示出了在基板处理装置500的+X侧所设置的器件，图3中，主要示出了在基板处理装置500的-X侧所设置的器件。
首先，使用图2，对基板处理装置500的+X侧的结构进行说明。如图2所示，在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用涂敷处理部50(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元BARC。各涂敷单元BARC具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘51、以及向被保持在旋转卡盘51上的基板W供给反射防止膜的涂敷液的供给喷嘴52。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用涂敷处理部60(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元RES。各涂敷单元RES具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘61、以及向被保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀膜的涂敷液的供给喷嘴62。
在显影处理区12的显影处理部70(参照图1)，上下层叠配置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘71、以及向被保持在旋转卡盘71上的基板W供给显影液的供给喷嘴72。
在抗蚀盖膜用处理区13的抗蚀盖膜用涂敷处理部80，上下层叠配置有3个涂敷单元COV。各涂敷单元COV具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘81、以及向被保持在旋转卡盘81上的基板W供给抗蚀盖膜的涂敷的供给喷嘴82。作为抗蚀盖膜的涂敷液，可以使用和抗蚀剂以及水的亲和力低的材料(和抗蚀剂以及水的反应特性低的材料)。例如，氟树脂。涂敷单元COV通过使基板W旋转的同时在基板W上涂敷涂敷液，从而在被形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀盖膜。
在抗蚀盖膜除去区14的抗蚀盖膜除去用处理部90上，上下层叠配置有3个除去单元REM。各除去单元REM具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘91、以及向被保持在旋转卡盘91上的基板W供给剥离液(例如氟树脂)的供给喷嘴92。除去单元REM通过使基板W旋转的同时在基板W上涂敷剥离液，从而除去被形成于基板W上的抗蚀盖膜。
此外，除去单元REM中的抗蚀盖膜的除去方法并不仅限于上述的例子。例如，可以通过在基板W的上方使狭缝喷嘴移动的同时向基板W上供给剥离液来除去抗蚀盖膜。
在接口区15内的+X侧上，上下层叠配置有边缘曝光部EEW以及3个第二清洗/干燥处理单元SD2。各边缘曝光部EEW具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘98、以及对被保持在旋转卡盘98上的基板W的周边进行曝光的光照射器99。
接下来，使用图3，对基板处理装置500的—X侧的构成进行说明。如图3所示，在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用热处理部100、101上，分别层叠配置有两个加热单元(加热板)HP以及两个冷却单元(冷却板)CP。另外，在反射防止膜用热处理部100、101的在最上部分别配置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用热处理部110、111，分别层叠配置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP。另外，在抗蚀膜用热处理部110、111的最上部分别配置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
在显影处理区12的显影用热处理部120、121上，分别层叠配置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP。另外，在显影用热处理部120、121的最上部分别配置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀盖膜用处理区13的抗蚀盖膜用热处理部130、131上，分别层叠配置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP。另外，在抗蚀盖膜用热处理部130、131的最上部分别配置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀盖膜除去区14的曝光后烘干用热处理部140，上下层叠配置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP，并在曝光后烘干用热处理部141，上下层叠配置有两个加热单元HP、两个冷却单元CP以及基板装载部PASS11、PASS12。另外，在曝光后烘干用热处理部140、141的最上部分别配置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
接下来，利用图4对接口区15进行详细地说明。
图4是从+Y方向观察到的接口区15的概略侧视图。如图4所示，在接口区15内，在—X侧，层叠设置有输送缓冲贮存部SBF以及3个第一清洗/干燥处理单元SD1。另外，接口区15内，在+X侧的上部，设置有边缘曝光部EEW。
在边缘曝光部EEW的下方，在接口区15内的大致中央部，上下层叠设置有返回缓冲贮存部RBF、两个装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13。在边缘曝光部EEW的下方，在接口区15内的+X侧，上下层叠设置有3个第二清洗/干燥处理单元SD2。
另外，在接口区15内的下部，设置有第六中央机械手CR6以及接口用搬送机构IFR。第六中央机械手CR6，以可在输送缓冲贮存部SBF及第一清洗/干燥处理单元SD1、和边缘曝光部EEW、返回缓冲贮存部RBF、装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13之间上下移动且转动的方式而被设置。接口用搬送机构IFR，以可在返回缓冲贮存部RBF、装载兼冷却单元P-CP及基板装载部PASS13、和第二清洗/干燥处理单元SD2之间上下移动且转动的方式而被设置。
(2)基板处理装置的动作
下面，参照图1～图4对本实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。
(2—1)分度器区～抗蚀盖膜除去区的动作
首先，对分度器区9～抗蚀盖膜除去区14的动作进行简单地说明。
在分度器区9的运送器装载台40上，搬入有将多张基板W多级容纳的运送器C。分度器机械手IR使用手部IRH来取出被容纳在运送器C内的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR沿±X方向移动的同时沿±θ方向旋转移动，从而将未处理的基板W装载到基板装载部PASS1上。
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod：前开式统一标准箱)作为运送器C，但是并不仅限于此，也可以使用SMIF(StandardMechanical InterFace：标准机械接口)盒或将容纳基板W曝露在外部空气中的OC(open cassette：开放式盒子)等。
进一步，在分度器机械手IR、第一～第六中央机械手CR1～CR6以及接口用搬送机构IFR，分别使用使其相对基板W直线滑动而进行手部的进退动作的直动型搬送机械手，但是并不仅限于此，也可以使用通过使关节动作来直线地进行手部的进退动作的多关节型搬送机械手。
被装载到基板装载部PASS81上的未处理的基板W，由反射防止膜用处理区10的第一中央机械手CR1来接受。第一中央机械手CR1将上述基板W搬入反射防止膜用热处理部100、101。
然后，第一中央机械手CR1，从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，将上述基板W搬入反射防止膜用涂敷处理部50。在该反射防止膜用涂敷处理部50中，为了减少曝光处理时发生的驻波和光晕，而通过涂敷单元BARC来在基板W上涂敷形成反射防止膜。
然后，第一中央机械手CR1从反射防止膜用涂敷处理部50取出涂敷处理结束的基板W，并将该基板W搬入到反射防止膜用热处理部100、101。接着，第一中央机械手CR1从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS3上。
被装载到基板装载部PASS3的基板W，由抗蚀膜用处理区11的第二中央机械手CR2接受。第二中央机械手CR2将该基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。
然后，第二中央机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，并将该基板W搬入到抗蚀膜用涂敷处理部60。接着，在该抗蚀膜用涂敷处理部60中，通过涂敷单元RES来在涂敷形成有反射防止膜的基板W上涂敷形成抗蚀膜。
接下来，第二中央机械手CR2从抗蚀膜用涂敷处理部60取出涂敷处理结束的基板W，并将该基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。然后，第二中央机械手CR2，从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS5上。
被装载到基板装载部PASS5上的基板W，由显影处理区12的第三中央机械手CR3接受。第三中央机械手CR3将该基板W装载到基板装载部PASS7上。
被装载到基板装载部PASS7上的基板W，由抗蚀盖膜用处理区13的第四中央机械手CR4接受。第四中央机械手CR4将该基板W搬入到抗蚀盖膜用涂敷处理部80。在该抗蚀盖膜用涂敷处理部80中，通过涂敷单元COV来在涂敷形成有抗蚀膜的基板W上涂敷形成抗蚀盖膜。
然后，第四中央机械手CR4从抗蚀盖膜用涂敷处理部80取出涂敷处理结束的基板W，并将该基板W搬入到抗蚀盖膜用热处理部130、131。接着，第四中央机械手CR4从抗蚀盖膜用热处理部130、131取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS9上。
被装载到基板装载部PASS9上的基板W，由抗蚀盖膜除去区14的第五中央机械手CR5接受。第五中央机械手CR5将该基板W装载到基板装载部PASS11上。
被装载到基板装载部PASS11上的基板W，由接口区15的第六中央机械手CR6接受，如后所述，在接口区15及曝光装置16上实施预定处理。在接口区15及曝光装置16上对基板W实施规定处理后，该基板W通过第六中央机械手CR6而被搬入抗蚀盖膜除去区14的曝光后烘干用热处理部141上。
在曝光后烘干用热处理部141中，对基板W进行曝光后烘干(PEB)。然后，第六中央机械手CR6，从曝光后烘干用热处理部141上取出基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS12上。
此外，在本实施方式中，由曝光后烘干用热处理部141进行曝光后烘干，但是，也可以由曝光后烘干用热处理部140进行曝光后烘干。
被装载到基板装载部PASS12上的基板W，由抗蚀盖膜除去区14的第五中央机械手CR5接受，第五中央机械手CR5将该基板W搬入到抗蚀盖膜除去用处理部90。在抗蚀盖膜除去用处理部90中，除去抗蚀盖膜。
接着，第五中央机械手CR5从抗蚀盖膜除去用处理部90取出处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS10上。
被装载到基板装载部PASS10上的基板W，由抗蚀盖膜用处理区13的第四中央机械手CR4被装载到基板装载部PASS8上。
被装载到基板装载部PASS8上的基板W，由显影处理区12的第三中央机械手CR3接受。第三中央机械手CR3将该基板W搬入到显影处理部70。在显影处理部70中，对被曝光后的基板W进行显影处理。
接着，第三中央机械手CR3从显影处理部70取出显影处理结束的基板W，并将该基板W搬入到显影用热处理部120、121。然后，第三中央机械手CR3从显影用热处理部120、121取出热处理后的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS6上。
被装载到基板装载部PASS6上的基板W，通过抗蚀膜用处理区11的第二中央机械手CR2而被装载到基板装载部PASS4上。被装载到基板装载部PASS4上的基板W，通过反射防止膜用处理区10的第一中央机械手CR1而被装载到基板装载部PASS2上。
被装载到基板装载部PASS2上的基板W，通过分度器区9的分度器机械手IR而被收容在运送器C内。由此，在基板处理装置500的基板W的各种处理结束。
(2—2)接口区的动作
下面，对接口区15的动作进行详细地说明。
如上所述，被装载到分度器区9的基板W被实施了规定处理后，被装载到抗蚀盖膜除去区14(图1)的基板装载部PASS11上。
被装载到基板装载部PASS11上的基板W，由接口区15的第六中央机械手CR6接受。第六中央机械手CR6将该基板W搬入到边缘曝光部EEW(图4)。在该边缘曝光部EEW中，对基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第六中央机械手CR6从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理结束的基板W，并将该基板W装载到第一清洗/干燥处理单元SD1的任一个中。在第一清洗/干燥处理单元SD1，如上所述那样进行曝光处理前的基板W的清洗以及干燥处理。
在这里，由曝光装置16进行的曝光处理的时间，通常比其它的处理工序及搬送工序时间长。其结果是，曝光装置16不能接受后面的基板W的情形较多。此时，基板W暂时被容纳保管在输送缓冲贮存部SBF(图4)中。在本实施方式中，第六中央机械手CR6从第一清洗/干燥处理单元SD1取出清洗及干燥处理结束的基板W，并将该基板W装载到输送缓冲贮存部SBF。
接下来，第六中央机械手CR6取出在输送缓冲贮存部SBF中所收容保管的基板W，并将该基板W搬入到装载兼冷却单元P—CP。被搬入到装载兼冷却单元P—CP的基板W维持在与曝光装置16内相同的温度(例如，23℃)。
此外，在曝光装置16具有充分的处理速度的情况下，也可以不在输送缓冲贮存部SBF容纳保管基板W，而从第一清洗/干燥处理单元SD1向装载兼冷却单元P—CP上输送基板W。
接下来，在装载兼冷却单元P—CP被维持在上述规定温度的基板W，由接口用搬送机构IFR的上侧的手部H1(图4)接受，并被搬入到曝光装置16内的基板装载部16a(图1)。
在曝光装置16中实施了曝光处理的基板W，通过接口用搬送机构IFR的下侧的手部H2(图4)从基板搬出部16b(图1)被搬出。接口用搬送机构IFR，通过手部H2，将该基板W搬入到第二清洗/干燥处理单元SD2的任一个中。在第二清洗/干燥处理单元SD2中，如上述那样对曝光处理后的基板W进行清洗以及干燥处理。
在第二清洗/干燥处理单元SD2中实施了清洗以及干燥处理的基板W，由接口用搬送机构IFR的手部H1(图4)取出。接口用搬送机构IFR通过手部H1将该基板W装载到基板装载部PASS13上。
被装载到基板装载部PASS13上的基板W，由第六中央机械手CR6接受。第六中央机械手CR6将该基板W搬入到抗蚀盖膜除去区14(图1)的曝光后烘干用热处理部141上。
此外，在因除去单元REM(图2)的故障等而导致抗蚀盖膜除去区14暂时不能接受基板W时，返回缓冲贮存部RBF能够暂时收容保管曝光处理后的基板W。
在这里，本实施方式中，第六中央机械手CR6在基板装载部PASS11(图1)、边缘曝光部EEW、第一清洗/干燥处理单元SD1、输送缓冲贮存部SBF、装载兼冷却单元P—CP、基板装载部PASS13及曝光后烘干用热处理器141之间搬送基板W，但是上述一连串的动作能够在短时间(例如，24秒)内进行。
另外，接口用搬送机构IFR在装载兼冷却单元P—CP、曝光装置16、第二清洗/干燥处理单元SD2及基板装载部PASS13之间搬送基板W，但是，上述一连串的动作能够在短时间(例如，24秒)内进行。
上述结果是，能够确实提高处理能力。
(3)清洗/干燥处理单元
接下来，使用附图对第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2进行详细地说明。此外，第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2可使用同样的结构。(3-1)构成
图5是用于说明第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的构成的图。如图5所示，第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2具有旋转卡盘621，该旋转卡盘621用于水平地保持基板W的同时，使基板W以通过基板W的中心的铅垂的旋转轴为中心进行旋转。
旋转卡盘621被固定在通过卡盘旋转驱动机构636来旋转的旋转轴625的上端。另外，在旋转卡盘621上形成有吸气路径(未图示)，并通过在将基板W装载在旋转卡盘621上的状态下对吸气路径内进行排气，而将基板W的下表面真空吸附在旋转卡盘621上，从而能够将基板W以水平姿势保持。
在旋转卡盘621的外侧设置有第一旋转马达660。在第一旋转马达660连接有第一旋转轴661。另外，第一臂部662以在水平方向延伸的方式连接在第一旋转轴661上，在第一臂部662的前端设置有清洗处理用喷嘴650。
通过第一旋转马达660使第一旋转轴661旋转的同时，第一臂部662也转动，而使清洗处理用喷嘴650移动到由旋转卡盘621所保持的基板W的上方。
以通过第一旋转马达660、第一旋转轴661以及第一臂部662的内部的方式设置有清洗处理用供给管663。清洗处理用供给管663经由阀Va以及阀Vb而连接到清洗液供给源R1以及冲洗液供给源R2上。
通过控制该阀Va、Vb的开与关，从而能够进行供给到清洗处理用供给管663的处理液的选择以及供给量的调整。在图5的结构中，通过打开阀Va，而能够将清洗液供给到清洗处理用供给管663，通过打开阀Vb，而能够将冲洗液供给到清洗处理用供给管663。
清洗液或者冲洗液从清洗液供给源R1或者冲洗液供给源R2通过清洗处理用供给管663而被供给到清洗处理用喷嘴650。由此，可以向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液。作为清洗液，可以使用例如纯水、在纯水中溶解了络合物(离子化后的物质)的液体或者氟类药液等。作为冲洗液，可以使用例如纯水、碳酸水、含氢水、电解离子水、HFE(氢氟醚)中的任何一种。
在旋转卡盘621的外侧设置有第二旋转马达671。第二旋转马达671连接有第二旋转轴672。另外，第二臂部673以在水平方向延伸的方式连接在第二旋转轴672，在第二臂部673的前端设置有干燥处理用喷嘴670。
通过第二旋转马达671使第二旋转轴672旋转的同时，使第二臂部673转动，而将干燥处理用喷嘴670移动到由旋转卡盘621所保持的基板W的上方。
以通过第二旋转马达671、第二旋转轴672以及第二臂部673的内部的方式设置有干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674经由阀Vc连接到惰性气体供给源R3。通过控制该阀Vc的开与关，从而可以调整供给到干燥处理用供给管674的惰性气体的供给量。
惰性气体从惰性气体供给源R3经由干燥处理用供给管674而被供给到干燥处理用喷嘴670。由此，可以向基板W的表面供给惰性气体。作为惰性气体，可以使用例如氮气。
在向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液时，清洗处理用喷嘴650位于基板的上方，而在向基板W的表面供给惰性气体时，清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置。
另外，在向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液时，干燥处理用喷嘴670退避到规定的位置，而在向基板W的表面供给惰性气体时，干燥处理用喷嘴670位于基板W的上方。
在旋转卡盘621所保持的基板W被容纳于处理杯623内。在处理杯623的内侧，设置有筒状的间隔壁633。另外，以包围旋转卡盘621的周围的方式形成有用于排出基板W的处理中使用过的处理液(清洗液或者冲洗液)的排液空间631。进一步，以包围排液空间631的方式在处理杯623和间隔壁633之间形成有用于回收基板W的处理中使用过的处理液的回收液空间632。
在排液空间631连接有用于向排液处理装置(未图示)引导处理液的排液管634，而在回收液空间632连接有用于向回收处理装置(未图示)引导处理液的回收管635。
在处理杯623的上方设置有用于防止来自基板W的处理液向外侧飞散的防护装置624。该防护装置624形成为相对旋转轴625旋转对称的形状。在防护装置624上端部的内面，呈环状地形成有截面为“く”字状的排液引导槽641。
另外，在防护装置624的下端部的内面，形成有由向外侧下方倾斜的倾斜面构成的回收液引导部642。在回收液引导部642的上端附近，形成有用于容纳处理杯623的间隔壁633的间隔壁容纳槽643。
在该防护装置624设置有由滚珠丝杠机构等构成的防护装置升降驱动机构(未图示)。防护装置升降驱动机构使防护装置624在回收液引导部642与由旋转卡盘621所保持的基板W的外周端部相对置的回收位置、和排液引导槽641与由旋转卡盘621所保持的基板W的外周端部相对置的排液位置之间上下移动。在防护装置624位于回收位置(如图5所示的防护装置的位置)时，从基板W向外侧飞散的处理液由回收液引导部642引导到回收液空间632中，并通过回收管635而被回收。另一方面，在防护装置624位于排液位置时，从基板W向外侧飞散的处理液由排液引导槽641引导到排液空间631中，并通过排液管634被排出。通过以上的结构，进行处理液的排出以及回收。
(3-2)动作
下面，对具有上述结构的第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的处理动作进行说明。此外，对以下说明的第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的各构成要素的动作，通过图1的主控制器(控制部)30来进行控制。
首先，当搬入基板W时，防护装置624下降的同时，图1的第六中央机械手CR6或接口用搬送机构IFR将基板W装载到旋转卡盘621上。装载到旋转卡盘621上的基板W，通过旋转卡盘621而被吸附保持。
接着，防护装置624移动到上述排液位置的同时，清洗处理用喷嘴650向基板W的中央部上方移动。然后，旋转轴625进行旋转，随着该旋转，被保持在旋转卡盘621上的基板W也进行旋转。然后，将清洗液从清洗处理用喷嘴650喷到基板W的上表面。由此，进行对基板W的清洗。
此外，在第一清洗/干燥处理单元SD1中，在进行该清洗时，基板W上的抗蚀盖膜的成分溶出到清洗液中。另外，在对基板W的清洗中，使基板W旋转的同时向基板W上供给清洗液。此时，由于存在离心力，所以基板W上的清洗液总是向基板W的周边部移动并飞散。因而，可以防止溶出到清洗液中的抗蚀盖膜的成分残留在基板W上。
此外，例如，也可以通过在基板W上盛满纯水并保持一定时间来使上述抗蚀盖膜的成分溶出。还有，向基板W上的清洗液的供给，也可以通过使用了二流体喷嘴的柔性喷出(ソフトスプレ—)方式来进行。
经过规定时间后，停止供给清洗液，并从清洗处理用喷嘴650喷出冲洗液。由此，冲洗掉基板W上的清洗液。
再经过规定时间后，旋转轴625的旋转速度降低。由此，通过基板W的旋转而被甩掉的冲洗液的量减少，如图6(a)所示，在基板W的整个表面上形成有冲洗液的液层L。此外，也可以使旋转轴625的旋转停止而在基板W的整个表面上形成液层L。
接着，停止供给冲洗液，清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置的同时，干燥处理用喷嘴670移动到基板W的中心部上方。然后，从干燥处理用喷嘴670喷出惰性气体。由此，如图6(b)所示，基板W的中心部的冲洗液移动到基板W的周边部，从而变成仅在基板W的周边部存在液层L的状态。
接着，旋转轴625(参照图5)的转速上升的同时，如图6(c)所示那样，干燥处理用喷嘴670从基板W的中心部上方向周边部上方缓缓移动。由此，对基板W上的液层L作用很大离心力的同时，可以对基板W的整个表面喷射惰性气体，因此，可以可靠地除去基板W上的液层L。其结果是，可以可靠地使基板W干燥。
接着，停止供给惰性气体，并使干燥处理喷嘴670退避到规定的位置的同时，使旋转轴625停止旋转。然后，使防护装置624下降，同时，图1的第六中央机械手CR6或接口用搬送机构IFR将基板W搬出。由此，结束在第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的处理动作。此外，在清洗以及干燥处理中的防护装置624的位置，最好按照处理液的回收或者排出的需要而适当进行变更。
此外，在上述实施方式中，采用了这样的结构：在清洗液的供给以及冲洗液的供给中共用清洗液处理用喷嘴650，以使清洗液以及冲洗液中任一个均能从清洗液处理用喷嘴650供给，但也可以采用分别分开清洗液供给用的喷嘴和冲洗液供给用喷嘴的结构。
另外，在供给冲洗液时，也可以从未图示的防冲洗用喷嘴向基板W的背面供给纯水，以使冲洗液不蔓延到基板W的背面。
另外，在作为清洗基板W的清洗液而使用纯水的情况下，不需要进行冲洗液的供给。
另外，在上述实施方式中，通过旋转干燥方法来对基板W实施干燥处理，但是，也可以通过减压干燥方法、风刀干燥方法等其他的干燥方法来对基板W实施干燥处理。
另外，在上述实施方式中，在形成有冲洗液的液层L的状态下，从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，但在不形成冲洗液的液层L的情况、或者不使用冲洗液的情况下，使基板W旋转而将清洗液的液层一旦甩掉之后，立即从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体而使基板W完全干燥也可。
(4)第一实施方式的效果
(4—1)对曝光处理后的基板干燥处理的效果
如上所述，在本实施方式的基板处理装置500中，接口区15的第二清洗/干燥处理单元SD2中，对曝光处理后的基板W进行干燥处理。由此，能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体落入基板处理装置500内。
另外，通过对曝光处理后的基板W进行干燥处理，而能够防止环境中的尘埃等附着在曝光处理后的基板W上，从而能够防止基板W的污染。
另外，由于能够防止附着有液体的基板W在基板处理装置500内被搬送，从而能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体对基板处理装置500内的环境产生影响。由此，可容易地调整基板处理装置500内的温度和湿度。
另外，由于能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体附着在分度器IR及第一～第六中央机械手CR1～CR6上，所以可防止液体附着在曝光处理前的基板W上。由此，由于能够防止环境中的尘埃等附着在曝光处理前的基板W上，从而能够防止基板W的污染。其结果是，在能够防止曝光处理时的解像功能恶化的同时，能够防止曝光装置16内的污染。
另外，能够确实防止在从第二清洗/干燥处理单元SD2向显影处理部70搬送基板W期间，抗蚀成分或抗蚀盖膜成分溶出到在基板W上残留的清洗液或冲洗液中。由此，能够确实防止抗蚀膜上形成的曝光图案的变形。其结果是，能够确实地防止显影处理时的线宽精度的降低。
上述结果，能够防止基板处理装置500的电气系统的异常等动作不良的同时，能够确实防止基板W的处理不良。
另外，第二清洗/干燥处理单元SD2中，在使基板W转动的同时，从基板W的中心部向边缘部喷射惰性气体，来进行基板W的干燥处理。此时，由于能够确实地除去基板W上的清洗液及冲洗液，因而能够确实防止环境中的尘埃附着在清洗后的基板W上。由此，能够确实防止基板W的污染的同时，能够防止在基板W的表面上产生干燥水斑。
(4-2)对曝光处理后的基板进行清洗处理的效果
在第二清洗/干燥处理单元SD2中，在干燥处理前对基板W进行清洗处理。此时，即使在曝光处理时附着了液体的基板W上附着了环境中的灰尘等，也能够除去该附着物。由此，能够防止基板W的污染。其结果是，能够确实防止基板的处理不良。
(4-3)对抗蚀盖膜进行涂敷处理的效果
在曝光装置16中对基板W进行曝光处理之前，在抗蚀盖膜用处理区13中，在抗蚀膜上形成抗蚀盖膜。此时，即使在曝光装置16中基板W与液体接触，也能够通过抗蚀盖膜防止抗蚀膜与液体接触，从而能够防止抗蚀膜的成分溶出到液体中。
(4-4)对抗蚀盖膜进行除去处理的效果
在显影区12中对基板W进行显影处理之前，在抗蚀盖膜除去区14中进行对抗蚀盖膜的除去处理。此时，由于能够在显影处理前可靠地除去抗蚀盖膜，从而能够可靠地进行显影处理。
(4-5)对曝光处理前的基板进行清洗及干燥处理的效果
在曝光装置16对基板W进行曝光处理前，在第一清洗/干燥处理单元SD1对基板W进行清洗处理。在上述清洗处理时，基板W上的抗蚀盖膜成分的一部分溶出到清洗液或冲洗液中，被冲洗掉。由此，在曝光装置16，基板W即使与液体接触，基板W上的抗蚀盖膜成分也几乎不会溶出到液体中。另外，能够除去曝光处理前的附着在基板W上的尘埃等。其结果是，可以防止曝光装置16内的污染。
另外，在第一清洗/干燥处理单元SD1中，在对基板W的清洗处理之后对基板W进行干燥处理。由此，由于能够除去在清洗处理时附着在基板W上的清洗液或冲洗液，从而能够防止环境中的尘埃等再次附着在清洗处理后的基板W上。其结果是，能够可靠地防止曝光装置16内的污染。
另外，在第一清洗/干燥处理单元SD1中，通过边使基板W旋转边从基板W的中心部向周边部喷射惰性气体，来对基板W进行干燥处理。此时，由于能够确实除去基板W上的清洗液或冲洗液，因此，能够确实防止环境中的尘埃等附着在清洗后的基板W上。由此，在能够确实防止基板W的污染的同时，能够防止在基板W的表面上产生干燥水斑。
(4-6)接口区的效果
在接口区15中，第六中央机械手CR6进行将基板W向边缘曝光部EEW的搬入搬出、将基板W向第一清洗/干燥处理单元SD1的搬入搬出、将基板W向输送缓冲贮存部SBF的搬入搬出、将基板W向装载兼冷却单元P-CP的搬入以及将基板W从基板装载部PASS13的搬出；接口用搬送机构IFR进行将基板W从装载兼冷却单元P-CP的搬出、将基板W向曝光装置16的搬入搬出、将基板W向第二清洗/干燥处理单元SD2的搬入出搬以及将基板W向基板装载部PASS13的搬入。如上所述，通过第六中央机械手CR6以及接口用搬送机构IFR能够高效率地进行基板W的搬送，从而能够提高处理能力。
另外，在接口区15，第一清洗/干燥处理单元SD1及第二清洗/干燥处理单元SD2分别设置在X方向的侧面的附近。上述情形下，不卸下接口区15，也能够从基板处理装置500的侧面容易地进行对第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的维护。
另外，通过第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2，在1个处理区内就能够进行曝光处理前及曝光处理后的基板W的清洗及干燥。因此，能够防止基板处理装置500的占用面积的增加。
(4-7)接口用搬送机构的效果
在接口区15中，当从装载兼冷却单元P-CP向曝光装置16搬送基板W时，以及从第二清洗/干燥处理单元SD2向基板装载部PASS13搬送基板W时，使用接口用搬送机构IFR的手部H1，而当从曝光装置16向第二清洗/干燥处理单元SD2搬送基板时，使用接口用搬送机构IFR的手部H2。
即，在未附着有液体的基板W的搬送中使用手部H1，而在附着有液体的基板W的搬送中使用手部H2。
此时，由于能够防止在曝光处理时附着在基板W上的液体附着在手部H1上，所以能够防止液体附着在曝光处理前的基板W上。另外，由于手部H2设置在手部H1的下方，所以即使液体从手部H2以及由其保持的基板W落下，也可以防止液体附着在手部H1以及由其保持的基板W上。由此，能够可靠地防止液体附着在曝光处理前的基板W上。其结果是，能够可靠地防止曝光处理前的基板W的污染。
(4-8)设置了装载兼冷却单元P-CP的效果
接口区15中，通过设置了装载兼冷却单元P-CP，从而能够削减搬送工序，其中，该装载兼冷却单元P-CP兼有装载由曝光装置16进行曝光处理前的基板W的功能、以及用于使基板W的温度与曝光装置16内的温度一致的冷却功能。在通过要求基板的严格的温度管理的浸液法进行曝光处理上，削减搬送工序很重要。
如上所述，在能够提高处理能力的同时，能够消减搬送的访问位置，因而，能够提高可靠性。
特别是，通过设置两个装载兼冷却单元P-CP，从而能够进一步提高处理能力。
(5)清洗/干燥处理单元的其他例子
在图5所示的清洗/干燥处理单元中，分别单独设置有清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670，但是，如图7所示，也可以一体地设置清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670。这时，由于不需要在对基板W的清洗处理时或者干燥处理时分别单独移动清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670，所以可以使驱动机构简单化。
另外，也可以代替图5所示的干燥处理用喷嘴670，而使用如图8所示的干燥处理用喷嘴770。
图8的干燥处理用喷嘴770具有向铅垂下方延伸的同时从侧面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥处理用喷嘴770的下端以及分支管771、772的下端形成有喷出惰性气体的气体喷出口770a、770b、770c。
如图8的箭头所示那样，从各喷出口770a、770b、770c分别向垂直下方以及斜下方喷出惰性气体。即，在干燥处理用喷嘴770中，以向下方喷射范围扩大的方式喷出惰性气体。
这里，当使用干燥处理用喷嘴770时，第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2通过以下所说明的动作来对基板W进行干燥处理。
图9是用于说明在使用了干燥处理用喷嘴770时的基板W的干燥处理方法的图。
首先，通过在图6(a)中说明的方法，在基板W的表面形成液层L之后，如图9(a)所示，干燥处理用喷嘴770移动到基板W的中心部上方。
然后，从干燥处理用喷嘴770喷出惰性气体。由此，如图9(b)所示，基板W的中心部的冲洗液移动到基板W的周边部，而变成仅在基板W的周边部存在液层L的状态。此外，这时，使干燥处理用喷嘴770预先接近基板W的表面，以使存在于基板W的中心部的冲洗液确实地移动。
接着，旋转轴625(参照图5)的转速上升的同时，如图9(c)所示，干燥处理用喷嘴770向上方移动。由此，对基板W上的液层L作用很大的离心力的同时，在基板W上被喷射有惰性气体的范围扩大。其结果，能够可靠地除去在基板W上的液层L。另外，通过被设置在图5的第二旋转轴672上的旋转轴升降机构(未图示)来使第二旋转轴672上下升降，从而能够使干燥处理用喷嘴770上下移动。
另外，也可以代替干燥处理用喷嘴770，而使用如图10所示的干燥处理用喷嘴870。图10中的干燥处理用喷嘴870具有向下方直径逐渐扩大的喷出口870a。
如图10所示的箭头，从该喷出口870a向垂直下方以及斜下方喷出惰性气体。也就是，即使在干燥处理用喷嘴870，也与图9的干燥处理用喷嘴770相同，以向下方喷射的范围扩大的方式喷出惰性气体。因而，在使用干燥处理用喷嘴870的情况下，也能够通过与使用干燥处理用喷嘴770的情况相同的方法来对基板W进行干燥处理。
另外，也可以代替图5所示的清洗/干燥处理单元，而使用如图11所示的清洗/干燥处理单元。
图11所示的清洗/干燥处理单元与图5所示的清洗/干燥处理单元的不同点为以下的几点。
在图11的清洗/干燥处理单元中，在旋转卡盘621的上方，设置有在中心部具有开口的圆板状的遮断板682。从臂部688的前端附近向铅垂下方设置有支承轴689，并在该支承轴689的下端安装有遮断板682，以使其与由旋转卡盘621保持的基板W的上表面相对置。
在支承轴689的内部插通有与遮断板682的开口相连通的气体供给路径690。在气体供给路径690供给例如氮气。
在臂部688连接有遮断板升降驱动机构697以及遮断板旋转驱动机构698。遮断板升降驱动机构697使遮断板682在接近由旋转卡盘621保持的基板W的上表面的位置和向上方远离旋转卡盘621的位置之间上下移动。
在图11的清洗/干燥处理单元中，对基板W进行干燥处理时，如图12所示，在使遮断板682接近到基板W的状态下，对基板W和遮断板682之间的间隙，从气体供给路径690供给惰性气体。这时，由于从基板W的中心部向周边部能够高效地供给惰性气体，因此能够可靠地除去基板W上的液层L。
(6)使用二流体喷嘴的清洗/干燥处理单元的例子
(6-1)使用二流体喷嘴时的构成及动作
上述实施方式中，对在第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2中使用如图5所示那样的清洗处理用喷嘴650及干燥处理用喷嘴670的情况进行了说明，但是，也可以代替清洗处理用喷嘴650及干燥处理用喷嘴670中的一个或两个，而使用如图13所示的二流体喷嘴。
图13是表示清洗及干燥处理中所使用的二流体喷嘴950的内部结构的一例的纵剖面图。能够从二流体喷嘴950选择性地吐出气体、液体、以及气体与液体的混合流体。
本实施方式的二流体喷嘴950被称为外部混合型。图13所示的外部混合型的二流体喷嘴950由内部主体部311以及外部主体部312构成。内部主体部311由例如石英等构成，而外部主体部312由例如PTFE(聚四氟乙烯)等的氟树脂构成。
沿着内部主体311的中心轴而形成有圆筒状的液体导入部311b。在液体导入部311b上安装有图5的清洗液供给管663。由此，从清洗液供给管663所供给的清洗液或冲洗液被导入到液体导入部311b中。
在内部主体部311的下端形成有与液体导入部311b相连通的液体喷出口311a。内部主体部311被插入到外部主体部312内。此外，内部主体部311以及外部主体部312的上端部被相互接合，而下端没有被接合。
在内部主体部311与外部主体部312之间，形成有圆筒状的气体通过部312b。在外部主体部312的下端形成有与气体通过部312b相连通的气体喷出口312a。在外部主体部312的周壁上，以与气体通过部312b相连通的方式安装有图5的干燥处理用供给管674。由此，从干燥处理用供给管674供给的惰性气体被导入到气体通过部312b。
气体通过部312b，在气体喷出口312a的附近，越是向下方其直径越小。其结果是，惰性气体的流速被加速，从气体喷出口312a喷出。
从液体喷出口311a喷出的清洗液与从气体喷出口312a喷出的惰性气体在二流体喷嘴950的下端附近混合，并生成含有清洗液的微细的液滴的雾状混合流体。
图14是用于说明使用了图13的二流体喷嘴950时的基板W的清洗及干燥处理方法的图。
首先，如图5所示，基板W由旋转卡盘621吸附保持，伴随着旋转轴625的旋转而旋转。此时，旋转轴625的旋转速度例如约为500rpm。
在该状态下，如图14(a)所示，在从二流体喷嘴950向基板W的上表面上吐出由清洗液及惰性气体构成的雾状的混合流体的同时，二流体喷嘴950从基板W的中心部上方向边缘部上方缓缓移动。由此，从二流体喷嘴950向基板W的整个表面上喷射混合流体，来清洗基板W。
接下来，如图14(b)所示，停止供给混合流体，在降低旋转轴625的转动速度的同时，从二流体喷嘴950向基板W上吐出冲洗液。此时，旋转轴625的旋转速度例如约为10rpm。由此，在基板W的整个表面上形成冲洗液的液层L。此外，也可以使旋转轴625的旋转停止来在基板W的整个表面形成液层L。另外，在作为清洗基板W的混合流体中的清洗液而使用纯水的情况下，也可以不供给冲洗液。
形成液层L后，停止冲洗液的供给。接下来，如图14(c)所示，从二流体喷嘴950向基板W上吐出惰性气体。由此，基板W的中心部的清洗液移动到基板W的边缘部，而变成仅在基板W的边缘部存在液层L的状态。
然后，旋转轴625的旋转速度提高。此时，旋转轴625的旋转速度例如约为100rpm。由此，由于基板W上的液层L受到很大的离心力的作用，因此，能够除去基板W上的液层L。其结果是，基板W被干燥。
此外，在除去基板W上的液层L时，二流体喷嘴950也可从基板W的中心部上方向边缘部上方缓缓移动。由此，由于能够向基板W的整个表面喷射惰性气体，因此，能够可靠地除去基板W上的液层L。其结果是，能可靠地干燥基板W。
(6-2)使用了二流体喷嘴时的效果
在图13所示的二流体喷嘴中，从二流体喷嘴950吐出的混合流体含有清洗液的微细的液滴，因此，即使在基板W表面上有凹凸的情况下，也能够通过清洗液的微细的液滴来除去附着在基板W上的污垢。由此，能够可靠地除去基板W表面的污垢。另外，即使在基板W上的膜不易浸湿的情况下，也能够通过清洗液的微细的液滴除去基板W上附着的污垢，因此能够可靠地除去基板W表面的污垢。
因此，特别是，在第一清洗/干燥处理单元SD1上使用二流体喷嘴的情况下，在曝光处理前通过加热单元HP对基板W施加热处理时，抗蚀膜或抗蚀盖膜的溶剂等在加热单元HP内升华，即使其升华物再附着在基板W上的情况下，在第一清洗/干燥处理单元SD1，也能够可靠地除去该附着物。由此，能够确实防止曝光装置16内的污染。
另外，通过调节惰性气体的流量，而能够容易地调节清洗基板W时的清洗能力。由此，在基板W上的有机膜(抗蚀膜或抗蚀盖膜)具有容易破损的性质时，通过减弱清洗能力来防止基板W上的有机膜的破损。另外，基板W表面上的污垢不易除去时，可以通过增强清洗能力而确实地除去基板W表面的污垢。如此，通过根据基板W上的有机膜的特性以及污垢的程度来控制清洗能力，从而能够防止基板W上的有机膜的破损的同时，能够确实地清洗基板W。
另外，在外部混合型的二流体喷嘴950中，通过在二流体喷嘴950的外部将清洗液与惰性气体混合而生成混合流体。在二流体喷嘴950的内部，惰性气体与清洗液各自被区分成不同的流路而流通。由此，在气体通过部312b内不会残留有清洗液，能够使惰性气体单独从二流体喷嘴950喷出。进而，通过从清洗液供给管663供给冲洗液，从而能够使冲洗液单独从二流体喷嘴950吐出。因此，能够选择性地从二流体喷嘴950吐出混合流体、惰性气体及清洗液。
另外，在使用二流体喷嘴950的情况下，不需分别单独设置用于向基板W上供给清洗液或冲洗液的喷嘴、和用于向基板W上供给惰性气体的喷嘴。由此，能够以简单的结构可靠地进行基板W的清洗及干燥。
此外，在上述说明中，通过二流体喷嘴950向基板W供给冲洗液，但是也可以使用单独的喷嘴向基板W供给冲洗液。
另外，在上述说明中，通过二流体喷嘴950向基板W供给惰性气体，但是也可以使用单独的喷嘴向基板W供给惰性气体。
(B)第二实施方式
以下，使用附图对本发明的第二实施方式的基板处理装置进行说明。
图15是本发明的第二实施方式的基板处理装置501的俯视图。图15的基板处理装置501与图1的基板处理装置500不同点在于，代替接口区15而使用接口区15a。以下，使用附图对接口区15a进行详细地说明。
(1)接口区的构成
图16是从+Y方向观察到的接口区15a的概略侧视图。如图16所示，接口区15a的—X侧的侧面部，上下层叠设置有输送缓冲贮存部SBF以及返回缓冲贮存部RBF。另外，在接口区15a内，在+X侧的上部，设置有边缘曝光部EEW。
在边缘曝光部EEW的下方，在接口区15a内的大致中央部，上下层叠设置有两个第一清洗/干燥处理单元SD1、2个装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13。在边缘曝光部EEW的下方，在接口区15a内的+X侧，上下层叠设置有3个第二清洗/干燥处理单元SD2。
另外，在接口区15a内的下部，设置有第六中央机械手CR6以及接口用搬送机构IFR。第六中央机械手CR6，以可在输送缓冲贮存部SBF及返回缓冲贮存部RBF、边缘曝光部EEW、第一清洗/干燥处理单元SD1、装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13之间上下移动且转动的方式而被设置。接口用搬送机构IFR，以可在第一清洗/干燥处理单元SD1、装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13与第二清洗/干燥处理单元SD2之间上下移动且转动的方式而被设置。
(2)接口区的动作
下面，对接口区15a的动作进行详细地说明。
与第一实施方式同样，被装载到基板装载部PASS11(图15)上的基板W，由接口区15a的第六中央机械手CR6接受。第六中央机械手CR6将该基板W搬入到边缘曝光部EEW(图16)。
接着，第六中央机械手CR6从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理结束的基板W，并将该基板W搬入到第一清洗/干燥处理单元SD1的任一个中。在第一清洗/干燥处理单元SD1，如上所述，对曝光处理前的基板W进行清洗以及干燥处理。
接下来，第六中央机械手CR6从第一清洗/干燥处理单元SD1取出清洗及干燥处理结束的基板W，将上述基板W搬送至输送缓冲贮存部SBF。
接下来，第六中央机械手CR6取出在输送缓冲贮存部SBF中收容保管的基板W，将该基板W搬入到装载兼冷却单元P—CP。
此外，如上所述，在曝光装置16具有充分的处理速度的情况下，也可不在输送缓冲贮存部SBF容纳保管基板W，而从第一清洗/干燥处理单元SD1向装载兼冷却单元P—CP搬送基板W。
接下来，在装载兼冷却单元P—CP被维持在上述规定温度的基板W，由接口用搬送机构IFR的上侧的手部H1(图16)接受，被搬入到曝光装置16内的基板搬入部16a(图15)。
在曝光装置16中实施了曝光处理基板W，通过接口用搬送机构IFR的下侧的手部H2(图16)从基板搬出部16b(图15)被搬出。接口用搬送机构IFR，通过手部H2，将上述基板W搬入到第二清洗/干燥处理单元SD2中的任一个。在第二清洗/干燥处理单元SD2中，如上述那样对曝光处理后的基板W进行清洗以及干燥处理。
在第二清洗/干燥处理单元SD2中实施了清洗以及干燥处理的基板W，由接口用搬送机构IFR的手部H1(图16)取出。接口用搬送机构IFR通过手部H1将上述基板W装载到基板装载部PASS13上。
被装载到基板装载部PASS13上的基板W，由第六中央机械手CR6接受。第六中央机械手CR6将该基板W搬送到抗蚀盖膜除去区14(图15)的曝光后烘干用热处理部141上。
此外，如上所述，因除去单元REM(图2)的故障等，导致抗蚀盖膜除去区14暂时不能接受基板W时，能够在返回缓冲贮存部RBF暂时容纳保管曝光处理后的基板W。
在这里，本实施方式中，第六中央机械手CR6在基板装载部PASS11(图15)、边缘曝光部EEW、第一清洗/干燥处理单元SD1、输送缓冲贮存部SBF、装载兼冷却单元P—CP、基板装载部PASS13及曝光后烘干用热处理器141之间搬送基板W，但是，上述一连串的动作能够在短时间(例如，24秒)内进行。
另外，接口用搬送机构IFR在装载兼冷却单元P—CP、曝光装置16、第二清洗/干燥处理单元SD2及基板装载部PASS13之间搬送基板W，上述一连串的动作能够在短时间(例如，24秒)内进行。
上述结果是，能够确实提高处理能力。
(3)第二实施方式中的效果
如上所述，在本实施方式的基板处理装置501中，通过在接口区15a内的中央部配置第一清洗/干燥处理单元SD1，从而能够使接口区15a小型化。由此，能够使基板处理装置501的占用面积降低。
(C)其它实施方式
抗蚀盖膜用处理区13也可以不设置。该情况下，在第一清洗/干燥处理单元SD1中进行清洗处理时，抗蚀膜的成分的一部分溶出到清洗液中。由此，即使在曝光装置16中抗蚀膜与液体接触，也能够防止抗蚀膜的成分溶出到液体中。其结果是，能够防止曝光装置16内的污染。
另外，在没有设置抗蚀盖膜用处理区13的情况下，也可以不设置抗蚀盖膜除去区14。由此，能够降低基板处理装置500的占用面积。此外，在没有设置抗蚀盖膜用处理区13以及抗蚀盖膜除去区14的情况下，在显影处理区12的显影用热处理部121进行基板W的曝光后烘干。
另外，第一清洗/干燥处理单元SD1、第二清洗/干燥处理单元SD2、涂敷单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、加热单元HP、冷却单元CP及装载兼冷却单元P-CP的个数也可根据各处理区的处理速度进行适宜地变更。例如，在设置两个边缘曝光部EEW的情况下，可以将第二清洗/干燥处理单元SD2的个数设为2个。
(D)技术方案中的各构成要素与实施方式中的各要素的对应
以下，对技术方案中的各构成要素与实施方式中的各要素的对应的例子进行说明，但是，本发明并不限于下述例子。
在上述实施方式中，反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀盖膜用处理区13以及抗蚀盖膜除去区14相当于处理部；接口区15相当于交接部；第六中央机械手CR6相当于第一搬送单元；接口用搬送机构IFR相当于第二搬送单元；第一清洗/干燥处理单元SD1相当于清洗处理单元；第二清洗/干燥处理单元SD2相当于干燥处理单元；装载兼冷却单元P-CP及基板装载板PASS13相当于装载部；装载兼冷却单元P-CP相当于温度管理待机单元；Y方向相当于第一方向；X方向相当于第二方向；手部H1相当于第一保持部；手部H2相当于第二保持部。
作为技术方案的各构成要素，也可使用具有技术方案中记载的结构或功能的其它的各种要素。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，其特征在于，具有：
处理部，其用于对基板进行处理；
交接部，其用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接，
上述交接部包括：
第一以及第二搬送单元，其用于搬送基板；
清洗处理单元，其在通过上述曝光装置进行曝光处理前对基板进行清洗处理；
干燥处理单元，其在通过上述曝光装置进行曝光处理后对基板进行干燥处理；
装载部，其用于暂时装载基板，
上述第一搬送单元在上述处理部、上述清洗处理单元以及上述装载部之间搬送基板；
上述第二搬送单元在上述装载部、上述曝光装置以及上述干燥处理单元之间搬送基板。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述清洗处理单元在基板的清洗处理后对基板进行干燥处理。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述干燥处理单元在基板的干燥处理前对基板进行清洗处理。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述装载部包括温度管理待机单元，该温度管理待机单元将由上述曝光装置进行曝光处理前的基板维持在规定温度的同时，使基板待机直到能向上述曝光装置进行搬入为止。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部、上述交接部以及上述曝光装置在第一方向上并排设置，
上述交接部在水平面内与第一方向垂直的第二方向上至少具有1个侧面；
上述干燥处理单元，在上述交接部内被配置在上述1个侧面一侧。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
上述交接部在上述第二方向上具有与上述1个侧面相对置的另一侧面，
上述清洗处理单元在上述交接部内被配置在上述另一侧面侧。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
上述装载部被配置在上述交接部内的上述第二方向上的大致中央部，
上述第一搬送单元被配置在上述清洗处理单元和上述装载部之间，
上述第二搬送单元被配置在上述装载部和上述干燥处理单元之间。
8.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
上述交接部在上述第二方向上具有与上述1个侧面相对置的另一侧面，
上述第一搬送单元在上述交接部内被配置在上述另一侧面侧，
上述清洗处理单元以及上述装载部被层叠配置在上述交接部内的上述第二方向上的大致中央部，
上述第二搬送单元被配置在上述清洗处理单元以及上述装载部、和上述干燥处理单元之间。
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二搬送单元包括保持基板的第一以及第二保持部，
在搬送由上述曝光装置进行曝光处理前以及由上述干燥处理单元进行干燥处理后的基板时，由上述第一保持部保持基板，
在从上述曝光装置向上述干燥处理单元搬送上述曝光处理后的基板时，由上述第二保持部保持基板。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二保持部被设置在上述第一保持部的下方。
11.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述交接部还包括对基板的边缘部进行曝光的边缘曝光部，
上述第一搬送单元在上述处理部、上述边缘曝光部、上述清洗处理单元以及上述装载部之间搬送基板。
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