JP5830140B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
図8は第1の搬送機構60Aを露光ブロックS4に対するウエハWの搬送すなわち露光ブロックS4に対するウエハWの搬入及び搬出専用にした場合である。この第1実施形態においては、処理ブロックS2の塗布処理部で処理された塗布後のウエハWが第1の載置部TRS−COTに搬入されて載置されると、第2の搬送機構60Bが、第1の載置部TRS−COTからウエハWを受け取ってバッファ部BFに搬送し(S−1)、バッファ部BFから受け取ったウエハWを冷却部ICPLに搬送する(S−2)。冷却部ICPLによって所定の温度に冷却されたウエハWは、第1の搬送機構60Aによって受け取られて露光ブロックS4の受渡し台(EIF−IN)に搬送される(S−3)。露光ブロックS4の露光装置によって露光処理されたウエハWは、第1の搬送機構60Aによって露光ブロックS4の受渡し台(EIF−OUT)から受け取られて第2の載置部TRS−DEVに搬送される(S−4)。第2の載置部TRS−DEVに搬送されたウエハWは処理ブロックS2の搬送機構A1によって第1のブロック(DEV層)B1にて現像処理が施される。
図9は第2の搬送機構60Bを露光ブロックS4に対するウエハWの搬送すなわち露光ブロックS4に対するウエハWの搬入及び搬出専用にした場合である。この第2実施形態においては、処理ブロックS2の塗布処理部で処理された塗布後のウエハWが第1の載置部TRS−COTに搬入されて載置されると、第1の搬送機構60Aが、第1の載置部TRS−COTからウエハWを受け取ってバッファ部BFに搬送し(S−1)、バッファ部BFから受け取ったウエハWを冷却部ICPLに搬送する(S−2)。冷却部ICPLによって所定の温度に冷却されたウエハWは、第2の搬送機構60Bによって受け取られて露光ブロックS4の受渡し台(EIF−IN)に搬送される(S−3)。露光ブロックS4の露光装置によって露光処理されたウエハWは、第2の搬送機構60Bによって露光ブロックS4の受渡し台(EIF−OUT)から受け取られて第2の載置部TRS−DEVに搬送される(S−4)。第2の載置部TRS−DEVに搬送されたウエハWは処理ブロックS2の搬送機構A1によって第1のブロック(DEV層)B1にて現像処理が施される。
図10は露光ブロックS4の受渡し台が露光ブロックS4の左右に配置される場合に対応したウエハWの搬送工程を示す。この第3実施形態においては、処理ブロックS2の塗布処理部で処理された塗布後のウエハWが第1の載置部TRS−COTに搬入されて載置されると、第2の搬送機構60Bが、第1の載置部TRS−COTからウエハWを受け取ってバッファ部BFに搬送する(S−1)。次に、第1の搬送機構60Aがバッファ部BFから受け取ったウエハWを冷却部ICPLに搬送する(S−2)。冷却部ICPLによって所定の温度に冷却されたウエハWは、第1の搬送機構60Aによって受け取られて露光ブロックS4の受渡し台(EIF−IN)に搬送される(S−3)。露光ブロックS4の露光装置によって露光処理されたウエハWは、第2の搬送機構60Bによって露光ブロックS4の受渡し台(EIF−OUT)から受け取られて第2の載置部TRS−DEVに搬送される(S−4)。第2の載置部TRS−DEVに搬送されたウエハWは処理ブロックS2の搬送機構A1によって第1のブロック(DEV層)B1にて現像処理が施される。
図11はこの発明に係る基板処理装置の第4実施形態におけるインターフェイスブロックS3Aの概略平面図、図12は第4実施形態におけるインターフェイスブロックS3Aの概略断面図を示す。
図14はこの発明に係る第5実施形態の基板処理装置を塗布・現像処理装置に適用した概略平面図、図15は第5実施形態におけるインターフェイスブロックを示す概略断面図である。
上記第1〜第4実施形態においては、インターフェイスブロックS3,S3Aに配置される棚ユニットU6,UAと露光ブロックS4に対してウエハWの受け渡しを行う場合について説明したが、第1〜第4実施形態においても、インターフェイスブロックS3,S3A内に例えば、周辺露光部や露光前洗浄部及び露光後洗浄部を積層する処理棚ユニットを配置して、基板搬送機構によってこれら周辺露光部や露光前洗浄部及び露光後洗浄部に対してウエハを受け渡しすることも可能である。
S3,S3A,S3B インターフェイスブロック
U6,UC 棚ユニット
UA 上側棚ユニット
UB 下側棚ユニット
TRS−COT 第1の載置部
TRS−DEV 第2の載置部
BF バッファ部
BFA 第1バッファ部
BFB 第2バッファ部
TRS ウエハ受渡し部(基板受渡し部)
TRSA 第1のウエハ受渡し部(第1の基板受渡し部)
TRSB 第2のウエハ受渡し部(第2の基板受渡し部)
ICPL 冷却部(ウエハ冷却部,基板冷却部)
WEE 周辺露光部
SRS 露光前洗浄部
PIR 露光後洗浄部
60A,60C 第1の搬送機構(第1の基板搬送機構)
60B,60D 第2の搬送機構(第2の基板搬送機構)
60E 第3の搬送機構(第3の基板搬送機構)
80A 第1の処理棚ユニット
80B 第2の処理棚ユニット
90A 第1の上部搬送機構(第1の上部基板搬送機構)
90B 第1の下部搬送機構(第1の下部基板搬送機構)
90C 第2の上部搬送機構(第2の上部基板搬送機構)
90D 第2の下部搬送機構(第2の下部基板搬送機構)
Claims (3)
- 積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックと、上記処理ブロックに連設されて処理ブロックと上記露光ブロックを接続するインターフェイスブロックと、を備える基板処理装置であって、
上記インターフェイスブロックは、
基板を待機させるバッファ部を積層する棚ユニットと、
上記棚ユニットを挟んだ両側に配設され、それぞれが上記棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能であって、一方が上記露光ブロックに対して基板の受け渡しが可能に形成される第1の基板搬送機構及び第2の基板搬送機構と、を具備し、
上記第1及び第2の基板搬送機構の一方の基板搬送機構によって、塗布後の基板を、上記バッファ部へ搬送し、他方の基板搬送機構によって上記基板を上記バッファ部から受け取って上記露光ブロックへ搬送し、上記一方の基板搬送機構によって、上記基板を上記露光ブロックから受け取るように形成される、ことを特徴とする基板処理装置。 - 積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックと、上記処理ブロックに連設されて処理ブロックと上記露光ブロックを接続するインターフェイスブロックと、を備える基板処理装置であって、
上記インターフェイスブロックは、
基板を待機させる第1,第2のバッファ部及び基板受渡し部を積層する棚ユニットと、
上記棚ユニットを挟んだ両側の一方に配設され、基板の周縁の不要な塗布膜を露光により除去する周辺露光部と露光前の基板を洗浄する露光前洗浄部を積層する第1の処理棚ユニットと、
上記棚ユニットを挟んだ両側の他方に配設され、露光後の基板を洗浄する複数の露光後洗浄部を積層する第2の処理棚ユニットと、
上記棚ユニットと上記第1の処理棚ユニットの間における鉛直線上に配設され、それぞれ上記棚ユニット及び上記第1の処理棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第1の上部基板搬送機構及び第1の下部基板搬送機構と、
上記棚ユニットと上記第2の処理棚ユニットの間における鉛直線上に配設され、それぞれ上記棚ユニット及び上記第2の処理棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第2の上部基板搬送機構及び第2の下部基板搬送機構と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2記載の基板処理装置において、
上記第1の上部基板搬送機構、上記第1の下部基板搬送機構、上記第2の上部基板搬送機構及び上記第2の下部基板搬送機構が搬送工程を前後に分担して、塗布後の基板を、上記第1バッファ部、上記周辺露光部、上記第2バッファ部、上記露光前洗浄部、上記露光ブロックへと順に搬送し、上記露光ブロックから受け取った基板を、上記露光後洗浄部へと搬送するように形成される、ことを特徴とする基板処理装置。
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