JP2014212344A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】装置の小型化及びスループットの向上が図れ、かつ異なる露光装置の基板受渡し部の配置に対応可能にすること。【解決手段】積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックＳ４と、処理ブロックに連設されて処理ブロックと上記露光ブロックを接続するインターフェイスブロックＳ３と、を備える基板処理装置において、インターフェイスブロックは、基板を待機させるバッファ部ＢＦを積層する棚ユニットＵ６と、棚ユニットを挟んだ両側に配設され、それぞれが棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能であって、一方が露光ブロックに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の基板搬送機構６０Ａ及び第２の基板搬送機構６０Ｂと、を具備する。【選択図】 図５

Description

この発明は、積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックと、処理ブロックと露光ブロックを接続するインターフェイスブロックと、を備える基板処理装置に関するものである。

一般に、半導体製造工程においては、例えば半導体ウエハ等の基板の上にフォトレジストを塗布し、レジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、現像処理することにより回路パターンを形成するフォトリソグラフィー工程が行われる。このフォトリソグラフィー工程には、通常、塗布・現像処理装置に露光装置を接続した基板処理装置が用いられる。

従来のこの種の基板処理装置として、塗布・現像処理部を具備する処理ブロックと露光処理部を具備する露光ブロックとの間で基板を搬送するインターフェイスブロックに、塗布後の基板と露光後の基板が待機するバッファ部と、露光ブロックに搬入出される基板を収容する基板収容部と、基板を搬送する基板搬送ロボットが備えられている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載のものには、インターフェイスブロックの処理ブロック側に第１の基板搬送ロボットが配置され、露光ブロック側には第２の基板搬送ロボットが配置されており、第１の基板搬送ロボットによって塗布後の基板を第１バッファ部と第１基板収容部に搬送し、第２の基板搬送ロボットによって基板を露光ブロックに搬入し、露光後の基板を第２バッファ部に搬送し、第１の基板搬送ロボットによって第２バッファ部から受け取った露光後の基板を処理ブロックに搬送する技術が記載されている。

特開２００９−１５８９２５号公報（段落００３３、図４）

しかしながら、特許文献１に記載の技術においては、基板搬送ロボットが処理ブロック側と露光ブロック側に配置されるため、基板搬送ロボットの占めるスペースが広くなり装置の大型化を招く懸念がある。また、第１の基板搬送ロボットは、塗布後の基板のインターフェイスブロック内への搬送と露光後の基板の処理ブロックへの搬送を担うため、多数の基板を連続して処理する場合にはスループットの低下をきたす懸念がある。

また、露光ブロックを構成する露光装置においては、露光処理の関係で基板の受渡し部の配置が一定でない場合があり、露光ブロックに対して基板を受け渡す基板搬送ロボットを露光ブロック側に配置させると、基板の受け渡し部の配置に対応できない虞がある。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、装置の小型化及びスループットの向上が図れ、かつ異なる露光装置の基板受渡し部の配置に対応可能な基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、この発明の第１の基板処理装置は、積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックと、上記処理ブロックに連設されて処理ブロックと上記露光ブロックを接続するインターフェイスブロックと、を備える基板処理装置を前提とし、上記インターフェイスブロックは、基板を待機させるバッファ部を積層する棚ユニットと、上記棚ユニットを挟んだ両側に配設され、それぞれが上記棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能であって、一方が上記露光ブロックに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の基板搬送機構及び第２の基板搬送機構と、を具備し、上記第１及び第２の基板搬送機構の一方の基板搬送機構によって、塗布後の基板を、上記バッファ部へ搬送し、他方の基板搬送機構によって上記基板を上記バッファ部から受け取って上記露光ブロックへ搬送し、上記一方の基板搬送機構によって、上記基板を上記露光ブロックから受け取るように形成される、ことを特徴とする（請求項１）。

また、この発明の第２の基板処理装置は、第１の基板処理装置と同様に、積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックと、上記処理ブロックに連設されて処理ブロックと上記露光ブロックを接続するインターフェイスブロックと、を備える基板処理装置を前提とし、上記インターフェイスブロックは、基板を待機させるバッファ部及び第１の基板受渡し部を積層する上側棚ユニットと、第２の基板受渡し部を積層する下側棚ユニットと、上記上側棚ユニット及び下側棚ユニットを挟んだ両側の一方に配設され、上記上側棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の基板搬送機構と、上記上側棚ユニット及び下側棚ユニットを挟んだ両側の他方に配設され、上記下側棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第２の基板搬送機構と、上記下側棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成されると共に、上記露光ブロックに対して基板の搬送及び受け取りが可能に形成される第３の基板搬送機構と、を具備することを特徴とする（請求項２）。

請求項２記載の基板処理装置において、上記第１の基板搬送機構、第２の基板搬送機構及び第３の基板搬送機構が搬送工程を前後に分担して、塗布後の基板を、上記バッファ部、上記第２の基板受渡し部、上記露光ブロックへ搬送し、上記露光ブロックから受け取った基板を、上記第１の基板受渡し部へ搬送するように形成するのが好ましい（請求項３）。

また、この発明の第３の基板処理装置は、第１及び第２の基板処理装置と同様に、積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックと、上記処理ブロックに連設されて処理ブロックと上記露光ブロックを接続するインターフェイスブロックと、を備える基板処理装置を前提とし、上記インターフェイスブロックは、基板を待機させる第１，第２のバッファ部及び基板受渡し部を積層する棚ユニットと、上記棚ユニットを挟んだ両側の一方に配設され、基板の周縁の不要な塗布膜を露光により除去する周辺露光部と露光前の基板を洗浄する露光前洗浄部を積層する第１の処理棚ユニットと、上記棚ユニットを挟んだ両側の他方に配設され、露光後の基板を洗浄する複数の露光後洗浄部を積層する第２の処理棚ユニットと、上記棚ユニットと上記第１の処理棚ユニットの間における鉛直線上に配設され、それぞれ上記棚ユニット及び上記第１の処理棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の上部基板搬送機構及び第１の下部基板搬送機構と、上記棚ユニットと上記第２の処理棚ユニットの間における鉛直線上に配設され、それぞれ上記棚ユニット及び上記第２の処理棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第２の上部基板搬送機構及び第２の下部基板搬送機構と、を具備することを特徴とする（請求項４）。

請求項４記載の基板処理装置において、上記第１の上部基板搬送機構、上記第１の下部基板搬送機構、上記第２の上部基板搬送機構及び上記第２の下部基板搬送機構が搬送工程を前後に分担して、塗布後の基板を、上記第１バッファ部、上記周辺露光部、上記第２バッファ部、上記露光前洗浄部、上記露光ブロックへと順に搬送し、上記露光ブロックから受け取った基板を、上記露光後洗浄部へと搬送するように形成するのが好ましい（請求項５）。

請求項１に記載の発明によれば、インターフェイスブロックは、基板を待機させるバッファ部を積層する棚ユニットと、棚ユニットを挟んだ両側に配設され、それぞれが棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能であって、一方が露光ブロックに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の基板搬送機構及び第２の基板搬送機構とを具備することにより、インターフェイスブロック内に配置される棚ユニット及び基板搬送機構の占有スペースを小さくすることができる。また、棚ユニットを挟んだ両側に第１の基板搬送機構と第２の基板搬送機構を配置することにより、露光ブロックにおける基板受渡し部の配置位置に対応させて基板の受け渡しが可能となる。

また、上記第１及び第２の基板搬送機構の一方の基板搬送機構によって、塗布後の基板を、上記バッファ部へ搬送し、他方の基板搬送機構によって上記基板を上記バッファ部から受け取って上記露光ブロックへ搬送し、上記一方の基板搬送機構によって、上記基板を上記露光ブロックから受け取ることにより、基板の搬送を効率よく行うことができる。

請求項２，３に記載の発明によれば、基板を待機させるバッファ部及び第１の基板受渡し部を積層する上側棚ユニットと、第２の基板受渡し部を積層する下側棚ユニットと、上側棚ユニット及び下側棚ユニットを挟んだ両側の一方に配設され、上側棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の基板搬送機構と、上側棚ユニット及び下側棚ユニットを挟んだ両側の他方に配設され、下側棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第２の基板搬送機構と、下側棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成されると共に、露光ブロックに対して基板の搬送及び受け取りが可能に形成される第３の基板搬送機構と、を具備することにより、インターフェイスブロック内に配置される上側棚ユニット、下側棚ユニット及び第１ないし第３の基板搬送機構の占有スペースを小さくすることができる。また、上側棚ユニット及び下側棚ユニットを挟んだ両側に第１ないし第３の基板搬送機構を配置することにより、露光ブロックにおける基板受渡し部の配置位置に対応させて基板の受け渡しが可能となる。

また、第１の基板搬送機構、第２の基板搬送機構及び第３の基板搬送機構が搬送工程を前後に分担して、上記バッファ部、上記第２の基板受渡し部、上記露光ブロックへ搬送し、上記露光ブロックから受け取った基板を、上記第１の基板受渡し部へ搬送することにより、基板の搬送を効率よく行うことができる。

請求項４，５に記載の発明によれば、インターフェイスブロックは、基板を待機させる第１，第２のバッファ部及び基板受渡し部を積層する棚ユニットと、棚ユニットを挟んだ両側の一方に配設され、基板の周縁の不要な塗布膜を露光により除去する周辺露光部と露光前の基板を洗浄する露光前洗浄部を積層する第１の処理棚ユニットと、棚ユニットを挟んだ両側の他方に配設され、露光後の基板を洗浄する複数の露光後洗浄部を積層する第２の処理棚ユニットと、棚ユニットと第１の処理棚ユニットの間における鉛直線上に配設され、それぞれ棚ユニット及び第１の処理棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の上部基板搬送機構及び第１の下部基板搬送機構と、棚ユニットと第２の処理棚ユニットの間における鉛直線上に配設され、それぞれ棚ユニット及び第２の処理棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第２の基板搬送機構及び第２の下部基板搬送機構と、を具備することにより、インターフェイスブロック内に配置される棚ユニット及び基板搬送機構の占有スペースを小さくすることができる。また、棚ユニットを挟んだ両側に第１の上部及び下部基板搬送機構と第２の上部及び下部基板搬送機構を配置することにより、露光ブロックにおける基板受渡し部の配置位置に対応させて基板の受け渡しが可能となる。

また、請求項４，５に記載の発明によれば、インターフェイスブロック内に周辺露光部、露光前洗浄部及び露光後洗浄部を配置し、第１の上部及び下部基板搬送機構と第２の上部及び下部基板搬送機構によって基板の搬送を分担することにより、特に液浸露光の処理効率を高めることができる。また、第１の上部及び下部基板搬送機構と第２の上部及び下部基板搬送機構のいずれかが故障した場合には、他の基板搬送機構を代行させて処理を続行させることができる。

この発明の基板処理装置によれば、装置の小型化が図れると共に、スループットの向上が図れる。また、異なる露光装置の基板受渡し部の配置に対応可能な基板処理装置を提供することができる。

この発明に係る基板処理装置の一例を示す概略平面図である。 上記基板処理装置を示す概略斜視図である。 上記基板処理装置を示す概略縦断面図である。 この発明におけるインターフェイスブロックを示す概略平面図である。 上記インターフェイスブロックを示す概略縦断面図である。 この発明における基板搬送機構を示す概略側面図である。 この発明における基板の搬送工程を示すフローチャートである。 この発明に係る第１実施形態における基板の搬送工程を示すフローチャートである。 この発明に係る第２実施形態における基板の搬送工程を示すフローチャートである。 この発明に係る第３実施形態における基板の搬送工程を示すフローチャートである。 この発明に係る第４実施形態におけるインターフェイスブロックを示す概略平面図である。 上記第４実施形態におけるインターフェイスブロックを示す概略縦断面図である。 上記第４実施形態における基板の搬送工程を示すフローチャートである。 この発明に係る第５実施形態の基板処理装置を示す概略平面図である。 上記第５実施形態におけるインターフェイスブロックを示す概略断面図である。 上記第５実施形態における基板の搬送工程を示すフローチャートである。

以下に、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて詳細に説明する。まず、この発明に係る基板処理装置が適用される塗布・現像処理装置の構成について説明する。

上記塗布・現像処理装置１には、図１に示すように、キャリアブロックＳ１から露光ブロックＳ４まで順に、キャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２、インターフェイスブロックＳ３、露光ブロックＳ４が連結されている。

キャリアブロックＳ１では、搬送機構Ｂが、載置台１０上に載置された密閉型のキャリア１１から搬送アーム２０によりウエハＷを取り出して、キャリアブロックＳ１に隣接された処理ブロックＳ２に受け渡す。また、搬送機構Ｂは、処理ブロックＳ２にて処理された後のウエハＷを受け取ってキャリア１１に戻すように構成されている。

処理ブロックＳ２は、図２に示すように、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第１のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ１、レジスト液の塗布処理を行うための第２のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ２、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第３のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ３、現像処理を行うための第４，第５のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ４，Ｂ５を下から順に積層して構成されている。

上記第１のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ１と第３のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ３とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布部を３つ含んだ液処理モジュール３０と、この液処理モジュール３０にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却処理モジュール４０と、液処理モジュール３０と、加熱・冷却処理モジュール４０との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行なう基板搬送手段である搬送機構Ａ１，Ａ３とを備えている（図３参照）。

第２のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ２においては、上記薬液がレジスト液であり、疎水化処理ユニットが組み込まれることを除けば同様の構成である。一方、第４，第５の処理ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ４，Ｂ５については、各ＤＥＶ層Ｂ４，Ｂ５内に現像ユニットが配設されている。そしてＤＥＶ層Ｂ４，Ｂ５内には、これら現像ユニットにウエハＷを搬送するための搬送機構Ａ４，Ａ５が設けられている（図３参照）。また、処理ブロックＳ２における搬送機構Ａ１〜Ａ５の搬送路に関して第１〜第５のブロックＢ１〜Ｂ５と対向する部位には、各々加熱・冷却処理モジュール４０を積層する棚ユニットＵ１〜Ｕ４が設けられている。更に処理ブロックＳ２には、図１及び図３に示すように、棚ユニットＵ５が設けられ、この棚ユニットＵ５の各部同士の間では、棚ユニットＵ５の近傍に設けられた昇降自在な搬送機構ＥによってウエハＷが搬送される。

なお、棚ユニットＵ５には、図３に示すように、下から順に受渡しユニットＴＣＰ１，ＴＲＳ３，ＣＰＬ１１，ＣＰＬ２，ＢＦ２，ＣＰＬ３，ＢＦ３，受渡しユニットＣＰＬ４，ＴＲＳ４が積層されている。

一方、ＣＯＴ層Ｂ２の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受渡しユニットＣＰＬ１１から後述する棚ユニットＵ６に設けられた塗布後のウエハＷを載置する第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴにウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＦが設けられている（図３参照）。レジスト膜や更に反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送機構Ｅにより受渡しユニットＢＦ２やＴＲＳ３を介して受渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＦにより棚ユニットＵ６の第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴに直接搬送され、インターフェイスブロックＳ３に取り込まれることになる。

インターフェイスブロックＳ３の中央部には、レジスト液の塗布後のウエハＷを載置する第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴ、現像前のウエハＷを載置する第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶ、ウエハＷを待機させるバッファ部ＢＦＡ，ＢＦＢ、複数例えば４段のウエハ冷却部ＩＣＰＬ（以下に冷却部ＩＣＰＬという）及び複数例えば２段のウエハ受渡し部ＴＲＳを積層する棚ユニットＵ６が配置されている。なお、冷却部ＩＣＰＬにおいて、露光装置のオーバーレイ精度に影響を与えないようにするために、ウエハＷは所定の温度例えば２３℃に冷却される。なお、図では複数のバッファ部ＢＦＡ，ＢＦＢを示すが、バッファ部は一つであってもよい。

また、棚ユニットＵ６を挟んだ、装置の正面及び裏面方向（Ｘ方向）の両側には第１の基板搬送機構６０Ａ（以下に第１の搬送機構６０Ａという）と第２の基板搬送機構６０Ｂ（以下に第２の搬送機構６０Ｂという）が対向して配設されている。ここでは、第１の搬送機構Ａは装置の正面側（図５における左側）に配設され、第２の搬送機構６０Ｂは装置の裏面側（図５における右側）に配設されている。これら第１の搬送機構６０Ａと第２の搬送機構６０Ｂは、それぞれが棚ユニットＵ６に対してウエハＷの受け渡しが可能であって、一方例えば第１の搬送機構６０Ａが露光ブロックＳ４に設けられた基板受渡し部である受渡し台（図示せず）に対してウエハＷの受け渡しが可能に形成されている。なお、インターフェイスブロックＳにおける棚ユニットＵと第１の搬送機構６０Ａ及び第２の搬送機構６０Ｂの天井部にはフィルタユニットＦＦＵが設置されており、フィルタユニットＦＦＵにより清浄化された空気がインターフェイスブロックＳ内にダウンフローによって供給されるようになっている。

第１の搬送機構６０Ａと第２の搬送機構６０Ｂは、それぞれ同様に構成されており、インターフェイスブロックＳ３と処理ブロックＳ２の仕切壁５０側に設けられている（図１，図４及び図５参照）。次に、これら第１の搬送機構６０Ａと第２の搬送機構６０Ｂの構造について、第１の搬送機構６０Ａを代表して説明する。

第１の搬送機構６０Ａは、図６に示すように、インターフェイスブロックＳ３と処理ブロックＳ２の仕切壁５０側に配置された左右一対の鉛直ガイドレール６１に摺動自在に装着される昇降台６２と、昇降台６２の上部に水平回動部６３を介して装着されるベース部６４と、ベース部６４上に水平の直線方向に移動自在に設けられるフォーク状のアーム６５と、昇降台６２を昇降させる昇降駆動機構６６と、を具備している。この場合、昇降駆動機構６６は、駆動モータ６６ａによって駆動される駆動プーリ６６ｂと、従動プーリ６６ｃと、駆動プーリ６６ｂと従動プーリ６６ｃに掛け渡されるタイミングベルト６６ｄを具備し、タイミングベルト６６ｄに取り付けられるブラケット６６ｅを介して昇降台６２が連結されている。なお、昇降駆動機構６６をボールねじ機構にて形成してもよい。

上記のように構成される第１の搬送機構６０Ａにおける各駆動部すなわち駆動モータ６６ａ、水平回動部６３及びアーム６５の駆動部は、図１に示す外部の制御部１１０により制御されており、制御部１１０からの信号により駆動される。

外部の制御部１１０は制御コンピュータ１００に内蔵されており、制御コンピュータ１００は、制御コンピュータ１００に制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体が備えられており、制御プログラムに基づいて上記各部に制御信号を出力するように構成されている。また、制御プログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリカードなどの記憶媒体に格納され、これら記憶媒体から制御コンピュータ１００にインストールされて使用される。

上記のように構成される第１及び第２の搬送機構６０Ａ，６０Ｂは、鉛直方向（Ｚ方向）、水平の直交方向（Ｘ，Ｙ方向）及び水平回転方向（θ方向）に移動及び回動自在に形成される。したがって、第１及び第２の搬送機構６０Ａ，６０Ｂは、棚ユニットＵ６の各層の第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴ、第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶ、バッファ部ＢＦＡ，ＢＦＢ（以下に、バッファ部ＢＦという）、複数例えば４段の冷却部ＩＣＰＬ及び複数例えば２段のウエハ受渡し部ＴＲＳに対してウエハＷを受け渡しが可能であると共に、露光ブロックＳ４の受渡し台（図示せず）に対してウエハＷの搬送及び受け取りが可能である。これにより、第１及び第２の搬送機構６０Ａ，６０ＢがウエハＷの搬送工程を前後に分担して、塗布後のウエハＷを、第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴから順に、バッファ部ＢＦ、冷却部ＩＣＰＬ、露光ブロックＳ４へ搬送し、露光ブロックＳ４から受け取った露光後の現像前のウエハＷを、第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶへ搬送することができる。

次に、インターフェイスブロックＳ３におけるウエハＷの搬送工程を、図８ないし図１１を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
図８は第１の搬送機構６０Ａを露光ブロックＳ４に対するウエハＷの搬送すなわち露光ブロックＳ４に対するウエハＷの搬入及び搬出専用にした場合である。この第１実施形態においては、処理ブロックＳ２の塗布処理部で処理された塗布後のウエハＷが第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴに搬入されて載置されると、第２の搬送機構６０Ｂが、第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴからウエハＷを受け取ってバッファ部ＢＦに搬送し（Ｓ−１）、バッファ部ＢＦから受け取ったウエハＷを冷却部ＩＣＰＬに搬送する（Ｓ−２）。冷却部ＩＣＰＬによって所定の温度に冷却されたウエハＷは、第１の搬送機構６０Ａによって受け取られて露光ブロックＳ４の受渡し台（ＥＩＦ−ＩＮ）に搬送される（Ｓ−３）。露光ブロックＳ４の露光装置によって露光処理されたウエハＷは、第１の搬送機構６０Ａによって露光ブロックＳ４の受渡し台（ＥＩＦ−ＯＵＴ）から受け取られて第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶに搬送される（Ｓ−４）。第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶに搬送されたウエハＷは処理ブロックＳ２の搬送機構Ａ１によって第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が施される。

第１実施形態によれば、露光ブロックＳ４の受渡し台が上下に配置される場合に対応して第１の搬送機構６０Ａによって露光ブロックＳ４に対するウエハＷの搬入及び受け取りを行うことができる。

＜第２実施形態＞
図９は第２の搬送機構６０Ｂを露光ブロックＳ４に対するウエハＷの搬送すなわち露光ブロックＳ４に対するウエハＷの搬入及び搬出専用にした場合である。この第２実施形態においては、処理ブロックＳ２の塗布処理部で処理された塗布後のウエハＷが第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴに搬入されて載置されると、第１の搬送機構６０Ａが、第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴからウエハＷを受け取ってバッファ部ＢＦに搬送し（Ｓ−１）、バッファ部ＢＦから受け取ったウエハＷを冷却部ＩＣＰＬに搬送する（Ｓ−２）。冷却部ＩＣＰＬによって所定の温度に冷却されたウエハＷは、第２の搬送機構６０Ｂによって受け取られて露光ブロックＳ４の受渡し台（ＥＩＦ−ＩＮ）に搬送される（Ｓ−３）。露光ブロックＳ４の露光装置によって露光処理されたウエハＷは、第２の搬送機構６０Ｂによって露光ブロックＳ４の受渡し台（ＥＩＦ−ＯＵＴ）から受け取られて第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶに搬送される（Ｓ−４）。第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶに搬送されたウエハＷは処理ブロックＳ２の搬送機構Ａ１によって第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が施される。

第２実施形態によれば、露光ブロックＳ４の受渡し台が上下に配置される場合に対応して第２の搬送機構６０Ｂによって露光ブロックＳ４に対するウエハＷの搬入及び受け取りを行うことができる。

＜第３実施形態＞
図１０は露光ブロックＳ４の受渡し台が露光ブロックＳ４の左右に配置される場合に対応したウエハＷの搬送工程を示す。この第３実施形態においては、処理ブロックＳ２の塗布処理部で処理された塗布後のウエハＷが第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴに搬入されて載置されると、第２の搬送機構６０Ｂが、第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴからウエハＷを受け取ってバッファ部ＢＦに搬送する（Ｓ−１）。次に、第１の搬送機構６０Ａがバッファ部ＢＦから受け取ったウエハＷを冷却部ＩＣＰＬに搬送する（Ｓ−２）。冷却部ＩＣＰＬによって所定の温度に冷却されたウエハＷは、第１の搬送機構６０Ａによって受け取られて露光ブロックＳ４の受渡し台（ＥＩＦ−ＩＮ）に搬送される（Ｓ−３）。露光ブロックＳ４の露光装置によって露光処理されたウエハＷは、第２の搬送機構６０Ｂによって露光ブロックＳ４の受渡し台（ＥＩＦ−ＯＵＴ）から受け取られて第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶに搬送される（Ｓ−４）。第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶに搬送されたウエハＷは処理ブロックＳ２の搬送機構Ａ１によって第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が施される。

上記第１〜第３実施形態によれば、インターフェイスブロックＳ３は、塗布後のウエハＷ又は露光後のウエハＷを載置する第１及び第２の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴ，ＴＲＳ−ＤＥＶ、ウエハＷを待機させるバッファ部ＢＦ、冷却部ＩＣＰＬ及びウエハ受渡し部ＴＲＳを積層する棚ユニットＵ６と、棚ユニットＵ６を挟んだ両側に配設され、それぞれが棚ユニットＵ６に対してウエハＷの受け渡しが可能であって、一方が露光ブロックＳ４に対してウエハＷの受け渡しが可能に形成される第１の搬送機構６０Ａ及び第２の搬送機構６０Ｂとを具備することにより、インターフェイスブロックＳ３内に配置される棚ユニットＵ６及び第１及び第２の搬送機構６０Ａ，６０Ｂの占有スペースを小さくすることができる。また、棚ユニットＵ６を挟んだ両側に第１の搬送機構６０Ａと第２の搬送機構６０Ｂを配置することにより、露光ブロックＳ４における受渡し台の配置位置に対応させてウエハＷの受け渡しが可能となる。

また、第１の搬送機構６０Ａ及び第２の搬送機構６０Ｂが搬送工程を前後に分担して、塗布後のウエハＷを、第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴから順に、バッファ部ＢＦ、冷却部ＩＣＰＬ、露光ブロックＳ４へ搬送し、露光ブロックＳ４から受け取ったウエハＷを、第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶへ搬送することにより、ウエハＷの搬送を効率よく行うことができ、スループットの向上が図れる。

＜第４実施形態＞
図１１はこの発明に係る基板処理装置の第４実施形態におけるインターフェイスブロックＳ３Ａの概略平面図、図１２は第４実施形態におけるインターフェイスブロックＳ３Ａの概略断面図を示す。

第４実施形態は、インターフェイスブロック内の棚ユニットと搬送機構の移動軌道が重なる場合を回避するようにした場合である。

第４実施形態におけるインターフェイスブロックＳ３Ａは、図１１及び図１２に示すように、塗布後のウエハＷを載置する第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴ、現像前の基板を載置する第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶ、ウエハＷを待機させるバッファ部ＢＦＡ，ＢＦＢ及び第１のウエハ受渡し部ＴＲＳＡを積層する上側棚ユニットＵＡと、上側棚ユニットＵＡの鉛直下よりＸ方向奥側に偏倚して配設され、第２のウエハ受渡し部ＴＲＳＢと冷却部ＩＣＰＬを積層する下側棚ユニットＵＢと、を具備する。

また、インターフェイスブロックＳ３Ａは、図１１及び図１２に示すように、上側棚ユニットＵＡ及び下側棚ユニットＵＢを挟んだ装置の正面及び裏面方向（Ｘ方向）の両側の一方すなわちＸ方向手前側（図１２における左側）に配設され、上側棚ユニットＵＡに対してウエハＷの受け渡しが可能に形成される第１の基板搬送機構６０Ｃ（以下に第１の搬送機構６０Ｃという）と、上側棚ユニットＵＡ及び下側棚ユニットＵＢを挟んだ両側の他方すなわちＸ方向奥側（図１２における右側）に配設され、下側棚ユニットＵＢに対してウエハＷの受け渡しが可能に形成される第２の基板搬送機構６０Ｄ（以下に第２の搬送機構６０Ｄという）と、下側棚ユニットＵＢに対してウエハＷの受け渡しが可能に形成されると共に、露光ブロックＳ４に対してウエハＷの搬送及び受け取りが可能に形成される第３の基板搬送機構６０Ｅ（以下に第３の搬送機構６０Ｅという）と、を具備する。

第４実施形態において、第１の搬送機構６０Ｃ及び第２の搬送機構６０Ｄは、上記第１及び第２の搬送機構６０Ａ，６０Ｂと同様の構造であり、鉛直方向（Ｚ方向）、水平の直交方向（Ｘ，Ｙ方向）及び水平回転方向（θ方向）に移動及び回動自在に形成される。なお、第２の搬送機構６０Ｄは処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３Ａの仕切壁５０に配設される鉛直ガイドレール６１に沿って昇降させずに、インターフェイスブロックＳ３Ａの裏面側の側壁５０Ａに配設されるガイドレールに沿って昇降させると共に、水平回転方向（θ方向）に移動及び回動自在にしてもよい。このように構成することにより、第２の搬送機構６０ＤをＺ，Ｘ方向及びθ方向のみ移動可能に形成することができる。

第３の搬送機構６０Ｅは、図１１及び図１２に示すように、インターフェイスブロックＳ３の底部に敷設される互いに平行な水平ガイドレール７０上に移動可能に装着される支柱基部７１と、この支柱基部７１に内蔵される昇降機構（図示せず）によって昇降可能な昇降台７２と、昇降台６２に内蔵される移動機構（図示せず）によって水平の直交方向（Ｘ，Ｙ方向）及び水平回転方向（θ方向）に移動及び回動自在に形成されるアーム７３と、を具備している。

上記のように構成される第１の搬送機構６０Ｃ、第２の搬送機構６０Ｄ及び第３の搬送機構６０Ｅの駆動部は、上記外部の制御部１１０により制御されており、制御部１１０からの信号により駆動される。

これにより、第１の搬送機構６０Ｃは、上側棚ユニットＵＡの第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴ、第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶ、バッファ部ＢＦＡ，ＢＦＢ（以下に、バッファ部ＢＦという）及び第１のウエハ受渡し部ＴＲＳＡに対してウエハＷの受け渡しが可能に形成される。また、第２の搬送機構６０Ｄは、下側棚ユニットＵＢの第２のウエハ受渡し部ＴＲＳＢと複数の冷却部ＩＣＰＬに対してウエハＷを受け渡しすることができる。また、第３の搬送機構６０Ｅは、下側棚ユニットＵＢの第２のウエハ受渡し部ＴＲＳＢと、上側棚ユニットＵＡの下部に移動して複数の冷却部ＩＣＰＬ及び露光ブロックＳ４の受渡し台に対してウエハＷを受け渡しすることができる。

次に、第４実施形態のウエハＷの搬送工程について、図１３に示すフローチャートを参照して説明する。この第４実施形態においては、処理ブロックＳ２の塗布処理部で処理された塗布後のウエハＷが第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴに搬入されて載置されると、第１の搬送機構６０Ｃが、第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴからウエハＷを受け取ってバッファ部ＢＦ（ＢＦ−ＩＮ）に搬送する（Ｓ−１１）。次に、第１の搬送機構６０Ｃがバッファ部ＢＦ（ＢＦ−ＯＵＴ）からウエハＷを受け取り、第１のウエハ受渡し部ＴＲＳＡに搬送する（Ｓ−１２）。ウエハＷが第１のウエハ受渡し部ＴＲＳＡに搬送されると、第２の搬送機構６０Ｄが第１のウエハ受渡し部ＴＲＳＡからウエハＷを受け取って、冷却部ＩＣＰＬに搬送する（Ｓ−１３）。冷却部ＩＣＰＬによって所定の温度に冷却されたウエハＷは、第３の搬送機構６０Ｅによって受け取られて露光ブロックＳ４の受渡し台（ＥＩＦ−ＩＮ）に搬送される（Ｓ−１４）。露光ブロックＳ４の露光装置によって露光処理されたウエハＷは、第３の搬送機構６０Ｅによって露光ブロックＳ４の受渡し台（ＥＩＦ−ＯＵＴ）から受け取られて第２のウエハ受渡し部ＴＲＳＢに搬送される（Ｓ−１５）。第２のウエハ受渡し部ＴＲＳＢに搬送されたウエハＷは第２の搬送機構６０Ｄによって第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶに搬送される（Ｓ−１６）。第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶに搬送されたウエハＷは処理ブロックＳ２の搬送機構Ａ１によって第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が施される。

第４実施形態によれば、塗布後のウエハＷ又は現像前のウエハＷを載置する第１及び第２の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴ，ＴＲＳ−ＤＥＶ、ウエハＷを待機させるバッファ部ＢＦ及び第１のウエハ受渡し部ＴＲＳＡを積層する上側棚ユニットＵＡと、上側棚ユニットＵＡの鉛直下より偏倚して配設され、第２のウエハ受渡し部ＴＲＳＢと冷却部ＩＣＰＬを積層する下側棚ユニットＵＢと、上側棚ユニットＵＡ及び下側棚ユニットＵＢを挟んだ装置の正面及び裏面方向（Ｘ方向）の両側の一方に配設され、上側棚ユニットＵＡに対してウエハＷの受け渡しが可能に形成される第１の搬送機構６０Ｃと、上側棚ユニットＵＡ及び下側棚ユニットＵＢを挟んだ装置の正面及び裏面方向（Ｘ方向）の両側の他方に配設され、下側棚ユニットＵＢに対してウエハＷの受け渡しが可能に形成される第２の搬送機構６０Ｄと、下側棚ユニットＵＢに対してウエハＷの受け渡しが可能に形成されると共に、露光ブロックＳ４に対してウエハＷの搬送及び受け取りが可能に形成される第３の搬送機構６０Ｅと、を具備することにより、インターフェイスブロックＳ３Ａ内に配置される上側棚ユニットＵＡ、下側棚ユニットＵＢ及び第１，第２及び第３の搬送機構６０Ｃ，６０Ｄ，６０Ｅの占有スペースを小さくすることができる。

また、上側棚ユニットＵＡの鉛直下より偏倚させて下側棚ユニットＵＢを配置することにより、インターフェイスブロックＳ３Ａ内の棚ユニットと搬送機構の移動軌道が重なるのを回避することができ、ウエハＷの搬送を効率よく行うことができる。更に、上側棚ユニットＵＡと下側棚ユニットＵＢを挟んだ両側に第１，第２及び第３の搬送機構６０Ｃ，６０Ｄ，６０Ｅを配置することにより、露光ブロックＳ４における受渡し台の配置位置に対応させてウエハＷの受け渡しが可能となる。

また、第１，第２及び第３の搬送機構６０Ｃ，６０Ｄ，６０Ｅが搬送工程を前後に分担して、塗布後のウエハＷを、第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴから順に、バッファ部ＢＦ、第１のウエハ受渡し部ＴＲＳＡ、冷却部ＩＣＰＬ、露光ブロックＳ４へ搬送し、露光ブロックＳ４から受け取ったウエハＷを、第１のウエハ受渡し部ＴＲＳ及び第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶＢへ搬送することにより、ウエハＷの搬送を効率よく行うことができ、スループットの向上が図れる。

＜第５実施形態＞
図１４はこの発明に係る第５実施形態の基板処理装置を塗布・現像処理装置に適用した概略平面図、図１５は第５実施形態におけるインターフェイスブロックを示す概略断面図である。

第５実施形態の塗布・現像処理装置におけるキャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２は上記第１〜第４実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

第５実施形態におけるインターフェイスブロックＳ３Ｂは、図１４及び図１５に示すように、インターフェイスブロックＳ３Ｂの中央部に配置される棚ユニットＵＣと、棚ユニットＵＣを挟んだ両側に配置される第１の処理棚ユニット８０Ａ及び第２の処理棚ユニット８０Ｂと、棚ユニットＵＣと第１の処理棚ユニット８０Ａとの間に配設される第１の上部基板搬送機構９０Ａ（以下に第１の上部搬送機構９０Ａという）及び第１の下部基板搬送機構９０Ｂ（以下に第１の下部搬送機構９０Ｂという）と、棚ユニットＵＣと第２の処理棚ユニット８０Ｂとの間に配設される第２の上部基板搬送機構９０Ｃ（以下に第２の上部搬送機構９０Ｃという）及び第２の下部基板搬送機構９０Ｄ（以下に第２の下部搬送機構９０Ｄという）と、で主に構成されている。

この場合、棚ユニットＵＣは、インターフェイスブロックＳ３Ｂの中央部に配置され、塗布後のウエハＷを載置する第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴ、現像前のウエハＷを載置する第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶ、ウエハＷを待機させる第１，第２のバッファ部ＢＦＡ，ＢＦＢ、ウエハＷを所定温度例えば２３℃に冷却する複数例えば４個のウエハ冷却部ＩＣＰＬ（以下に冷却部ＩＣＰＬという）及びウエハ受渡し部ＴＲＳを積層した筐体にて形成されている。

第１の処理棚ユニット８０Ａは、棚ユニットＵＣを挟んだＸ方向における両側の一方すなわち装置の正面側（図１５における左側）に配設され、ウエハＷの周縁の不要な塗布膜を露光により除去する周辺露光部ＷＥＥと露光前のウエハＷを洗浄する露光前洗浄部ＳＲＳを積層する筐体にて形成されている。また、第２の処理棚ユニット８０Ｂは、棚ユニットＵＣを挟んだＸ方向における両側の他方すなわち装置の裏面側（図１５における右側）に配設され、露光後のウエハＷを洗浄する複数例えば３個の露光後洗浄部ＰＩＲを積層する筐体にて形成されている。

第１の上部搬送機構９０Ａ及び第１の下部搬送機構９０Ｂは、棚ユニットＵＣと第１の処理棚ユニットＵＣの間における鉛直線上に配設され、それぞれ棚ユニットＵＣ及び第１の処理棚ユニット８０Ａに対してウエハＷの受け渡しが可能に形成されている。また、第２の上部搬送機構９０Ｃ及び第２の下部搬送機構９０Ｄは、棚ユニットＵＣと第２の処理棚ユニット８０Ｂの間における鉛直線上に配設され、それぞれ棚ユニットＵＣ及び第２の処理棚ユニット８０Ｂに対してウエハＷの受け渡しが可能に形成されている。

上記のように構成される第５実施形態の基板処理装置によれば、第１の上部搬送機構９０Ａ、第１の下部搬送機構９０Ｂ、第２の上部搬送機構９０Ｃ及び第２の下部搬送機構９０Ｄが搬送工程を前後に分担して、塗布後のウエハＷを、第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴから順に、第１バッファ部ＢＦＡ、周辺露光部ＷＥＥ、第２バッファ部ＢＦＢ、露光前洗浄部ＳＲＳ、冷却部ＩＣＰＬ、露光ブロックＳ４へ搬送し、露光ブロックＳ４から受け取ったウエハＷを、露光後洗浄部ＰＩＲ及び第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶへ搬送することができる。

次に、第５実施形態のウエハＷの搬送工程について、図１６に示すフローチャートを参照して説明する。この第５実施形態においては、第１の上部搬送機構９０Ａによって、塗布後のウエハＷを、第１の載置部ＴＲＳ−ＣＯＴから受け取って第１バッファ部ＢＦＡに搬送し（Ｓ−２１）、第１バッファ部ＢＦＡから受け取ったウエハＷを周辺露光部ＷＥＥに搬送する（Ｓ−２２）。周辺露光部ＷＥＥに搬送されたウエハＷは周縁の不要な塗布膜を露光により除去された後、第１の上部搬送機構９０Ａによって周辺露光部ＷＥＥから受け取られて第２バッファ部ＢＦＢに搬送される（Ｓ−２３）。次に、第１の下部搬送機構９０Ｂによって、第２バッファ部ＢＦＢから受け取ったウエハＷを、露光前洗浄部ＳＲＳに搬送する（Ｓ−２４）。露光前洗浄部ＳＲＳで洗浄処理されたウエハＷは第１の下部搬送機構９０Ｂによって露光前洗浄部ＳＲＳから受け取られて、基板冷却部ＩＣＰＬに搬送され（Ｓ−２５）、冷却部ＩＣＰＬにおいて所定の温度例えば２３℃に冷却される。次に、第２の下部搬送機構９０Ｄによって、冷却部ＩＣＰＬから受け取ったウエハＷを、露光ブロックＳ４の受渡し台ＥＩＦ−ＩＮへ搬送する（Ｓ−２６）。露光ブロックＳ４の露光装置によって露光処理されたウエハＷは、第２の上部搬送機構９０Ｃによって、露光ブロックＳ４の受渡し台ＥＩＦ−ＯＵＴから受け取られて、露光後洗浄部ＰＩＲに搬送される（Ｓ−２７）。露光後洗浄部ＰＩＲで洗浄処理されたウエハＷは、第２の上部搬送機構９０Ｃによって、露光後洗浄部ＰＩＲから受け取られて第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶへ搬送される（Ｓ−２８）。第２の載置部ＴＲＳ−ＤＥＶに搬送されたウエハＷは処理ブロックＳ２の搬送機構Ａ１によって第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が施される。

第５実施形態によれば、インターフェイスブロックＳ３Ｂ内に周辺露光部ＷＥＥ、露光前洗浄部ＳＲＳ及び露光後洗浄部ＰＩＲを配置し、第１の上部及び下部搬送機構９０Ａ，９０Ｂと第２の上部及び下部搬送機構９０Ｃ，９０ＤによってウエハＷの搬送工程を分担することにより、特に液浸露光の処理効率を高めることができる。また、第１の上部及び下部搬送機構９０Ａ，９０Ｂと第２の上部及び下部搬送機構９０Ｃ，９０Ｄのいずれかが故障した場合には、他の搬送機構を代行させて処理を続行させることができる。

＜その他の実施形態＞
上記第１〜第４実施形態においては、インターフェイスブロックＳ３，Ｓ３Ａに配置される棚ユニットＵ６，ＵＡと露光ブロックＳ４に対してウエハＷの受け渡しを行う場合について説明したが、第１〜第４実施形態においても、インターフェイスブロックＳ３，Ｓ３Ａ内に例えば、周辺露光部や露光前洗浄部及び露光後洗浄部を積層する処理棚ユニットを配置して、基板搬送機構によってこれら周辺露光部や露光前洗浄部及び露光後洗浄部に対してウエハを受け渡しすることも可能である。

また、上記実施形態では、半導体ウエハに適用する場合について説明したが、この発明はフラットパネルディスプレイ用のガラス基板に対しても適用することができる。

Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３，Ｓ３Ａ，Ｓ３Ｂ インターフェイスブロック
Ｕ６，ＵＣ 棚ユニット
ＵＡ 上側棚ユニット
ＵＢ 下側棚ユニット
ＴＲＳ−ＣＯＴ 第１の載置部
ＴＲＳ−ＤＥＶ 第２の載置部
ＢＦ バッファ部
ＢＦＡ 第１バッファ部
ＢＦＢ 第２バッファ部
ＴＲＳ ウエハ受渡し部（基板受渡し部）
ＴＲＳＡ 第１のウエハ受渡し部（第１の基板受渡し部）
ＴＲＳＢ 第２のウエハ受渡し部（第２の基板受渡し部）
ＩＣＰＬ 冷却部（ウエハ冷却部，基板冷却部）
ＷＥＥ 周辺露光部
ＳＲＳ 露光前洗浄部
ＰＩＲ 露光後洗浄部
６０Ａ，６０Ｃ 第１の搬送機構（第１の基板搬送機構）
６０Ｂ，６０Ｄ 第２の搬送機構（第２の基板搬送機構）
６０Ｅ 第３の搬送機構（第３の基板搬送機構）
８０Ａ 第１の処理棚ユニット
８０Ｂ 第２の処理棚ユニット
９０Ａ 第１の上部搬送機構（第１の上部基板搬送機構）
９０Ｂ 第１の下部搬送機構（第１の下部基板搬送機構）
９０Ｃ 第２の上部搬送機構（第２の上部基板搬送機構）
９０Ｄ 第２の下部搬送機構（第２の下部基板搬送機構）

Claims (5)

1. 積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックと、上記処理ブロックに連設されて処理ブロックと上記露光ブロックを接続するインターフェイスブロックと、を備える基板処理装置であって、
   上記インターフェイスブロックは、
   基板を待機させるバッファ部を積層する棚ユニットと、
   上記棚ユニットを挟んだ両側に配設され、それぞれが上記棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能であって、一方が上記露光ブロックに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の基板搬送機構及び第２の基板搬送機構と、を具備し、
   上記第１及び第２の基板搬送機構の一方の基板搬送機構によって、塗布後の基板を、上記バッファ部へ搬送し、他方の基板搬送機構によって上記基板を上記バッファ部から受け取って上記露光ブロックへ搬送し、上記一方の基板搬送機構によって、上記基板を上記露光ブロックから受け取るように形成される、ことを特徴とする基板処理装置。
2. 積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックと、上記処理ブロックに連設されて処理ブロックと上記露光ブロックを接続するインターフェイスブロックと、を備える基板処理装置であって、
   上記インターフェイスブロックは、
   基板を待機させるバッファ部及び第１の基板受渡し部を積層する上側棚ユニットと、
   第２の基板受渡し部を積層する下側棚ユニットと、
   上記上側棚ユニット及び下側棚ユニットを挟んだ両側の一方に配設され、上記上側棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の基板搬送機構と、
   上記上側棚ユニット及び下側棚ユニットを挟んだ両側の他方に配設され、上記下側棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第２の基板搬送機構と、
   上記下側棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成されると共に、上記露光ブロックに対して基板の搬送及び受け取りが可能に形成される第３の基板搬送機構と、
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２記載の基板処理装置において、
   上記第１の基板搬送機構、第２の基板搬送機構及び第３の基板搬送機構が搬送工程を前後に分担して、塗布後の基板を、上記バッファ部、上記第２の基板受渡し部、上記露光ブロックへ搬送し、上記露光ブロックから受け取った基板を、上記第１の基板受渡し部へ搬送するように形成される、ことを特徴とする基板処理装置。
4. 積層される複数の基板の塗布処理部及び現像処理部を具備する処理ブロックと、基板の露光処理部を具備する露光ブロックと、上記処理ブロックに連設されて処理ブロックと上記露光ブロックを接続するインターフェイスブロックと、を備える基板処理装置であって、
   上記インターフェイスブロックは、
   基板を待機させる第１，第２のバッファ部及び基板受渡し部を積層する棚ユニットと、
   上記棚ユニットを挟んだ両側の一方に配設され、基板の周縁の不要な塗布膜を露光により除去する周辺露光部と露光前の基板を洗浄する露光前洗浄部を積層する第１の処理棚ユニットと、
   上記棚ユニットを挟んだ両側の他方に配設され、露光後の基板を洗浄する複数の露光後洗浄部を積層する第２の処理棚ユニットと、
   上記棚ユニットと上記第１の処理棚ユニットの間における鉛直線上に配設され、それぞれ上記棚ユニット及び上記第１の処理棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第１の上部基板搬送機構及び第１の下部基板搬送機構と、
   上記棚ユニットと上記第２の処理棚ユニットの間における鉛直線上に配設され、それぞれ上記棚ユニット及び上記第２の処理棚ユニットに対して基板の受け渡しが可能に形成される第２の上部基板搬送機構及び第２の下部基板搬送機構と、
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４記載の基板処理装置において、
   上記第１の上部基板搬送機構、上記第１の下部基板搬送機構、上記第２の上部基板搬送機構及び上記第２の下部基板搬送機構が搬送工程を前後に分担して、塗布後の基板を、上記第１バッファ部、上記周辺露光部、上記第２バッファ部、上記露光前洗浄部、上記露光ブロックへと順に搬送し、上記露光ブロックから受け取った基板を、上記露光後洗浄部へと搬送するように形成される、ことを特徴とする基板処理装置。

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