JP2002175976A - 塗布、現像装置及びパターン形成方法 - Google Patents
塗布、現像装置及びパターン形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストの塗布処理と、露光後の基板の現像
処理を行い、露光装置にインターフェイス部を介して接
続される塗布、現像装置において、露光処理の歩留まり
の向上と、インターフェイス部における基板の搬送能力
を高めること。 【解決手段】 塗布、現像装置のインターフェイス部Ｓ
２に温度調整部（冷却部）を設け、回路形成領域の外側
の周辺領域の露光により温度が上昇した基板を前記温度
調整部にて所定の温度に調整してから露光装置２００に
搬送する。これにより露光装置２００に搬送される際の
基板の温度が揃えられ、露光処理の際の熱影響を低減で
きて、当該処理の歩留まりの向上が図られる。またイン
ターフェイス部Ｓ２に処理部Ｓ１と露光装置２００との
間で基板を搬送するメイン搬送アーム４と、棚ユニット
Ｕ４の各ユニットに対して基板を搬送するサブ搬送アー
ム５とを設けることにより、搬送能力が高まり、スルー
プットの向上が図れる。
処理を行い、露光装置にインターフェイス部を介して接
続される塗布、現像装置において、露光処理の歩留まり
の向上と、インターフェイス部における基板の搬送能力
を高めること。 【解決手段】 塗布、現像装置のインターフェイス部Ｓ
２に温度調整部（冷却部）を設け、回路形成領域の外側
の周辺領域の露光により温度が上昇した基板を前記温度
調整部にて所定の温度に調整してから露光装置２００に
搬送する。これにより露光装置２００に搬送される際の
基板の温度が揃えられ、露光処理の際の熱影響を低減で
きて、当該処理の歩留まりの向上が図られる。またイン
ターフェイス部Ｓ２に処理部Ｓ１と露光装置２００との
間で基板を搬送するメイン搬送アーム４と、棚ユニット
Ｕ４の各ユニットに対して基板を搬送するサブ搬送アー
ム５とを設けることにより、搬送能力が高まり、スルー
プットの向上が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやＬ
ＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に
レジスト膜を形成し、露光後の基板に対して現像を行
い、所望のパターンを形成する塗布、現像装置及びこの
装置にて所望のパターンを形成する方法に関する。
ＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に
レジスト膜を形成し、露光後の基板に対して現像を行
い、所望のパターンを形成する塗布、現像装置及びこの
装置にて所望のパターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスやＬＣＤの製造プロセス
において行われるフォトリソグラフィと呼ばれる技術
は、基板例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）の表
面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォト
マスクを用いて当該レジスト膜を所定パタ−ンに露光処
理した後、現像処理を行うことにより所定パタ−ンのレ
ジスト膜を得るものである。このような一連の処理は、
塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムにより行
われる。
において行われるフォトリソグラフィと呼ばれる技術
は、基板例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）の表
面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォト
マスクを用いて当該レジスト膜を所定パタ−ンに露光処
理した後、現像処理を行うことにより所定パタ−ンのレ
ジスト膜を得るものである。このような一連の処理は、
塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムにより行
われる。
【０００３】図１２はこのような装置の従来例を示す平
面図であり、基板例えば半導体ウエハＷを２５枚収納し
たカセットＣはキャリアステ−ションＡ１のキャリアス
テ−ジ１に搬入される。キャリアステ−ションＡ１には
処理ブロックＡ２が接続されており、更に処理ブロック
Ａ２にはインターフェイスブロックＡ３を介して露光装
置Ａ４が接続されている。
面図であり、基板例えば半導体ウエハＷを２５枚収納し
たカセットＣはキャリアステ−ションＡ１のキャリアス
テ−ジ１に搬入される。キャリアステ−ションＡ１には
処理ブロックＡ２が接続されており、更に処理ブロック
Ａ２にはインターフェイスブロックＡ３を介して露光装
置Ａ４が接続されている。
【０００４】前記キャリアステージ１上のキャリアＣ内
のウエハＷは、受け渡しアーム１１により取り出されて
棚ユニット１２Ａの受け渡し部を介して塗布ユニット１
３に送られ、ここでレジストが塗布される。その後ウエ
ハＷは、ウエハ搬送手段１４により棚ユニット１２Ｂの
冷却部１５に搬送され（図１３参照）、これをインタ−
フェイスブロックＡ３の搬送アーム１６が受け取って、
当該ブロックＡ３の周辺露光装置１７に搬送する。
のウエハＷは、受け渡しアーム１１により取り出されて
棚ユニット１２Ａの受け渡し部を介して塗布ユニット１
３に送られ、ここでレジストが塗布される。その後ウエ
ハＷは、ウエハ搬送手段１４により棚ユニット１２Ｂの
冷却部１５に搬送され（図１３参照）、これをインタ−
フェイスブロックＡ３の搬送アーム１６が受け取って、
当該ブロックＡ３の周辺露光装置１７に搬送する。
【０００５】この周辺露光はウエハＷの周辺部のレジス
トが残っていると後の工程においてパーティクル発生の
原因となるため、この周辺部のレジストを除去するため
に当該周辺部の露光を行うものである。周辺露光が行わ
れたウエハＷは例えば当該ブロックＡ３のバッファカセ
ット１８に一旦搬送された後、前記搬送アーム１６によ
り露光装置Ａ４の受け渡しステージ（図示せず）に搬送
されて露光される。
トが残っていると後の工程においてパーティクル発生の
原因となるため、この周辺部のレジストを除去するため
に当該周辺部の露光を行うものである。周辺露光が行わ
れたウエハＷは例えば当該ブロックＡ３のバッファカセ
ット１８に一旦搬送された後、前記搬送アーム１６によ
り露光装置Ａ４の受け渡しステージ（図示せず）に搬送
されて露光される。
【０００６】露光後のウエハＷは、インターフェイスブ
ロックＡ３の搬送アーム１６により処理ブロックＡ２の
棚ユニット１２Ｂの受け渡し部１９を介して処理ブロッ
クＡ２に搬送され、塗布ユニット１３の下段に設けられ
た図示しない現像ユニットにて現像された後、ウエハ搬
送手段１４、受け渡しアーム１１によりキャリアＣに戻
される。前記インターフェイスブロックＡ３の搬送アー
ム１６は、棚ユニット１２Ｂと周辺露光装置１７とバッ
ファカセット１８と露光装置Ａ４とにアクセスできるよ
うに、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、水
平なレールに沿って水平１軸方向に移動自在に構成され
ている。
ロックＡ３の搬送アーム１６により処理ブロックＡ２の
棚ユニット１２Ｂの受け渡し部１９を介して処理ブロッ
クＡ２に搬送され、塗布ユニット１３の下段に設けられ
た図示しない現像ユニットにて現像された後、ウエハ搬
送手段１４、受け渡しアーム１１によりキャリアＣに戻
される。前記インターフェイスブロックＡ３の搬送アー
ム１６は、棚ユニット１２Ｂと周辺露光装置１７とバッ
ファカセット１８と露光装置Ａ４とにアクセスできるよ
うに、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、水
平なレールに沿って水平１軸方向に移動自在に構成され
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところでウエハＷに対
して周辺露光処理を行うと、紫外領域の光を照射するた
めウエハＷの温度が例えば１℃程度上昇してしまう。ま
たこのウエハＷを露光装置Ａ４に搬送する前にバッファ
カセット１８に載置しても、狭いカセット内に熱がこも
ってしまい、それ程放熱しないのでウエハ温度はなかな
か降温しない。一方露光装置Ａ４における露光処理の
際、ウエハ温度は露光機により設定された温度であるこ
とが望ましく、この設定温度から外れると、露光光のゆ
がみが発生し、パターン寸法を忠実に再現できない場合
もある。
して周辺露光処理を行うと、紫外領域の光を照射するた
めウエハＷの温度が例えば１℃程度上昇してしまう。ま
たこのウエハＷを露光装置Ａ４に搬送する前にバッファ
カセット１８に載置しても、狭いカセット内に熱がこも
ってしまい、それ程放熱しないのでウエハ温度はなかな
か降温しない。一方露光装置Ａ４における露光処理の
際、ウエハ温度は露光機により設定された温度であるこ
とが望ましく、この設定温度から外れると、露光光のゆ
がみが発生し、パターン寸法を忠実に再現できない場合
もある。
【０００８】近年露光装置Ａ４の処理速度が向上し、バ
ッファカセット１８での待機時間が短くなる傾向にある
ことから、待機中のウエハ温度の降下がそれ程望めず、
露光装置Ａ４に搬送される際のウエハＷの温度が高くな
る傾向がある。このため露光処理の際の熱影響で歩留ま
りが悪化し、結局処理全体の生産性が低下してしまうと
いう問題がある。
ッファカセット１８での待機時間が短くなる傾向にある
ことから、待機中のウエハ温度の降下がそれ程望めず、
露光装置Ａ４に搬送される際のウエハＷの温度が高くな
る傾向がある。このため露光処理の際の熱影響で歩留ま
りが悪化し、結局処理全体の生産性が低下してしまうと
いう問題がある。
【０００９】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、インターフェイス部にて基板に
対して温調処理を行って温度管理を行うことにより露光
処理の際の基板温度の安定化を図り、露光処理の歩留ま
りを向上させると共に、インターフェイス部に搬送手段
を２つ設けることにより搬送能力を高め、スループット
を向上させる技術を提供することにある。
のであり、その目的は、インターフェイス部にて基板に
対して温調処理を行って温度管理を行うことにより露光
処理の際の基板温度の安定化を図り、露光処理の歩留ま
りを向上させると共に、インターフェイス部に搬送手段
を２つ設けることにより搬送能力を高め、スループット
を向上させる技術を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このため本発明に係る塗
布、現像装置は、複数枚の基板を保持したキャリアが載
置されるキャリア載置部と、このキャリア載置部に載置
されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布
し、露光後の基板に対して現像を行う処理部と、前記処
理部と、レジストが塗布された基板に露光処理を行うた
めの露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのイン
タ−フェイス部と、を備え、前記インターフェイス部
は、露光装置に搬送する前の基板の温度を露光処理に適
した温度に調整するための温度調整部と、前記処理部と
前記温度調整部と前記露光装置との間で基板の受け渡し
を行う搬送手段と、を備えることを特徴とし、この装置
では、例えば基板表面にレジストを塗布する工程と、レ
ジストの塗布された基板の回路形成領域の外側の周辺領
域に対して露光処理を行う工程と、前記周辺領域に対し
て露光処理が行われた基板の温度を調整する工程と、前
記冷却された基板に対して露光処理を行う工程と、露光
後の基板を現像処理してレジストパターンを得る工程
と、含むことを特徴とするパターン形成方法が実施され
る。
布、現像装置は、複数枚の基板を保持したキャリアが載
置されるキャリア載置部と、このキャリア載置部に載置
されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布
し、露光後の基板に対して現像を行う処理部と、前記処
理部と、レジストが塗布された基板に露光処理を行うた
めの露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのイン
タ−フェイス部と、を備え、前記インターフェイス部
は、露光装置に搬送する前の基板の温度を露光処理に適
した温度に調整するための温度調整部と、前記処理部と
前記温度調整部と前記露光装置との間で基板の受け渡し
を行う搬送手段と、を備えることを特徴とし、この装置
では、例えば基板表面にレジストを塗布する工程と、レ
ジストの塗布された基板の回路形成領域の外側の周辺領
域に対して露光処理を行う工程と、前記周辺領域に対し
て露光処理が行われた基板の温度を調整する工程と、前
記冷却された基板に対して露光処理を行う工程と、露光
後の基板を現像処理してレジストパターンを得る工程
と、含むことを特徴とするパターン形成方法が実施され
る。
【００１１】このような発明では、露光装置に搬送され
る前の基板を露光処理に適した温度に温度調整してか
ら、露光処理を行っているので、露光処理の際の基板の
温度が揃えられ、熱影響を抑えた安定した露光処理を行
うことができるので、露光処理の歩留まりの向上を図る
ことができる。
る前の基板を露光処理に適した温度に温度調整してか
ら、露光処理を行っているので、露光処理の際の基板の
温度が揃えられ、熱影響を抑えた安定した露光処理を行
うことができるので、露光処理の歩留まりの向上を図る
ことができる。
【００１２】また本発明の塗布、現像装置は、複数枚の
基板を保持した基板キャリアが載置されるキャリア載置
部と、このキャリア載置部に載置されたキャリアから取
り出された基板にレジストを塗布し、露光後の基板に対
して現像を行う処理部と、前記処理部と、レジストが塗
布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で
基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を
備え、前記インターフェイス部は、基板を保持又は処理
するための複数のユニットを備えた棚部と、前記処理部
と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行う第１の搬
送手段と、前記第１の搬送手段により処理部から搬送さ
れた基板を受け取り、この基板を前記棚部の各ユニット
に対して受け渡す第２の搬送手段と、を備えることを特
徴とし、この装置では、前記処理部にて基板表面にレジ
ストを塗布する工程と、レジストの塗布された基板を処
理部からインターフェイス部に第１の搬送手段により搬
送し、インターフェイス部にてこの基板の回路形成領域
の外側の周辺領域に対して露光処理を行う工程と、周辺
領域に対して露光処理が行われた基板を第２の搬送手段
により搬送し、インターフェイス部にてこの基板を冷却
する工程と、冷却された基板をインターフェイス部から
露光装置に第１の搬送手段により搬送し、露光装置にて
この基板に対して露光処理を行う工程と、露光後の基板
を露光装置からインターフェイス部を介して処理部に第
１の搬送手段により搬送し、処理部にてこの基板に対し
て現像処理を行い、レジストパターンを得る工程と、含
むことを特徴とするパターン形成方法が実施される。
基板を保持した基板キャリアが載置されるキャリア載置
部と、このキャリア載置部に載置されたキャリアから取
り出された基板にレジストを塗布し、露光後の基板に対
して現像を行う処理部と、前記処理部と、レジストが塗
布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で
基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を
備え、前記インターフェイス部は、基板を保持又は処理
するための複数のユニットを備えた棚部と、前記処理部
と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行う第１の搬
送手段と、前記第１の搬送手段により処理部から搬送さ
れた基板を受け取り、この基板を前記棚部の各ユニット
に対して受け渡す第２の搬送手段と、を備えることを特
徴とし、この装置では、前記処理部にて基板表面にレジ
ストを塗布する工程と、レジストの塗布された基板を処
理部からインターフェイス部に第１の搬送手段により搬
送し、インターフェイス部にてこの基板の回路形成領域
の外側の周辺領域に対して露光処理を行う工程と、周辺
領域に対して露光処理が行われた基板を第２の搬送手段
により搬送し、インターフェイス部にてこの基板を冷却
する工程と、冷却された基板をインターフェイス部から
露光装置に第１の搬送手段により搬送し、露光装置にて
この基板に対して露光処理を行う工程と、露光後の基板
を露光装置からインターフェイス部を介して処理部に第
１の搬送手段により搬送し、処理部にてこの基板に対し
て現像処理を行い、レジストパターンを得る工程と、含
むことを特徴とするパターン形成方法が実施される。
【００１３】このような発明では、インターフェイス部
に２つの搬送手段を設け、処理部とインターフェイス部
と露光装置との間での基板の受け渡しを第１の搬送手段
で行い、インターフェイス部の棚部の各ユニットの間で
の基板の受け渡しを第２の搬送手段で行なうようにした
ので、基板の搬送能力が高まり、処理全体のスループッ
トを向上させることができる。
に２つの搬送手段を設け、処理部とインターフェイス部
と露光装置との間での基板の受け渡しを第１の搬送手段
で行い、インターフェイス部の棚部の各ユニットの間で
の基板の受け渡しを第２の搬送手段で行なうようにした
ので、基板の搬送能力が高まり、処理全体のスループッ
トを向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の塗布、現像装置の
実施の形態について説明する。図１及び図２は、夫々こ
の塗布、現像装置１００を露光装置２００に接続したレ
ジストパタ−ン形成装置の全体構成を示す平面図及び概
観図である。
実施の形態について説明する。図１及び図２は、夫々こ
の塗布、現像装置１００を露光装置２００に接続したレ
ジストパタ−ン形成装置の全体構成を示す平面図及び概
観図である。
【００１５】図中、２１は例えば２５枚の基板である半
導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗが収納されたキャリ
アＣを搬入出するためのキャリアステーションであり、
このキャリアステーション２１は、前記キャリアＣを載
置するキャリア載置部２２と受け渡し手段２３とを備え
ている。受け渡し手段２３はキャリアＣから基板である
ウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷをキャリアス
テーション２１の奥側に設けられている処理部Ｓ１へと
受け渡すように構成されている。
導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗが収納されたキャリ
アＣを搬入出するためのキャリアステーションであり、
このキャリアステーション２１は、前記キャリアＣを載
置するキャリア載置部２２と受け渡し手段２３とを備え
ている。受け渡し手段２３はキャリアＣから基板である
ウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷをキャリアス
テーション２１の奥側に設けられている処理部Ｓ１へと
受け渡すように構成されている。
【００１６】処理部Ｓ１の中央には主搬送手段２４が設
けられており、これを取り囲むように例えばキャリアス
テーション２１から奥を見て例えば右側には塗布ユニッ
ト３Ａ及び現像ユニット３Ｂが、左側、手前側、奥側に
は加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニ
ットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。塗布ユニ
ット３Ａ及び現像ユニット３Ｂはこの例では各々２個づ
つ設けられ、塗布ユニット３Ａは現像ユニット３Ｂの下
段側に配置されている。
けられており、これを取り囲むように例えばキャリアス
テーション２１から奥を見て例えば右側には塗布ユニッ
ト３Ａ及び現像ユニット３Ｂが、左側、手前側、奥側に
は加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニ
ットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。塗布ユニ
ット３Ａ及び現像ユニット３Ｂはこの例では各々２個づ
つ設けられ、塗布ユニット３Ａは現像ユニット３Ｂの下
段側に配置されている。
【００１７】ここで前記塗布ユニット３Ａ及び現像ユニ
ット３Ｂについて説明する。先ず塗布ユニット３Ａの一
例について図３を参照しながら説明すると、３１は基板
保持部であるスピンチャックであり、真空吸着によりウ
エハＷを水平に保持するように構成されている。このス
ピンチャック３１はモータ及び昇降部を含む駆動部３２
により鉛直軸周りに回転でき、且つ昇降できるようにな
っている。またスピンチャック３１の周囲にはウエハＷ
からスピンチャック３１に跨る側方部分を囲い、且つ下
方側全周に亘って凹部が形成された液受けカップ３３が
設けられ、当該液受けカップ３３の底面には排気管３４
及びドレイン管３５が接続されている。液受けカップ３
３の上方側にレジスト液供給ノズル３６が設けられてお
り、このノズル３６はウエハＷの中央部上方と前記液受
けカップ３３の外側との間で移動できるように構成され
ている。
ット３Ｂについて説明する。先ず塗布ユニット３Ａの一
例について図３を参照しながら説明すると、３１は基板
保持部であるスピンチャックであり、真空吸着によりウ
エハＷを水平に保持するように構成されている。このス
ピンチャック３１はモータ及び昇降部を含む駆動部３２
により鉛直軸周りに回転でき、且つ昇降できるようにな
っている。またスピンチャック３１の周囲にはウエハＷ
からスピンチャック３１に跨る側方部分を囲い、且つ下
方側全周に亘って凹部が形成された液受けカップ３３が
設けられ、当該液受けカップ３３の底面には排気管３４
及びドレイン管３５が接続されている。液受けカップ３
３の上方側にレジスト液供給ノズル３６が設けられてお
り、このノズル３６はウエハＷの中央部上方と前記液受
けカップ３３の外側との間で移動できるように構成され
ている。
【００１８】このように構成された塗布ユニット３Ａに
おいては、前記主搬送手段２４によりウエハＷが搬入さ
れてスピンチャック３１に受け渡される。そしてノズル
３６からウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共
に予め設定された回転数でスピンチャックを回転させる
とレジスト液はその遠心力によりウエハＷの径方向に広
がってウエハＷ表面にレジスト液の液膜が形成され、振
り切られた分は液受けカップ３３へと流れ落ちる。
おいては、前記主搬送手段２４によりウエハＷが搬入さ
れてスピンチャック３１に受け渡される。そしてノズル
３６からウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共
に予め設定された回転数でスピンチャックを回転させる
とレジスト液はその遠心力によりウエハＷの径方向に広
がってウエハＷ表面にレジスト液の液膜が形成され、振
り切られた分は液受けカップ３３へと流れ落ちる。
【００１９】また現像ユニット３Ｂは塗布ユニット３Ａ
とほぼ同一の構成であるが、現像ユニット３Ｂは例えば
ウエハＷの直径方向に配列された多数の供給孔を備えた
供給ノズルが備えており、このノズルからウエハＷの中
央部に現像液を供給すると共に、予め設定された回転数
でスピンチャック３３を半回転させることにより、ウエ
ハＷ上に現像液が液盛りされるようになっている。
とほぼ同一の構成であるが、現像ユニット３Ｂは例えば
ウエハＷの直径方向に配列された多数の供給孔を備えた
供給ノズルが備えており、このノズルからウエハＷの中
央部に現像液を供給すると共に、予め設定された回転数
でスピンチャック３３を半回転させることにより、ウエ
ハＷ上に現像液が液盛りされるようになっている。
【００２０】棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３においては、
例えば図４に、棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ３とを代
表して示すように、加熱ユニット２５や冷却ユニット２
６のほか、ウエハの受け渡しユニット２７（２７ａ，２
７ｂ）や疎水化処理ユニット２８、アライメントユニッ
ト２９等が上下に割り当てられている。前記加熱ユニッ
ト２５及び冷却ユニット２６は所定温度に調整されたプ
レート上に所定時間ウエハＷを載置することにより、ウ
エハＷを所定温度に加熱又は冷却するものであり、前記
受け渡しユニット２７は例えば昇降ピンが内蔵された受
け渡し台を備えており、受け渡しユニット２７ａはキャ
リアステーション２１の受け渡し手段２３と処理部Ｓ１
の主搬送手段２４との間、受け渡しユニット２７ｂは処
理部Ｓ１の主搬送手段２４と後述するインターフェイス
部Ｓ２のメイン搬送アーム４との間で、夫々ウエハＷの
受け渡しが行われる。
例えば図４に、棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ３とを代
表して示すように、加熱ユニット２５や冷却ユニット２
６のほか、ウエハの受け渡しユニット２７（２７ａ，２
７ｂ）や疎水化処理ユニット２８、アライメントユニッ
ト２９等が上下に割り当てられている。前記加熱ユニッ
ト２５及び冷却ユニット２６は所定温度に調整されたプ
レート上に所定時間ウエハＷを載置することにより、ウ
エハＷを所定温度に加熱又は冷却するものであり、前記
受け渡しユニット２７は例えば昇降ピンが内蔵された受
け渡し台を備えており、受け渡しユニット２７ａはキャ
リアステーション２１の受け渡し手段２３と処理部Ｓ１
の主搬送手段２４との間、受け渡しユニット２７ｂは処
理部Ｓ１の主搬送手段２４と後述するインターフェイス
部Ｓ２のメイン搬送アーム４との間で、夫々ウエハＷの
受け渡しが行われる。
【００２１】主搬送手段２４は、昇降自在、進退自在及
び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、棚ユニットＵ
１，Ｕ２，Ｕ３及び塗布ユニット３Ａ並びに現像ユニッ
ト３Ｂの間でウエハＷを搬送する役割を持っている。但
し図２では便宜上受け渡し手段２３及び主搬送手段２４
は描いていない。
び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、棚ユニットＵ
１，Ｕ２，Ｕ３及び塗布ユニット３Ａ並びに現像ユニッ
ト３Ｂの間でウエハＷを搬送する役割を持っている。但
し図２では便宜上受け渡し手段２３及び主搬送手段２４
は描いていない。
【００２２】前記処理部Ｓ１はインタ−フェイス部Ｓ２
を介して露光装置２００と接続されている。このインタ
−フェイス部Ｓ２は、図１及び図５の露光装置２００側
から見た断面図に示すように、ほぼ中央に周辺露光装置
やバッファカセット等のユニットが上下に設けられた棚
部をなす棚ユニットＵ４を備えており、キャリアステー
ション２１から奥を見てこの棚ユニットＵ４の例えば右
側には第１の搬送手段をなすメイン搬送アーム４、例え
ば左側には第２の搬送手段をなすサブ搬送アーム５が略
一直線状に夫々配置されている。
を介して露光装置２００と接続されている。このインタ
−フェイス部Ｓ２は、図１及び図５の露光装置２００側
から見た断面図に示すように、ほぼ中央に周辺露光装置
やバッファカセット等のユニットが上下に設けられた棚
部をなす棚ユニットＵ４を備えており、キャリアステー
ション２１から奥を見てこの棚ユニットＵ４の例えば右
側には第１の搬送手段をなすメイン搬送アーム４、例え
ば左側には第２の搬送手段をなすサブ搬送アーム５が略
一直線状に夫々配置されている。
【００２３】前記棚ユニットＵ４は、図６の斜視図及び
図７のサブ搬送アーム５側から見た側面図に示すよう
に、例えば下から２個の温度調整部をなす温調ユニット
６１、１個の出力用受け渡しユニット６２及び１個の入
力用受け渡しユニット６４、２個のバッファカセット６
３、１個の待避ステージ６０及び１個の入力用受け渡し
ユニット６４、周辺露光部をなす周辺露光装置６５が縦
に配列されており、前記温調ユニット６１の上方側の出
力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット
６４と、バッファカセット６３と、待避ステージ６０及
び入力用受け渡しユニット６４は、サブ搬送アーム５側
から見て２つ並んで設けられている。
図７のサブ搬送アーム５側から見た側面図に示すよう
に、例えば下から２個の温度調整部をなす温調ユニット
６１、１個の出力用受け渡しユニット６２及び１個の入
力用受け渡しユニット６４、２個のバッファカセット６
３、１個の待避ステージ６０及び１個の入力用受け渡し
ユニット６４、周辺露光部をなす周辺露光装置６５が縦
に配列されており、前記温調ユニット６１の上方側の出
力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット
６４と、バッファカセット６３と、待避ステージ６０及
び入力用受け渡しユニット６４は、サブ搬送アーム５側
から見て２つ並んで設けられている。
【００２４】前記メイン搬送アーム４は、処理部Ｓ１の
棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６や受け渡しユニット
２７ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行うと共に、当該
インターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の出力用受け
渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット部６４、
温調ユニット６１との間、さらに露光装置２００の受け
渡しステージ２１０との間でウエハＷの受け渡しを行う
ように構成されており、このため１枚のアーム４１が基
台４２に沿って進退自在に構成されると共に、前記基台
４２自体が鉛直軸回りに回転自在、垂直ガイドレール４
３に沿って昇降自在、第１の水平ガイドレール４４に沿
って棚ユニットＵ４に向かう第１の水平軸方向に進退自
在（キャリアステーション２１から奥を見て横方向に移
動自在）、第２の水平ガイドレール４５に沿って前記第
１の水平軸に略直交する第２の水平軸方向にスライド自
在（キャリアステーション２１から奥を見て縦方向に移
動自在）に構成されている。
棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６や受け渡しユニット
２７ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行うと共に、当該
インターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の出力用受け
渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット部６４、
温調ユニット６１との間、さらに露光装置２００の受け
渡しステージ２１０との間でウエハＷの受け渡しを行う
ように構成されており、このため１枚のアーム４１が基
台４２に沿って進退自在に構成されると共に、前記基台
４２自体が鉛直軸回りに回転自在、垂直ガイドレール４
３に沿って昇降自在、第１の水平ガイドレール４４に沿
って棚ユニットＵ４に向かう第１の水平軸方向に進退自
在（キャリアステーション２１から奥を見て横方向に移
動自在）、第２の水平ガイドレール４５に沿って前記第
１の水平軸に略直交する第２の水平軸方向にスライド自
在（キャリアステーション２１から奥を見て縦方向に移
動自在）に構成されている。
【００２５】また前記サブ搬送アーム５は、当該インタ
ーフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の各ユニットとの間
でウエハＷの受け渡しを行うように構成されており、こ
のため１枚のアーム５１が基台５２に沿って進退自在に
構成されると共に、前記基台５２自体が鉛直軸回りに回
転自在、垂直ガイドレール５３に沿って昇降自在に構成
されている。
ーフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の各ユニットとの間
でウエハＷの受け渡しを行うように構成されており、こ
のため１枚のアーム５１が基台５２に沿って進退自在に
構成されると共に、前記基台５２自体が鉛直軸回りに回
転自在、垂直ガイドレール５３に沿って昇降自在に構成
されている。
【００２６】前記温調ユニット６１は、例えば図８に示
すように、サブ搬送アーム５側の側面及びメイン搬送ア
ーム４側の側面に夫々搬送口５４a，５４ｂを有する筐
体５４と、この筐体５４内に設けられた、ウエハＷを載
置して所定の温度に調整するための、例えばアルミニウ
ムやセラミックスより等からなるプレートより構成さ
れ、例えばサーモモジュール又は、冷媒流路等の冷却機
構、抵抗発熱体等の加熱機構等が内蔵された温調プレー
ト５５と、当該温調プレート５５に対してウエハＷの受
け渡しを行うための例えば昇降ピン機構５６と、を備え
ている。
すように、サブ搬送アーム５側の側面及びメイン搬送ア
ーム４側の側面に夫々搬送口５４a，５４ｂを有する筐
体５４と、この筐体５４内に設けられた、ウエハＷを載
置して所定の温度に調整するための、例えばアルミニウ
ムやセラミックスより等からなるプレートより構成さ
れ、例えばサーモモジュール又は、冷媒流路等の冷却機
構、抵抗発熱体等の加熱機構等が内蔵された温調プレー
ト５５と、当該温調プレート５５に対してウエハＷの受
け渡しを行うための例えば昇降ピン機構５６と、を備え
ている。
【００２７】前記出力用受け渡しユニット６２及び入力
用受け渡しユニット６４は、前記メイン搬送アーム４と
サブ搬送アーム５との間でウエハＷの受け渡しを行う受
け渡し部をなすものであり、これらメイン搬送アーム４
及びサブ搬送アーム５がアクセス可能な位置に配置され
ている。つまり例えば図６及び図９に示すように、下方
側の出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユ
ニット６４は例えば下から２個目の温調ユニット６１の
上面に２つ並んで設けられ、前記サブ搬送アーム５はこ
れら２つの受け渡しユニット６２，６４のほぼ中央に対
向する位置に配置される。また上方側の入力受け渡しユ
ニット６４と待避ステージ６０は２個のバッファカセッ
ト６３の上面に２つ並んで設けられ、前記サブ搬送アー
ム５はこれら２つの受け渡しユニット６２，６４のほぼ
中央に対向する位置に配置される。
用受け渡しユニット６４は、前記メイン搬送アーム４と
サブ搬送アーム５との間でウエハＷの受け渡しを行う受
け渡し部をなすものであり、これらメイン搬送アーム４
及びサブ搬送アーム５がアクセス可能な位置に配置され
ている。つまり例えば図６及び図９に示すように、下方
側の出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユ
ニット６４は例えば下から２個目の温調ユニット６１の
上面に２つ並んで設けられ、前記サブ搬送アーム５はこ
れら２つの受け渡しユニット６２，６４のほぼ中央に対
向する位置に配置される。また上方側の入力受け渡しユ
ニット６４と待避ステージ６０は２個のバッファカセッ
ト６３の上面に２つ並んで設けられ、前記サブ搬送アー
ム５はこれら２つの受け渡しユニット６２，６４のほぼ
中央に対向する位置に配置される。
【００２８】そして前記温調ユニット６１又はバッファ
カセット６３の上面に、前記メイン搬送アーム４のアー
ム４１と、サブ搬送アーム５のアーム５１が当該受け渡
しユニット６２，６４との間でウエハＷの受け渡しを行
う位置に進出したときに、これらアーム４１，５１と干
渉しない位置に形成された複数個例えば３個の突部５７
（５８）を備えて構成されている。
カセット６３の上面に、前記メイン搬送アーム４のアー
ム４１と、サブ搬送アーム５のアーム５１が当該受け渡
しユニット６２，６４との間でウエハＷの受け渡しを行
う位置に進出したときに、これらアーム４１，５１と干
渉しない位置に形成された複数個例えば３個の突部５７
（５８）を備えて構成されている。
【００２９】ここで待避ステージ６０は、サブ搬送アー
ム５が一時的にウエハＷを載置するためのステージであ
り、例えば停電時等のように、ウエハＷが搬送アームに
載置されている状態で電源が切られた場合、次の装置の
立ち上げ時に、サブ搬送アーム５にウエハの回収動作を
行わせるときに使用され、例えばサブ搬送アーム５が一
時的にこの待避ステージ６０にウエハＷを置き、その他
のユニットにアクセスしてウエハＷの回収が行われる。
このため待避ステージ６０は受け渡しユニット６２，６
４と同様に構成される。
ム５が一時的にウエハＷを載置するためのステージであ
り、例えば停電時等のように、ウエハＷが搬送アームに
載置されている状態で電源が切られた場合、次の装置の
立ち上げ時に、サブ搬送アーム５にウエハの回収動作を
行わせるときに使用され、例えばサブ搬送アーム５が一
時的にこの待避ステージ６０にウエハＷを置き、その他
のユニットにアクセスしてウエハＷの回収が行われる。
このため待避ステージ６０は受け渡しユニット６２，６
４と同様に構成される。
【００３０】前記バッファカセット６３は基板載置部を
なすものであり、収納容器６６内に所定枚数のウエハＷ
を棚状に保持可能に構成されている。これらバッファカ
セット６３は、サブ搬送アーム５との間でウエハＷの受
け渡しを行うために、例えばサブ搬送アーム５によりア
クセスできるように、前記容器６６のサブ搬送アーム５
に対する面は開口され、この内部にウエハＷの周縁部を
保持する棚部６７が縦に所定間隔で形成されており、こ
れによりウエハＷが縦に配列された状態で保持されるよ
うになっている。
なすものであり、収納容器６６内に所定枚数のウエハＷ
を棚状に保持可能に構成されている。これらバッファカ
セット６３は、サブ搬送アーム５との間でウエハＷの受
け渡しを行うために、例えばサブ搬送アーム５によりア
クセスできるように、前記容器６６のサブ搬送アーム５
に対する面は開口され、この内部にウエハＷの周縁部を
保持する棚部６７が縦に所定間隔で形成されており、こ
れによりウエハＷが縦に配列された状態で保持されるよ
うになっている。
【００３１】ここで前記３つの受け渡しユニットのう
ち、２つがインターフェイス部Ｓ２への入力用受け渡し
部、残りの１つが出力用受け渡しユニットに割り当てら
れればよく、温調ユニット６１の上面に形成された２つ
の受け渡しユニットを入力用受け渡しユニットとし、バ
ッファカセット６３の上面に形成された受け渡しユニッ
トを出力用受け渡しユニットとするようにしてもよい。
またバッファカセット６３の上面に２つの受け渡しユニ
ットを形成し、受け渡しユニット６１の上面に待避ステ
ージと１つの受け渡しユニットを形成するようにしても
よく、待避ステージ６０を設けるない構成としてもよ
い。
ち、２つがインターフェイス部Ｓ２への入力用受け渡し
部、残りの１つが出力用受け渡しユニットに割り当てら
れればよく、温調ユニット６１の上面に形成された２つ
の受け渡しユニットを入力用受け渡しユニットとし、バ
ッファカセット６３の上面に形成された受け渡しユニッ
トを出力用受け渡しユニットとするようにしてもよい。
またバッファカセット６３の上面に２つの受け渡しユニ
ットを形成し、受け渡しユニット６１の上面に待避ステ
ージと１つの受け渡しユニットを形成するようにしても
よく、待避ステージ６０を設けるない構成としてもよ
い。
【００３２】前記周辺露光装置６５は、ウエハＷについ
て、回路形成領域の外側の周辺領域のレジストを除去す
るために当該周辺部の露光を行うものであり、例えば図
１０に示すように、サブ搬送アーム５側の側面に搬送口
７１ａを有する筐体７１と、この筐体７１内に設けられ
た、ウエハＷを載置するための載置台７２と、この載置
台７２を回転自在かつＸ及びＹ方向に移動自在とする駆
動機構７３と、ウエハＷの周辺部に対向するように設け
られた露光手段７４と、ウエハＷの周縁部を検出するた
めにウエハＷの通過領域を上下に挟むように設けられた
ラインセンサー７４と、を備えている。
て、回路形成領域の外側の周辺領域のレジストを除去す
るために当該周辺部の露光を行うものであり、例えば図
１０に示すように、サブ搬送アーム５側の側面に搬送口
７１ａを有する筐体７１と、この筐体７１内に設けられ
た、ウエハＷを載置するための載置台７２と、この載置
台７２を回転自在かつＸ及びＹ方向に移動自在とする駆
動機構７３と、ウエハＷの周辺部に対向するように設け
られた露光手段７４と、ウエハＷの周縁部を検出するた
めにウエハＷの通過領域を上下に挟むように設けられた
ラインセンサー７４と、を備えている。
【００３３】こうしてこの例では、棚ユニットＵ４の各
ユニットに対しては、メイン搬送アーム４は、入力用受
け渡しユニット６４，出力用受け渡しユニット６２，温
調ユニット６１に対してアクセスでき、サブ搬送アーム
５は、入力用受け渡しユニット６４，出力用受け渡しユ
ニット６２，温調ユニット６１，バッファカセット６
３，周辺露光装置６５、待避ステージ６０に対してアク
セスできるようになっている。但しこの例に限らず、メ
イン搬送アーム４も待避ステージ６０にアクセスできる
ように構成してもよいし、温調ユニット６１はサブ搬送
アーム５のみがアクセスできるように構成してもよい。
ユニットに対しては、メイン搬送アーム４は、入力用受
け渡しユニット６４，出力用受け渡しユニット６２，温
調ユニット６１に対してアクセスでき、サブ搬送アーム
５は、入力用受け渡しユニット６４，出力用受け渡しユ
ニット６２，温調ユニット６１，バッファカセット６
３，周辺露光装置６５、待避ステージ６０に対してアク
セスできるようになっている。但しこの例に限らず、メ
イン搬送アーム４も待避ステージ６０にアクセスできる
ように構成してもよいし、温調ユニット６１はサブ搬送
アーム５のみがアクセスできるように構成してもよい。
【００３４】さらにインターフェイス部Ｓ２は、図１１
に示すように空間が閉じられている。つまり左右が装置
本体の外装体である壁部分であり、隣の処理部Ｓ１と露
光装置２００との間に仕切り壁８１，８１が設けられて
いる。そして天井部８２に清浄気体フィルタユニットな
すフィルタユニットＦを備えており、インターフェイス
部Ｓ２内の雰囲気が回収されて工場排気系に排気される
一方、一部が不純物除去装置としてのフィルタ装置８３
へ導入され、このフィルタ装置８３において清浄化され
た空気が前記フィルタユニットＦを通って天井部８２の
通気孔８４を介してインターフェイス部Ｓ２の内部に入
っていき、インターフェイス部Ｓ２内にダウンフローを
形成するように構成されている。
に示すように空間が閉じられている。つまり左右が装置
本体の外装体である壁部分であり、隣の処理部Ｓ１と露
光装置２００との間に仕切り壁８１，８１が設けられて
いる。そして天井部８２に清浄気体フィルタユニットな
すフィルタユニットＦを備えており、インターフェイス
部Ｓ２内の雰囲気が回収されて工場排気系に排気される
一方、一部が不純物除去装置としてのフィルタ装置８３
へ導入され、このフィルタ装置８３において清浄化され
た空気が前記フィルタユニットＦを通って天井部８２の
通気孔８４を介してインターフェイス部Ｓ２の内部に入
っていき、インターフェイス部Ｓ２内にダウンフローを
形成するように構成されている。
【００３５】前記フィルタユニットＦは、空気を清浄化
するためのフィルタ、空気中のアルカリ成分例えばアン
モニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加され
ている化学フィルタ等を備えたフィルタ部８５及び吸い
込みファン８６等を備えている。またフィルタ装置８３
は、不純物を除去するための不純物除去部や、空気を所
定の温度及び湿度に調整して送出する調整部等を備えて
いる。ここでこの例ではインターフェイス部Ｓ２内に
は、不純物が除去され、所定の温湿度条件に調整された
空気が送出される様に構成したが、フィルタユニットＦ
にインターフェイス部Ｓ２の外部からの空気を取り込
み、フィルタユニットＦを介してインターフェイス部Ｓ
２の内部に通流させるようにしてもよい。図中８７は、
処理部Ｓ２の棚ユニットＵ３又は露光装置２００の受け
渡しステージ２１０との間でウエハＷの受け渡しを行う
ためのウエハ搬送口（露光装置２００側は図示せず）で
ある。
するためのフィルタ、空気中のアルカリ成分例えばアン
モニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加され
ている化学フィルタ等を備えたフィルタ部８５及び吸い
込みファン８６等を備えている。またフィルタ装置８３
は、不純物を除去するための不純物除去部や、空気を所
定の温度及び湿度に調整して送出する調整部等を備えて
いる。ここでこの例ではインターフェイス部Ｓ２内に
は、不純物が除去され、所定の温湿度条件に調整された
空気が送出される様に構成したが、フィルタユニットＦ
にインターフェイス部Ｓ２の外部からの空気を取り込
み、フィルタユニットＦを介してインターフェイス部Ｓ
２の内部に通流させるようにしてもよい。図中８７は、
処理部Ｓ２の棚ユニットＵ３又は露光装置２００の受け
渡しステージ２１０との間でウエハＷの受け渡しを行う
ためのウエハ搬送口（露光装置２００側は図示せず）で
ある。
【００３６】またインターフェイス部Ｓ３のメイン搬送
アーム４の上方側には、隔壁８８で区画された部分にエ
レキユニットＥが設けられており、フィルタユニットＦ
からの空気の一部が隔壁の内側を通ってインターフェイ
ス部Ｓ２の内部に通流していくようになっている。サブ
搬送アーム５の上方側には、隔壁８９で区画された部分
にランプユニットＬが設けられており、またインターフ
ェイス部Ｓ２の天井部８２のフィルタユニットＦに隣接
する空間には、エレキユニットＥと膜厚測定器９とが縦
に配列されて設けられている。
アーム４の上方側には、隔壁８８で区画された部分にエ
レキユニットＥが設けられており、フィルタユニットＦ
からの空気の一部が隔壁の内側を通ってインターフェイ
ス部Ｓ２の内部に通流していくようになっている。サブ
搬送アーム５の上方側には、隔壁８９で区画された部分
にランプユニットＬが設けられており、またインターフ
ェイス部Ｓ２の天井部８２のフィルタユニットＦに隣接
する空間には、エレキユニットＥと膜厚測定器９とが縦
に配列されて設けられている。
【００３７】前記エレキユニットＥには、メイン搬送ア
ーム４やサブ搬送アーム５、温調ユニット６１、周辺露
光装置６５等の駆動系の電源部や、これらの電力制御等
を行うためのコントローラ、これらに電力を分配するた
めの配電盤等の電気関係の設備が収納されており、前記
ランプユニットＬには、ランプ、集光用のミラーやこれ
らの制御を行うためのコントローラ等が収納されてい
る。
ーム４やサブ搬送アーム５、温調ユニット６１、周辺露
光装置６５等の駆動系の電源部や、これらの電力制御等
を行うためのコントローラ、これらに電力を分配するた
めの配電盤等の電気関係の設備が収納されており、前記
ランプユニットＬには、ランプ、集光用のミラーやこれ
らの制御を行うためのコントローラ等が収納されてい
る。
【００３８】前記膜厚測定器９は、例えば落射照明型顕
微鏡、分光器及びデータ処理部を含む光干渉式膜厚計と
により構成され、この光干渉式膜厚計においては、光源
から対物レンズを経てウエハに照射され、ここで反射さ
れた光を分光器に入射し、ここに入射された反射スペク
トルをコンピュータで解析することにより膜厚が検出さ
れる。
微鏡、分光器及びデータ処理部を含む光干渉式膜厚計と
により構成され、この光干渉式膜厚計においては、光源
から対物レンズを経てウエハに照射され、ここで反射さ
れた光を分光器に入射し、ここに入射された反射スペク
トルをコンピュータで解析することにより膜厚が検出さ
れる。
【００３９】このような塗布、現像装置では、先ず外部
からキャリアＣがキャリア載置部２２に搬入され、受け
渡し手段２３によりこのキャリアＣ内からウエハＷが取
り出される。ウエハＷは、受け渡し手段２３から棚ユニ
ットＵ２の受け渡しユニット２７ａを介して主搬送手段
２４に受け渡され、更に棚ユニットＵ２（あるいはＵ
１、Ｕ３）の処理ユニットに順次搬送されて、所定の処
理例えば疎水化処理、冷却処理などが行われる。続いて
このウエハＷは塗布ユニット３Ａにてレジスト液が塗布
され更に加熱処理されてレジスト液の溶剤が揮発された
後、棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６で冷却され、こ
の冷却ユニット２６のウエハＷは、インターフェイス部
Ｓ２のメイン搬送アーム４によりインターフェイス部Ｓ
２内の入力用受け渡しユニット６４に搬送される。
からキャリアＣがキャリア載置部２２に搬入され、受け
渡し手段２３によりこのキャリアＣ内からウエハＷが取
り出される。ウエハＷは、受け渡し手段２３から棚ユニ
ットＵ２の受け渡しユニット２７ａを介して主搬送手段
２４に受け渡され、更に棚ユニットＵ２（あるいはＵ
１、Ｕ３）の処理ユニットに順次搬送されて、所定の処
理例えば疎水化処理、冷却処理などが行われる。続いて
このウエハＷは塗布ユニット３Ａにてレジスト液が塗布
され更に加熱処理されてレジスト液の溶剤が揮発された
後、棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６で冷却され、こ
の冷却ユニット２６のウエハＷは、インターフェイス部
Ｓ２のメイン搬送アーム４によりインターフェイス部Ｓ
２内の入力用受け渡しユニット６４に搬送される。
【００４０】次いで入力用受け渡しユニット６４のウエ
ハＷは、サブ搬送アーム５により周辺露光装置６５に搬
送され、ウエハＷの周辺部の露光が行われた後、サブ搬
送アーム５によりバッファカセット６３に搬送される。
この後サブ搬送アーム５により温調ユニット６１に搬送
されて、露光装置２００の露光処理によって設定され
た、露光処理に適した温度に温度調整例えば冷却され
る。
ハＷは、サブ搬送アーム５により周辺露光装置６５に搬
送され、ウエハＷの周辺部の露光が行われた後、サブ搬
送アーム５によりバッファカセット６３に搬送される。
この後サブ搬送アーム５により温調ユニット６１に搬送
されて、露光装置２００の露光処理によって設定され
た、露光処理に適した温度に温度調整例えば冷却され
る。
【００４１】この温調ユニット６１のウエハＷはメイン
搬送アーム４により取り出されて、露光装置２００の受
け渡しステージ２１０に搬送される。この後露光装置２
００にて所定の露光処理が行われたウエハＷは、露光装
置２００の受け渡しステージ２１０→インターフェイス
部Ｓ２のメイン搬送アーム４→処理部Ｓ１の棚ユニット
Ｕ３の受け渡しユニット２７ｂの経路で処理部Ｓ１に戻
され、主搬送手段２４により現像ユニット３Ｂに搬送さ
れ、現像処理される。なお詳しくは、ウエハＷは、現像
処理の前に加熱処理及び冷却処理される。現像処理され
たウエハＷは上述と逆の経路で受け渡し手段２３に受け
渡され、キャリア載置部２２に載置されている元のキャ
リアＣに戻される。
搬送アーム４により取り出されて、露光装置２００の受
け渡しステージ２１０に搬送される。この後露光装置２
００にて所定の露光処理が行われたウエハＷは、露光装
置２００の受け渡しステージ２１０→インターフェイス
部Ｓ２のメイン搬送アーム４→処理部Ｓ１の棚ユニット
Ｕ３の受け渡しユニット２７ｂの経路で処理部Ｓ１に戻
され、主搬送手段２４により現像ユニット３Ｂに搬送さ
れ、現像処理される。なお詳しくは、ウエハＷは、現像
処理の前に加熱処理及び冷却処理される。現像処理され
たウエハＷは上述と逆の経路で受け渡し手段２３に受け
渡され、キャリア載置部２２に載置されている元のキャ
リアＣに戻される。
【００４２】このような塗布、現像装置では、インター
フェイス部Ｓ２内に温調ユニット６１を設け、周辺露光
を行ってウエハＷの温度が上昇した場合でも、露光処理
に適した温度にウエハ温度を調整してから露光装置２０
０へ搬送しているので、露光処理の際のウエハＷの温度
が揃えられ、熱影響を抑えて露光処理を安定した状態で
行うことができるので、露光処理の歩留まりの向上が図
れ、結果として生産性が向上する。
フェイス部Ｓ２内に温調ユニット６１を設け、周辺露光
を行ってウエハＷの温度が上昇した場合でも、露光処理
に適した温度にウエハ温度を調整してから露光装置２０
０へ搬送しているので、露光処理の際のウエハＷの温度
が揃えられ、熱影響を抑えて露光処理を安定した状態で
行うことができるので、露光処理の歩留まりの向上が図
れ、結果として生産性が向上する。
【００４３】また上述の例では、処理部Ｓ１とインター
フェイス部Ｓ２との間及びインターフェイス部Ｓ２と露
光装置Ｓ４との間のウエハＷの受け渡しをメイン搬送ア
ーム４で行い、インターフェイス部Ｓ２内の棚ユニット
Ｕ４の各ユニット同士の搬送をサブ搬送アーム５で行な
うようにし、２つの搬送アームでインターフェイス部Ｓ
２内での搬送工程を分担して行うようにしたので、１つ
の搬送アームが行う工程数が減少し、搬送アームの処理
能力が向上する。このためインターフェイス部Ｓ２に周
辺露光装置６５や温調ユニット６１を設けた場合におい
ても、スループットを向上させることができる。
フェイス部Ｓ２との間及びインターフェイス部Ｓ２と露
光装置Ｓ４との間のウエハＷの受け渡しをメイン搬送ア
ーム４で行い、インターフェイス部Ｓ２内の棚ユニット
Ｕ４の各ユニット同士の搬送をサブ搬送アーム５で行な
うようにし、２つの搬送アームでインターフェイス部Ｓ
２内での搬送工程を分担して行うようにしたので、１つ
の搬送アームが行う工程数が減少し、搬送アームの処理
能力が向上する。このためインターフェイス部Ｓ２に周
辺露光装置６５や温調ユニット６１を設けた場合におい
ても、スループットを向上させることができる。
【００４４】つまり従来では、インターフェイス部Ｓ２
では１つの搬送アームしか設けられていなかったので、
この搬送アームにより処理部の冷却ユニット→インター
フェイス部の周辺露光装置→バッファカセット→露光装
置の受け渡しステージの搬送を行っていた。一方本発明
では、メイン搬送アーム４により処理部Ｓ１の冷却ユニ
ット２６→インターフェイス部Ｓ２の入力用受け渡しユ
ニット６４の搬送を行い、この後サブ搬送アーム５によ
り、インターフェイス部の周辺露光装置６５→バッファ
カセット６３→温調ユニット６１の搬送を行い、次いで
メイン搬送アーム４により露光装置２００の受け渡しス
テージ２１０へウエハＷを搬送している。この場合トー
タルの工程数は従来の手法よりも多いが、サブ搬送アー
ム５は本発明のメイン搬送アーム４や従来の搬送アーム
より、駆動軸が１軸少なく、動作が早いので、メイン搬
送アーム４とサブ搬送アーム５とにより工程数を分担し
ていること、サブ搬送アーム５の動作が早いことから、
結果として搬送アームの処理能力が高まり、スループッ
トの向上が図れる。
では１つの搬送アームしか設けられていなかったので、
この搬送アームにより処理部の冷却ユニット→インター
フェイス部の周辺露光装置→バッファカセット→露光装
置の受け渡しステージの搬送を行っていた。一方本発明
では、メイン搬送アーム４により処理部Ｓ１の冷却ユニ
ット２６→インターフェイス部Ｓ２の入力用受け渡しユ
ニット６４の搬送を行い、この後サブ搬送アーム５によ
り、インターフェイス部の周辺露光装置６５→バッファ
カセット６３→温調ユニット６１の搬送を行い、次いで
メイン搬送アーム４により露光装置２００の受け渡しス
テージ２１０へウエハＷを搬送している。この場合トー
タルの工程数は従来の手法よりも多いが、サブ搬送アー
ム５は本発明のメイン搬送アーム４や従来の搬送アーム
より、駆動軸が１軸少なく、動作が早いので、メイン搬
送アーム４とサブ搬送アーム５とにより工程数を分担し
ていること、サブ搬送アーム５の動作が早いことから、
結果として搬送アームの処理能力が高まり、スループッ
トの向上が図れる。
【００４５】さらに上述の例では、インターフェイス部
Ｓ２内に温湿度調整した空気のダウンフローを形成する
ようにしたので、インターフェイス部Ｓ２内に周辺露光
装置６５や温調ユニット６１を設けたとしても、これら
からの熱影響が抑えられて当該インターフェイス部Ｓ２
内の温度が安定し、露光装置２００へ搬送する前のウエ
ハＷや、露光後に処理部Ｓ１に搬送する前のウエハＷの
温度が、インターフェイス部Ｓ２内の雰囲気によって変
化するといったことが抑えられ、その後の処理に対する
熱影響をより低減することができる。
Ｓ２内に温湿度調整した空気のダウンフローを形成する
ようにしたので、インターフェイス部Ｓ２内に周辺露光
装置６５や温調ユニット６１を設けたとしても、これら
からの熱影響が抑えられて当該インターフェイス部Ｓ２
内の温度が安定し、露光装置２００へ搬送する前のウエ
ハＷや、露光後に処理部Ｓ１に搬送する前のウエハＷの
温度が、インターフェイス部Ｓ２内の雰囲気によって変
化するといったことが抑えられ、その後の処理に対する
熱影響をより低減することができる。
【００４６】さらにまたエレキユニットＥが設けられて
いる隔壁８８の内部にもフィルタユニットＦからの空気
のダウンフローを形成するようにしたので、この空気の
通流により当該隔壁８８の温度上昇が抑えられる。これ
により結果としてインターフェイス部Ｓ２内の温度の上
昇を防止することができて、当該インターフェイス部Ｓ
２内の温度の安定化を図ることができる。この際、イン
ターフェイス部Ｓ２内に温湿度調整した空気のダウンフ
ローを形成するのではなく、外部の空気をフィルタユニ
ットＦを介して取り込むことによってダウンフローを形
成する場合であっても、空気の通流によりインターフェ
イス部Ｓ２内の温度の安定化は図れるので、同様の効果
は得られる。
いる隔壁８８の内部にもフィルタユニットＦからの空気
のダウンフローを形成するようにしたので、この空気の
通流により当該隔壁８８の温度上昇が抑えられる。これ
により結果としてインターフェイス部Ｓ２内の温度の上
昇を防止することができて、当該インターフェイス部Ｓ
２内の温度の安定化を図ることができる。この際、イン
ターフェイス部Ｓ２内に温湿度調整した空気のダウンフ
ローを形成するのではなく、外部の空気をフィルタユニ
ットＦを介して取り込むことによってダウンフローを形
成する場合であっても、空気の通流によりインターフェ
イス部Ｓ２内の温度の安定化は図れるので、同様の効果
は得られる。
【００４７】さらにインターフェイス部Ｓ２に周辺露光
装置６５や温調ユニット６１を設け、２つの搬送アーム
を設けた場合であっても、棚ユニットＵ４を挟んでメイ
ン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とが向かい合うよう
にこれらを略一直線状に配置することにより、各部の配
置場所の確保をインターフェイス部Ｓ２を塗布、現像装
置１００の奥行き方向（図１中Ｘ方向で示す、キャリア
ステーションのキャリアの配列方向と略直交する方向）
に伸ばすことにより行っているので、フットプリントの
増大を防ぐことができる。
装置６５や温調ユニット６１を設け、２つの搬送アーム
を設けた場合であっても、棚ユニットＵ４を挟んでメイ
ン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とが向かい合うよう
にこれらを略一直線状に配置することにより、各部の配
置場所の確保をインターフェイス部Ｓ２を塗布、現像装
置１００の奥行き方向（図１中Ｘ方向で示す、キャリア
ステーションのキャリアの配列方向と略直交する方向）
に伸ばすことにより行っているので、フットプリントの
増大を防ぐことができる。
【００４８】続いて上述の塗布、現像装置のインターフ
ェイス部Ｓ２におけるウエハ搬送の他の例について説明
する。つまりインターフェイス部Ｓ２では、処理部Ｓ１
の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬送ア
ーム４で受け取ったウエハＷを入力用受け渡しユニット
６４→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→サブ搬送
アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→
温調ユニット６１→メイン搬送アーム４→露光装置２０
０→メイン搬送アーム４→入力用受け渡しユニット６４
→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送
アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送フローで
ウエハＷを搬送するようにしてもよい。
ェイス部Ｓ２におけるウエハ搬送の他の例について説明
する。つまりインターフェイス部Ｓ２では、処理部Ｓ１
の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬送ア
ーム４で受け取ったウエハＷを入力用受け渡しユニット
６４→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→サブ搬送
アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→
温調ユニット６１→メイン搬送アーム４→露光装置２０
０→メイン搬送アーム４→入力用受け渡しユニット６４
→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送
アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送フローで
ウエハＷを搬送するようにしてもよい。
【００４９】またインターフェイス部Ｓ２では、処理部
Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬
送アーム４で受け取ったウエハＷを、入力用受け渡しユ
ニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３
→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送ア
ーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力用
受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→周辺露光装
置６５→サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６
２の搬送フローでウエハＷを搬送するようにしてもよ
い。
Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬
送アーム４で受け取ったウエハＷを、入力用受け渡しユ
ニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３
→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送ア
ーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力用
受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→周辺露光装
置６５→サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６
２の搬送フローでウエハＷを搬送するようにしてもよ
い。
【００５０】さらにインターフェイス部Ｓ２では、処理
部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン
搬送アーム４で受け取ったウエハＷを、入力用受け渡し
ユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６
３→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送
アーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力
用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファ
カセット６３→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→
サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送
フローでウエハＷを搬送するようにしてもよい。
部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン
搬送アーム４で受け取ったウエハＷを、入力用受け渡し
ユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６
３→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送
アーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力
用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファ
カセット６３→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→
サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送
フローでウエハＷを搬送するようにしてもよい。
【００５１】ここで上述の塗布、現像装置のインターフ
ェイス部Ｓ２では、スループットの向上を図るために、
メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５との搬送を次の
ように制御することが望ましい。
ェイス部Ｓ２では、スループットの向上を図るために、
メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５との搬送を次の
ように制御することが望ましい。
【００５２】この搬送制御は、メイン搬送アーム４から
入力用受け渡しユニット６４を介してサブ搬送アーム５
にウエハＷを受け渡す場合には、サブ搬送アーム５が入
力用受け渡しユニット６２から先に搬送されたウエハＷ
を取り出さないと、メイン搬送アーム４が当該入力用受
け渡しユニット６２へのウエハＷの搬送を開始すること
ができないという点を解消するためになされたものであ
り、このためメイン搬送アーム４のウエハ搬送先が入力
用受け渡しユニット６２である場合であって、この受け
渡しユニット６２にウエハＷが載置されている場合に、
当該受け渡しユニット６２からサブ搬送アーム５が先に
搬送されたウエハＷの取り出しを開始すると同時にメイ
ン搬送アーム４もウエハＷの搬送を開始するように、メ
イン搬送アーム４とサブ搬送アーム５の駆動系の動作を
制御するものである。このようにメイン搬送アーム４と
サブ搬送アーム５との搬送制御を行うと、メイン搬送ア
ーム４がウエハＷの搬送を待機している時間が短くなる
ので、その分スループットの向上を図ることができる。
入力用受け渡しユニット６４を介してサブ搬送アーム５
にウエハＷを受け渡す場合には、サブ搬送アーム５が入
力用受け渡しユニット６２から先に搬送されたウエハＷ
を取り出さないと、メイン搬送アーム４が当該入力用受
け渡しユニット６２へのウエハＷの搬送を開始すること
ができないという点を解消するためになされたものであ
り、このためメイン搬送アーム４のウエハ搬送先が入力
用受け渡しユニット６２である場合であって、この受け
渡しユニット６２にウエハＷが載置されている場合に、
当該受け渡しユニット６２からサブ搬送アーム５が先に
搬送されたウエハＷの取り出しを開始すると同時にメイ
ン搬送アーム４もウエハＷの搬送を開始するように、メ
イン搬送アーム４とサブ搬送アーム５の駆動系の動作を
制御するものである。このようにメイン搬送アーム４と
サブ搬送アーム５との搬送制御を行うと、メイン搬送ア
ーム４がウエハＷの搬送を待機している時間が短くなる
ので、その分スループットの向上を図ることができる。
【００５３】またサブ搬送アーム５からメイン搬送アー
ム４にウエハＷを受け渡す場合にも同様の搬送制御を行
うようにしてもよく、この場合には、サブ搬送アーム５
のウエハ搬送先が出力用受け渡しユニット６４である場
合であって、この受け渡しユニット６４にウエハＷが載
置されている場合に、当該受け渡しユニット６４からメ
イン搬送アーム４がウエハＷの取り出しを開始すると同
時にサブ搬送アーム５もウエハＷの搬送を開始するよう
に、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５の駆動系の
動作が制御される。、 以上において本発明では、上述
の例に限らず、処理部Ｓ１から露光装置２００に搬送さ
れるウエハＷの温度を、インターフェイス部Ｓ２に設け
た温調ユニット６１により露光処理の際の最適ウエハ温
度に温度調整する構成であればよく、必ずしも周辺露光
処理を行なう必要はないし、露光処理を行った後に周辺
露光処理を行うようにしてもよい。また処理部Ｓ１から
露光装置２００に搬送されるウエハＷの温度が露光処理
の際の最適ウエハ温度よりも低い場合には、温度調整部
として加熱部を設け、ウエハＷを加熱することにより所
定の温度に調整するようにしてもよいし、必ずしもイン
ターフェイス部Ｓ２に周辺露光装置６５を設ける必要は
ない。
ム４にウエハＷを受け渡す場合にも同様の搬送制御を行
うようにしてもよく、この場合には、サブ搬送アーム５
のウエハ搬送先が出力用受け渡しユニット６４である場
合であって、この受け渡しユニット６４にウエハＷが載
置されている場合に、当該受け渡しユニット６４からメ
イン搬送アーム４がウエハＷの取り出しを開始すると同
時にサブ搬送アーム５もウエハＷの搬送を開始するよう
に、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５の駆動系の
動作が制御される。、 以上において本発明では、上述
の例に限らず、処理部Ｓ１から露光装置２００に搬送さ
れるウエハＷの温度を、インターフェイス部Ｓ２に設け
た温調ユニット６１により露光処理の際の最適ウエハ温
度に温度調整する構成であればよく、必ずしも周辺露光
処理を行なう必要はないし、露光処理を行った後に周辺
露光処理を行うようにしてもよい。また処理部Ｓ１から
露光装置２００に搬送されるウエハＷの温度が露光処理
の際の最適ウエハ温度よりも低い場合には、温度調整部
として加熱部を設け、ウエハＷを加熱することにより所
定の温度に調整するようにしてもよいし、必ずしもイン
ターフェイス部Ｓ２に周辺露光装置６５を設ける必要は
ない。
【００５４】さらにインターフェイス部Ｓ２に温調ユニ
ット６１を設け、この温調ユニット６１に対してメイン
搬送アーム４にてアクセスするようにしてもよい。さら
にまたインターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の構成
は上述の例に限らず、棚ユニットＵ４の各部に加熱部や
ＣＨＰ装置（Chilling Hot Plate)等を設けるように
してもよいし、周辺露光装置６５は処理部Ｓ１に設ける
ようにしてもよい。さらにメイン搬送アーム４により処
理部Ｓ１と棚ユニットＵ４と露光装置２００と受け渡し
ユニット６２，６４との間でウエハＷの受け渡しが行わ
れ、サブ搬送アーム５により棚ユニットＵ４に対してウ
エハＷの受け渡しが行われるレイアウトであれば、メイ
ン搬送アーム４と棚ユニットＵ４とサブ搬送アーム５と
はどのようにレイアウトしてもよいが、上述のように、
棚ユニットＵ４を挟んでメイン搬送アーム４とサブ搬送
アーム５とが向かい合うように略一直線状に配置すれ
ば、フットプリントを小さくすることができる。さらに
またバッファカセット６３はメイン搬送アーム４とサブ
搬送アーム５とに対向する２つの面が開口するタイプを
用いるようにしてもよい。さらにまた本発明で用いられ
る基板はＬＣＤ基板であってもよい。
ット６１を設け、この温調ユニット６１に対してメイン
搬送アーム４にてアクセスするようにしてもよい。さら
にまたインターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の構成
は上述の例に限らず、棚ユニットＵ４の各部に加熱部や
ＣＨＰ装置（Chilling Hot Plate)等を設けるように
してもよいし、周辺露光装置６５は処理部Ｓ１に設ける
ようにしてもよい。さらにメイン搬送アーム４により処
理部Ｓ１と棚ユニットＵ４と露光装置２００と受け渡し
ユニット６２，６４との間でウエハＷの受け渡しが行わ
れ、サブ搬送アーム５により棚ユニットＵ４に対してウ
エハＷの受け渡しが行われるレイアウトであれば、メイ
ン搬送アーム４と棚ユニットＵ４とサブ搬送アーム５と
はどのようにレイアウトしてもよいが、上述のように、
棚ユニットＵ４を挟んでメイン搬送アーム４とサブ搬送
アーム５とが向かい合うように略一直線状に配置すれ
ば、フットプリントを小さくすることができる。さらに
またバッファカセット６３はメイン搬送アーム４とサブ
搬送アーム５とに対向する２つの面が開口するタイプを
用いるようにしてもよい。さらにまた本発明で用いられ
る基板はＬＣＤ基板であってもよい。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、レジストが塗布された
基板をインターフェイス部内に設けられた温度調整部で
露光処理に適した温度に調整してから露光装置に搬送し
ているので、露光処理時の基板の温度が揃えられ、安定
した露光処理を行うことができ、露光処理の歩留まりの
向上が図られる。またインターフェイス部に、処理部と
露光装置との間で基板の搬送を行う第１の搬送手段と、
棚部の各ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手
段との２つの搬送手段を設けたので、露光装置に搬送す
る前に温度調整を行う場合であってもスループットの向
上を図ることができる。
基板をインターフェイス部内に設けられた温度調整部で
露光処理に適した温度に調整してから露光装置に搬送し
ているので、露光処理時の基板の温度が揃えられ、安定
した露光処理を行うことができ、露光処理の歩留まりの
向上が図られる。またインターフェイス部に、処理部と
露光装置との間で基板の搬送を行う第１の搬送手段と、
棚部の各ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手
段との２つの搬送手段を設けたので、露光装置に搬送す
る前に温度調整を行う場合であってもスループットの向
上を図ることができる。
【図１】本発明にかかる塗布、現像装置の実施の形態の
全体構成を示す平面図である。
全体構成を示す平面図である。
【図２】本発明にかかる塗布、現像装置の実施の形態の
概観を示す斜視図である。
概観を示す斜視図である。
【図３】塗布ユニットの主要部を示す縦断側面図であ
る。
る。
【図４】棚ユニットを示す縦断側面図である。
【図５】インターフェイス部を示すキャリアステーショ
ン側から見た断面図である。
ン側から見た断面図である。
【図６】インターフェイス部に設けられた棚ユニットの
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図７】前記棚ユニットを示すサブ搬送アーム側見た側
面図である。
面図である。
【図８】インターフェイス部に設けられた冷却ユニット
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】インターフェイス部に設けられたメイン搬送ア
ームとサブ搬送アームを示す平面図である。
ームとサブ搬送アームを示す平面図である。
【図１０】インターフェイス部に設けられた周辺露光装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図１１】インターフェイス部を示す外観斜視図であ
る。
る。
【図１２】従来の塗布、現像装置を示す平面図である。
【図１３】従来のインターフェイス部を示す側面図であ
る。
る。
１００ 塗布、現像装置 ２００ 露光装置 Ｗ 半導体ウエハ Ｓ１ 処理部 Ｓ２ インターフェイス部 Ｕ１〜Ｕ４ 棚ユニット Ｆ フィルタユニット ２２ キャリア載置部 ２４ 主搬送手段 ３Ａ 塗布ユニット ３Ｂ 現像ユニット ４ メイン搬送アーム ５ サブ搬送アーム ６０ 待避ステージ ６１ 温調ユニット ６２，６４ 受け渡しユニット ６５ 周辺露光装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小沢 誠司 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB20 EA05 2H096 AA25 CA14 EA27 GA29 5F031 CA02 CA05 DA17 FA01 FA11 FA12 FA15 GA37 GA43 GA49 MA02 MA07 MA24 MA27 NA02 NA04 NA05 5F046 AA21 AA28 CD01 CD05 JA22
Claims (19)
- 【請求項１】 複数枚の基板を保持したキャリアが載置
されるキャリア載置部と、 このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出さ
れた基板にレジストを塗布し、露光後の基板に対して現
像を行う処理部と、 前記処理部と、レジストが塗布された基板に露光処理を
行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うため
のインタ−フェイス部と、を備え、 前記インターフェイス部は、露光装置に搬送する前の基
板の温度を露光処理に適した温度に調整するための温度
調整部と、 前記処理部と前記温度調整部と前記露光装置との間で基
板の受け渡しを行う搬送手段と、を備えることを特徴と
する塗布、現像装置。 - 【請求項２】 前記インターフェイス部は、基板の回路
形成領域の外側の周辺領域の露光を行うための周辺露光
部を備え、前記搬送手段は、前記処理部と前記温度調整
部と前記周辺露光部と前記露光装置との間で基板の受け
渡しを行うことを特徴とする請求項１記載の塗布、現像
装置。 - 【請求項３】 前記温度調整部と周辺露光部とは多段に
積層されていることを特徴とする請求項２記載の塗布、
現像装置。 - 【請求項４】 複数枚の基板を保持したキャリアが載置
されるキャリア載置部と、 このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出さ
れた基板にレジストを塗布し、露光後の基板に対して現
像を行う処理部と、 前記処理部と、レジストが塗布された基板に露光処理を
行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うため
のインタ−フェイス部と、を備え、 前記インターフェイス部は、基板を保持又は処理するた
めの複数のユニットを備えた棚部と、 前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行
う第１の搬送手段と、 前記第１の搬送手段により処理部から搬送された基板を
受け取り、この基板を前記棚部の各ユニットに対して受
け渡す第２の搬送手段と、を備えることを特徴とする塗
布、現像装置。 - 【請求項５】 前記インターフェイス部の棚部は、前記
ユニットとして露光装置に搬送される前の基板の温度を
調整するための温度調整部を含み、当該温度調整部に対
して第１の搬送手段及び／又は第２の搬送手段により基
板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項４記載の塗
布、現像装置。 - 【請求項６】 前記インターフェイス部の棚部は、前記
ユニットとして基板の回路形成領域の外側の周辺領域の
露光を行うための周辺露光部を含み、当該周辺露光部に
対して第２の搬送手段により、前記第１の搬送手段によ
り処理部から搬送された基板を受け渡すことを特徴とす
る請求項４又は５記載の塗布、現像装置。 - 【請求項７】 前記インターフェイス部の棚部は、前記
ユニットとして第１の搬送手段と第２の搬送手段との間
で基板の受け渡しを行うための受け渡し部を含み、前記
第１の搬送手段により処理部及び露光装置と当該受け渡
し部との間で基板を搬送し、前記第２の搬送手段により
前記受け渡し部と棚部の各ユニットとの間で基板を搬送
することを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記
載の塗布、現像装置。 - 【請求項８】 前記温度調整部は、基板の回路形成領域
の外側の周辺領域の露光が行われた基板の温度を露光処
理に適した温度に調整するものであることを特徴とする
請求項１ないし７のいずれかに記載の塗布、現像装置。 - 【請求項９】 前記棚部の各ユニットは多段に積層され
ていることを特徴とする請求項４ないし８のいずれかに
記載の塗布、現像装置。 - 【請求項１０】 前記第１の搬送手段と第２の搬送手段
とは、キャリア載置部のキャリアの載置方向と略平行な
方向に、棚部を介して対向するように略一直線状に配設
されることを特徴とする請求項４ないし９のいずれかに
記載の塗布、現像装置。 - 【請求項１１】 前記第１の搬送手段は、基板を搬送す
るアームが昇降自在、進退自在、鉛直軸回りに回転自
在、水平１軸方向に移動自在に設けられていることを特
徴とする請求項４ないし１０のいずれかに記載の塗布、
現像装置。 - 【請求項１２】 前記第２の搬送手段は、基板を搬送す
るアームが昇降自在、進退自在、鉛直軸回りに回転自在
に設けられていることを特徴とする請求項４ないし１１
のいずれかに記載の塗布、現像装置。 - 【請求項１３】 前記インターフェイス部は、当該イン
ターフェイス部専用の清浄気体フィルタユニットを備え
ており、このインターフェイス部内には清浄気体フィル
タユニットを通過した気体のダウンフローが形成されて
いることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに
記載の塗布、現像装置。 - 【請求項１４】 前記インターフェイス部は、電気関係
の設備を収納するためのエレキユニットを備えており、
このエレキユニットが設けられている空間には前記清浄
気体フィルタユニットを通過した気体のダウンフローが
形成されていることを特徴とする請求項１ないし１３の
いずれかに記載の塗布、現像装置。 - 【請求項１５】 基板表面にレジストを塗布する工程
と、 レジストが塗布された基板を露光処理に適した温度に温
度調整を行う工程と、 前記温度調整が行われた基板に対して露光処理を行う工
程と、 露光後の基板を現像処理してレジストパターンを得る工
程と、含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項１６】 基板表面にレジストを塗布する工程
と、 レジストの塗布された基板の回路形成領域の外側の周辺
領域に対して露光処理を行う工程と、 前記周辺領域に対して露光処理が行われた基板を露光処
理に適した温度に温度調整する工程と、 前記温度調整された基板に対して露光処理を行う工程
と、 露光後の基板を現像処理してレジストパターンを得る工
程と、含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項１７】 基板表面にレジストを塗布する工程
と、 前記レジストが塗布された基板を露光処理に適した温度
に温度調整を行う工程と、 前記温度調整された基板に対して露光処理を行う工程
と、 前記露光処理が行われた基板の回路形成領域の外側の周
辺領域に対して露光処理を行う工程と、 次いで露光後の基板を現像処理してレジストパターンを
得る工程と、含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項１８】 レジストを塗布し、露光後の基板に対
して現像を行う処理部と、露光処理を行うための露光装
置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイ
ス部と、を備えた塗布、現像装置にて、基板表面にレジ
ストパターンを形成するパターン形成方法において、 前記処理部にて基板表面にレジストを塗布する工程と、 レジストの塗布された基板を処理部からインターフェイ
ス部に第１の搬送手段により搬送し、インターフェイス
部にて露光装置に搬送される前の基板を露光処理に適し
た温度に温度調整する工程と、 温度調整された基板をインターフェイス部から露光装置
に第１の搬送手段により搬送し、露光装置にてこの基板
に対して露光処理を行う工程と、 露光後の基板を露光装置からインターフェイス部を介し
て処理部に第１の搬送手段により搬送し、処理部にてこ
の基板に対して現像処理を行い、レジストパターンを得
る工程と、含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項１９】 レジストを塗布し、露光後の基板に対
して現像を行う処理部と、露光処理を行うための露光装
置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイ
ス部と、を備えた塗布、現像装置にて、基板表面にレジ
ストパターンを形成するパターン形成方法において、 前記処理部にて基板表面にレジストを塗布する工程と、 レジストの塗布された基板を処理部からインターフェイ
ス部に第１の搬送手段により搬送し、インターフェイス
部にてこの基板の回路形成領域の外側の周辺領域に対し
て露光処理を行う工程と、 周辺領域に対して露光処理が行われた基板を第２の搬送
手段により搬送し、インターフェイス部にてこの基板を
露光処理が適した温度に温度調整する工程と、 温度調整された基板をインターフェイス部から露光装置
に第１の搬送手段により搬送し、露光装置にてこの基板
に対して露光処理を行う工程と、 露光後の基板を露光装置からインターフェイス部を介し
て処理部に第１の搬送手段により搬送し、処理部にてこ
の基板に対して現像処理を行い、レジストパターンを得
る工程と、含むことを特徴とするパターン形成方法。
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