JP2014033226A - 塗布、現像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理ブロックの設置面積を抑えると共に装置の稼働効率の低下を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】塗布膜を形成用の単位ブロックを第１の塗布処理用の単位ブロック及び第２の塗布処理用の単位ブロックとして上下に互いに積層する。また現像処理用の単位ブロックを第１の現像処理用の単位ブロック及び第２の現像処理用の単位ブロックとして上下に互いに積層して処理ブロックを構成する。インターフェイスブロックは、受け渡し部が垂直多段に配置された受け渡し部の積層体と、受け渡し部間で基板を受け渡すために昇降する第１の搬送機構と、受け渡し部間で基板を受け渡すために昇降し、第1の搬送機構と共に前記受け渡し部の積層体を横方向に挟むように設けられた第２の搬送機構と、受け渡し部の積層体と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための第３の搬送機構とを備えるように塗布現像装置を構成する。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置に関する。

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。

処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。ウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールを受け渡されて処理を受ける。

ところで、より微細なパターンを形成し、さらに歩留りを低下させるために、前記処理ブロックに設置される処理モジュールは多様化している。例えば、基板にレジストを塗布するレジスト膜形成モジュールや現像液を供給する現像モジュールの他に、レジストが塗布されたウエハの裏面を洗浄する裏面洗浄モジュール、レジスト膜の上層に薬液を供給して更に膜を形成する上層用の液処理モジュールなどが設けられる場合が有る。これらの各種の処理モジュールを処理ブロックに搭載した上で、どのように塗布、現像装置の占有床面積を抑えるかが検討されている。

上記の単位ブロックを積層する構成は、前記占有床面積を抑えるために有効であるが、ウエハは順番に各単位ブロックに搬送されるので、１つの処理モジュールまたは単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに、塗布、現像装置の処理全体を停止しなければならない場合がある。そうなると、装置の稼働効率が低下してしまうという問題が有る。

特開２００７−１１５８３１

本発明はこのような事情の下になされたものであり、処理ブロックの設置面積を抑えると共に、単位ブロックに異常が発生したりメンテナンスを行うときに、塗布、現像装置の稼働効率の低下を抑えることができる技術を提供することにある。

本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ） 前記処理ブロックは、
前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、Ｎ（Ｎは２以上の整数）重化した積層体と、
前記積層体に対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを互に上下に積層して、Ｎ（Ｎは２以上の整数）重化した積層体と、を含み、
前記Ｎ重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
ｂ） 各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
ｃ） キャリアから払い出された基板を、塗布膜用の単位ブロックの受け渡し部に受け渡す受け渡し機構と、
ｄ） 基板の搬送を制御するための制御部と、
を備えたことを特徴とする。

処理ブロックの一例としては、
基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を含み、
前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールは、前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックの少なくとも一方に設けられ、
前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックのいずれについても各々Ｎ個用いてＮ重化されて積層されている構成を挙げることができる。

本発明によれば、レジスト膜を含む塗布膜を形成するための単位ブロックとして、塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを用い、この単位ブロックを互に上下に積層して、Ｎ（Ｎは２以上の整数）重化している。そしてこれら単位ブロック群に更に、上下にＮ重化された現像処理用の単位ブロックを積層している。このため、処理ブロックの奥行き寸法をほどよい大きさに設定しながら設置面積を小さくできる。また各単位ブロックをＮ重化していることから、一つの単位ブロックについて異常が発生したり、メンテナンスを行っているときでも他の単位ブロックを使用することができ、可動効率の低下を抑えることができる。

本発明の塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置の液処理モジュールの縦断側面図である。 インターフェイスブロックの縦断正面図である。 前記インターフェイスブロックに設けられる受け渡しモジュールの斜視図である。 前記前記塗布、現像装置の制御部の構成図である。 前記制御部のメモリのデータを示す模式図である。 前記制御部のメモリのデータを示す模式図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。 単位ブロックへの搬送が停止するまでのプロセスを示したフローチャートである。 異常が検出された場合におけるウエハの搬送経路を示す模式図である。 異常が検出された場合におけるウエハの搬送経路を示す模式図である。 処理モジュールへの搬送が停止するまでのプロセスを示したフローチャートである。 インターフェイスブロックの縦断正面図である。 インターフェイスブロックの他の縦断正面図である。 本発明の塗布、現像装置に用いられる処理ブロックの他のレイアウトを模式的に示す側面図である。 図１７に示す処理ブロックを使用した場合のウエハの搬送経路を示す説明図である。 本発明の塗布、現像装置に用いられる処理ブロックの他のレイアウトを模式的に示す側面図である。 本発明の塗布、現像装置に用いられる処理ブロックの他のレイアウトを模式的に示す側面図である。 本発明の塗布、現像装置に用いられる処理ブロックの他のレイアウトを模式的に示す側面図である。

本発明に係る塗布、現像装置１について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置１をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置１は、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、ウエハＷに対して、処理を行うための処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、を直線状に配列して構成されている。インターフェイスブロックＳ３には、液浸露光を行う露光装置Ｓ４が接続されている。

前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡しアーム１３とが設けられている。受け渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。後述の制御部はキャリアCのウエハＷに番号を割り当て、受け渡しアーム５は番号の小さいものから５枚ずつ順にウエハＷを処理ブロックＳ２の受け渡しモジュールＢＵ１へ一括で受け渡す。なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給または周縁露光などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。

キャリアブロックＳ１には、処理ブロックＳ２が接続されており、この処理ブロックＳ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６のブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されて構成されている。処理ブロックＳ２の概略縦断側面図である図４も参照しながら説明を続ける。前段処理用の単位ブロックである第１の単位ブロックＢ１及び第２の単位ブロックＢ２は同様に構成されており、ウエハＷに反射防止膜の形成及びレジスト膜の形成を行う。

後段処理用の単位ブロックである第３の単位ブロックＢ３及び第４の単位ブロックＢ４は同様に構成されており、液浸露光用の保護膜の形成及びウエハＷの裏面側洗浄を行う。現像処理用の単位ブロックである第５の単位ブロックＢ５及び第６の単位ブロックＢ６は同様に構成されており、液浸露光後のウエハＷに現像処理を行う。このようにウエハＷに同じ処理を行う単位ブロックが、二層ずつ設けられている。また、便宜上、第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４を塗布ブロック、第５〜第６の単位ブロックＢ５〜Ｂ６を現像ブロックと呼ぶ。

これら単位ブロックＢ１〜Ｂ６は、液処理モジュールと、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であるメインアームＡと、前記メインアームＡが移動する搬送領域Ｒ１と、を備えており、各単位ブロックＢでは、これらの配置レイアウトが同様に構成されている。各単位ブロックＢでは、メインアームＡにより互いに独立してウエハＷが搬送され、処理が行われる。前記搬送領域Ｒ１は、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へと伸びる直線搬送路である。図１では第１の単位ブロックＢ１について示しており、以下、代表してこの第１の単位ブロックＢ１について説明する。

この第１の単位ブロックＢ１の中央には、前記搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１をキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３側へ見た左右には液処理ユニット２１、棚ユニットＵ１〜Ｕ６が夫々配置されている。

液処理ユニット２１には、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２と、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２とが設けられており、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に向かってＢＣＴ１，ＢＣＴ２、ＣＯＴ１、ＣＯＴ２が、この順に配列されている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴはスピンチャック２２を備えており、スピンチャック２２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中２３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ２３は、スピンチャック２２の周囲を囲み、薬液の飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ２３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック２２に保持される。

また、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１，ＢＣＴ２には、これらのモジュールで共用されるノズル２４が設けられている。図中２５は、ノズル２４を支持するアームであり、図中２６は駆動機構である。駆動機構２６は、アーム２５を介してノズル２４を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム２５を介してノズル２４を昇降させる。駆動機構２６により、ノズル２４は反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１の処理カップ２３上と反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２の処理カップ２３上との間を移動し、各スピンチャック２２に受け渡されたウエハＷの中心に反射防止膜形成用の薬液を吐出する。供給された薬液は、前記スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、反射防止膜が成膜される。また、図示は省略しているが、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１，ＢＣＴ２は、ウエハＷの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。

レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１，ＢＣＴ２と同様に構成されている。つまり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２は各々ウエハＷを処理するための処理カップ２３及びスピンチャック２２を備えており、各処理カップ２３及びスピンチャック２２に対してノズル２４が共有されている。ただし、前記ノズル２４からは反射防止膜形成用の薬液の代わりにレジストが供給される。なお、ここでは１つの液処理モジュールごとに各処理カップ２３が設けられ、２つの液処理モジュールが１つのノズル２４を共有しているものとして説明しているが、１つの液処理モジュールが、１つのノズル２４と２つの処理カップ２３とを備え、ノズル２４が２つの処理カップ２３に共有されていると見ることもできる。

棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に向けて順に配列されている。各棚ユニットＵ１〜Ｕ５は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュールが例えば２段に積層されて構成されている。加熱モジュールはウエハＷを加熱する熱板と、加熱後にウエハＷを冷却する冷却プレートとを備えている。従って単位ブロックＢ１は１０基の加熱モジュールを備えており、各加熱モジュールはＨＰ１００〜ＨＰ１０９とする。棚ユニットＵ６は、レジスト塗布後のウエハＷに対して周縁露光を行う周縁露光モジュールＷＥＥ１、ＷＥＥ２が積層されて構成されている。

前記搬送領域Ｒ１には、前記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、処理ブロックＳ２の長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ１の全てのモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

他の単位ブロックについて説明する。第２の単位ブロックＢ２は、既述の第１の単位ブロックＢ１と同様に構成されており、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ３、ＢＣＴ４及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４が設けられている。また、各棚ユニットＵ１〜Ｕ５を構成する加熱モジュールとして、ＨＰ２００〜２０９の１０基が設けられている。棚ユニットＵ６を構成する周縁露光モジュールとして、ＷＥＥ３、ＷＥＥ４の２基が設けられている。

第３の単位ブロックＢ３は、第１の単位ブロックＢ１と略同様の構成であるが、差異点として、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２の代わりに液浸露光用の保護膜形成モジュールＴＣＴ１、ＴＣＴ２を備えている。また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２の代わりに裏面洗浄モジュールＢＳＴ１、ＢＳＴ２を備えている。保護膜形成モジュールＴＣＴ１、ＴＣＴ２は、ウエハＷに撥水性の保護膜を形成するための薬液を供給することを除いて、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様の構成である。つまり、各保護膜形成モジュールＴＣＴ１、ＴＣＴ２は、各々ウエハＷを処理するための処理カップ２３及びスピンチャック２２を備えており、ノズル２４がこれら２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に共有されている。

裏面洗浄モジュールＢＳＴ１、ＢＳＴ２は、ウエハＷの表面に薬液を供給するノズル２４が設けられる代わりに、ウエハＷの裏面及び周縁のベベル部に洗浄液を供給し、ウエハＷの裏面を洗浄するノズルが夫々個別に設けられる。このような違いを除いては、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様の構成である。なお、裏面洗浄モジュールＢＳＴはウエハＷの裏面側のみ、または前記ベベル部のみを洗浄するように構成されていてもよい。更に裏面洗浄モジュールＢＳＴ１、ＢＳＴ２は、洗浄液に加えてブラシ部材を用いて擦過作用によりウエハＷの裏面を洗浄するようにしてもよい。また、第３の単位ブロックＢ３の棚ユニットＵ６は、周縁露光モジュールＷＥＥの代わりに加熱モジュールにより構成されている。この棚ユニットＵ１〜Ｕ６の加熱モジュールは、ＨＰ３００〜３１１とする。

第４の単位ブロックＢ４は、既述の第３の単位ブロックＢ３と同様に構成されており、保護膜形成モジュールＴＣＴ３、ＴＣＴ４及び裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴＴ４が設けられている。第４の単位ブロックＢ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、加熱モジュールＨＰ４００〜４１１により構成されている。

第５の単位ブロックＢ５は、単位ブロックＢ１と略同様の構成であるが、差異点として、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４を備えている。現像モジュールＤＥＶは、ウエハＷにレジストの代わりに現像液を供給する他は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されている。また、第５の単位ブロックＢ５の棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、加熱モジュールＨＰ５００〜ＨＰ５１１により構成されている。

第６の単位ブロックＢ６は、単位ブロックＢ５と同様に構成されており、現像モジュールＤＥＶ５〜ＤＥＶ８が設けられている。また、第６の単位ブロックＢ６の棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、加熱モジュールＨＰ６００〜ＨＰ６１１により構成されている。

各単位ブロックの液処理ユニット２１において、ウエハＷに供給された薬液は、例えば塗布、現像装置の下方側に設けられた図示しない排液路に向かい排液される。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ及び保護膜形成モジュールＴＣＴでウエハＷに供給される薬液の粘度は、現像液の粘度よりも高い。従って、この実施形態のように現像モジュールＤＥＶを上側の単位ブロックに配置し、他の液処理モジュールを下側の単位ブロックに配置することで、各薬液を速やかに排液することができる。その結果として、各処理モジュールにおいて薬液が揮発することを防ぐことができるので、液処理ユニット２１内の処理環境が変化することが防ぐことができる。

搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側には、図１及び図３に示すように、各単位ブロックＢに跨った棚ユニットＵ７が設けられている。以下、棚ユニットＵ７の構成について説明する。棚ユニットＵ７は、互いに積層された複数のモジュールにより構成され、第１の単位ブロックＢ１のメインアームＡ１がアクセスできる高さ位置に、疎水化処理モジュールＡＤＨ１、ＡＤＨ２及び受け渡しモジュールＣＰＬ１〜ＣＰＬ３が設けられている。第２の単位ブロックＢ２のメインアームＡ２がアクセスできる高さ位置には、疎水化処理モジュールＡＤＨ３、ＡＤＨ４及び受け渡しモジュールＣＰＬ４〜ＣＰＬ６が設けられている。説明中、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。ＢＵと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを収容し、滞留させることができるように構成されている。

また、疎水化処理モジュールＡＤＨ１〜ＡＤＨ４は、ウエハＷに処理ガスを供給し、ウエハＷ表面の疎水性を向上させる。それによって、液浸露光時にウエハＷから各膜の剥がれを抑える。特にウエハＷのベベル部（周端部）の疎水性を向上させることにより、各液処理モジュールで当該周端部の膜が除去されてウエハＷの表面が剥き出しになった状態でも、当該表面が撥水作用を有し、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれを抑えるように処理が行われる。

また、単位ブロックＢ３、Ｂ４のメインアームＡ３、Ａ４がアクセスできる高さ位置に、受け渡しモジュールＣＰＬ７〜ＣＰＬ８、ＣＰＬ９〜ＣＰＬ１０が設けられている。さらに、キャリアブロックＳ１の受け渡しアーム１３がアクセスできる高さ位置に、受け渡しモジュールＢＵ１及びＣＰＬ０が設けられている。受け渡しモジュールＢＵ１は、既述の受け渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、上下方向に５つのウエハＷの保持部を備えている。受け渡しモジュールＣＰＬ０は、現像処理されたウエハＷをキャリアＣに戻すために使用される。

さらに、単位ブロックＢ５のメインアームＡ５がアクセスできる高さ位置に、受け渡しモジュールＣＰＬ１２〜ＣＰＬ１３及びＢＵ２が設けられており、単位ブロックＢ６のメインアームＡ６がアクセスできる位置に、受け渡しモジュールＣＰＬ１４〜ＣＰＬ１５及びＢＵ３が設けられている。

棚ユニットＵ７には検査モジュール３１が設けられている。単位ブロックＢ５、Ｂ６からウエハＷを搬出する際に、検査モジュール３１に搬入するウエハＷは受け渡しモジュールＢＵ２，ＢＵ３に搬送される。検査モジュール３１に搬入しないウエハＷについては、受け渡しモジュールＢＵ２、ＢＵ３を介さずにキャリアＣに戻される。このように経路が夫々設定されることによって、ウエハＷは番号順に、つまりキャリアＣからの搬出順にキャリアＣに戻るように、搬送が制御される。

また、処理ブロックＢ２において、棚ユニットＵ７の近傍には、昇降自在、進退自在な第１の受け渡し機構である受け渡しアーム３０が設けられており、棚ユニットＵ７の各モジュール間でウエハＷを搬送する。

前記検査モジュール３１について、より詳しく説明する。後述のように選択される検査モードに従って、検査モジュール３１にはレジスト膜形成後、露光前のウエハＷまたは現像処理後のウエハＷが搬入される。レジスト膜形成後、露光前のウエハＷについては、例えばレジスト膜の表面の異物の有無及びレジストの膜厚が検査される。

現像処理後のウエハＷが検査モジュール３１に搬送された場合には、現像後欠陥の検査が行われる。この現像後欠陥は、現像処理起因の欠陥、現像処理及び塗布処理起因の欠陥に分類され、現像処理起因の欠陥としては、例えばパターン倒れ、線幅異常、レジスト溶解不良、現像後の泡の付着、異物の付着、レジストパターン間のブリッジ欠陥（パターン間の上部におけるレジストの残留）及び溶解生成物（スカム）の残りによるパターン欠陥（スカム欠陥）がある。塗布処理及び現像処理起因の欠陥としては、例えばパターン倒れ及びパターンの線幅の局所異常がある。

この実施形態では、これら各欠陥の有無が検査項目として設定されている。後述の各検査モード実行時に検査モジュール３１は、得られた検査データを後述の制御部５１に送信する。後述の制御部５１は、この検査データに基づいて、各欠陥の有無を判定する。

続いて、インターフェイスブロックＳ３の構成について、図５も参照しながら説明する。インターフェイスブロックＳ３には、各単位ブロックのメインアームＡ１〜Ａ６がアクセスできる位置に棚ユニットＵ８が設けられている。棚ユニットＵ８は、第３の単位ブロックＢ３〜第６の単位ブロックＢ６に対応する位置に受け渡しモジュールＢＵ４を備えている。受け渡しモジュールＢＵ４については後述する。受け渡しモジュールＢＵ４の下方には、受け渡しモジュールＴＲＳ、ＣＰＬ１６〜ＣＰＬ１８が、互いに積層されて設けられている。

インターフェイスブロックＳ３には例えば４基の露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４が積層されて設けられている。各露光後洗浄モジュールＰＩＲは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されており、ウエハＷ表面にレジストの代わりに保護膜除去及び洗浄用の薬液を供給する。

また、インターフェイスブロックＳ３には、３基のインターフェイスアーム３２、３３、３４が設けられている。インターフェイスアーム３２、３３、３４は昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム３２は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム３２は露光装置Ｓ４、受け渡しモジュールＴＲＳ、ＣＰＬ１６〜ＣＰＬ１８にアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム３３は、受け渡しモジュールＴＲＳ、ＣＰＬ１６〜ＣＰＬ１８及びＢＵ４にアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム３４は、受け渡しモジュールＢＵ４及び露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４にアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム３２〜３４は、第２の受け渡し機構を構成する。

受け渡しモジュールＢＵ４について図６を参照しながら説明する。受け渡しモジュールＢＵ４は、周方向に配置された支柱４１を備えている。一の支柱４１と他の支柱４１との間にワイヤ４２が張られており、ワイヤ４２、４２が互いに交差して組をなしている。このワイヤ４２，４２の組が互いに異なる高さ位置に多数設けられており、ワイヤ４２，４２の交差部分上には、例えば円形の支持部４３が設けられている。ウエハＷは、支持部４３上に水平に支持される。図６では支持部４３は５つのみ示しているが、各階層にウエハＷを受け渡せるように上方に向けて多数設けられている。支柱４１間にはインターフェイスアーム３３、３４及びメインアームＡ３〜Ａ６が進入できるようになっており、進入した各アームは、昇降動作により支持部４３との間でウエハＷを受け渡す。受け渡しモジュールＢＵ１〜ＢＵ３についても、例えばＢＵ４と同様に構成される。

続いて、塗布、現像装置１に設けられた制御部５１について図７を参照しながら説明する。図中５２はバスであり、バス５２には、各種の演算を行うＣＰＵ５３が接続される。さらにバス５２には、処理プログラム５４、搬送プログラム５５及び判定プログラム５６を格納したプログラム格納部５７が接続されている。処理プログラム５４は、塗布、現像装置１の各部に制御信号を出力し、各ウエハＷに対して薬液や洗浄液の供給、加熱などの処理を行う。

搬送プログラム５５は、選択した検査モード及び判定プログラム５６の判定結果に従って、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６のメインアームＡ１〜Ａ６、受け渡しアーム３０及びインターフェイスアーム３２〜３４に制御信号を出力し、ウエハＷの搬送を制御する。判定プログラム５６は、例えば検査モジュール３１から送信された検査データに基づいて、ウエハＷの処理の異常の有無を判定する。

バス５２にはメモリ６１が接続されており、このメモリ６１は、各ウエハＷの搬送スケジュール及び検査モジュール３１による検査結果が記憶される。図８には、メモリ６１に含まれる搬送スケジュール記憶領域６３に格納されるデータの一例を示している。この図のデータは、検査モジュール３１による検査で、ウエハＷに異常がないとされる通常時の搬送スケジュールである。

搬送スケジュール記憶領域６３には、ウエハＷのＩＤと、当該ウエハＷの搬送先のモジュールと、搬送されるモジュールの順番と、が互いに対応付けられて搬送スケジュールとして記憶されている。即ち搬送スケジュールは、ウエハの搬送された経路のデータである。例えば図中のウエハＡ１は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、加熱モジュールＨＰ１００、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、加熱モジュールＨＰ１０１、周縁露光モジュールＷＥＥ１、保護膜形成モジュールＴＣＴ１、加熱モジュールＨＰ３００、裏面洗浄モジュールＢＳＴ１、加熱モジュール５００、現像モジュールＤＥＶ１及び加熱モジュール５０１に、この順に搬送される。

また、この例では、ウエハＷは第１の単位ブロックＢ１→第３の単位ブロックＢ３→第５の単位ブロックＢ５の順で搬送されるか、あるいは第２の単位ブロックＢ２→第４の単位ブロックＢ４→第６の単位ブロックＢ６の順で搬送されるように設定される。そして、あるウエハＷが第１の単位ブロックＢ１に搬送されると、次のウエハＷは第２の単位ブロックＢ２に搬送され、更に次のウエハＷは第１の単位ブロックＢ１に搬送される。このように、続けてキャリアＣから払い出されるウエハＷが、交互に異なる単位ブロックＢに振り分けられる。

続いて、メモリ６１に含まれる検査結果記憶領域６０について、図９を参照して説明する。この検査結果記憶領域６０は、各ウエハについて既述の検査項目毎に異常の有無が記憶される領域である。また、異常が有るウエハＷについては、後述のように当該ウエハＷを処理したモジュール及び処理した単位ブロックが記憶される。

また、検査結果記憶領域６０には、検査項目毎に設定された搬送停止基準が記憶されている。この搬送停止基準は、異常が検出されたウエハＷを処理した単位ブロックＢまたは処理モジュールへ、後続のウエハＷの搬送を停止するための基準である。上記の検査モジュール３１で検査される各検査項目について、異常が発生する頻度が、この搬送停止基準に該当した場合に前記搬送の停止が起きる。

例として図９に示す、パターン倒れについて設定された搬送停止基準について説明する。後述の単位ブロックＢごとに搬送を停止させるモードが選択されている場合、検査したウエハＷにパターン倒れが初めて検出されると、その後、当該ウエハＷが通った単位ブロックＢと同じ単位ブロックＢを通って検査された５枚のウエハＷのうち２枚以上のウエハＷにパターン倒れが検出されたら、当該単位ブロックＢへ後続のウエハＷの搬送を停止する。

また、処理モジュールごとに搬送を停止させるモードが選択されている場合は、検査したウエハＷにパターン倒れが初めて検出されると、前記ウエハＷが通った処理モジュールと同じ処理モジュールを通って検査された５枚のウエハＷのうち２枚以上のウエハＷにパターン倒れが検出されたら、当該処理モジュールへの搬送を停止する。なお、前記５枚のウエハＷのうち、パターン倒れが検出されたウエハＷが１枚または０枚であれば、この５枚のウエハＷを検査後に、パターン倒れが再度検出されたときから改めて、５枚ウエハＷが検査される間に２枚以上のウエハＷにパターン倒れが検出された場合に単位ブロックまたは処理モジュールへの搬送が停止される。

図９のレジスト溶解不良、現像後の泡についてもパターン倒れと略同様の搬送停止基準が設定されているが、これらの検査項目についてはパターン倒れの場合と異なり、一旦欠陥が検出された後に検査されるウエハＷ５枚のうち１枚のウエハＷに同じ欠陥が検出されたら、上記の単位ブロックＢへの搬送が停止される。また、図９のスカム欠陥については、検出後速やかに当該ウエハＷを処理した単位ブロックまたは処理モジュールへの搬送の停止処理が行われる。このような搬送停止基準が、既述の検査項目毎に設定されている。これによって、ウエハＷに偶発的に欠陥が生じた場合に、単位ブロックまたは処理モジュールへの搬送停止が起きることが抑えられる。

図７に戻って説明を続ける。バス５２には設定部６４が接続されている。設定部６４は、例えばキーボードやマウス、タッチパネルなどにより構成され、検査モジュール３１で行う検査を設定することができるようになっている。設定できる検査としては、現像処理後検査Ｃ１及びレジスト膜形成後検査Ｃ２があり、いずれかをユーザが選択する。現像処理後検査Ｃ１では、第５または第６の単位ブロックＢ５、Ｂ６で現像処理を受けたウエハＷが、検査モジュール３１に搬送されて検査される。レジスト膜形成後検査Ｃ２では、第１または第２の単位ブロックＢ１、Ｂ２でレジスト膜が形成されたウエハＷが、検査モジュール３１に搬送されて検査される。

現像処理後検査Ｃ１を選択した場合は、単位ブロックＢ毎に搬送を停止するモードＤ１、処理モジュール毎に搬送を停止するモードＤ３のうち、いずれかをユーザがさらに選択するようになっている。また、レジスト膜形成後検査Ｃ２を選択した場合は、単位ブロックＢ毎に搬送を停止するモードＤ２、処理モジュール毎に搬送を停止するモードＤ４のうち、いずれかをユーザがさらに選択するようになっている。

さらに、ユーザは、例えば設定部６４からウエハＷのＩＤを指定して検査対象となるウエハＷを決定することができる。また、バス５２には例えばディスプレイなどにより構成される表示部６５が接続されている。表示部６５には、例えば搬送スケジュールや各ウエハについて検査項目毎の検査結果が表示される。
（モードＤ１）
続いて、図１０を参照しながら、塗布、現像装置１でのウエハＷの搬送経路について説明する。ここでは、予め現像処理後検査Ｃ１が選択され、さらに単位ブロック毎にウエハＷの搬送を停止するモードＤ１が選択されているものとする。先ず、キャリアＣからウエハＷが受け渡しアーム１４により受け渡しモジュールＢＵ１に搬送される。受け渡しモジュールＢＵ１から第１の単位ブロックＢ１に搬送される場合は、図１０（ａ）に示すようにウエハＷは、受け渡しアーム３０により疎水化処理モジュールＡＤＨ１、ＡＤＨ２に搬送されて疎水化処理を受け、受け渡しモジュールＣＰＬ１に搬送される。

受け渡しモジュールＣＰＬ１に搬送され、メインアームＡ１が、当該ウエハＷを反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１、ＢＣＴ２→加熱モジュールＨＰ１００〜１０９→受け渡しモジュールＣＰＬ２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２→加熱モジュールＨＰ１００〜１０９→周縁露光モジュールＷＥＥ３、ＷＥＥ４→受け渡しモジュールＣＰＬ３の順で搬送し、ウエハＷに反射防止膜、レジスト膜が順に形成される。

受け渡しアーム３０によりウエハＷは、受け渡しモジュールＣＰＬ３から、第３の単位ブロックＢ３の受け渡しモジュールＣＰＬ７に搬送され、メインアームＡ３が、当該ウエハＷを、保護膜形成モジュールＴＣＴ１、ＴＣＴ２→加熱モジュールＨＰ３００〜３１１→受け渡しモジュールＣＰＬ８→裏面洗浄モジュールＢＳＴ１、ＢＳＴ２→受け渡しモジュールＢＵ４の順で搬送し、ウエハＷに保護膜が形成され、さらに裏面洗浄が行われる。

インターフェイスアーム３３により、前記ウエハＷは、受け渡しモジュールＣＰＬ１６〜ＣＰＬ１８→インターフェイスアーム３２→露光装置Ｓ４の順で搬送され、液浸露光処理を受ける。露光処理後、ウエハＷは、インターフェイスアーム３２→受け渡しモジュールＴＲＳ→インターフェイスアーム３３→受け渡しモジュールＢＵ４→インターフェイスアーム３４→露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４→インターフェイスアーム３４→受け渡しモジュールＢＵ４における第５の単位ブロックＢ５の高さ位置の順で搬送される。

続いて、前記ウエハＷは、メインアームＡ５により、加熱モジュールＨＰ５００〜５１１→受け渡しモジュールＣＰＬ１２→現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４→加熱モジュールＨＰ５００〜５１１→受け渡しモジュールＣＰＬ１３→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＢＵ２→検査モジュール３１の順で搬送されて検査される。検査後のウエハＷは、検査モジュール３１→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＢＵ１の順で搬送され、受け渡しアーム１３からキャリアＣに戻される。検査モジュール３１にて検査を行わないように設定されたウエハＷについては、現像モジュールＤＥＶ１〜ＤＥＶ４、加熱モジュールＨＰ５００〜５１１で順次処理後、受け渡しモジュールＣＰＬ１３→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ０→受け渡しアーム１３→キャリアＣの順で搬送される。

ウエハＷが、バッファモジュールＢＵ１から第２の単位ブロックＢ２、Ｂ４、Ｂ６に搬送される場合も上記の単位ブロックＢ１、Ｂ３、Ｂ５に搬送する場合と同様の処理がウエハＷに行われる。図１０（ｂ）にこのように単位ブロックＢ２→Ｂ４→Ｂ６を通過する場合の搬送経路について示している。

以下、簡単に搬送経路を説明すると、前記ウエハＷは、受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ３、ＡＤＨ４→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ４の順で搬送される。続いて、メインアームＡ２が、ウエハＷを反射防止膜形成モジュールＢＣＴ３、ＢＣＴ４→加熱モジュールＨＰ２００〜２０９→受け渡しモジュールＣＰＬ５→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４→加熱モジュールＨＰ２００〜２０９→周縁露光モジュールＷＥＥ３、ＷＥＥ４→受け渡しモジュールＣＰＬ６に搬送する。その後、ウエハＷは、受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ９の順で搬送され、メインアームＡ４により、保護膜形成モジュールＴＣＴ３、ＴＣＴ４→加熱モジュールＨＰ４００〜４１１→受け渡しモジュールＣＰＬ１０→裏面洗浄モジュールＢＳＴ３、ＢＳＴ４→受け渡しモジュールＢＵ４の順で搬送される。

インターフェイスブロックＳ３では、前記ウエハＷは、第１及び第３の単位ブロックＢに搬送されたウエハＷと同様に搬送され、露光処理及び露光後洗浄処理を受けて、さらに受け渡しモジュールＢＵ４の第６の単位ブロックＢ６における高さ位置に受け渡される。その後、前記ウエハＷはメインアームＡ６により、加熱モジュールＨＰ６００〜６１１→受け渡しモジュールＣＰＬ１４→現像モジュールＤＥＶ５〜ＤＥＶ８→加熱モジュールＨＰ６００〜６１１→受け渡しモジュールＣＰＬ１５→受け渡しモジュールＢＵ３→受け渡しアーム３０→検査モジュール３１→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ０→キャリアＣの順で搬送される。検査対象ではないウエハＷについては、上記の搬送経路において、現像、加熱後処理、受け渡しモジュールＣＰＬ１５→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ０→受け渡しアーム１３→キャリアＣの順で搬送される。

図１１を参照しながら、制御部５１により単位ブロックＢへの搬送が停止される工程について説明する。上記の経路でウエハＷが搬送される間、判定プログラム５６は検査モジュール３１から送信される検査データに基づき、既述の各検査項目について異常の有無を判定し、この判定結果が検査結果記憶領域６０に記憶される。そして、異常が有ると判定すると、搬送スケジュール記憶領域６３の搬送スケジュールに基づいて、異常が検出されたウエハＷを処理した処理モジュール及び単位ブロックＢを特定する。さらに、ウエハのＩＤと異常となった検査項目と、前記処理モジュール及び単位ブロックＢとを対応付けて、メモリ６１の検査結果記憶領域６０に記憶する（ステップＳ１）。

続いて、判定プログラム５６は、検査結果記憶領域６０に記憶された過去のウエハＷの検査履歴に基づいて、その検査項目に設定された既述の搬送停止基準に該当しているか否かを判定する（ステップＳ２）。例えば、異常となった検査項目が、パターン倒れである場合には、既述のように同じ単位ブロックＢを通過したウエハＷについて、最初にパターン倒れが起きた後、５枚のウエハＷに検査を行う間に２枚以上のウエハＷにパターン倒れが起きているか否か判定される。搬送停止基準に該当していないと判定した場合には、引き続き単位ブロックＢ１〜Ｂ６により処理を行う。

搬送停止基準に該当していると判定した場合には、ステップＳ１で異常が検出されたウエハＷに対して処理を行った単位ブロックＢ５またはＢ６の各処理モジュールによるウエハＷの処理及びメインアームＡの動作を停止させる。そして、搬送プログラム５５が、単位ブロックＢ５、Ｂ６のうち、処理モジュール及びメインアームＡの動作が停止していない方の単位ブロックを用いて、処理を行うように搬送スケジュールを書き換える。そして、その搬送スケジュールに従って、ウエハＷが搬送され、処理される（ステップＳ３）。

図１２（ａ），（ｂ）には、一例として第５の単位ブロックＢ５へのウエハＷの搬送が停止した場合の搬送経路を示しており、この図に示すように第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４で処理を受けたウエハＷは、すべて第６の単位ブロックＢ６に搬入される。この例とは逆に、第６の単位ブロックＢ６への搬送が停止した場合には、第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４で処理を受けたウエハＷは、すべて第５の単位ブロックＢ５に搬入される。

このように片方の現像ブロックのみを用いて、処理が継続される。その後、ウエハＷに異常が検出されると、判定プログラム５６は、ステップＳ１と同様に搬送スケジュール記憶領域６３の搬送スケジュールに基づいて、異常が検出されたウエハＷを処理した処理モジュール及び単位ブロックを特定し、ウエハのＩＤと異常となった検査項目と、前記処理モジュール及び単位ブロックＢとを対応付けてメモリ６１に記憶する（ステップＳ４）。

続いて、判定プログラム５６は、単位ブロックＢ５またはＢ６への搬送停止後のウエハＷの検査履歴を参照して、その検査項目に設定されている単位ブロックの搬送停止基準に該当しているか否かを判定する（ステップＳ５）。該当していないと判定した場合には、引き続き単位ブロックＢ１〜Ｂ４及びＢ５またはＢ６により処理を行う。

搬送停止基準に該当していると判定した場合には、判定プログラム５６は、異常となった検査項目が、ステップＳ２、Ｓ３で単位ブロックＢ５またはＢ６を停止させる際に異常と判定された検査項目と同じか否かを判定する（ステップＳ６）。ステップＳ６で、同じ検査項目であると判定した場合、判定プログラム５６は、さらにステップＳ１で異常と判定されたウエハＷが通過した塗布ブロックと、ステップＳ４で異常と判定されたウエハＷが通過した塗布ブロックとが一致しているか否かを判定する（ステップＳ７）。

ステップＳ７で、塗布ブロックが一致していると判定した場合は、前記検査項目の異常が、塗布ブロックでの処理に起因するものと考えられるので、当該塗布ブロックによるウエハＷの処理及びメインアームＡの動作を停止させる。つまり単位ブロックＢ１及びＢ３、Ｂ２及びＢ４のいずれか一方におけるウエハＷの処理が停止する。さらに、搬送プログラム５５が、単位ブロックＢ１〜Ｂ４のうち稼働している単位ブロックを用いて処理を行うように搬送スケジュールを書き換える。そして、その搬送スケジュールに従って、ウエハＷが搬送され、処理が続けられる（ステップＳ８）。

例えば、図１２のように単位ブロックＢ５への搬送が停止された状態から、この単位ブロックＢ５への搬送が停止になったときと同じ検査項目の異常が続くと、上記ステップＳ６〜Ｓ８に従って、単位ブロックＢ１、Ｂ３への搬送が停止する。そして、すべてのウエハＷは、図９（ｂ）に示す単位ブロックＢ２→Ｂ４→Ｂ６の経路で順に搬送される。

ステップＳ６で、現像ブロックを停止させたときに異常となった検査項目とは異なっていると判定されたり、ステップＳ７で、異常となった塗布ブロックが異なっていると判定された場合は、例えば稼働中の各単位ブロックへの搬送が継続され、ステップＳ５で搬送停止基準に該当していると判定された検査項目について、表示部６５に表示される（ステップＳ９）。
（モードＤ２）
次に、レジスト膜形成後検査Ｃ２が行われるように設定され、さらに単位ブロック毎に搬送停止させるモードＤ２が選択されている場合について説明する。レジスト膜形成後検査Ｃ２実行時のウエハＷの搬送経路としては、レジスト塗布処理を終え、受け渡しモジュールＣＰＬ４、ＣＰＬ６に搬入されたウエハＷが、受け渡しアーム３０により検査モジュール３１に搬入される。検査モジュール３１で検査された後は受け渡しモジュールＣＰＬ７、ＣＰＬ９を介して第３、第４の単位ブロックに搬入される。現像処理後のウエハＷは、受け渡しモジュールＣＰＬ１３、ＣＰＬ１５→受け渡しモジュールＣＰＬ０の順で搬送されて、キャリアＣに戻される。このような違いを除けば、現像処理後検査Ｃ１実行時と同様にウエハＷが搬送される。

このモードＤ２実行時にも、現像処理後検査モード実行時と同様に検査項目ごとにウエハＷの異常が検査され、ステップＳ１〜Ｓ２の処理が実行される。そして、ステップＳ２で搬送停止基準に該当していないと判定された場合には処理が継続される。搬送停止基準に該当していると判定された場合には、異常が検出されたウエハＷに対して処理を行った単位ブロックＢ１またはＢ２の各処理モジュールによるウエハＷの処理及びメインアームＡの動作を停止させる。そして、搬送プログラム５５が、単位ブロックＢ１、Ｂ２のうち処理モジュール及びアームの動作が停止していない方の単位ブロックを用いて、処理を行うように搬送スケジュールを書き換える。

図１３には、一例として第２の単位ブロックＢ２へのウエハＷの搬送が停止した場合の搬送経路を示しており、この図に示すように後続のウエハＷはキャリアＣから全て第１の単位ブロックＢ１へ搬入される。そして、第１の単位ブロックＢ１から第３、第４の単位ブロックＢ３、Ｂ４へ振り分けられる。逆に第１の単位ブロックＢ１への搬送が停止した場合には、後続のウエハＷは全て、キャリアＣから第２の単位ブロックＢ２に搬入される。

（モードＤ３）
次に、現像処理後検査Ｃ１が行われるように設定され、さらに処理モジュール毎に搬送停止させるモードＤ３が選択されている場合について説明する。以降、図１４を参照しながらモードＤ３実行時のフローについて、モードＤ１との差異点を中心に説明する。ウエハＷに異常が検出された場合には、搬送スケジュールに基づき、単位ブロックＢ５，Ｂ６において、当該ウエハＷを処理した処理モジュールが特定される。ウエハのＩＤと異常となった検査項目と、前記処理モジュールとが対応付けられてメモリ６１に記憶される（ステップＳ１１）。続けて、判定プログラム５６は、ステップＳ１１で特定した処理モジュール毎に、検査結果記憶領域６０のデータに基づき、前記各処理モジュールが搬送停止基準に該当しているか否かを判定する（ステップＳ１２）。

どの処理モジュールも搬送停止基準に該当していないと判定された場合には、各処理モジュールへウエハＷの搬送が継続される。搬送停止基準に該当している処理モジュールがある場合は、当該処理モジュールでのウエハＷの処理が停止する（ステップＳ１３）。そして、このように処理が停止されたモジュールを除いて、搬送が行われるように搬送スケジュールが設定され、ウエハＷの搬送及び処理が継続される。

ウエハＷの処理が続けられ、続いてウエハＷに異常が発生すると、判定プログラム５６は、ステップＳ１１と同様に、異常となったウエハのＩＤと、異常となった検査項目と、現像ブロックにおいて当該ウエハＷを処理した処理モジュールとを対応付けて、検査結果記憶領域６０に記憶する（ステップＳ１４）。そして、ステップＳ１２と同様に、判定プログラム５６は、ステップＳ１４で特定した処理モジュール毎に、検査結果記憶領域６０のデータに基づき、搬送停止基準に該当しているモジュールがあるか否かを判定する（ステップＳ１５）。

そして、搬送停止基準に該当する検査項目があると、判定プログラム５６は、その検査項目がステップＳ１３で、処理モジュールへの搬送を止めることになった検査項目と同じ検査項目であるか否かを判定する（ステップＳ１６）。同じ検査項目の該当ではないと判定した場合は、ステップＳ１３以降の処理が実行され、現像ブロックにおいて、当該搬送停止基準に該当した処理モジュールへの搬送が停止される。

ステップＳ１６で、同じ検査項目と判定した場合には、判定プログラム５６は、搬送スケジュールに基づいて単位ブロックＢ１〜Ｂ４において、ステップＳ１４で異常を検出したウエハＷを処理した処理モジュールを特定する。そして、特定した処理モジュールでのウエハＷの処理が停止する。さらに、このように処理が停止した処理モジュールを除いて、搬送が行われるように搬送スケジュールが設定され、ウエハＷの搬送及び処理が継続される（ステップＳ１７）。処理を停止した処理モジュールを除いて搬送するとは、具体的に説明すると、一の単位ブロックにおいて処理を停止したモジュールに搬送するように設定されていたウエハＷは、前記単位ブロックにおいて当該モジュールと同じ処理を行う他の搬送可能なモジュールに搬送されることである。つまり、一の加熱モジュールの処理が停止すれば、ウエハＷは当該加熱モジュールが設置された単位ブロックの他の加熱モジュールに搬送されて処理を受ける。また、一の液処理モジュールの処理が停止すれば、ウエハＷは当該加熱モジュールが設置された単位ブロックにおいて、前記液処理モジュールと同様の処理を行う他の液処理モジュールに搬送されて処理を受ける。このように、モードＤ３では使用不可となったモジュールへの搬送が行われなくなることを除いて、ウエハＷは図１０に示したように各単位ブロックに異常が無い場合と同様の経路で搬送される。

ここで、このモードＤ３が実行された場合に、搬送が停止になる処理モジュールについて説明を補足する。例えば、上記のステップＳ１１でウエハＷにパターン倒れが検出され、当該ウエハＷが現像モジュールＤＥＶ１及び加熱モジュール５００で処理を受けている場合、過去にＤＥＶ１で処理を受けたウエハＷの検査結果が参照され、各処理モジュールが搬送停止基準に該当しているか否か判定される。さらに過去に加熱モジュール５００で処理を受けたウエハＷの検査結果が参照され、搬送停止基準に該当しているか否か判定される。そして、ＤＥＶ１及び加熱モジュール５００のうち、搬送停止基準に該当していると判定された処理モジュールについては、当該処理モジュールへの搬送が停止する。このように処理モジュールごとに個別に搬送停止基準に該当するか否かが判定される。

ただし、現像モジュールＤＥＶ１及びＤＥＶ２、ＤＥＶ３及びＤＥＶ４、ＤＥＶ５及びＤＥＶ６、ＤＥＶ７及びＤＥＶ８は、夫々ノズル２４を共有している。このようにノズル２４を共有しているＤＥＶのうち、一方のＤＥＶへの搬送停止が決定されると、他方のＤＥＶへの搬送も停止されるように決定される。従って、ＤＥＶ１への搬送が停止になると、ＤＥＶ２への搬送も停止になる。そして、ＤＥＶ３、ＤＥＶ４への搬送が停止されていなければ、単位ブロックＢ５に搬送されたウエハＷは既述のようにこれらＤＥＶ３、ＤＥＶ４で処理されて、キャリアＣに戻される。また、前記加熱モジュール５００が搬送停止基準に該当した場合は、他の加熱モジュール５０１〜５１１に搬送される。

また、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ及び保護膜形成モジュールＴＣＴについては、各単位ブロックに設けられる２基がノズルを共有している。従って、各単位ブロックでの処理の停止を防ぐために、ステップＳ１７でこれらの液処理モジュールへの搬送は停止されず、代わりにステップＳ１５で停止基準に該当したウエハＷを処理したこれらの液処理モジュールと、異常になった検査項目とが対応付けられて、表示部６５に表示される。
（モードＤ４）
次に、レジスト塗布後検査Ｃ２が行われるように設定され、さらに処理モジュール毎に搬送停止させるモードＤ４が選択されている場合について、モードＤ３選択時との差異点を中心に説明する。モードＤ４実行時には、モードＤ２実行時と同様にウエハＷの搬送が行われる。つまり、単位ブロックＢ１、Ｂ２で処理を終えたウエハＷが検査モジュール３１に搬送される。そして、ウエハＷに異常が検出された場合には、モードＤ３と同様に当該ウエハＷを処理した処理モジュールを特定し、特定した処理モジュールごとに搬送停止基準に該当しているか否かが判定され、搬送停止基準に該当した場合には当該処理モジュールへの搬送が停止される。このモードＤ４では、レジスト塗布後のウエハＷを検査しているので、搬送が停止する処理モジュールは単位ブロックＢ１、Ｂ２の処理モジュールである。処理モジュールへの搬送は、モードＤ３で説明したルールに基づいて停止する。つまり、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴについては搬送停止基準に該当しても、モジュールへの搬送が継続される。

この塗布、現像装置１によれば、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴを単位ブロックＢ１，Ｂ２に配置し、保護膜形成モジュールＴＣＴ、裏面洗浄モジュールＢＳＴを単位ブロックＢ３，Ｂ４に配置しており、同様に構成された単位ブロックが上下に二重化されている。そしてこれら単位ブロックＢ１〜Ｂ４に更に、上下に二重化された現像処理用の単位ブロックＢ５，Ｂ６を積層している。このため、処理ブロックＳ２の奥行き寸法をほどよい大きさに設定しながら設置面積を小さくできる。なお、二重化とはウエハWに夫々同様の処理が行えるように単位ブロックを構成すればよく、レイアウトやモジュール数を各単位ブロックで同一にすることに限られない。

さらに、モードＤ１、Ｄ２実行時には、ウエハＷに異常が検出された場合であっても、二重化された単位ブロックのうち、一方の単位ブロックへの搬送を停止し、他方への単位ブロックへの搬送が継続される。そして、他方の単位ブロックでウエハＷの処理を継続する間に、ユーザは一方の単位ブロックについて、故障時の修理や定期点検、調整確認などのメンテナンスを行うことができる。従って、塗布、現像装置１の稼働効率の低下を抑えることができる。

また、上記のように現像ブロックへの搬送停止と塗布ブロックへの搬送停止とを段階的に行うことで、搬送を停止する必要のない塗布ブロックへの搬送を止めてしまうことが抑えられるので、より確実に稼働効率の低下を抑えることができる。ただし、このように段階的に各単位ブロックへの搬送を停止させることに限られない。例えばパターン倒れ、線幅の局所異常など、塗布工程の要因が含まれる現像欠陥がウエハＷに検出された場合、当該ウエハＷを処理した現像ブロックと塗布ブロックへの搬送を同時に停止させても良い。この場合は、欠陥を有するウエハＷが発生するリスクを低下させることができる。また、モードＤ１において、現像ブロックを停止させる工程をモードＥ１、塗布ブロックを停止させる工程をモードＥ２とすると、上記の例ではモードＥ１実行後にモードＥ２が自動的に実行されるが、モードＥ２を実行するか否かはユーザが設定部６４から選択できるようになっていてもよい。

また、モードＤ３、Ｄ４実行時には、処理モジュールごとにウエハＷの搬送が停止されるので、稼働を停止する処理モジュールの数が抑えられる。従って、装置の稼働効率の低下をより抑えることができる。モードＤ３実行時において、現像ブロックの処理モジュールと塗布ブロックの処理モジュールとを段階的に停止させることに限られず、例えば異常となった検査項目によっては、異常と検出されたウエハＷを処理した処理モジュールへの搬送をすべて停止させてもよい。また、モードＤ３において、現像ブロックの処理モジュールを停止させる工程をモードＥ３、塗布ブロックの処理モジュールを停止させる工程をモードＥ４とすると、上記の例ではモードＥ３実行後にモードＥ４が自動的に実行されるが、モードＥ４を実行するか否かはユーザが設定部６４から選択できるようになっていてもよい。

また、モードＤ３、Ｄ４実行時において、液処理モジュールＢＣＴ、ＣＯＴ、ＴＣＴ、ＢＳＴ及びＤＥＶについては各処理カップ毎にウエハＷの搬送の停止を制御してもよい。つまり、これらの各処理モジュールにおいて異常が発生したウエハＷを処理した方の処理カップ２３へのウエハＷの搬送が停止し、当該処理カップ２３とノズル２４を共有している処理カップ２３へのウエハＷの搬送は継続されてもよい。その他に、ＢＣＴ、ＣＯＴ、ＴＣＴ及びＢＳＴについて、これらの液処理モジュールへの搬送停止が決定された場合には、これら液処理モジュールへの搬送を継続する代わりに当該液処理モジュールを含む単位ブロックへのウエハＷの搬送を停止させてもよい。

上記のように処理カップ２３ごとにウエハＷの搬送を停止させる場合、装置内でのウエハＷの処理枚数を調整するために、例えば１つのＢＣＴの処理カップ２３を不使用とした場合に、同じ単位ブロックの１つのＣＯＴの処理カップ２３を不使用にするように設定することができる。同様に例えば１つのＣＯＴの処理カップ２３を不使用とした場合に同じ単位ブロックの１つのＢＣＴも不使用に設定することができる。さらに、このようにＣＯＴ及びＢＣＴの処理カップ２３への搬送が停止された単位ブロックと同様に構成された単位ブロックでも、ＣＯＴの１つの処理カップ２３及びＢＣＴの１つの処理カップ２３への搬送を停止させることで、ウエハＷの処理枚数を調整してもよい。

また、上記の塗布、現像装置１において、インターフェイスブロックＳ３は図１５のように構成されていてもよい。この例では、ウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３を介して、単位ブロックＢ１，Ｂ２→Ｂ３，Ｂ４へ搬送される。図５に示すインターフェイスブロックＳ３との差異点を説明すると、単位ブロックＢ１、Ｂ２に対応する高さ位置に、受け渡しモジュールＢＵ５、ＢＵ６が夫々設けられている。単位ブロックＢ３に対応する高さ位置に、受け渡しモジュールＢＵ７、ＢＵ８が設けられている。単位ブロックＢ４に対応する高さ位置に、受け渡しモジュールＢＵ９、ＢＵ１０が設けられている。また、単位ブロックＢ５、Ｂ６に対応する高さ位置に、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２が夫々設けられている。また、受け渡しモジュールＢＵ１１が設けられている。各受け渡しモジュールは互いに積層されている。

単位ブロックＢ１、Ｂ２で処理を終えたウエハＷは、受け渡しモジュールＢＵ５、ＢＵ６に夫々搬送され、さらにインターフェイスアーム３３により、受け渡しモジュールＢＵ７、ＢＵ８に搬送される。受け渡しモジュールＢＵ７、ＢＵ８に搬送されたウエハＷは、受け渡しアームＡ３、Ａ４により単位ブロックＢ３、Ｂ４に夫々搬入されて、処理を受ける。単位ブロックＢ３、Ｂ４で処理を受けたウエハＷは、受け渡しモジュールＢＵ９、ＢＵ１０に搬送され、インターフェイスアーム３３により受け渡しモジュールＣＰＬ１６、ＣＰＬ１７に搬送される。以降、ウエハＷは図５の例と同様に露光装置Ｓ４→受け渡しモジュールＴＲＳの順に搬送され、然る後、受け渡しモジュールＴＲＳ→インターフェイスアーム３３→受け渡しモジュールＢＵ１１→インターフェイスアーム３４→露光後洗浄モジュールＰＩＲ→インターフェイスアーム３４→受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ２に搬送され、メインアームＡ５，Ａ６により単位ブロックＢ５，Ｂ６に搬送される。

図１６には、さらに他のインターフェイスブロックＳ３の構成を示している。この図１６のインターフェイスブロックＳ３では、露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４が積層されて設けられている。露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４は、露光前のウエハＷの表面に洗浄液を供給し、当該ウエハＷの表面溶出物を洗い流す。この露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４が設けられることを除いて、図１６のインターフェイスブロックＳ３は、図１５のインターフェイスブロックＳ３と同様に構成されている。

図１６のインターフェイスブロックＳ３では、第３の単位ブロックＢ３または第４の単位ブロックＢ４で処理され、受け渡しモジュールＢＵ９またはＢＵ８に搬送されたウエハＷは、インターフェイスアーム３３により露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４に搬送されて洗浄される。然る後、ウエハＷは、インターフェイスアーム３３→受け渡しモジュールＣＰＬ１４、１５→露光処理Ｓ４の順に搬送される。なお、図５のインターフェイスブロックＳ３にもこのような露光前洗浄モジュールＲＤを設けて、洗浄処理を行うことができる。また、上記の各実施形態において、単位ブロックＢ１、Ｂ２から単位ブロックＢ３、Ｂ４へのウエハＷの搬送は、インターフェイスアーム３３により行ってもよい。具体的に、棚ユニットＵ８の単位ブロックＢ１、Ｂ２の高さ位置に、塗布処理を終えた受け渡しモジュールを設け、当該受け渡しモジュールからインターフェイスアーム３３を介して受け渡しモジュールＢＵ４の棚ユニットＵ８の単位ブロックＢ３、Ｂ４の高さ位置にウエハＷを受け渡すことで、各層間の搬送を行うことができる。

また、上記実施形態において、ＴＣＴ１〜ＴＣＴ４で保護膜を形成し、加熱モジュールＨＰ３００〜３１１またはＨＰ４００〜４１１で加熱したウエハＷを検査モジュール３１に搬送し、検査を行ってもよい。その場合は、上記の各モードと同様に、例えば異常が検出されたウエハＷの搬送経路に基づいて、当該ウエハＷに反射防止膜、レジスト膜及び保護膜を形成した単位ブロックへの搬送を停止させるか、前記単位ブロックに含まれる当該ウエハＷを処理したモジュールへの搬送を停止させる。

上記の例において、ＴＣＴは保護膜形成モジュールではなく、レジスト膜の上層に反射防止膜を形成するモジュールであってもよい。また、疎水化処理モジュールＡＤＨでの疎水化処理は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴで反射防止膜の形成前に行う代わりに、前記反射防止膜の形成後、レジスト塗布前に行ってもよいし、レジスト塗布後、ウエハＷを単位ブロックＢ３、Ｂ４に搬送する前に行ってもよい。また、各単位ブロックの積層順はこの例に限られず、例えば現像処理を行う第５、第６の単位ブロックがレジスト膜の形成を行う第１及び第２の単位ブロックの下方に設けられていてもよい。また、上記の例では二重化された各単位ブロックは、各モジュールの数、レイアウトを同じように構成しているが、ウエハＷに対して同様の処理を行うことができれば、このようにモジュールの数、レイアウトを同じにすることには限られない。

また、この塗布、現像装置１では、既述の各モードを実行してウエハＷを処理中に、任意のタイミングでメンテナンスモードへの切り替えを行うことができるようになっており、ユーザが例えば選択部６４から所定の処理を行うと、装置１の各部にモードの切り替え信号が出力され、メンテナンスモードが開始される。メンテナンスの態様としては、二重化されている塗布膜用の単位ブロックの一方の単位ブロックをメンテナンスする場合が挙げられ、例えば前段処理用の単位ブロックＢ１、Ｂ２のうちの一方をメンテナンスする場合が挙げられる。あるいは後段処理用の単位ブロックＢ３、Ｂ４のうちの一方をメンテナンスする場合や、現像処理用の単位ブロックＢ５、Ｂ６のうちの一方をメンテナンスする場合が挙げられる。このような場合には、例えば単位ブロックＢ１をメンテナンスする情報を制御部に入力すると、メンテナンスの対象となっている単位ブロックＢ１にはウエハが搬送されないようにウエハの搬送制御が行われる。そして上述の実施形態では、ウエハの搬送経路として、図１０（ａ）に示す経路と図１０（ｂ）に示す経路とが用意されていることから、単位ブロックＢ１にウエハを搬入しないということは、図１０（ａ）に示す経路を使用しないということであり、このため当該経路に含まれる疎水化処理モジュールＡＤＨ１、２及び単位ブロックＢ３及びＢ５には、ウエハが搬入されないことになる。

このメンテナンスモードでは、ウエハＷの検査結果によらず、ユーザがウエハＷの搬送を停止する単位ブロックを指定し、搬送が停止されていない単位ブロックによりウエハＷの処理を継続することになる。このように単位ブロックを二重化し、メンテナンスを行う単位ブロックが属する搬送経路を使用しないこととすれば、ウエハの搬送制御を含む処理が簡素化される。

メンテナンスモードは、メンテナンスを行う単位ブロックが属する搬送経路への搬送を止めるという手法に限定されるものではない。例えば図１０（ａ）に示す経路に含まれる一の単位ブロックである単位ブロックＢ１と、図１０（ｂ）に示す経路に含まれる一の単位ブロックである単位ブロックＢ４と、を同時にメンテナンスする場合には、図１０（ｂ）に示す経路に含まれる単位ブロックＢ２と、図１０（ａ）に示す経路に含まれる単位ブロックＢ３と、を使用することが効率的である。この場合には、二重化されている単位ブロックのうち使用可能な単位ブロックを繋ぎ合わせてウエハの処理を行うことになり、この場合にもメンテナンスを行いながら稼働率の低下を抑えた装置の運転を行うことができる。
更にまたメンテナンスモードにおいて、二重化された単位ブロックのうちの一つ、例えば前段処理用の単位ブロックＢ１がメンテナンスされている場合に、当該単位ブロックＢ１以外の他の単位ブロックについてはウエハを搬送するようにしてもよい。この場合、例えば後段処理用の単位ブロックＢ３及びＢ４については稼働させ、前段処理用の単位ブロックＢ１にて処理されたウエハを後段処理用の単位ブロックＢ３及びＢ４に振り分け、また現像処理用の単位ブロックＢ５、Ｂ６についても稼働させるようにしてもよい。

更に本発明の他の実施形態を記載しておく。図１７は、処理ブロックＳ２の他の例を示しており、横の列は下から順番に図４に示す各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に対応し、１マスは、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１などの１個の液処理モジュールを表わしている。従って単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ５及びＢ６については、図４に示す単位ブロックと同じ構成であり、平面でみれば例えば単位ブロックＢ１であれば図１のように表わされる。図１７の例が図４の例と異なる点は、単位ブロックＢ３、Ｂ４において、裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ４を設けずに空き領域となっていることである。

ここで図１８は、既述の図１０に示したウエハの経路のうち、塗布膜形成のための経路について抜粋して概略的に示した図である。図１０に示した実施の形態によれば、キャリアＣから取り出されたウエハは、疎水化処理モジュールＡＤＨ１〜ＡＤＨ４のいずれかを介して塗布膜を形成するための塗布膜用の単位ブロックに搬入されるが、塗布膜用の単位ブロックは、前段処理用の単位ブロックＢ１（Ｂ２）と後段処理用の単位ブロックＢ３（Ｂ４）とに分離されている。そして前段処理用の単位ブロックＢ１（Ｂ２）にレジスト膜形成用モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４が設けられているが、レジスト膜形成用モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４を後段処理用の単位ブロックＢ３（Ｂ４）に配置するようにしてもよい。

このようなレイアウトの一例としては、図１９のレイアウトを挙げることができる。図１９の縦横のマス目の意味は、図１７のマス目と同様であり、この例では、レジスト膜形成用モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２と上層膜を形成するモジュールである保護膜形成モジュールＴＣＴ１、ＴＣＴ２とを後段処理用の単位ブロックＢ３に設けると共に、レジスト膜形成用モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４と保護膜形成モジュールＴＣＴ３、ＴＣＴ４とを後段処理用の単位ブロックＢ４に設け、図４のレイアウトにおいてレジスト膜形成用モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ４が設けられていた単位ブロックＢ１、Ｂ２における領域を空き領域としている。なお、レジスト膜形成用モジュールＣＯＴ１を単位ブロックＢ１に設けると共に、レジスト膜形成用モジュールＣＯＴ２を単位ブロックＢ２に設け、そしてレジスト膜形成用モジュールＣＯＴ３を単位ブロックＢ２に設けると共に、レジスト膜形成用モジュールＣＯＴ４を単位ブロックＢ４に設けるという構成であってもよい。この場合、レジスト膜形成用モジュールを、前段処理用の単位ブロックＢ１（Ｂ２）と後段処理用の単位ブロックＢ３（Ｂ４）とに分散配置した構成ということができる。

また処理ブロックＳ２は、図２０に示すように、後段処理用の単位ブロックＢ３、Ｂ４に、検査モジュール７０１〜７０４を設けるようにしてもよい。このレイアウトは、図４のレイアウトに対し、裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ４の代わりに検査モジュール７０１〜７０４を設けたものである。検査モジュール７０１〜７０４は、保護膜形成モジュールＴＣＴ１〜ＴＣＴ４にてウエハＷの表面に保護膜が形成された後、塗布面の塗布状態を検査するためのものである。具体的には例えば膜厚のむら、塗布膜に筋が見える状態の検出、未塗布状態の検出などが挙げられる。未塗布状態であれば、ノズル、塗布液吐出ポンプ、配管系の異常などが考えられる。

検査モジュール７０１〜７０４における検査において異常の判定がされた場合には、当該異常と判定されたウエハＷが処理されたモジュール(液処理モジュールや加熱モジュール)を停止させ、それ以外のモジュールについては使用し続けるようにしてもよいし、あるいは当該ウエハＷが使用された塗布膜用の単位ブロックごと停止させ、他の単位ブロックの運転については継続するようにしてもよい。いずれの態様で使用するか（検査結果で異常と判定された場合に、モジュールの停止か単位ブロックの停止のいずれを選択するか）については、例えば制御部にてモードを設定することにより実施される。

以上の例では、塗布膜用の単位ブロックを構成する、前段処理用の単位ブロックと後段処理用の単位ブロックとを各々二重化して互に積層しているが、二重化に限らず三重化してもよく、より一般的な言い方をすればＮ（Ｎは2以上の整数）重化することが要件である。また現像用のブロックについても同様に二重化に限らず三重化あるいは四重化してもよい。
また塗布膜用の単位ブロックとしては、前段処理用の単位ブロックと後段処理用の単位ブロックとに分離しない構成であってもよい。図２１はこのような処理ブロックＳ２のレイアウトを示し、この例では、反射防止膜形成用のモジュールとレジスト膜形成用のモジュールとを同じ単位ブロックに配置し、この単位ブロックを３段積み重ねて三重化している。即ち、図２１に示す処理ブロックＳ２は、図４に示した処理ブロックＳ２のレイアウトにおいて、保護膜形成モジュールを設けた後段処理用の単位ブロックＢ３、Ｂ４を削除し、前段処理用の単位ブロックＢ１、Ｂ２に加えて更に同じ構成の単位ブロックを積層した構成ということができる。この場合、後段処理用の単位ブロックが存在しないので、前段処理用の単位ブロックが塗布膜用の単位ブロックとなる。
更に図２１の処理ブロックＳ２では、現像処理用の単位ブロックを３つ積層して三重化している。なお、図２１において、符号の煩雑化を避けるために、各層における下から数えた段数とＢの後に付した数字とを対応させ、図４と同じＢ１〜Ｂ６の符号を用いている。

Ｗ ウエハ
ＢＣＴ１〜ＢＣＴ６ 反射防止膜形成モジュール
ＢＳＴ１〜ＢＳＴ４ 裏面洗浄モジュール
ＣＯＴ１〜ＣＯＴ６ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ１〜ＤＥＶ１２ 現像モジュール
ＨＰ 加熱モジュール
ＴＣＴ１〜ＴＣＴ４ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
ＷＥＥ 周縁露光モジュール
１ 塗布、現像装置
３０ 受け渡しアーム
５１ 制御部
５５ 搬送プログラム
５６ 判定プログラム
６１ メモリ
６４ 設定部
Ａ１〜Ａ６ メインアーム

Claims (5)

1. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
   ａ） 前記処理ブロックは、
   前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を各々備えた複数の塗布用の単位ブロックを互に上下に積層した塗布処理積層体と、
   前記塗布処理積層体に対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を各々備えた複数の現像処理用の単位ブロックを互に上下に積層した現像処理積層体と、を含み、
   ｂ）前記インターフェイスブロックは、前記処理ブロックに対して前記露光装置側に設けられ、
   基板が載置される受け渡し部が垂直方向に多段に配置されて構成される受け渡し部の積層体と、
   前記受け渡し部間で基板を受け渡すために昇降する第１の搬送機構と、
   前記受け渡し部間で基板を受け渡すために昇降し、前記第１の搬送機構と共に前記受け渡し部の積層体を横方向に挟むように設けられた第２の搬送機構と、
   前記受け渡し部の積層体と露光装置との間で基板の受け渡すための第３の搬送機構と、
   を備え、
   前記受け渡し部の積層体には、前記第３の搬送機構により基板が受け渡される露光装置受け渡し用の受け渡し部と、各単位ブロックの搬送機構により基板が受け渡されるように当該単位ブロックに対応する単位ブロック用の受け渡し部と、が含まれ、
   ｃ）各ブロックにおける基板の搬送を制御するための制御部と、
   を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
2. 前記露光装置受け渡し用の受け渡し部は、載置された基板を冷却する冷却ステージを含み、
   前記塗布処理積層体の単位ブロック用搬送機構から当該単位ブロックに対応する受け渡し部に受け渡された基板は、前記露光装置に搬入される前に前記冷却ステージで冷却されてから、前記第３の搬送機構により当該露光装置に受け渡されることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
3. 前記塗布処理積層体を構成する複数の単位ブロックは、
   前記液処理モジュールとして、基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布モジュールを含むレジスト膜形成単位ブロックと、
   前記レジスト膜形成単位ブロックに積層され、前記液処理モジュールとして、前記レジスト膜上に上層膜を形成するための上層膜塗布モジュールを含む上層膜形成単位ブロックと、
   を有し、
   前記レジスト塗布モジュールで処理された基板は、前記レジスト膜形成単位ブロックに対応する単位ブロック用の受け渡し部に受け渡され、
   次いで、前記第１の搬送機構または第２の搬送機構により、上層膜形成単位ブロックに対応する単位ブロック用の受け渡し部に受け渡され、
   次いで、前記上層膜形成単位ブロックの単位ブロック用の搬送機構により、前記単位ブロック用の受け渡し部から、前記上層膜を形成するために上層膜形成モジュールに搬送されるように前記制御部により各搬送機構が制御されることを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
4. 前記インターフェイスブロックは、基板を洗浄する洗浄モジュールを備え、
   前記受け渡し部の積層体から見て、前記洗浄モジュールは、前記第１の搬送機構により基板が受け渡されるように当該第１の搬送機構の背面側と、第２の搬送機構により基板が受け渡されるように当該第２の搬送機構の背面側と、に夫々設けられることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
5. 前記第１の搬送機構の背面側に設けられる前記洗浄モジュールは、露光処理前の基板の洗浄を行う洗浄モジュールであり、
   前記第２の搬送機構の背面側に設けられる前記洗浄モジュールは、露光処理後の基板の洗浄を行う洗浄モジュールであることを特徴とする請求項４記載の塗布、現像装置。

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