JP2021057546A - 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高スループットで処理可能であり且つ占有床面積が小さい塗布、現像装置を提供する。【解決手段】露光前に基板を液処理する露光前処理モジュールを含む処理モジュールが設けられた処理ブロックＢ２と、露光後、現像処理前に基板を液処理する露光後処理モジュールと、露光装置Ｅに基板を搬入出する第１搬入出モジュール４１とが設けられ、且つ、前記処理ブロックＢ２と前記露光装置Ｅとを幅方向に連結する中継ブロックＢ３と、を備え、前記中継ブロックＢ３は、受渡部及び前記露光後処理モジュールに基板を搬入出する第２搬入出モジュール４２が、前記受渡部と幅方向に隣接する領域に設けられ、前記幅方向と直交する奥行き方向において、前記第２搬入出モジュール４２を間に挟んで、前記露光後処理モジュールと対向する領域に、前記第１搬入出モジュール４１と前記第２搬入出モジュール４２との間で基板を中継する中継機構５０が設けられている。【選択図】図１

Description

本開示は、塗布、現像装置及び塗布、現像方法に関する。

特許文献１には、基板上にレジスト膜を形成する塗布処理ユニットや現像処理を行う現像処理ユニットが設けられた処理部と、当該処理部と液浸法により露光処理を行う露光装置との間に配置されるインターフェイスブロックとを有する基板処理装置が開示されている。この基板処理装置では、インターフェイスブロックが、搬入搬出ブロックと洗浄乾燥処理ブロックとにより構成される。搬入搬出ブロックは、露光装置に対する基板の搬入及び搬出を行う搬送機構が設けられている。また、洗浄乾燥処理ブロックは、露光処理前の基板の洗浄及び乾燥処理を行う２つの洗浄乾燥処理部と、２つの基板の搬送機構とが設けられている。特許文献１の基板処理装置では、処理部、洗浄乾燥処理ブロック、搬入搬出ブロック、露光装置が第１の方向に沿って並設され、２つの洗浄乾燥処理部と２つの基板の搬送機構は、上記第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、２つの洗浄乾燥処理部の間に２つの搬送機構が配置されている。

特開２０１０−２１９４３４号公報

本開示にかかる技術は、高スループットで処理可能であり且つ占有床面積が小さい塗布、現像装置を提供する。

本開示の一態様は、基板にレジスト膜を形成し、当該基板を露光装置に搬送し、その後、当該露光装置で液浸露光された基板に対し現像処理を行う、塗布、現像装置であって、レジスト膜を含む塗布膜形成後、液浸露光前に基板を液処理する露光前処理モジュールを含む処理モジュールが設けられた処理ブロックと、液浸露光後、現像処理前に基板を液処理する露光後処理モジュールと、前記露光装置に基板を搬入出する第１搬入出モジュールとが設けられ、且つ、前記処理ブロックと前記露光装置とを幅方向に連結する中継ブロックと、を備え、前記処理ブロックは、上下方向に多層化され、各層に前記処理モジュールが設けられ、前記幅方向に延びる搬送領域に、基板を搬送する搬送機構が設けられ、前記露光前処理モジュールが設けられた層における、前記中継ブロック側端に、両ブロック間で基板を受け渡す際に当該基板が載置される受渡部が設けられ、前記中継ブロックは、前記受渡部及び前記露光後処理モジュールに基板を搬入出する第２搬入出モジュールが、前記処理ブロックの前記受渡部と前記幅方向に隣接する領域に設けられ、前記第２搬入出モジュールと平面視において重なる領域から、前記幅方向と直交する奥行き方向に延びる中継側搬送領域に、前記第１搬入出モジュールが設けられ、前記中継側搬送領域と上下方向に隣接し且つ前記第２搬入出モジュールと前記奥行き方向に隣接する領域に、前記露光後処理モジュールが設けられ、前記奥行き方向において、前記第２搬入出モジュールを間に挟んで、前記露光後処理モジュールと対向する領域に、前記第１搬入出モジュールと前記第２搬入出モジュールとの間で基板を中継する中継機構が設けられている。

本開示によれば、高スループットで処理可能であり且つ占有床面積が小さい塗布、現像装置を提供することができる。

本実施形態に係る塗布、現像装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。 本実施形態に係る塗布、現像装置の構成の概略を模式的に示す、正面図である。 本実施形態に係る塗布、現像装置の構成の概略を模式的に示す、背面図である。 本実施形態に係る塗布、現像装置の内部構成の概略を模式的に示す、部分縦断正面図である。 本実施形態に係る塗布、現像装置の左側サブブロックが有する第３層ブロックの内部構成の概略を模式的に示す平面図である。 本実施形態に係る塗布、現像装置の右側サブブロックが有する第３層ブロックの内部構成の概略を模式的に示す平面図である。 本実施形態に係る塗布、現像装置の右側サブブロックの構成の概略を模式的に示す右側面図である。 本実施形態に係る塗布、現像装置の右側サブブロックが有する第６層ブロックの内部構成の概略を模式的に示す平面図である。 本実施形態に係る塗布、現像装置のインターフェイスブロックの内部構成の概略を模式的に示す右側面図である。 本実施形態の効果を説明するための図である。

半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所望のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理には、例えば、ウェハ上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理等が含まれる。これらの処理のうち、レジスト塗布処理及び現像処理等は、塗布、現像装置で行われる。

上述の露光処理の種類としては、液浸露光処理がある。液浸露光とは、露光レンズとウェハとの間に水等の液浸液を介して露光する手法である。液浸露光を行う場合は、液浸露光用の保護膜を形成するモジュールや、液浸露光処理前にウェハの裏面を洗浄するモジュール、液浸露光後にウェハの表面を洗浄するモジュール等、多くの種類の処理モジュールが、塗布、現像装置に搭載される。

ところで、レジストパターン形成の高スループット化が更に求められている。高スループット化を達成するためには、塗布、現像装置の各処理モジュールの搭載数を多くする必要がある。しかし、液浸露光の場合、上述のように多くの種類の処理モジュールが搭載されるため、各処理モジュールの搭載数を多くすると、装置が大型化してしまう。具体的には、装置の占有床面積が大きくなってしまう。

特許文献１の基板処理装置では、前述のように、処理部、洗浄乾燥処理ブロック、搬入搬出ブロック、露光装置が第１の方向に沿って並設され、２つの洗浄乾燥処理部と２つの基板の搬送機構は、上記第２の方向に沿って配置され、２つの洗浄乾燥処理部の間に２つの搬送機構が配置されている。これにより、装置の大型化の抑制を図っている。しかし、特許文献１の基板処理装置は、上記第１の方向の長さが大きく、さらなる小型化が求められる。

そこで、本開示にかかる技術は、高スループットで処理可能であり且つ占有床面積が小さい塗布、現像装置を提供する。

以下、本実施形態にかかる塗布、現像装置及び塗布、現像方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１は、塗布、現像装置１の構成の概略を模式的に示す平面図である。図２及び図３はそれぞれ、塗布、現像装置１の構成の概略を模式的に示す、正面図及び背面図である。図４は、塗布、現像装置１の内部構成の概略を模式的に示す、部分縦断正面図である。図５は、塗布、現像装置１の後述の左側サブブロックが有する第３層ブロックの内部構成の概略を模式的に示す平面図である。図６は、塗布、現像装置１の後述の右側サブブロックが有する第３層ブロックの内部構成の概略を模式的に示す平面図である。図７は、上記右側サブブロックの構成の概略を模式的に示す右側面図である。図８は、上記右側サブブロックの第６層ブロックの内部構成の概略を模式的に示す平面図である。図９は、塗布、現像装置１の後述のインターフェイスブロックＢ３の内部構成の概略を模式的に示す右側面図である。

塗布、現像装置１は、図１に示すように、キャリアブロックＢ１と、処理ブロックＢ２と、中継ブロックとしてのインターフェイスブロックＢ３とが、この順で幅方向（図のＸ方向）に沿って並ぶように設けられている。以下の説明では、上述の幅方向を左右方向として説明する場合がある。インターフェイスブロックＢ３の右側（図のＸ方向正側）には露光装置Ｅが接続されている。

キャリアブロックＢ１は、基板としてのウェハＷを複数枚収容したキャリアＣが搬入出されるブロックであり、載置ブロックＢ１１と検査ブロックＢ１２とを有する。

載置ブロックＢ１１には、塗布、現像装置１の外部からキャリアＣを搬入出する際に、キャリアＣが載置される載置板１１が設けられている。載置板１１は、上記幅方向（図のＸ方向）と水平面内で直交する奥行き方向（図のＹ方向）に沿って、複数（図の例では４つ）設けられている。また、載置ブロックＢ１１には、奥行き方向に延びる搬送路１２に沿って移動自在なウェハ搬送機構１３が設けられている。ウェハ搬送機構１３は、進退自在、昇降自在、且つ、鉛直軸周りに回転自在に構成された搬送アーム１３ａを有し、各載置板１１上のキャリアＣと、検査ブロックＢ１２の後述の受渡ボックス１４との間でウェハＷを搬送できる。

検査ブロックＢ１２は、塗布、現像処理前と処理後にウェハＷの検査を行うブロックである。
検査ブロックＢ１２は、その載置ブロックＢ１１側（図のＸ方向負側）に、受渡ボックス１４が設けられ、また、その処理ブロックＢ２側（図のＸ方向正側）に受渡タワー１５が設けられ、受渡ボックス１４と受渡タワー１５との間にウェハ搬送機構１６が設けられている。受渡ボックス１４、ウェハ搬送機構１６及び受渡タワー１５は、検査ブロックＢ１２における奥行き方向（図のＹ方向）中央部において、幅方向（図のＸ方向）に沿ってこの順で並ぶように設けられており、平面視において、後述の搬送領域Ｍ１〜Ｍ６、Ｑ１〜Ｑ６の延長線上に位置する。

受渡ボックス１４は、図２及び図３に示すように、載置ブロックＢ１１のウェハ搬送機構１３がアクセス可能な高さ位置に設けられている。また、受渡ボックス１４は、図４に示すように受渡モジュールＴＲＳ１が積層されて設けられている。

受渡タワー１５は、複数の受渡モジュールが上下方向に積層されている。受渡タワー１５は、処理ブロックＢ２の後述の左側サブブロックＢ２１が有する第１〜第６層ブロックＬ１〜Ｌ６の各層ブロックに対応する高さ位置に、受渡モジュールが設けられている。具体的には、受渡タワー１５は、処理ブロックＢ２の第１層ブロックＬ１に対応する位置に受渡モジュールＴＲＳ１１、ＣＰＬ１１が設けられている。同様に、第２〜第６層ブロックＬ２〜Ｌ６に対応する位置に受渡モジュールＴＲＳ１２〜ＴＲＳ１６、ＣＰＬ１２〜ＣＰＬ１６が設けられている。また、受渡タワー１５は、ウェハ搬送機構１６がアクセス可能な高さ位置に、処理ブロックＢ２に対するウェハＷの搬入出時に用いられる受渡モジュールＴＲＳ１０が設けられている。なお、ＴＲＳが付されている受渡モジュールと「ＣＰＬ」が付されている受渡モジュールは、略同様に構成されており、後者のみが、ウェハＷが載置されるステージに当該ウェハＷの温度を調節するため媒体の流路が形成されている点で異なる。

ウェハ搬送機構１６は、進退自在、昇降自在、且つ、鉛直軸周りに回転自在に構成された搬送アーム１６ａを有する。これにより、受渡ボックス１４と後述の検査モジュールＩＮ−ＷＩＳとの間、受渡ボックス１４と後述の調整用検査装置Ｍとの間、該受渡ボックス１４と受渡タワー１５との間で、ウェハＷを搬送できる。

また、検査ブロックＢ１２は、受渡ボックス１４の上方に、検査モジュールＩＮ−ＷＩＳが設けられている。検査モジュールＩＮ−ＷＩＳは、塗布、現像処理前のウェハＷを検査するモジュールであり、当該ウェハＷの表面を撮像する撮像ユニット等を有する。
さらに、検査ブロックＢ１２は、図１に示すように、受渡ボックス１４及びウェハ搬送機構１６の奥側（図のＹ方向正側）に調整用検査装置Ｍが設けられている。調整用検査装置Ｍは、液浸露光され現像処理されたウェハＷを検査する装置である。この調整用検査装置Ｍでの検査結果に基づいて、例えば液浸露光の処理条件が調整される。
なお、検査ブロックＢ１２の手前側（図のＹ方向負側）は、ケミカル室として用いられ、液処理に使用される処理液を貯蔵する薬液ボトルや処理液を圧送するポンプ等が収納される。

さらにまた、検査ブロックＢ１２は、受渡タワー１５の奥側（図のＹ方向正側）にウェハ搬送機構１７が設けられている。ウェハ搬送機構１７は、進退自在且つ昇降自在に構成された搬送アーム１７ａを有し、受渡タワー１５の各受渡モジュール間で、ウェハＷを搬送できる。

処理ブロックＢ２は、左右方向（図のＸ方向）に連接された複数（図の例では２つ）のサブブロックＢ２１、Ｂ２２からなる。以下では、キャリアブロックＢ１側のサブブロックＢ２１を左側サブブロックＢ２１、インターフェイスブロックＢ３側のサブブロックＢ２２を右側サブブロックＢ２２という。

左側サブブロックＢ２１及び右側サブブロックＢ２２は、図２及び図３に示すように、上下方向に多層化されており、それぞれ第１〜第６層ブロックＬ１〜Ｌ６、第１〜第６層ブロックＰ１〜Ｐ６を有する。各層ブロックには、各種処理モジュールが設けられている。なお、図１では、処理ブロックＢ２については、第１層ブロックＬ１、Ｐ１の構成が示されており、以下では、まず第１層ブロックＬ１について具体的に説明する。

図１に示すように、左側サブブロックＢ２１の第１層ブロックＬ１の奥行き方向（図のＹ方向）中央には、幅方向（図のＸ方向）に延びる搬送領域Ｍ１が形成されている。

第１層ブロックＬ１における、搬送領域Ｍ１を間に挟んで奥行き方向一方側（手前側、図のＹ方向負側）の領域と他方側（奥側、図のＹ方向正側）の領域それぞれに、処理モジュールが幅方向に沿って複数設けられている。
具体的には、第１層ブロックＬ１の手前側の領域には、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１が幅方向（図のＸ方向）に沿って３つ設けられ、奥側の領域には、処理モジュールを有する縦型ユニットＴ１１〜Ｔ１６が設けられている。

反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１は、ウェハＷ上に反射防止膜を形成する。各反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２１と、スピンチャック２１上のウェハＷを囲みウェハＷから飛散した処理液を回収するカップ２２と、を有する。また、スピンチャック２１に保持されたウェハＷに反射防止膜形成用の処理液を吐出するノズル２３が設けられている。このノズル２３は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１間を移動自在に構成されており、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１間で共有される。

縦型ユニットＴ１１〜Ｔ１６は、幅方向に沿って左側（図のＸ方向負側）からこの順で設けられている。最も左側すなわちキャリアブロックＢ１側の縦型ユニットＴ１１は、反射防止膜形成後のウェハＷを検査する検査モジュール（検査モジュールＷＩＳ−Ｂ）を有し、当該モジュールは、当該ウェハＷの表面を撮像する撮像ユニット等を有する。縦型ユニットＴ１２、Ｔ１３はそれぞれ、ウェハＷに対し疎水化処理を行う疎水化処理モジュールを有し、各ユニット内において疎水化処理モジュールは、例えば上下方向２段に積層されている。縦型ユニットＴ１４〜Ｔ１６はそれぞれ、ウェハＷに対し加熱処理を行う加熱モジュールを有し、各ユニット内において加熱モジュールは、例えば上下方向２段に積層されている。

また、第１層ブロックＬ１では、上述の搬送領域Ｍ１に、ウェハ搬送機構Ｍ１１が設けられている。ウェハ搬送機構Ｍ１１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、且つ、幅方向（図のＸ方向）に移動自在に構成された搬送アームＭ１１ａを有し、第１層ブロックＬ１内においてモジュール間でウェハＷを受け渡すことができる。搬送アームＭ１１ａは、右側サブブロックＢ２２の後述の受渡タワー３１にもアクセスすることができる。

第２層ブロックＬ２は、第１層ブロックＬ１と同様に構成されている。なお、図等において、第２層ブロックＬ２に設けられている搬送領域をＭ２、反射防止膜形成モジュールをＢＣＴ２とし、縦型ユニットをＴ２１〜Ｔ２６とする。また、搬送領域Ｍ２に設けられたウェハ搬送機構をＭ２１とし、ウェハ搬送機構Ｍ２１が有する搬送アームをＭ２１ａとする。

左側サブブロックＢ２１の第３層ブロックＬ３は、図５に示すように、奥行き方向（図のＹ方向）中央に、幅方向（図のＸ方向）に延びる搬送領域Ｍ３が形成されている。

第３層ブロックＬ３の搬送領域Ｍ３より手前側（図のＹ方向負側）の領域には、現像モジュールＤＥＶ１が幅方向に沿って５つ設けられ、搬送領域Ｍ３より奥側（図のＹ方向正側）の領域には、処理モジュールを有する縦型ユニットＴ３１〜Ｔ３６が設けられている。

現像モジュールＤＥＶ１は、液浸露光後のウェハＷに対して現像処理を行う。各現像モジュールＤＥＶ１も、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と同様、スピンチャック２１、カップ２２と、を有する。また、現像モジュールＤＥＶ１間で共有されるノズル２３が設けられている。なお、現像モジュールＤＥＶ１に対するノズル２３からは、現像液が吐出される。

縦型ユニットＴ３１〜Ｔ３６は、幅方向に沿って左側（図のＸ方向負側）からこの順で設けられている。最も左側すなわちキャリアブロックＢ１側の縦型ユニットＴ３１は、現像後のウェハＷを検査するモジュール（検査モジュールＯＵＴ−ＷＩＳ）を有し、当該モジュールは、当該ウェハＷの表面を撮像する撮像ユニット等を有する。縦型ユニットＴ３２〜Ｔ３６はそれぞれ、ウェハＷに対し加熱処理を行う加熱モジュールを有し、各ユニット内において加熱モジュールは、例えば上下方向２段に積層されている。

また、第３層ブロックＬ３では、上述の搬送領域Ｍ３に、ウェハ搬送機構Ｍ３１が設けられている。ウェハ搬送機構Ｍ３１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、且つ、幅方向（図のＸ方向）に移動自在に構成された搬送アームＭ３１ａを有し、第３層ブロックＬ３内においてモジュール間でウェハＷを受け渡すことができる。搬送アームＭ３１ａは、右側サブブロックＢ２２の後述の受渡タワー３１にもアクセスすることができる。

第４〜第６層ブロックＬ４〜Ｌ６は、第３層ブロックＬ３と同様に構成されている。なお、図等において、第４〜第６層ブロックＬ４〜Ｌ６に設けられている搬送領域をＭ４〜Ｍ６、反射防止膜形成モジュールをＤＥＶ２〜ＤＥＶ４とし、縦型ユニットをＴ４１〜Ｔ４６、Ｔ５１〜Ｔ５６、Ｔ６１〜Ｔ６６とする。また、搬送領域Ｍ４〜Ｍ６に設けられたウェハ搬送機構をＭ４１、Ｍ５１、Ｍ６１とし、ウェハ搬送機構Ｍ４１、Ｍ５１、Ｍ６１が有する搬送アームをそれぞれ、Ｍ４１ａ、Ｍ５１ａ、Ｍ６１ａとする。

右側サブブロックＢ２２は、図４に示すように、左側サブブロックＢ２１の搬送領域Ｍ１〜Ｍ６と幅方向（図のＸ方向）隣接する位置に、受渡タワー３１を有する。受渡タワー３１は、右側サブブロックＢ２２の第１〜第６層ブロックＰ１〜Ｐ６に跨るように設けられている。

この受渡タワー３１は、複数の受渡モジュールが上下方向に積層されている。受渡タワー３１は、第１〜第６層ブロックＬ１〜Ｌ６及び第１〜第６層ブロックＰ１〜Ｐ６の各層ブロックに対応する高さ位置に、受渡モジュールが設けられている。具体的には、受渡タワー１５は、第１層ブロックＬ１及び第１層ブロックＰ１に対応する位置に受渡モジュールＴＲＳ２１、ＣＰＬ２１が設けられている。同様に、第２〜第６層ブロックＬ２〜Ｌ６及び第２〜第６層ブロックＰ２〜Ｐ６に対応する位置に受渡モジュールＴＲＳ２２〜ＴＲＳ２６、ＣＰＬ２２〜ＣＰＬ２６が設けられている。
また、受渡タワー３１は、後述のウェハ搬送機構Ｑ５１がアクセス可能な高さ位置に、受渡モジュールＴＲＳ２０が設けられている。この受渡モジュールＴＲＳ２０は、例えば、右側サブブロックＢ２２から左側サブブロックＢ２１へのウェハＷの搬入時に用いられる。また、受渡モジュールＴＲＳ２０は、後述の受渡ボックス３３と高さ位置が略同じである。

また、右側サブブロックＢ２２は、図１に示すように、受渡タワー３１の奥側（図のＹ方向正側）にウェハ搬送機構３２が設けられている。ウェハ搬送機構３２は、進退自在且つ昇降自在に構成された搬送アーム３２ａを有し、受渡タワー３１の各受渡モジュール間で、ウェハＷを搬送できる。

右側サブブロックＢ２２の第１層ブロックＰ１は、受渡タワー３１から幅方向（図のＸ方向）に延びる搬送領域Ｑ１が、奥行き方向（図のＹ方向）中央に形成されている。

第１層ブロックＰ１の搬送領域Ｑ１より手前側（図のＹ方向負側）の領域には、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１が幅方向に沿って３つ設けられ、搬送領域Ｑ１より奥側（図のＹ方向正側）の領域には、処理モジュールを有する縦型ユニットＵ１１〜Ｕ１４が設けられている。

レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は、反射防止膜が形成されたウェハＷ上にレジスト膜を形成する。各レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１も、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と同様、スピンチャック２１、カップ２２と、を有する。また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１間で共有されるノズル２３が設けられている。なお、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１に対するノズル２３からは、レジスト膜形成用のレジスト液が吐出される。

縦型ユニットＵ１１〜Ｕ１４は、幅方向に沿って左側（図のＸ方向負側）からこの順で設けられている。縦型ユニットＵ１１〜Ｕ１４はそれぞれ、ウェハＷに対し加熱処理を行う加熱モジュールを有し、各ユニット内において加熱モジュールは、例えば上下方向２段に積層されている。

また、第１層ブロックＰ１では、上述の搬送領域Ｑ１に、ウェハ搬送機構Ｑ１１が設けられている。ウェハ搬送機構Ｑ１１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、且つ、幅方向（図のＸ方向）に移動自在に構成された搬送アームＱ１１ａを有し、第１層ブロックＰ１内においてモジュール間でウェハＷを受け渡すことができる。搬送アームＱ１１ａは、受渡タワー３１にもアクセスすることができる。

第２層ブロックＰ２は、第１層ブロックＰ１と同様に構成されている。なお、図等において、第２層ブロックＰ２に設けられている搬送領域をＱ２、レジスト膜形成モジュールをＣＯＴ２とし、縦型ユニットをＵ２１〜Ｕ２４とする。また、搬送領域Ｑ２に設けられたウェハ搬送機構をＱ２１とし、ウェハ搬送機構Ｑ２１が有する搬送アームをＱ２１ａとする。

第３層ブロックＰ３は、図４に示すように、受渡タワー３１から幅方向（図のＸ方向）に延びる搬送領域Ｑ５が形成されている。この搬送領域Ｑ５は、奥行き方向（図のＹ方向）中央に形成されている。

第３層ブロックＰ３の搬送領域Ｑ３より手前側（図のＹ方向負側）の領域には、保護膜形成モジュールＩＴＣ１が幅方向に沿って３つ設けられ、搬送領域Ｑ３より奥側（図のＹ方向正側）の領域には、処理モジュールを有する縦型ユニットＵ３１〜Ｕ３４が設けられている。

保護膜形成モジュールＩＴＣ１は、レジスト膜が形成されたウェハＷ上に撥水性の保護膜を形成する。各保護膜形成モジュールＩＴＣ１も、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と同様、スピンチャック２１、カップ２２と、を有する。また、保護膜形成モジュールＩＴＣ１間で共有されるノズル２３が設けられている。なお、保護膜形成モジュールＩＴＣ１に対するノズル２３からは、保護膜形成用の処理液が吐出される。

縦型ユニットＵ３１〜Ｕ３４は、幅方向に沿って左側（図のＸ方向負側）からこの順で設けられている。縦型ユニットＵ３１〜Ｕ３３はそれぞれ、ウェハＷに対し加熱処理を行う加熱モジュールを有し、各ユニット内において加熱モジュールは、例えば上下方向２段に積層されている。縦型ユニットＵ３４は、保護膜形成後のウェハＷを検査すると共に当該ウェハＷに対し周縁露光を行うモジュール（検査モジュールＷＥＳ）を有し、当該モジュールは、当該ウェハＷの表面を撮像する撮像ユニットや周縁露光のための光源等を有する。

また、第３層ブロックＰ３では、上述の搬送領域Ｑ３に、ウェハ搬送機構Ｑ３１が設けられている。ウェハ搬送機構Ｑ３１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、且つ、幅方向（図のＸ方向）に移動自在に構成された搬送アームＱ３１ａを有し、第３層ブロックＰ３内においてモジュール間でウェハＷを受け渡すことができる。搬送アームＱ１３ａは、受渡タワー３１にもアクセスすることができる。

第４層ブロックＰ４は、第３層ブロックＰ３と同様に構成されている。なお、図等において、第４層ブロックＰ４に設けられている搬送領域をＱ４、保護膜形成モジュールをＩＴＣ２とし、縦型ユニットをＵ４１〜Ｕ４４とする。また、搬送領域Ｑ４に設けられたウェハ搬送機構をＱ４１とし、ウェハ搬送機構Ｑ４１が有する搬送アームをＱ４１ａとする。

第５層ブロックＰ５は、図４に示すように、受渡タワー３１から幅方向（図のＸ方向）に延びる搬送領域Ｑ５が形成されている。この搬送領域Ｑ５は、図７に示すように、奥行き方向（図のＹ方向）中央に形成されている。

第５層ブロックＰ５の搬送領域Ｑ５より手前側（図のＹ方向負側）の領域には、露光前処理モジュールとしての露光前洗浄モジュールＢＳＴ１が設けられているが、搬送領域Ｑ５より奥側（図のＹ方向正側）の領域には、処理モジュールは設けられていない。当該奥側の領域には、例えば、後述の搬送機構Ｑ５１を駆動するための駆動機構が設けられている。なお、搬送領域Ｑ５より手前側の領域において、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１は、図２に示すように、幅方向（図のＸ方向）に沿って３つ設けられている。

露光前洗浄モジュールＢＳＴ１は、保護膜が形成されたウェハＷを洗浄し、具体的には、当該ウェハＷの裏面を洗浄する。各露光前洗浄モジュールＢＳＴ１も、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と同様、スピンチャック２１、カップ２２と、を有する。ただし、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１には、スピンチャック２１に保持されたウェハＷの表面に処理液を供給するノズル２３を有しておらず、当該ノズル２３がカップ２２の外側に設けられていない。なお、図示は省略するが、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１には、表面が上向きになっているウェハＷの裏面及びベベル部に洗浄液を供給して洗浄を行うノズルがカップ２２の内側または下部に設けられている。

また、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１は、同じサブブロックに設けられた他の液処理モジュール（すなわちレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２や保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２）に比べて、幅方向（図のＸ方向）のモジュール間ピッチが狭い。具体的には、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１は、スピンチャック２１またはカップ２２の幅方向のピッチがレジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２や保護膜形成モジュールＩＴＣ１、ＩＴＣ２に比べて狭い。露光前洗浄モジュールＢＳＴ１は、前述のようにノズル２３が設けられていないため、液処理以外の時にノズル２３が待機する待機部等を設ける必要がないので、幅方向のモジュール間ピッチを狭くすることができる。

露光前洗浄モジュールＢＳＴ１の幅方向のモジュール間ピッチが狭いことに合わせて、第５層ブロックＰ５の上述の搬送領域Ｑ５は、図４に示すように、搬送領域Ｑ１〜Ｑ４に比べて、幅方向長さすなわち幅が短くなっている。そして、搬送領域Ｑ５には、第６層ブロックＰ６の後述の搬送領域Ｑ６と共有のウェハ搬送機構Ｑ５１が設けられている。ウェハ搬送機構Ｑ５１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、且つ、幅方向（図のＸ方向）に移動自在に構成された搬送アームＱ５１ａを有する。

第６層ブロックＰ６は、図８に示すように、受渡タワー３１から幅方向（図のＸ方向）に延びる搬送領域Ｑ６が、奥行き方向（図のＹ方向）中央に形成されている。

第６層ブロックＰ６の搬送領域Ｑ６より手前側（図のＹ方向負側）の領域には、露光前洗浄モジュールＢＳＴ２が幅方向に沿って３つ設けられ、さらに、搬送領域Ｑ６より奥側（図のＹ方向正側）の領域にも、露光前洗浄モジュールＢＳＴ３が幅方向に沿って３つ設けられている。

露光前洗浄モジュールＢＳＴ２、ＢＳＴ３は、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１と同様、幅方向のモジュール間ピッチが狭い。
また、第６層ブロックＰ６の搬送領域Ｑ６は、第５ブロックＰ５の搬送領域Ｑ５と同様、搬送領域Ｑ１〜Ｑ４に比べて、幅が短くなっている。そして、搬送領域Ｑ６には、前述したように、第５層ブロックＰ５と共有のウェハ搬送機構Ｑ５１が設けられている。ウェハ搬送機構Ｑ５１は、前述の搬送アームＱ５１ａにより、受渡タワー３１と露光前洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ３との間や、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ３と後述の受渡ボックス３３との間、当該ボックス３３と受渡タワー３１との間で、ウェハＷを搬送できる。

さらに、第６層ブロックＰ６は、そのインターフェイスブロックＢ３側（図のＸ方向正側）端に、受渡部としての受渡ボックス３３が設けられている。受渡ボックス３３は、具体的には、第６層ブロックＰ６内において、搬送領域Ｑ６のインターフェイスブロックＢ３側（図のＸ方向正側）に隣接する領域に設けられている。この受渡ボックス３３は、図４に示すように受渡モジュールＴＲＳ３１が積層されて設けられている。

インターフェイスブロックＢ３は、図９に示すように、露光装置ＥにウェハＷを搬入出する第１搬入出モジュールとしてのウェハ搬送機構４１が中継側搬送領域Ｒ１に設けられている。中継側搬送領域Ｒ１については後述する。ウェハ搬送機構４１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、且つ、奥行き方向（図のＹ方向）に移動自在に構成された搬送アーム４１ａを有する。ウェハ搬送機構４１は、搬送アーム４１ａにより、後述の受渡タワー５１と露光装置Ｅとの間で、ウェハＷを搬送できる。

また、インターフェイスブロックＢ３には、露光後処理モジュールとしての露光後洗浄モジュールＰＩＲが積層されて設けられている。露光後洗浄モジュールＰＩＲは、液浸露光後のウェハＷを洗浄し、具体的には、当該ウェハＷの表面に形成されている保護膜を除去したり当該表面を洗浄したりする。露光後洗浄モジュールＰＩＲも、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と同様、スピンチャック２１、カップ２２と、を有する。また、図示は省略するが、露光後洗浄モジュールＰＩＲにも、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１とウェハＷの表面に処理液を供給するノズルも設けられている。ただし、このノズルからは、保護膜除去用または洗浄用の処理液が吐出される。
この露光後洗浄モジュールＰＩＲは、直方体形状の筐体を有し、その長手方向が、塗布、現像装置１の奥行き方向（図のＹ方向）に一致するように配設される。

さらに、インターフェイスブロックＢ３には、右側サブブロックＢ２２の受渡ボックス３３及び露光後洗浄モジュールＰＩＲにウェハＷを搬入出する第２搬入出モジュールとしてのウェハ搬送機構４２が設けられている。ウェハ搬送機構４２は、図４に示すように、受渡ボックス３３と幅方向（図のＸ方向）に隣接する領域に設けられている。具体的には、ウェハ搬送機構４２は、図８に示すように、右側サブブロックＢ２２の搬送領域Ｑ５または搬送領域Ｑ６、受渡ボックス３３及び当該ウェハ搬送機構４２が平面視において幅方向に沿って並ぶように、設けられている。ウェハ搬送機構４２は、進退自在、昇降自在且つ鉛直軸周りに回転自在に構成された搬送アーム４２ａを有する。ウェハ搬送機構４２は、搬送アーム４２ａにより、受渡ボックス３３と後述の受渡タワー５１との間、受渡タワー５１と露光後洗浄モジュールＰＩＲとの間、露光後洗浄モジュールＰＩＲと受渡ボックス３３との間で、ウェハＷを搬送できる。

ここで、ウェハ搬送機構４１が設けられる中継側搬送領域Ｒ１について説明する。
中継側搬送領域Ｒ１は、図１及び図９に示すように、ウェハ搬送機構４２と平面視においてのみ重なり上下方向では重ならない領域から奥行き方向手前側（図のＹ方向負側）に露光装置Ｅの側面に沿って延びる領域である。本実施形態では、中継側搬送領域Ｒ１は、インターフェイスブロックＢ３の奥行き方向中央下部の領域から奥行き方向に沿って手前側端まで延びている。なお、露光装置Ｅの種類は多様であり、多種の露光装置Ｅに適用可能とするためには、中継側搬送領域Ｒ１の奥行き方向の長さはある程度大きくしておく必要がある。

この中継側搬送領域Ｒ１と上下方向に隣接し且つウェハ搬送機構４２と奥行き方向（図のＹ方向）に隣接する領域に、露光後洗浄モジュールＰＩＲが設けられている。具体的には、中継側搬送領域Ｒ１の上側に隣接し且つウェハ搬送機構４２の手前側に隣接する領域に、複数の露光後洗浄モジュールＰＩＲが積層されている。

さらにまた、インターフェイスブロックＢ３は、図９に示すように、ウェハ搬送機構４１とウェハ搬送機構４２との間でウェハＷを中継する中継機構５０を有する。この中継機構５０は、奥行き方向（図のＹ方向）において、ウェハ搬送機構４２を間に挟んで、露光後洗浄モジュールＰＩＲと対向する奥側（図のＹ方向正側）の領域に、設けられている。
中継機構５０は、積層受渡部としての受渡タワー５１と、上下方向搬送機構としてのウェハ搬送機構５２とを有し、これらが、奥行き方向に沿ってこの順で手前側（図のＹ方向負側）から並んでいる。

受渡タワー５１は、ウェハ搬送機構４１によってウェハＷが搬入出される受渡モジュールとウェハ搬送機構４２によってウェハＷが搬入出される受渡モジュールとが上下方向に積層されている。具体的には、受渡タワー５１は、ウェハ搬送機構４１がアクセス可能な上方の位置に、受渡モジュールＴＲＳ４１と受渡モジュールＳＢＵが積層され、ウェハ搬送機構４２がアクセス可能な下方の位置に、受渡モジュールＴＲＳ４２と受渡モジュールＣＰＬ４１が積層されている。なお、受け渡しモジュールＳＢＵは、複数枚のウェハＷを収容し、滞留させることができるように構成されている。

ウェハ搬送機構５２は、進退自在且つ昇降自在に構成された搬送アーム５２ａを有し、受渡タワー５１の受渡モジュール間で、ウェハＷを受け渡すことができる。

以上のように構成される塗布、現像装置１は、制御部１００を有している。制御部１００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。このプログラム格納部には、上述の各種処理モジュールやウェハ搬送機構等の駆動系の動作を制御して、ウェハＷに対して各種処理を行うためのプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。

次に、以上のように構成された塗布、現像装置１を用いて行われる塗布、現像処理について説明する。

まず、複数のウェハＷを収納したキャリアＣが、塗布、現像装置１のキャリアブロックＢ１に搬入され、ウェハ搬送機構１３によりキャリアＣ内の各ウェハＷが、受渡ボックス１４の受渡モジュールＴＲＳ１に順次搬送される。

次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１６によって、検査モジュールＩＮ−ＷＩＳに搬送され、当該検査モジュールＩＮ−ＷＩＳを用いた、塗布、現像処理前のウェハＷの検査が行われる。
続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１６によって、受渡タワー１５の受渡モジュールＴＲＳ１０に搬送され、その後、ウェハ搬送機構１７によって、例えば、ＴＲＳ１１に搬送される。

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ１１により、処理ブロックＢ２の左側サブブロックＢ２１の第１層ブロックＬ１に搬入され、例えば、縦型ユニットＴ１２（疎水化処理モジュール）に搬送され、疎水化処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ１１により、受渡モジュールＣＰＬ１１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１→縦型ユニットＴ１３（熱処理モジュール）→縦型ユニットＴ１１（検査モジュールＷＩＳ−Ｂ）の順に搬送される。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成されると共に、検査モジュールＷＩＳ−Ｂを用いた、当該ウェハＷの検査が行われる。

続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ１１により、受渡タワー３１のＴＲＳ２１に搬送され、処理ブロックＢ２の右側サブブロックＢ２２の第１層ブロックＰ１に搬入される。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｑ１１により、受渡モジュールＣＰＬ２１→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１→縦型ユニットＵ１１（熱処理モジュール）→受渡モジュールＴＲＳ２１の順に搬送される。これにより、ウェハＷの反射防止膜上にレジスト膜が形成される。このように、塗布、現像装置１では、左側サブブロックＢ２１で反射防止膜形成に用いる層ブロックと、右側サブブロックＢ２２でレジスト膜形成に用いる層ブロックとの高さ位置が同じである。

次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送機構３２により、例えば、受渡モジュールＣＰＬ２３に搬送され、第３層ブロックＰ３に搬入される。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｑ３１により、保護膜形成モジュールＩＴＣ１→縦型ユニットＵ３１（熱処理モジュール）→縦型ユニットＵ３４（検査モジュールＷＥＳ）→受渡モジュールＴＲＳ２３の順に搬送される。これにより、ウェハＷのレジスト膜上に保護膜が形成されると共に、検査モジュールＷＥＳを用いた、当該ウェハＷの検査及び当該ウェハＷに対する周縁露光が行われる。
なお、例えば、第１層ブロックＰ１、Ｐ２の縦型ユニットＵ１３、Ｕ１４、Ｕ２３、Ｕ２４が、検査モジュールＷＥＳを有するように構成し、ウェハＷの検査及び当該ウェハＷに対する周縁露光を、保護膜形成後ではなく、保護膜形成前且つレジスト膜形成後に行うようにしてもよい。

続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構３２により、例えば、受渡モジュールＴＲＳ２６に搬送され、第６層ブロックＰ６に搬入される。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｑ５１により、例えば、露光前洗浄モジュールＢＳＴ２に搬送され、ウェハＷの裏面が洗浄される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｑ５１により、受渡ボックス３３の受渡モジュールＴＲＳ３１に搬送される。

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送機構４２により、受渡タワー５１の受渡モジュールＳＢＵに搬送され、インターフェイスブロックＢ３に搬入される。次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送機構５２により、受渡モジュールＣＰＬ４１に搬送される。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送機構４１により、露光装置Ｅに搬送され、液浸露光される。

液浸露光後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構４２により、受渡タワー５１のＴＲＳ４２に搬送される。次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送機構５２により、受渡モジュールＴＲＳ４１に搬送される。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送機構４２により、露光後洗浄モジュールＰＩＲ→受渡ボックス３３の順に搬送される。これにより、液浸露光後のウェハＷに対し保護膜の除去及び洗浄が行われ、当該ウェハＷが処理ブロックＢ２に再度搬入される。

続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｑ５１により、左側サブブロックＢ２１に隣接する受渡タワー３１の受渡モジュールＴＲＳ２０に搬送される。つまり、左側サブブロックＢ２１にウェハＷを搬送する際、露光前洗浄モジュールが設けられた第５及び第６層ブロックＰ５、Ｐ６のウェハ搬送機構Ｑ５１が用いられる。

次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送機構３２により、例えば、受渡タワー３１の受渡モジュールＴＲＳ２３に搬送される。続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ３１により、左側サブブロックＢ２１の第３層ブロックＬ３に搬入され、例えば、縦型ユニットＴ３２（熱処理モジュール）に搬送され、ＰＥＢ処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ３１により、受渡モジュールＣＰＬ２３→現像モジュールＤＥＶ１→縦型ユニットＴ３３（熱処理モジュール）→縦型ユニットＴ３１（検査モジュールＯＵＴ−ＷＩＳ）の順に搬送される。これにより、ウェハＷに対し現像処理が行われ、当該ウェハＷ上にレジストパターンが形成されると共に、検査モジュールＯＵＴ−ＷＩＳを用いた、現像後のウェハＷの検査が行われる。なお、検査後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ３１により、受渡モジュールＣＰＬ１３に搬送され、処理ブロックＢ２から搬出される。

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１７により、受渡モジュールＴＲＳ１０に搬送される。続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１６により、調整用検査装置Ｍに搬送され、当該調整用検査装置Ｍによって検査される。検査後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１６により、受渡ボックス１４の受渡モジュールＴＲＳに搬送され、その後、ウェハ搬送機構１３により、キャリアＣに戻される。

以上のように、本実施形態では、塗布、現像装置１が、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１〜３を含む処理モジュールが設けられた処理ブロックＢ２と、露光後洗浄モジュールＰＩＲ及びウェハ搬送機構４１が設けられ、且つ、処理ブロックＢ２と露光装置Ｅとを幅方向に連結するインターフェイスブロックＢ３と、を備えている。また、処理ブロックＢ２が、上下方向に多層化され、各層ブロックに処理モジュールが設けられ、幅方向に延びる搬送領域Ｍ１〜Ｍ６、Ｑ１〜Ｑ６にウェハ搬送機構Ｍ１１〜Ｍ６１、Ｑ１１〜Ｑ６１が設けられている。そして、処理ブロックＢ２は、
（Ａ）露光前洗浄モジュールＢＳＴ１〜３が設けられた層ブロックにおける、インターフェイスブロックＢ３側端に、両ブロック間でウェハＷを受け渡す際に当該ウェハＷが載置される受渡ボックス３３が設けられ、
さらに、インターフェイスブロックＢ３が、
（Ｂ）受渡ボックス３３及び露光後洗浄モジュールＰＩＲにウェハを搬入出するウェハ搬送機構４２が、処理ブロックＢ２の受渡ボックス３３と幅方向に隣接する領域に設けられ、
（Ｃ）ウェハ搬送機構４１と平面視において重なる領域から奥行き方向に延びる中継側搬送領域Ｒ１に、ウェハ搬送機構４１が設けられ、
（Ｃ）中継側搬送領域Ｒ１と上下方向に隣接し且つウェハ搬送機構４２と奥行き方向に隣接する、デットスペースとなりうる領域に、露光後洗浄モジュールＰＩＲが設けられ、
（Ｄ）奥行き方向において、ウェハ搬送機構４２を間に挟んで、露光後洗浄モジュールＰＩＲと対向する領域に、ウェハ搬送機構４１とウェハ搬送機構４２との間でウェハＷを中継する中継機構が設けられている。
言い換えると、本実施形態にかかる塗布、現像装置１は、露光後洗浄モジュールＰＩＲが設けられた領域と、露光装置Ｅに対しウェハＷを搬入出するウェハ搬送機構４１が設けられた領域とが、平面視において重なっている。それに対し、特許文献１の基板処理装置では、処理部と、露光処理前の基板の洗浄等を行う洗浄乾燥処理部が設けられた洗浄乾燥処理ブロックと、露光装置に対する基板の搬送機構が設けられた搬入搬出ブロックと、露光装置とが第１の方向に沿って並設されており、両ブロックが平面視において重なっていない。このような特許文献１の構成に比べて、本実施形態では、前述のように、露光後洗浄モジュールＰＩＲが設けられた領域と、露光装置Ｅに対しウェハＷを搬入出するウェハ搬送機構４１が設けられた領域とが、平面視において重なっているため、装置の占有床面積を小さくすることができる。

また、本実施形態では、上記（Ａ）のように、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１〜３が設けられた層ブロックにおける、インターフェイスブロックＢ３側端に、受渡ボックス３３が設けられている。そのため、装置の幅を大きくさせずに、搬送領域Ｑ１〜Ｑ６、受渡ボックス３３及びウェハ搬送機構４２を、平面視において幅方向に沿って並ぶようにすることができる。受渡ボックス３３が、本実施形態と異なり、図１０に示すように、インターフェイスブロックＢ３側に存在した場合を考える。この場合、例えば、受渡ボックス３３と露光後洗浄モジュールＰＩＲとの間でウェハＷを受け渡すための搬送機構２００を、露光後洗浄モジュールＰＩＲ、当該搬送機構２００及び受渡ボックス３３が奥行き方向（図のＹ方向）に沿って並ぶように配設すると、奥行き方向への装置の大型化を防ぐことができる。しかし、上述のように配設すると、搬送機構２００が奥行き方向手前側（図のＹ方向負側）に位置する。そうすると、例えば、露光後洗浄モジュールＰＩＲが直方体形状の筐体を有する場合、ウェハ搬送機構４１の上方に当該モジュールＰＩＲを設けると、装置が幅方向（図のＸ方向）に大きくなってしまうことがある。それに対し、本実施形態では、上記搬送機構２００に相当するウェハ搬送機構４２が、搬送領域Ｑ１〜Ｑ６と受渡ボックス３３と平面視において幅方向に沿って並ぶようにすることができる。つまり、ウェハ搬送機構４２を奥行き方向中央に設けることができる。したがって、露光後洗浄モジュールＰＩＲが直方体形状の筐体を有する場合でも、ウェハ搬送機構４１の上方に当該モジュールＰＩＲを設けたときに、装置が幅方向に大きくなってしまうことがない。

さらに、本実施形態では、前述のように、処理ブロックＢ２が、上下方向に多層化され、各層ブロックに処理モジュールが設けられており、処理モジュール数が多い。そのため、塗布、現像装置１は、高スループットで処理可能である。

以上のように、本実施形態によれば、高スループットで処理可能であり且つ占有床面積が小さい塗布、現像装置を提供することができる。

また、本実施形態では、露光前洗浄モジュールＢＳＴ１〜３が設けられた層ブロックは、第５層ブロックＰ５と第６層ブロックＰ６であり、積層されており、これら層ブロックＰ５、Ｐ６間でウェハ搬送機構Ｑ５１を共有している。露光前洗浄モジュールは、レジスト膜等の塗布膜の形成処理等を行う場合と異なり、処理後の熱処理は不要であるため、露光前洗浄モジュールに対するウェハ搬送機構Ｑ５１の使用頻度は少ない。したがって、露光前洗浄モジュールの層ブロックＰ５、Ｐ６間でウェハ搬送機構Ｑ５１を共有することで、当該機構Ｑ５１を有効活用することができる。また、第６層ブロックＰ６のように、露光前洗浄モジュールＢＳＴ２、ＢＳＴ３を、搬送領域Ｑ６を間に挟んで奥行き方向手前側と奥側の両方に設けることで、ウェハ搬送機構Ｑ５１を有効利用することができる。
なお、露光前洗浄モジュールが設けられた層ブロックＰ５、Ｐ６の両方に、ウェハ搬送機構を設けてもよい。また、受渡ボックス３３も、本実施形態では、層ブロックＰ５、Ｐ６間で共有していたが、層ブロックＰ５、Ｐ６の両方に設けてもよい。

さらに、本実施形態では、右側サブブロックＢ２２の受渡ボックス３３から、液浸露光後のウェハＷを、左側サブブロックＢ２１に搬送する際に、露光前洗浄モジュールが設けられた層ブロックＰ５、Ｐ６内のウェハ搬送機構Ｑ５１が用いられる。したがって、さらに、ウェハ搬送機構Ｑ５１を有効活用することができる。また、他のウェハ搬送機構が不要であるため、装置の製造コストを削減することができる。

さらにまた、本実施形態では、左側サブブロックＢ２１で反射防止膜形成に用いる層ブロックと、右側サブブロックＢ２２でレジスト膜形成に用いる層ブロックとの高さ位置が同じである。したがって、反射防止膜形成とレジスト膜形成との間の不要な工程、例えば、ウェハ搬送機構３２を用いてウェハＷを高さ方向に移動させる工程を省略することができる。よって、本実施形態によれば、さらに高スループットで処理することができる。

また、本実施形態において、左側サブブロックＢ２１は、現像モジュールが設けられた層ブロックＬ３〜Ｌ６における、右側サブブロックＢ２２とは反対側すなわちキャリアブロックＢ１側に、検査モジュールＯＵＴ−ＷＩＳを有する縦型ユニットＴ３１、Ｔ４１、Ｔ５１、Ｔ６１が設けられている。したがって、現像処理後、ウェハＷを後段の工程のためにキャリアブロックＢ１等に搬送する経路上に、検査モジュールＯＵＴ−ＷＩＳが設けられているため、現像終了から検査モジュールＯＵＴ−ＷＩＳでの検査を経てキャリアブロックＢ１にウェハＷを搬出するまでの時間を短くすることができる。よって、塗布、現像処理をさらに高いスループットで行うことができる。

さらに、本実施形態では、ウェハ搬送機構４１と上下方向に隣接する露光後洗浄モジュールＰＩＲが配置される領域と側面視において重なる高さ位置に、露光前処理モジュールとしての露光前洗浄モジュールＢＳＴ１と受渡ボックス３３を有する層ブロックＰ６が設けられている。したがって、インターフェイスブロックＢ３内でのウェハ搬送機構４１とウェハ搬送機構４２の必要駆動範囲が上下に明確に分かれるため、インターフェイスブロックＢ３内の駆動機構等の配置を簡単かつコンパクトにすることができる。

また、本実施形態では、インターフェイスブロックＢ３と処理ブロックＢ２との間でのウェハＷの受け渡し時において、受渡ボックス３３にウェハ搬送機構Ｑ５１がアクセス可能な層ブロックＰ５及び６のみウェハＷは通過する。具体的には、処理ブロックＢ２の右側サブブロックＢ２２からインターフェイスブロックＢ３へのウェハＷの受け渡し時及びインターフェイスブロックＢ３から右側サブブロックＢ２２を介した左側サブブロックＢ２１へのウェハＷの受け渡し時に、受渡ボックス３３にウェハ搬送機構Ｑ５１がアクセス可能な層ブロックＰ５及び６のみウェハＷは通過する。したがって、層ブロックＰ１等に設けられた、使用頻度または時間の多いウェハ搬送機構Ｑ１１等を用いずに、層ブロックＰ５、６に対して設けられた、使用頻度の少ないウェハ搬送機構Ｑ５１を用いて、インターフェイスブロックＢ３と処理ブロックＢ２との間で、ウェハＷを受け渡すことができる。このように、本実施形態では、層ブロックＰ１のウェハ搬送機構Ｑ１１等、同一層内でのウェハ搬送に対する使用頻度の高いウェハ搬送機構が、インターフェイスブロックＢ３との間でのウェハＷの受け渡しに用いられず、当該ウェハ搬送機構の使用頻度や使用時間のさらなる増加が生じないため、スループット上好ましい。

なお、本実施形態では、反射防止膜形成後のウェハＷを検査する検査モジュールＷＩＳ−Ｂを有する縦型ユニットＴ１１、Ｔ２１は、キャリアブロックＢ１側に設けられていたが、右側サブブロックＢ２２側に設けてもよい。これにより、反射防止膜形成終了後から検査モジュールＷＩＳ−Ｂでの検査を経て右側サブブロックＢ２２にウェハＷを搬出するまでの時間を短縮することができる。
また、本実施形態では、検査モジュールＷＥＳを有する縦型ユニットＵ３４、Ｕ４４はインターフェイスブロックＢ３側に設けられていたが、左側サブブロックＢ２１側に設けられていてもよい。

以上の例では、処理ブロックＢ２は、２つのサブブロックからなっていたが、３以上のサブブロックからなっていてもよい。また、処理ブロックＢ２は、１つのブロックから構成されてもよい。

また、以上の例では、露光前洗浄モジュールや露光後洗浄モジュールは、処理ブロックＢ２やインターフェイスブロックＢ３の最上層に設けられていたが、露光前洗浄モジュールや露光後洗浄モジュールの上に他の処理モジュールを設けてもよい。
以上の例では、露光装置Ｅ側のウェハ搬入出口が下方にあるため、ウェハ搬送機構４１が下方に設けられ、ウェハ搬送機構４２、露光後洗浄モジュールＰＩＲ、露光前洗浄モジュールが上方に設けられていた。したがって、露光装置Ｅ側のウェハ搬入出口が上方にある場合は、ウェハ搬送機構４１が上方に設けられ、ウェハ搬送機構４２、露光後洗浄モジュールＰＩＲ、露光前洗浄モジュールが下方に設けられていてもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板にレジスト膜を形成し、当該基板を露光装置に搬送し、その後、当該露光装置で液浸露光された基板に対し現像処理を行う、塗布、現像装置であって、
レジスト膜を含む塗布膜形成後、液浸露光前に基板を液処理する露光前処理モジュールを含む処理モジュールが設けられた処理ブロックと、
液浸露光後、現像処理前に基板を液処理する露光後処理モジュールと、前記露光装置に基板を搬入出する第１搬入出モジュールとが設けられ、且つ、前記処理ブロックと前記露光装置とを幅方向に連結する中継ブロックと、を備え、
前記処理ブロックは、
上下方向に多層化され、各層に前記処理モジュールが設けられ、
前記幅方向に延びる搬送領域に、基板を搬送する搬送機構が設けられ、
前記露光前処理モジュールが設けられた層における、前記中継ブロック側端に、両ブロック間で基板を受け渡す際に当該基板が載置される受渡部が設けられ、
前記中継ブロックは、
前記受渡部及び前記露光後処理モジュールに基板を搬入出する第２搬入出モジュールが、前記処理ブロックの前記受渡部と前記幅方向に隣接する領域に設けられ、
前記第２搬入出モジュールと平面視において重なる領域から、前記幅方向と直交する奥行き方向に延びる中継側搬送領域に、前記第１搬入出モジュールが設けられ、
前記中継側搬送領域と上下方向に隣接し且つ前記第２搬入出モジュールと前記奥行き方向に隣接する領域に、前記露光後処理モジュールが設けられ、
前記奥行き方向において、前記第２搬入出モジュールを間に挟んで、前記露光後処理モジュールと対向する領域に、前記第１搬入出モジュールと前記第２搬入出モジュールとの間で基板を中継する中継機構が設けられている、塗布、現像装置。
前記（１）によれば、高スループットで処理可能であり且つ占有床面積が小さい塗布、現像装置を提供することができる。

（２）前記処理ブロックは、前記露光前処理モジュールが設けられた層内の前記搬送領域の前記中継ブロック側に、前記受渡部が設けられ、
前記搬送領域、前記受渡部及び前記第２搬入出モジュールが前記幅方向に沿って並ぶ、前記（１）に記載の塗布、現像装置。

（３）前記露光前処理モジュールが設けられた層は積層されており、
前記露光前処理モジュールに対する前記搬送機構は、層間で共通である、前記（１）または（２）に記載の塗布、現像装置。

（４）前記受渡部は、１つの層に対してのみ設けられている、前記（３）に記載の塗布、現像装置。

（５）前記露光前処理モジュールは、前記幅方向のモジュール間ピッチが、前記処理ブロック内の他の液処理モジュールより狭い、前記（１）〜（４）のいずれか１に記載の塗布、現像装置。

（６）前記処理ブロックは、前記幅方向に連接された複数のサブブロックからなる、前記（１）〜（５）のいずれか１に記載の塗布、現像装置。

（７）一の前記サブブロックで前記処理モジュールにより処理が行われた後、続いて、当該サブブロックと前記幅方向に隣接する他のサブブロックで前記処理モジュールにより処理が行われる場合、前記一のサブブロックと前記他のサブブロックでは、同じ高さ位置の層に設けられた前記処理モジュールが用いられる、前記（６）に記載の塗布、現像装置。

（８）前記露光前処理モジュールが設けられたサブブロックの前記受渡部から、液浸露光後の基板を、他のサブブロックに搬送する際に、前記露光前処理モジュールが設けられた層内の前記搬送機構が用いられる、前記（６）または（７）に記載の塗布、現像装置。

（９）前記露光前処理モジュールが設けられた第１サブブロックとは異なる第２サブブロックに、前記現像処理を行う現像モジュールが設けられ、
前記第２サブブロックは、当該現像モジュールが設けられた層における、前記第１サブブロックとは反対側に、前記現像処理後の基板を検査する検査モジュールが設けられている、前記（６）〜（８）のいずれか１に記載の塗布、現像装置。

（１０）前記第２サブブロックの前記第１サブブロックとは反対側に、基板を収容するキャリアが載置されるキャリアブロックを備える、前記（９）に記載の塗布、現像装置。

（１１）前記処理ブロックの少なくとも一部の層における、前記搬送領域を間に挟んで前記奥行き方向一方側の領域と他方側の領域それぞれに、前記処理モジュールが前記幅方向に沿って複数設けられている、前記（１）〜（１０）のいずれか１に記載の塗布、現像装置。

（１２）前記露光前処理モジュールは、前記奥行き方向一方側の領域と他方側の領域の両方に設けられている、前記（１１）に記載の塗布、現像装置。

（１３）前記露光前処理モジュールは、上方の層に設けられている、前記（１）〜（１２）のいずれか１に記載の塗布、現像装置。

（１４）前記中継機構は、
前記第１搬入出モジュールによって基板が搬入出されるモジュールと前記第２搬入出モジュールによって基板が搬入出されるモジュールとが上下方向に積層された積層受渡部と、
当該積層受渡部内のモジュール間で基板を搬送する上下方向搬送機構と、を有する、前記（１）〜（１３）のいずれか１に記載の塗布、現像装置。

（１５）前記（１）〜（１４）のいずれか１に記載の塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法であって、
前記搬送機構が、前記処理ブロック内において、前記露光前処理モジュールで処理された基板を前記受渡部に搬送する工程と、
その後、前記第２搬入出モジュールが、当該基板を前記受渡部から搬出する工程と、
その後、前記中継機構が、当該基板を、前記第２搬入出モジュールから前記第１搬入出モジュールに受け渡す工程と、
その後、前記第１搬入出モジュールが、当該基板を、前記露光装置に搬入する工程と、
当該露光装置での液浸露光後に、前記第１搬入出モジュールが、当該基板を、前記露光装置から搬出する工程と、
その後、前記中継機構が、当該基板を、前記第１搬入出モジュールから前記第２搬入出モジュールに受け渡す工程と、
その後、前記第２搬入出モジュールが、当該基板を、前記露光後処理モジュールに搬入する工程と、
その後、前記第２搬入出モジュールが、当該基板を、前記露光後処理モジュールから搬出し前記受渡部に搬入する工程と、
その後、前記搬送機構が、当該基板を前記受渡部から搬出する工程と、を含む、塗布、現像方法。

１ 塗布、現像装置
３３ 受渡ボックス
４１ ウェハ搬送機構
４２ ウェハ搬送機構
５０ 中継機構
Ｂ２ 処理ブロック
Ｂ３ インターフェイスブロック
Ｂ３３ 受渡ボックス
ＢＳＴ１〜３ 露光前洗浄モジュール
Ｍ１〜Ｍ６、Ｑ１〜Ｑ６ 搬送領域
Ｍ１１〜Ｍ６１、Ｑ１１〜Ｑ６１ ウェハ搬送機構
ＰＩＲ 露光後洗浄モジュール
Ｒ１ 中継側搬送領域
Ｗ ウェハ

Claims (15)

1. 基板にレジスト膜を形成し、当該基板を露光装置に搬送し、その後、当該露光装置で液浸露光された基板に対し現像処理を行う、塗布、現像装置であって、
   レジスト膜を含む塗布膜形成後、液浸露光前に基板を液処理する露光前処理モジュールを含む処理モジュールが設けられた処理ブロックと、
   液浸露光後、現像処理前に基板を液処理する露光後処理モジュールと、前記露光装置に基板を搬入出する第１搬入出モジュールとが設けられ、且つ、前記処理ブロックと前記露光装置とを幅方向に連結する中継ブロックと、を備え、
   前記処理ブロックは、
   上下方向に多層化され、各層に前記処理モジュールが設けられ、
   前記幅方向に延びる搬送領域に、基板を搬送する搬送機構が設けられ、
   前記露光前処理モジュールが設けられた層における、前記中継ブロック側端に、両ブロック間で基板を受け渡す際に当該基板が載置される受渡部が設けられ、
   前記中継ブロックは、
   前記受渡部及び前記露光後処理モジュールに基板を搬入出する第２搬入出モジュールが、前記処理ブロックの前記受渡部と前記幅方向に隣接する領域に設けられ、
   前記第２搬入出モジュールと平面視において重なる領域から、前記幅方向と直交する奥行き方向に延びる中継側搬送領域に、前記第１搬入出モジュールが設けられ、
   前記中継側搬送領域と上下方向に隣接し且つ前記第２搬入出モジュールと前記奥行き方向に隣接する領域に、前記露光後処理モジュールが設けられ、
   前記奥行き方向において、前記第２搬入出モジュールを間に挟んで、前記露光後処理モジュールと対向する領域に、前記第１搬入出モジュールと前記第２搬入出モジュールとの間で基板を中継する中継機構が設けられている、塗布、現像装置。
2. 前記処理ブロックは、前記露光前処理モジュールが設けられた層内の前記搬送領域の前記中継ブロック側に、前記受渡部が設けられ、
   前記搬送領域、前記受渡部及び前記第２搬入出モジュールが前記幅方向に沿って並ぶ、請求項１に記載の塗布、現像装置。
3. 前記露光前処理モジュールが設けられた層は積層されており、
   前記露光前処理モジュールに対する前記搬送機構は、層間で共通である、請求項１または２に記載の塗布、現像装置。
4. 前記受渡部は、１つの層に対してのみ設けられている、請求項３に記載の塗布、現像装置。
5. 前記露光前処理モジュールは、前記幅方向のモジュール間ピッチが、前記処理ブロック内の他の液処理モジュールより狭い、請求項１〜４のいずれか１項に記載の塗布、現像装置。
6. 前記処理ブロックは、前記幅方向に連接された複数のサブブロックからなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の塗布、現像装置。
7. 一の前記サブブロックで前記処理モジュールにより処理が行われた後、続いて、当該サブブロックと前記幅方向に隣接する他のサブブロックで前記処理モジュールにより処理が行われる場合、前記一のサブブロックと前記他のサブブロックでは、同じ高さ位置の層に設けられた前記処理モジュールが用いられる、請求項６に記載の塗布、現像装置。
8. 前記露光前処理モジュールが設けられたサブブロックの前記受渡部から、液浸露光後の基板を、他のサブブロックに搬送する際に、前記露光前処理モジュールが設けられた層内の前記搬送機構が用いられる、請求項６または７に記載の塗布、現像装置。
9. 前記露光前処理モジュールが設けられた第１サブブロックとは異なる第２サブブロックに、前記現像処理を行う現像モジュールが設けられ、
   前記第２サブブロックは、当該現像モジュールが設けられた層における、前記第１サブブロックとは反対側に、前記現像処理後の基板を検査する検査モジュールが設けられている、請求項６〜８のいずれか１項に記載の塗布、現像装置。
10. 前記第２サブブロックの前記第１サブブロックとは反対側に、基板を収容するキャリアが載置されるキャリアブロックを備える、請求項９に記載の塗布、現像装置。
11. 前記処理ブロックの少なくとも一部の層における、前記搬送領域を間に挟んで前記奥行き方向一方側の領域と他方側の領域それぞれに、前記処理モジュールが前記幅方向に沿って複数設けられている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の塗布、現像装置。
12. 前記露光前処理モジュールは、前記奥行き方向一方側の領域と他方側の領域の両方に設けられている、請求項１１に記載の塗布、現像装置。
13. 前記露光前処理モジュールは、上方の層に設けられている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の塗布、現像装置。
14. 前記中継機構は、
    前記第１搬入出モジュールによって基板が搬入出されるモジュールと前記第２搬入出モジュールによって基板が搬入出されるモジュールとが上下方向に積層された積層受渡部と、
    当該積層受渡部内のモジュール間で基板を搬送する上下方向搬送機構と、を有する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の塗布、現像装置。
15. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法であって、
    前記搬送機構が、前記処理ブロック内において、前記露光前処理モジュールで処理された基板を前記受渡部に搬送する工程と、
    その後、前記第２搬入出モジュールが、当該基板を前記受渡部から搬出する工程と、
    その後、前記中継機構が、当該基板を、前記第２搬入出モジュールから前記第１搬入出モジュールに受け渡す工程と、
    その後、前記第１搬入出モジュールが、当該基板を、前記露光装置に搬入する工程と、
    当該露光装置での液浸露光後に、前記第１搬入出モジュールが、当該基板を、前記露光装置から搬出する工程と、
    その後、前記中継機構が、当該基板を、前記第１搬入出モジュールから前記第２搬入出モジュールに受け渡す工程と、
    その後、前記第２搬入出モジュールが、当該基板を、前記露光後処理モジュールに搬入する工程と、
    その後、前記第２搬入出モジュールが、当該基板を、前記露光後処理モジュールから搬出し前記受渡部に搬入する工程と、
    その後、前記搬送機構が、当該基板を前記受渡部から搬出する工程と、を含む、塗布、現像方法。

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