TWI750815B - 塗佈、顯像裝置及塗佈、顯像方法 - Google Patents

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TWI750815B
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土山正志
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題] 提供能夠以高處理量進行處理，並且佔有地板面積小的塗佈、顯像裝置。 [解決手段] 其係在基板上形成光阻膜，將該基板搬運至曝光裝置，之後，對在該曝光裝置被浸漬曝光的基板進行顯像處理，該塗佈、顯像裝置具備：處理區塊，其設置有包含曝光前處理模組的處理模組，該曝光前處理模組係於包含光阻膜的塗佈膜形成後，浸漬曝光前，對基板進行液處理；和中繼區塊，其係設置於浸漬曝光後、顯像處理前對基板進行液處理的曝光後處理模組，和對上述曝光裝置搬入搬出基板的第1搬入搬出模組，並且在寬度方向連結上述處理區塊和上述曝光裝置；上述處理區塊在上下方向被多層化，在各層設置上述處理模組，在上述寬度方向延伸的搬運區域，設置搬運基板的搬運機構，在設置上述曝光前處理模組之層的上述中繼區塊側端，設置在兩區塊間收授基板之時載置該基板的收授部，上述中繼區塊係將基板對上述收授部及上述曝光後處理模組搬入搬出的第2搬入搬出模組，被設置在上述寬度方向與上述處理區塊之上述收授部鄰接的區域，從在俯視與上述第2搬入搬出模組重疊的區域，至在與上述寬度方向正交的深度方向延伸的中繼側搬運區域，設置第1搬入搬出模組，在上下方向與上述中繼側搬運區域鄰接並且在上述深度方向與上述第2搬入搬出模組鄰接的區域，設置上述曝光後處理模組，在上述深度方向，上述第2搬入搬出模組夾於中間，於與上述曝光後處理模組對向的區域，設置在上述第1搬入搬出模組和上述第2搬入搬出模組之間中繼基板的中繼機構。

Description

塗佈、顯像裝置及塗佈、顯像方法
本揭示係關於塗佈、顯像裝置及塗佈、顯像方法。
專利文獻1揭示一種基板處理裝置，具有：處理部，其係設置進行在基板上形成光阻膜的塗佈處理單元或顯像處理的顯像處理單元；和介面區塊，其係被配置在該處理部和藉由浸漬法進行曝光處理的曝光裝置之間。在該基板處理裝置中，介面區塊係藉由搬入搬出區塊和洗淨乾燥處理區塊而構成。搬入搬出區塊係設置對曝光裝置進行基板之搬入及搬出的搬運機構。再者，洗淨乾燥處理區塊設置進行曝光處理前之基板的洗淨及乾燥處理的兩個洗淨乾燥處理部，和兩個基板之搬運機構。在專利文獻1之基板處理裝置中，沿著第1方向並列設置處理部、洗淨乾燥處理區塊、搬入搬出區塊、曝光裝置，兩個洗淨乾燥處理部和兩個基板之搬運機構係沿著在水平面內與上述第1方向正交的第2方向而被配置，在兩個洗淨乾燥處理部之間配置兩個搬運機構。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2010-219434號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示所涉及的技術係提供能夠以高處理量進行處理，並且佔有地板面積小的塗佈、顯像裝置。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣係一種塗佈、顯像裝置，其係在基板上形成光阻膜，將該基板搬運至曝光裝置，之後，對在該曝光裝置被浸漬曝光的基板進行顯像處理，該塗佈、顯像裝置具備：處理區塊，其設置有包含曝光前處理模組的處理模組，該曝光前處理模組係於包含光阻膜的塗佈膜形成後，浸漬曝光前，對基板進行液處理；和中繼區塊，其係設置於浸漬曝光後、顯像處理前對基板進行液處理的曝光後處理模組，和對上述曝光裝置搬入搬出基板的第1搬入搬出模組，並且在寬度方向連結上述處理區塊和上述曝光裝置；上述處理區塊係在上下方向被多層化，在各層設置上述處理模組，在上述寬度方向延伸的搬運區域，設置搬運基板的搬運機構，在設置上述曝光前處理模組之層的上述中繼區塊側端，設置在兩區塊間收授基板之時載置該基板的收授部，上述中繼區塊係將基板對上述收授部及上述曝光後處理模組搬入搬出的第2搬入搬出模組，被設置在上述寬度方向與上述處理區塊之上述收授部鄰接的區域，從在俯視與上述第2搬入搬出模組重疊的區域，至在與上述寬度方向正交的深度方向延伸的中繼側搬運區域，設置第1搬入搬出模組，在上下方向與上述中繼側搬運區域鄰接並且在上述深度方向與上述第2搬入搬出模組鄰接的區域，設置上述曝光後處理模組，在上述深度方向，上述第2搬入搬出模組夾於中間，於與上述曝光後處理模組對向的區域，設置在上述第1搬入搬出模組和上述第2搬入搬出模組之間中繼基板的中繼機構。 [發明之效果]
本揭示所涉及的技術係提供能夠以高處理量進行處理，並且佔有地板面積小的塗佈、顯像裝置。
在半導體裝置等之製造過程中的光微影工程中，為了在半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」)上形成期望的光阻圖案，進行一連串的處理。上述一連串的處理，包含例如對晶圓上供給光阻液而形成光阻膜的光阻塗佈處理、曝光光阻膜的曝光處理、對被曝光的光阻膜供給顯像液並予以顯像的顯像處理等。該些處理之中，光阻塗佈處理及顯像處理等係在塗佈、顯像裝置被進行。
作為上述曝光處理之種類，有浸漬曝光處理。浸漬曝光係在曝光透鏡和晶圓之間隔著水等之浸漬液而予以曝光的手法。於進行浸漬曝光的情況，在塗佈、顯像裝置搭載形成浸漬曝光用之保護膜的模組，或於浸漬曝光處理前洗淨晶圓之背面的模組、於浸漬曝光後洗淨晶圓之表面的模組等，多種類的處理模組被搭載於塗佈、顯像裝置。
然而，光阻圖案形成之高處理化進一步被要求。為了達成高處理量化，需要較多的塗佈、顯像裝置之各處理模組的搭載數量。但是，在浸漬曝光之情況，因如上述般，搭載多種類的處理模組，故當各處理模組之搭載數較多時，裝置則大型化。具體而言，裝置之佔有地板面積變大。
在專利文獻1之基板處理裝置中，如上述般，沿著第1方向並列設置處理部、洗淨乾燥處理區塊、搬入搬出區塊、曝光裝置，兩個洗淨乾燥處理部和兩個基板之搬運機構係沿著上述第2方向而被配置，在兩個洗淨乾燥處理部之間配置兩個搬運機構。依此，謀求裝置之大型化的抑制。但是，專利文獻1之基板處理裝置係上述第1方向的長度較大，需要進一步的小型化。
於是，本揭示所涉及的技術係提供能夠以高處理量進行處理，並且佔有地板面積小的塗佈、顯像裝置。
以下，針對本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置及塗佈、顯像方法，一面參照圖一面予以說明。另外，在本說明書及圖面中，針對實質上具有相同功能構成之要素，藉由標示相同符號，省略重複說明。
圖1為示意性地表示塗佈、顯像裝置1之構成之概略的俯視圖。圖2及圖3分別為示意性地表示塗佈、顯像裝置1之構成之概略的前視圖和後視圖。圖4為示意性地表示塗佈、顯像裝置1之內部構成之概略的部分縱斷圖前視圖。圖5為示意性地表示塗佈、顯像裝置1之後述左側子區塊所具有的第3層區塊之內部構成之概略的俯視圖。圖6為示意性地表示塗佈、顯像裝置1之後述右側子區塊所具有的第3層區塊之內部構成之概略的俯視圖。圖7為示意性地表示上述右側區塊之構成之概略的右側視圖。圖8係示意性地表示上述右側子區塊之第6層區塊之內部構成的俯視圖。圖9為示意性地表示塗佈、顯像裝置1之後述介面區塊B3之內部構成之概略的右視圖。
塗佈、顯像裝置1係如圖1所示般，載體區塊B1、處理區塊B2、作為中繼區塊的介面區塊B3被設置成依此順序沿著寬度方向(圖之X方向)而排列。在以下之說明中，有將上述寬度方向作為左右方向予以說明的情況。在介面區塊B3之右側(圖之X方向正側)連接曝光裝置E。
載體區塊B1係收容複數片作為基板的晶圓W的載體C被搬入搬出的區塊，具有載置區塊B11和檢查區塊B12。
在載置區塊B11，設置從塗佈、顯像裝置1之外部搬入搬出載體C之時，載體C被載置的載置板11。載置板11係沿著上述寬度方向(圖之X方向)和在水平面內正交的深度方向(圖之Y方向)設置複數(在圖之例中為4個)。再者，在載置區塊B11設置沿著在深度方向延伸的搬運路12而移動自如的晶圓搬運機構13。晶圓搬運機構13具有被構成進退自如、升降自如，並且繞垂直旋轉自如的搬運臂13a，可以在各載置板11上之載體C，和檢查區塊B12之後述的收授箱14之間搬運晶圓W。
檢查區塊B12係於塗佈、顯像處理前和處理後進行晶圓W之檢查的區塊。 檢查區塊B12係在其載置區塊B11側(圖之X方向負側)，設置收授箱14，再者，在其處理區塊B2側(圖之X方向正側)設置收授塔15，在收授箱14和收授塔15之間設置晶圓搬運機構16。收授箱14、晶圓搬運機構16及收授塔15係被設置成在檢查區塊B12中的深度方向(圖之Y方向)中央部，沿著寬度方向(圖之X方向)而依此順序排列，在俯視下，位於後述搬運區域M1～M6、Q1～Q6之延長線上。
收授箱14係如圖2及圖3所示般，被設置在載置區塊B11之晶圓搬運機構13能夠存取的高度位置。再者，收授箱14係如圖4所示般，疊層設置收授模組TRS1。
收授塔15係在上下方向疊層複數收授模組。收授塔15係在與處理區塊B2之後述左側子區塊B21具有的第1～第6層區塊L1～L6之各層區塊對應的高度位置，設置收授模組。具體而言，收授塔15係在與處理區塊B2之第1層區塊L1對應的位置設置收授模組TRS11、CPL11。同樣，在與第2～第6層區塊L2～L6對應的位置，設置收授模組TRS12～TRS16、CPL12～CPL16。再者，收授塔15係在晶圓搬運機構16能夠存取的高度位置，設置晶圓W對處理區塊B2搬入搬出時所使用的收授模組TRS10。另外，標示有TRS之收授模組和標示有「CPL」之收授模組被構成略相同，僅有後者在載置晶圓W之平台形成用以調節該晶圓W之溫度的媒體的流路之點不同。
晶圓搬運機構16具有被構成進退自如、升降自如，並且繞垂直軸旋轉自如的搬運臂16a。依此，可以在收授箱14和後述檢查模組IN-WIS之間，收授箱14和後述調整用檢查裝置M之間、該收授箱14和收授塔15之間搬運晶圓W。
再者，檢查區塊B12係在收授箱14之上方設置檢查模組IN-WIS。檢查模組IN-WIS係檢查塗佈、顯像處理前之晶圓W的模組，具有攝像該晶圓W之表面的攝像單元等。 並且，檢查區塊B12係如圖1所示般，在收授箱14及晶圓搬運機構16之深側(圖之Y方向正側)設置調整用檢查裝置M。調整用檢查裝置M係檢查被浸漬曝光之顯像處理的晶圓W的裝置。根據在該調整檢查裝置M的檢查結果，調整例如浸漬曝光之處理條件。 另外，檢查區塊B12之前方側(圖之Y方向負側)係作為化學室使用，收納貯藏被使用於液處理之處理液的藥液瓶或壓送處理液的泵浦等。
此外，檢查區塊B12係在收授塔15之深側(圖之Y方向正側)設置晶圓搬運機構17。晶圓搬運機構17具有被構成進退自如並且升降自如的搬運臂17a，可以在收授塔15之各收授模組間搬運晶圓W。
處理區塊B2係由被連接於左右方向(圖之X方向)的複數(在圖之例中為兩個)之子區塊B21、B22構成。在以下中，將載體區塊B1側之子區塊B21稱為左側子區塊B21、將介面區塊B3側之子區塊B22稱為右側子區塊B22。
左側子區塊B21及右側子區塊B22係如圖2及圖3所示在上下方向被多層化，分別具有第1～第6層區塊L1～L6、第1～第6層區塊P1～P6。在各層區塊設置各種處理模組。另外，在圖1中，針對處理區塊B2，表示第1層區塊L1、P1之構成，在以下中，首先針對第1區塊L1予以具體性說明。
如圖1所示般，在左側子區塊B21之第1層區塊L1之深度方向(圖之Y方向)中央，形成在寬度方向(圖之X方向)延伸的搬運區域M1。
在第1層區域L1中，搬運區域M1夾在中間而在深度方向一方側(前方側，圖之Y方向負側)之區域和另一方側(深側，圖之Y方向正側)之各個區域，沿著寬度方向設置複數處理模組。 具體而言，在第1層區塊L1之前方側之區域，沿著寬度方向(圖之X方向)設置三個反射防止膜形成模組BCT1，在深側之區域，設置具有處理模組之縱型單元T11～T16。
反射防止膜形成模組BCT1係在晶圓W上形成反射防止膜。各反射防止膜形成模組BCT1具有保持晶圓W而使旋轉的旋轉夾具21，和包含旋轉夾具21上之晶圓W，回收從晶圓W飛散的處理液的杯體22。再者，設置對被保持旋轉夾具21之晶圓W吐出反射防止膜形成用之處理液的噴嘴23。該噴嘴23被構成在反射防止膜形成模組BCT1間移動自如，在反射防止膜形成模組BCT1間共有。
縱型單元T11～T16係從沿著寬度方向從左側(圖之X方向負側)依序被設置。最左側即是載體區塊B1側之縱型單元T11具有檢查反射防止膜形成後之晶圓W的檢查模組(檢查模組WIS-B)，該模組具有攝像該晶圓W之表面的攝像單元等。縱型單元T12、T13分別具有對晶圓W進行疏水化處理的疏水化處理模組，在各單元內，疏水化處理模組被疊層例如在上下方向2段。縱型單元T14～T16分別具有對晶圓W進行加熱處理的加熱模組，在各單元內，加熱模組係被疊層例如在上下方向2段。
再者，在第1層區塊L1中，在上述搬運區域M1設置晶圓搬運機構M11。晶圓搬運機構M11具有被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如，並且在寬度方向(圖之X方向)移動自如的搬運臂M11a，可以在第1層區塊L1內於模組間收授晶圓W。搬運臂M11a也可以存取於右側子區塊B22之後述收授塔31。
第2層區塊L2被構成與第1層區塊L1相同。另外，在圖等中，將被設置在第2層區塊L2的搬運區域設為M2，將反射防止膜形成模組設為BCT2，將縱型單元設為T21～T26。再者，將被設置在搬運區域M2的晶圓搬運機構設為M21，將晶圓搬運機構M21具有的搬運臂設為M21a。
在左側子區塊B21之第3層區塊L3係如圖5所示般，在深度方向(圖之Y方向)中央，形成在寬度方向(圖之X方向)延伸的搬運區域M3。
在較第3層區塊L3之搬運區域M3更前方側(圖之Y方向負側)之區域，沿著寬度方向設置5個顯像模組DEV1，在較搬運區域M3更深側(圖之Y方向正側)之區域，設置具有處理模組之縱型單元T31～T36。
顯像模組DEV1係對浸漬曝光後之晶圓W進行顯像處理。各顯像模組DEV1也與反射防止膜形成模組BCT1相同具有旋轉夾具21、杯體22。再者，設置在顯像模組DEV1間共有的噴嘴23。另外，從相對於顯像模組DEV1的噴嘴23吐出顯像液。
縱型單元T31～T36係從沿著寬度方向從左側(圖之X方向負側)依序被設置。最左側即是載體區塊B1側之縱型單元T31具有檢查顯像後之晶圓W的模組(檢查模組OUT-WIS)，該模組具有攝像該晶圓W之表面的攝像單元等。縱型單元T32～T36分別具有對晶圓W進行加熱處理的加熱模組，在各單元內，加熱模組係被疊層例如在上下方向2段。
再者，在第3層區塊L3中，在上述搬運區域M3設置晶圓搬運機構M31。晶圓搬運機構M31具有被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如，並且在寬度方向(圖之X方向)移動自如的搬運臂M31a，可以在第3層區塊L3內於模組間收授晶圓W。搬運臂M31a也可以存取於右側子區塊B22之後述收授塔31。
第4～第6層區塊L4～L6被構成與第3層區塊L3相同。另外，在圖等中，將被設置在第4～第6層區塊L4～L6的搬運區域設為M4～M6，將反射防止膜形成模組設為DEV2～DEV4，將縱型單元設為T41～T46、T51～T56、T61～T66。再者，將被設置在搬運區域M4～M6的晶圓搬運機構設為M41、M51、M61具有的搬運臂分別設為M41a、M51a、M61a。
右側子區塊B22係如圖4所示般，在寬度方向(圖之X方向)與左側子區塊B21之搬運區域M1～M6鄰接的位置，具有收授塔31。收授塔31被設置成跨越右側子區塊B22之第1～第6層區塊P1～P6。
該收授塔31係在上下方向疊層複數收授模組。收授塔31係在與第1～第6層區塊L1～L6及第1～第6層區塊P1～P6之各層區塊對應的高度位置，設置收授模組。具體而言，收授塔15係在與第1層區塊L1及第1層區塊P1對應的位置設置收授模組TRS21、CPL21。同樣，在與第2～第6層區塊L2～L6及第2～第6層區塊P2～P6對應的位置，設置收授模組TRS22～TRS26、CPL22～CPL26。 再者，收授塔31係在後述的晶圓搬運機構Q51能夠存取的高度位置，設置收授模組TRS20。該收授模組TRS20係在例如從右側子區塊B22朝左側子區塊B21搬入晶圓W時被使用。再者，收授模組TRS20與後述收授箱33之高度位置略相同。
再者，右側子區塊B22係如圖1所示般，在收授塔31之深側(圖之Y方向正側)設置晶圓搬運機構32。晶圓搬運機構32具有被構成進退自如並且升降自如的搬運臂32a，可以在收授塔31之各收授模組間搬運晶圓W。
在右側子區塊B22之第1層區塊P1係在深度方向(圖之Y方向)中央，形成從收授塔31在寬度方向(圖之X方向)延伸的搬運區域Q1。
在較第1層區塊P1之搬運區域Q1更前方側(圖之Y方向負側)之區域，沿著寬度方向設置3個光阻膜形成模組COT1，在較搬運區域Q1更深側(圖之Y方向正側)之區域，設置具有處理模組之縱型單元U11～U14。
光阻膜形成模組COT1在形成有反射防止膜之晶圓W上形成光阻膜。各光阻膜形成模組COT1也與反射防止膜形成模組BCT1相同具有旋轉夾具21、杯體22。再者，設置在光阻膜形成模組COT1間共有的噴嘴23。另外，從相對於光阻膜形成模組COT1的噴嘴23吐出光阻膜形成用之光阻液。
縱型單元U11～U14係從沿著寬度方向從左側(圖之X方向負側)依序被設置。縱型單元U11～U14分別具有對晶圓W進行加熱處理的加熱模組，在各單元內，加熱模組係被疊層例如在上下方向2段。
再者，在第1層區塊P1中，在上述搬運區域Q1設置晶圓搬運機構Q11。晶圓搬運機構Q11具有被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如，並且在寬度方向(圖之X方向)移動自如的搬運臂Q11a，可以在第1層區塊P1內於模組間收授晶圓W。搬運臂Q11a也可以存取於收授塔31。
第2層區塊P2被構成與第1層區塊P1相同。另外，在圖等中，將被設置在第2層區塊P2的搬運區域設為Q2，將反射防止膜形成模組設為COT2，將縱型單元設為U21～U24。再者，將被設置在搬運區域Q2的晶圓搬運機構設為Q21，將晶圓搬運機構Q21具有的搬運臂設為Q21a。
第3層區塊P3係如圖4所示般，形成從收授塔31在寬度方向(圖之X方向)延伸的搬運區域Q5。該搬運區域Q5被形成在深度方向(圖之Y方向)中央。
在較第3層區塊P3之搬運區域Q3更前方側(圖之Y方向負側)之區域，沿著寬度方向設置3個保護膜形成模組ITC1，在較搬運區域Q3更深側(圖之Y方向正側)之區域，設置具有處理模組之縱型單元U131～U34。
保護膜形成模組ITC1係在形成有光阻膜之晶圓W上形成撥水性的保護膜。各保護膜形成模組ITC1也與反射防止膜形成模組BCT1相同具有旋轉夾具21、杯體22。再者，設置在保護膜形成模組ITC1間共有的噴嘴23。另外，從相對於保護膜形成模組ITC1的噴嘴23吐出保護膜形成用之處理液。
縱型單元U31～U34係從沿著寬度方向從左側(圖之X方向負側)依序被設置。縱型單元U31～U33分別具有對晶圓W進行加熱處理的加熱模組，在各單元內，加熱模組係被疊層例如在上下方向2段。縱型單元U34具有檢查保護膜形成後之晶圓W，同時對該晶圓W進行周緣曝光的模組(檢查模組WES)，該模組具有攝像該晶圓W之表面的攝像單元或周緣曝光用的光源等。
再者，在第3層區塊P3中，在上述搬運區域Q3設置晶圓搬運機構Q31。晶圓搬運機構Q31具有被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如，並且在寬度方向(圖之X方向)移動自如的搬運臂Q31a，可以在第3層區塊P3內於模組間收授晶圓W。搬運臂Q13a也可以存取於收授塔31。
第4層區塊P4被構成與第3層區塊P3相同。另外，在圖等中，將被設置在第4層區塊P4的搬運區域設為Q4，將保護膜形成模組設為ITC2，將縱型單元設為U41～U44。再者，將被設置在搬運區域Q4的晶圓搬運機構設為Q41，將晶圓搬運機構Q41具有的搬運臂設為Q41a。
第5層區塊P5係如圖4所示般，形成從收授塔31在寬度方向(圖之X方向)延伸的搬運區域Q5。該搬運區域Q5係如圖7所示般，被形成在深度方向(圖之Y方向)中央。
雖然在第5層區塊P5之搬運區域Q5更前方側(圖之Y方向負側)之區域，設置作為曝光前處理模組的曝光前洗淨模組BST1，但是在較搬運區域Q5更深側(圖之Y方向正側)之區域，無設置處理模組。在該深側的區域，設置例如用以驅動後述搬運機構Q51之驅動機構。另外，在較搬運區域Q5更前方側的區域，曝光前洗淨模組BST1係如圖2所示般，沿著寬度方向(圖之X方向)設置3個。
曝光前洗淨模組BST1係洗淨形成保護膜的晶圓W，具體而言，洗淨該晶圓W之背面。各曝光前洗淨模組BST1也與反射防止膜形成模組BCT1相同具有旋轉夾具21、杯體22。但是，在曝光前洗淨模組BST1，不具有對被保持於旋轉夾具21的晶圓W之表面供給處理液的噴嘴23，在杯體22之外側無設置該噴嘴23。另外，雖然省略圖示，在曝光前洗淨模組BST1，於杯體22之內側或下部，設置對表面朝上的晶圓W之背面及斜面部供給洗淨液而進行洗淨的噴嘴。
再者，曝光前洗淨模組BST1比起同樣被設置在子區塊的其他液處理模組(即是，光阻膜形成模組COT1、COT2或保護膜形成模組ITC1、ITC2)，寬度方向(圖之X方向)之模組間間距窄。具體而言，曝光前洗淨模組BST1係旋轉夾具21或杯體22之寬度方向之間距比光阻膜形成模組COT1、COT2或保護膜形成模組ITC1、ITC2窄。曝光前洗淨模組BST1因如上述般無設置噴嘴23，故於液處理以外之時，不需要設置噴嘴23待機的待機部等，故可以縮窄寬度方向之模組間間距。
配合曝光前洗淨模組BST1之寬度方向之模組間間距窄，第5層區塊P5之上述搬運區域Q5係如圖4所示般，比起搬運區域Q1～Q4，寬度方向長度即是寬度變短。而且，在搬運區域Q5設置與第6層區塊P6之後述搬運區域Q6共有的晶圓搬運機構Q51。晶圓搬運機構Q51具有被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如，並且在寬度方向(圖之X方向)移動自如的搬運臂Q51a。
第6層區塊P6係如圖8所示般，在深度方向(圖之Y方向)中央形成從收授塔31在寬度方向(圖之X方向)延伸的搬運區域Q6。
在第6層區塊P6之搬運區域Q6更前方側(圖之Y方向負側)之區域，沿著寬度方向設置3個曝光前洗淨模組BST2，並且也在較搬運區域Q6更深側(圖之Y方向正側)之區域，沿著寬度方向設置3個曝光前洗淨模組BST3。
曝光前洗淨模組BST2、BST3與曝光前洗淨模組BST1相同，寬度方向之模組間間距窄。 再者，第6層區塊P6之搬運區域Q6係與第5區塊P5之搬運區域Q5相同，比起搬運區域Q1～Q4寬度變短。而且，在搬運區域Q6係如上述般，設置有與第5層P5共有的晶圓搬運機構Q51。晶圓搬運機構Q51可以藉由上述搬運臂Q51a，在收授塔31和曝光前洗淨模組BST1～BST3之間，或曝光前洗淨模組BST1～BST3和後述收授箱33之間，該箱33和收授塔31之間，搬運晶圓W。
並且，第6層區塊P6係在其介面區塊B3側(圖之X方向正側)端，設置有作為收授部的收授箱33。收授箱33具體而言係在第6層區塊P6內，被設置在與搬運區域Q6之介面區塊B3側(圖之X方向正側)鄰接的區域。該收授箱33係如圖4所示般，疊層設置收授模組TRS31。
介面區塊B3係如圖9所示般，在中繼側搬運區域R1設置對曝光裝置E搬入搬出晶圓W之作為第1搬入搬出模組的晶圓搬運機構41。針對中繼側搬運區域R1予以後述。晶圓搬運機構41具有被構成進退自如、升降自如、繞垂直軸旋轉自如，並且在深度方向(圖之Y方向)移動自如的搬運臂41a。晶圓搬運機構41係可以藉由搬運臂41a，在後述收授塔51和曝光裝置E之間，搬運晶圓W。
再者，在介面區塊B3，疊層設置作為曝光後處理模組的曝光後洗淨模組PIR。曝光後洗淨模組PIR係洗淨浸漬曝光後之晶圓W，具體而言，除去被形成在該晶圓W之表面的保護膜，或洗淨該表面。曝光後洗淨模組PIR也與反射防止膜形成模組BCT1相同具有旋轉夾具21、杯體22。再者，雖然圖示省略，但在曝光後洗淨模組PIR，也設置對反射防止膜形成模組BCT1和晶圓W之表面供給處理液的噴嘴。但是，從該噴嘴吐出保護膜除去用或洗淨用之處理液。 該曝光後洗淨模組PIR具有長方體形狀之框體，被配設成其長邊方向與塗佈、顯像裝置1之深度方向(圖之Y方向)一致。
並且，在介面區塊B3，設置有對右側子區塊B22之收授箱33及曝光後洗淨模組PIR搬入搬出晶圓W的作為第2搬入搬出模組的晶圓搬運機構42。晶圓搬運機構42係如圖4所示般，被設置在寬度方向(圖之X方向)與收授箱33相鄰的區域。具體而言，晶圓搬運機構42係如圖8所示般，以在俯視下沿著寬度方向排列之方式，設置右側子區塊B22之搬運區域Q5或搬運區域Q6、收授箱33及該晶圓搬運機構42。晶圓搬運機構42具有被構成進退自如、升降自如，並且繞垂直軸旋轉自如的搬運臂42a。晶圓搬運機構42係藉由搬運臂42a，可以在收授箱33和後述收授塔51之間，收授塔51和曝光後洗淨模組PIR之間、曝光後洗淨模組PIR和收授箱33之間，搬運晶圓W。
在此，針對設置晶圓搬運機構41之中繼側搬運區域R1予以說明。 中繼側搬運區域R1係如圖1及圖9所示般，從僅在俯視下與晶圓搬運機構42重疊且在上下方向不重疊的區域，朝深度方向前方側(圖之Y方向負側)而沿著曝光裝置E之側面延伸的區域。在本實施型態中，中繼側搬運區域R1係從介面區塊B3之深度方向中央下部之區域沿著深度方向而延伸至前方側端。另外，曝光裝置E之種類為多樣，為了成為能夠適用於多種之曝光裝置E，必須將中繼側搬運區域R1之深度方向之長度增加至某程度。
在上下方向與該中繼側搬運區域R1鄰接並且在深度方向(圖之Y方向)與晶圓搬運機構42鄰接的區域，設置曝光後洗淨模組PIR。具體而言，在與中繼側搬運區域R1之上側鄰接並且與晶圓搬運機構42之前方側鄰接的區域，疊層複數曝光後洗淨模組PIR。
此外，介面區塊B3係如圖9所示般，具有在晶圓搬運機構41和晶圓搬運機構42之間中繼晶圓W的中繼機構50。該中繼機構50係在深度方向(圖之Y方向)中，將晶圓搬運機構42夾在中間，被設置在與曝光後洗淨模組PIR相向深側(圖之Y方向正側)的區域。 中繼機構50具有作為疊層收授部的收授塔51，和作為上下方向搬運機構的晶圓搬運機構52，該些係沿著深度方向依序從前方側(圖之Y方向負側)排列。
收授塔51係上下方向疊層藉由晶圓搬運機構41搬入搬出晶圓W的收授模組和藉由晶圓搬運機構42搬入搬出晶圓W的收授模組。具體而言，收授塔51係在晶圓搬運機構41能夠存取的上方之位置，疊層收授模組TRS41和收授模組SBU，在晶圓搬運機構42能夠存取的下方之位置，疊層收授模組TRS42和收授模組CPL41。另外，收授模組SBU係被構成可以收容且滯留複數片晶圓W。
晶圓搬運機構52具有被構成進退自如並且升降自如的搬運臂52a，可以在收授塔51之各收授模組間收授晶圓W。
被構成上述般的塗佈、顯像裝置1具有控制部100。控制部100係由例如具備有CPU或記憶體之電腦，具有程式儲存部(無圖示)。在該程式儲存部，儲存用以控制上述各種處理模組或晶圓搬運機構等的驅動系統的動作而對晶圓W進行各種處理的程式。另外，上述程式係被記錄於例如電腦可讀取之記憶媒體者，即使為從該記憶媒體被安裝於控部100者亦可。即使程式之一部分或全部以專用硬體(電路基板)實現亦可。
接著，針對使用被構成上述般之塗佈、顯像裝置1而進行的塗佈、顯像處理予以說明。
首先，收納複數晶圓W之載體C被搬入至塗佈、顯像裝置1之載體區塊B1，藉由晶圓搬運機構13，載體C內之各晶圓W依序被搬運至收授箱14之收授模組TRS1。
接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構16，進行被搬運檢查模組IN-WIS，使用該檢查模組IN-WIS的塗佈、顯像處理前的晶圓W的檢查。 接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構16，被搬運至收授塔15之收授模組TRS10，之後，藉由晶圓搬運機構17，被搬運至例如TRS11。
接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構M11，被搬入至處理區塊B2之左側子區塊B21之第1層區塊L1，被搬運至例如縱型單元T12(疏水化處理模組)，被疏水化處理。之後，晶圓W係藉由晶圓搬運機構M11，依照收授模組CPL11→反射防止膜形成模組BCT1→縱型單元T13(熱處理模組)→縱型單元T11(檢查模組WIS-B)之順序被搬運。依此，在晶圓W形成反射防止膜，同時進行使用檢查模組WIS-B的該晶圓W之檢查。
接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構M11，被搬運至收授塔31之TRS21，被搬入至處理區塊B2之右側子區塊B22之第1層區塊P1。而且，晶圓W係藉由晶圓搬運機構Q11，依照收授模組CPL21→光阻膜形成模組COT1→縱型單元U11(熱處理模組)→收授模組TRS21之順序被搬運。依此，在晶圓W之反射防止膜上形成光阻膜。如此一來，在塗佈、顯像裝置1中，在左側子區塊B21用於反射防止膜形成的層區塊，和在右側子區塊B22用於光阻膜形成的層區塊之高度位置相同。
接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構32，被搬運至例如收授模組CPL23，被搬入至第3層區域P3。而且，晶圓W係藉由晶圓搬運機構Q31，依照保護膜形成模組ITC1→縱型單元U31(熱處理模組)→縱型單元單元U34(檢查模組WES)→收授模組TRS23之順序被搬運。依此，在晶圓W之光阻膜上形成保護膜，同時進行使用檢查模組WES的該晶圓W之檢查及對該晶圓W的周緣曝光。 另外，即使例如被構成第1層區塊P1、P2之縱型單元U13、U14、U23、U24具有幾查模組WES，非保護膜形成後，而係保護膜形成前且光阻膜形成後，進行晶圓W之檢查及對該晶圓W的周緣曝光亦可。
接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構32，被搬運至例如收授模組TRS26，被搬入至第6層區域P6。而且，晶圓W係藉由晶圓搬運機構Q51，被搬運至例如曝光前洗淨模組BST2，洗淨晶圓W之背面。之後，晶圓W係藉由晶圓搬運機構Q51，被搬運至收授箱33之收授模組TRS31。
接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構42，被搬運收授塔51之收授模組SBU，被搬入至介面區塊B3。接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構52而被搬運至收授模組CPL41。而且，晶圓W係藉由晶圓搬運機構41被搬運至曝光裝置E，被浸漬曝光。
浸漬曝光後，晶圓W係藉由晶圓搬運機構42，被搬運至收授塔51之TRS42。接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構52而被搬運至收授模組TRS41。而且，晶圓W係藉由晶圓搬運機構42，依照曝光後洗淨模組PR→收授箱33之順序被搬運。依此，對浸漬曝光後之晶圓W進行保護膜之除去及洗淨，該晶圓W再次被搬入至處理區塊B2。
接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構Q51，被搬運至與左側子區塊B21鄰接的收授塔31之收授模組TRS20。即是，於將晶圓W搬運至左側子區塊B21之時，使用設置曝光前洗淨模組的第5及第6層區塊P5、P6之晶圓搬運機構Q51。
接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構32而被搬運至例如收授塔31之收授模組TRS23。接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構M31，被搬入至左側子區塊B21之第3層區塊L3，被搬運至例如縱型單元T32(熱處理模組)，被PEB處理。之後，晶圓W係藉由晶圓搬運機構M31，依照收授模組CPL23→顯像模組DEV1→縱型單元T33(熱處理模組)→縱型單元T31(檢查模組OUT-WIS)之順序被搬運。依此，對晶圓W進行顯像處理，在該晶圓W上形成光阻圖案，同時進行使用檢查模組OUT-WIS的顯像後之晶圓W的檢查。另外，檢查後，晶圓W係藉由晶圓搬運機構M31，被搬運至收授模組CPL13，從處理區塊B2被搬出。
接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構17而被搬運至收授模組TRS10。接著，晶圓W係藉由晶圓搬運機構16，被搬運至調整用檢查裝置M，藉由該調整用檢查裝置M被檢查。於檢查後，晶圓W係藉由晶圓搬運機構16，被搬運至收授箱14之收授模組TRS，之後，藉由晶圓搬運機構13，返回至載體C。
如上述般，在本實施型態中，塗佈、顯像裝置1具備設置包含曝光前洗淨模組BST1～3的處理模組的處理區塊B2，和設置曝光後洗淨模組PIR及晶圓搬運機構41，並且在寬度方向連結處理區塊B2和曝光裝置E的介面區塊B3。再者，處理區塊B2係在上下方向被多層化，在各層區塊設置處理模組，在寬度方向延伸的搬運區域M1～M6、Q1～Q6設置晶圓搬運機構M11～M61、Q11～Q61。而且，處理區塊B2係 (A)在設置有曝光前洗淨模組BST1～3的層區塊中的介面區塊B3側端，設置在兩區塊間收授晶圓W之時載置該晶圓W的收授箱33， 並且，介面區塊B3係 (B)將晶圓搬入搬出至收授箱33及曝光後洗淨模組PIR的晶圓搬運機構42，被設置在寬度方向與處理區塊B2之收授箱33鄰接的區域， (C)從在俯視與晶圓搬運機構41重疊的區域朝深度方向延伸的中繼側搬運區域R1，設置晶圓搬運機構41， (C)在上下方向與該中繼側搬運區域R1鄰接並且在深度方向與晶圓搬運機構42鄰接的可能成為無效空間的區域，設置曝光後洗淨模組PIR。 (D)在深度方向，將晶圓搬運機構42夾於中間，在與曝光後洗淨模組PIR相向的區域，設置在晶圓搬運機構41和晶圓搬運機構42之間中繼晶圓W的中繼機構。 換言之，本實施型態所涉及的塗佈、顯像裝置1係設置有曝光後洗淨模組PIR的區域，和設置有對曝光裝置E搬入搬出晶圓W的晶圓搬運機構41的區域，在俯視下重疊。對此，在專利文獻1之基板處理裝置中，處理部，和設置有進行曝光處理前之基板的洗淨等的洗淨乾燥處理部的洗淨乾燥處理區塊，和設置有對曝光裝置搬運基板之搬運機構的搬入搬出區塊，和曝光裝置係沿著第1方向被排列設置，兩區塊在俯視下不重疊。比起如此的專利文獻1之構成，在本實施型態中，如上述般，因設置有曝光後洗淨模組PIR之區域，和設置有對曝光裝置E搬入搬出晶圓W的晶圓搬運機構41的區域，在俯視下重疊，故可以縮小裝置之佔有地板面積。
再者，在本實施型態中，如上述(A)般，在設置有曝光前洗淨模組BST1～3的層區塊中的介面區塊B3側端，設置收授箱33。因此，不用增大裝置的寬度，可以使搬運區域Q1～Q6、收授箱33及晶圓搬運機構42在俯視下沿著寬度方向排列。收授箱33與本實施型態不同，如圖10所示般，設想存在於介面區塊B3側之情況。在此情況，例如當將用以在收授箱33和曝光後洗淨模組PIR之間收授晶圓W之搬運機構200，配設成曝光後洗淨模組PIR、該搬運機構200及收授箱33沿著深度方向(圖之Y方向)排列時，可以防止裝置朝深度方向的大型化。但是，當配設成上述般時，搬運機構200位於深度方向前方側(圖之Y方向負側)。如此一來，例如，在曝光後洗淨模組PIR具有長方體形狀之框體的情況，在晶圓搬運機構41之上方設置該模組PIR時，有裝置在寬度方向(圖之X方向)變大之情形。對此，在本實施型態中，可以成為相當於上述搬運機構200之晶圓搬運機構42在俯視下沿著寬度方向與搬運區域Q1～Q6和收授箱33排列。即是，可以在深度方向中央設置晶圓搬運機構42。因此，即使在曝光後洗淨模組PIR具有長方體形狀之框體之情況，在晶圓搬運機構41之上方設置該模組PIR之時，無裝置在寬度方向變大之情形。
並且，在本實施型態中，如上述般，處理區塊B2在上下方向被多層化，在各層區塊設置處理模組，處理模組數量多。因此，塗佈、顯像裝置1能夠以高處理量進行處理。
如上述般，若藉由本實施型態時，可以提供能夠以高處理量進行處理，並且佔有地板面積小的塗佈、顯像裝置。
再者，在本實施型態中，設置有曝光前洗淨模組BST1～3的層區塊係第5層區塊P5和第6層區塊P6，被疊層，在該些層區塊P5、P6間共有晶圓搬運機構Q51。曝光前洗淨模組係與光阻膜等之塗佈膜之形成處理等之情況不同，因不需要處理後的熱處理，故相對於曝光前洗淨模組的晶圓搬運機構Q51的使用頻率少。因此，藉由在曝光前淨模組之層區塊P5、P6間，共有晶圓搬運機構Q51，可以有效活用該機構Q51。再者，如第6層區塊P6般，藉由將搬運區域Q6夾在中間而深度方向前方側和深側之雙方，設置曝光前洗淨模組BST2、BST3，可以有效利用晶圓搬運機構Q51。 另外，即使在設置有曝光前洗淨模組之層區塊P5、P6之雙方，設置晶圓搬運機構亦可。再者，雖然收授箱33在本實施型態中，也在層區塊P5、P6間共有，但是即使設置在層區塊P5、P6之雙方亦可。
並且，在本實施型態中，將浸漬曝光後的晶圓W，從右側子區塊B22之收授箱33，搬運至左側子區塊B21之時，使用設置有曝光前洗淨模組的層區塊P5、P6內之晶圓搬運機構Q51。因此，可以進一步有效活用晶圓搬運機構Q51。再者，因不需要其他晶圓搬運機構，故可以刪減裝置之製造成本。
如此一來，在本實施型態中，在左側子區塊B21用於反射防止膜形成的層區塊，和在右側子區塊B22用於光阻膜形成的層區塊之高度位置相同。因此，可以省略反射防止膜形成和光阻膜形成之間的不需要的工程，例如使用晶圓搬運機構32使晶圓W移動至高度方向的工程。依此，若藉由本實施型態時，可以以高處理量進行處理。
再者，在本實施型態中，左側子區塊B21係在設置有顯像模組之層區塊L3～L6中，與右側子區塊B22相反側即是載體區塊B1側，設置具有檢查模組OUT-WIS的縱型單元T31、T41、T51、T61。因此，因在顯像處理後，為了後段之工程，將晶圓W搬運至載體區塊B1等的路徑上，設置檢查模組OUT-WIS，故可以縮短從顯像結束經過在檢查模組OUT-WIS的檢查，將晶圓W搬出至載體區塊B1為止的時間。依此，可以以更高的處理量進行塗佈、顯像處理。
並且，在本實施型態中，在側視與配置於上下方向與晶圓搬運機構41鄰接的曝光後洗淨模組PIR的區域重疊的高度位置，設置有作為曝光前處理模組之曝光前洗淨模組BST1和收授箱33之層區塊P6。因此，因在介面區塊B3內之晶圓搬運機構41和晶圓搬運機構42之需要驅動範圍被確地分成上下，故可以使介面區塊B3內之驅動機構等的配置成為簡單並且小型。
再者，在本實施型態中，在介面區塊B3和處理區塊B2之間收授晶圓W時，晶圓W僅通過晶圓搬運機構Q51能夠對收授箱33存取的層區塊P5及6。具體而言，從處理區塊B2之右側子區塊B22朝介面區塊B3收授晶圓W時及從介面區塊B3朝隔著右側子區塊B22之左側子區塊B21收授晶圓W時，晶圓W僅通過晶圓搬運機構Q51能夠對收授箱33存取的層區域P5及6。因此，可以不使用被設置在層區塊P1等的使用頻率或時間多的晶圓搬運機構Q11等，而使用對層P5、6設置的使用頻率少的晶圓搬運機構Q51，在介面區塊B3和處理區塊B2之間收授晶圓W。如此一來，在本實施型態中，因在層區塊P1之晶圓搬運機構Q11等，在同一層內相對於晶圓搬運的使用頻率高的晶圓搬運機構，不使用於在介面區塊B3之間收授晶圓W，而不產生搬運機構之使用頻率或使用時間更增加之情形，故以處理量來看為佳。
另外，在本實施型態中，雖然具有檢查反射防止膜形成後之晶圓W的檢查模組WIS-B的縱型單元T11、T21被設置在載體區塊B1側，但是即使設置在右側子區塊B22側亦可。依此，可以縮短從反射防止膜形成結束後經過在檢查模組WIS-B的檢查，而將晶圓W搬出至右側子區塊B22為止的時間。 再者，在本實施型態中，雖然具有檢查模組WES的縱行單元U34、U44被設置在介面區B3側，但是即使被設置在左側子區塊B21側亦可。
在上述的例中，雖然處理區塊B2係從兩個子區塊構成，但是即使為三個以上之子區塊構成亦可。再者，即使處理區塊B2係由一個區塊構成亦可。
再者，在上述的例中，雖然曝光前洗淨模組或曝光後洗淨模組被設置在處理區塊B2或介面區塊B3之最上層，但是即使設置曝光前洗淨模組或曝光後洗淨模組之上亦可。 在上述的例中，因曝光裝置E側之晶圓搬入搬出口位於下方，故晶圓搬運機構41被設置在下方，晶圓搬運機構42、曝光後洗淨模組PIR、曝光前洗淨模組被設置在上方。因此，在曝光裝置E側之晶圓搬入搬出口位於上方之情況，即使晶圓搬運機構41被設置在上方，晶圓搬運機構42、曝光後洗淨模組PIR、曝光前洗淨模組被設置在下方。
應理解成此次揭示的實施型態所有的點皆為例示，並非用以限制者。上述實施型態在不脫離附件的申請專利範圍及其主旨的情況下，即使以各種型態進行省略、替換或變更亦可。
另外，下述般之構成也屬於本揭示之技術性範圍。 (1)一種塗佈、顯像裝置，其係在基板上形成光阻膜，將該基板搬運至曝光裝置，之後，對在該曝光裝置被浸漬曝光的基板進行顯像處理，該塗佈、顯像裝置具備： 處理區塊，其設置有包含曝光前處理模組的處理模組，該曝光前處理模組係於包含光阻膜的塗佈膜形成後，浸漬曝光前，對基板進行液處理；和 中繼區塊，其係設置於浸漬曝光後、顯像處理前對基板進行液處理的曝光後處理模組，和對上述曝光裝置搬入搬出基板的第1搬入搬出模組，並且在寬度方向連結上述處理區塊和上述曝光裝置； 上述處理區塊係 在上下方向被多層化，在各層設置上述處理模組， 在上述寬度方向延伸的搬運區塊，設置搬運基板的搬運機構， 在設置上述曝光前處理模組之層的上述中繼區塊側端，設置在兩區塊間收授基板之時載置該基板的收授部， 上述中繼區塊係 將基板對上述收授部及上述曝光後處理模組搬入搬出的第2搬入搬出模組，被設置在上述寬度方向與上述處理區塊之上述收授部鄰接的區域， 從在俯視與上述第2搬入搬出模組重疊的區域，至在與上述寬度方向正交的深度方向延伸的中繼側搬運區域，設置第1搬入搬出模組， 在上下方向與上述中繼側搬運區域鄰接並且在上述深度方向與上述第2搬入搬出模組鄰接的區域，設置上述曝光後處理模組， 在上述深度方向，上述第2搬入搬出模組夾於中間，於與上述曝光後處理模組對向的區域，設置在上述第1搬入搬出模組和上述第2搬入搬出模組之間中繼基板的中繼機構。 若藉由上述(1)時，可以提供能夠以高處理量進行處理，並且佔有地板面積小的塗佈、顯像裝置。
(2)如上述(1)所載的塗佈、顯像裝置，其中，上述處理區塊係在設置有上述曝光前處理模組的層內的上述搬運區域之上述中繼區域側設置上述收授部， 上述搬運區域、上述收授部及上述第2搬入搬出模組係沿著上述寬度方向排列。
(3)如(1)或(2)所載之塗佈、顯象裝置，其中，設置有上述曝光前處理模組的層被疊層， 相對於上述曝光前處理模組的上述搬運機構在層間為共通。
(4)如上述(3)所載之塗佈、顯像裝置，其中，上述收授部僅對一個層設置。
(5)如上述(1)～(4)中之任一項所載的塗佈、顯像裝置，其中，上述曝光前處理模組係上述寬度方向之模組間間距比上述處理區塊內之其他的液處理模組窄。
(6)如上述(1)～(5)中之任一項所載之塗佈、顯像裝置，其中，上述處理區塊係由在上述寬度方向被連接的複數子區塊構成。
(7)如上述(6)所載之塗佈、顯像裝置，其中，在一上述子區塊藉由上述處理模組進行處理之後，接著，在上述寬度方向與上述子區塊鄰接的其他子區塊，藉由上述處理模組進行處理之情況，在上述一子區塊和上述其他子區塊中，使用被設置在相同高度位置之層的上述處理模組。
(8)如上述(6)或(7)所載之塗佈、顯像裝置，其中，從設置有上述曝光前處理模組的子區塊之上述收授部，將浸漬曝光後之基板搬運至其他子區塊之時，使用設置有上述曝光前處理模組的層內之上述搬運機構。
(9)如上述(6)～(8)中之任一項所載之塗佈、顯像模組，其中，在與設置有上述曝光前處理模組之第1子區塊不同的第2子區塊，設置進行上述顯像處理的顯像模組， 上述第2子區塊係在設置有該顯像模組之層中，與上述第1子區塊相反側，設置檢查上述顯像處理後之基板的檢查模組。
(10)如上述(9)所載之塗佈、顯像裝置，其中，在上述第2子區塊之與上述第1子區塊相反側，具備載置收容基板的載體區塊。
(11)如上述(1)～(10)中之任一項所載的塗佈、顯像裝置，其中，在上述處理區塊之至少一部分的層中，將上述搬運區域夾在中間而在上述深度方向一方側的區域和另一方側的區域之各者，沿著上述寬度方向設置複數上述處理模組。
(12)如上述(11)所載之塗佈、顯像裝置，其中，上述曝光前處理模組被設置在上述深度方向一方側之區域和另一方側之區域的雙方。
(13)如上述(1)～(12)中之任一項所載之塗佈、顯像裝置，其中，上述曝光前處理模組被設置在上方之層。
(14)如上述(1)～(13)中之任一項所載之塗佈、顯像裝置，其中，上述中繼機構具有： 疊層收授部，其係在上下方向疊層藉由上述第1搬入搬出模組搬入搬出基板的模組和藉由上述第2搬入搬出模組搬入搬出基板的模組；和 上下方向搬運機構，其係在該疊層收授部內之模組間搬運基板。
(15)一種塗佈、顯像方法，其係使用上述(1)～(14)中之任一項所載的塗佈、顯像裝置，該塗佈、顯像方法包含： 上述搬運機構在上述處理區塊內，將在上述曝光前處理模組被處理的基板搬運至上述收授部的工程； 之後，上述第2搬入搬出模組從上述收授部搬出該基板的工程； 之後，上述中繼機構將該基板從上述第2搬入搬出模組收授至上述第1搬入搬出模組的工程： 之後，上述第1搬入搬出模組將該基板搬入至上述曝光裝置的工程； 在該曝光裝置的浸漬曝光後，上述第1搬入搬出模組將該基板從上述曝光裝置搬出的工程； 之後，上述中繼機構將該基板從上述第1搬入搬出模組收授至上述第2搬入搬出模組的工程： 之後，上述第2搬入搬出模組將該基板搬入至上述曝光後處理模組的工程； 之後，上述第2搬入搬出模組將該基板從上述曝光後處理模組搬出而搬入至上述收授部的工程；及 之後，上述搬運機構將該基板從上述收授部搬出的工程。
1:塗佈、顯像裝置 33:收授箱 41:晶圓搬運機構 42:晶圓搬運機構 50:中繼機構 B2:處理區塊 B3:介面區塊 B33:收授箱 BST1~3:曝光前洗淨模組 M1~M6,Q1~Q6:搬運區域 M11~M61,Q11~Q61:晶圓搬運機構 PIR:曝光後洗淨模組 R1:中繼側搬運區域 W:晶圓
[圖1]為示意性地表示本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之構成之概略的俯視圖。 [圖2]為示意性地表示本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之構成之概略的前視圖。 [圖3]為示意性地表示本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之構成之概略的後視圖。 [圖4]為示意性地表示本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之內部構成之概略的部分縱斷前視圖。 [圖5]為示意性地表示本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之左側子區塊所具有的第3層區塊之內部構成之概略的俯視圖。 [圖6]為示意性地表示本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之右側子區塊所具有的第3層區塊之內部構成之概略的俯視圖。 [圖7]為示意性地表示本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之右側子區塊之構成之概略的右側面圖。 [圖8]為示意性地表示本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之右側子區塊所具有的第6層區塊之內部構成之概略的俯視圖。 [圖9]為示意性地表示本實施型態所涉及之塗佈、顯像裝置之介面區塊之內部構成之概略的右側面圖。 [圖10]為用以說明本實施型態之效果的圖。
1:塗佈、顯像裝置
11:載置板
12:搬運路
13:晶圓搬運機構
13a:搬運臂
14:收授箱
15:收授塔
16:晶圓搬運機構
16a:搬運臂
17:晶圓搬運機構
17a:搬運臂
21:旋轉夾具
22:杯體
23:噴嘴
31:收授塔
32:晶圓搬運機構
32a:搬運臂
41:晶圓搬運機構
42:晶圓搬運機構
50:中繼機構
51:收授塔
52:晶圓搬運機構
52a:搬運臂
100:控制部
B1:載體區塊
B2:處理區塊
B3:介面區塊
B11:載置區塊
B12:檢查區塊
B21:子區塊
B22:子區塊
BCT1:反射防止膜形成模組
C:載體
COT1:光阻膜形成模組
E:曝光裝置
M:調整用檢查裝置
M1,Q1:搬運區域
M11,Q11:晶圓搬運機構
M11a,Q11a:搬運臂
PIR:曝光後洗淨模組
R1:中繼側搬運區域
T11~T16:縱型單元
U11~U14:縱型單元
W:晶圓

Claims (17)

  1. 一種塗佈、顯像裝置，其係在基板上形成光阻膜，將該基板搬運至曝光裝置，之後，對在該曝光裝置被浸漬曝光的基板進行顯像處理，該塗佈、顯像裝置具備：處理區塊，其設置有包含曝光前處理模組的處理模組，該曝光前處理模組係於包含光阻膜的塗佈膜形成後，浸漬曝光前，對基板進行液處理；和中繼區塊，其係設置於浸漬曝光後、顯像處理前對基板進行液處理的曝光後處理模組，和對上述曝光裝置搬入搬出基板的第1搬入搬出模組，並且在寬度方向連結上述處理區塊和上述曝光裝置；上述處理區塊係在上下方向被多層化，在各層設置上述處理模組，在上述寬度方向延伸的搬運區塊，設置搬運基板的搬運機構，在設置上述曝光前處理模組之層的上述中繼區塊側端，設置在兩區塊間收授基板之時載置該基板的收授部，上述中繼區塊係將基板對上述收授部及上述曝光後處理模組搬入搬出的第2搬入搬出模組，被設置在上述寬度方向與上述處理區塊之上述收授部鄰接的區域，從在俯視與上述第2搬入搬出模組重疊的區域，至在與上述寬度方向正交的深度方向延伸的中繼側搬運區域， 設置第1搬入搬出模組，在上下方向與上述中繼側搬運區域鄰接並且在上述深度方向與上述第2搬入搬出模組鄰接的區域，設置上述曝光後處理模組，在上述深度方向，上述第2搬入搬出模組夾於中間，於與上述曝光後處理模組對向的區域，設置在上述第1搬入搬出模組和上述第2搬入搬出模組之間中繼基板的中繼機構。
  2. 如請求項1所載之塗佈、顯像裝置，其中上述處理區塊之上述搬運區域和上述收授部及上述中繼區塊之上述第2搬入搬出模組係沿著上述寬度方向排列。
  3. 如請求項2所載之塗佈、顯像裝置，其中與曝光前之基板及曝光後之基板有關的上述第1搬入搬出模組和第2搬入搬出模組之間的搬運路徑全部，在俯視下(以第2搬入搬出模組作為基準)與上述中繼區塊之深度方向直線重複。
  4. 如請求項1所載之塗佈、顯像裝置，其中設置有上述曝光前處理模組的層被疊層，相對於上述曝光前處理模組的上述搬運機構在層間為共通。
  5. 如請求項4所載之塗佈、顯像裝置，其中上述收授部僅對一個層設置。
  6. 如請求項1所載之塗佈、顯像裝置，其中 上述曝光前處理模組係上述寬度方向之模組間間距比上述處理區塊內之其他的液處理模組窄。
  7. 如請求項6所載之塗佈、顯像裝置，其中在上述處理區塊中，用以形成上述塗佈膜之塗佈膜形成模組係在從側方包圍形成塗佈膜之上述基板的杯體之外側，設置從上方朝向上述基板吐出上述塗佈膜形成用之液體的噴嘴，和上述噴嘴之待機部，上述曝光前處理模組僅在從側方包圍進行上述曝光前之液處理的上述基板之杯體之內側或下部，設置朝上述基板供給用以進行該液處理之液體的噴嘴，上述曝光前處理模組係以較上述塗佈膜形成模組高的密度被設置。
  8. 如請求項1~7中之任一項所載之塗佈、顯像裝置，其中上述處理區塊係由在上述寬度方向被連接的複數子區塊構成。
  9. 如請求項8所載之塗佈、顯像裝置，其中在一上述子區塊藉由上述處理模組進行處理之後，接著，在上述寬度方向與上述子區塊鄰接的其他子區塊，藉由上述處理模組進行處理之情況，在上述一子區塊和上述其他子區塊中，使用被設置在相同高度位置之層的上述處理模組。
  10. 如請求項8所載之塗佈、顯像裝置，其 中從設置有上述曝光前處理模組的子區塊之上述收授部，將浸漬曝光後之基板搬運至其他子區塊之時，使用設置有上述曝光前處理模組的層內之上述搬運機構。
  11. 如請求項8所載之塗佈、顯像裝置，其中在與設置有上述曝光前處理模組之第1子區塊不同的第2子區塊，設置進行上述顯像處理的顯像模組，上述第2子區塊係在設置有該顯像模組之層中，與上述第1子區塊相反側，設置檢查上述顯像處理後之基板的檢查模組。
  12. 如請求項11所載之塗佈、顯像裝置，其中在上述第2子區塊之與上述第1子區塊相反側，具備載置收容基板的載體區塊。
  13. 如請求項1~7中之任一項所載之塗佈、顯像裝置，其中在上述處理區塊之至少一部分的層中，將上述搬運區域夾在中間而在上述深度方向一方側的區域和另一方側之各者，沿著上述寬度方向設置複數上述處理模組。
  14. 如請求項13所載之塗佈、顯像裝置，其中上述曝光前處理模組被設置在上述深度方向一方側之區域和另一方側之區域的雙方， 在上述基板形成塗佈膜之塗佈膜形成模組及對被浸漬曝光之上述基板進行顯像處理之顯像模組，不被設置在能夠與上述曝光前處理模組共用一個上述搬運機構的層內。
  15. 如請求項1~7中之任一項所載之塗佈、顯像裝置，其中上述曝光前處理模組被設置在上方之層。
  16. 如請求項1~7中之任一項所載之塗佈、顯像裝置，其中上述中繼機構具有：疊層收授部，其係在上下方向疊層藉由上述第1搬入搬出模組搬入搬出基板的模組和藉由上述第2搬入搬出模組搬入搬出基板的模組；和上下方向搬運機構，其係在該疊層收授部內之模組間搬運基板。
  17. 一種塗佈、顯像方法，其係使用請求項1~16中之任一項所載的塗佈、顯像裝置，該顯像、塗佈方法包含：上述搬運機構在上述處理區塊內，將在上述曝光前處理模組被處理的基板搬運至上述收授部的工程；之後，上述第2搬入搬出模組從上述收授部搬出該基板的工程；之後，上述中繼機構將該基板從上述第2搬入搬出模組收授至上述第1搬入搬出模組的工程：之後，上述第1搬入搬出模組將該基板搬入至上述曝 光裝置的工程；在該曝光裝置的浸漬曝光後，上述第1搬入搬出模組將該基板從上述曝光裝置搬出的工程；之後，上述中繼機構將該基板從上述第1搬入搬出模組收授至上述第2搬入搬出模組的工程：之後，上述第2搬入搬出模組將該基板搬入至上述曝光後處理模組的工程；之後，上述第2搬入搬出模組將該基板從上述曝光後處理模組搬出而搬入至上述收授部的工程；及之後，上述搬運機構將該基板從上述收授部搬出的工程。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6994489B2 (ja) * 2019-10-02 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
US20220414531A1 (en) * 2021-06-25 2022-12-29 International Business Machines Corporation Mitigating adversarial attacks for simultaneous prediction and optimization of models
JP7350114B2 (ja) * 2022-03-03 2023-09-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060162858A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method
US20120008936A1 (en) * 2010-07-09 2012-01-12 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7245348B2 (en) * 2005-01-21 2007-07-17 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method with antireflection film and an auxiliary block for inspection and cleaning
US7403260B2 (en) * 2005-03-11 2008-07-22 Tokyo Electron Limited Coating and developing system
JP4685584B2 (ja) * 2005-03-11 2011-05-18 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4667252B2 (ja) * 2006-01-16 2011-04-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
TW200919117A (en) * 2007-08-28 2009-05-01 Tokyo Electron Ltd Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium
KR100892756B1 (ko) * 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
KR101166109B1 (ko) * 2009-01-30 2012-07-23 세메스 주식회사 기판 처리 설비
JP5462506B2 (ja) 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2010034566A (ja) 2009-09-14 2010-02-12 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置
JP5338757B2 (ja) * 2010-07-09 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5713081B2 (ja) 2010-07-09 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP5348083B2 (ja) * 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5338777B2 (ja) * 2010-09-02 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
CN106373911B (zh) * 2011-09-22 2019-04-09 东京毅力科创株式会社 基板处理装置及基板处理方法
CN106707689A (zh) * 2015-11-12 2017-05-24 沈阳芯源微电子设备有限公司 并行式涂胶显影设备
JP6994489B2 (ja) * 2019-10-02 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060162858A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method
US20120008936A1 (en) * 2010-07-09 2012-01-12 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus
TW201526149A (zh) * 2010-07-09 2015-07-01 Tokyo Electron Ltd 基板處理裝置

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Publication number Publication date
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