CN215576095U - 基板处理装置 - Google Patents

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wafer
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大薗启
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Abstract

本实用新型提供一种基板处理装置。提供能够针对该基板处理装置缩小占地面积的技术。对于包括设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件的处理模块的基板处理装置，将基板输送模块设于处理模块的左侧。基板输送模块具备供用于收纳多个基板的容器载置的容器载置部和相对于容器交接基板的第1输送机构。另外，在处理模块设置沿左右延伸的基板的输送路径和在该输送路径上移动而向液处理组件输送基板的第2输送机构。而且，在处理模块以相对于所述输送路径向前方突出的方式设置第2处理组件，并且设置相对于该第2处理组件交接所述基板的第3输送机构。

Description

基板处理装置
技术领域
本公开涉及基板处理装置。
背景技术
作为半导体装置的制造工序中的一个工序，进行光刻。在该光刻中，进行如下操作：对作为基板的半导体晶圆(以下，记载为晶圆)涂敷抗蚀剂而形成抗蚀膜，和供给显影液而使曝光结束的抗蚀膜显影。例如在专利文献1中记载了进行像这样的抗蚀膜的形成和显影的基板处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-4072号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本公开提供一种能够针对基板处理装置减小占地面积的技术。
用于解决问题的方案
本公开的基板处理装置包括设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件的处理模块，该基板处理装置具备：
基板输送模块，其具备供用于收纳多个所述基板的容器载置的容器载置部和相对于所述容器交接所述基板的第1输送机构，该基板输送模块相对于所述处理模块设于左右中的一方；
所述基板的输送路径，其在所述处理模块沿左右延伸；
多个层段，其在相对于所述输送路径的前后中的一方以所述液处理组件在纵向上成列的方式构成所述处理模块，并且分别包括该液处理组件；
第1处理组件，其在相对于所述输送路径的前后中的另一方在纵向上设置多个，并在所述液处理组件的处理之前或之后进行所述基板的处理；
第2输送机构，其在所述输送路径上移动而在所述液处理组件与所述第1处理组件之间输送所述基板；
第2处理组件，其在所述基板输送模块处的利用所述第1输送机构输送基板的输送区域的上方以前后的长度比左右的长度长的方式设置，或以从所述输送路径向前后中的一方或另一方突出的方式设置，其对所述基板进行与由所述第1处理组件进行的处理不同的处理；
第3输送机构，其相对于所述第2处理组件交接所述基板；以及
交接部，其设于所述输送路径的左右中的一侧，供所述基板载置，用于在所述第1输送机构、所述第2输送机构以及所述第3输送机构之间交接该基板。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2处理组件设为从所述输送路径向相对于该输送路径的前后中的一方或另一方突出，并与所述交接部重叠。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述第3输送机构相对于所述输送路径设于与所述第2处理组件所突出的一侧相反的一侧。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2处理组件相对于所述输送路径突出的一侧是前后中的一侧，所述第3输送机构相对于所述输送路径设于前后中的另一侧。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述交接部包括在纵向上成列并且分别载置所述基板的多个基板载置部，在一个所述基板载置部与另一个所述基板载置部之间设有所述第2处理组件。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2处理组件的从所述输送路径突出的部位与用于贮存处理液的贮存区域在俯视观察时重叠，所述处理液在各所述液处理组件向所述基板供给。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述交接部包括在纵向上成列并且分别载置所述基板的多个基板载置部，所述第3输送机构具备：突出侧输送机构，其在所述第2处理组件相对于所述输送路径突出的一侧与该第2处理组件重叠地设置；以及非突出侧输送机构，其相对于所述输送路径设于与所述突出的一侧相反的一侧，所述非突出侧输送机构在所述第2处理组件与所述基板载置部之间输送所述基板，所述突出侧输送机构在各基板载置部间输送所述基板。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2处理组件包括在纵向上排列的上侧的第2处理组件和下侧的第2处理组件，所述突出侧输送机构设于上侧的第2处理组件与下侧的第2处理组件之间，所述非突出侧输送机构具备相对于所述上侧的第2处理组件交接所述基板的上侧非突出侧输送机构和相对于所述下侧的第2处理组件交接所述基板的下侧非突出侧输送机构。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2输送机构包括：下侧输送机构，其相对于所述多个层段中的下侧的层段的所述液处理组件和该下侧的层段的高度的所述第1处理组件交接所述基板；以及上侧输送机构，其相对于所述多个层段中的上侧的层段的所述液处理组件和该上侧的层段的高度的所述第1处理组件交接所述基板。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述下侧的层段和所述上侧的层段分别由多个层段构成，所述交接部分别设于利用所述下侧输送机构输送所述基板的层段中的最上侧的层段的高度、和利用上侧输送机构输送所述基板的层段中的最下侧的层段的高度。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述下侧的层段和所述上侧的层段分别由3个层段构成。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2处理组件是用于检查由所述液处理组件和所述第1处理组件进行的处理前或处理后的所述基板的检查组件。
对于上述基板处理装置，也可以是，各所述层段的液处理组件仅各自具备一个用于包围所述基板来进行处理的杯。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述交接部具有在由所述液处理组件和所述第1处理组件进行的处理前调整基板的温度的温度调整功能。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1处理组件是用于加热所述基板的热处理组件。
对于上述基板处理装置，也可以是，在多个所述第1处理组件，包括跨相邻的两个层段而设置的第1处理组件。
本公开的基板处理方法是使用了基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置包括设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件的处理模块，该基板处理方法具备如下工序：在设于基板输送模块的容器载置部载置用于收纳多个所述基板的容器的工序，该基板输送模块相对于所述处理模块设于左右中的一方；利用设于所述基板输送模块的第1输送机构相对于所述容器交接所述基板的工序；在所述多个液处理组件分别处理所述基板的工序，所述多个液处理组件分别包含于构成所述处理模块的层段，且在相对于在所述处理模块沿左右延伸的所述基板的输送路径的前后中的一方以在纵向上成列的方式设置；在所述液处理组件的处理之前或之后在第1处理组件进行所述基板的处理的工序，该第1处理组件在相对于所述输送路径的前后中的另一方在纵向上设置多个；利用在所述输送路径上移动的第2输送机构在所述液处理组件与所述第1处理组件之间输送所述基板的工序；利用第2处理组件对所述基板进行与由所述第1处理组件进行的处理不同的处理的工序，该第2处理组件在所述基板输送模块处的利用所述第1输送机构输送基板的输送区域的上方以前后的长度比左右的长度长的方式设置，或以从所述输送路径向前后中的一方或另一方突出的方式设置；利用第3输送机构相对于所述第2处理组件交接所述基板的工序；以及为了在所述第1输送机构、所述第2输送机构以及所述第3输送机构之间交接所述基板而在设于所述输送路径的左右中的一侧的交接部载置该基板的工序。
实用新型的效果
根据本公开，能够针对基板处理装置减小占地面积。
附图说明
图1是本公开的一个实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。
图2是所述基板处理装置的纵剖主视图。
图3是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
图4是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
图5是表示设于所述基板处理装置的检查组件的一例的纵剖侧视图。
图6是所述基板处理装置的基板的输送路径的概略图。
图7是示意性地表示所述基板处理装置的另一例的纵剖侧视图。
图8是本公开的另一实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。
图9是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
图10是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
图11是本公开的又一实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。
图12是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
图13是所述基板处理装置的基板的输送路径的概略图。
图14是本公开的再一实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。
具体实施方式
(第1实施方式)
参照图1的横剖俯视图、图2的纵剖主视图、图3和图4的纵剖侧视图对本公开的基板处理装置的第1实施方式进行说明。基板处理装置1例如设于半导体制造工厂的洁净室，在晶圆W作为液处理的实施抗蚀剂液的涂敷处理。该基板处理装置1通过使载体模块D1和处理模块D2在横向(左右方向)上排列为一列并且彼此连接地构成，这些载体模块D1和处理模块D2的底部的高度彼此对齐。载体模块D1形成基板输送模块。
在之后的说明时，以载体模块D1为左、以处理模块D2为右地观察，并将这些模块D1、D2的排列方向设为左右方向。另外，对于装置的前后方向，在以载体模块D1为左的情况下观察时的近前侧设为前方，进深侧设为后方。在各图中，在相互正交的X方向、Y方向、Z方向中，X方向表示前后方向，Y方向表示左右方向，Z方向表示高度方向。此外图3和图4表示基板处理装置1的纵剖侧视图，但表示对于装置的局部沿左右不同的位置的纵剖面。
载体模块D1利用设于基板处理装置1的外部的外部输送机构(省略图示)输送收纳有多个晶圆W的容器，并且起到在容器与基板处理装置1内之间交接晶圆W的作用。作为容器，例如使用被称为FOUP(Front Opening Unify Pod：前开式晶圆传送盒)的载体C。构成载体模块D1的壳体11的右侧以与左侧相比较高的方式向上方突出，由此在主视观察时，形成有阶梯。分别将像这样构成的壳体11的左侧、右侧设为低身部12、高身部13。
低身部12成为供载体C载置的容器载置部，在其上表面，4个载体台14在前后方向上空开间隔地设置。载体C为了相对于基板处理装置1送入、送出晶圆W而载置于该载体台14。在壳体11中形成高身部13并且朝向左侧的侧壁，于与载体台14对应的位置，晶圆W的输送口15开口，该输送口15利用开闭机构16开闭。
在壳体11内，在高身部13设有在载体台14上的载体C与处理模块D2之间进行晶圆W的交接的第1输送机构17。该第1输送机构17包括：移动体171，其构成为在前后方向(X方向)上移动自如，绕铅垂轴线旋转自如，且升降自如；以及保持体172，其使该移动体171进退自如并且保持晶圆W。
在高身部13内的、第1输送机构17的输送区域10的上方，配设有风机过滤单元(FFU)18。风机过滤单元18构成为经由未图示的抽吸路径抽吸基板处理装置1的周围的空气，经由过滤器将该空气净化而向下方供给，从而形成下降气流(下降流)。构成风机过滤单元18的上述过滤器在俯视观察时跨载体模块D1内的第1输送机构17的整个移动区域地设置，而在该整个移动区域形成下降气流。例如从壳体11的底部未图示的排气口去除形成了该下降气流的空气。此外，在处理模块D2的输送路径等各部位也形成有下降流，但形成该下降流的机构的图示省略。
接着，对处理模块D2进行说明。处理模块D2由方形的壳体21构成，在俯视观察时的前后方向上的中央设有沿左右延伸的晶圆W的输送路径20。该输送路径20是利用后述的第2输送机构输送晶圆W的区域，如图1所示，在处理模块D2的壳体21形成为以从左右方向上的左端延伸到右端。
在处理模块D2设有向晶圆W供给抗蚀剂液作为处理液(即，涂敷抗蚀剂)而形成抗蚀膜的液处理组件即抗蚀剂涂敷组件3。在该例中，抗蚀剂涂敷组件3在输送路径20的前方设为面向该输送路径20。如图2和图3所示，该处理模块D2层叠分别包括抗蚀剂涂敷组件3的多个层段来构成。
在该例中，处理模块D2具备6个层段E1～E6，在各层段E1～E6，分别设有一个抗蚀剂涂敷组件3。像这样，如图2所示，当从前方观察处理模块D2时，抗蚀剂涂敷组件3以在纵向上成列的方式配置，各抗蚀剂涂敷组件3的左右上的位置对齐。图1是表示处理模块D2的层段E6的横剖俯视图，但对于载体模块D1，示出了风机过滤单元18的下方位置的横剖俯视图。
抗蚀剂涂敷组件3具备相对于与输送路径20以及液处理组件相邻的区域划分出该组件的划分壁31，在该划分壁31，面向输送路径20形成有晶圆W的输送口(省略图示)。如图1和图2示意性地表示的那样，抗蚀剂涂敷组件3仅具备一个用于包围晶圆W而对其处理的杯32，在杯32内设有吸附保持晶圆W的背面并且使其旋转的旋转卡盘33。另外，抗蚀剂涂敷组件3具备向晶圆W的表面喷出抗蚀剂液的喷嘴34，该喷嘴34构成为利用移动机构35在杯32内的晶圆W上与图1所示的杯32的外侧的待机位置之间移动自如。
而且，如图1所示，在处理模块D2的输送路径20的后方，以面向该输送路径20的方式，设为第1处理组件即热处理组件4沿左右排列多个、例如3个。如图3所示，该例的热处理组件4配置于各层段E1～E6。因此，当从后方观察处理模块D2时，热处理组件4在纵向上设有多层、例如6层。像这样，例如在处理模块D2，热处理组件4沿左右设有3列，在该3列中的、构成相同的列的热处理组件4的左右上的位置对齐。
该例的热处理组件4是进行抗蚀膜形成后的晶圆W的加热处理(PAB：Pre appliedbake、预烘烤)的组件。在该热处理组件4，实施对形成有抗蚀膜的晶圆W进行加热而去除抗蚀膜中的溶剂的处理。如图1示意性地表示的那样，例如热处理组件4具备用于加热晶圆W的热板42和进行晶圆W的温度调整的冷却板43。热板42和冷却板43以冷却板43面向输送路径20的方式前后排列地配置，冷却板43构成为在后述的第2输送机构与热板42之间输送晶圆W。
在处理模块D2设有第2输送机构5，该第2输送机构5在输送路径20移动而在抗蚀剂涂敷组件3与热处理组件4之间输送晶圆W。该例的第2输送机构5具备下侧输送机构51和上侧输送机构52，下侧输送机构51构成为相对于下侧的层段的抗蚀剂涂敷组件3和热处理组件4输送晶圆W。另外，上侧输送机构52构成为相对于上侧的层段的抗蚀剂涂敷组件3和热处理组件4输送晶圆W。下侧的层段和上侧的层段分别由多个层段构成，在该例中，下侧的层段由3个层段E1～E3构成，上侧的层段由3个层段E4～E6构成。
如图1和图3所示，第2输送机构5(下侧输送机构51和上侧输送机构52)具备分别保持晶圆W的两个保持体53和使各保持体53独立地进退的移动体54。并且，构成为移动体54能够利用转动部55绕铅垂轴线转动并且转动部55能够利用升降部56升降，且升降部56能够利用移动机构57在左右方向(Y方向)上移动。例如保持体53、移动体54、转动部55以及升降部56设于输送路径20，移动机构57配设于热处理组件4的下方。此外，对于已述的载体模块D1的第1输送机构17，除了利用移动机构57移动的移动方向不同以外，与第2输送机构5同样地构成。
而且，在处理模块D2设有第2处理组件和相对于该第2处理组件交接晶圆W的第3输送机构。第2处理组件是对晶圆W进行与由第1处理组件(热处理组件4)进行的处理不同的处理的组件。在该例中，对第2处理组件是用于检查由抗蚀剂涂敷组件3进行的处理前和由热处理组件4进行的处理后的晶圆W的检查组件6的情况进行说明。将用于检查由抗蚀剂涂敷组件3进行的处理前的晶圆W的检查组件设为处理前检查组件61(WIS1)，将进行由热处理组件4进行的处理后的检查的检查组件设为处理后检查组件62(WIS2)。
这些处理前检查组件61和处理后检查组件62例如在处理模块D2以从输送路径20向前方突出的方式设置。在该例中，这些检查组件6(61、62)在输送路径20上的与载体模块D1相邻的区域于层段E6的高度位置上下层叠地配设。处理前检查组件61、处理后检查组件62具备像后述那样在俯视观察时呈长方形形状的纵长的壳体63，该壳体63的长边方向沿着处理模块D2的前后方向(X方向)设置。另外，处理前检查组件61、处理后检查组件62以壳体63的前表面从输送路径20的前方突出而构成突出的部位(突出部)60并且壳体63的背面面向输送路径的后方的区域的方式配置。该突出部60位于与杯32并列的位置，例如突出部60的前端位于比杯32的中心稍微靠前方的位置。
在处理模块D2，为了能够向检查组件6(61、62)输送晶圆W，第3输送机构7例如相对于输送路径20设于与检查组件6(61、62)所突出的一侧相反的一侧。在该例中，检查组件6(61、62)设为从输送路径20向前方突出，因此第3输送机构7在输送路径20的后方配置于与载体模块D1相邻的区域。像这样，在输送路径20的后方，从载体模块D1侧起依次排列地设置第3输送机构7与热处理组件4。
如图1和图4所示，该第3输送机构7除了不设有移动机构57以外与第2输送机构5同样地构成。也就是说，构成为分别保持晶圆W的两个保持体71利用移动体72进退自如，移动体72利用转动部73转动自如，转动部73利用升降部74升降自如。
参照图5对检查组件6(处理前检查组件61和处理后检查组件62)进行说明。检查组件6具备在俯视观察时呈长方形形状的扁平的壳体63，若将壳体63的长边方向设为前后方向，则在壳体63的后方的侧壁，在与第3输送机构7对应的位置形成有晶圆W的输送口631。在壳体63内，设有水平地保持晶圆W的载置部64，该载置部64构成为在壳体63内于在图5中由实线所示的待机位置与由点划线所示的移动完成位置之间利用移动机构641移动自如。待机位置是与第3输送机构7之间进行晶圆W的交接的位置。该载置部64的移动方向是上述的壳体63的长边方向(即，前后方向)。
在壳体63内，在晶圆W的由载置部64移动的移动路径的上方，设有沿壳体63的短边方向延伸的横长的半透半反镜65和借助该半透半反镜65而向下方照射光的照明66。图5中附图标记67表示照相机，从照明66向半透半反镜65的下方的照射区域照射光，利用半透半反镜65反射该照射区域的物体的反射光而向照相机67射入。像这样，构成为利用照相机67拍摄位于半透半反镜65的下方的拍摄区域的物体。
在检查组件6，于在待机位置交接晶圆W的载置部64朝向移动完成位置移动的期间，通过使照相机67间歇地进行拍摄，从而拍摄晶圆W的整个表面，而获取图像数据。该图像数据从照相机67向后述的控制部100发送，利用控制部100而基于该图像数据进行晶圆W的表面的检查。此外，移动到移动完成位置的载置部64为了相对于第3输送机构7交接晶圆W而向待机位置移动。上述的移动完成位置处的晶圆W位于比利用第2输送机构5在输送路径20上移动的晶圆W靠前方的位置。也就是说，处理组件从输送路径20向输送路径20的前后中的一方或另一方突出包括晶圆W的在该处理组件的移动区域相对于输送路径20向前方或后方突出。
检查组件6和第3输送机构7配置为能够在检查组件6利用第3输送机构7将晶圆W向位于待机位置的载置部64输送的位置关系即可。因此，在处理模块D2，在没有壁部等约束的情况下，检查组件6的壳体63的背面(后方的侧壁)也可以位于输送路径20的后方侧，该壳体63的背面还可以位于比输送路径20的后端靠前方的位置。
在处理模块D2的输送路径20的左侧，在俯视观察时，与载体模块D1相邻的区域设为交接部8的设置区域80。交接部8供晶圆W载置，用于在第1输送机构17、第2输送机构5(下侧输送机构51和上侧输送机构52)以及第3输送机构7之间交接晶圆W。该例的交接部8具备在纵向上成列并且分别载置晶圆W的多个基板载置部，如图2和图4所示，该交接部8设于检查组件6(61、62)的下方。
如图4所示，例如交接部8配设于层段E2～层段E5的高度位置。但是，交接部8设于至少利用下侧输送机构51输送晶圆W的层段中的最上侧的层段即层段E3的高度位置和利用上侧输送机构52输送晶圆W的层段中的最下侧的层段即层段E4的高度位置即可。
该例的基板载置部包括载置晶圆W的载置组件(TRS)81和温度调整组件(SCPL)82，这些多个载置组件81与多个温度调整组件82层叠为多层。例如一个载置组件81构成为在纵向上能够载置多个晶圆W。另外，温度调整组件82具有在由抗蚀剂涂敷组件3和热处理组件4进行的处理之前调整晶圆W的温度的温度调整功能。
具体来说，这些载置组件(TRS)81、温度调整组件(SCPL)82例如构成为将用于载置晶圆W的板上下设有多层。例如通过将板的外形设为与输送机构的形状对应的形状，或在板的表面形成与输送机构的形状对应的槽，从而构成为各输送机构能够相对于该板的表面升降。并且，借助该输送机构的升降动作，在输送机构与板之间进行晶圆W的交接。
另外，温度调整组件82构成为在所述板设有制冷剂流路，而将该板冷却到期望的温度。而且，载置组件81也可以设为如下结构：将在横向上排列的多个销上下设有多层，输送机构相对于各层的销升降，晶圆W被分别相对于该各段的销载置。在此，为了区别设于交接部8的载置组件81和温度调整组件82，在TRS、SCPL的后面分别标注数字来表示。另外，以下，也存在将载置组件记载为“TRS”，将温度调整组件记载为“SCPL”的情况。
相对于位于交接部8的层段E2、E3的高度位置的各组件，利用第1输送机构17、下侧输送机构51以及第3输送机构7来输送晶圆W。另外，相对于位于交接部8的层段E4、E5的高度位置的各组件，利用第1输送机构17、上侧输送机构52以及第3输送机构7来输送晶圆W。因此，第1输送机构17、下侧输送机构51和上侧输送机构52以及第3输送机构7以能够相对于与交接部8对应的组件输送晶圆W的方式而分别设定了移动区域。
另一方面，第1输送机构17和第2输送机构5相对于所述基板载置部从左右方向交接晶圆W，第3输送机构7相对于交接部8的基板载置部从前后方向交接晶圆W。因此，交接部8构成为能够使第1输送机构17、第2输送机构5以及第3输送机构7输送晶圆W的形状。
在图4中，表示交接部8的结构例。在该例中，TRS1、TRS3是从载体模块D1向处理模块D2送入晶圆W用的载置组件81，TRS2、TRS4是从处理模块D2向载体模块D1送出晶圆W用的载置组件81。例如，TRS1、TRS2、SCPL1、SCPL2设于利用下侧输送机构51输送晶圆W的高度位置。另外，TRS3、TRS4、SCPL3、SCPL4设于利用上侧输送机构52输送晶圆W的高度位置。此外，实际上，在交接部8安装有比上述结构例多的载置组件(TRS)81和温度调整组件82(SCPL)。
在该例中，在处理模块D2的输送路径20的前方的抗蚀剂涂敷组件3的左侧的区域，如图1所示那样设有贮存区域22。在贮存区域22，配置有贮存在各抗蚀剂涂敷组件3向晶圆W供给的抗蚀剂液的瓶，经由未图示的供给系统向各抗蚀剂涂敷组件3的喷嘴34供给该瓶内的抗蚀剂液。如图2和图4所示，在检查组件6，构成为比输送路径20向前方突出的突出部60与贮存区域22在俯视观察时重叠。
另外，输送路径20的前方的抗蚀剂涂敷组件3的右侧的区域构成为设置该抗蚀剂涂敷组件3的附加设备的附加设备设置区域36。该附加设备包括向该组件供给电力的线缆、用于使构成组件的杯32内排气的排气用管道、用于从组件排液的排液管、用于向组件供给处理液的供给管等。杯32经由排气用管道与工厂的排气路径等排气源连接，使该杯32的内部排气，并且在杯32连接有作为附加设备的排液管。
而且，处理模块D2中的从第3输送机构7的右侧方遍及到第3输送机构7后方的区域例如构成为热处理组件4的附加设备设置区域44。该附加设备包括向该组件供给电力的线缆、使组件内排气的排气用管道等。此外，载体模块D1的风机过滤单元18的上方例如构成为设置各种电力设备(电气设备)的设备设置区域23。
处理模块D2的层段E2～E5除了设有交接部8来代替检查组件6以外，与层段E6同样地构成。另外，层段E1除了不设有检查组件6和交接部8以外，与层段E6同样地构成。相对于设于层段E1～E3的各组件，像已述的那样，利用下侧输送机构51输送晶圆W。相对于设于层段E4～E6的各组件，像已述的那样，利用上侧输送机构52输送晶圆W。此外，组件构成为供晶圆W载置的部位，包括交接部8的各TRS、SCPL、抗蚀剂涂敷组件3、热处理组件4。
基板处理装置1具备控制部100(参照图1)。该控制部100由计算机构成，具备程序、存储器以及CPU。在程序中编入步骤组，以能够实施基板处理装置1的一系列动作。并且，根据该程序，控制部100向基板处理装置1的各部输出控制信号，控制该各部的动作，而实施后述的晶圆W的输送和晶圆W的处理。上述的程序存储于例如光盘、硬盘、DVD等存储介质中，并且向控制部100加载。
接着，对于基板处理装置1的晶圆W的输送路径的一例，以在处理前检查组件61和处理后检查组件62进行晶圆W的检查的情况为例而进行说明。首先，利用未图示的外部输送机构使收纳有多个晶圆W的载体C载置于载体模块D1的容器载置部(低身部)12。接着，利用第1输送机构17而将载体C内的晶圆W向处理模块D2的交接部8的TRS1或TRS3交接。
向TRS1输送的晶圆W(以下，称为“晶圆W1”)是要在下侧的层段E1～E3处理的晶圆。另一方面，向TRS3输送的晶圆W(以下、称为“晶圆W2”)是要在上侧的层段E4～E6处理的晶圆。以下，也适当参照表示输送路径的概略的图6。在图6中，用点划线的箭头、双点划线的箭头分别表示晶圆W1、W2的输送路径。另外，在各箭头的附近的圆框内，表示用该箭头表示的组件间的输送所使用的输送机构。
TRS1的晶圆W1被利用第3输送机构7向处理前检查组件61输送，而像已述的那样进行晶圆W1的表面的检查。处理前检查组件61处的表面的检查例如是指晶圆W1有无伤痕的检查。接着，检查后的晶圆W1被自第3输送机构7向交接部8的SCPL1输送，而调整为期望的温度。接着，晶圆W1利用下侧输送机构51向层段E1、E2、E3中的任一抗蚀剂涂敷组件3输送，而实施抗蚀剂液的液处理。该抗蚀剂液的液处理通过使载置有晶圆W1的旋转卡盘33旋转，而从喷嘴34对旋转卡盘33上的晶圆W1的旋转中心供给作为处理液的抗蚀剂液来进行。向晶圆W1的大致中心供给的抗蚀剂液利用旋转的离心力朝向外方扩展，而涂敷晶圆W1整个面。
此后，晶圆W1利用下侧输送机构51向例如与实施了抗蚀剂液的液处理的抗蚀剂涂敷组件3同样的层段的热处理组件4输送。在此，晶圆W1利用下侧输送机构51经由冷却板43向热板42交接，利用热板42加热到抗蚀剂液中的溶剂挥发的温度以上的温度。利用该热处理，使在形成于晶圆W1的抗蚀膜中包含的溶剂挥发而去除后，将晶圆W1从热板42向冷却板43交接，而利用冷却板43进行温度调整。
接着，晶圆W1利用下侧输送机构51向交接部8的SCPL2输送，而调整为期望的温度。此后，晶圆W1利用第3输送机构7向处理后检查组件62输送，而像已述的那样进行晶圆W的表面的检查。处理后检查组件62处的表面的检查例如是指形成于晶圆的抗蚀膜的缺陷的检查。然后，检查后的晶圆W以第3输送机构7→交接部8的TRS2→载体模块D1的第1输送机构17这样的路径输送，返回例如原来的载体。
另一方面，TRS3的晶圆W2以第3输送机构7→处理前检查组件61这样的路径输送，而像已述的那样进行检查。接着，检查后的晶圆W2以第3输送机构7→SCPL3→上侧输送机构52→层段E4、E5、E6中的任一抗蚀剂涂敷组件3这样的路径输送，而实施抗蚀剂液的液处理。接着，晶圆W2以上侧输送机构52→与所述抗蚀剂涂敷组件3相同层段的热处理组件4→上侧输送机构52→SCPL4→第3输送机构7→处理后检查组件62这样的路径输送，而进行已述的检查。检查后的晶圆W以第3输送机构7→TRS4→第1输送机构17→载体C这样的路径输送。
另外，在仅实施由处理后检查组件62进行的检查的情况下，载体C内的晶圆W以第1输送机构17→交接部8的TRS1、TRS3→第2输送机构51、52→SCPL1、SCPL3这样的顺序输送，之后例如以利用图6进行了说明的路径输送。在仅实施由处理前检查组件61进行的检查的情况下，载体C内的晶圆W以利用图6进行了说明的路径输送，直至到达热处理组件4。然后，在热处理组件4之后以第2输送机构51、52→TRS2、TRS4→第1输送机构17→载体C这样的路径输送。此外，在此进行了说明的输送路径是一个例子，输送路径能够适当设定。
例如，虽然示出了当向处理后检查组件62送入晶圆W时，在即将进行该送入之前将晶圆W向SCPL2、4输送的情况，但与向处理前检查组件61送入的情况同样地，也可以设为晶圆W在即将进行该送入之前向TRS输送。也就是说，也可以将用于载置即将像这样向处理后检查组件62送入之前的晶圆W的TRS设于交接部8。另外，虽然示出了从载体C送出来的晶圆W在每个输送目的地的层段向互不相同的TRS(TRS1、TRS3)输送，但也可以向相同的TRS输送。
根据上述的实施方式，基板处理装置1包括载体模块D1以及处理模块D2，该载体模块D1具备第1输送机构17，该处理模块D2具备第2输送机构5和各种处理组件。并且，在处理模块D2设有作为处理组件中的一者的检查组件6和相对于该检查组件6输送晶圆W的第3输送机构7，对于检查组件6，其在俯视观察时呈长方形形状。将像这样的形状的检查组件6设为与用于在输送路径20于载体模块D1与处理模块D2之间进行晶圆W的交接的交接部8重叠，并且从处理模块D2处的晶圆W的输送路径20相对于该输送路径20向前方突出。也就是说，设为检查组件6的长边方向与处理模块D2的前后方向一致。因此在设置上述的形状的检查组件6时，通过抑制相对于交接部8向左右方向突出，从而能够抑制基板处理装置1的左右方向的增长，而能够抑制占地面积的增大。
像本公开的基板处理装置1那样能够缩小占地面积的结构能够在洁净室中设置更多的半导体制造装置(基板处理装置1、除此以外的装置)，因此对于半导体工厂，能够有助于提高生产率。另外，在洁净室内输送载体C的外部输送机构在预定的移动路径上移动。像本实施方式那样占地面积较小的该基板处理装置1具有即使对于装置的在该移动路径上的设置空间较小的情况能够设置的优点。
另外，检查组件6具备照相机67等光学构件，但为了防止该光学构件受到热处理组件4的热量的影响，优选远离热处理组件4地设置。通过将检查组件6设为从输送路径20沿前后方向突出的配置，也具有能够避免将检查组件6设于热处理组件4的并列处而能够稳定地实施精度较高的检查的优点。并且，在上述的例中检查组件6向与配设热处理组件4的区域相反的一侧突出，因此能够更可靠地对上述的热量影响进行抑制，因而优选。
此外，对于基板处理装置1，在处理模块D2具备相对于除检查组件6以外的处理组件交接晶圆W的第2输送机构5和向检查组件6交接晶圆W的第3输送机构7。因此，对于基板处理装置1，抑制第2输送机构5的输送负荷的增大，输送吞吐量的降低被抑制。此外，检查组件6与交接部8层叠设置，第3输送机构7相对于交接部8从前后方向输送晶圆W。另一方面，第1输送机构17和第2输送机构5相对于交接部8从左右方向交接晶圆W，因此第3输送机构7不会阻碍由第1输送机构17、第2输送机构5进行的晶圆W的输送。
并且，对于该第3输送机构7，相对于输送路径20设于与检查组件6所突出的一侧相反的一侧。因此，第3输送机构7通过在面向交接部8的高度与面向检查组件6的高度之间升降，从而能够在它们之间交接晶圆W。也就是说，当进行该晶圆W的交接时，对于第3输送机构7，不需要设为具备用于像第1输送机构17那样前后移动的移动机构的结构，由于装置结构简单而优选。
另外，对于瓶的贮存区域22，为了缩短连接瓶与组件的喷嘴34的配管，优选设于靠近抗蚀剂涂敷组件3的装置的前方侧。在基板处理装置1，利用像这样设于前方侧的贮存区域22的上方的空间，该贮存区域22与检查组件6的突出部60以重叠的方式设置。由此，抑制检查组件6和贮存区域22所占有的面积的增加，更可靠地实现装置的专用面积的缩小化。此外，作为贮存区域22，其一部分也可以到达载体模块D1的底部。
另外，叙述了在向抗蚀剂涂敷组件3输送晶圆W后，向与设置该抗蚀剂涂敷组件3的层段相同的层段的热处理组件4输送该晶圆W，但不限于像这样将相同层段的热处理组件4作为输送目的地。对于向层段E1～E3的抗蚀剂涂敷组件3输送来的晶圆W，向下侧输送机构51能够接入的层段E1～E3中的任一热处理组件4输送即可。对于向层段E4～E6的抗蚀剂涂敷组件3输送来的晶圆W，向上侧输送机构52能够接入的层段E4～E6中的任一热处理组件4输送即可。
另外，在上述的例中检查组件6相对于交接部8设于上方，但也可以设于下方，还可以像在后述的第2实施方式中表示的那样，设为将交接部8上下分割，并且在分割开的交接部8间设置检查组件6。
以上，设于处理模块D2的第2输送机构不限于上述的例，也可以像图7所示那样构成。该例是在每两层的层段具备第2输送机构的结构。第2输送机构与已述的第2输送机构5(51、52)同样地构成，在输送路径20中上下设为3层。在该例中，以利用下方的输送机构501向层段E1、E2的各组件输送晶圆W、利用中央的输送机构502向层段E3、E4的各组件输送晶圆W、利用上方的输送机构503向层段E5、E6的各组件输送晶圆W的方式设定了各自的移动区域。另外，交接部8设于输送机构501、502、503能够输送晶圆W的高度位置。
(第2实施方式)
接着，参照图8的横剖俯视图、图9和图10的纵剖侧视图对本公开的第2实施方式的基板处理装置1A进行说明。图8表示处理模块D2的层段E4的横剖俯视图。该基板处理装置1A与第1实施方式不同的点是，在构成交接部的一个基板载置部与另一个基板载置部之间设置检查组件6，以及热处理组件4在纵向和左右方向上的个数不同。在该例中，检查组件6(处理前检查组件61、处理后检查组件62)也设为从输送路径20向前方突出，第3输送机构7配置于输送路径20的后方。此外，在该基板处理装置1A，附加设备设置区域44仅设于输送机构7的后方和右侧方中的右侧方。
如图10所示，处理前检查组件61和处理后检查组件62在交接部83(相当于第1实施方式的交接部8)的设置区域80于高度位置不同的上下两处位置相互分离开地设置。在该例中，在层段E3的高度位置配设处理前检查组件(WIS1)61，在层段E4的高度位置配设有处理后检查组件(WIS2)62。并且，例如在所述设置区域80，以与检查组件6(61、62)在俯视观察时重叠的方式将多个基板载置部沿纵向设置。在该例中，分别在检查组件6(61、62)之间的高度位置、处理前检查组件61的下方侧的高度位置以及处理后检查组件62的上方的高度位置设有基板载置部，从而构成了交接部83。
图10表示交接部83的结构例，在检查组件61、62之间，在层段E3的高度位置设有与下侧输送机构51之间进行晶圆W的交接的基板载置部(TRS2、SCPL1、SCPL2)。另外，在处理前检查组件61的下方设有与下侧输送机构51之间进行晶圆W的交接的基板载置部(TRS1)。进而，在处理后检查组件62的上方，设有与上侧输送机构52之间进行晶圆W的交接的基板载置部(TRS3、TRS4、SCPL3、SCPL4)。另外还有，如图8和图10所示，在检查组件6(61、62)中的从输送路径20突出的突出部60的下方设有贮存区域22，它们以在俯视观察时重叠的方式配置。
在该例中，如图8和图9所示，抗蚀剂涂敷组件3也分别在处理模块D2的6个层段E1～E6以在输送路径20的前方面向输送路径20的方式各配设一个。因此，在从前方观察处理模块D2时，抗蚀剂涂敷组件3以在纵向上成列的方式配置，各抗蚀剂涂敷组件3的左右上的位置对齐。
另一方面，热处理组件4在输送路径20的后方以面向该输送路径20的方式设为沿左右排列有多个、例如两个。另外，如图9所示，热处理组件4在处理模块D2在纵向上配置8层。像这样，在处理模块D2，热处理组件4沿左右设为两列，并设为8层，在左右的两列中的构成相同的列的热处理组件4的左右上的位置对齐。
若进一步详细地叙述，则在像这样设为8层的热处理组件4中的、下方4层的热处理组件4设于层段E1～E3，上方4层的热处理组件4设于层段E4～E6。此外，像上述那样层段是包括抗蚀剂涂敷组件3的层，是在已述的基板处理装置1中于一个层段包括成为一层的热处理组件4的结构。在该例的基板处理装置1A，通过将热处理组件4层叠为8层，从而在层段的高度与热处理组件4所形成的层的高度之间存在偏离。若具体地叙述，则在热处理组件4中存在跨相邻的两个层段而设置的组件。
在基板处理装置1A，除了以上叙述的组件等的配置以外与基板处理装置1是同样的。并且，作为基板处理装置1A的晶圆W(W1、W2)的输送路径，例如与基板处理装置1的输送路径同样。因此，对于在基板处理装置1A进行处理前检查和处理后检查的情况，按照利用图6进行了说明的顺序在组件间输送晶圆W。对于基板处理装置1A，在仅进行处理前检查、处理后检查中的任一者的情况下，也利用在基板处理装置1的说明中所叙述的路径作为像这样仅进行任一者的检查的情况下的路径来输送晶圆W。
该基板处理装置1A也起到与基板处理装置1同样的效果。另外，像上述那样在基板处理装置1A沿左右排列的热处理组件4的数量比在基板处理装置1沿左右排列的热处理组件4的数量少。因此，对于基板处理装置1A，能够以左右的长度更短，占地面积更小的方式构成装置。在基板处理装置1A，像这样减少热处理组件4的左右方向上的排列数量，另一方面增加沿热处理组件4的纵向设置的层数。因此，能够防止从抗蚀剂涂敷组件3向热处理组件4的输送停滞，从而能够确保吞吐量。此外，在该实施方式中，在多个基板载置部间配置了检查组件6，但也可以像第1实施方式那样在比各基板载置部靠上方的位置配置检查组件6，还可以在比各基板载置部靠下方的位置配置检查组件。
(第3实施方式)
接着，参照图11的横剖俯视图和图12的纵剖主视图对本公开的基板处理装置的第3实施方式进行说明。图11表示处理模块D2的层段E3的横剖俯视图。该基板处理装置1B是第3输送机构具备后方侧输送机构(突出侧输送机构)91和前方侧输送机构(非突出侧输送机构)92的结构例。后方侧输送机构91是在交接部84(相当于第1实施方式的交接部8)的基板载置部间输送晶圆W的输送机构，设于第2处理组件(检查组件6)相对于输送路径20突出的后方侧。另外，前方侧输送机构92是在检查组件6与基板载置部之间输送晶圆W的输送机构，相对于输送路径20设于与检查组件6所突出的一侧相反的一侧，即设于前方侧。
在该例中，像上述那样检查组件6(61、62)以从输送路径20向后方突出的方式配置。另外，处理前检查组件61相当于下侧的第2处理组件，处理后检查组件62相当于上侧的第2处理组件，它们以沿纵向排列的方式配设。交接部84与第1实施方式同样地设于输送路径20的左侧的设置区域80。因此，后方侧输送机构91配置于输送路径20处的交接部84的后方，前方侧输送机构92配置于输送路径20处的交接部84的前方。
而且，在该例中，前方侧输送机构92具备在处理前检查组件61交接晶圆W的下侧前方输送机构921和在处理后检查组件62交接晶圆W的上侧前方输送机构922。这些后方侧输送机构91、下侧前方输送机构921、上侧前方输送机构922均与已述的第3输送机构7同样地构成。上侧前方输送机构922相当于上侧非突出侧输送机构，下侧前方输送机构921相当于下侧非突出侧输送机构。
在该例中，如图12所示，处理前检查组件61设于层段E2的高度位置，处理后检查组件62设于层段E5的高度位置。在这些处理前检查组件61、处理后检查组件62之间，基板载置部在层段E2～E5的高度位置配置为多层，而构成交接部84。另外，后方侧输送机构91在检查组件6(61、62)之间与这些检查组件6(61、62)重叠地设置。重叠地设置是指，检查组件6(61、62)的突出部60与后方侧输送机构91的局部在俯视观察时重叠。
而且，在交接部84与第1实施方式同样地设有基板载置部(TRS、SCPL)，但对TRS标注的附图标记为了便于说明而与第1实施方式不同。图12是表示交接部84的结构例的一例的附图。在该例中，下侧前方输送机构921向处理前检查组件61和下侧的层段E2～E3的基板载置部(SCPL1、SCPL2、TRS11、TRS12)输送晶圆W。另外，上侧前方输送机构922向处理后检查组件62和上侧的层段E4～E5的基板载置部(SCPL3、SCPL4、TRS13、TRS14)输送晶圆W。
并且，在交接部84的基板载置部彼此之间，像已述的那样，利用后方侧输送机构91进行晶圆W的输送。也就是说，后方侧输送机构91构成为能够向层段E2～E5的各基板载置部输送晶圆W。在该例中，与第2实施方式同样地，热处理组件4也在左右方向上设为两列，并在纵向上设为8层，对于其他结构与第1实施方式同样。
接着，以在处理前检查组件61和处理后检查组件62进行晶圆W的检查的情况为例，对该实施方式的晶圆W的输送路径的一例进行说明。在该实施方式的输送路径的说明中，将向层段E1～E3输送的晶圆W标记为W1，将向层段E4～E6输送的晶圆W标记为W2。另外，图13是概略地表示后方侧输送机构91、下侧前方输送机构921、上侧前方输送机构922各自在该输送路径相对于交接部84和检查组件6进行的输送的附图。与图6同样地在箭头的附近的圆框内表示所使用的输送机构，为了防止图示的繁杂化，在该图13中仅示出晶圆W1的输送路径。
载体模块D1的载体C内的晶圆W1以第1输送机构17→TRS11→下侧前方输送机构921→处理前检查组件61→下侧前方输送机构921→TRS12→后方侧输送机构91→SCPL1→处理模块D2的下侧输送机构51→层段E1、E2、E3中的任一抗蚀剂涂敷组件3这样的路径输送，而实施抗蚀剂液的液处理。
此后，晶圆W1以下侧输送机构51→与所述抗蚀剂涂敷组件3相同层段的热处理组件4→下侧输送机构51→SCPL2→后方侧输送机构91→TRS13→上侧前方输送机构922→处理后检查组件62这样的路径输送，而像已述那样进行检查。检查后的晶圆W以上侧前方输送机构922→TRS14→第1输送机构17→载体C这样的路径输送。
另一方面，载体模块D1的载体C内的晶圆W2在经过处理前检查组件61而到达TRS12为止以与晶圆W1同样的方式输送。接着，从TRS12利用后方侧输送机构91向层段E4～E6的上侧输送机构52能够接入的SCPL3输送。其后，晶圆W2在利用该上侧输送机构52而与已述的各例同样地依次向层段E4～E6的抗蚀剂涂敷组件3、热处理组件4输送后，被向SCPL4输送。接着，晶圆W2利用后方侧输送机构91向TRS13输送，其后，以与晶圆W1同样的路径经由处理后检查组件62输送而返回载体C。
另外，在仅实施由处理前检查组件61进行的检查的情况下，例如利用后方侧输送机构91将结束处理并被输送到SCPL2、SCPL4的晶圆W1、W2向TRS14输送而返回载体C即可。在仅实施由处理后检查组件62进行的检查的情况下，例如利用后方侧输送机构91将从载体C向TRS11输送的晶圆W1、W2分别向SCPL1、SCPL3输送，之后以上述的路径输送即可。
在该实施方式中，在基板处理装置1B，将作为第2处理组件的检查组件6设为相对于输送路径20向后方突出，因此像已述的那样，能够抑制占地面积的增大。另外，相对于检查组件6利用前方侧输送机构92输送晶圆W，并且相对于交接部84的基板载置部利用后方侧输送机构91输送晶圆W。像这样，由后方侧输送机构91和前方侧输送机构92分担地进行晶圆W的交接，因此输送负荷分散，能够提高输送的吞吐量。
而且，在该例中，将处理前检查组件61和处理后检查组件62在纵向上分离开地设置，利用下侧前方输送机构921和上侧前方输送机构922分担分别向检查组件6(61，62)的输送。因此，输送负荷被进一步分散，而能够有助于输送的吞吐量提高。此外，后方侧输送机构91以及下侧前方输送机构921、上侧前方输送机构922分别设于输送路径20的后方侧和前方侧，因此即使设置这些输送机构，基板处理装置1B的左右方向上的长度的增大也会被抑制。
另外，像上述那样将处理前检查组件61、处理后检查组件62上下分离开，并在这些检查组件6(61、62)间设有构成交接部84的各基板载置部。并且，将相对于检查组件6(61、62)的交接部84突出的突出部60彼此之间作为供后方侧输送机构91移动的空间来利用，而设为该后方侧输送机构91在层段E1～E3的高度的基板载置部与层段E4～E6的基板载置部之间进行晶圆W的交接的结构。像这样设为利用检查组件6(61、62)的突出部60彼此间的空间来进行层段间的输送，因此也能够抑制装置的前后的宽度增大，而能够更可靠地使装置的占地面积缩小化。
在该例中，也在检查组件6彼此之间设有交接部84，检查组件6和交接部84在俯视观察时重叠，因此能够有助于占地面积的缩小。而且，由于设为处理前检查组件61、处理后检查组件62的突出部60与后方侧输送机构91的局部在俯视观察时重叠，因此能够在处理模块D2的前后方向上形成空的空间。例如也可以将该空间作为热处理组件4的附加设备设置区域44来有效利用。
作为前方侧输送机构92，像上述那样是上下分割为下侧前方输送机构921、上侧前方输送机构922的结构，但也可以是未分割开的结构。也就是说，也可以利用共用的输送机构进行相对于处理前检查组件61、处理后检查组件62以及交接部84中的一部分基板载置部的输送。但是，像上述那样从使输送负荷分散的观点来看，作为前方侧输送机构92优选为上下分割。
此外在上述的各实施方式中，检查组件6虽然设为在俯视观察时呈长方形形状，但也可以将比较大型且在俯视观察时构成为正方形形状的检查组件6设为其局部从输送路径20向前方或后方突出。
(第4实施方式)
接着，使用图14对第4实施方式进行说明。该实施方式是在载体模块D1设置检查组件6的结构例。该例的检查组件6在载体模块D1处的晶圆W的输送区域10的上方，设为检查组件6的前后的长度比左右的长度长。即，以检查组件6的壳体63的长边方向与所述输送区域10的第1输送机构17的移动方向(X方向)一致的方式配置，其整体收纳于载体模块D1的壳体11内。
在图14所示的结构例中，处理前检查组件61、处理后检查组件62处于载体模块D1的后方，在俯视观察时与所述输送区域10重叠，且设于与处理模块D2的输送路径20的后方侧的区域相邻的位置(在图14中仅示出处理前检查组件61、处理后检查组件62中的处理后检查组件62)。若进一步详细地叙述，则在风机过滤单元18的上方且是其与设备设置区域23(参照图2)之间形成高度比图示的高度大的空间，这些检查组件6(61、62)在该空间上下层叠地配设。图14是表示处理模块D2的层段E3的横剖俯视图，但对于载体模块D1，示出了设备设置区域23的下方位置的横剖俯视图。
另外，第3输送机构7以在俯视观察时与检查组件6(61、62)相邻的方式配置于输送路径20的后方侧。例如在处理前检查组件61、处理后检查组件62的壳体63的面向处理模块D2的侧壁，形成有晶圆W的输送口，并构成为从第3输送机构7向位于待机位置的载置部64交接晶圆W。并且，载置于交接部85的基板载置部(TRS、SCPL)的晶圆W利用第3输送机构7而向处理前检查组件61、处理后检查组件62输送，而实施晶圆W的检查。作为该第4实施方式的装置处的晶圆W的输送路径，例如与第1实施方式的基板处理装置1同样。
根据图14的结构，将检查组件6以该检查组件6的长度比左右长的方式设于载体模块D1的第1输送机构17的输送区域10的上方。因此，当设置俯视观察时呈长方形形状的检查组件6时，能够抑制基板处理装置1C的左右方向的增长，而能够抑制占地面积的增大。
另外，以上，在各装置的结构例中将热处理组件配置于后方，将液处理组件配置于前方，但也可以与之相反地将热处理组件配置于前方，将液处理组件配置于后方。对于像这样使组件的位置关系逆转的情况，检查组件6的朝向等与热处理组件以及液处理组件的配置匹配即可。
而且，未必需要具备处理前检查组件61和处理后检查组件62这两者，是具备任一检查组件的结构即可。另外，例如对于第4实施方式的布局，也可以与其他实施方式的布局组合。也就是说也可以以如下方式设置：如在第4实施方式中示出的那样将一个检查组件6设于载体模块D1，并如在第1实施方式～第3实施方式中示出的那样将其他检查组件6与交接部重叠并且从输送路径20向前方或后方突出。
而且，对于第2输送机构，在设于处理模块D2的各层段可以共用化，也可以不共用化。对于第2输送机构在各层段不共用化的情况(即，设置多个第2输送机构的情况)，一个第2输送机构负责输送的层段的数量没有限制，该层段的数量可以是1个，也可以是多个。并且，各第2输送机构负责输送的层段的数量既可以相同，也可以不同。
若第2输送机构的数量少，则能够减少装置的制造成本，因此优选。另外，通过像基板处理装置1的结构那样设置多个第2输送机构51、52，第2输送机构5的输送的负荷被抑制，因此从得到较高的吞吐量这一观点来看较优选。另外，通过像基板处理装置1那样设为各第2输送机构51、52负责相同数量的层段的输送，能够防止在第2输送机构51、52间输送的负荷失衡，从而能够得到较高的吞吐量，因此优选。
而且，以上，构成处理模块的层段至少包括液处理组件即可。另外，设于各层段的液处理组件不限于上述的例，也可以是多个杯32在左右方向上排列的结构。但是，若是仅设置一个杯32的结构，则能够有助于处理模块D2的左右方向上的长度的减少。
进而，第1处理组件的设置个数不限于上述的例，也可以是，在一个层段以层叠第1处理组件的方式设置。另外，若第1处理组件如第2实施方式和第3实施方式所示那样使第2输送机构能够输送晶圆W，则也可以以设于跨两个层段的高度位置的方式设置。而且，在第2输送机构负责多个层段的输送的情况下，也可以是不设置第1处理组件的层段。
进而，第1处理组件的设置个数不需要在多个层段彼此相同，也可以是，在每个层段，第1处理组件的个数不同。在该情况下，对于第1处理组件的左右方向上的设置位置，也不需要在所有层段相同，也可以根据第1处理组件的设置个数而使这些左右方向上的设置部位在每个层段错开。进而，构成处理模块D2的层段的层叠数也可以是4层、5层、7层、8层，而不限于例示的层叠数。
另外，液处理组件可以是进行防反射膜形成用的液处理、保护膜形成用的液处理的组件，也可以是将显影液作为处理液而对晶圆W实施显影处理的显影组件。另外，也可以是涂敷用于形成绝缘膜的处理液(化学溶液)的组件，或是供给用于将晶圆W贴合的粘接材料的组件，或是向晶圆W供给清洗液而进行清洗的清洗组件。此外，上述的保护膜是指为了在浸液曝光时保护抗蚀膜而形成的膜。
而且，在设置上述的显影组件的情况下，作为第1处理组件，例示了在显影处理前进行晶圆W的加热处理(PEB：Post exposure bake、曝光后烘烤)的热处理组件。也就是说，在处理模块D2，也可以按照热处理组件→显影组件这样的顺序输送晶圆W。因此，作为第1处理组件，不限于是在液处理组件之后处理晶圆W的组件，另外，作为液处理组件，不限于是形成涂敷膜的组件。
而且，第1处理组件也可以构成为向晶圆W供给气体而进行疏水化处理的疏水化处理组件。例如也可以是，作为第1处理组件而设置疏水化处理组件，作为液处理组件而设置防反射膜形成组件，按照疏水化处理组件→防反射膜形成组件这样的顺序输送。因此，第1处理组件不限于仅是加热晶圆W的组件。
进而，第2处理组件不限于是检查组件，例如也可以是在晶圆W形成了抗蚀膜后照射紫外线而实施固化处理的处理组件。对于该处理组件，例如在图5所示的检查组件6不具备照相机，而在半透半反镜65和照明66的位置设置紫外线照射部来代替它们从而构成。并且，通过从紫外线照射部朝向下方照射紫外线，并且使载置有晶圆W的载置部64从待机区域移动至移动完成位置，向晶圆W的整个表面照射紫外线，从而实施固化处理。
另外，在基板处理装置1等，下侧输送机构51与上侧输送机构52独立地输送晶圆W。也就是说，在层段E1～E3与在层段E4～E6相互独立地输送晶圆W，因此也可以将在层段E1～E3进行的处理与在层段E4～E6进行的处理设为不同。例如也可以使在下侧的层段和在上侧的层段配置的组件不同，以在层段E1～E3进行抗蚀剂涂敷、PAB，而在层段E4～E6进行PEB、显影。
另外，交接部8等的结构不限于上述的例，载置组件(TRS)81、温度调整组件(SCPL)82的设置数量、布局能够适当选择。因此，在已述的输送路径，对于已叙述了向TRS输送的步骤也可以向SCPL输送，相反地，对于已叙述了向SCPL输送的步骤也可以向TRS输送，也可以在该输送路径中插入向TRS、SCPL的输送。另外，贮存区域22以不与处理前检查组件61、处理后检查组件62干涉的方式设置即可，也可以以与贮存区域22在纵向上重叠地配置液处理组件的附加设备设置区域、电力设备的设置区域。
应该认为本次公开的实施方式在所有方面都是例示而并非限制性的。上述实施方式在不脱离权利要求书及其主旨的前提下，也可以以各种方式进行省略、置换、变更以及组合。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，其包括设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件的处理模块，该基板处理装置的特征在于，
该基板处理装置具备：
基板输送模块，其具备供用于收纳多个所述基板的容器载置的容器载置部和相对于所述容器交接所述基板的第1输送机构，该基板输送模块相对于所述处理模块设于左右中的一方；
所述基板的输送路径，其在所述处理模块沿左右延伸；
多个层段，其在相对于所述输送路径的前后中的一方以所述液处理组件在纵向上成列的方式构成所述处理模块，并且分别包括该液处理组件；
第1处理组件，其在相对于所述输送路径的前后中的另一方在纵向上设置多个，并在所述液处理组件的处理之前或之后进行所述基板的处理；
第2输送机构，其在所述输送路径上移动而在所述液处理组件与所述第1处理组件之间输送所述基板；
第2处理组件，其在所述基板输送模块处的利用所述第1输送机构输送基板的输送区域的上方以前后的长度比左右的长度长的方式设置，或以从所述输送路径向前后中的一方或另一方突出的方式设置，其对所述基板进行与由所述第1处理组件进行的处理不同的处理；
第3输送机构，其相对于所述第2处理组件交接所述基板；以及
交接部，其设于所述输送路径的左右中的一侧，供所述基板载置，用于在所述第1输送机构、所述第2输送机构以及所述第3输送机构之间交接该基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第2处理组件设为从所述输送路径向相对于该输送路径的前后中的一方或另一方突出，并与所述交接部重叠。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第3输送机构相对于所述输送路径设于与所述第2处理组件所突出的一侧相反的一侧。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第2处理组件相对于所述输送路径突出的一侧是前后中的一侧，
所述第3输送机构相对于所述输送路径设于前后中的另一侧。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述交接部包括在纵向上成列并且分别载置所述基板的多个基板载置部，
在一个所述基板载置部与另一个所述基板载置部之间设有所述第2处理组件。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第2处理组件的从所述输送路径突出的部位与用于贮存处理液的贮存区域在俯视观察时重叠，所述处理液在各所述液处理组件向所述基板供给。
7.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述交接部包括在纵向上成列并且分别载置所述基板的多个基板载置部，
所述第3输送机构具备：
突出侧输送机构，其在所述第2处理组件相对于所述输送路径突出的一侧与该第2处理组件重叠地设置；以及
非突出侧输送机构，其相对于所述输送路径设于与所述突出的一侧相反的一侧，
所述非突出侧输送机构在所述第2处理组件与所述基板载置部之间输送所述基板，
所述突出侧输送机构在各基板载置部间输送所述基板。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第2处理组件包括在纵向上排列的上侧的第2处理组件和下侧的第2处理组件，
所述突出侧输送机构设于上侧的第2处理组件与下侧的第2处理组件之间，
所述非突出侧输送机构具备相对于所述上侧的第2处理组件交接所述基板的上侧非突出侧输送机构和相对于所述下侧的第2处理组件交接所述基板的下侧非突出侧输送机构。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第2输送机构包括：
下侧输送机构，其相对于所述多个层段中的下侧的层段的所述液处理组件和该下侧的层段的高度的所述第1处理组件交接所述基板；以及
上侧输送机构，其相对于所述多个层段中的上侧的层段的所述液处理组件和该上侧的层段的高度的所述第1处理组件交接所述基板。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述下侧的层段和所述上侧的层段分别由多个层段构成，
所述交接部分别设于利用所述下侧输送机构输送所述基板的层段中的最上侧的层段的高度、和利用上侧输送机构输送所述基板的层段中的最下侧的层段的高度。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述下侧的层段和所述上侧的层段分别由3个层段构成。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第2处理组件是用于检查由所述液处理组件和所述第1处理组件进行的处理前或处理后的所述基板的检查组件。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
各所述层段的液处理组件仅各自具备一个用于包围所述基板来进行处理的杯。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述交接部具有在由所述液处理组件和所述第1处理组件进行的处理前调整基板的温度的温度调整功能。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1处理组件是用于加热所述基板的热处理组件。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在多个所述第1处理组件，包括跨相邻的两个层段而设置的第1处理组件。
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