CN217544546U - 基板处理装置 - Google Patents

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渡边刚史
土山正志
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Abstract

本实用新型涉及基板处理装置，其提高基板处理装置的生产率。装置构成为包括：载体模块；第1处理模块，其由互相层叠的第1下侧处理模块、第1上侧处理模块构成；第2处理模块，其由互相层叠的第2下侧处理模块、第2上侧处理模块构成；中继模块，其包括升降输送机构；以及旁路输送机构，其在作为所述上侧处理模块和下侧处理模块中的一者的旁路输送通路形成模块设于每个第1处理模块、第2处理模块，以与该旁路输送通路形成模块的主输送机构一起形成前进路径或返回路径的方式进行动作，在该旁路输送通路形成模块，该旁路输送机构使得能够利用第1处理模块的主输送机构和第2处理模块的主输送机构中的一者朝向下游侧的模块输送基板。

Description

基板处理装置
技术领域
本实用新型涉及基板处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，将半导体晶圆(以下记载为晶圆)在各种处理组件之间输送，从而进行液处理、加热处理等各处理。在专利文献1中，记载有一种涂布、显影装置，该涂布、显影装置包含处理模块S2、S4，该处理模块S2、S4分别包括：多个单位模块，其分别设有多个处理组件，并且该多个单位模块互相层叠；和主臂，其设于每个单位模块，以在处理组件之间输送晶圆。处理模块S2、S4被夹在载体模块与曝光装置之间，并且对晶圆进行升降输送的模块S3介于处理模块S2、S4之间。而且，在各处理模块S2、S4 的下侧的单位模块，作为与主臂不同的输送机构而设有多个梭动臂，该梭动臂不经由处理组件地输送晶圆。
利用处理模块S2的梭动臂输送到模块S3的晶圆在被分配到处理模块S2、 S4的上侧的单位模块之后，返回模块S3并利用处理模块S4的梭动臂向曝光装置输送。然后，在处理模块S2、S4中的一者进行处理时，以利用梭动臂绕过不进行处理的模块的处理组件的方式向载体模块侧输送。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-258208号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本实用新型提供一种能够提高基板处理装置的生产率的技术。
用于解决问题的方案
本技术方案的基板处理装置包括：
载体模块，其供收纳基板的载体载置；
第1处理模块，其包括在与所述载体模块之间交接所述基板并且互相层叠的第1下侧处理模块、第1上侧处理模块，该第1下侧处理模块、第1上侧处理模块均包括：多个分层，其均具备处理所述基板的处理组件并且互相层叠；和主输送机构，其共用于各所述分层，输送所述基板；
第2处理模块，其包括分别与所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块在左右方向上相邻并且互相层叠的第2下侧处理模块、第2上侧处理模块，该第2下侧处理模块、第2上侧处理模块均包括所述多个分层和所述主输送机构；
中继模块，其以在所述第2下侧处理模块与所述第2上侧处理模块之间交接所述基板的方式包括升降输送机构，该中继模块在所述左右方向上在与所述第1处理模块所相邻的一侧相反的一侧与所述第2处理模块相邻；
控制部，其控制各所述主输送机构的动作，以使包括所述第1上侧处理模块以及所述第2上侧处理模块的上侧处理模块和包括所述第1下侧处理模块以及所述第2下侧处理模块的下侧处理模块中的一者形成自所述载体模块朝向所述中继模块输送所述基板的前进路径，使另一者形成自所述中继模块朝向所述载体模块输送所述基板的返回路径；以及
旁路输送机构，其在作为所述上侧处理模块和下侧处理模块中的一者的旁路输送通路形成模块设于每个所述第1处理模块、所述第2处理模块，该旁路输送机构以与该旁路输送通路形成模块的所述主输送机构一起形成所述前进路径或所述返回路径的方式进行动作，在该旁路输送通路形成模块，该旁路输送机构使得能够利用所述第1处理模块的主输送机构和所述第2处理模块的主输送机构中的一者朝向下游侧的模块输送所述基板，
将所述第1处理模块、所述第2处理模块中的旁路输送机构分别设为第1 旁路输送机构、第2旁路输送机构。
也可以是，所述第1旁路输送机构和所述第2旁路输送机构分别沿着所述左右方向输送所述基板。
也可以是，所述第1旁路输送机构的输送所述基板的输送通路即第1旁路输送通路向所述第2下侧处理模块和所述第2上侧处理模块中的构成所述旁路输送通路形成模块的模块突出，所述第2旁路输送机构的输送所述基板的输送通路即第2旁路输送通路向所述第1下侧处理模块和所述第1上侧处理模块中的构成所述旁路输送通路形成模块的模块突出。
也可以是，所述第1旁路输送通路与所述第2旁路输送通路的高度互相不同。
也可以是，在俯视时，所述第1旁路输送通路与所述第2旁路输送通路重叠。
也可以是，该基板处理装置设有：第1旁路用基板载置部，其分别设于所述第1旁路输送通路的上游侧、下游侧，在与所述第1旁路输送机构之间交接所述基板；以及第2旁路用基板载置部，其分别设于所述第2旁路输送通路的上游侧、下游侧且是与所述第1旁路用基板载置部不同的高度，并且，在与所述第2旁路输送机构之间交接所述基板。
也可以是，所述第1旁路用基板载置部和所述第2旁路用基板载置部包括进行升降的载置部主体和自该载置部主体向上侧突出并支承所述基板的下表面的支承部。
也可以是，关于所述第1旁路输送机构和第2旁路输送机构中的一个旁路输送机构、所述第1旁路输送通路和第2旁路输送通路中的该一个旁路输送机构的旁路输送通路、所述第1旁路用基板载置部和第2旁路用基板载置部中的相对于该一个旁路输送机构交接所述基板的旁路用基板载置部，在所述旁路输送机构向所述旁路输送通路的下游侧的所述旁路用基板载置部交接所述基板的位置，所述旁路输送机构在俯视时不位于该旁路输送通路的对所述支承部而言的上游侧。
也可以是，所述第1旁路输送机构或所述第2旁路输送机构包括：移动机构，其分别设于所述第1处理模块或所述第2处理模块；移动体，其相对于所述移动机构在所述左右方向上移动；以及支承体，其相对于所述移动体在所述左右方向上移动，支承所述基板。
也可以是，所述移动体在相对于所述移动机构向左侧突出的位置与向右侧突出的位置之间移动，所述支承体在相对于所述移动体向左侧突出的位置与向右侧突出的位置之间移动。
也可以是，在各个所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块、所述第2下侧处理模块、所述第2上侧处理模块中，利用所述主输送机构输送所述基板的主输送通路相对于所述分层位于前后的一方侧，在所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块、所述第2下侧处理模块、所述第2上侧处理模块中的构成所述旁路输送通路形成模块的各模块中，旁路输送机构设于所述主输送通路的前后的一方侧。
也可以是，在所述分层设有向所述基板供给处理液的液处理组件作为所述处理组件。
也可以是，在构成所述旁路输送通路形成模块的模块中的至少一者，在所述主输送通路的前后的一方侧设有由对所述基板进行与所述液处理组件不同的种类的处理的多个处理组件构成的层叠体，所述第1旁路输送机构和所述第2旁路输送机构相对于所述处理组件的层叠体设于所述上侧处理模块和所述下侧处理模块中的与该旁路输送通路形成模块自上方或下方连接的模块侧。
也可以是，在所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块、所述第2 下侧处理模块、所述第2上侧处理模块分别设有所述旁路输送机构，所述上侧处理模块和下侧处理模块中的各模块构成所述旁路输送通路形成模块。
实用新型的效果
本实用新型能够提高基板处理装置中的生产率。
附图说明
图1是本实用新型的第1实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。
图2是所述基板处理装置的纵剖主视图。
图3是所述基板处理装置的纵剖主视图。
图4是所述基板处理装置的左侧视图。
图5是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
图6是表示设于所述基板处理装置的输送机构的动作的说明图。
图7是表示设于所述基板处理装置的输送机构的动作的说明图。
图8是表示设于所述基板处理装置的输送机构的动作的说明图。
图9是所述基板处理装置的输送路径的概略图。
图10是第2实施方式的涂布、显影装置的横剖俯视图。
图11是所述涂布、显影装置的纵剖主视图。
图12是第3实施方式的涂布、显影装置的横剖俯视图。
图13是所述涂布、显影装置的纵剖主视图。
图14是所述涂布、显影装置的纵剖右侧视图。
具体实施方式
〔第1实施方式〕
分别参照图1的横剖俯视图、图2、图3的纵剖主视图，说明本实用新型的第1实施方式的基板处理装置1。图2、图3示出了装置的不同位置的剖面。在基板处理装置1中，载体模块D1、第1处理模块D2、第2处理模块D3、接口模块D4按照该顺序在横向上呈直线状排列，相邻的模块彼此互相连接。这些模块(载体模块、第1处理模块、第2处理模块、接口模块)D1～D4分别包括壳体而互相划分，在各壳体的内部形成有作为基板的晶圆W的输送区域。
在以后的说明中，将这些模块D1～D4的排列方向设为左右方向，将载体模块D1侧设为左侧，将接口模块D4设为右侧。另外，关于装置的前后方向，将使载体模块D1处于左侧地观察时的近前设为前方，将里侧设为后方。在作为中继模块的接口模块D4，自右侧连接有曝光机20。此外，由于是这样的配置，因此，接口模块D4在左右方向上在与第1处理模块D2所相邻的一侧相反的一侧与该第2处理模块D3相邻。
在详细地说明各个模块D1～D4之前，对基板处理装置1的概略结构进行叙述。例如，将晶圆W以收纳于被称作FOUP(Front Opening Unify Pod：前开式晶圆传送盒)的载体C的状态向基板处理装置1输送，在该晶圆W的表面形成有抗蚀膜。基板处理装置1包括进行作为液处理的清洗处理和显影处理、曝光后且显影处理前的晶圆W的加热处理(PEB：PostExposure Bake：曝光后烘烤)等各种处理的处理组件，另外，在进行PEB之前向曝光机20交接晶圆W，以对抗蚀膜进行曝光。
第1处理模块D2和第2处理模块D3分别在纵向上以分割为两部分的方式被划分。将像这样互相划分而成的第1处理模块D2的下侧、上侧分别设为第1 下侧处理模块D21、第1上侧处理模块D22。另外，将互相划分而成的第2处理模块D3的下侧、上侧分别设为第2下侧处理模块D31、第2上侧处理模块D32。因而，第1下侧处理模块D21和第1上侧处理模块D22互相层叠，第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32互相层叠。于是，第1下侧处理模块D21和第 1上侧处理模块D22互相相邻，第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32 互相相邻。
这些处理模块(D21、D22、D31、D32)分别包括上述的处理组件和能够相对于处理组件进行交接的输送机构(主输送机构)。而且，在第1上侧处理模块D22和第2上侧处理模块D32分别设有与像这样向处理组件交接的输送机构不同的输送机构。将该不同的输送机构在以后记载为梭动件。该梭动件是以不经由处理组件的方式将晶圆W朝向下游侧的模块输送的旁路输送机构，设有该梭动件的第1上侧处理模块D22和第2上侧处理模块D32是旁路输送通路形成模块。
第1下侧处理模块D21和第2下侧处理模块D31形成自载体模块D1朝向接口模块D4输送晶圆W的前进路径。而且，第1上侧处理模块D22和第2上侧处理模块D32形成将已利用曝光机20曝光完的晶圆W自接口模块D4朝向载体模块D1输送的返回路径，并以能够进行互相相同的处理的方式设有相同种类的处理组件。在该返回路径，晶圆W被第1上侧处理模块D22和第2上侧处理模块D32中的一个模块的输送机构向处理组件输送而接受处理，在另一模块中被梭动件输送。
有时将上述的形成前进路径的第1下侧处理模块D21和第2下侧处理模块 D31统一记载为下侧处理模块G1，将形成返回路径的第1上侧处理模块D22 和第2上侧处理模块D32统一记载为上侧处理模块G2。如上述这样设有梭动件，从而在上侧处理模块G2中，晶圆W在两个输送路径中的任一路径被输送。此外，组件是指除了输送机构(包含梭动件)以外的载置晶圆W的部位。将对晶圆W进行处理的组件如上述这样记载为处理组件，该处理也包含为了检查而获得图像的情况。
以下，也参照图4的侧视图，说明载体模块D1。利用在设置基板处理装置1的洁净室内设置的未图示的载体用的输送机构(外部输送机构)相对于该载体模块D1送入送出载体C。载体模块D1是相对于该载体C进行晶圆W的送入送出的模块。
将构成载体模块D1的上述的壳体设为11。该壳体11形成为方形，其下部侧向左方突出而形成支承台12。另外，壳体11的位于支承台12的上侧的左侧面的在纵向上互相分离开的两个部位向左方突出，而分别形成支承台13、14。将下方侧的支承台、上方侧的支承台分别设为13、14。
支承台12～14例如能够将载体C在前后方向上空开间隔地各载置4个，并设有像这样分别载置载体C的载物台，在从左方观察时，该载物台例如配置为3×4的矩阵状。此外，支承台12的左端部比支承台13、14向左方侧突出，支承台12的载物台设于该支承台12的右侧且是支承台13、14的下方位置。支承台12的内部设为收纳瓶的区域，该瓶如上述那样贮存有第1处理模块D2和第2处理模块D3中的液处理用的处理液。
利用后述的载体移载机构21，能够进行各载物台之间的载体C的移载。对该各载物台进行叙述，支承台12、13的各自的前方侧的两个载物台构成为载置载体C以相对于装置进行晶圆W的送入送出的移动载物台15。因而，从左方观察时，移动载物台15配置为2×2的矩阵状。该移动载物台15在上述的用于进行晶圆W的送入送出的右方侧的装载位置和用于在与载体移载机构 21之间进行载体C的交接的左方侧的卸载位置之间移动。在本例子中，支承台12的移动载物台15作为载置载体C以向装置内交付未处理的晶圆W的载物台(装载构件)，支承台13的移动载物台15作为载置载体C以收纳已利用装置处理完的晶圆W的载物台(卸载构件)，对用途进行了区分。但是，一个移动载物台15也可以兼用作装载构件和卸载构件。
对其他的载物台进行叙述，支承台12、13的后侧的两个载物台和支承台 14的两个载物台构成为临时载置载物台16。另外，支承台14的另外两个载物台构成为送入载物台17、送出载物台18。例如，支承台14的后端侧的载物台、前端侧的载物台分别是送入载物台17、送出载物台18。这些送入载物台17、送出载物台18是在上述的外部输送机构相对于该基板处理装置1分别送入、送出载体C时载置该载体C的载物台。
载体C按照送入载物台17→支承台12的移动载物台15→支承台13の移动载物台15→送出载物台18的顺序被移载。在像这样在各载物台之间移载载体 C时，若作为移载目的地的载物台未空出(被其他的载体C占据)，则将该载体C载置于临时载置载物台16而待机，直到作为该移载目的地的载物台空出。
在支承台12的左侧的上方设有载体移载机构21。载体移载机构21包括：多关节臂22，其能够保持设于载体C的上部的被保持部；以及移动机构23，其能够使该多关节臂22升降移动和前后移动，该载体移载机构21能够像上述那样在载物台之间移载载体C。
在壳体11的左侧壁形成有用于进行晶圆W的送入送出的输送口24，该输送口24与上述的移动载物台15的配置相对应地形成为2×2的矩阵状。在各输送口24设有门25。该门25能够保持上述的装载位置处的移动载物台15上的载体C的盖，并且能够在保持着该盖的状态下移动而将输送口24开闭。
上述的输送口24面向在壳体11内形成的晶圆W的输送区域31，该输送区域31形成为俯视时前后较长的直线状。在该输送区域31的前方侧设有输送机构32。该输送机构32包括前后移动自如、升降自如、且绕铅垂轴线转动自如的基台和在基台上进退自如的晶圆W的保持部。该输送机构32能够接近上述的装载位置处的移动载物台15上的载体C和后述的组件层叠体T1以及后述的处理前检查组件41并进行晶圆W的交接。
在载体模块D1设有处理前检查组件41，该处理前检查组件41对利用基板处理装置1进行的处理前的晶圆W的表面进行拍摄。将该拍摄得到的图像数据向后述的控制部10发送，由该控制部10基于该图像数据进行晶圆W的异常的有无的判断。处理前检查组件41构成为左右细长且扁平的长方体形状，右侧位于输送区域31的前后的中央部，左侧贯穿壳体11的左侧壁而向该壳体11 的外侧突出。
处理前检查组件41包括：在该组件内左右移动自如的载物台42、在载物台42的移动通路的上方设置的半透半反镜43、借助半透半反镜43向下方照射光的照明部44、在半透半反镜43的左方设置的照相机45(参照图3)。利用输送机构32相对于位于组件内的右侧的载物台42交接晶圆W。在像这样交接到晶圆W的载物台42向左侧移动而经过半透半反镜43的下方的过程中，利用照明部44照射光，并且利用照相机45对映射在半透半反镜43的晶圆W进行拍摄，而获得上述的图像数据。
而且，如图1所示，在输送区域31以俯视时位于处理前检查组件41的后方的方式设有输送机构33。该输送机构33包括升降自如且绕铅垂轴线转动自如的基台和在基台上进退自如的晶圆W的保持部，该输送机构33能够相对于后述的组件层叠体T1以及第1上侧处理模块D22的梭动件用的TRS12交接晶圆W。
接着，说明组件层叠体T1。该组件层叠体T1通过将温度调整组件SCPL 和临时载置晶圆W的交接组件TRS在纵向上重叠而构成，该组件层叠体T1设于输送区域31的前后的中央部。因而，该组件层叠体T1在俯视时被输送机构 32、33在前后方向上夹在之间，并且与处理前检查组件41重叠地配置于该处理前检查组件41的右侧。另外，关于上述的载体用的载物台，包含移动载物台15在内的前方侧的纵向两列载物台配置于比组件层叠体T1靠前方侧的位置。关于后方侧的纵向两列载物台，一列位于组件层叠体T1的左方，另一列位于比组件层叠体T1靠后方的位置。
交接组件TRS例如包括在横向上排列着的多个销，利用输送机构的升降动作相对于该销交接晶圆W。SCPL例如设为在载置晶圆W的板连接制冷剂流路从而冷却所载置的晶圆W的结构，利用输送机构的升降动作相对于该板交接晶圆W。此外，SCPL还设于载体模块D1以外的模块，D1以外的模块的SCPL 例如也是与载体模块D1的SCPL同样的结构。而且，TRS也设于D1以外的模块。这些TRS除了在与后述的梭动件之间交接晶圆W的梭动件用的TRS以外均是与载体模块D1的TRS同样的结构。以后，在SCPL、TRS之后标注数字来进行表示，以将各处的SCPL、TRS互相区分。而且，各处的TRS、SCPL例如层叠地设有多个。也就是说，标注相同数字的TRS、SCPL分别各设有多个，但为了方便图示，仅显示一个。此外，在本说明书中，组件的层叠体是指俯视时重叠地设置的组件，组件彼此既可以互相分离，也可以互相接触。
构成组件层叠体T1的组件的一部分设于处理前检查组件41的下侧，另一部分设于处理前检查组件41的上侧。例如，自下侧朝向上侧按照TRS1、TRS2、 SCPL1、TRS3、SCPL2的顺序设置，处理前检查组件41位于SCPL1与TRS3 之间(参照图3)。而且，例如，TRS1、TRS2、SCPL1分别位于第1下侧处理模块D21的高度，TRS3、SCPL2分别位于第1上侧处理模块D22的高度。输送机构33能够接近这些构成组件层叠体T1的各组件，输送机构32能够接近 TRS1、TRS2。
TRS1、TRS2用于输送机构32、33之间的晶圆W的交接。SCPL1用于第1 下侧处理模块D21与载体模块D1之间的晶圆W的交接。因而，后述的第1下侧处理模块D21的输送机构6A也能够接近SCPL1。另外，TRS3用于第1上侧处理模块D22与载体模块D1之间的晶圆W的交接。因而，后述的第1上侧处理模块D22的输送机构6B也能够接近TRS3。SCPL2是用于对在第1上侧处理模块D22接受显影处理前的晶圆W进行温度调整的组件，输送机构6B能够接近该SCPL2。
接着，也参照作为纵剖侧视图的图5，说明第1处理模块D2。第1处理模块D2的前方侧在纵向上被划分而形成8个分层，将各分层自下侧朝向上侧设为E1～E8。下侧的分层E1～E4包含在第1下侧处理模块D21内，上侧的分层 E5～E8包含在第1上侧处理模块D22内。各分层构成能够设置液处理组件的区域。
首先，说明第1上侧处理模块D22。在分层E5～E8分别设有显影组件51 作为液处理组件。显影组件51包括喷嘴(未图示)和左右排列并且分别收纳晶圆W的两个杯52，利用未图示的泵将自上述的瓶供给的显影液向晶圆W的表面供给而进行处理。
在分层E5～E8的后方侧设有晶圆W的输送区域53，该输送区域53自上侧处理模块D22的左端遍及右端地形成为俯视时呈直线状。因而，输送区域53 的伸长方向与载体模块D1的输送区域31的伸长方向正交。此外，输送区域53 自分层E5的高度遍及分层E8的高度地形成。也就是说，输送区域53未以每个分层E5～E8为单位进行划分。
而且，在输送区域53的后方，处理组件例如在纵向上层叠地设为7层，该处理组件的层叠体左右排列地配置有两个。即，该处理组件的层叠体和上述的杯52分别沿着输送区域53的伸长方向设置。
将上述的左右排列着的处理组件的层叠体设为后部侧处理部50。作为构成该后部侧处理部50的处理组件，包含多个加热组件54和多个处理后检查组件57。加热组件54是进行上述的PEB的组件，包括载置并加热晶圆W的热板 55和进行晶圆W的温度调整的冷却板56。冷却板56能够在利用后述的输送机构6B的升降动作交接晶圆W的前方位置和与热板55重叠的后方位置之间移动。在热板55所具备的未图示的销的升降动作和冷却板56的该移动的协作下，在热板55与冷却板56之间交接晶圆W。
处理后检查组件57是与处理前检查组件41同样的结构，该处理后检查组件57以拍摄时的晶圆W的移动方向成为前后方向的方式配置。该处理后检查组件57获得已利用基板处理装置1处理完的晶圆W的表面、更具体而言利用显影形成了抗蚀图案的晶圆W的表面的图像数据，并向控制部10发送。
在作为主输送通路的输送区域53设有上述的作为主输送机构的输送机构6B，输送机构6B包括左右移动自如、升降自如、且绕铅垂轴线转动自如的基台61和在基台61上进退自如的晶圆W的保持部62。此外，包含该输送机构6B在内的、基板处理装置1内的除了梭动件以外的各输送机构的保持部各设有两个，能够在基台上互相独立地进退。
用于使上述的输送机构6B的基台61左右移动的移动机构63设于后部侧处理部50的下方，在该移动机构63与后部侧处理部50之间形成有扁平的空间 71A。空间71A自第1上侧处理模块D22的左端遍及右端地形成。而且，梭动件和该梭动件用的TRS12、TRS14设置于该空间71A，这些构件随后详细叙述。上述的输送机构6B能够相对于第1上侧处理模块D22内的各处理组件、上述的载体模块D1的TRS3和SCPL2、梭动件用的TRS14进行晶圆W的交接。也就是说，对在层叠着的多个分层设置的各液处理组件而言，共用输送机构 6B。
接着，说明第1下侧处理模块D21。该第1下侧处理模块D21是与上述的第1上侧处理模块D22大致同样的结构，以下，以与第1上侧处理模块D22的不同点为中心进行说明。在分层E1未设置处理组件，在分层E2～E4设有背面清洗组件47作为液处理组件。背面清洗组件47除了设有向晶圆W的背面供给清洗液的喷嘴来代替向晶圆W的表面供给显影液的喷嘴以外是与显影组件51同样的结构。
而且，作为构成后部侧处理部50的处理组件，包含用于在显影时去除晶圆W的周缘部的不需要的抗蚀膜的周缘曝光组件48。设于输送区域53的主输送机构表示为输送机构6A，是与上述的输送机构6B同样的结构。该输送机构6A相对于第1下侧处理模块D21的各处理组件、上述的组件层叠体T1的 SCPL1、后述的组件层叠体T2交接晶圆W。此外，在第1下侧处理模块D21 未设置梭动件和梭动件用的TRS。
接着，说明第2处理模块D3。该第2处理模块D3是与第1处理模块D2大致同样的结构，以下，以与第1处理模块D2的不同点为中心进行说明。首先，对第2上侧处理模块D32与第1上侧处理模块D22的不同点进行叙述，可列举出，在输送区域53的左端部设有构成组件层叠体T2的SCPL3(参照图3)。该 SCPL3是第2上侧处理模块D32中的显影处理前的晶圆W的温度调整用的组件。
另外，将该第2上侧处理模块D32中的主输送机构设为6D。在使该输送机构6D移动的移动机构63与后部侧处理部50之间，也形成有与第1上侧处理模块D22的空间71A同样的空间71B。空间71B位于与空间71A相同的高度，并与该空间71A连通。在空间71B设置有梭动件和梭动件用的TRS11、TRS13，这些构件随后叙述。上述的输送机构6D相对于第2上侧处理模块D32内的各处理组件、后述的接口模块D4的组件层叠体T3、梭动件用的TRS11进行晶圆W的交接。
对第2上侧处理模块D32中的组件的布局进行补充，后部侧处理部50、显影组件51的杯52分别以能够利用输送机构6D进行交接的方式位于比组件层叠体T2靠右侧的位置。液处理组件和后部侧处理部50的布局在第1下侧处理模块D21以及第2下侧处理模块D31、第1上侧处理模块D22以及第2上侧处理模块D32之间是共同的。因而，上述的第1下侧处理模块D21和第1上侧处理模块D22也是，后部侧处理部50和液处理组件的杯52设于自模块的左端部分离开的位置。
接着，说明第2下侧处理模块D31，在输送区域53的左端部，设有与上述的SCPL3一起构成组件层叠体T2的TRS4(参照图3)。在分层E1、E2未设置液处理组件，在分层E3、E4设有在利用曝光机20进行了曝光后对晶圆W的表面进行清洗的曝光后清洗组件49。该曝光后清洗组件49除了向晶圆W供给的处理液用清洗液来代替显影液以外是与显影组件51同样的结构。另外，在第 2下侧处理模块D31不进行该清洗以外的处理，在输送区域53的后方未设置后部侧处理部50。
将第2下侧处理模块D31中的主输送机构设为输送机构6C。该输送机构 6C相对于第2下侧处理模块D31内的各处理组件、后述的接口模块D4的组件层叠体T3进行晶圆W的交接。
之后，说明接口模块D4。接口模块D4在前后的中央部具备组件层叠体 T3。该组件层叠体T3由互相层叠着的TRS5～TRS8、温度调整组件ICPL构成。另外，除此以外，例如设有使晶圆W暂时待机的缓冲组件等，但省略说明。 ICPL是在利用曝光机20进行曝光之前输送晶圆W的组件，与SCPL同样地对所载置的晶圆W的温度进行调整。TRS5～TRS7设于下侧处理模块G1的高度， TRS8设于上侧处理模块G2的高度。在组件层叠体T3的前方、后方分别设有输送机构36、37。
输送机构36与载体模块D1的输送机构32同样地构成，该输送机构36在曝光机20、TRS6和位于组件层叠体T3的靠下方的位置的ICPL之间交接晶圆W。作为升降输送机构的输送机构37与载体模块D1的输送机构33同样地构成，该输送机构37相对于构成组件层叠体T3的各组件和第2上侧处理模块D32的梭动件用的TRS13进行晶圆W的交接。
接着，将设于第1上侧处理模块D22、第2上侧处理模块D32的梭动件分别设为7A、7B来进行说明。作为第1旁路输送机构的梭动件7A包括移动机构 72A、移动体73A和支承体74A。移动机构72A构成为左右延伸的纵长的部件，并且以收容于上述的第1上侧处理模块D22的空间71A的方式设置。移动体 73A连接于移动机构72A的前方侧，并左右伸长。支承体74A连接于移动体 73A的前方侧，并形成为左右细长的长方体状。在该支承体74A上支承晶圆 W，并呈水平的直线状且沿着左右方向输送该晶圆W。
在移动机构72A的作用下，移动体73A相对于该移动机构72A左右移动自如。而且，根据该移动体73A的相对于移动机构72A的移动，支承体74A相对于移动体73A左右移动(参照图6～图8)。移动体73A在其右端位于比移动机构72A的右端靠右侧(接口模块D4侧)的位置的右位置和其左端位于比移动机构72A的左端靠左侧(载体模块D1侧)的位置的左位置之间移动。当移动体73A位于上述的右位置时，支承体74A的右端成为位于比移动体73A的右端靠右侧的位置的状态(图6所示的状态)。将该状态下的支承体74A的位置设为右输送位置。当移动体73A位于上述的左位置时，支承体74A的左端成为位于比移动体73A的左端靠左侧的位置的状态(图8所示的状态)。将该状态下的支承体74A的位置设为左输送位置。
梭动件7A自设于第2上侧处理模块D32的TRS11朝向设于第1上侧处理模块D22的TRS12输送晶圆W。对TRS11进行说明，该TRS11包括：构成载置部主体的支承板75，其以俯视时构成左侧开放的凹部的方式形成；3个销76，其自该支承板75向上侧突出；以及升降机构(未图示)，其使支承板75升降。升降机构例如可以是缸体、马达等致动器，连接于各支承板75的背侧(下侧)，设于与移动体73A、支承体74A的移动轨道不干涉的位置。利用支承板75的升降，销76在上升位置与下降位置之间移动，而支承晶圆W的下表面。上述的右输送位置处的支承体74A的右端部在俯视时成为收容于支承板75所构成的上述的凹部的状态，利用销76的升降，能够在支承体74A与TRS11之间交接晶圆W。该TRS11以也能够在与输送机构6D之间交接晶圆W的方式设于比组件层叠体T2靠右侧的位置(参照图1)。
TRS12除了支承板75以俯视时构成右侧开放的凹部的方式形成以外是与TRS11同样的结构。而且，上述的左输送位置处的支承体74A的左端部在俯视时成为收容于支承板75所构成的上述的凹部的状态，而能够在支承体 74A与TRS12之间交接晶圆W。TRS12以也能够在与载体模块D1的输送机构 33之间交接晶圆W的方式设于第1上侧处理模块D22的左端部。如上所述，可以说，支承于支承体74的基板(晶圆W)的输送在像移动体73A和支承体74A 那样沿前后方向设置的多个构件改变彼此的左右方向上的相对的位置的同时进行。像这样输送基板，从而相对于支承体74A分别位于左右方向的TRS11、 TRS12不易与移动体73A干涉，而能够在能够容易地支承基板的3个部位以上的位置配置销76。
作为第2旁路输送机构的梭动件7B设于与梭动件7A不同的高度，例如位于比梭动件7A靠下方的位置。梭动件7B与梭动件7A同样地构成，作为梭动件7B的结构构件的移动机构、移动体、支承体的各附图标记代替数字之后的 A而标注B来进行表示，以与梭动件7A的结构构件进行区分。具体而言，例如，梭动件7B的移动机构表示为移动机构72B。而且，该移动机构72B以收容于第2上侧处理模块D32的空间71B的方式设置。
梭动件7B自设于第2上侧处理模块D32的TRS13朝向设于第1上侧处理模块D22的TRS14输送晶圆W。TRS13是与TRS11同样的结构，该TRS13以也能够在与接口模块D4之间交接晶圆W的方式设于第2上侧处理模块D32的右端部。TRS14是与TRS12同样的结构，该TRS14能够在与输送机构6B之间进行晶圆W的交接即可，例如设于第1上侧处理模块D22的右端部。
如上述这样，梭动件7B设于梭动件7A的下方，因此，作为第2旁路用基板载置部的TRS13和TRS14所位于的高度低于作为第1旁路用基板载置部的 TRS11和TRS12所位于的高度。也就是说，如图2所示，梭动件7A、TRS11 以及TRS12这组与梭动件7B、TRS13以及TRS14这组在纵向(垂直方向)上设于互相错开的位置。
而且，若将利用梭动件7A进行的晶圆W的输送通路(第1旁路输送通路)、利用梭动件7B进行的晶圆W的输送通路(第2旁路输送通路)分别设为77A、 77B，则这些输送通路77A、77B的前后的位置互相相同。与上述的TRS11～ TRS14的位置对应地，输送通路77A向第2上侧处理模块D32突出，并且输送通路77B向第1上侧处理模块D22突出。由于像这样突出，因而输送通路77A 的右侧与输送通路77B的左侧在俯视时互相重叠。此外，输送通路77A、77B 例如也可以设为俯视时自加热组件54的热板55偏离而与冷却板56的待机位置重叠的位置。像这样自热板55较为分离地配置输送通路，从而能够更可靠地抑制所输送的晶圆W受到热的影响。
参照图6～图8，依次说明利用梭动件7A进行的晶圆W的输送。第2上侧处理模块D32的输送机构6D将在第2上侧处理模块D32内的各处理组件进行了处理的晶圆W向TRS11的上升位置处的销76上交接。销76向下降位置移动，向上述的右输送位置处的支承体74A交接晶圆W(图6)。移动体73A和支承体74A分别向左侧移动，另外，TRS11的销76返回上升位置(图7)。
当支承体74A移动至上述的左输送位置时，TRS12的下降位置处的销76 向上升位置移动而支承晶圆W(图8)。当支承体74A朝向右输送位置移动时，销76返回下降位置。之后，载体模块D1的输送机构33接收晶圆W。如此，梭动件7A朝向作为下游侧的模块的载体模块D1输送晶圆W。梭动件7B、TRS13、 TRS14也分别与梭动件7A、TRS11、TRS12同样地动作，自TRS13向TRS14 输送晶圆W。也就是说，梭动件7B朝向作为下游侧的模块的第1上侧处理模块D22输送晶圆W。
另外，基板处理装置1包括控制部10(参照图1)。该控制部10由计算机构成，包括程序、存储器、CPU。在程序中以能够实施基板处理装置1中的一系列的动作的方式编入有步骤组。于是，利用该程序，控制部10向基板处理装置1的各部分输出控制信号，而控制该各部分的动作。具体而言，控制输送机构6A～6D、梭动件7A、7B、各处理组件的动作。由此，进行后述的晶圆W的输送、晶圆W的处理、晶圆W的异常判定。上述的程序例如存储于光盘、硬盘、DVD等存储介质，加载于控制部10。
接着，参照表示输送路径的概略的图9，说明基板处理装置1中的晶圆W 的处理和输送。在图9中，在表示组件之间的晶圆W的输送的一部分的箭头上或箭头的附近，显示该输送所使用的输送机构。首先，利用输送机构32将晶圆W从在支承台12的移动载物台15载置着的载体C送出。然后，利用该输送机构32将晶圆W向处理前检查组件41输送，而获得图像数据并判断异常的有无。
然后，利用输送机构32将晶圆W向TRS1输送，并利用输送机构33将该晶圆W向SCPL1输送。接着，利用输送机构6A将该晶圆W收进第1下侧处理模块D21，按照背面清洗组件47、周缘曝光组件48的顺序输送并接受处理，之后，将该晶圆W向第2下侧处理模块D31的TRS4输送。
接着，利用输送机构6C将晶圆W向接口模块D4的TRS5输送，并利用输送机构37将该晶圆W向ICPL输送，之后，利用输送机构36将该晶圆W向曝光机20输送，并按照规定的图案对该晶圆W的表面的抗蚀膜进行曝光。利用输送机构36将曝光后的晶圆W向TRS6输送，然后，利用输送机构6C再次将该晶圆W收进下侧处理模块D31并向曝光后清洗组件49输送，之后，将该晶圆 W向接口模块D4的TRS7输送，输送机构37接收晶圆W。
之后的晶圆W的输送路径像上述那样被分成在第1上侧处理模块D22中进行处理的路径(设为第1路径)和在第2上侧处理模块D32中进行处理的路径(设为第2路径)。对第2路径进行说明，输送机构37向组件层叠体T3的TRS8 输送晶圆W，利用输送机构6D将该晶圆W收进第2上侧处理模块D32。然后，晶圆W按照加热组件54→SCPL3→显影组件51→处理后检查组件57的顺序输送，从而在形成了抗蚀图案之后获得图像数据，而判定异常的有无。
然后，将晶圆W像图6～图8中说明了的那样按照输送机构6D→TRS11→梭动件7A→TRS12的顺序输送，之后，载体模块D1的输送机构33接收该晶圆 W并向TRS2输送。如此，利用梭动件7A和作为旁路输送通路形成模块的第1 上侧处理模块D22和第2上侧处理模块D32的作为主输送机构的输送机构6B、 6D中的6D，将晶圆W朝向下游侧的模块输送。然后，利用输送机构32将晶圆W收纳于支承台13的移动载物台15上的载体C。
接着，对上述的第1路径进行说明，将晶圆W按照输送机构37→TRS13 →梭动件7B→TRS14→输送机构6B的顺序输送，而将晶圆W收进第1上侧处理模块D22。然后，利用输送机构6B将该晶圆W按照加热组件54→SCPL2→显影组件51→处理后检查组件57的顺序输送，而与第2路径的晶圆W同样地接受处理，之后，将该晶圆W向载体模块D1的TRS3输送。如此，利用梭动件7B和作为旁路输送通路形成模块的第1上侧处理模块D22和第2上侧处理模块D32的作为主输送机构的输送机构6B、6D中的6B，将晶圆W朝向下游侧的模块输送。接着，利用输送机构33将晶圆W向TRS2输送，之后，与第2路径的晶圆W同样地，利用输送机构32向支承台13的移动载物台15上的载体C 输送。
如以上所述那样构成基板处理装置1并且进行输送，从而第1上侧处理模块D22的输送机构6B、第2上侧处理模块D32的输送机构6D无需将不在分别设有输送机构6B、6D的模块中接受处理的晶圆W朝向载体模块D1侧输送。也就是说，降低输送机构6B、6D的各自的负荷、更具体而言模块内所需的输送工序的数量。在第1上侧处理模块D22、第2上侧处理模块D32分别如上述那样设有许多组件，但通过像这样降低负荷，从而输送机构6B、6D能够快速地接近各组件而接收晶圆W，并向下游侧的组件输送该晶圆W。即，基板处理装置1能够利用许多处理组件处理晶圆W，并且在组件之间快速地输送晶圆W。因而，根据该基板处理装置1，能够提高生产率。
梭动件7A的输送通路77A向第2上侧处理模块D32突出，梭动件7B的输送通路77B向第1上侧处理模块D22突出，以使输送机构6B、6D无需跨越左右的模块地移动。而且，像这样以跨左右的模块的方式设置的输送通路77A、 77B的高度互相错开，而不互相交叉，因此，能够互相独立地进行梭动件7A 的输送和梭动件7B的输送。更详细而言，在利用7A、7B中的一个梭动件进行的输送过程中，无需为了避免与该一个梭动件的干涉而使利用另一梭动件进行的输送停止。因而，能够更可靠地提高基板处理装置1的生产率。另外，像这样高度错开的输送通路77A、77B在俯视时重叠地设置，因此，能够防止基板处理装置1的前后宽度的扩大，减少装置的占地面积。
然而，需要以不与洁净室的顶部干涉的方式设定基板处理装置1的高度。另一方面，显影组件51等液处理组件具备收纳晶圆W的杯52，因此高度比较大。不过，在基板处理装置1中，如上所述，梭动件7A、7B和进行与液处理不同的种类的处理的后部侧处理部50重叠地设置。因此，能够在有限的装置的高度中，使设有液处理组件的分层的数量较多，并且以能够向各分层交接晶圆W的方式充分地确保输送区域53的高度。因而，根据基板处理装置1，能够更可靠地提高晶圆W的生产率。
而且，梭动件7A、7B相对于上侧处理模块G2中的后部侧处理部50位于下方、即下侧处理模块G1侧的高度。也就是说，相对于构成后部侧处理部50 的处理组件的层叠体，在模块G1侧设有梭动件7A、7B，该模块G1自下方连接于所述上侧处理模块G2和所述下侧处理模块G1中的作为旁路输送通路形成模块的G2。假设，梭动件7A、7B设于上侧处理模块G2中的比较高的位置，梭动件用的TRS11～TRS14也设于比较高的位置。在该情况下，认为，分别相对于TRS12、TRS13交接晶圆W的输送机构33、37需要向比构成组件层叠体T1、T3的各组件的位置靠上方的位置移动。即，如上述这样将梭动件7A、 7B相对于后部侧处理部50设于下侧处理模块G1侧的高度能够抑制输送机构 33、37的升降量。因而，该梭动件7A、7B的配置有助于更可靠地提高生产率。
另外，关于在梭动件7A的输送通路77A的下游侧设置的TRS12，如图8 所示，当梭动件7A的支承体74A位于交接晶圆W的左输送位置时，支承体74A 在俯视时不位于输送通路77A的对TRS12的销76而言的上游侧。以成为这样的布局的方式构成TRS12和支承体74A，从而支承体74A能够在该TRS12的销 76支承有晶圆W的状态下不与该TRS12的销76干涉地去向TRS11并接收后续的晶圆W。梭动件7B、TRS14也分别是与梭动件7A、TRS12同样的结构，因此，梭动件7B的支承体74A能够在该TRS14的销76支承有晶圆W的状态下不与该销76干涉地去向TRS13。因而，利用梭动件7A、7B，能够连续且快速地输送晶圆W，因此能够更可靠地提高生产率。
此外，梭动件7A、7B的支承体74A、74B并不限定于设为上述的结构。例如，也可以设为如下这样的构造：将支承体74A、74B形成为比较大的圆板，以避免与输送通路的上游侧的TRS、下游侧的TRS的各销76干涉的方式在该圆板设置自右端朝向左侧形成的狭缝、自左端朝向右侧形成的狭缝。
另外，在梭动件7A中，移动体73A和支承体74A分别相对于移动机构72A 左右滑动移动。利用这样的结构，能够设为将这些各构件收容于第1处理模块D2的状态。因而，在装置的制造工厂中组装了第1处理模块D2之后，在向设置装置的洁净室输送时，能够使第1处理模块D2的左右的宽度较小。因此，能够简化该输送时的工夫、输送用的设备。梭动件7B也是与梭动件7A同样的结构，因此，第2处理模块D3也与第1处理模块D2同样，能够简化输送时的工夫、输送用的设备。另外，像这样将梭动件7A、7B分别收容于第1处理模块D2、第2处理模块D3地输送，有助于在输送目的地快速地将装置组装完成而能够运行。
然而，在该第1实施方式的基板处理装置1中，作为第1下侧处理模块D21 和第2下侧处理模块D31中的液处理组件，并不限定于进行清洗的液处理组件，例如，也可以搭载进行清洗前的阶段的处理的液处理组件。以下，具体地说明像这样搭载了清洗组件以外的液处理组件的作为基板处理装置1的变形例的涂布、显影装置。
在该涂布、显影装置中，作为第1下侧处理模块D21的液处理组件而设有防反射膜形成组件81，作为第2下侧处理模块D31的液处理组件而设有抗蚀膜形成组件82。防反射膜形成组件81、抗蚀膜形成组件82除了向晶圆W供给的处理液分别是防反射膜形成用的涂布液、抗蚀液以外是与显影组件51同样的结构。此外，晶圆W在未形成这些防反射膜和抗蚀膜的状态下向该涂布、显影装置输送。
而且，在该涂布、显影装置中，作为第1下侧处理模块D21和第2下侧处理模块D31的后部侧处理部50，包含加热组件54。这些加热组件54用于去除在所形成的膜中残留的溶剂。此外，在该涂布、显影装置以及后述的各装置中的组件层叠体T1～T3，以能够在模块之间适当地输送晶圆W的方式将TRS、 SCPL配置为适当的高度且适当的数量。
在该涂布、显影装置，按照组件层叠体T1的SCPL→防反射膜形成组件 81→第1下侧处理模块D21的加热组件54的顺序输送晶圆W。进而，按照组件层叠体T2的SCPL→抗蚀膜形成组件82→第2下侧处理模块D31的加热组件54 →接口模块D4的组件层叠体T3→曝光机20的顺序输送晶圆W。曝光后的晶圆 W以与基板处理装置1同样的路径进行输送。此外，关于背面清洗组件47、曝光后清洗组件49，例如，也可以设于接口模块D4并利用输送机构37进行输送，也可以省略利用这些组件进行的处理。
〔第2实施方式〕
以与上述的作为基板处理装置1的变形例的涂布、显影装置的不同点为中心，参照图10的俯视图、图11的主视图，说明作为第2实施方式的基板处理装置的涂布、显影装置8。涂布、显影装置8在第2处理模块D3与接口模块 D4之间具备与这些模块相邻的第3处理模块D5。第3处理模块D5与第2处理模块D3大致同样地构成，被划分为第3下侧处理模块D51、第3上侧处理模块D52。因而，在该涂布、显影装置8中，下侧处理模块G1由D21、D31、D51构成，上侧处理模块G2由D22、D32、D52构成。另外，第3处理模块D5包括与组件层叠体T2同样地通过层叠SCPL和TRS而构成的组件层叠体T4。
对第3下侧处理模块D51进行叙述，在分层E2～E4设有保护膜形成组件 83作为液处理组件，该保护膜形成组件83除了供给保护膜形成用的药液以外与抗蚀膜形成组件82同样地构成。另外，作为构成后部侧处理部50的组件，包含用于从保护膜去除溶剂的加热组件54和周缘曝光组件48。而且，将该第 3下侧处理模块D51的主输送机构设为输送机构6E。
对第3上侧处理模块D52进行叙述，在分层E6、E7设有背面清洗组件47，在分层E8设有曝光后清洗组件49，未设置后部侧处理部50。而且，TRS13设于该第3上侧处理模块D52的输送区域53的后方，来代替设于第2上侧处理模块D32。另外，将该第3上侧处理模块D52的主输送机构设为输送机构6F。
在涂布、显影装置8的载体模块D1设有疏水化处理组件84，该疏水化处理组件84在输送机构33的后方侧向晶圆W供给处理气体而进行疏水化处理。利用输送机构32将如上述那样在处理前检查组件41获得了图像的晶圆W向在组件层叠体T1中与上述的TRS1～TRS3独立地设置的TRS输送，并按照输送机构33→疏水化处理组件84→输送机构33→SCPL1的顺序输送，而收进第 1下侧处理模块D21。
然后，与第1实施方式的变形例的装置同样，在第1下侧处理模块D21和第2下侧处理模块D31中接受处理，将形成了防反射膜和抗蚀膜的晶圆W向组件层叠体T4输送。然后，利用第3下侧处理模块D51的输送机构6E，按照保护膜形成组件83→加热组件54→周缘曝光组件48的顺序输送，并向组件层叠体T3输送。之后，将晶圆W在组件层叠体T3的TRS之间进行了输送之后利用输送机构6F收进第3上侧处理模块D52，并向背面清洗组件47输送。然后，将晶圆W经由组件层叠体T3、曝光机20而再次收进第3上侧处理模块D52，并向曝光后清洗组件49输送。
之后的路径与基板处理装置1同样，被分成在第1上侧处理模块D22中进行处理的第1路径和在第2上侧处理模块D32中进行处理的第2路径。也就是说，作为第1路径，晶圆W利用输送机构6F向梭动件用的TRS13输送而向第1上侧处理模块D22输送，或者，作为第2路径，晶圆W经由组件层叠体T4向第2上侧处理模块D32输送。如此，作为装置的结构，左右连接的处理模块的数量并不限定于两个。而且，作为梭动件用的TRS的位置，根据该处理模块的结构适当地设定即可。
〔第3实施方式〕
以与上述的第1实施方式的变形例中的涂布、显影装置的不同点为中心，参照图12的俯视图、图13的纵剖主视图、图14的纵剖侧视图，说明作为第3 实施方式的涂布、显影装置9。在涂布、显影装置9中，不进行防反射膜的形成，而在第1下侧处理模块D21和第2下侧处理模块D31的分层E1～E4分别设置抗蚀膜形成组件82。因而，第1下侧处理模块D21、第2下侧处理模块D31 对晶圆W进行同样的处理。而且，在第1下侧处理模块D21、第2下侧处理模块D31分别设有梭动件7C、7D。
梭动件7C、7D与梭动件7A、7B不同，该梭动件7C、7D自载体模块D1 侧向接口模块D4侧输送晶圆W。具体而言，梭动件7C用于不利用输送机构 6A地将晶圆W向第2下侧处理模块D31输送并进行处理，梭动件7D用于不利用输送机构6C地将在第1下侧处理模块D21进行了处理的晶圆W朝向接口模块D4输送。梭动件7C、7D与梭动件7A、7B同样地由移动机构72、移动体73 以及支承体74构成，这些结构构件的附图标记通过在数字之后标注与表示梭动件的英文字母相同的英文字母来进行表示。因而，例如，梭动件7C的支承体的附图标记表示为74C。
在第1下侧处理模块D21、第2下侧处理模块D31的各自的后部侧处理部 50的上方侧形成有与上述的空间71A、71B相当的空间85A、85B，在空间85A 设置梭动件7C，在空间85B设置梭动件7D。将梭动件7C用的TRS设为TRS15、 TRS16，将梭动件7D用的TRS设为TRS17、TRS18。TRS15、TRS17是设于梭动件的输送通路的上游侧的TRS，是与TRS12同样的结构。而且，TRS16、 TRS18是设于梭动件的输送通路的下游侧的TRS，是与TRS11同样的结构。
关于梭动件7C用的TRS15、TRS16，TRS15设于第1下侧处理模块D21的左端部，TRS16设于第2下侧处理模块D31的比组件层叠体T2靠右侧的位置。梭动件7D用的TRS17、TRS18分别设于第1下侧处理模块D21的右端部、第2 下侧处理模块D31的右端部。与梭动件7A、7B相同，梭动件7C、7D也互相设于不同的高度，例如，梭动件7C位于比梭动件7D靠上方的位置。因而， TRS15、TRS16也位于比TRS17、TRS18靠上方的位置。
此外，在涂布、显影装置9的接口模块D4，在组件层叠体T3的右侧设有与输送机构37同样的结构的输送机构38，在输送机构38的后方以输送机构37、38能够接近的方式设有缓冲组件86。在输送机构38的前方以该输送机构38能够接近的方式设有周缘曝光组件48，而能够借助组件层叠体T3按照周缘曝光组件48→缓冲组件86→ICPL→曝光机20的顺序进行输送。
对于如第2实施方式所述那样在疏水化处理组件84进行处理并输送到组件层叠体T1的SCPL1的晶圆W，利用输送机构6A将其收进第1下侧处理模块 D21，或者，利用输送机构33将其向梭动件用的TRS15输送。将输送到该 TRS15的晶圆W按照梭动件7C→TRS16→输送机构6C的顺序交接而在第2下侧处理模块D31中接受处理，并向组件层叠体T3、即接口模块D4输送。另一方面，将收进第1下侧处理模块D21并进行了处理的晶圆W按照TRS17→梭动件7D→TRS18的顺序输送，并利用输送机构37向接口模块D4输送而进行曝光。将曝光后的晶圆W与基板处理装置1同样地利用分别使用梭动件7A、7B的第 1路径、第2路径输送，而返回载体模块D1。
如此，在涂布、显影装置9中，一并设有自载体模块D1侧向接口模块D4 侧输送的梭动件7C、7D、自接口模块D4侧向载体模块D1侧输送的梭动件7A、 7B。由此，能够进一步提高生产率。利用梭动件7C、7D分别降低输送机构 6A、6C的负荷，因此，能够得到更高的生产率。另外，梭动件7C、7D相对于后部侧处理部50设于上侧处理模块G2侧。因而，与上述的梭动件7A、7B 的配置同样，能够抑制载体模块D1的输送机构33、接口模块的输送机构37 的升降量，而使生产率提高。
此外，在涂布、显影装置9中，也可以仅设置梭动件7C、7D而不设置梭动件7A、7B、即构成上侧处理模块G2的模块D22、D23之间的输送仅利用输送机构6B、6D来进行。也就是说，基板处理装置也可以是仅设置自载体模块D1侧朝向接口模块D4侧的前进路径用的梭动件、自接口模块D4侧朝向载体模块D1侧的返回路径用的梭动件中的任一者的结构。另外，也可以将上侧处理模块G2设为前进路径、将下侧处理模块G1设为返回路径，来代替将上侧处理模块G2设为返回路径、将下侧处理模块G1设为前进路径。
对于梭动件与作为处理模块的主输送机构的输送机构6A～6D之间的晶圆W的交接，设有TRS，但也可以在梭动件与输送机构6A～6D之间交接晶圆 W。但是，在自梭动件接收晶圆W之前，梭动件的运动被限制，因此，优选如上述这样设置TRS。另外，液处理组件位于前方，构成后部侧处理部50的处理组件位于后方，但该布局也可以前后颠倒。另外，例如，在基板处理装置1中，也可以是将梭动件7A用的TRS12配置于载体模块D1并将梭动件7B用的TRS13配置于接口模块D4的结构。只要输送机构33、37能够与这样的梭动件用的TRS的配置相对应地适当移动即可。也就是说，梭动件用的TRS并不限定于设于处理模块的结构。
作为在装置中进行的液处理，并不限定于上述的例子，还可以包含通过涂布药液来形成绝缘膜、用于使晶圆W互相贴合的粘接剂的涂布处理等。此外，应该认为，此次公开了的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的形态进行省略、置换、变更以及组合。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
载体模块，其供收纳基板的载体载置；
第1处理模块，其包括在与所述载体模块之间交接所述基板并且互相层叠的第1下侧处理模块、第1上侧处理模块，该第1下侧处理模块、第1上侧处理模块均包括：多个分层，其均具备处理所述基板的处理组件并且互相层叠；和主输送机构，其共用于各所述分层，输送所述基板；
第2处理模块，其包括分别与所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块在左右方向上相邻并且互相层叠的第2下侧处理模块、第2上侧处理模块，该第2下侧处理模块、第2上侧处理模块均包括所述多个分层和所述主输送机构；
中继模块，其以在所述第2下侧处理模块与所述第2上侧处理模块之间交接所述基板的方式包括升降输送机构，该中继模块在所述左右方向上在与所述第1处理模块所相邻的一侧相反的一侧与所述第2处理模块相邻；
控制部，其控制各所述主输送机构的动作，以使包括所述第1上侧处理模块以及所述第2上侧处理模块的上侧处理模块和包括所述第1下侧处理模块以及所述第2下侧处理模块的下侧处理模块中的一者形成自所述载体模块朝向所述中继模块输送所述基板的前进路径，使另一者形成自所述中继模块朝向所述载体模块输送所述基板的返回路径；以及
旁路输送机构，其在作为所述上侧处理模块和下侧处理模块中的一者的旁路输送通路形成模块设于每个所述第1处理模块、所述第2处理模块，该旁路输送机构以与该旁路输送通路形成模块的所述主输送机构一起形成所述前进路径或所述返回路径的方式进行动作，在该旁路输送通路形成模块，该旁路输送机构使得能够利用所述第1处理模块的主输送机构和所述第2处理模块的主输送机构中的一者朝向下游侧的模块输送所述基板，
将所述第1处理模块、所述第2处理模块中的旁路输送机构分别设为第1旁路输送机构、第2旁路输送机构。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1旁路输送机构和所述第2旁路输送机构分别沿着所述左右方向输送所述基板。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1旁路输送机构的输送所述基板的输送通路即第1旁路输送通路向所述第2下侧处理模块和所述第2上侧处理模块中的构成所述旁路输送通路形成模块的模块突出，
所述第2旁路输送机构的输送所述基板的输送通路即第2旁路输送通路向所述第1下侧处理模块和所述第1上侧处理模块中的构成所述旁路输送通路形成模块的模块突出。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1旁路输送通路与所述第2旁路输送通路的高度互相不同。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
在俯视时，所述第1旁路输送通路与所述第2旁路输送通路重叠。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置设有：
第1旁路用基板载置部，其分别设于所述第1旁路输送通路的上游侧、下游侧，在与所述第1旁路输送机构之间交接所述基板；以及
第2旁路用基板载置部，其分别设于所述第2旁路输送通路的上游侧、下游侧且是与所述第1旁路用基板载置部不同的高度，并且，在与所述第2旁路输送机构之间交接所述基板。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1旁路用基板载置部和所述第2旁路用基板载置部包括进行升降的载置部主体和自该载置部主体向上侧突出并支承所述基板的下表面的支承部。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
关于所述第1旁路输送机构和第2旁路输送机构中的一个旁路输送机构、所述第1旁路输送通路和第2旁路输送通路中的该一个旁路输送机构的旁路输送通路、所述第1旁路用基板载置部和第2旁路用基板载置部中的相对于该一个旁路输送机构交接所述基板的旁路用基板载置部，
在所述旁路输送机构向所述旁路输送通路的下游侧的所述旁路用基板载置部交接所述基板的位置，所述旁路输送机构在俯视时不位于该旁路输送通路的对所述支承部而言的上游侧。
9.根据权利要求2～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1旁路输送机构或所述第2旁路输送机构包括：移动机构，其分别设于所述第1处理模块或所述第2处理模块；移动体，其相对于所述移动机构在所述左右方向上移动；以及支承体，其相对于所述移动体在所述左右方向上移动，支承所述基板。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述移动体在相对于所述移动机构向左侧突出的位置与向右侧突出的位置之间移动，
所述支承体在相对于所述移动体向左侧突出的位置与向右侧突出的位置之间移动。
11.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在各个所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块、所述第2下侧处理模块、所述第2上侧处理模块中，
利用所述主输送机构输送所述基板的主输送通路相对于所述分层位于前后的一方侧，
在所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块、所述第2下侧处理模块、所述第2上侧处理模块中的构成所述旁路输送通路形成模块的各模块中，旁路输送机构设于所述主输送通路的前后的一方侧。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述分层设有向所述基板供给处理液的液处理组件作为所述处理组件。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
在构成所述旁路输送通路形成模块的模块中的至少一者，在所述主输送通路的前后的一方侧设有由对所述基板进行与所述液处理组件不同的种类的处理的多个处理组件构成的层叠体，
所述第1旁路输送机构和所述第2旁路输送机构相对于所述处理组件的层叠体设于所述上侧处理模块和所述下侧处理模块中的与该旁路输送通路形成模块自上方或下方连接的模块侧。
14.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第1下侧处理模块、所述第1上侧处理模块、所述第2下侧处理模块、所述第2上侧处理模块分别设有所述旁路输送机构，
所述上侧处理模块和下侧处理模块中的各模块构成所述旁路输送通路形成模块。
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