JP2022083842A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置におけるスループットを高くすること。【解決手段】キャリアブロックと、互いに積層される第１の下側処理ブロック、第１の上側処理ブロックからなる第１の処理ブロックと、互いに積層される第２の下側処理ブロック、第２の上側処理ブロックからなる第２の処理ブロックと、昇降搬送機構を備える中継ブロックと、前記上側処理ブロック及び下側処理ブロックのうちの一つであるバイパス搬送路形成ブロックにて、第１の処理ブロック、第２の処理ブロック毎に設けられ、当該バイパス搬送路形成ブロックの主搬送機構と共に往路または復路を形成するように動作し、当該バイパス搬送路形成ブロックについては第１の処理ブロックの主搬送機構及び第２の処理ブロックの主搬送機構のうちの一方によって下流側のブロックへ向けて基板が搬送されるようにするバイパス搬送機構と、を備えるように装置を構成する。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）が、各種の処理モジュール間を搬送されることで液処理や加熱処理などの各処理が行われる。特許文献１には、複数の処理モジュールが各々設けられると共に互いに積層される複数の単位ブロックと、処理モジュール間でウエハを搬送するために単位ブロック毎に設けられるメインアームと、を各々備える処理ブロックＳ２、Ｓ４を含む塗布、現像装置について記載されている。処理ブロックＳ２、Ｓ４はキャリアブロックと露光装置とに挟まれると共に、処理ブロックＳ２、Ｓ４間にはウエハを昇降搬送するブロックＳ３が介在する。そして、各処理ブロックＳ２、Ｓ４の下側の単位ブロックにはメインアームとは別の搬送機構として、処理モジュールを介さずにウエハを搬送するシャトルアームが複数設けられている。

処理ブロックＳ２のシャトルアームを利用してブロックＳ３に搬送されたウエハは処理ブロックＳ２、Ｓ４の上側の単位ブロックに振り分けられた後、ブロックＳ３に戻されて処理ブロックＳ４のシャトルアームを利用して露光装置に搬送される。その後、処理ブロックＳ２、Ｓ４の一方で処理を行うにあたり、シャトルアームを利用して処理を行わないブロックの処理モジュールについてバイパスされるようにキャリアブロック側へ搬送される。

特開２００８－２５８２０８号公報

本開示は、基板処理装置におけるスループットを高くすることができる技術を提供する。

本開示の基板処理装置は、基板を格納するキャリアが載置されるキャリアブロックと、
前記基板を処理する処理モジュールを各々備えると共に互いに積層される複数の階層と、前記各階層に共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を各々備え、前記キャリアブロックとの間で前記基板を受け渡すと共に互いに積層される第１の下側処理ブロック、第１の上側処理ブロックからなる第１の処理ブロックと、
前記複数の階層と、前記主搬送機構と、を各々備え、前記第１の下側処理ブロック、前記第１の上側処理ブロックに夫々左右方向に隣接すると共に、互いに積層される第２の下側処理ブロック、第２の上側処理ブロックからなる第２の処理ブロックと、
前記第２の下側処理ブロックと、前記第２の上側処理ブロックとの間で前記基板が受け渡されるように昇降搬送機構を備え、前記第２の処理ブロックに対して前記左右方向において前記第１の処理ブロックが隣接する側とは反対側に隣接する中継ブロックと、
前記第１の上側処理ブロック及び前記第２の上側処理ブロックからなる上側処理ブロックと、前記第１の下側処理ブロック及び前記第２の下側処理ブロックからなる下側処理ブロックと、のうちの一方が前記キャリアブロックから前記中継ブロックに向けて前記基板を搬送する往路を形成し、他方が前記中継ブロックから前記キャリアブロックに向けて前記基板を搬送する復路を形成するように前記各主搬送機構の動作を制御する制御部と、
前記上側処理ブロック及び下側処理ブロックのうちの一つであるバイパス搬送路形成ブロックにて、前記第１の処理ブロック、前記第２の処理ブロック毎に設けられ、当該バイパス搬送路形成ブロックの前記主搬送機構と共に前記往路または前記復路を形成するように動作し、当該バイパス搬送路形成ブロックについては前記第１の処理ブロックの主搬送機構及び前記第２の処理ブロックの主搬送機構のうちの一方によって下流側のブロックへ向けて前記基板が搬送されるようにするためのバイパス搬送機構と、
を備える。

本開示は、基板処理装置におけるスループットを高くすることができる。

本開示の第１の実施形態に係る基板処理装置の横断平面図である。 前記基板処理装置の縦断正面図である。 前記基板処理装置の縦断正面図である。 前記基板処理装置の左側面図である。 前記基板処理装置の縦断側面図である。 前記基板処理装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。 前記基板処理装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。 前記基板処理装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。 前記基板処理装置における搬送経路の概略図である。 第２の実施形態に係る塗布、現像装置の横断平面図である。 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。 第３の実施形態に係る塗布、現像装置の横断平面図である。 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。 前記塗布、現像装置の右縦断側面図である。

〔第１の実施形態〕
本開示の第１の実施形態に係る基板処理装置１について、図１の横断平面図、図２、図３の縦断正面図を夫々参照して説明する。図２、図３については装置の異なる位置の断面を示している。基板処理装置１は、キャリアブロックＤ１と、第１の処理ブロックＤ２と、第２の処理ブロックＤ３と、インターフェイスブロックＤ４と、がこの順で横方向に直線状に配列され、隣り合うブロック同士が互いに接続されている。これらのブロック（キャリアブロック、第１及び第２の処理ブロック、インターフェイスブロック）Ｄ１～Ｄ４は各々筐体を備えて互いに区画されており、各筐体の内部に基板であるウエハＷの搬送領域が形成されている。

以降の説明にあたり、これらブロックＤ１～Ｄ４の配列方向を左右方向とし、キャリアブロックＤ１側を左側、インターフェイスブロックＤ４を右側とする。また、装置の前後方向について、キャリアブロックＤ１を左に見たときの手前を前方、奥を後方とする。中継ブロックであるインターフェイスブロックＤ４には、右側から露光機２０が接続されている。なお、このような配置であるため、第２の処理ブロックＤ３に対し、左右方向において第１の処理ブロックＤ２が隣接する側とは反対側に、インターフェイスブロックＤ４が隣接している。

ブロックＤ１～Ｄ４の各々について詳細に説明する前に、基板処理装置１の概略構成を述べる。基板処理装置１には、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）と呼ばれるキャリアＣに格納された状態でウエハＷが搬送され、当該ウエハＷの表面にはレジスト膜が形成されている。基板処理装置１は、液処理である洗浄処理及び現像処理、露光後で現像処理前のウエハＷの加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake)などの各種の処理を行う処理モジュールを備え、また、ＰＥＢを行う前にレジスト膜を露光するために露光機２０にウエハＷを受け渡す。

第１の処理ブロックＤ２及び第２の処理ブロックＤ３は、各々縦方向において２分割されるように区画されている。そのように互いに区画された第１の処理ブロックＤ２の下側、上側を夫々第１の下側処理ブロックＤ２１、第１の上側処理ブロックＤ２２とする。また、互いに区画された第２の処理ブロックＤ３の下側、上側を夫々第２の下側処理ブロックＤ３１、第２の上側処理ブロックＤ３２とする。従って、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第１の上側処理ブロックＤ２２は互いに積層され、第２の下側処理ブロックＤ３１及び第２の上側処理ブロックＤ３２は互いに積層される。そして、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第１の上側処理ブロックＤ２２が互いに隣接し、第２の下側処理ブロックＤ３１及び第２の上側処理ブロックＤ３２が互いに隣接する。

これらの処理ブロック（Ｄ２１、Ｄ２２、Ｄ３１、Ｄ３２）の各々が上記の処理モジュールと、処理モジュールに対する受け渡しが可能な搬送機構（主搬送機構）と、を備える。さらに、第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２には、そのように処理モジュールへ受け渡す搬送機構とは別の搬送機構が各々設けられる。当該別の搬送機構について、以降はシャトルとして記載する。このシャトルは、処理モジュールを経由しないようにウエハＷを下流側のブロックに向けて搬送するバイパス搬送機構であり、当該シャトルが設けられる第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２は、バイパス搬送路形成ブロックである。

第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１は、キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ４へ向けてウエハＷを搬送する往路を形成する。そして、第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２については、露光機２０にて露光済みのウエハＷを、インターフェイスブロックＤ４からキャリアブロックＤ１へ向けて搬送する復路を形成し、互いに同じ処理を行えるように同じ種類の処理モジュールが設けられる。当該復路においてウエハＷは、第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２のうちの一方のブロックにおける搬送機構によって処理モジュールへ搬送されて処理を受け、他方のブロックではシャトルによって搬送される。

上記の往路をなす第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１についてまとめて下側処理ブロックＧ１、復路をなす第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ３２についてまとめて上側処理ブロックＧ２として記載する場合がある。上記のようにシャトルが設けられることにより、上側処理ブロックＧ２ではウエハＷは２つの搬送経路のうちのいずれかの経路で搬送される。なおモジュールとは搬送機構（シャトルを含む）以外でのウエハＷが載置される場所である。ウエハＷに処理を行うモジュールを、上記のように処理モジュールとして記載するが、この処理としては検査のために画像を取得することも含む。

以下、キャリアブロックＤ１について、図４の側面図も参照しながら説明する。基板処理装置１が設置されるクリーンルーム内に設けられる図示しないキャリア用の搬送機構（外部搬送機構）によって、当該キャリアブロックＤ１に対してキャリアＣが搬入出される。キャリアブロックＤ１は当該キャリアＣに対してウエハＷの搬入出を行うブロックである。

キャリアブロックＤ１を構成する既述の筐体を１１とする。当該筐体１１は角型に形成されており、その下部側は左方へと突出して支持台１２を形成している。また支持台１２の上側における筐体１１の左側面について、縦方向に互いに離間した２箇所が左方に突出し、各々支持台１３、１４を形成している。下方側の支持台、上方側の支持台を夫々１３、１４とする。

支持台１２～１４については例えば４つずつ、前後方向に間隔を空けてキャリアＣを載置することが可能であり、そのように各々キャリアＣを載置するステージが設けられており、当該ステージについては左方から見て、例えば３×４の行列状に配置される。なお、支持台１２の左端部は支持台１３、１４よりも左方側に突出しており、支持台１２におけるステージは当該支持台１２の右側で、支持台１３、１４の下方位置に設けられている。支持台１２の内部は、既述のように第１の処理ブロックＤ２及び第２の処理ブロックＤ３における液処理用の処理液が貯留されたボトルが格納される領域とされる。

後述するキャリア移載機構２１により、各ステージ間でのキャリアＣの移載が可能である。この各ステージについて述べると、支持台１３、１４の各々の前方側の２つのステージは、装置に対してウエハＷの搬入出を行うためにキャリアＣが載置される移動ステージ１５として構成されている。従って、移動ステージ１５は左方から見て２×２の行列状に配置されている。当該移動ステージ１５は、上記のウエハＷの搬入出を行うための右方側のロード位置と、キャリア移載機構２１との間でキャリアＣの受け渡しを行うための左方側のアンロード位置との間で移動する。本例では、支持台１２の移動ステージ１５は装置内へ未処理のウエハＷを払い出すためにキャリアＣを載置するステージ（ローダー）、支持台１３の移動ステージ１５は装置にて処理済みのウエハＷを格納するためにキャリアＣを載置するステージ（アンローダー）として、用途が区別される。ただし一つの移動ステージ１５が、ローダーとアンローダーとを兼用してもよい。

他のステージについて述べると、支持台１３、１４における後側の２つのステージ及び支持台１４における２つのステージは仮置きステージ１６として構成されている。また、支持台１４における他の２つのステージは搬入ステージ１７、搬出ステージ１８として構成されている。例えば、支持台１４の後端側のステージ、前端側のステージが夫々、搬入ステージ１７、搬出ステージ１８である。これらの搬入ステージ１７、搬出ステージ１８は、既述した外部搬送機構が当該基板処理装置１に対してキャリアＣを夫々搬入、搬出するにあたり、当該キャリアＣを載置するステージである。

キャリアＣは、搬入ステージ１７→支持台１２の移動ステージ１５→支持台１３の移動ステージ１５→搬出ステージ１８の順で移載される。このように各ステージ間でキャリアＣを移載するにあたり、移載先のステージが空いてなければ（他のキャリアＣにより占有されていれば）、当該キャリアＣは当該移載先のステージが空くまで、仮置きステージ１６に載置されて待機する。

支持台１２の左側の上方には、キャリア移載機構２１が設けられる。キャリア移載機構２１は、キャリアＣの上部に設けられた被保持部を保持することができる多関節アーム２２と、当該多関節アーム２２を昇降移動及び前後移動させることができる移動機構２３と、を備え、既述したようにステージ間でキャリアＣを移載することができる。

筐体１１の左側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬送口２４が形成されており、上記の移動ステージ１５の配置に合わせて２×２の行列状に形成されている。各搬送口２４にはドア２５が設けられている。当該ドア２５は上記のロード位置における移動ステージ１５上のキャリアＣの蓋を保持可能であると共に、当該蓋を保持した状態で移動して搬送口２４を開閉可能である。

上記の搬送口２４は、筐体１１内に形成されるウエハＷの搬送領域３１に面しており、当該搬送領域３１は、平面視、前後に長い直線状に形成されている。当該搬送領域３１の前方側には、搬送機構３２が設けられている。当該搬送機構３２は前後移動自在、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台と、基台上を進退自在なウエハＷの保持部と、を備える。当該搬送機構３２は、既述のロード位置における移動ステージ１５上のキャリアＣと、後述のモジュール積層体Ｔ１及び処理前検査モジュール４１と、にアクセスしてウエハＷの受け渡しを行うことができる。

キャリアブロックＤ１には処理前検査モジュール４１が設けられており、当該処理前検査モジュール４１は、基板処理装置１による処理前のウエハＷの表面を撮像する。その撮像により得られた画像データが後述の制御部１０に送信され、当該制御部１０により当該画像データに基づいてウエハＷの異常の有無の判定が行われる。処理前検査モジュール４１は左右に細長で扁平な直方体形状に構成されており、右側が搬送領域３１の前後の中央部に位置し、左側は筐体１１の左側壁を貫き、当該筐体１１の外側に突出している。

処理前検査モジュール４１は、当該モジュール内を左右で移動自在なステージ４２と、ステージ４２の移動路の上方に設けられたハーフミラー４３と、ハーフミラー４３を介して下方に光を照射する照明部４４と、ハーフミラー４３の左方に設けられたカメラ４５と、を備える（図３参照）。モジュール内の右側に位置するステージ４２に対して搬送機構３２によりウエハＷが受け渡される。そのようにウエハＷが受け渡されたステージ４２が左側へ移動してハーフミラー４３の下方を通過中に、照明部４４により光が照射されると共に、カメラ４５によるハーフミラー４３に映ったウエハＷの撮像が行われ、上記の画像データが取得される。

そして、図１に示すように搬送領域３１において、平面視、処理前検査モジュール４１の後方に位置するように搬送機構３３が設けられている。当該搬送機構３３は、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台と、基台上を進退自在なウエハＷの保持部と、を備え、後述のモジュール積層体Ｔ１及び第１の上側処理ブロックＤ２２のシャトル用のＴＲＳ１２に対して、ウエハＷを受け渡し可能である。

続いて、モジュール積層体Ｔ１について説明する。このモジュール積層体Ｔ１は、ウエハＷを仮置きする受け渡しモジュールＴＲＳと、温度調整モジュールＳＣＰＬと、が縦方向に重なることで構成されており、搬送領域３１の前後の中央部に設けられている。従って、当該モジュール積層体Ｔ１は平面視、搬送機構３２、３３によって前後方向に挟まれると共に、処理前検査モジュール４１の右側に重なって配置される。また、既述したキャリア用のステージについて、移動ステージ１５を含む前方側の縦２列のステージはモジュール積層体Ｔ１よりも前方側に配置されている。後方側の縦２列のステージについて、１つ列はモジュール積層体Ｔ１の左方に位置し、他の１つの列はモジュール積層体Ｔ１よりも後方に位置している。

受け渡しモジュールＴＲＳについては、例えば横方向に並んだ複数のピンを備え、搬送機構の昇降動作によって当該ピンに対してウエハＷが受け渡される。ＳＣＰＬについては例えばウエハＷが載置されるプレートに冷媒流路が接続されることで載置されたウエハＷが冷却される構成とされており、搬送機構の昇降動作によって当該プレートに対してウエハＷが受け渡される。なお、ＳＣＰＬはキャリアブロックＤ１以外のブロックにも設けられており、Ｄ１以外のブロックのＳＣＰＬについても、例えばキャリアブロックＤ１のＳＣＰＬと同様の構成である。そしてＴＲＳについてもＤ１以外のブロックにも設けられている。それらのＴＲＳについては、後述のシャトルとの間でウエハＷを受け渡すシャトル用のＴＲＳ以外はキャリアブロックＤ１のＴＲＳと同様の構成である。以降は各所のＳＣＰＬ、ＴＲＳを互いに区別するために、ＳＣＰＬ、ＴＲＳの後に数字を付して示す。そして、各所のＴＲＳ、ＳＣＰＬは例えば複数、積層されて設けられる。つまり同じ数字を付すＴＲＳ、ＳＣＰＬについて各々複数ずつ設けられるが、図示の便宜上、一つのみ表示する。なお、本明細書においてモジュールの積層体とは平面視、重なって設けられるモジュールのことを意味するものであり、モジュール同士が互いに離れていてもよいし、接していてもよい。

モジュール積層体Ｔ１を構成するモジュールの一部は、処理前検査モジュール４１の下側に、他の一部は処理前検査モジュール４１の上側に夫々設けられている。例えば下側から上側に向けてＴＲＳ１、ＴＲＳ２、ＳＣＰＬ１、ＴＲＳ３、ＳＣＰＬ２の順で設けられており、ＳＣＰＬ１とＴＲＳ３との間に処理前検査モジュール４１が位置している（図３参照）。そして、例えばＴＲＳ１、ＴＲＳ２、ＳＣＰＬ１については、第１の下側処理ブロックＤ２１の高さに各々位置し、ＴＲＳ３、ＳＣＰＬ２については、第１の上側処理ブロックＤ２２の高さに各々位置している。搬送機構３３はこれらのモジュール積層体Ｔ１を構成する各モジュールにアクセスすることが可能であり、搬送機構３２は、ＴＲＳ１、ＴＲＳ２にアクセスすることが可能である。

ＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、搬送機構３２、３３間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。ＳＣＰＬ１は、第１の下側処理ブロックＤ２１とキャリアブロックＤ１との間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。従ってＳＣＰＬ１には、後述する第１の下側処理ブロックＤ２１の搬送機構６Ａもアクセス可能である。また、ＴＲＳ３は、第１の上側処理ブロックＤ２２とキャリアブロックＤ１との間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。従ってＴＲＳ３には後述の第１の上側処理ブロックＤ２２の搬送機構６Ｂもアクセス可能である。ＳＣＰＬ２については、第１の上側処理ブロックＤ２２にて現像処理を受ける前のウエハＷの温度調整を行うためのモジュールであり、搬送機構６Ｂがアクセスする。

続いて、第１の処理ブロックＤ２について、縦断側面図である図５も参照して説明する。第１の処理ブロックＤ２の前方側は縦方向において区画されることで８つの階層が形成されており、各階層について下側から上側に向けてＥ１～Ｅ８とする。下側のＥ１～Ｅ４の階層が第１の下側処理ブロックＤ２１に、上側のＥ５～Ｅ８の階層が第１の上側処理ブロックＤ２２に夫々含まれる。各階層は、液処理モジュールを設置可能な領域をなす。

先ず、第１の上側処理ブロックＤ２２について説明する。階層Ｅ５～Ｅ８には液処理モジュールとして、現像モジュール５１が各々設けられている。現像モジュール５１は、左右に並ぶと共にウエハＷを各々収納する２つのカップ５２と、ノズル（不図示）と、を備えており、図示しないポンプによって上記のボトルから供給される現像液をウエハＷの表面に供給して処理を行う。

階層Ｅ５～Ｅ８の後方側にはウエハＷの搬送領域５３が設けられており、上側処理ブロックＤ２２の左端から右端に亘って、平面視直線状に形成されている。従って、搬送領域５３の伸長方向は、キャリアブロックＤ１の搬送領域３１の伸長方向に直交している。なお、搬送領域５３は階層Ｅ５の高さから階層Ｅ８の高さに亘って形成されている。つまり、搬送領域５３は、階層Ｅ５～Ｅ８毎に区画されていない。

そして搬送領域５３の後方には、処理モジュールが例えば縦方向に７段に積層されて設けられており、その処理モジュールの積層体が２つ、左右に並んで配列されている。即ち、この処理モジュールの積層体及び上記のカップ５２の各々は、搬送領域５３の伸長方向に沿って設けられている。

上記の左右に並んだ処理モジュールの積層体を後部側処理部５０とする。この後部側処理部５０を構成する処理モジュールとして、複数の加熱モジュール５４及び複数の処理後検査モジュール５７が含まれる。加熱モジュール５４は既述したＰＥＢを行うモジュールであり、ウエハＷを載置して加熱する熱板５５と、ウエハＷの温度調整を行う冷却プレート５６と、を備えている。冷却プレート５６は、後述の搬送機構６Ｂの昇降動作によりウエハＷが受け渡される前方位置と、熱板５５に重なる後方位置との間を移動可能である。熱板５５が備える図示しないピンの昇降動作と、冷却プレート５６の当該移動との協働により、熱板５５と冷却プレート５６との間でウエハＷが受け渡される。

処理後検査モジュール５７は処理前検査モジュール４１と同様の構成であり、撮像時におけるウエハＷの移動方向が前後方向となるように配置される。この処理後検査モジュール５７は、基板処理装置１により処理済みのウエハＷの表面、より具体的には現像によりレジストパターンが形成されたウエハＷの表面の画像データを取得して、制御部１０に送信する。

主搬送路である搬送領域５３には既述した主搬送機構である搬送機構６Ｂが設けられており、搬送機構６Ｂは左右移動自在、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台６１と、基台６１上を進退自在なウエハＷの保持部６２と、を備える。なお、この搬送機構６Ｂを含む基板処理装置１内におけるシャトル以外の各搬送機構の保持部は２つずつ設けられ、基台上を互いに独立して進退可能である。

上記の搬送機構６Ｂの基台６１を左右移動させるための移動機構６３が後部側処理部５０の下方に設けられており、当該移動機構６３と後部側処理部５０との間には扁平なスペース７１Ａが形成されている。スペース７１Ａは第１の上側処理ブロックＤ２２の左端から右端に亘って形成されている。そして、シャトル及び当該シャトル用のＴＲＳ１２、ＴＲＳ１４が当該スペース７１Ａに設置されているが、これらについては後に詳述する。上記の搬送機構６Ｂは、第１の上側処理ブロックＤ２２内の各処理モジュール、上記のキャリアブロックＤ１のＴＲＳ３及びＳＣＰＬ２、シャトル用のＴＲＳ１４に対してウエハＷの受け渡しを行うことができる。つまり、積層された複数の階層に設けられる各液処理モジュールに対して、搬送機構６Ｂは共用される。

続いて、第１の下側処理ブロックＤ２１について説明する。当該第１の下側処理ブロックＤ２１は、既述の第１の上側処理ブロックＤ２２と概ね同様の構成であり、以下、第１の上側処理ブロックＤ２２との差異点を中心に説明する。階層Ｅ１には処理モジュールは設けられておらず、階層Ｅ２～Ｅ４に液処理モジュールとして裏面洗浄モジュール４７が設けられている。裏面洗浄モジュール４７は、ウエハＷの表面に現像液を供給するノズルが設けられる代わりにウエハＷの裏面に洗浄液を供給するノズルが設けられることを除いて、現像モジュール５１と同様の構成である。

そして後部側処理部５０をなす処理モジュールとしては、現像字にウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜が除去されるようにするための周縁露光モジュール４８が含まれている。搬送領域５３に設けられる主搬送機構については搬送機構６Ａとして示しており、既述の搬送機構６Ｂと同様の構成である。当該搬送機構６Ａは、第１の下側処理ブロックＤ２１の各処理モジュール、上記のモジュール積層体Ｔ１のＳＣＰＬ１、後述するモジュール積層体Ｔ２に対してウエハＷを受け渡す。なお、第１の下側処理ブロックＤ２１にはシャトル及びシャトル用のＴＲＳが設けられていない。

続いて、第２の処理ブロックＤ３について説明する。当該第２の処理ブロックＤ３は、第１の処理ブロックＤ２と略同様の構成であり、以下、第１の処理ブロックＤ２との差異点を中心に説明する。先ず、第２の上側処理ブロックＤ３２について、第１の上側処理ブロックＤ２２との差異点を述べると、搬送領域５３における左端部に、モジュール積層体Ｔ２をなすＳＣＰＬ３が設けられることが挙げられる（図３参照）。当該ＳＣＰＬ３は、第２の上側処理ブロックＤ３２における現像処理前のウエハＷの温度調整用のモジュールである。

また、この第２の上側処理ブロックＤ３２における主搬送機構を６Ｄとする。この搬送機構６Ｄを移動させる移動機構６３と後部側処理部５０との間にも、第１の上側処理ブロックＤ２２のスペース７１Ａと同様のスペース７１Ｂが形成されている。スペース７１Ｂはスペース７１Ａと同じ高さに位置し、当該スペース７１Ａに連通している。スペース７１Ｂには、シャトル及びシャトル用のＴＲＳ１１、ＴＲＳ１３が設置されているが、これらについては後述する。上記の搬送機構６Ｄは、上側処理ブロックＤ２２内の各処理モジュール、後述のインターフェイスブロックＤ４のモジュール積層体Ｔ３、シャトル用のＴＲＳ１１に対してウエハＷの受け渡しを行う。

第２の上側処理ブロックＤ３２におけるモジュールのレイアウトについて補足しておくと、後部側処理部５０、現像モジュール５１のカップ５２の各々については、搬送機構６Ｄによる受け渡しが可能であるように、モジュール積層体Ｔ２よりも右側に位置する。液処理モジュール及び後部側処理部５０のレイアウトについては、第１及び第２の下側処理ブロックＤ２１、Ｄ３１、第１及び第２の上側処理ブロックＤ２２、Ｄ３２間で共通である。従って、既述した第１の下側処理ブロックＤ２１及び第１の上側処理ブロックＤ２２についても、後部側処理部５０及び液処理モジュールのカップ５２は、ブロックの左端部から離れた位置に設けられている。

続いて、第２の下側処理ブロックＤ３１について説明すると、搬送領域５３における左端部には、上記のＳＣＰＬ２と共にモジュール積層体Ｔ２をなすＴＲＳ４が設けられている（図３参照）。階層Ｅ１、Ｅ２には液処理モジュールが設けられておらず、階層Ｅ３、Ｅ４には、露光機２０による露光後にウエハＷの表面を洗浄する露光後洗浄モジュール４９が設けられている。当該露光後洗浄モジュール４９は、ウエハＷに供給する処理液が現像液の代わりに洗浄液であることを除いて、現像モジュール５１と同様の構成である。また、第２の下側処理ブロックＤ３１では当該洗浄以外の処理は行われず、搬送領域５３の後方に後部側処理部５０が設けられていない。

第２の下側処理ブロックＤ３１における主搬送機構を搬送機構６Ｃとする。当該搬送機構６Ｃは、下側処理ブロックＤ２１内の各処理モジュール、後述のインターフェイスブロックＤ４のモジュール積層体Ｔ３に対してウエハＷの受け渡しを行う。

以降はインターフェイスブロックＤ４について説明する。インターフェイスブロックＤ４は、前後の中央部にモジュール積層体Ｔ３を備える。このモジュール積層体Ｔ３は、互いに積層されたＴＲＳ５～ＴＲＳ８、温度調整モジュールＩＣＰＬにより構成されている。なお、これらの他に例えばウエハＷを一時待機させるバッファモジュールなどが設けられるが、説明は省略する。ＩＣＰＬは露光機２０による露光の直前にウエハＷが搬送されるモジュールであり、ＳＣＰＬと同様に、載置されたウエハＷの温度を調整する。ＴＲＳ５～ＴＲＳ７は下側処理ブロックＧ１の高さに、ＴＲＳ８は上側処理ブロックＧ２の高さに夫々設けられている。モジュール積層体Ｔ３の前方、後方には夫々搬送機構３６、３７が設けられている。

搬送機構３６はキャリアブロックＤ１の搬送機構３２と同様に構成されており、露光機２０とＴＲＳ５とモジュール積層体Ｔ３の下方寄りに位置するＩＣＰＬとの間でウエハＷを受け渡す。昇降搬送機構である搬送機構３７はキャリアブロックＤ１の搬送機構３８と同様に構成され、モジュール積層体Ｔ３を構成する各モジュールと、第２の上側処理ブロックＤ３２のシャトル用のＴＲＳ１３と、に対してウエハＷの受け渡しを行う。

続いて、第１の上側処理ブロックＤ２２、第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられるシャトルについて、夫々７Ａ、７Ｂとして説明する。第１のバイパス搬送機構であるシャトル７Ａは、移動機構７２Ａと、移動体７３Ａと、支持体７４Ａと、を備えている。移動機構７２Ａは左右に伸びる長尺な部材として構成されると共に、既述した第１の上側処理ブロックＤ２２のスペース７１Ａに収まるように設けられている。移動体７３Ａは移動機構７２Ａに対して前方側に接続されており、左右に伸長している。支持体７４Ａは移動体７３Ａに対して前方側に接続されており、左右に細長の直方体状に形成されている。この支持体７４Ａ上にウエハＷが支持されて、水平な直線状且つ左右方向に沿って搬送される。

移動機構７２Ａにより、移動体７３Ａが当該移動機構７２Ａに対して左右に移動自在である。そして、この移動機構７２Ａに対する移動体７３Ａの移動に応じて、移動体７３Ａに対して支持体７４Ａが左右に移動する（図６～図８参照）。移動体７３Ａは、その右端が移動機構７２Ａの右端よりも右側（インターフェイスブロックＤ４側）に位置する右位置と、その左端が移動機構７２Ａの左端よりも左側（キャリアブロックＤ１側）に位置する左位置と、の間で移動する。移動体７３Ａが上記の右位置に位置するとき、支持体７４Ａの右端が移動体７３Ａの右端よりも右側に位置する状態（図６に示す状態）となる。当該状態の支持体７４Ａの位置を右搬送位置とする。移動体７３Ａが上記の左位置に位置するとき、支持体７４Ａの左端が移動体７３Ａの左端よりも左側に位置する状態（図８に示す状態）となる。当該状態の支持体７４Ａの位置を左搬送位置とする。

シャトル７Ａは、第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられるＴＲＳ１１から第１の上側処理ブロックＤ２２に設けられるＴＲＳ１２に向けてウエハＷを搬送する。ＴＲＳ１１について説明すると、当該ＴＲＳ１１は、平面視左側が開放される凹部をなすように形成された載置部本体をなす支持板７５と、当該支持板７５から上側に突出する３本のピン７６と、支持板７５を昇降させる昇降機構（不図示）と、を備える。昇降機構は、例えばシリンダーやモーター等のアクチュエータでよく、各支持板７５の裏側（下側）に接続され、移動体７３Ａや支持体７４Ａの移動軌道と干渉しない位置に設けられている。支持板７５の昇降により、ピン７６は上昇位置と下降位置との間で移動し、ウエハＷの下面を支持する。上記の右搬送位置における支持体７４Ａの右端部は、平面視、支持板７５がなす上記の凹部に収まった状態となり、ピン７６の昇降により、支持体７４ＡとＴＲＳ１１との間でウエハＷを受け渡すことができる。このＴＲＳ１１は、搬送機構６Ｂとの間でもウエハＷを受け渡せるように、モジュール積層体Ｔ２よりも右側に設けられる（図１参照）。

ＴＲＳ１２については、支持板７５が平面視右側が開放される凹部をなすように形成されることを除き、ＴＲＳ１１と同様の構成である。そして、上記の左搬送位置における支持体７４Ａの左端部は、平面視、支持板７５がなす上記の凹部に収まった状態となり、支持体７４ＡとＴＲＳ１２との間でウエハＷを受け渡すことができる。ＴＲＳ１２は、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３との間でもウエハＷを受け渡せるように、第１の上側処理ブロックＤ２２の左端部に設けられる。支持体７４に支持された基板（ウエハＷ）の搬送は、前に述べたことから、移動体７３Ａと支持体７４Ａのように前後方向に設けられた複数の部材が、互いの相対的な左右方向の位置を変えながら行われると言える。そのように基板が搬送されることで、支持体７４Ａに対して左右方向夫々に位置するＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２は移動体７３Ａと干渉し難くなり、基板を容易に支持可能な３箇所以上の位置にピン７６を配置することが可能になっている。

第２のバイパス搬送機構であるシャトル７Ｂについては、シャトル７Ａとは異なる高さに設けられ、例えばシャトル７Ａよりも下方に位置している。シャトル７Ｂは、シャトル７Ａと同様に構成されており、シャトル７Ｂの構成部材である移動機構、移動体、支持体の各符号は、シャトル７Ａの構成部材と区別するために、数字の後のＡの代わりにＢを付して示す。具体的には、例えばシャトル７Ｂの移動機構は７２Ｂとして示す。そして、この移動機構７２Ｂは、第２の上側処理ブロックＤ３２のスペース７１Ｂに収まるように設けられる。

シャトル７Ｂは、第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられるＴＲＳ１３から第１の上側処理ブロックＤ２２に設けられるＴＲＳ１４に向けてウエハＷを搬送する。ＴＲＳ１３はＴＲＳ１１と同様の構成であり、インターフェイスブロックＤ４との間でもウエハＷを受け渡せるように、第２の上側処理ブロックＤ３２の右端部に設けられている。ＴＲＳ１４はＴＲＳ１２と同様の構成であり、搬送機構６Ｂとの間でウエハＷの受け渡しが行えればよく、例えば第１の上側処理ブロックＤ２２の右端部に設けられている。

上記のようにシャトル７Ｂはシャトル７Ａの下方に設けられているので、第２のバイパス用基板載置部であるＴＲＳ１３及びＴＲＳ１４が位置する高さは、第１のバイパス用基板載置部であるＴＲＳ１１及びＴＲＳ１２が位置する高さよりも低い。つまり、図２に示すように、シャトル７Ａ、ＴＲＳ１１及びＴＲＳ１２の組、シャトル７Ｂ、ＴＲＳ１３、ＴＲＳ１４の組は、縦方向（垂直方向）において互いにずれた位置に設けられている。

そして、シャトル７ＡによるウエハＷの搬送路（第１のバイパス搬送路）、シャトル７ＢによるウエハＷの搬送路（第２のバイパス搬送路）を夫々７７Ａ、７７Ｂとすると、これらの搬送路７７Ａ、７７Ｂの前後の位置は互いに同じである。既述のＴＲＳ１１～ＴＲＳ１４の位置に対応して、搬送路７７Ａは第２の上側処理ブロックＤ３２へ突出すると共に、搬送路７７Ｂは第１の上側処理ブロックＤ２２へ突出している。そのように突出することで搬送路７７Ａの右側と搬送路７７Ｂの左側とが平面視、互いに重なっている。なお搬送路７７Ａ、７７Ｂは、例えば平面視、加熱モジュール５４の熱板５５から外れ、冷却プレート５６の待機位置と重なる位置としてもよい。そのように熱板５５から比較的離れて搬送路を配置することで、搬送されるウエハＷが熱の影響を受けることを、より確実に抑えることができる。

シャトル７ＡによるウエハＷの搬送について、図６～図８を参照しながら順を追って説明する。第２の上側処理ブロックＤ３２の搬送機構６Ｄは、を第２の上側処理ブロックＤ３２内の各処理モジュールで処理されたウエハＷを、ＴＲＳ１１の上昇位置におけるピン７６上に受け渡す。ピン７６が下降位置へと移動し、既述の右搬送位置における支持体７４ＡにウエハＷが受け渡される（図６）。移動体７３Ａ及び支持体７４Ａが各々左側へ移動する一方で、ＴＲＳ１１のピン７６は上昇位置に戻る（図７）。

支持体７４Ａが既述の左搬送位置に移動すると、ＴＲＳ１２の下降位置におけるピン７６が上昇位置に移動してウエハＷを支持する（図８）。支持体７４Ａが右搬送位置へ向けて移動すると、ピン７６が下降位置に戻る。以降は、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３がウエハＷを受け取る。このように、シャトル７Ａは下流側のブロックであるキャリアブロックＤ１に向けてウエハＷを搬送する。シャトル７Ｂ、ＴＲＳ１３、ＴＲＳ１４についてもシャトル７Ａ、ＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２と夫々同様に動作し、ＴＲＳ１３からＴＲＳ１４へウエハＷが搬送される。つまり、シャトル７Ｂは下流側のブロックである第１の上側処理ブロックＤ２２に向けてウエハＷを搬送する。

また、基板処理装置１は、制御部１０を備えている（図１参照）。この制御部１０はコンピュータにより構成されており、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。プログラムには、基板処理装置１における一連の動作を実施することができるようにステップ群が組み込まれている。そして、当該プログラムによって制御部１０は基板処理装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。具体的に搬送機構６Ａ～６Ｄ、シャトル７Ａ、７Ｂ、各処理モジュールの動作が制御される。それにより、後述のウエハＷの搬送、ウエハＷの処理、ウエハＷの異常判定が行われる。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１０にインストールされる。

続いて、基板処理装置１におけるウエハＷの処理及び搬送について、搬送経路の概略を示した図９を参照して説明する。図９では、モジュール間でのウエハＷの搬送を表す一部の矢印上あるいは矢印の近傍に、当該搬送に用いる搬送機構を表示している。先ず、支持台１２の移動ステージ１５に載置されたキャリアＣから、搬送機構３２によりウエハＷが搬出される。そして、当該搬送機構３２によりウエハＷは処理前検査モジュール４１に搬送され、画像データが取得されて異常の有無が判定される。

その後、ウエハＷは搬送機構３２によりＴＲＳ１に搬送され、搬送機構３３によりＳＣＰＬ１に搬送される。続いて当該ウエハＷは、搬送機構６Ａにより第１の下側処理ブロックＤ２１に取り込まれ、裏面洗浄モジュール４７、周縁露光モジュール４８の順で搬送されて処理を受けた後、第２の下側処理ブロックＤ３１のＴＲＳ４に搬送される。

続いてウエハＷは搬送機構６Ｃにより、インターフェイスブロックＤ４のＴＲＳ５に搬送され、搬送機構３７によりＩＣＰＬに搬送された後、搬送機構３６により露光機２０に搬送され、所定のパターンに沿って当該ウエハＷの表面のレジスト膜が露光される。露光後のウエハＷは、搬送機構３６によりＴＲＳ６に搬送され、その後、搬送機構３７によりＴＲＳ７に搬送され、搬送機構６Ｃにより再度、下側処理ブロックＤ３１に取り込まれ、露光後洗浄モジュール４９に搬送された後、インターフェイスブロックＤ４のＴＲＳ７に搬送され、搬送機構３７がウエハＷを受け取る。

その後のウエハＷの搬送経路は、上記したように第１の上側処理ブロックＤ２２で処理を行う経路（第１の経路とする）と、第２の上側処理ブロックＤ３２で処理を行う経路（第２の経路とする）と、に分かれる。第２の経路について説明すると、搬送機構３８はモジュール積層体Ｔ３のＴＲＳ８にウエハＷを搬送し、搬送機構６Ｄによって当該ウエハＷが第２の上側処理ブロックＤ３２に取り込まれる。そしてウエハＷは、加熱モジュール５４→ＳＣＰＬ３→現像モジュール５１→処理後検査モジュール５７の順で搬送されることで、レジストパターンが形成された後に画像データが取得されて、異常の有無が判定される。

その後、ウエハＷは図６～図８で説明したように搬送機構６Ｄ→ＴＲＳ１１→シャトル７Ａ→ＴＲＳ１２の順で搬送された後、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３が当該ウエハＷを受け取り、ＴＲＳ２に搬送する。このようにバイパス搬送路形成ブロックである第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ２２の主搬送機構である搬送機構６Ｂ，６Ｄのうち６Ｄと、シャトル７Ａと、によってウエハＷが下流側のブロックへ向けて搬送される。その後、ウエハＷは搬送機構３２により、支持台１３の移動ステージ１５上のキャリアＣに格納される。

続いて上記の第１の経路について説明すると、ウエハＷは搬送機構３８→ＴＲＳ１３→シャトル７Ｂ→ＴＲＳ１４→搬送機構６Ｂの順で搬送されて、第１の上側処理ブロックＤ２２にウエハＷが取り込まれる。そして、当該ウエハＷは搬送機構６Ｂにより、加熱モジュール５４→ＳＣＰＬ５→現像モジュール５１→処理後検査モジュール５７の順で搬送され、第２の経路のウエハＷと同様に処理を受けた後、キャリアブロックＤ１のＴＲＳ３に搬送される。このようにバイパス搬送路形成ブロックである第１の上側処理ブロックＤ２２及び第２の上側処理ブロックＤ２２の主搬送機構である搬送機構６Ｂ，６Ｄのうち６Ｂと、シャトル７Ｂと、によってウエハＷが下流側のブロックへ向けて搬送される。続いてウエハＷは、搬送機構３３によりＴＲＳ２に搬送され、以降は第２の経路のウエハＷと同様、搬送機構３２により支持台１３の移動ステージ１５上のキャリアＣへ搬送される。

以上に述べたように基板処理装置１が構成されると共に搬送が行われることで、第１の上側処理ブロックＤ２２の搬送機構６Ｂ、第２の上側処理ブロックＤ３２の搬送機構６Ｄは、夫々搬送機構６Ｂ、６Ｄが設けられるブロックにて処理を受けないウエハＷをキャリアブロックＤ１側へ向けて搬送する必要が無い。つまり、搬送機構６Ｂ、６Ｄの各々の負荷、より具体的にはブロック内で必要な搬送工程の数が低減される。第１の上側処理ブロックＤ２２、第２の上側処理ブロックＤ３２の各々には既述したようにモジュールが多数設けられるが、そのように負荷が低減されることで搬送機構６Ｂ、６Ｄは、各モジュールへ速やかにアクセスしてウエハＷを受け取り、下流側のモジュールへと当該ウエハＷを搬送することができる。即ち、基板処理装置１については、多数の処理モジュールでウエハＷを処理し、且つモジュール間でウエハＷを速やかに搬送することができる。従って、当該基板処理装置１によれば、スループットを高くすることができる。

搬送機構６Ｂ、６Ｄが左右のブロックを跨いで移動する必要が無いように、シャトル７Ａの搬送路７７Ａは第２の上側処理ブロックＤ３２へ、シャトル７Ｂの搬送路７７Ｂは第１の上側処理ブロックＤ２２へ夫々突出している。そして、そのように左右のブロックに亘るように設けられた搬送路７７Ａ、７７Ｂについては、高さが互いにずれており、互いに交差しないので、シャトル７Ａの搬送及びシャトル７Ｂの搬送を互いに独立して行うことができる。より詳しくは、７Ａ、７Ｂのうちの一方のシャトルによる搬送中、当該一方のシャトルとの干渉を回避するために他方のシャトルによる搬送を停止させる必要が無い。従って、より確実に基板処理装置１のスループットを高くすることができる。また、そのように高さがずれた搬送路７７Ａ、７７Ｂは平面視重なって設けられるため、基板処理装置１の前後幅の拡大を防止し、装置のフットプリントを低減させることができる。

ところでクリーンルームの天井に干渉しないように、基板処理装置１の高さを設定する必要が有る。その一方で、現像モジュール５１等の液処理モジュールはウエハＷを格納するカップ５２を備えるので比較的高さが大きくなる。しかし基板処理装置１においては、上記のように液処理とは異なる種類の処理を行う後部側処理部５０に重なって、シャトル７Ａ、７Ｂが設けられている。そのために限られた装置の高さにおいて、液処理モジュールが設けられる階層の数を多くし、且つ各階層にウエハＷを受け渡すことができるように、搬送領域５３の高さを十分に確保することができる。従って、基板処理装置１によれば、より確実にウエハＷのスループットを高くすることができる。

さらにシャトル７Ａ、７Ｂは、上側処理ブロックＧ２における後部側処理部５０に対して下方、即ち、下側処理ブロックＧ１側の高さに位置している。つまり、後部側処理部５０をなす処理モジュールの積層体に対して、前記上側処理ブロックＧ２及び前記下側処理ブロックＧ１のうち、バイパス搬送路形成ブロックであるＧ２に下方から接続されるブロックＧ１側にシャトル７Ａ、７Ｂが設けられている。仮に、シャトル７Ａ、７Ｂが上側処理ブロックＧ２における比較的高い位置に設けられ、シャトル用のＴＲＳ１１～ＴＲＳ１４についても比較的高い位置に設けられるとする。その場合には、ＴＲＳ１２、ＴＲＳ１３に対して夫々ウエハＷを受け渡す搬送機構３３、３８について、モジュール積層体Ｔ１、Ｔ３を構成する各モジュールの位置よりも上方の位置への移動が必要になることが考えられる。即ち、上記のようにシャトル７Ａ、７Ｂを、後部側処理部５０に対して下側処理ブロックＧ１側の高さに設けることは、搬送機構３３、３８の昇降量を抑えることになる。従って、当該シャトル７Ａ、７Ｂの配置は、スループットをより確実に高くすることに寄与する。

またシャトル７Ａの搬送路７７Ａの下流側に設けられるＴＲＳ１２について、図８に示すようにシャトル７Ａの支持体７４ＡがウエハＷを受け渡す左搬送位置に位置したとき、平面視でＴＲＳ１２のピン７６に対する搬送路７７Ａの上流側には支持体７４Ａが位置しない。そのようなレイアウトとなるようにＴＲＳ１２及び支持体７４Ａが構成されることにより、当該ＴＲＳ１２のピン７６にウエハＷが支持されたままの状態で、支持体７４Ａは当該ＴＲＳ１２のピン７６に干渉せずにＴＲＳ１１に向い、後続のウエハＷを受け取ることができる。シャトル７Ｂ、ＴＲＳ１４についてもシャトル７Ａ、ＴＲＳ１２と夫々同様の構成であるため、当該ＴＲＳ１４のピン７６にウエハＷが支持されたままの状態で、シャトル７Ｂの支持体７４Ａは当該ピン７６に干渉せずにＴＲＳ１３に向うことができる。従って、シャトル７Ａ、７Ｂにより、ウエハＷを連続して速やかに搬送することができるので、より確実にスループットを高くすることができる。

なお、シャトル７Ａ、７Ｂの支持体７４Ａ、７４Ｂについては既述の構成とすることには限られない。例えば比較的大きな円板として支持体７４Ａ、７４Ｂを形成し、搬送路の上流側のＴＲＳ、下流側のＴＲＳの各ピン７６との干渉が避けられるように、右端から左側へ向けて形成されるスリット、左端から右側へ向けて形成されるスリットが当該円板を設けるような構造としてもよい。

また、シャトル７Ａは、移動機構７２Ａに対して、移動体７３Ａ及び支持体７４Ａが各々左右にスライド移動する。そのような構成により、第１の処理ブロックＤ２にこれらの各部材が収まった状態とすることができる。従って、装置の製造工場で第１の処理ブロックＤ２を組み立て後、装置を設置するクリーンルームへ輸送するにあたり、第１の処理ブロックＤ２の左右の幅を小さくすることができる。そのためこの輸送時の手間や輸送用の設備を簡素化することができる。シャトル７Ｂもシャトル７Ａと同様の構成であるため、第２の処理ブロックＤ３についても第１の処理ブロックＤ２と同様に、輸送時の手間や輸送用の設備を簡素化することができる。また、そのように第１の処理ブロックＤ２、第２の処理ブロックＤ３にシャトル７Ａ、７Ｂを夫々収めて輸送することは、輸送先で速やかに装置を組み上げて稼働可能とすることに寄与する。

ところで、この第１の実施形態の基板処理装置１において、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１における液処理モジュールとしては、洗浄を行うものには限られず、例えば洗浄の前段階の処理を行う液処理モジュールを搭載してもよい。以下、そのように洗浄モジュール以外の液処理モジュールを搭載した基板処理装置１の変形例である塗布、現像装置について、具体的に説明する。

この塗布、現像装置において、第１の下側処理ブロックＤ２１の液処理モジュールとして反射防止膜形成モジュール８１が設けられ、第２の下側処理ブロックＤ３１の液処理モジュールとしてレジスト膜形成モジュール８２が設けられる。反射防止膜形成モジュール８１、レジスト膜形成モジュール８２はウエハＷに供給される処理液が夫々反射防止膜形成用の塗布液、レジスト液であることを除いて、現像モジュール５１と同様の構成である。なおウエハＷは、これらの反射防止膜及びレジスト膜が形成されない状態で、当該塗布、現像装置に搬送されるものとする。

そしてこの塗布、現像装置では、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１の後部側処理部５０として、加熱モジュール５４が含まれるようにする。これらの加熱モジュール５４は、形成された膜中に残留する溶剤の除去用である。なお、当該塗布、現像装置及び後述の各装置におけるモジュール積層体Ｔ１～Ｔ３には、ブロック間で適切にウエハＷを搬送できるように、ＴＲＳ、ＳＣＰＬが適切な高さ、且つ適切な数に配置されるものとする。

この塗布、現像装置についてはウエハＷを、モジュール積層体Ｔ１のＳＣＰＬ→反射防止膜形成モジュール８１→第１の下側処理ブロックＤ２１の加熱モジュール５４の順で搬送する。さらに、モジュール積層体Ｔ２のＳＣＰＬ→レジスト膜形成モジュール８２→第２の下側処理ブロックＤ３１の加熱モジュール５４→インターフェイスブロックＤ４のモジュール積層体Ｔ３→露光機２０の順で搬送する。露光後のウエハＷは、基板処理装置１と同様の経路で搬送する。なお、裏面洗浄モジュール４７、露光後洗浄モジュール４９については、例えばインターフェイスブロックＤ４に設けて搬送機構３８による搬送を行ってもよいし、これらのモジュールによる処理を省略してもよい。

〔第２の実施形態〕
第２の実施形態の基板処理装置である塗布、現像装置８について、既述した基板処理装置１の変形例である塗布、現像装置との差異点を中心に、図１０の平面図、図１１の正面図を参照して説明する。塗布、現像装置８は、第２の処理ブロックＤ３とインターフェイスブロックＤ４との間に、これらのブロックに隣接する第３の処理ブロックＤ５を備えている。第３の処理ブロックＤ５は、第２の処理ブロックＤ３と略同様に構成されており、第３の下側処理ブロックＤ５１、第３の上側処理ブロックＤ５２に区画されている。従って、この塗布、現像装置８では下側処理ブロックＧ１はＤ２１、Ｄ３１、Ｄ５１により構成され、上側処理ブロックＧ２はＤ２２、Ｄ３２、Ｄ５２により構成されている。また、第３の処理ブロックＤ５は、モジュール積層体Ｔ２と同様にＳＣＰＬとＴＲＳとが積層されて構成されるモジュール積層体Ｔ４を備える。

第３の下側処理ブロックＤ５１について述べると、階層Ｅ２～Ｅ４に液処理モジュールとして保護膜形成モジュール８３が設けられており、保護膜形成用の薬液を供給する他は、レジスト膜形成モジュール８２と同様に構成される。また、後部側処理部５０を構成するモジュールとしては、保護膜からの溶剤除去用の加熱モジュール５４及び周縁露光モジュール４８が含まれる。そして、当該第３の下側処理ブロックＤ５１の主搬送機構を搬送機構６Ｅとする。

第３の上側処理ブロックＤ５２について述べると、階層Ｅ６、Ｅ７に裏面洗浄モジュール４７が、階層Ｅ８に露光後洗浄モジュール４９が夫々設けられており、後部側処理部５０が設けられていない。そして、ＴＲＳ１３が第２の上側処理ブロックＤ３２に設けられる代りに、この第３の上側処理ブロックＤ５２の搬送領域５３の後方に設けられている。また、当該第３の上側処理ブロックＤ５２の主搬送機構を搬送機構６Ｆとする。

塗布、現像装置８のキャリアブロックＤ１には、搬送機構３３の後方側にウエハＷに処理ガスを供給して、疎水化処理を行う疎水化処理モジュール８４が設けられている。既述のように処理前検査モジュール４１にて画像が取得されたウエハＷは、搬送機構３２によりモジュール積層体Ｔ１に既述したＴＲＳ１～ＴＲＳ３とは別に設けられたＴＲＳに搬送され、搬送機構３３→疎水化処理モジュール８４→搬送機構３３→ＳＣＰＬ１の順で搬送されて、第１の下側処理ブロックＤ２１に取り込まれる。

そして第１の実施形態の変形例の装置と同様に、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１にて処理を受けて、反射防止膜及びレジスト膜が形成されたウエハＷは、モジュール積層体Ｔ４に搬送される。そして、第３の下側処理ブロックＤ５１の搬送機構６Ｅにより、保護膜形成モジュール８３→加熱モジュール５４→周縁露光モジュール４８の順で搬送され、モジュール積層体Ｔ３に搬送される。その後、ウエハＷは、モジュール積層体Ｔ３のＴＲＳ間を搬送された後、搬送機構６Ｆにより第３の上側処理ブロックＤ５２に取り込まれ、裏面洗浄モジュール４７に搬送される。然る後、ウエハＷはモジュール積層体Ｔ３、露光機２０を経由して、再度、第３の上側処理ブロックＤ５２に取り込まれ、露光後洗浄モジュール４９に搬送される。

その後の経路は、基板処理装置１と同様、第１の上側処理ブロックＤ２２で処理を行う第１の経路と、第２の上側処理ブロックＤ３２で処理を行う第２の経路と、に分かれる。つまり、第１の経路としてウエハＷは搬送機構６Ｆによりシャトル用のＴＲＳ１３に搬送されて第１の上側処理ブロックＤ２２に搬送されるか、あるいは第２の経路としてウエハＷはモジュール積層体Ｔ４を介して第２の上側処理ブロックＤ３２に搬送される。このように装置の構成として、左右に接続される処理ブロックの数は２つであることに限られない。そして、シャトル用のＴＲＳの位置としては、その処理ブロックの構成に応じて適宜設定すればよい。

〔第３の実施形態〕
第３の実施形態である塗布、現像装置９について、既述した第１の実施形態の変形例における塗布、現像装置との差異点を中心に、図１２の平面図、図１３の縦断正面図、図１４の縦断側面図を参照して説明する。塗布、現像装置９においては、反射防止膜の形成が行われず、第１の下側処理ブロックＤ２１及び第２の下側処理ブロックＤ３１の階層Ｅ１～Ｅ４に、レジスト膜形成モジュール８２が各々設けられる。従って、第１の下側処理ブロックＤ２１、第２の下側処理ブロックＤ３１はウエハＷに同様の処理を行う。そして、第１の下側処理ブロックＤ２１、第２の下側処理ブロックＤ３１に夫々、シャトル７Ｃ、７Ｄが設けられている。

シャトル７Ｃ、７Ｄは、シャトル７Ａ、７Ｂと異なり、キャリアブロックＤ１側からインターフェイスブロックＤ４側へウエハＷを搬送する。具体的に、シャトル７Ｃは、搬送機構６ＡによらずウエハＷを第２の下側処理ブロックＤ３１に搬送して処理を行うために用いられ、シャトル７Ｄは、第１の下側処理ブロックＤ２１で処理されたウエハＷを搬送機構６ＣによらずインターフェイスブロックＤ４へ向けて搬送するために用いられる。シャトル７Ｃ、７Ｄはシャトル７Ａ、７Ｂと同様に移動機構７２、移動体７３及び支持体７４により構成されており、これらの構成部材の符号についてシャトルを表す英字と同じ英字を数字の後に付して示す。従って例えば、シャトル７Ｃの支持体の符号は７４Ｃとして示す。

第１の下側処理ブロックＤ２１、第２の下側処理ブロックＤ３１の夫々における後部側処理部５０の上方側には、既述のスペース７１Ａ、７１Ｂに相当するスペース８５Ａ、８５Ｂが形成されており、スペース８５Ａにシャトル７Ｃが、スペース８５Ｂにシャトル７Ｄが夫々設けられる。シャトル７Ｃ用のＴＲＳをＴＲＳ１５、ＴＲＳ１６とし、シャトル７Ｄ用のＴＲＳをＴＲＳ１７、１８とする。ＴＲＳ１５、ＴＲＳ１７はシャトルの搬送路の上流側に設けられるＴＲＳであり、ＴＲＳ１２と同様の構成である。そして、ＴＲＳ１６、ＴＲＳ１８はシャトルの搬送路の下流側に設けられるＴＲＳであり、ＴＲＳ１１と同様の構成である。

シャトル７Ｃ用のＴＲＳ１５、ＴＲＳ１６について、ＴＲＳ１５が第１の下側処理ブロックＤ２１の左端部に設けられ、ＴＲＳ１６は第２の下側処理ブロックＤ３１におけるモジュール積層体Ｔ２よりも左側の位置に設けられている。シャトル７Ｄ用のＴＲＳ１７、ＴＲＳ１８について、夫々第１の下側処理ブロックＤ２１の右端部、第２の下側処理ブロックＤ３１の右端部に設けられている。シャトル７Ａ、７Ｂと同じく、シャトル７Ｃ、７Ｄも互いに異なる高さに設けられており、例えばシャトル７Ｃの方がシャトル７Ｄよりも上方に位置する。従って、ＴＲＳ１５、ＴＲＳ１６もＴＲＳ１７、ＴＲＳ１８よりも上方に位置する。

なお塗布、現像装置９のインターフェイスブロックＤ４には、モジュール積層体Ｔ２の右側に搬送機構３８と同様の構成の搬送機構３８が設けられ、搬送機構３８の後方にはバッファモジュール８６が、搬送機構３７、３８によるアクセス可能に設けられている。搬送機構３８の前方には周縁露光モジュール４８が当該搬送機構３８によるアクセスが可能に設けられており、モジュール積層体Ｔ３を介して周縁露光モジュール４８→バッファモジュール８６→ＩＣＰＬ→露光機２０の順に搬送可能となっている。

第２の実施形態で述べたように疎水化処理モジュール８４で処理され、モジュール積層体Ｔ１のＳＣＰＬ１に搬送されたウエハＷは、搬送機構６Ａにより第１の下側処理ブロックＤ２１に取り込まれるか、搬送機構３３によりシャトル用のＴＲＳ１５に搬送される。当該ＴＲＳ１５に搬送されたウエハＷは、シャトル７Ｃ→ＴＲＳ１６→搬送機構６Ｃの順で受け渡されて第２の下側処理ブロックＤ３１にて処理を受け、モジュール積層体Ｔ３へ、即ちインターフェイスブロックＤ４へ搬送される。一方、第１の下側処理ブロックＤ２１に取り込まれて処理されたウエハＷは、ＴＲＳ１７→シャトル７Ｄ→ＴＲＳ１８の順で搬送され、搬送機構３７によりインターフェイスブロックＤ４へ搬送されて露光される。露光後のウエハＷは基板処理装置１と同様に、シャトル７Ａ、７Ｂを夫々用いる第１の経路、第２の経路により搬送されて、キャリアブロックＤ１に戻される。

このように塗布、現像装置９では、キャリアブロックＤ１側からインターフェイスブロックＤ４側へ搬送するシャトル７Ｃ、７Ｄ、インターフェイスブロックＤ４側からキャリアブロックＤ１側へ搬送するシャトル７Ａ、７Ｂが共に設けられる。それにより、スループットをより高くすることができる。シャトル７Ａ、７Ｂにより、搬送機構６Ａ、６Ｂの負荷が夫々低減されるので、より高いスループットを得ることができる。また、シャトル７Ｃ、７Ｄについては、後部側処理部５０に対して上側処理ブロックＧ２側に設けられている。従って、既述したシャトル７Ａ、７Ｂの配置と同様に、キャリアブロックＤ１の搬送機構３３、インターフェイスブロックの搬送機構３７の昇降量を抑制して、スループットを向上させることができる。

なお塗布、現像装置９において、シャトル７Ｃ、７Ｄのみを設け、シャトル７Ａ、７Ｂを設けない、即ち上側処理ブロックＧ２をなすブロックＤ２２、Ｄ２３間の搬送は、搬送機構６Ｂ、６Ｄのみによって行ってもよい。つまり、基板処理装置については、キャリアブロックＤ１側からインターフェイスブロックＤ４側に向かう往路用のシャトル、インターフェイスブロックＤ４側からキャリアブロックＤ１側に向かう復路用のシャトルのいずれか一方のみが設けられる構成であってもよい。また、上側処理ブロックＧ２を往路、下側処理ブロックＧ１を復路とする代わりに、上側処理ブロックＧ２を複路、下側処理ブロックＧ１を往路としてもよい。

シャトルと、処理ブロックの主搬送機構である搬送機構６Ａ～６Ｄとの間のウエハＷの受け渡しにはＴＲＳが介在するが、シャトルと搬送機構６Ａ～６Ｄとの間でウエハＷを受け渡してもよい。ただし、シャトルからウエハＷが受け取られるまで、シャトルの動きが制限されることになってしまうので、既述したようにＴＲＳが介在することが好ましい。また、液処理モジュールが前方、後部側処理部５０をなす処理モジュールが後方に位置するが、このレイアウトは前後逆であってもよい。また、例えば基板処理装置１において、シャトル７Ａ用のＴＲＳ１２がキャリアブロックＤ１に配置され、シャトル７Ｂ用のＴＲＳ１３がインターフェイスブロックＤ４に配置される構成であってもよい。そのようなシャトル用のＴＲＳの配置に合わせて、搬送機構３３、３７について適宜移動可能とすればよい。つまり、シャトル用のＴＲＳについて処理ブロックに設けられる構成とすることには限られない。

装置で行う液処理としては上記した例に限られず、薬液の塗布による絶縁膜の形成や、ウエハＷを互いに貼り合わせるための接着剤の塗布処理などが含まれていてもよい。なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。

Ｃ キャリア
Ｄ１ キャリアブロック
Ｄ２ 第１の処理ブロック
Ｄ２１ 第１の下側処理ブロック
Ｄ２２ 第１の上側処理ブロック
Ｄ３ 第２の処理ブロック
Ｄ３１ 第２の下側処理ブロック
Ｄ３２ 第２の上側処理ブロック
Ｄ４ インターフェイスブロック
Ｅ１～Ｅ８ 階層
Ｗ ウエハ
３７ 搬送機構
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ 搬送機構
７Ａ、７Ｂ シャトル

Claims (15)

1. 基板を格納するキャリアが載置されるキャリアブロックと、
   前記基板を処理する処理モジュールを各々備えると共に互いに積層される複数の階層と、前記各階層に共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を各々備え、前記キャリアブロックとの間で前記基板を受け渡すと共に互いに積層される第１の下側処理ブロック、第１の上側処理ブロックからなる第１の処理ブロックと、
   前記複数の階層と、前記主搬送機構と、を各々備え、前記第１の下側処理ブロック、前記第１の上側処理ブロックに夫々左右方向に隣接すると共に、互いに積層される第２の下側処理ブロック、第２の上側処理ブロックからなる第２の処理ブロックと、
   前記第２の下側処理ブロックと、前記第２の上側処理ブロックとの間で前記基板が受け渡されるように昇降搬送機構を備え、前記第２の処理ブロックに対して前記左右方向において前記第１の処理ブロックが隣接する側とは反対側に隣接する中継ブロックと、
   前記第１の上側処理ブロック及び前記第２の上側処理ブロックからなる上側処理ブロックと、前記第１の下側処理ブロック及び前記第２の下側処理ブロックからなる下側処理ブロックと、のうちの一方が前記キャリアブロックから前記中継ブロックに向けて前記基板を搬送する往路を形成し、他方が前記中継ブロックから前記キャリアブロックに向けて前記基板を搬送する復路を形成するように前記各主搬送機構の動作を制御する制御部と、
   前記上側処理ブロック及び下側処理ブロックのうちの一つであるバイパス搬送路形成ブロックにて、前記第１の処理ブロック、前記第２の処理ブロック毎に設けられ、当該バイパス搬送路形成ブロックの前記主搬送機構と共に前記往路または前記復路を形成するように動作し、当該バイパス搬送路形成ブロックについては前記第１の処理ブロックの主搬送機構及び前記第２の処理ブロックの主搬送機構のうちの一方によって下流側のブロックへ向けて前記基板が搬送されるようにするためのバイパス搬送機構と、
   を備える基板処理装置。
2. 前記第１の処理ブロック、前記第２の処理ブロックにおけるバイパス搬送機構を、夫々第１のバイパス搬送機構、第２のバイパス搬送機構とすると、
   前記第１のバイパス搬送機構及び前記第２のバイパス搬送機構は、前記左右方向に沿って前記基板を各々搬送する請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１のバイパス搬送路は、前記第２の下側処理ブロック及び前記第２の上側処理ブロックのうちの前記バイパス搬送路形成ブロックをなすブロックへ突出し、
   前記第２のバイパス搬送路は、前記第１の下側処理ブロック及び前記第１の上側処理ブロックのうちの前記バイパス搬送路形成ブロックをなすブロックへ突出する請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記第１のバイパス搬送機構による前記基板の搬送路である前記第１のバイパス搬送路と、前記第２のバイパス搬送機構による前記基板の搬送路である前記第２のバイパス搬送路と、の高さが互いに異なる請求項３記載の基板処理装置。
5. 平面視、前記第１のバイパス搬送路と前記第２のバイパス搬送路とが重なる請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記第１のバイパス搬送路の上流側、下流側に各々設けられ、前記第１のバイパス搬送機構との間で前記基板が受け渡される第１のバイパス用基板載置部と、
   前記第２のバイパス搬送路の上流側、下流側で前記第１のバイパス用基板載置部とは異なる高さに各々設けられると共に、前記第２のバイパス搬送機構との間で前記基板が受け渡される第２のバイパス用基板載置部と、
   が設けられる請求項４または５記載の基板処理装置。
7. 前記第１のバイパス用基板載置部及び前記第２のバイパス用基板載置部は、昇降する載置部本体と、当該載置部本体から上側に突出して前記基板の下面を支持する支持部と、を備える請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記第１及び第２のバイパス搬送機構のうちの一方のバイパス搬送機構と、前記第１及び第２のバイパス搬送路のうちの当該一方のバイパス搬送機構のバイパス搬送路と、前記第１及び第２のバイパス載置部のうち当該一方のバイパス搬送機構に対して前記基板が受け渡されるバイパス用基板載置部とについて、
   前記バイパス搬送路の下流側の前記バイパス用基板載置部に前記バイパス搬送機構が前記基板を受け渡す位置において、平面視で前記支持部に対する当該バイパス搬送路の上流側には、前記バイパス搬送機構が位置しない請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記第１のバイパス搬送機構または前記第２のバイパス搬送機構は、前記第１の処理ブロックまたは前記第２の処理ブロックに各々設けられる移動機構と、前記移動機構に対して前記左右方向に移動する移動体と、前記移動体に対して前記左右方向に移動し、前記基板を支持する支持体と、を備える請求項２ないし８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
10. 前記移動体は前記移動機構に対して左側に突出する位置と、右側に突出する位置との間で移動し、
    前記支持体は、前記移動体に対して左側に突出する位置と、右側に突出する位置との間で移動する請求項９記載の基板処理装置。
11. 前記第１の下側処理ブロック、前記第１の上側処理ブロック、前記第２の下側処理ブロック、前記第２の上側処理ブロックの各々において、
    前記階層に対して前記主搬送機構により前記基板が搬送される主搬送路が前後の一方側に位置し、
    前記第１の下側処理ブロック、前記第１の上側処理ブロック、前記第２の下側処理ブロック、前記第２の上側処理ブロックのうち、前記バイパス搬送路形成ブロックをなす各ブロックにおいては、前記主搬送領域の前後の一方側にバイパス搬送機構が設けられる請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理装置。
12. 前記階層には前記処理モジュールとして、前記基板に処理液を供給する液処理モジュールが設けられる請求項１１記載の基板処理装置。
13. 前記バイパス搬送路形成ブロックを構成するブロックのうちの少なくとも１つには、前記主搬送路の前後の一方側に、前記基板に対して前記液処理モジュールとは別の種類の処理を行う複数の処理モジュールからなる積層体が設けられ、
    前記第１のバイパス搬送機構及び前記第２のバイパス搬送機構は、前記処理モジュールの積層体に対して、前記上側処理ブロック及び前記下側処理ブロックのうち、当該バイパス搬送路形成ブロックに上方または下方から接続されるブロック側に設けられる請求項１２記載の基板処理装置。
14. 前記第１の下側処理ブロック、前記第１の上側処理ブロック、前記第２の下側処理ブロック、前記第２の上側処理ブロックの各々に前記バイパス搬送機構が設けられ、
    前記上側処理ブロック及び下側処理ブロックのうちの各々が前記バイパス搬送路形成ブロックをなす請求項１ないし１３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
15. 基板を格納するキャリアが載置されるキャリアブロックと、
    前記基板を処理する処理モジュールを各々備えると共に互いに積層される複数の階層と、前記各階層に共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を各々備え、前記キャリアブロックとの間で前記基板を受け渡すと共に互いに積層される第１の下側処理ブロック、第１の上側処理ブロックからなる第１の処理ブロックと、
    前記複数の階層と、前記主搬送機構と、を各々備え、前記第１の下側処理ブロック、前記第１の上側処理ブロックに夫々左右方向に隣接すると共に、互いに積層される第２の下側処理ブロック、第２の上側処理ブロックからなる第２の処理ブロックと、
    前記第２の下側処理ブロックと、前記第２の上側処理ブロックとの間で前記基板が受け渡されるように昇降搬送機構を備え、前記第２の処理ブロックに対して前記左右方向において前記第１の処理ブロックが隣接する側とは反対側に隣接する中継ブロックと、
    を備える基板処理装置を用いた基板処理方法において、
    前記第１の上側処理ブロック及び前記第２の上側処理ブロックからなる上側処理ブロックと、前記第１の下側処理ブロック及び前記第２の下側処理ブロックからなる下側処理ブロックと、のうちの一方が前記キャリアブロックから前記中継ブロックに向けて前記基板を搬送する往路を形成し、他方が前記中継ブロックから前記キャリアブロックに向けて前記基板を搬送する復路を形成するように前記各主搬送機構により前記基板を搬送する工程と、
    前記上側処理ブロック及び下側処理ブロックのうちの一つであるバイパス搬送路形成ブロックにて、前記第１の処理ブロック、前記第２の処理ブロック毎に設けられるバイパス搬送機構により、当該バイパス搬送路形成ブロックの前記主搬送機構と共に前記往路または前記復路を形成するように前記基板を搬送する工程と、
    当該バイパス搬送路形成ブロックについては、前記第１の処理ブロックの主搬送機構及び前記第２の処理ブロックの主搬送機構のうちの一方と、前記バイパス搬送機構とにより、下流側のブロックへ向けて前記基板を搬送する工程と、
    を備える基板処理方法。

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