KR20200108876A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20200108876A
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unit
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KR1020207023272A
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나오유키 오카무라
히로타카 마루야마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 기판에 가시광이 비춰지지 않는 상황 하에서도, 기판의 액처리의 이상의 유무를 검지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
[해결수단] 기판 처리 장치는, 처리실(20), 기판 유지부, 처리액 공급부(40), 적외선 카메라(60) 및 제어부를 구비한다. 기판 유지부는, 처리실(20) 내에 배치되어, 기판(W)을 유지한다. 처리액 공급부(40)는, 기판 유지부에 유지되어 있는 기판(W)에 처리액(L)을 공급한다. 적외선 카메라는, 처리실(20) 내의 적외선 화상을 취득한다. 제어부는, 적외선 화상에 기초하여 적어도 처리액(L)의 상태를 검지하여, 이상의 유무를 감시한다.

Description

기판 처리 장치
본 발명은 기판의 액처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판의 액처리 동안에, 처리액을 토출하는 노즐의 위치 어긋남, 노즐로부터의 액 흘림, 또는 기판 상에서의 액 튐 등이 생기면, 제품 불량이 생길 수 있다. 그 때문에, 이들 이상의 유무를 감시하는 기능을 기판 처리 장치에 탑재하는 것이 요구되는 경우가 있다.
그와 같은 이상 검출 기술로서, 예컨대, 노즐이 부착된 구동 아암의 위치를 인코더로 검출함으로써 노즐 위치를 감시하는 방법이 알려져 있다. 또한, 처리액의 토출 상태를 CCD(Charge-Coupled Device) 센서에 의해 촬영하고, 촬영 화상의 화상 처리를 행함으로써 처리액의 토출량을 감시하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2003-273003호 공보
그러나 종래의 수법에서는, 제품 불량을 가져올 수 있는 이상의 유무를 적절하게 감시할 수 없는 경우가 있었다. 예컨대, 인코더에 의해 구동 아암의 위치를 감시하는 경우, 구동부의 나사가 느슨해지는 등의 문제가 발생하면, 실제의 구동 아암의 위치가, 인코더 값이 나타내는 위치로부터 어긋나 버리는 경우가 있다.
또한 특허문헌 1의 장치에서 이용되는 촬영 화상은 가시광 화상이기 때문에, 기판에 대하여 가시광이 비춰지지 않는 상황 하에서는, 원리적으로 특허문헌 1의 감시 기술을 사용할 수 없다. 특히 최근에는, 가시광의 조사에 의해 기판(예컨대 구리막)에 손상이 초래될 수 있는 것, 또는 가시광의 조사에 의해 액처리의 정도(예컨대 산화막 에칭량)가 변화할 수 있는 것을 염려하여, 소등한 상태로 기판의 액처리를 행하는 경우도 늘어나고 있다. 이러한 경우, 가시광 화상을 사용한 특허문헌 1의 감시 기술을 애당초 사용할 수 없다.
본 발명은 전술한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 기판에 가시광이 비춰지지 않는 상황 하에서도, 액처리의 이상의 유무를 검지할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일양태는, 처리실과, 처리실 내에 배치되어, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지되어 있는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 처리실 내의 적외선 화상을 취득하는 적외선 카메라와, 적외선 화상에 기초하여 적어도 처리액의 상태를 검지하여, 이상의 유무를 감시하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 기판에 가시광이 비춰지지 않는 상황 하에서도, 액처리의 이상의 유무를 검지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개요를 나타내는 종단 측면도이다.
도 3은 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제1 전형예를 설명하기 위한 도면이고, 적외선 카메라, 처리 유체 공급부 및 웨이퍼의 배치를 개략적으로 나타낸다.
도 4는 도 3에 나타내는 적외선 카메라에 의해 취득된 적외선 화상의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제1 전형예에 따른 제어 장치의 기능 블록도이다.
도 6은 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제2 전형예를 설명하기 위한 도면이고, 적외선 카메라, 처리 유체 공급부 및 웨이퍼의 배치를 개략적으로 나타낸다.
도 7은 도 6에 나타내는 적외선 카메라에 의해 취득된 적외선 화상의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제2 전형예에 따른 제어 장치의 기능 블록도이다.
도 9는 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제3 전형예를 설명하기 위한 도면이고, 적외선 카메라, 처리 유체 공급부 및 웨이퍼의 배치를 개략적으로 나타낸다.
도 10은 도 9에 나타내는 적외선 카메라에 의해 취득된 적외선 화상의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제3 전형예에 따른 제어 장치의 기능 블록도이다.
도 12는 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제4 전형예를 설명하기 위한 도면이고, 적외선 카메라, 처리 유체 공급부 및 웨이퍼의 배치를 개략적으로 나타낸다.
도 13은 1개의 챔버 내에 2개의 처리 유체 공급부 및 1개의 적외선 카메라가 마련되어 있는 경우의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일실시형태에 대해서 설명한다. 먼저 본 발명을 적용 가능한 기판 처리 시스템의 전형예에 대해서 설명한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판을, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를, 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 미리 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이고, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내고, 꺼낸 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 꺼내져, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리 종료된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수 컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수 컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.
기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이고, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되어, 선단부에서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.
회수 컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되어, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수 컵(50)의 바닥부에는, 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수 컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수 컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부에 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
[적외선 카메라]
전술한 바와 같이 기판 처리 시스템(1)에는 복수의 처리 유닛(기판 처리 장치)(16)이 마련되어 있고, 각 처리 유닛(16)은, 챔버(처리실)(20)와, 챔버(20) 내에 배치되어, 웨이퍼(기판)(W)를 유지하는 유지부(기판 유지부)(31)와, 유지부(31)에 유지되어 있는 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 처리 유체 공급부(처리액 공급부)(40)를 구비한다. 본 실시형태의 처리 유닛(16)은, 챔버(20) 내의 적외선 화상을 취득하는 적외선 카메라를 더 구비하고, 제어 장치(제어부)(4)는, 그 적외선 화상에 기초하여 적어도 처리액의 상태를 검지하여, 이상의 유무를 감시한다. 또한, 적외선 카메라(60)는, 제어 장치(4)(특히 후술하는 메인 컨트롤부)의 제어 하에서, 촬영 등의 각종 작동을 행한다.
이하, 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 전형예에 대해서 설명한다. 이하, 복수의 전형예에 대해서 설명하지만, 제어 장치(4)는, 1종류의 이상의 유무만을 감시하여도 좋고, 복수 종류의 이상의 유무를 감시하여도 좋다.
[노즐 위치의 감시]
도 3은 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제1 전형예를 설명하기 위한 도면이고, 적외선 카메라(60), 처리 유체 공급부(40) 및 웨이퍼(W)의 배치를 개략적으로 나타낸다. 도 4는 도 3에 나타내는 적외선 카메라(60)에 의해 취득된 적외선 화상(I)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 5는 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제1 전형예에 따른 제어 장치(4)의 기능 블록도이다.
본 전형예에서는, 처리액(L)을 토출하는 처리 유체 공급부(40)의 위치에 관한 이상의 유무가, 제어 장치(4)에 의해 감시된다.
도 3에 나타내는 처리 유체 공급부(40)는 노즐(41)을 구비하고, 처리 유체 공급원(70)으로부터의 처리액(L)은 노즐(41)로부터 토출된다. 노즐(41)은 구동 아암(42)에 대하여 고정적으로 부착되어 있고, 구동 아암(42)은 제어 장치(4)의 제어 하에서 선회 가능하게 마련되어 있다. 따라서 노즐(41)의 배치 위치는, 구동 아암(42)의 선회 동작에 따라 결정된다. 예컨대 웨이퍼(W)를 유지부(31)에 대하여 착탈을 행할 때, 구동 아암(42)은, 웨이퍼(W)를 방해하지 않는 위치(즉 대기 위치)에 노즐(41)을 배치한다. 한편, 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)를 향하여 처리액(L)을 토출할 때, 구동 아암(42)은, 웨이퍼(W)의 처리면(즉 상면)에서의 원하는 위치를 향하여 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되도록, 웨이퍼(W)의 상방에서의 미리 정해진 위치(즉 토출 위치)에 노즐(41)을 배치한다.
노즐(41)[처리 유체 공급부(40)]은, 챔버(20) 내의 분위기의 온도보다 높은 온도를 갖는 처리액(L)을 토출한다. 노즐(41)로부터 토출되는 처리액(L)의 온도는, 액처리의 조건[예컨대 처리액(L)의 조성이나 웨이퍼(W)의 조성 등]에 따라 결정되지만, 전형적으로는 20℃ 정도 내지 70℃ 정도이다. 제어 장치(4)는, 처리액(L)과 분위기 사이의 온도 차에 기초하여 처리액(L)의 상태(예컨대 온도나 위치)를 검지하여, 이상의 유무를 감시한다.
웨이퍼(W)의 액처리를 행할 때, 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 처리면을 향하여 처리액(L)이 토출되고, 이 처리면 상에 처리액(L)의 액막(L1)이 형성되며, 노즐(41)과 액막(L1) 사이에 처리액(L)의 액주(L2)가 형성된다. 적외선 카메라(60)는, 이와 같이 하여 형성되는 액막(L1) 및 액주(L2)[특히 액주(L2)]를 촬영하여, 도 4에 나타내는 것 같은 적외선 화상(I)을 취득한다.
또한 적외선 카메라(60)의 부착 위치 및 부착 양태는, 원하는 대상을 적절하게 촬영 가능하면, 특별히 한정되지 않는다. 본 전형예에서는, 액막(L1) 및 액주(L2)[특히 액주(L2)]를 적절하게 촬영할 수 있는 것이면, 적외선 카메라(60)의 부착 위치 및 부착 양태는 한정되지 않는다. 또한, 이상의 유무를 적절하게 감시하기 위해 도움이 되는 적외선 화상(I)을 취득 가능하면, 적외선 카메라(60)의 구체적인 사양도 특별히 한정되지 않는다. 따라서 적외선 카메라(60)는, 동화상을 촬영하여도 좋고, 정지 화상을 촬영하여도 좋고, 단시간에 복수의 정지 화상을 연속적으로 촬영하는 소위 연사를 행하여도 좋다.
또한 적외선 카메라(60)가 촬영 가능한 적외선의 파장도, 특별히 한정되지 않는다. 적외선 카메라(60)는, 예컨대 근적외선 영역의 파장에 기초하여 촬영을 행하여도 좋고, 중적외선 영역의 파장에 기초하여 촬영을 행하여도 좋고, 원적외선 영역의 파장에 기초하여 촬영을 행하여도 좋고, 이들 복수의 파장 영역 중 2 이상의 파장 영역의 파장에 기초하여 촬영을 행하여도 좋고, 그 외의 적외선 영역의 파장에 기초하여 촬영을 행하여도 좋다. 또한 적외선 카메라(60)는, 적외선의 강도를 해석하여 온도 분포를 산출한 화상을 적외선 화상(I)으로서 취득하여도 좋고, 예컨대 원적외선의 선량 분포를 색별하여 가시화한 적외선 화상(I)을 제공하는 서모그래피를, 적외선 카메라(60)로서 이용하여도 좋다. 또한 모노크롬 화상을 제공하는 적외선 카메라(예컨대 근적외선 카메라)를 적외선 카메라(60)로서 이용하여도 좋다.
도 4로부터도 분명한 바와 같이, 본 전형예의 적외선 카메라(60)에 의해 취득되는 적외선 화상(I)에는, 처리액(L)의 액막(L1)에 대응하는 액막 화상(I1) 및 처리액(L)의 액주(L2)에 대응하는 액주 화상(I2)이 포함되고, 적외선 화상(I) 내에서의 액주 화상(I2)의 위치를 특정하는 것이 가능하다. 따라서 제어 장치(4)는, 적외선 화상(I)의 화상 처리를 행하여 액주 화상(I2)의 위치를 특정하고, 이 액주 화상(I2)의 위치에 기초하여 노즐(41)[처리 유체 공급부(40)]의 배치 위치를 특정할 수 있다. 한편, 제어 장치(4)는, 구동 아암(42)의 구동 위치에 관한 정보를 취득하고, 이 구동 위치에 기초하여 노즐(41)[처리 유체 공급부(40)]의 배치 위치를 특정할 수도 있다. 따라서 제어 장치(4)는, 액주 화상(I2)으로부터 도출되는 노즐(41)의 배치 위치의 정보와, 구동 아암(42)의 구동 위치로부터 도출되는 노즐(41)의 배치 위치의 정보의 양방을 취득함으로써, 노즐(41)의 배치 위치에 관한 이상의 유무를 감시할 수 있다.
제어 장치(4)는, 일례로서 도 5에 나타내는 바와 같이, 메인 컨트롤부(81), 화상 처리부(82) 및 감시부(83)를 포함한다.
메인 컨트롤부(81)는, 액처리 전반에 관한 제어를 행한다. 메인 컨트롤부(81)는, 예컨대, 구동 아암(42)의 구동 제어, 처리 유체 공급원(70)과 노즐(41)을 잇는 배관을 흐르는 처리액(L)의 유량 조정을 행하는 유량 조정 밸브(도시 생략)의 개폐 제어 및 유지부(31)의 회전 제어 등을 행한다. 그 때문에 메인 컨트롤부(81)는, 구동 아암(42)의 배치 위치에 관한 정보를 가지고 있고, 구동 아암(42)에 대하여 일체적으로 부착된 노즐(41)의 배치 위치를 직접적 또는 간접적으로 나타내는 정보(즉「제1 노즐 위치 정보」)도 가지고 있다. 메인 컨트롤부(81)는, 그 제1 노즐 위치 정보를 감시부(83)에 제공한다.
한편, 화상 처리부(82)는, 적외선 카메라(60)로부터 적외선 화상(I)을 수신하고, 적외선 화상(I)의 화상 처리를 행하여 화상 처리 정보를 취득하고, 그 화상 처리 정보를 감시부(83)에 제공한다. 화상 처리에 의해, 적외선 화상(I)에서의 액주 화상(I2)의 위치에 관한 정보가 취득되고, 그 액주 화상(I2)의 위치 정보로부터 노즐(41)의 배치 위치를 직접적 또는 간접적으로 나타내는 정보(즉 「제2 노즐 위치 정보」)가 취득된다. 화상 처리부(82)는, 그 제2 노즐 위치 정보를 감시부(83)에 제공한다.
그리고 감시부(83)는, 메인 컨트롤부(81)로부터의 제1 노즐 위치 정보와 화상 처리부(82)로부터의 제2 노즐 위치 정보를 대조하여, 노즐(41)[처리 유체 공급부(40)]의 위치에 관한 이상의 유무를 감시한다. 노즐(41)의 위치에 이상이 없으면, 제1 노즐 위치 정보 및 제2 노즐 위치 정보는 서로 대응하는 데이터를 나타낸다. 한편, 노즐(41)의 위치에 이상이 있으면, 제1 노즐 위치 정보 및 제2 노즐 위치 정보는 서로 대응하지 않는 데이터를 나타낸다. 감시부(83)는, 제1 노즐 위치 정보 및 제2 노즐 위치 정보의 이 대응성에 기초하여, 노즐의 위치의 이상의 유무를 감시할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이 하여 노즐의 위치의 이상의 유무를 감시할 때에는, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있다. 그 때문에 감시부(83)는, 처리액(L)의 토출 정보를 후술하는 바와 같이 메인 컨트롤부(81)로부터 취득하여, 그 토출 정보가 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있는 것을 나타내는 정보(즉 「토출 ON 정보」)인 것도 확인하여, 노즐의 위치의 이상의 유무를 감시하여도 좋다.
또한 화상 처리부(82)에서 적외선 화상(I)의 화상 처리를 행하는 타이밍은, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 메인 컨트롤부(81)로부터 화상 처리부(82)에 제1 노즐 위치 정보가 제공되고, 노즐(41)이 특정 영역[예컨대 웨이퍼(W)의 상방의 영역]에 진입한 것이나 특정 위치[예컨대 처리액(L)을 웨이퍼(W)를 향하여 토출하는 미리 정해진 위치]에 배치된 것을 제1 노즐 위치 정보가 나타내는 경우에만, 화상 처리부(82)는 화상 처리를 행하여도 좋다. 즉, 노즐(41)이 특정 영역이나 특정 위치에 배치되어 있는 동안에 촬영되어 취득된 적외선 화상(I)만을, 화상 처리의 대상으로 하여도 좋다. 이와 같이 노즐(41)의 위치에 따라 화상 처리의 실행의 유무를 전환함으로써, 쓸데없는 화상 처리를 회피하여, 제어 장치(4)의 처리 부담을 경감할 수 있다.
[액 흘림의 감시]
도 6은 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제2 전형예를 설명하기 위한 도면이고, 적외선 카메라(60), 처리 유체 공급부(40) 및 웨이퍼(W)의 배치를 개략적으로 나타낸다. 도 7은 도 6에 나타내는 적외선 카메라(60)에 의해 취득된 적외선 화상(I)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8은 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제2 전형예에 따른 제어 장치(4)의 기능 블록도이다. 도 6에 나타내는 본 전형예에 따른 적외선 카메라(60), 처리 유체 공급부(40) 및 웨이퍼(W)의 배치는, 전술한 제1 전형예(도 3 참조)와 동일하다. 또, 도 8에 나타내는 본 전형예에 따른 제어 장치(4)의 기능 블록 또한, 전술한 제1 전형예(도 5 참조)와 동일하다.
본 전형예에서는, 노즐(41)[처리 유체 공급부(40)]로부터의 예기하지 않은 처리액(L)의 흘림에 관한 이상의 유무가, 제어 장치(4)에 의해 감시된다.
노즐(41)[처리 유체 공급부(40)]로부터의 처리액(L)의 토출 상태는, 제어 장치(4)[특히 메인 컨트롤부(81)]의 제어 하에서, 처리 유체 공급원(70)과 노즐(41) 사이에 마련되는 유량 조정 밸브(도시 생략)가 개폐됨으로써 조절된다. 그 때문에 메인 컨트롤부(81)는, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있는지의 여부를 나타내는 정보(즉 「토출 정보」)를 가지고 있고, 그 토출 정보를 감시부(83)에 제공한다.
한편, 적외선 카메라(60)는, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있지 않은 동안, 촬영을 연속적으로 행하고, 특히 노즐(41)과 웨이퍼(W) 상의 처리액(L)의 액막(L1) 사이의 영역의 촬영을 행한다. 의도하지 않은 처리액(L)의 액적(L3)이 노즐(41)로부터 떨어진 경우, 적외선 카메라(60)에 의해 취득되는 적외선 화상(I)에는, 도 7에 나타내는 바와 같은 액적(L3)의 화상(즉 「액 흘림 화상」)(I3)이 포함된다. 한편, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되지 않고 액적(L3)도 떨어지지 않는 경우, 적외선 카메라(60)에 의해 취득되는 적외선 화상(I)에는, 액 흘림 화상(I3)은 찍히지 않는다.
따라서 본 전형예에서의 제어 장치(4)의 화상 처리부(82)는, 적외선 카메라(60)로부터의 적외선 화상(I)을 수신하고, 적외선 화상(I)의 화상 처리를 행하여, 적외선 화상(I)에서의 액 흘림 화상(I3)의 유무에 관한 정보를 화상 처리 정보로서 취득한다. 화상 처리부(82)는, 그 화상 처리 정보(액 흘림 정보)를 감시부(83)에 제공한다.
그리고 감시부(83)는, 메인 컨트롤부(81)로부터의 액 흘림 정보와 화상 처리부(82)로부터의 토출 정보를 대조하여, 액 흘림 이상의 유무를 감시한다. 액 흘림 이상이 없으면, 토출 정보는 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출이 정지되어 있는 것을 나타내는 토출 OFF 정보이고, 또한, 액 흘림 정보는 적외선 화상(I)에 액 흘림 화상(I3)이 포함되어 있지 않은 것을 나타낸다. 한편, 액 흘림 이상이 있는 경우에는, 토출 정보가 토출 OFF 정보여도, 액 흘림 정보는 적외선 화상(I)에 액 흘림 화상(I3)이 포함되어 있는 것을 나타낸다. 이와 같이 감시부(83)는, 화상 처리 정보(액 흘림 정보) 및 토출 정보(토출 OFF 정보)에 기초하여, 액 흘림에 관한 이상의 유무를 감시할 수 있다.
또한 화상 처리부(82)에서 적외선 화상(I)의 화상 처리를 행하는 타이밍은, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 메인 컨트롤부(81)로부터 화상 처리부(82)에도 토출 정보(특히 토출 OFF 정보)를 제공하고, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있지 않은 동안만, 화상 처리부(82)는 화상 처리를 행하여도 좋다. 즉, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있지 않은 동안에 촬영되어 취득된 적외선 화상(I)만을, 화상 처리의 대상으로 하여도 좋다. 이와 같이 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출 상태에 따라 화상 처리의 실행의 유무를 전환함으로써, 쓸데없는 화상 처리를 회피할 수 있다.
[액 튐의 감시]
도 9는 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제3 전형예를 설명하기 위한 도면이고, 적외선 카메라(60), 처리 유체 공급부(40) 및 웨이퍼(W)의 배치를 개략적으로 나타낸다. 도 10은 도 9에 나타내는 적외선 카메라(60)에 의해 취득된 적외선 화상(I)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 11은 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제3 전형예에 따른 제어 장치(4)의 기능 블록도이다. 도 9에 나타내는 본 전형예에 따른 적외선 카메라(60), 처리 유체 공급부(40) 및 웨이퍼(W)의 배치는, 전술한 제1 전형예(도 3 참조) 및 제2 전형예(도 6 참조)와 동일하다. 또, 도 11에 나타내는 본 전형예에 따른 제어 장치(4)의 기능 블록 또한, 전술한 제1 전형예(도 5 참조) 및 제2 전형예(도 8 참조)와 동일하다.
본 전형예에서는, 예기하지 않은 처리액(L)의 튐에 관한 이상의 유무가 제어 장치(4)에 의해 감시된다. 노즐(41)로부터 토출되는 처리액(L)이 웨이퍼(W) 상의 액막(L1)을 구성하는 처리액(L)에 충돌함으로써, 처리액(L)의 비말(L4)이 생기는 경우가 있다. 본 전형예에서는, 이러한 비말(L4)의 발생의 유무를 검지함으로써, 처리액(L)의 튐에 관한 이상의 유무가 감시된다.
본 전형예에서의 메인 컨트롤부(81)는, 전술한 제2 전형예의 메인 컨트롤부(81)와 마찬가지로, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있는지의 여부를 나타내는 토출 정보를 감시부(83)에 제공한다.
한편, 적외선 카메라(60)는, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있는 동안, 촬영을 연속적으로 행하며, 특히 액주(L2)와 액막(L1)의 교점 부근의 영역의 촬영을 행한다. 의도하지 않은 처리액(L)의 비말(L4)이 생긴 경우, 적외선 카메라(60)에 의해 취득되는 적외선 화상(I)에는, 도 10에 나타내는 바와 같은 비말(L4)의 화상(즉 「액 튐 화상」)(I4)이 포함된다. 한편, 비말(L4)이 생기지 않은 경우, 적외선 카메라(60)에 의해 취득되는 적외선 화상(I)에는, 액 튐 화상(I4)은 찍히지 않는다.
제어 장치(4)의 화상 처리부(82)는, 적외선 카메라(60)로부터의 적외선 화상(I)을 수신하고, 이 적외선 화상(I)의 화상 처리를 행하여, 적외선 화상(I)에서의 액 튐 화상(I4)의 유무에 관한 정보를 화상 처리 정보로서 취득한다. 화상 처리부(82)는, 그 화상 처리 정보(액 튐 정보)를 감시부(83)에 제공한다.
감시부(83)는, 메인 컨트롤부(81)로부터의 액 튐 정보와 화상 처리부(82)로부터의 토출 정보를 대조하여, 액 튐의 이상의 유무를 감시한다. 액 튐 이상이 없으면, 토출 정보는 노즐(41)로부터 처리액(L)의 토출이 되고 있는 것을 나타내는 토출 ON 정보이고, 또한, 액 튐 정보는 적외선 화상(I)에 액 튐 화상(I4)이 포함되지 않은 것을 나타낸다. 한편, 액 튐 이상이 있는 경우에는, 토출 정보가 토출 ON 정보여도, 액 튐 정보는 적외선 화상(I)에 액 튐 화상(I4)이 포함되어 있는 것을 나타낸다. 이와 같이 감시부(83)는, 화상 처리 정보(액 튐 정보) 및 토출 정보에 기초하여, 액 튐에 관한 이상의 유무를 감시할 수 있다.
또한 화상 처리부(82)에서 적외선 화상(I)의 화상 처리를 행하는 타이밍은, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 메인 컨트롤부(81)로부터 화상 처리부(82)에도 토출 정보(특히 토출 ON 정보)를 제공하고, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있는 동안만, 화상 처리부(82)는 화상 처리를 행하여도 좋다. 즉, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있는 동안에 촬영되어 취득된 적외선 화상(I)만을, 화상 처리의 대상으로 하여도 좋다. 이와 같이 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출 상태에 따라 화상 처리의 실행의 유무를 전환함으로써, 쓸데없는 화상 처리를 회피할 수 있다.
[액막 온도의 감시 및 웨이퍼 온도의 감시]
도 12는 적외선 화상을 사용한 이상 감시의 제4 전형예를 설명하기 위한 도면이고, 적외선 카메라(60), 처리 유체 공급부(40) 및 웨이퍼(W)의 배치를 개략적으로 나타낸다.
적외선 카메라(60)는, 제어 장치(4)의 제어 하에서, 이동 가능하게 마련되어 있어도 좋고, 적외선 카메라(60)의 촬영 위치 및/또는 촬영 각도가 가변이어도 좋다. 이에 의해 제어 장치(4)는, 챔버(20) 내의 복수 부위를 1개의 적외선 카메라(60)에 의해 감시하는 것이 가능하다. 예컨대, 적외선 카메라(60)가 노즐(41) 및 웨이퍼(W)의 처리면의 전체를 동시에 촬영하는 것이 어려운 경우라도, 제1 포지션에 적외선 카메라(60)를 배치함으로써[도 12에서 실선으로 나타낸 적외선 카메라(60) 참조], 노즐(41)로부터의 처리액(L)을 적외선 카메라(60)에 의해 촬영하고, 제2 포지션에 적외선 카메라(60)를 배치함으로써[도 12에서 파선으로 나타낸 적외선 카메라(60) 참조], 웨이퍼(W)의 처리면 전체에 걸친 액막(L1)이나 웨이퍼(W)의 처리면의 전체를 적외선 카메라(60)에 의해 촬영하는 것이 가능하다.
따라서 본 전형예에서의 제어 장치(4)는, 예컨대, 전술한 제1 전형예 내지 제3 전형예(도 3 내지 도 11 참조)로서 설명한 이상의 유무의 감시와, 웨이퍼(W) 상의 처리액(L)의 온도에 관한 이상의 유무의 감시를 공통의 적외선 카메라(60)를 사용하여 행하는 것이 가능하다. 이에 의해 제어 장치(4)는, 예컨대, 액막(L1)이 액처리를 위해 적절한 온도를 갖는지의 여부를 검지할 수 있어, 액처리의 진행에 관한 이상의 유무를 감시할 수 있다.
또한 본 전형예에서의 제어 장치(4)는, 적외선 카메라(60)가 취득한 적외선 화상(I)에 기초하여 웨이퍼(W)의 온도를 검지하고, 이 웨이퍼(W)의 온도에 기초하여 이상의 유무를 감시하는 것도 가능하다. 이에 의해, 예컨대 웨이퍼(W)의 스핀 드라이 건조의 적부를 감시할 수 있다. 스핀 드라이 건조는, 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출을 정지한 상태로 유지부(31)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W) 상의 처리액(L) 등의 액체를 증발시켜 웨이퍼(W)를 건조시키는 처리이다. 처리액(L)의 기화열에 의해, 스핀 드라이 건조의 진행과 함께, 웨이퍼(W)의 온도는 저하된다. 따라서, 적외선 카메라(60)에 의해 취득되는 적외선 화상(I)에 기초하여 웨이퍼(W)의 온도 또는 웨이퍼(W) 상의 처리액(L)의 온도의 시간 경과에 따른 변화를 검지함으로써, 웨이퍼(W)가 완전히 건조되었는지의 여부를 정밀도 좋게 감시할 수 있다. 제어 장치(4)는, 그 감시 결과가 웨이퍼(W)의 처리면이 완전하게 건조되지 않은 것을 나타내는 동안은, 필요에 따라 스핀 드라이 건조를 속행하는 등의 제어를 행하여도 좋다.
또한, 전술한 바와 같이 처리액(L) 및/또는 웨이퍼(W)의 온도 자체를 감시하는 경우, 적외선 카메라(60)에 의해 취득되는 적외선 화상(I)에는, 그와 같은 구체적인 온도 정보가 포함되어 있을 필요가 있다. 따라서, 어느 정도의 정밀도로 구체적인 온도를 판별 가능한 적외선 화상(I)을 제공하는 것이 가능한 서모그래피 등의 적외선 촬상 장치를, 적외선 카메라(60)로서 사용할 필요가 있다.
또한 전술에서는, 도 12에 나타내는 바와 같은 가동식의 적외선 카메라(60)를 이용하는 경우에 대해서 설명하였지만, 원하는 감시 영역[예컨대 노즐(41) 및 웨이퍼(W)의 처리면의 전체]의 전체를 동시에 촬영할 수 있는 것이면, 적외선 카메라(60)는 가동식이 아니어도 좋다. 예컨대, 광각 촬영 가능한 고정식의 적외선 카메라(60)를 이용하거나, 복수의 고정식의 적외선 카메라(60)를 조합하여 이용하거나 하여도 좋다.
[처리액의 토출 시간의 감시]
전술한 바와 같이 적외선 카메라(60)는, 노즐(41)[처리 유체 공급부(40)]로부터의 처리액(L)의 토출의 상태를 촬영할 수 있다. 따라서 제어 장치(4)[화상 처리부(82)]는, 적외선 카메라(60)가 연속적으로 취득하는 적외선 화상(I)(예컨대 동화상)을 화상 처리함으로써, 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출 개시 시간의 정보와, 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출 정지 시간의 정보를 취득할 수 있다. 또한 제어 장치(4)[화상 처리부(82) 또는 감시부(83)]는, 이들 토출 개시 시간 정보 및 토출 정지 시간 정보로부터, 노즐(41)로부터 처리액(L)이 토출되고 있는 시간의 정보(즉 「제1 토출 시간 정보」)를 취득할 수 있다.
한편, 감시부(83)는, 레시피 정보로서 미리 정해져 있는 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출 시간의 정보(즉 「제2 토출 시간 정보」)를, 기억부(19)나 다른 기능 블록[예컨대 메인 컨트롤부(81)]으로부터 취득할 수 있다.
그리고 감시부(83)는, 제1 토출 시간 정보와 제2 토출 시간 정보를 대조함으로써, 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출 시간의 이상의 유무를 감시할 수 있다. 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출 시간에 이상이 있는 경우, 예컨대 감시부(83) 및 메인 컨트롤부(81)는, 처리 유체 공급원(70)과 노즐(41) 사이에 마련되는 유량 조정 밸브(도시 생략)의 개폐 타이밍을 조정하여, 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출 개시의 타이밍 및/또는 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출 정지의 타이밍을 바꾸어도 좋다. 또는, 제어 장치(4)는, 레시피 정보를 수정하여도 좋다.
[복수의 처리 유닛 간의 비교에 의한 이상의 감시]
본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이 복수의 처리 유닛(16)[챔버(20)를 포함함]을 구비하고, 각각의 처리 유닛(16)은 챔버(20)에 의해 칸막이되어 있고, 챔버(20)마다, 유지부(31), 처리 유체 공급부(40) 및 적외선 카메라(60)가 마련되어 있다.
제어 장치(4)[특히 감시부(83)]는, 이들 복수의 챔버(20)[복수의 처리 유닛(16)] 각각에 마련된 복수의 적외선 카메라(60)가 취득한 적외선 화상(I)에 기초하여 검지되는 처리액(L)의 상태를, 서로 비교함으로써 도출되는 각 처리 유닛(16)의 이상의 유무를 감시할 수 있다.
예컨대, 처리 유닛(16)마다 유량계(도시 생략)를 설치하고, 처리 유체 공급원(70)(도 2 참조)으로부터 각각의 처리 유닛(16)의 노즐(41)[처리 유체 공급부(40)]에 공급되는 처리액(L)의 유량을 그들의 유량계에 의해 계측하여도 좋다. 제어 장치(4)[예컨대 메인 컨트롤부(81)]는, 유량계의 계측 결과에 기초하여, 전술한 유량 조정 밸브(도시 생략) 등을 제어하여, 각 처리 유닛(16)의 노즐(41)로의 처리액(L)의 유량을 조절하여도 좋다. 이 경우, 어떤 처리 유닛(16)(이하, 「이상 처리 유닛(16a)」이라고도 칭함)의 노즐(41)로부터 토출되는 처리액(L)의 온도가, 다른 처리 유닛(16)의 노즐(41)로부터 토출되는 처리액(L)의 온도보다 낮은 경우, 처리 유체 공급원(70)으로부터 이상 처리 유닛(16a)의 노즐(41)에 공급되고 있는 처리액(L)의 양이, 상정보다 적을 개연성이 높다. 이 경우, 처리 유체 공급원(70)으로부터 이상 처리 유닛(16a)의 노즐(41)에 공급되는 처리액(L)의 유량을 계측하는 유량계에, 문제가 발생하고 있을 가능성이 있다. 따라서, 노즐(41)로부터 토출되는 처리액(L)의 온도를 처리 유닛(16) 사이에서 비교함으로써, 유량계에 관한 이상의 유무를 감시할 수 있다.
이와 같이, 각각의 처리 유닛(16)에서의 처리액(L)의 온도 등의 상태를 검지하고, 그 처리액(L)의 상태를 처리 유닛(16) 사이에서 서로 비교함으로써, 각 처리 유닛(16)에서 생기고 있을 가능성이 있는 이상을 감시할 수 있다.
[그 외의 이상의 감시]
제어 장치(4)는, 적외선 화상(I)에 기초하여, 전술한 것 이외의 이상에 대해서도 감시하는 것이 가능하다.
전술한 바와 같이, 노즐(41)로부터의 처리액(L)의 토출량이 상정보다 적은 경우, 노즐(41)로부터 토출된 처리액(L)의 온도는 상정보다 낮아지는 경향이 있다. 따라서 제어 장치(4)는, 적외선 화상(I)에 기초하여 검지되는 노즐(41)로부터 토출된 처리액(L)[예컨대 액주(L2) 및 액막(L1)]의 온도와, 레시피 정보로서 미리 설정된 처리액(L)의 상정 온도를 비교함으로써, 처리액(L)의 토출량에 관한 이상의 유무를 감시하는 것이 가능하다.
또한 제어 장치(4)는, 적외선 화상(I)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 외주부에서의 처리액(L) 및/또는 웨이퍼(W) 자체의 온도를 검지함으로써, 웨이퍼(W)의 외주부의 주위에서의 급배기의 상태[예컨대 FFU(21)로부터 공급되는 기체의 상태]에 관한 이상의 유무를 감시하는 것이 가능하다. 예컨대, 배기구(52)를 통한 배기량이 많아짐에 따라, 웨이퍼(W)의 외주부의 온도가 그 중앙부의 온도보다 저하되는 경향이 있다. 따라서 제어 장치(4)는, 적외선 화상(I)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 처리면 상에서의 처리액(L)[액막(L1)]의 온도 분포나 웨이퍼(W)의 온도 분포를 검지함으로써, 배기의 이상의 유무를 감시하는 것이 가능하다.
또한 전술한 도 2, 도 3, 도 6, 도 9 및 도 12에는 노즐(41) 및 구동 아암(42)이 하나만 그려져 있지만, 각 처리 유닛(16)에 마련되는 노즐(41) 및 구동 아암(42)의 수는 하나만이어도 좋고, 2 이상이어도 좋다.
도 13은 1개의 챔버(20) 내에 2개의 처리 유체 공급부(40) 및 1개의 적외선 카메라(60)가 마련되어 있는 경우의 일례를 나타내는 개략 평면도이고, 각각의 처리 유체 공급부(40)는 대응의 구동 아암(42)에 부착되어 있다. 적외선 카메라(60)의 부착 위치 및 부착 양태는 특별히 한정되지 않지만, 이들 처리 유체 공급부(40)의 웨이퍼(W) 상에서의 이동 경로(t)[특히 웨이퍼(W)의 상방에서의 이동 경로(t)]의 전체를, 동시에 촬영 가능한 위치 및 각도로 적외선 카메라(60)가 설치되는 것이 바람직하다. 처리 유체 공급부(40)끼리 및 구동 아암(42)끼리가 동일한 구조를 갖는 경우, 이들 구동 아암(42)의 회전축(Ar)으로부터 등거리의 위치에 적외선 카메라(60)가 설치되는 것이 바람직하다.
또한 도 13에는 복수의 처리 유체 공급부(40)에 대하여 공통의 적외선 카메라(60)가 할당되어 있지만, 처리 유체 공급부(40)마다 고유의 적외선 카메라(60)가 할당되어도 좋다. 또한 하나의 처리 유체 공급부(40)에 대하여 복수의 적외선 카메라(60)가 할당되어도 좋다.
[감시 결과의 처리예]
전술한 바와 같이 제어 장치(4)는, 적외선 카메라(60)의 적외선 화상(I)을 화상 처리함으로써, 여러 가지 종류의 이상의 유무를 감시하는 것이 가능하다. 제어 장치(4)는, 이들 이상의 감시의 결과를, 여러 가지 형태로 처리할 수 있다.
예컨대, 제어 장치(4)는, 이상의 유무에 관한 정보를 기억부(19)에 기록하여도 좋다. 이 경우, 제어 장치(4)는, 이상의 유무의 감시를 행한 일시의 정보, 그 감시를 행한 웨이퍼(W)의 식별 정보, 및/또는 그 외의 관련 정보를, 이상의 유무에 관한 정보와 관련지어, 기억부(19)에 기록하는 것이 바람직하다. 이에 의해 사용자나 임의의 장치는, 필요에 따라 기억부(19)에 액세스하여, 이상의 유무에 관한 정보를 빼낼 수 있다.
또한 제어 장치(4)는, 이상의 유무에 관한 정보로서, 이상의 유무의 감시를 행하였을 때의, 처리 유체 공급부(40)로부터의 처리액(L)의 토출이 개시된 시간을 나타내는 토출 개시 시간 정보와, 처리 유체 공급부(40)로부터의 처리액(L)의 토출이 정지한 시간을 나타내는 토출 정지 시간 정보를, 기억부(19)에 기록하여도 좋다. 이 경우, 제어 장치(4)는, 기억부(19)에 기록된 토출 개시 시간 정보 및 토출 정지 시간 정보에 기초하여, 처리 유체 공급부(40)로부터 처리액(L)이 토출되는 토출 시간을 제어하여, 처리액(L)의 토출 시간의 적정화를 행하여도 좋다.
또한 제어 장치(4)[예컨대 감시부(83)]에 접속되는 통지 장치(65)(도 5, 도 8 및 도 11 참조)를 더 설치하고, 제어 장치(4)[예컨대 감시부(83)]는, 이상을 검지하였을 때에는, 그 이상을 사용자에게 통지하도록 통지 장치(65)를 작동시켜도 좋다. 통지 장치(65)는, 임의의 장치에 의해 구성 가능하고, 예컨대 표시 장치 및/또는 음성 장치에 의해 통지 장치(65)를 구성하고, 표시 및/또는 음성에 의해 이상의 유무를 사용자에게 전하여도 좋다.
또한 제어 장치(4)는, 이상을 검지하였을 때에는, 그와 같은 이상을 바로잡도록 각종 장치를 제어하여도 좋다. 예컨대, 노즐(41)[처리 유체 공급부(40)]의 위치 어긋남 이상이 검지된 경우, 제어 장치(4)는, 적외선 화상(I)으로부터 얻어지는 노즐(41)의 위치 정보에 기초하여, 구동 아암(42)을 제어하여, 자동적으로 노즐(41)의 위치를 적정화하여도 좋다.
본 발명은 전술한 실시형태 및 변형예에 한정되는 것이 아니며, 당업자가 상도할 수 있는 여러 가지의 변형이 더해진 각종 양태도 포함할 수 있는 것이고, 본 발명에 의해 발휘되는 효과도 전술한 사항에 한정되지 않는다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상 및 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 특허 청구범위 및 명세서에 기재되는 각 요소에 대하여 여러 가지의 추가, 변경 및 부분적 삭제가 가능하다.
예컨대, 전술한 제어 장치(4)는 메인 컨트롤부(81), 화상 처리부(82) 및 감시부(83)를 포함하지만(도 5, 도 8 및 도 11 참조), 제어 장치(4)는 이들 각 부를 기능적으로 포함하고 있으면 되고, 하드웨어 및 소프트웨어가 적절하게 조합되어 각 부의 기능이 실현되어 있으면 된다.
또한 본 발명은 기판 처리 장치뿐만 아니라, 기판 처리 방법, 그와 같은 기판 처리 방법에서 행해지는 순서를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램 및 그와 같은 프로그램이 기록된 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 그 외의 물건 및 방법으로서 실현되어도 좋다.

Claims (12)

  1. 처리실과,
    상기 처리실 내에 배치되어, 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 유지되어 있는 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 처리실 내의 적외선 화상을 취득하는 적외선 카메라와,
    상기 적외선 화상에 기초하여 적어도 상기 처리액의 상태를 검지하여, 이상의 유무를 감시하는 제어부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리액 공급부는 상기 처리실 내의 분위기의 온도보다 높은 온도를 갖는 상기 처리액을 토출하고,
    상기 제어부는 상기 처리액과 상기 분위기 사이의 온도 차에 기초하여 상기 처리액의 상태를 검지하는 것인, 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이상의 유무는 상기 처리액을 토출하는 상기 처리액 공급부의 위치에 관한 이상의 유무를 포함하는 것인, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이상의 유무는 상기 처리액 공급부로부터의 예기하지 않은 상기 처리액의 흘림에 관한 이상의 유무를 포함하는 것인, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이상의 유무는 예기하지 않은 상기 처리액의 튐에 관한 이상의 유무를 포함하는 것인, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이상의 유무는 상기 기판 상의 상기 처리액의 온도에 관한 이상의 유무를 포함하는 것인, 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 적외선 화상에 기초하여 상기 기판의 온도 또한 검지하여, 상기 이상의 유무를 감시하는 것인, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리실은 복수개 마련되고,
    상기 복수의 처리실 각각에 대하여, 상기 기판 유지부, 상기 처리액 공급부 및 상기 적외선 카메라가 마련되고,
    상기 이상의 유무는 상기 복수의 처리실 각각에 마련된 상기 적외선 카메라가 취득한 상기 적외선 화상에 기초하여 검지되는 상기 처리액의 상태를 서로 비교함으로써 도출되는 이상의 유무를 포함하는 것인, 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 이상의 유무에 관한 정보를 기억부에 기록하는 것인, 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 이상의 유무에 관한 정보로서, 상기 처리액 공급부로부터의 상기 처리액의 토출이 개시된 시간을 나타내는 토출 개시 시간 정보와, 상기 처리액 공급부로부터의 상기 처리액의 토출이 정지한 시간을 나타내는 토출 정지 시간 정보를 상기 기억부에 기록하는 것인, 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 토출 개시 시간 정보 및 상기 토출 정지 시간 정보에 기초하여, 상기 처리액 공급부로부터 상기 처리액이 토출되는 토출 시간을 제어하는 것인, 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 통지 장치를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 이상을 검출하였을 때에는, 상기 이상을 사용자에게 통지하도록 상기 통지 장치를 작동시키는 것인, 기판 처리 장치.
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