JP5457384B2 - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 714
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 265
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 171
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 33
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 270
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 268
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 128
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 81
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 35
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 9
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 101100221836 Arabidopsis thaliana CPL3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100221837 Arabidopsis thaliana CPL4 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100065702 Arabidopsis thaliana ETC3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100536545 Arabidopsis thaliana TCL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Description
また、本発明に係る液処理方法は、上記液処理装置を用いた液処理方法であって、上記処理液ノズルから処理液を吐出する前に、光を基板表面に向けて照射し、上記基板表面に反射されてから、上記処理液ノズルの先端部から基板表面間の領域に光を照射する工程と、上記処理液ノズルと基板表面間のうちの、少なくとも上記処理液ノズルの先端部から上記基板表面間の領域を撮像する工程と、上記基板に向けて吐出される処理液中に上記光が入射して上記処理液に反射されたときの光の明暗を撮像する撮像結果に基づいて識別することによって、上記処理液ノズルからの上記処理液の吐出の有無及び上記処理液ノズルから吐出される上記処理液の吐出状態の変化の有無を判定する工程と、を含むことを特徴とする。この場合、上記撮像結果と、上記判定部に記憶された上記処理液ノズルからの上記処理液の吐出の有無及び上記処理液ノズルから吐出される上記処理液の吐出状態の変化の有無を判断する基準となる上記判定部に記憶された基準情報とに基づいて上記処理液ノズルにおける処理液の吐出のタイミングのずれを判定する工程を更に含む方がよい。
この発明の第1実施形態に係る液処理装置を、基板(以下にウエハWという)に、処理液であるレジスト液及びレジスト液を広がり易くするためのシンナーと(以下、これらを総称して塗布液Rという)を塗布する塗布ユニットに適用した実施の形態について説明する。本実施形態における塗布ユニットの構成の概要を説明する。
上記第1実施形態では、レーザー光源110からノズル10の先端部10dからウエハ表面W1間の領域にレーザー光Lを照射したが、図10に示すように、光源である赤外照明111から、ノズル10の先端部10dからウエハ表面W1間の領域に加え、ノズル10に対しても赤外光Iを照射し、判定部9bは、塗布液R中に光が入射して塗布液Rに反射したときの光の明暗を識別することによって、ノズル10からの塗布液Rの吐出の有無及びノズル10から吐出される塗布液Rの吐出状態の変化の有無を判定すること加えて、ノズル10の流路10e内の光の明暗を識別することによって、ノズル10の流路10e内の塗布液Rの液面R2の変化の有無を判定してもよい。
される。また、ノズル10の流路10e内の塗布液Rの所定の液面位置Pより上方に設置されると共に、液面位置Pにある液面R2に対し赤外照明111aとカメラ17Aのなす鉛直方向の角度βが120度から160度の位置に設置されている。
I 赤外光(光)
P 液面位置
T 吐出位置
T1 照射位置
R 塗布液(処理液)
R1 液柱
R2 液面
V0〜V3,Y0〜Y4 明度(光の明暗)
W ウエハ
W1 ウエハ表面
1 塗布ユニット
7 供給ユニット(処理液供給部)
8 表示操作部
9 制御ユニット
9a 制御部
9b 判定部
10 ノズル(処理液ノズル)
10c 筒状部(筒状体)
10d 先端部
10e 流路
11 ノズルアーム
11a ノズルヘッド部
11b アーム部
17,17A カメラ(撮像部)
20 ノズル搬送機構
41 スピンチャック(基板保持部)
90,90a 中央演算処理装置
91,94 プログラム格納部
95 記憶部
110,110a レーザー光源(光源)
111,111a,111b,111c 赤外照明(光源)
112 補助光源
Claims (14)
- 基板保持部に水平に保持された基板の表面に、処理液供給部から処理液を供給して上記基板の表面に向けて吐出させて液処理をする液処理装置において、
上記処理液供給部から供給される上記処理液の流路を形成した処理液ノズルと、
光を基板表面に向けて照射し、上記基板表面に反射されてから、上記処理液ノズルの先端部から基板表面間の領域に光を照射する光源と、
上記処理液ノズルと基板表面間のうちの、少なくとも上記処理液ノズルの先端部から上記基板表面間の領域を撮像する撮像部と、
上記処理液ノズルから上記基板に向けて上記処理液を吐出するための吐出信号を出力すると共に上記撮像部により撮像を開始させる制御部と、
上記基板に向けて吐出される処理液中に上記光が入射して上記処理液に反射されたときの光の明暗を撮像する撮像結果に基づいて識別することによって、上記処理液ノズルからの上記処理液の吐出の有無及び上記処理液ノズルから吐出される上記処理液の吐出状態の変化の有無を判定する判定部と、
を備えた、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項1に記載の液処理装置において、
上記撮像部は、上記光の上記処理液への入射角度に等しい反射角方面に設置される、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項1又は2に記載の液処理装置において、
上記処理液ノズルは、光透過性部材で形成される筒状体で形成され、
上記撮像部は、上記処理液ノズルの流路内の上記処理液に反射された光の明暗を撮像可能に形成される、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の液処理装置において、
上記処理液ノズルからの上記処理液の吐出の有無及び上記処理液ノズルから吐出される上記処理液の吐出状態の変化の有無を判断する基準となる基準情報を記憶する記憶部を更に備え、上記判定部は、上記撮像結果と上記基準情報の光の明暗を比較した結果に基づいて上記処理液ノズルからの上記処理液の吐出の有無及び上記処理液ノズルから吐出される上記処理液の吐出状態の変化の有無を判定する、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項4に記載の液処理装置において、
上記基準情報は、上記処理液ノズルからの上記処理液の吐出動作が正常に動作していた際に上記撮像部により撮像された撮像結果である、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の液処理装置において、
上記処理液ノズルを上記基板保持部に保持された基板の上方に搬送するノズル搬送機構を更に備え、
上記ノズル搬送機構には、上記処理液ノズルが直線上に並列に複数配置されており、直線の側方方面に配置された1の光源から、全ての上記処理液ノズルの先端部から上記基板表面間の領域に上記光をライン状に照射する、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の液処理装置において、
上記処理液ノズルを上記基板保持部に保持された基板の上方に搬送するノズル搬送機構を更に備え、
上記ノズル搬送機構には、上記処理液ノズルは直線上に並列に複数配置されており、直線と平行な直線上に上記処理液ノズル毎に配置された光源から上記光を照射する、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項1に記載の液処理装置において、
上記光源は、対称位置にある第1の光源と第2の光源が、上記処理液ノズルを鉛直軸とし、上記撮像部との水平方向の角度が120度から160度をなす位置にそれぞれ設置される、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項1に記載の液処理装置において、
上記光源は、上記処理液ノズルを挟んで上記撮像部と対向する側に設置され、更に、上記処理液ノズルを挟んで上記光源と対向する側に補助光源を設置する、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項8又は9に記載の液処理装置において、
上記処理液ノズルは、光透過性部材で形成される筒状体で形成され、
上記撮像部は、上記処理液ノズルの流路内の上記処理液に反射された光の明暗を撮像可能に形成される、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項10に記載の液処理装置において、
上記光源は、更に上記処理液ノズルに光を照射し、上記判定部は、上記処理液ノズルの流路内の光の明暗を撮像する撮像結果に基づいて識別することによって、上記処理液ノズルの流路内の処理液の液面の変化の有無を更に判定する、ことを特徴とする液処理装置。 - 請求項11に記載の液処理装置において、
上記光源は、上記処理液ノズルの流路内の上記処理液の所定の液面位置より上方に設置されると共に、上記液面位置にある液面に対し上記光源と上記撮像部のなす鉛直方向の角度が120度から160度の位置に設置される、ことを特徴とする液処理装置。 - 基板保持部に水平に保持された基板の表面に、処理液供給部から処理液を供給して上記基板の表面に向けて吐出させて液処理をする液処理方法において、
上記処理液供給部から供給される上記処理液の流路を形成した処理液ノズルと、光を基板表面に向けて照射し、上記基板表面に反射されてから、上記処理液ノズルの先端部から基板表面間の領域に光を照射する光源と、上記処理液ノズルと基板表面間のうちの、少なくとも上記処理液ノズルの先端部から上記基板表面間の領域を撮像する撮像部と、上記処理液ノズルから上記基板に向けて上記処理液を吐出するための吐出信号を出力すると共に上記撮像部により撮像を開始させる制御部と、上記基板に向けて吐出される処理液中に上記光が入射して上記処理液に反射されたときの光の明暗を撮像する撮像結果に基づいて識別することによって、上記処理液ノズルからの上記処理液の吐出の有無及び上記処理液ノズルから吐出される上記処理液の吐出状態の変化の有無を判定する判定部と、を備えた液処理装置を用いた液処理方法であって、
上記処理液ノズルから処理液を吐出する前に、光を基板表面に向けて照射し、上記基板表面に反射されてから、上記処理液ノズルの先端部から基板表面間の領域に光を照射する工程と、
上記処理液ノズルと基板表面間のうちの、少なくとも上記処理液ノズルの先端部から上記基板表面間の領域を撮像する工程と、
上記基板に向けて吐出される処理液中に上記光が入射して上記処理液に反射されたときの光の明暗を撮像する撮像結果に基づいて識別することによって、上記処理液ノズルからの上記処理液の吐出の有無及び上記処理液ノズルから吐出される上記処理液の吐出状態の変化の有無を判定する工程と、
を含むことを特徴とする液処理方法。 - 請求項13に記載の液処理方法において、
上記撮像結果と、上記判定部に記憶された上記処理液ノズルからの上記処理液の吐出の有無及び上記処理液ノズルから吐出される上記処理液の吐出状態の変化の有無を判断する基準となる基準情報とに基づいて上記処理液ノズルにおける処理液の吐出のタイミングのずれを判定する工程を更に含むことを特徴とする液処理方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011027020A JP5457384B2 (ja) | 2010-05-21 | 2011-02-10 | 液処理装置及び液処理方法 |
KR1020110036902A KR101605923B1 (ko) | 2010-05-21 | 2011-04-20 | 액 처리 장치 |
CN201110121754.9A CN102270560B (zh) | 2010-05-21 | 2011-05-09 | 液处理装置 |
US13/105,040 US8356951B2 (en) | 2010-05-21 | 2011-05-11 | Wet-processing apparatus |
TW100117601A TWI500100B (zh) | 2010-05-21 | 2011-05-19 | Liquid handling device |
SG2011037090A SG176393A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-05-19 | Wet-processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010116905 | 2010-05-21 | ||
JP2010116905 | 2010-05-21 | ||
JP2011027020A JP5457384B2 (ja) | 2010-05-21 | 2011-02-10 | 液処理装置及び液処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012009812A JP2012009812A (ja) | 2012-01-12 |
JP5457384B2 true JP5457384B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=44972566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011027020A Active JP5457384B2 (ja) | 2010-05-21 | 2011-02-10 | 液処理装置及び液処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8356951B2 (ja) |
JP (1) | JP5457384B2 (ja) |
KR (1) | KR101605923B1 (ja) |
CN (1) | CN102270560B (ja) |
SG (1) | SG176393A1 (ja) |
TW (1) | TWI500100B (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5537581B2 (ja) * | 2012-03-08 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 塗布装置及び塗布体の製造方法 |
CN103365075B (zh) * | 2012-03-26 | 2017-06-23 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种能消除晶圆表面彩纹的光刻工艺方法 |
JP5779168B2 (ja) * | 2012-12-04 | 2015-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 周縁部塗布装置、周縁部塗布方法及び周縁部塗布用記録媒体 |
JP6018528B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2016-11-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR101567195B1 (ko) * | 2013-03-14 | 2015-11-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 토출 검사 장치 및 기판 처리 장치 |
JP6116312B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-04-19 | 株式会社Screenホールディングス | 吐出検査装置および基板処理装置 |
JP5993800B2 (ja) * | 2013-05-21 | 2016-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置および液面検出方法 |
JP6207951B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-10-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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JP6251086B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2017-12-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6306998B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2018-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、吐出量計測方法及び記録媒体 |
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JP6332095B2 (ja) | 2015-03-20 | 2018-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置 |
US9589820B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and adjustment method |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2011
- 2011-02-10 JP JP2011027020A patent/JP5457384B2/ja active Active
- 2011-04-20 KR KR1020110036902A patent/KR101605923B1/ko active IP Right Grant
- 2011-05-09 CN CN201110121754.9A patent/CN102270560B/zh active Active
- 2011-05-11 US US13/105,040 patent/US8356951B2/en active Active
- 2011-05-19 TW TW100117601A patent/TWI500100B/zh active
- 2011-05-19 SG SG2011037090A patent/SG176393A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110128231A (ko) | 2011-11-29 |
US20110286738A1 (en) | 2011-11-24 |
SG176393A1 (en) | 2011-12-29 |
CN102270560B (zh) | 2015-03-04 |
KR101605923B1 (ko) | 2016-03-23 |
TWI500100B (zh) | 2015-09-11 |
CN102270560A (zh) | 2011-12-07 |
US8356951B2 (en) | 2013-01-22 |
TW201220417A (en) | 2012-05-16 |
JP2012009812A (ja) | 2012-01-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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