JP7331568B2 - 液処理装置及び液処理装置の液検出方法 - Google Patents

液処理装置及び液処理装置の液検出方法 Download PDF

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Description

本開示は、液処理装置及び液処理装置の液検出方法に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、基板である半導体ウエハ(以下、ウエハと記載する)に、レジストなどの各種の処理液をノズルから吐出して処理が行われる。特許文献1では、ノズルを撮像部により経時的に繰り返し撮像し、その吐出口部分に存在する異物のデータを取得し、異常の有無を判定することについて記載されている。上記の異物としては、液滴、固形物または傷であることが記載されている。
特開2015-153903号公報
本開示は、基板に液処理を行うにあたり、処理が異常となることを確実性高く防ぐことができる技術を提供する。
本開示の液処理装置は、基板が載置される載置部と、
前記載置部に載置された前記基板に処理液を供給して処理を行うノズルと、
前記ノズルを撮像して、画像データを取得するための撮像部と、
前記ノズルからの前記処理液の供給が行われない期間内における互いに異なるタイミングで取得された複数の前記画像データに基づいて、前記ノズル内に設けられる前記処理液の流路における当該処理液または当該処理液以外の液体によって形成される液面を検出する検出部と、
を備え
前記検出部は、取得された各画像間の互いに対応する位置の画素のパラメータの比較に基づいて、前記液面を検出する。
本開示の他の液処理装置は、基板が載置される載置部と、
前記載置部に載置された前記基板に処理液を供給して処理を行うノズルと、
前記ノズルを撮像して、画像データを取得するための撮像部と、
前記ノズルからの前記処理液の供給が行われない期間内における互いに異なるタイミングで取得された複数の前記画像データに基づいて、前記ノズル内に設けられる前記処理液の流路における当該処理液または当該処理液以外の液体によって形成される液面を検出する検出部と、
を備え、
前記撮像部による撮像中に前記液面を振動させるための振動付与部と、
を備え、
前記検出部は、前記画素のパラメータについて予め設定された範囲となる領域の前記複数の画像間における位置の変動に基づいて、前記液面を検出し、
前記期間は、前記ノズルから前記処理液の吐出及び前記ノズルから当該ノズルの上流側の流路へ向けた前記処理液の引き込みが行われない連続した期間である。
本開示によれば、基板に液処理を行うにあたり、処理が異常となることを確実性高く防ぐことができる。
本開示の液処理装置の一実施形態であるレジスト膜形成装置の斜視図である。 前記レジスト膜形成装置の縦断側面図である。 前記レジスト膜形成装置に設けられるノズル及び配管の縦断側面図である。 前記ノズルの側面図である。 前記ノズルを撮像して得られる画像データの模式図である。 前記ノズルの側面図である。 前記ノズルを撮像して得られる画像データの模式図である。 前記ノズルの基準データの一例を示す模式図である。 前記画像データの処理を示す説明図である。 前記画像データの処理を示す説明図である。 前記ノズルの異常を検出するためのフロー図である。 前記ノズルの異常を検出するためのフロー図である。
本開示の液処理装置の一実施形態であるレジスト膜形成装置1について、図1の斜視図及び図2の縦断側面図を参照しながら説明する。レジスト膜形成装置1は、ウエハWに処理液としてレジストを供給して、スピンコーティングによる当該レジストの塗布を行い、レジスト膜を形成する。
図中11は、ウエハWが載置される載置部であるスピンチャックである。当該スピンチャック11は、ウエハWの裏面中央部を吸着し、当該ウエハWを水平に保持する。図2中12は回転機構であり、垂直な軸部13を介してスピンチャック11に接続されている。回転機構12によって当該スピンチャック11が回転し、スピンチャック11に保持されたウエハWが中心軸回りに回転する。
図中21はカップであり、回転するウエハWから飛散したり、こぼれ落ちたりした排液を受け止めるために、スピンチャック11に保持されるウエハWを囲むように設けられている。図2中22は、カップ21の底部に開口する排液口である。図2中23はカップ21の底部に起立して設けられた排気管であり、レジスト膜形成装置1におけるウエハWの処理中にカップ21内を排気する。図中24は、3本の垂直な昇降ピン(図2では2本のみ表示している)であり、ウエハWの回転方向に沿って間隔を空けて設けられており、昇降機構25により垂直に昇降して、図示しない搬送機構とスピンチャック11との間で、ウエハWの受け渡しを行う。
図中31はカップ21の外側に設けられた移動部であり、ガイド32に沿って水平移動する。移動部31からは、当該移動部31の移動方向と直交するように、アーム33が水平に伸び出しており、移動部31により当該アーム33は垂直に昇降する。アーム33の先端部にはノズル保持部34が設けられ、当該ノズル保持部34の下側には、ノズル41が保持されている。ノズル41は、例えばアーム33の水平移動方向に沿って多数設けられているが、図1では2つのみ設けられているものとして示している。この2つのノズル41を互いに区別するために、41A、41Bとして各々示す場合が有る。各ノズル41は移動部31の動作により、後述の待機部14と、ウエハWの中心部上におけるレジストを吐出する吐出位置との間で移動することができる。
また、ノズル保持部34におけるアーム33に接続される側とは逆側には、照明部35が設けられており、各ノズル41に光を照射する。そして、アーム33の下面側には、撮像部であるカメラ36が設けられており、照明部35によって光が照射されたノズル41を撮像する。そして、カメラ36はこの撮像により取得された画像データを、後述の制御部7に送信する。この画像データは、被撮像領域についての輝度の情報を含むデータである。カメラ36の光軸は斜め下方に向けられており、当該カメラ36は、後述のノズル41内の流路42における各液面を、僅かに上方から撮像する。
ノズル41及びノズル41に接続される配管の構成を示す図3も参照しながら説明を続ける。ノズル41は縦長の円筒体であり、側面視、ノズル41の下部側の周面は、上部側の周面に対して屈曲しており、当該ノズル41の下部側は尖端形状となっている。そして、ノズル41内には、垂直下方に向けてレジストを吐出するための流路42が設けられている。上記のカメラ36により流路42における液面の撮像を行うことができるように、ノズル41は構成されている。具体的に述べると、ノズル41は照明部35から照射される光を高い透過率で透過するように構成されており、そのように光を透過できればノズル41の透明度は高くてもよいし、低くてもよい。照明部35から照射される光は、例えば赤外光であってもよいし、可視光であってもよい。
ノズル保持部34には、ノズル41毎に設けられる三重管51の一端が接続されており、当該三重管51を構成する各管を内側から外側へ向けて、内管52、中管53、外管54とする。なお、図1、2では三重管51の表示を省略している。内管52と中管53との間の流路55と、中管53と外管54との間の流路56とが、ノズル保持部34に設けられる流路37を介して接続されている。また、三重管51の他端側には流路55と流路56とを接続すると共に、ポンプ57及び、温度調整機構58が介設された配管59とが設けられている。
流路55、56、36及び配管59内の流路は、流体、例えば水が循環する循環路として構成されている。上記のポンプ57は流路56側からの水の吸引と流路55側への水の吐出とを行う。温度調整機構58は、ポンプ57の動作により上流側から供給される水を温度調整して下流側に供給する。例えばポンプ57、温度調整機構58は各三重管51で共用される。そして、レジスト膜形成装置1の稼働中、ポンプ57は、上記の吸引及び吐出を周期的に行い、水(温調水)は循環路を脈動する。上記のアーム33によって空中に支持されるノズル41は、この温調水の脈動による振動が伝搬され、主に上下方向に微小に周期的に振動する。従って、流路55、56、36、配管59内の流路及びポンプ57により、振動付与部が構成されている。
内管52内はレジストの流路37であり、上記の温調水の循環によって、当該流路37を流通するレジストが温度調整される。内管52の上流側は、サックバックバルブ43、ポンプ44を順に介して、レジストの供給源45に接続されている。処理液供給部であるポンプ44により、レジスト供給源45に貯留されるレジストが、ノズル41に圧送される。また吸引部であるサックバックバルブ43により、内管52における当該サックバックバルブ43よりも下流側の部位が吸引されて負圧となり、ノズル41の外部からノズル41の流路42への液の吸引、及びノズル41の流路42側から内管52側への液の引き込みが行われる。
サックバックバルブ43、ポンプ44、レジスト供給源45についてはノズル41毎に設けられ、各ノズル41は個別にレジストの吐出及び後述の流路42における空気層及びシンナー層の形成を行うことができる。また、各レジスト供給源45には互いに異なる種類のレジストが貯留される。つまり、ノズル41毎に異なるレジストが吐出されるように構成されており、ウエハWのロットに応じて選択されたレジストを用いて処理が行われる。
カップ21の外側には、待機部14が設けられている。ウエハWに処理を行わないときには各ノズル41は、当該待機部14に設けられる凹部15内に、上方側から進入した状態で待機する。そして、待機部14は、凹部15内における乾燥防止液であるシンナー(処理液以外の液体)の供給と、凹部15内からの排液とを行えるように構成されている。従って、待機部14は乾燥防止液供給部として構成されている。
続いて、ノズル41を、カメラ36の光軸に沿って見た状態を示す図4も参照しながら、説明を続ける。上記の待機部14におけるシンナーの供給と、既述のサックバックバルブ43の吸引との協働により、ノズル41の流路42において、空気層61、シンナー層62、空気層63、レジスト層64を上流側に向けて、順に形成された状態(封止状態)とすることができる。待機部14にて待機中の各ノズル41について当該封止状態とされるが、図4の模式図ではノズル41Aについてのみ、封止状態とされた様子を示している。この封止状態の形成により、流路42におけるレジストの乾燥による固化を抑制することができる。
上記のような封止状態が形成されるため、シンナー層62、レジスト層64の各々と空気層61、63の各々との間には液面65が形成される。なお、空気層63は、シンナー層62からレジスト層64へのシンナーの浸透を防ぐために形成される。空気層61は、ノズル41の移動中において当該ノズル41からシンナーの落下を防ぐために形成される。
ウエハWに処理を行うためにノズル41が待機部14から搬出される直前に、当該ウエハWに処理を行うノズル41についてのみ、上記のポンプ44の動作により、当該待機部14の凹部15内へのレジストの吐出(ダミーディスペンス)が行われる。それによって、空気層61、63、シンナー層62が除去される。ダミーディスペンス後、ノズル41の流路42からレジストが液滴として落下することを防止するために、サックバックバルブ43による吸引が行われ、流路42においてレジスト層74の液面65が引き上げられ、吐出準備状態とされる。図4ではノズル41Bが、当該吐出準備状態とされた様子を示している。このように一のノズル41が吐出準備状態とされた後に、各ノズル41は、待機部14から搬出される。
続いて、レジスト膜形成装置1におけるウエハWの処理について説明する。待機部14にて各ノズル41が、上記の封止状態とされて待機している。一方、ロットの先頭のウエハWがスピンチャック11に載置される。当該ロットのウエハWを処理するように予め設定されたノズル41についてダミーディスペンスが行われ、吐出準備状態とされる。然る後、各ノズル41は上昇して待機部14の凹部15内からウエハW上へ移動し、吐出準備状態とされたノズル41がウエハWの中心部上の処理位置へと移動する。
その後、当該ノズル41からレジストが吐出され、ウエハWが回転し、レジストがウエハWの周縁部へと展伸されて、レジスト膜が形成される。その後、搬入出されるウエハWとの干渉を防ぐためにノズル41が一旦カップ21上から退避し、処理済みのウエハWがレジスト膜形成装置1から搬出される。続いて、処理済みのウエハWと同じロットのウエハWがスピンチャック11に載置され、先に処理されたウエハWと同様に処理される。そして、同じロットに属するウエハWの処理が全て終了すると、ノズル41は待機部14に戻り、使用されたノズル41が封止状態とされる。
このように一連の処理が行われるにあたり、ノズル41が待機部14の凹部15から上昇して当該待機部14上に位置している期間を第1の異常検出期間とする。また、ロットの先頭のウエハW上にノズル41が移動し、当該ウエハWにレジストを吐出する直前の期間を、第2の異常検出期間とする。これらの第1の異常検出期間、第2の異常検出期間にて、夫々照明部35からの光照射及びカメラ36によるノズル41の撮像が行われ、各ノズル41について、後述する液面の位置及び液滴の付着に関する異常の有無の判定が行われる。
なお、このように撮像が行われる各異常検出期間は、後述のようにノズル41内の液面の位置を検出できるように、ポンプ44及びサックバックバルブ43の動作が行われない期間である。つまり、ノズル41からのレジストの吐出及びノズル41から流路42への液の引き込みが行われない連続した期間である。即ち、異常検出期間はポンプ44及びサックバックバルブ43が各々動作停止した後、次にこれらのいずれかが動作開始するまでの期間である。第1の異常検出期間、第2の異常検出期間においては、夫々カメラ36により断続的に撮像が行われ、複数の画像データ(フレーム)が取得される。より具体的には、例えば30fps~500fps、さらに具体的には例えば30fps~120fpsのフレームレートで、例えば0.05秒~1秒の間、さらに具体的には例えば約0.66秒撮像が行われる。従って、互いに異なるタイミングで画像データが取得される。なお、液面の揺れの周期に合わせることを目的として、2~3秒程度撮像するようにしてもよい。
ところで、図4で説明した吐出準備状態とされたノズル41について、流路42におけるレジストの液面65の高さが低すぎると、ウエハWにレジストが液滴として落下してしまうことが考えられる。反対に流路42におけるレジストの液面65の高さが、高すぎるとウエハWに供給されるレジストの量が設定量よりも少なくなり、レジスト膜の膜厚が設定値からずれてしまうことが考えられる。一方、封止状態とされたノズル41については、シンナー層62の下側の液面65の高さが低すぎると、ウエハWにシンナーが液滴として落下してしまうことが考えられる。また、シンナー層62における上側の液面65と下側の液面65との間隔が小さすぎる、即ちシンナー層62の厚さが小さいと、レジスト層64が乾燥してしまうおそれがある。このようにノズル41の流路42における各液面65の位置が異常になることで、ウエハWの処理に不具合を発生させる懸念が有る。そのため、カメラ36によって取得される画像データから、各液面65を検出することが望まれる。
図5はカメラ36により取得される、液面65の検出が可能である理想的な画像の例を、極めて模式的に示しており、図4に対応して、ノズル41Aが封止状態、ノズル41Bが吐出準備状態となっている。この図5の撮像元のノズル41には、後述する液滴が付着していない。なお、この図5及び後述の図7などでは、輝度が低い領域は黒く塗りつぶし、輝度がやや低い領域はドットを付した領域とし、輝度が高い領域は白抜きの領域として夫々表している。またドットの粗密により、輝度の程度を表す場合が有る。照明部35からの光照射により、ノズル41の外縁と各液面65とが光った(光反射した)状態で撮像されることで、画像中、ノズル41の外縁及び各液面65については、周囲よりも高い輝度を有している。従って、輝度に基づいて、封止状態のノズル41A、吐出準備状態のノズル41Bの外縁(エッジ)を特定し、これらノズル41A、41Bにおける液面65の位置を検出することができる。
ところがノズル41の状態によっては、液面65の検出が困難となる場合が考えられる。図6、図7を参照しながら具体的な一例を説明する。図6は撮像元のノズル41を示し、図7は図6のノズル41から得られる画像の模式図である。流路42においては、例えばレジストの液面65が乾燥、固化し、図6に示すように、液面65と同様の大きさの汚れ66となって残ることが考えられる。そして、この汚れ66についても液面65と同様に撮像時に光り、画像中において液面65と同様ないしは略同様の輝度を有する領域となってしまうおそれが有る。
さらに、ノズル41の外周面には、例えば待機部14にて供給されるシンナーなどが液滴67として付着したまま残るおそれが有る。このノズル41の外側に付着した液滴67が液面65に重なることで、液面65からカメラ36に向かう光が遮られ、画像中における液面65の輝度が低くなってしまう場合が有る。なお、図7では液面65の一部に液滴67が重なることで重なった領域の輝度が低くなり、液面65が欠けたように見える例を示している。このような図7の画像からは、液面65の検出を行うことができず、その一方で、汚れ66が液面65として検出されてしまうおそれが有る。
図7について補足して説明しておく。カメラ36から見たときに液滴67がノズル41の外縁に重なることで、液面65からの光と同様、この外縁からの光もカメラ36に入射し難くなる。つまり、カメラ36から見たノズル41の外縁において液滴67に重なった部位については、画像中で輝度が低い領域として表される。従って図7では、図5と比べて明らかなように、ノズル41の外縁について、液滴67に覆われた部位が欠けたように示されている。
また、上記したようにノズル41の外周面は屈曲部を備える。液面65の位置によっては当該液面からの反射光がノズル41の屈曲部にて比較的大きく屈折することで、カメラ36に十分に入射せず、輝度が低くなってしまうことが考えられる。それにより、画像において液面65と液面65の周囲とのコントラストが低くなってしまい、当該液面65の検出が困難となるおそれが有る。
その他に、上記の液滴67がウエハWに落下すると、処理に不具合が生じてしまうおそれが有る。従って液面65の他に、ノズル41に付着する液滴67についても画像から検出することが望まれる。そのように液滴67を検出するにあたり、付着する液滴67が大きいほど、ウエハWに落下したときに処理に与える影響が大きくなるため、当該液滴67の大きさについて推定し、当該大きさに応じた対処を行うことが望まれる。
レジスト膜形成装置1は上記した各問題に対処することができるように構成されている。以下、図1に示す、レジスト膜形成装置1に設けられるコンピュータである制御部7について説明する。液面65を検出する検出部である制御部7は、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、上述のようにレジスト膜形成装置1が動作し、ウエハWにレジスト膜が形成されるように命令(ステップ群)が組まれたプログラム71が格納されている。当該プログラム71によって、制御部7からレジスト膜形成装置1の各部に制御信号が出力されることで、上記のレジスト膜の形成が行われる。また、当該プログラム71によって、画像データに基づいた各液の液面65の検出、液滴67の検出、液滴67の大きさの推定が行われ、さらにこれらの検出結果及び推定結果に基づいた異常判定が行われる。プログラム71は、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードまたはDVDなどの記憶媒体に収納された状態で、プログラム格納部に格納される。
また制御部7に含まれるメモリ72には、ノズル41における液滴67の付着の有無を検出するための基準データ70が記憶されている。この基準データ70は、図8に例示するように、液滴67が付着していない状態のノズル41のデータである。さらに詳しくは、画像中におけるノズル41の外縁の位置を特定するデータである。このデータとしては例えばノズル41の外縁の位置を特定するための座標データのように、画像ではないデータであってもよいし、ノズル41の外縁が特定される画像データであってもよい。図8では説明の便宜上、当該基準データを画像であるものとして表している。さらに制御部7は、音声や画面表示などによりアラームを出力するアラーム出力部73を備えている。液面65の位置の異常が検出されたり、液滴67の付着による異常が検出されたりした場合に、当該アラームが出力される。
続いて制御部7により行われる、液面65の検出手法について説明する。図9は一つの異常検出期間中に取得される多数の画像データ81について、時系列で上下に並べたものである。なおカメラ36により、一括で各ノズル41が撮像されるが、図示の便宜上、画像データ81としては一つのノズル41のみ示している。
制御部7は、取得された多数の画像データ81について重ね合わせて、画像データ82を作成する。この画像データ82の各位置における画素の輝度は、各画像データ81の互いに同じ位置における画素の輝度の最大値となるように重ね合わせ処理(フレーム加算処理)を行う。つまり、4つの画像データ81から画像データ(MAXイメージと記載する場合が有る)82を作成するものとして概略的に説明すると、画像データ81における互いに同じ位置の画素の輝度が各々、30、40、50、60であったとする。その場合には画像データ82の当該位置の画素の輝度を30、40、50、60の中で最大の60とする。つまり、多数の画像データ81における互いに同じ位置の画素を比較した結果、最大値の輝度の画素が選択されて、画像データ82の画素とされていることになる。同様に取得された多数の画像データ81について重ね合わせて、画像データ(MINイメージ)を作成する。このMINイメージの各位置における画素の輝度は、各画像データ81の互いに同じ位置における画素の輝度の最小値である。
そして制御部7は、上記のMAXイメージ82について、例えば輝度に基づいてノズル41の外縁を特定し、さらにこの外縁から、流路42が位置する領域を特定する。そして検出の概要としては、この流路42において、MAXイメージ82、MINイメージの各々で予め設定された値よりも大きい輝度値を有すると共に予め設定された範囲内の大きさの画素のまとまり(特徴領域)があるか否かが判定される。そして、この特徴領域についてMAXイメージとMINイメージとの間で、ピクセル数(面積)の差が比較的大きいものについては、揺れによって輝度の変動が比較的大きくなるもの、即ち液面65である可能性が有る。従ってピクセル数の差が閾値よりも大きく、且つ例えばその重心について、ノズル41の縦方向の中心線から閾値以内となる特徴領域を、液面65として検出する。一方で、上記の輝度の差が閾値以下のものについては汚れ(傷も含む)66として検出する。
より具体的に、MAXイメージとMINイメージとを用いた液面65の検出手法について述べる。なお、後述のフローのステップS3においては、例えば以下のようにして液面65を特定する。MAXイメージに対して例えば輝度の閾値40として2値化し、2値化した画像から液面65の候補となる2値化エリア(白色となったエリアで、上記の特徴領域に相当)を特定する。同様にMINイメージに対して例えば輝度の閾値40として2値化し、2値化した画像から液面65の候補となる上記の2値化エリアを特定する。そして、ピクセル数について、MAXイメージの2値化エリアと、MINイメージの2値化エリアとを比較し、これらの2値化エリア間のピクセル数の差分値を算出する。続いて、そのピクセル数の差分値が、閾値を超えるか否かを判定する。閾値を超え、且つノズル41の中心線との位置関係が上記の条件を満たしていれば、特定した特徴領域を液面65として判定する。算出したピクセル数が閾値以下である場合には、特定した特徴領域を汚れ(傷も含む)66とみなす。
上記のようにMAXイメージ、MINイメージを夫々2値化することによって、液面65の候補となる特徴領域が存在する範囲を限定できるので、MAXイメージと、MINイメージとの比較処理(ピクセル数の差分値の算出)が容易となる。なお、上記の例では、特徴領域を特定するために予め2値化を行っているが、画像中において特徴領域が現れると予測される領域が既知であれば、特徴領域を特定した後に2値化し、上記の比較処理を行ってもよい。
上記のように付着した液滴67の影響やノズル41の形状の影響により、液面65からカメラ36に入光する光量が少ない場合が有る。しかし、画像データ82の液面65に対応する画素の輝度は、画像データ81の液面65に対応する画素の輝度以上となる。つまり、画像データ82においては、液面65に対応する画素と、その周囲の画素とのコントラストが高くなる。従って、上記のように画像データ82を用いて液面65を検出することで、1つの画像データ81を用いて液面65を検出することに比べて、検出精度を高くすることができる。
さらに補足して説明すると、既述したように温調水の流通によってノズル41は微小に振動しており、その振動によって液面65は揺れている。それ故に時間毎に液面65からカメラ36に入射する光の強度が変化し、例えば時系列では液面65が明滅するように見える場合が有る。従って、一の画像データ81では液面65の輝度が低い一方で、他の画像データ81では液面65の輝度が高い場合が有る。本手法によれば、液面65の輝度が低い画像データ81のみに基づいて検出が行われて液面65の検出が不可になってしまうことを防ぐことができる。
ところで、液体の粘度や色などの要因によっては、時系列で画像を見たときに、上記の液面65の明滅が見える代わりに、液面65が周期的に振動する様子が見える場合が有る。流体であるため、ノズル41の振動よりも液面65の振動は大きい。制御部7は、この液面65の振動(揺れ)に基づいて、当該液面65を検出することができる。
この振動に基づいた液面65の検出について具体的に述べると、一つの異常検出期間にて取得された多数の画像データ81について、輝度に基づいてノズル41の外縁を特定し、さらにノズル41の流路42に相当する範囲を特定する。そして、当該範囲に位置する上記の特徴領域(所定の大きさ及び所定の輝度を持つ画素のまとまり)を液面65と推定する。多数の画像データ81の中から、この液面65と推定される特徴領域が存在する画像データ81を選ぶ。続いて、選ばれた各画像データ81において、この液面65と推定される特徴領域について、例えば重心を算出する。そして特徴領域毎に、画像データ81間における重心の変移量を検出し、この変移量が予め設定された基準値を超えている特徴領域について、液面65として特定する。
図10を用いて、より具体的にこの液面65の検出手法について説明する。図10は液面65と推定される特徴領域があるとして選ばれた画像データ81を模式的に表し、時系列で並べたものであり、矢印で示すように画像の状態が順番に推移しているものとする。なお図10では、図が不明確となることを防ぐために、既述の画像を表す各図で明暗を示す目的で付したドットや黒塗りを省略している。
図10に示す例では、液面65に対応する特徴領域及び図6で説明した汚れ66に対応する特徴領域が、夫々液面65として推定されているものとし、これらの特徴領域について夫々重心が算出されたものとする。実際の液面65の特徴領域の重心をP1、汚れ69の特徴領域の重心をP2として夫々図中に示している。画像データ81間における重心P1の変移量(図10中L1として表示している)、重心P2の変移量が夫々算出される。ここでは重心P2の変移量は略0で基準値を超えず、重心P1の変移量L1は、基準値を超えたものとする。従って、重心P1の変移量が基準値を超える特徴領域が正しく液面65として特定され、汚れ69に対応する特徴領域については液面65としては特定されない。つまり、画像データ81間における、輝度について予め設定した領域の位置の変動に基づき、液面65が特定される。
続いて、制御部7によって行われる液滴67の検出手法について説明する。この検出には図8で説明したノズル41の基準データ70が用いられる。制御部7は、取得された画像の各画素の輝度に基づき、画像中のノズル41の外縁を検出する。そして、検出した外縁と基準データ70におけるノズル41の外縁とを比較し、取得された画像において、ノズル41の外縁の欠けの有無を検出する。基準データ70が座標データである場合は、上記の画像中のノズル41の外縁の検出は、外縁の座標の特定であり、特定した座標と基準データ70の座標とを比較して、欠けの有無を検出することになる。上記のように一つの異常検出期間においては多数の画像データが取得されるが、この外縁の欠けを検出するには、例えば任意の1つの画像データ81を用いればよい。
そして、外縁の欠けが検出された場合には、液滴67が付着しているものとみなし、この欠けの長さ(欠けた部分のノズル41の外縁の長さ)L2(図7参照)を検出する。つまり、画像データ81から検出されるノズル41の外縁と、予め記憶されたデータのノズル41の外縁とが重複しない距離が求められる。この欠けの長さL2が、液滴67の大きさに対応するものとみなして、後述するように異常判定が行われる。
続いて異常検出期間において制御部7により行われる、上記の液面65及び液滴67の検出を含むノズル41の異常判定のフローの一例について、図11、図12のチャート図を参照しながら説明する。ここでは上記した待機部14からノズル41を搬送する際の第1の異常検出期間において、異常判定が行われる手順を説明する。
先ずノズル41が待機部14から上昇すると照明部35により各ノズル41に光照射されると共にカメラ36による撮像が行われ、上記したフレームレートで画像データ81が取得される(図11中、ステップS1)。続いて取得された画像データ81について、図9で説明したように重ね合わせの画像データ(MAXイメージ)82及びMINイメージが作成される(ステップS2)。そして、このMAXイメージ82及びMINイメージを用いて、液面65の数及び位置について正常か否かが判定される。より具体的には、上記の所定の輝度を有し且つ所定の大きさの画素のまとまり(特徴領域)が、画像中の流路42の範囲内に適切な数、位置しているか否かが判定される(ステップS3)。なお、封止状態、吐出準備状態となっているノズル41で、然るべき液面65の位置、数は夫々異なるので、例えば吐出状態のノズル41、吐出準備状態のノズル41の夫々について予め設定された基準に基づいて、当該判定が行われる。
ステップS3で、液面65の数、位置について異常有りと判定された場合、画像データ82において特徴領域の数が規定値よりも多いか否か判定される。つまり画像中で液面65と推定される特徴領域について、本来の数よりも多いか否か判定される(ステップS4)。ステップS4で特徴領域の数が規定値よりも多いと判定された場合は、汚れ66がノズル41に付着している可能性が有る。そこで図10で説明したように、各特徴領域が存在する画像データ81について、各特徴領域の重心を算出し、画像データ81間での重心の位置の変移量の検出、検出した変移量と基準値との比較を行うことで、各特徴領域が液面65か否かを判定し、液面65を特定する(ステップS5)。そして、特定した液面65の位置が正常か否かを判定する(ステップS6)。
ステップS6で液面65の位置が正常であると判定された場合、及びステップS2で液面65の数及び位置について正常であると判定された場合は、液面65について異常は無く、ウエハWの処理を中止しないものとする(ステップS7)。一方、ステップS6で液面65の位置が異常であると判定された場合、及びステップS4で特徴領域が本来の数よりも多い異常では無いと判定された場合はアラームが出力され、ウエハWへの処理が中止される。従って、ウエハW上へのノズル41の搬送が中止される(ステップS8)。なお、ステップS3で液面の数が正常か否か判定しているため、ステップS4でこのように特徴領域が多い異常ではないと判定されるということは、検出されるべき液面65が検出されなかったということである。
このように液面65についての異常判定が行われる一方で、液滴67についての異常判定が行われる。先ず、基準データ70と取得された画像データのうちの一つとが比較され(図12中、ステップT1)、図7で説明したように、取得された画像中のノズル41の外縁に欠けが有るか否かが判定される(ステップT2)。このステップT2において外縁に欠けが有ると判定された場合は、欠けの大きさL2が予め設定された閾値を超えているか否か判定される(ステップT3)。上記のように欠けの大きさL2は、液滴67の大きさに対応し、欠けの大きさL2が閾値を超えている場合、液滴67がノズル41から落下する可能性が高いのでアラームが出力され、ウエハWの処理が中止される。従って、ウエハW上へのノズル41の搬送が中止される(ステップT4)。
ステップT2でノズル41の外縁に欠けが無いと判定された場合、及びステップT3で液滴67の大きさが基準値以下と判定された場合には、ウエハWの処理を中止しないものとする(ステップT5)。液面65についてのフローのステップS7でウエハWへの処理が中止しないとされ、且つ当該ステップT5でウエハWへの処理が中止しないとされた場合は、液面65及び液滴67による異常が無いとして、ノズル41がウエハW上に搬送される。
待機部14からノズル41を搬出した直後の第1の異常検出期間に行われるフローについて説明したが、ノズル41をウエハW上に位置させた後の第2の異常検出期間についても同様のフローが実行される。なお、この第2の異常検出期間に行われるフローにおいて、ステップS8、T4でウエハWの処理を中止すると決定された場合には、ウエハW上に搬送されているノズル41から、ウエハWへのレジストの吐出が中止される。このレジスト吐出の中止のタイミング次第では、例えば次にレジスト膜形成装置1に搬送されるロットのウエハWの処理を中止する、即ち当該ロットのレジスト膜形成装置1への搬送を中止したり、モジュールブロックを実行するケースも有る。モジュールブロックとは、当該レジスト膜形成装置1へ搬送される予定となっていた各ロットについて、ウエハWの搬送が中止されるように、レジスト膜形成装置1にウエハWを搬送する搬送機構の動作を制御することである。
このレジスト膜形成装置1については、複数の画像データ81に基づき、ノズル41の流路42における液面65の検出を行うため、精度高く当該液面65の検出を行うことができる。従って、この液面65の位置の異常に起因する液処理の異常の発生を、確実性高く防ぐことができる。また、この液面65は、画像データ81間での液面65と推定される特徴領域の位置の変動を検出することによって行う。そのように液面65の振動を検出することで、液面65と液面65以外のノズル41の付着物とを精度高く区別することができ、結果として、より確実に当該液面65を検出することができる。さらに、そのように液面65の振動に基づいた検出が行われる他、画像データ81の重ね合わせによっても液面65の検出が行われる。このように異なる手法の検出が併用されることで、さらに確実に液面65を検出することができる。
さらに、レジスト膜形成装置1については、画像データ81に基づいてノズル41に付着した液滴67の有無を検出することで、液処理において異常の発生をより確実に防止することができる。さらに、この画像データ81から、ノズル41に付着した液滴67の大きさに相当するノズル41の外縁の欠けの大きさを検出し、検出した大きさに基づいて異常の判定を行っている。従って、必要以上に処理が中止されることを防ぐことができる。ただし、液滴67が検出されたらその大きさに関わらず、ウエハWの処理が中止されるようにしてもよい。
ところで、液滴67の有無を検出するにあたり、一つの画像データ81と基準データとの比較を行っているが、そのように一つの画像データ81を用いて比較することには限られない。例えば図9で説明した重ね合わせた画像データ82と基準データとを比較して、液滴67の有無を検出してもよい。
また、振動に基づいた液面65の検出については、上記のように行うことに限られない。例えば上記のように算出した特徴領域の重心P1、P2について変動量が基準値を超えるか否か判定することに加えて、重心P1、P2の移動方向が上下方向に繰り返されているか否かも、特徴領域が液面65であるか否かの判定基準にしてもよい。さらに、ノズル41の振動が周期的であることにより、液面65の揺れについても周期的である。従って、重心P1、P2の上下移動が周期的であるか否かについても特徴領域が液面65であるか否かの判定基準としてもよい。さらに例えば、予め実験により特徴領域の重心の振動周期を求めておき、撮像して得られた特徴領域の振動周期がこの振動周期に一致しているか否かについて、判定基準とすることもができる。なお、特徴領域の上端または下端の移動量が基準値を超えるか否かについて判定することで液面65か否かを判定してもよい。つまり、特徴領域の重心Pを算出して液面65であるか否かを判定することには限られない。
また、画像データ82を作成するにあたり、上記の例では取得された全ての画像データを重ね合わせているが、例えば任意の間隔で取得された画像データのみを重ね合わせてもよい。つまり液面65の検出を行うにあたり、取得された多数の画像データ81の一部のみを用いてもよい。そして、上記の例では各画像データ81の互いに同じ位置の画素を比較して輝度の最大値を求めているが、若干ずれた位置における画素を比較するようにしてもよい。具体的には、上記のようにノズル41は微小に振動しているため、各画像データ81間でその位置が僅かに異なる。画像データ81間でノズル41の外縁が揃うように重ね合わせ、重なり合った画素間の最大値を各位置について求めて、画像データ82を作成するようにするようにしてもよい。このように画像間で互いに対応する位置(同じ位置を含む)の画素の輝度を比較することで、最大値を求めて液面65の位置の特定を行うことができる。
また、図11、図12で示した処理を中止するか否かの判定は一例である。例えば液面65が検出されず、液滴67が検出された場合には、図7で示した例のように、液滴67によって液面65が隠されていることが考えられるので、液面65は正常であるものとみなして、処理を続行するようにしてもよい。レジスト膜形成装置1によれば、このように液面65及び液滴67の両方を検出するため、これらの検出結果に応じて、自由度が高い対応をとれる利点が有る。
なお、液面65を振動させて当該液面65の検出を行うにあたり、水晶振動子などの振動子をアーム33に設けて、ノズル41を振動させることで液面65を振動させてもよい。つまり、レジスト膜形成装置1において、温調水の流通機構が設けられない構成であってもよい。さらに、レジスト膜形成装置1に例えば上方に向けてガスを吐出するガスノズルを設け、例えばノズル41を撮像する際に、当該ガスノズルの上方側へノズル41を配置する。そして、このガスノズルからガスがノズル41内の液層に吹き付けられることで、ノズル41内の液面65が揺れる構成としてもよい。つまり、ノズル41を振動させることで液面65が振動するように装置を構成することには限られない。なお、上記のようにガスを吹き付けるにあたりノズル41に付着した液滴67は吹き飛ばされたり、位置が変わるので、このガスの吹き付け中、あるいは吹きつけ前後の画像から、ノズル41に付着したものが液滴67か、液滴67ではない固着物かの判別が可能になる。さらに、上記の例では、アーム33にカメラ36及び照明部35が設けられているが、例えばカップ21に固定して設けることで、ノズル41からレジストを吐出する直前の期間のみ、異常判定を行うようにしてもよい。つまり、カメラ36及び照明部35を設ける場所はアーム33に限られない。
上記の例では、液面65の位置、液滴67の大きさについて異常となったときに、対処動作として、ウエハWの処理の中止とアラームの出力とを行っている。対処動作としてはこのような動作に限られず、ノズル41を待機部14に戻した後のダミーディスペンスの実行や、待機部14へのシンナーの供給による液滴67の除去などを行うようにしてもよい。また、上記の例では液滴67の大きさが比較的小さい場合には異常無しとして対処動作を行わないが、液滴67の付着が検出された場合には大きさに関わらず異常として、上記の各対処動作が行われてもよい。
本技術は、レジスト膜形成装置1以外の各種の液処理装置についても適用可能である。例えば露光されたレジスト膜を現像する現像液、反射防止膜形成用の薬液、絶縁膜形成用の薬液などが処理液としてノズルから、ウエハWに供給される装置に本技術を適用することができる。その他に、薬液供給前のプリウエットとしてウエハWに供給されるシンナー、レジストの保護膜形成用の薬液、ウエハWを貼り合わせるための接着剤などが処理液として、ノズルからウエハWに吐出される装置に本技術を適用することができる。なお、上記のレジスト膜形成装置1についても例えばウエハWへのレジストの供給前にプリウエットが行われるが、説明の複雑化を避けるために、プリウエットを行うノズルについての説明は省略している。
また、カメラ36はモノクロの画像データを取得するが、当該カメラ36の代わりに、カラーの画像データを取得するカメラを設けてもよい。その場合、画素のパラメータとして、輝度の代わりに例えば画像データのRGB値に基づいて、画像データ81、82中におけるノズル41の外縁や液面65の特定を行うことができる。つまり、画像中の色に基づいて、液面65の位置の検出や液滴67の検出を行うことができる。従って、画素のパラメータとして、輝度を利用することには限られない。
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよいし、互いに組み合わされてもよい。
W ウエハ
1 レジスト膜形成装置
11 スピンチャック
36 カメラ
41 ノズル
42 流路
44 ポンプ
65 液面
7 制御部

Claims (11)

  1. 基板が載置される載置部と、
    前記載置部に載置された前記基板に処理液を供給して処理を行うノズルと、
    前記ノズルを撮像して、画像データを取得するための撮像部と、
    前記ノズルからの前記処理液の供給が行われない期間内における互いに異なるタイミングで取得された複数の前記画像データに基づいて、前記ノズル内に設けられる前記処理液の流路における当該処理液または当該処理液以外の液体によって形成される液面を検出する検出部と、
    を備え
    前記検出部は、取得された各画像間の互いに対応する位置の画素のパラメータの比較に基づいて、前記液面を検出する液処理装置。
  2. 前記画素のパラメータは輝度であり、
    前記検出部は、前記複数の各画像間で互いに対応する位置の画素間における輝度の最大値を、画像の各位置について求めて、前記液面を検出する請求項記載の液処理装置。
  3. 基板が載置される載置部と、
    前記載置部に載置された前記基板に処理液を供給して処理を行うノズルと、
    前記ノズルを撮像して、画像データを取得するための撮像部と、
    前記ノズルからの前記処理液の供給が行われない期間内における互いに異なるタイミングで取得された複数の前記画像データに基づいて、前記ノズル内に設けられる前記処理液の流路における当該処理液または当該処理液以外の液体によって形成される液面を検出する検出部と、
    前記撮像部による撮像中に前記液面を振動させるための振動付与部と、
    を備え、
    前記検出部は、前記画素のパラメータについて予め設定された範囲となる領域の前記複数の画像間における位置の変動に基づいて、前記液面を検出し、
    前記期間は、前記ノズルから前記処理液の吐出及び前記ノズルから当該ノズルの上流側の流路へ向けた前記処理液の引き込みが行われない連続した期間である液処理装置。
  4. 前記画素のパラメータは輝度であり、
    前記検出部は、複数の画像間における、予め設定された輝度を有する領域の位置の変動に基づいて前記液面を検出する請求項記載の液処理装置。
  5. 前記振動付与部は、前記ノズルに供給される前記処理液の温度を調整するための流体が流通する流体用の流路と、
    前記流体用の流路において前記流体を流通させるためのポンプと、
    を備える請求項記載の液処理装置。
  6. 前記ノズルに関する基準データが予め記憶されたメモリが設けられ、
    前記検出部は、前記複数の画像データのうちの少なくとも一つと、前記基準データと、に基づいて、前記ノズルの外側への液滴の付着の有無を判定する請求項1ないしのいずれか一つに記載の液処理装置。
  7. 前記検出部は、前記液滴の大きさを推定し、推定した大きさに基づいて対処動作が行われるように制御信号を出力する制御部である請求項記載の液処理装置。
  8. 前記検出部は、検出した前記液面の位置が異常であるときに対処動作が行われるように制御信号を出力する制御部である請求項1ないしのいずれか一つに記載の液処理装置。
  9. 前記ノズル内における処理液の乾燥を防止するための乾燥防止液を当該ノズルの外側に供給する乾燥防止液供給部と、
    前記ノズルから前記乾燥防止液を吸引するための吸引部と、が設けられ、
    前記処理液以外の液体は、当該乾燥防止液であり、
    前記互いに異なるタイミングは、当該吸引部による吸引が行われない期間内のタイミングである請求項1ないし記載の液処理装置。
  10. 基板が載置される載置部と、前記載置部に載置された前記基板に処理液を供給して処理を行うノズルと、を備える液処理装置の液検出方法であって、
    撮像部により前記ノズルを撮像して画像データを取得する工程と、
    検出部により、前記ノズルからの前記処理液の供給が行われない期間内における互いに異なるタイミングで取得された複数の前記画像データに基づいて、前記ノズル内に設けられる前記処理液の流路における当該処理液または当該処理液以外の液体によって形成される液面を検出する工程と、
    を備え
    前記液面を検出する工程は、取得された各画像間の互いに対応する位置の画素のパラメータの比較に基づいて、前記液面を検出する工程を備える液処理装置の液検出方法。
  11. 基板が載置される載置部と、前記載置部に載置された前記基板に処理液を供給して処理を行うノズルと、を備える液処理装置の液検出方法であって、
    撮像部により前記ノズルを撮像して画像データを取得する工程と、
    検出部により、前記ノズルからの前記処理液の供給が行われない期間内における互いに異なるタイミングで取得された複数の前記画像データに基づいて、前記ノズル内に設けられる前記処理液の流路における当該処理液または当該処理液以外の液体によって形成される液面を検出する工程と、
    前記撮像部による撮像中に振動付与部によって前記液面を振動させる工程と、
    前記画素のパラメータについて予め設定された範囲となる領域の前記複数の画像間における位置の変動に基づいて、前記液面を検出する工程と、
    を備え、
    前記期間は、前記ノズルから前記処理液の吐出及び前記ノズルから当該ノズルの上流側の流路へ向けた前記処理液の引き込みが行われない連続した期間である液処理装置の液検出方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11360019B2 (en) * 2017-12-28 2022-06-14 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium using color information of processing liquid of substrate
JP7482662B2 (ja) * 2020-03-25 2024-05-14 東京エレクトロン株式会社 異常検出装置及び異常検出方法
JP2023116089A (ja) * 2022-02-09 2023-08-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および監視方法
JP2023133909A (ja) * 2022-03-14 2023-09-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005210059A (ja) 2003-12-26 2005-08-04 Tokyo Electron Ltd 現像装置及び現像処理方法
JP2010103131A (ja) 2008-10-21 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2012009812A (ja) 2010-05-21 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2013062330A (ja) 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2015153903A (ja) 2014-02-14 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5658615A (en) * 1993-03-25 1997-08-19 Tokyo Electron Limited Method of forming coating film and apparatus therefor
JPH1054748A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Yokogawa Electric Corp 液面位置検出装置
JP2006278966A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp 半導体製造装置
US20070077671A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-05 Applied Materials In-situ substrate imaging

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005210059A (ja) 2003-12-26 2005-08-04 Tokyo Electron Ltd 現像装置及び現像処理方法
JP2010103131A (ja) 2008-10-21 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2012009812A (ja) 2010-05-21 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2013062330A (ja) 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2015153903A (ja) 2014-02-14 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

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