JP2003318079A

JP2003318079A - 基板処理装置および基板処理システム

Info

Publication number: JP2003318079A
Application number: JP2002118166A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Hisai; 章博久井; Takeshi Matsuka; 毅松家; Koji Kanayama; 幸司金山
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-04-19
Filing date: 2002-04-19
Publication date: 2003-11-07

Abstract

(57)【要約】【課題】特別な検査装置を搭載することなく塗布不良
を発見することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】ＣＣＤカメラにより、処理液供給ノズル
から基板へのフォトレジスト液の吐出状態を監視し、吐
出状態に異常が検出されると、その基板を不良基板の回
収専用のリジェクトカセットに回収し（ステップＵ
１）、リジェクトカセットに所定量の不良基板が収容さ
れると、リジェクトカセットを基板処理システム外の図
示しないリワーク装置へ搬送する（ステップＵ３）。搬
送されたリジェクトカセット内の不良基板には、リワー
ク装置において順次レジスト剥離液による再生処理が施
されていく（ステップＵ４）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液吐出ノズルから
半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク
用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基
板」と称する）にレジスト等の処理液を吐出して該基板
にその処理液を塗布する基板処理装置および該基板処理
装置とホストコンピュータとを通信ラインにて接続した
基板処理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、半導体や液晶ディスプレ
イなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗
布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処
理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製
造されている。かかる半導体製品等の品質維持のため、
上記各種処理のまとまったプロセスの後に、基板の各種
検査を行って品質確認を行うことが重要である。

【０００３】例えば、レジスト塗布処理および現像処理
を行う基板処理装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）に
おいては、従来より塗布斑や塗り残し等の塗布不良を検
出すべくマクロ検査装置によるマクロ欠陥検査が行われ
ていた。このときに、検査対象となる基板は一旦基板処
理装置から搬出され、別位置に設けられた検査装置に搬
入されてから検査に供されることとなる。そして、その
検査結果が基板処理装置にフィードバックされ、各種処
理条件の調整が行われていたのである。

【０００４】

【背景となる技術】上記のようにすると、基板を検査装
置まで搬送するのに時間・労力を要する。このような無
駄な時間・労力を無くすために、検査装置を基板処理装
置に搭載する技術が検討されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板の
検査にはマクロ検査の他にも露光後の線幅測定等複数の
種類があり、あらゆる種類の検査装置を基板処理装置に
搭載することはスペース・コストの観点から好ましいこ
とではない。

【０００６】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、特別な検査装置を搭載することなく塗布不良を
発見することができる基板処理装置および基板処理シス
テムを提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明は、液吐出ノズルから基板に処理液
を吐出して該基板に前記処理液を塗布する基板処理装置
であって、前記液吐出ノズルから前記基板に向けて吐出
された処理液が通過する経路を含む領域を撮影する撮影
手段と、前記液吐出ノズルから基板に処理液を吐出する
ときに、前記撮影手段によって撮影された処理液の吐出
状態が不良であるか否かを判定する判定手段と、前記吐
出状態が不良である場合に、当該基板を不良基板専用の
カセットに搬送する搬送手段と、を備えている。

【０００８】また、請求項２の発明は、液吐出ノズルか
ら基板に処理液を吐出して該基板に前記処理液を塗布す
る基板処理装置とホストコンピュータとを通信ラインに
て接続した基板処理システムであって、前記基板処理装
置が、前記液吐出ノズルから前記基板に向けて吐出され
た処理液が通過する経路を含む領域を撮影する撮影手段
と、前記液吐出ノズルから基板に処理液を吐出するとき
に、前記撮影手段によって撮影された処理液の吐出状態
が不良であるか否かを判定する判定手段と、前記吐出状
態が不良である場合に、当該基板についての吐出状態が
不良である旨の情報を前記ホストコンピュータに伝達す
る情報伝達手段と、を備えている。

【０００９】また、請求項３の発明は、液吐出ノズルか
ら基板に処理液を吐出して該基板に前記処理液を塗布す
る基板処理装置であって、前記液吐出ノズルから前記基
板に向けて吐出された処理液が通過する経路を含む領域
を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから基板に処
理液を吐出するときに、前記撮影手段によって撮影され
た処理液の吐出状態が不良であるか否かを判定する判定
手段と、前記吐出状態が不良である場合に、当該基板に
ついての吐出状態が不良である旨の情報を装置外部に伝
達する情報伝達手段と、を備えている。

【００１０】また、請求項４の発明は、液吐出ノズルか
ら基板に処理液を吐出して該基板に前記処理液を塗布す
る基板処理装置であって、前記液吐出ノズルから前記基
板に向けて吐出された処理液が通過する経路を含む領域
を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから基板に処
理液を吐出するときに、前記撮影手段によって撮影され
た処理液の吐出状態が不良であるか否かを判定する判定
手段と、処理液の塗布によって基板の表面に形成された
膜を除去する膜除去ユニットと、前記吐出状態が不良で
ある場合に、当該基板を前記膜除去ユニットに搬送する
搬送手段と、を備えている。

【００１１】また、請求項５の発明は、液吐出ノズルか
ら基板に処理液を吐出して該基板に前記処理液を塗布す
る基板処理装置であって、前記液吐出ノズルから前記基
板に向けて吐出された処理液が通過する経路を含む領域
を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから基板に処
理液を吐出するときに、前記撮影手段によって撮影され
た処理液の吐出状態が不良であるか否かを判定する判定
手段と、処理液の塗布によって膜が形成された基板のマ
クロ欠陥検査を行うマクロ検査ユニットと、前記判定手
段によって吐出状態の判定がなされた基板を前記マクロ
検査ユニットに搬送する搬送手段と、を備えている。

【００１２】さらに、請求項６の発明は、液吐出ノズル
から基板に処理液を吐出して該基板に前記処理液を塗布
する基板処理装置であって、前記液吐出ノズルから前記
基板に向けて吐出された処理液が通過する経路を含む領
域を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから吐出さ
れる処理液の流量を調整する流量調整手段と、前記撮影
手段によって撮影された処理液の吐出状態に応じて前記
液吐出ノズルから吐出される処理液の流量を増減するよ
うに前記流量調整手段を制御する流量制御手段と、を備
えている。

【００１３】

【発明の実施の形態】＜１．第１実施形態＞［１−１．装置構成］図１は本発明の第１実施形態に係
る基板処理システムの概略構成を示す図である。基板処
理システムはホストコンピュータ９０と少なくとも１台
以上の基板処理装置１とを通信ライン８０で接続した構
成となっている。

【００１４】ホストコンピュータ９０は主にＣＰＵ９
１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、ハードディスク９４、通
信部９５を備えたコンピュータであり、通信部９５は通
信ライン６５，８０を介して各基板処理装置１と通信可
能に接続されている。基板処理システム稼働時にホスト
コンピュータ９０はハードディスク９４から制御・情報
管理プログラムを読み出して実行することにより各基板
処理装置１と通信しながら、各基板処理装置１の動作制
御および、各基板処理装置１において処理された各基板
の情報管理を行う。

【００１５】図２は、本発明に係る基板処理装置１の全
体構成を示す平面図である。なお、図２および図４には
それらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向
とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付し
ている。

【００１６】この基板処理装置１は、基板にレジスト塗
布処理や現像処理を行う装置であって、基板の搬出入を
行うインデクサＩＤと、基板に処理を行う複数の処理ユ
ニットからなる第１処理部群ＰＧ１，第２処理部群ＰＧ
２と、図示を省略する露光装置（ステッパ）との基板の
受け渡しを行うインターフェイスＩＦと、搬送ロボット
ＴＲとを備えている。

【００１７】インデクサＩＤは、複数枚の基板を収納可
能なカセット（図示省略）を複数載置可能であるととも
に移載ロボットを備え、未処理基板を当該カセットから
搬送ロボットＴＲに払い出すとともに処理済基板を搬送
ロボットＴＲから受け取ってカセットに格納する。

【００１８】インターフェイスＩＦは、搬送ロボットＴ
Ｒからレジスト塗布処理済の基板を受け取って図外の露
光装置に渡すとともに、該露光装置から露光済の基板を
受け取って搬送ロボットＴＲに渡す機能を有する。ま
た、インターフェイスＩＦは、露光装置との受け渡しタ
イミングの調整を行うべく、露光前後の基板を一時的に
ストックするバッファ機能を有し、図示を省略している
が、搬送ロボットＴＲとの間で基板を受け渡すロボット
と、基板を載置するバッファカセットとを備えている。

【００１９】基板処理装置１は、基板に処理を行うため
の複数の処理ユニット（処理部）を備えており、そのう
ちの一部が第１処理部群ＰＧ１を構成し、残部が第２処
理部群ＰＧ２を構成する。図３は、第１処理部群ＰＧ１
および第２処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。第１
処理部群ＰＧ１は、液処理ユニットたる塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２（レジスト塗布処理部）の上方に複数
の熱処理ユニットを配置して構成されている。なお、図
３においては、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配
置しているが、実際にはこれらは高さ方向（Ｚ軸方向）
に積層されているものである。

【００２０】塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２は、基板
主面にフォトレジストを供給し、基板を回転させること
によって均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコ
ータである。

【００２１】塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２の上方に
は３段に積層された熱処理ユニットが３列設けられてい
る。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ１、密着強
化ユニットＡＨ（密着強化処理部）、加熱ユニットＨＰ
１が積層された列と、冷却ユニットＣＰ２、加熱ユニッ
トＨＰ２、加熱ユニットＨＰ３が積層された列と、冷却
ユニットＣＰ３、加熱ユニットＨＰ４、加熱ユニットＨ
Ｐ５が積層された列とが設けられている。

【００２２】同様に、第２処理部群ＰＧ２は、液処理ユ
ニットたる現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の上方に複
数の熱処理ユニットを配置して構成されている。現像処
理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、露光後の基板上に現像液
を供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピ
ンデベロッパである。現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２
の上方には３段に積層された熱処理ユニットが３列設け
られている。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ
４、露光後ベークユニットＰＥＢ、加熱ユニットＨＰ６
が積層された列と、冷却ユニットＣＰ５、加熱ユニット
ＨＰ７、加熱ユニットＨＰ８が積層された列と、冷却ユ
ニットＣＰ６、加熱ユニットＨＰ９、加熱ユニットＨＰ
１０が積層された列とが設けられている。

【００２３】加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ１０は、基板を
加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプ
レートである。また、密着強化ユニットＡＨおよび露光
後ベークユニットＰＥＢもそれぞれレジスト塗布処理前
および露光直後に基板を加熱する加熱ユニットである。
冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６は、基板を冷却して所定の
温度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度に
維持する、いわゆるクールプレートである。

【００２４】本明細書においては、これら基板の温度調
整を行う処理ユニット（加熱ユニットおよび冷却ユニッ
ト）を熱処理ユニットと称する。また、塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２および現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ
２の如き基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理
ユニットを液処理ユニットと称する。そして、液処理ユ
ニットおよび熱処理ユニットを総称して処理ユニットと
する。

【００２５】また、基板処理装置１の内部には制御部
（コントローラ）ＣＲが設けられている。制御部ＣＲ
は、詳細は図示しないがメモリやＣＰＵさらには通信部
等からなるコンピュータによって構成されている。制御
部ＣＲは、所定の処理プログラムにしたがって搬送ロボ
ットＴＲの搬送動作を制御するとともに、各処理ユニッ
トに指示を与えて処理条件を設定したり、それら各処理
ユニットによる処理動作を制御したり、さらには、各基
板の情報を管理する。また、制御部ＣＲ内の通信部は通
信ライン６５，８０を介してホストコンピュータ９０の
通信部９５と接続され、ホストコンピュータ９０との間
で情報の送受信を行うとともに、ホストコンピュータ９
０の制御を受ける。また、制御部ＣＲ内の通信部は後述
する異常状態検出部３５とも接続されており、異常状態
検出部３５からの情報を受信可能となっている。

【００２６】図４は、搬送ロボットＴＲの外観斜視図で
ある。搬送ロボットＴＲは、伸縮体４０の上部に搬送ア
ーム３１ａ，３１ｂを備えたアームステージ３２を設け
るとともに、伸縮体４０によってテレスコピック型の多
段入れ子構造を実現している。

【００２７】伸縮体４０は、上から順に４つの分割体４
０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄによって構成されてい
る。分割体４０ａ〜分割体４０ｄが順に入れ子構造にな
っており、分割体４０ａ〜４０ｄを順次に収納していく
ことによって伸縮体４０は収縮し、逆に分割体４０ａ〜
４０ｄを順次に引き出していくことによって伸縮体４０
は伸張する。

【００２８】伸縮体４０の伸縮動作は、その内部に設け
られた伸縮昇降機構によって実現される。搬送ロボット
ＴＲは、伸縮昇降機構によって搬送アーム３１ａ，３１
ｂの昇降動作を行うことができる。

【００２９】また、分割体４０ａの上部にアームステー
ジ３２が設けられており、アームステージ３２が搬送ア
ーム３１ａ，３１ｂのそれぞれのアームセグメントを屈
伸させることにより搬送アーム３１ａ，３１ｂが水平進
退移動を行い、アームステージ３２自体が伸縮体４０に
対して回転動作を行うことにより搬送アーム３１ａ，３
１ｂが回転動作を行う。

【００３０】従って、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム
３１ａ，３１ｂを高さ方向に昇降動作させること、回転
動作させることおよび水平方向に進退移動させること、
すなわち３次元的に移動させることができる。そして、
基板Ｗを保持した搬送アーム３１ａ，３１ｂが３次元的
に移動して複数の処理ユニットとの間で基板Ｗの受け渡
しを行うことによりそれら複数の処理ユニットに対して
基板Ｗを搬送して当該基板Ｗに種々の処理を行わせるこ
とができる。

【００３１】図５は、本発明の第１実施形態に係る基板
処理システムの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２および
制御部ＣＲの概略構成を示すブロック図である。基板Ｗ
は、吸引式スピンチャック１０により水平姿勢で吸着保
持され、回転軸２を介して電動モータ３により回転中心
Ｐ周りに回転駆動される。基板Ｗの周囲には、処理液の
一例であるフォトレジスト液の飛散を防止するための飛
散防止カップ４ａが配設されている。また、この飛散防
止カップ４ａの上部開口には、ダウンフローを取り込む
ための複数個の開口を上部に形成された上部蓋部材４ｂ
が、この装置のフレームに固定されて位置固定の状態で
配設されている。また、図示しない搬送機構が未処理の
基板Ｗを吸引式スピンチャック１０に載置したり、処理
済みの基板Ｗを受け取る際には、図示しない昇降機構が
飛散防止カップ４ａのみを下降させることによって、飛
散防止カップ４ａと上部蓋部材４ｂとを離間させ、吸引
式スピンチャック１０を飛散防止カップ４ａの上部開口
から上方に突出させるようになっている。

【００３２】飛散防止カップ４ａの側方には、搬入され
た基板Ｗの回転中心Ｐの上方に相当する供給位置（図中
の実線）と、基板Ｗ上から側方に離れた退避位置（図中
の点線）との間で移動可能に構成された処理液供給ノズ
ル５が配設されている。処理液供給ノズル５には供給配
管１２が接続されており、サックバックバルブ１３と、
ポンプ１４と、逆止弁１５とを介してフォトレジスト液
を貯留している処理液タンク１６に連通接続されてい
る。サックバックバルブ１３は、処理液供給ノズル５の
吐出孔５ａから露出しているフォトレジスト液を僅かに
引き戻して固化を防止したり、先端部５ｂに貯留してい
るフォトレジスト液が不意に落下する、いわゆる「ぼた
落ち」を抑制するためのものである。

【００３３】ポンプ１４は、図示しない複動式エアシリ
ンダに連動して動作し、処理液タンク１６内のフォトレ
ジスト液を供給配管１２に送り込む。この送り込み動作
により生じるフォトレジスト液の処理液タンク１６内へ
の逆流を防止するのが、逆止弁１５である。

【００３４】ノズル移動機構１７は、制御部ＣＲにより
制御されるようになっている。つまり、制御部ＣＲが後
述する塗布処理のプログラムを実行してゆく際に『ノズ
ル移動命令』を実行すると、処理液供給ノズル５を退避
位置から供給位置に移動するようにノズル移動機構１７
を制御し、『ノズル退避命令』を実行すると、処理液供
給ノズル５を供給位置から退避位置に移動するようにノ
ズル移動機構１７を制御する。

【００３５】上部蓋部材４ｂの上部内周面には、その左
側にＣＣＤカメラ２５が、その右側には照明２７が配設
されている。本発明の撮影手段に相当するＣＣＤカメラ
２５は、固体撮像素子であるＣＣＤと、電子シャッター
と、レンズなどから構成されており、その撮影視野が処
理液供給ノズル５から基板Ｗ面との間にあたるフォトレ
ジスト液の供給経路に設定されている。例えば、図６に
示すように撮影視野３０が広めに設定されており、この
中においてフォトレジスト液が処理液供給ノズル５の吐
出孔５ａから吐出されて基板面に到達する位置を含む領
域が判断領域３０Ａとして設定される。これらのＣＣＤ
カメラ２５および照明２７は、異常状態検出部３５に接
続されている。

【００３６】異常状態検出部３５は、詳細は図示しない
がメモリやＣＰＵさらには通信部等からなるコンピュー
タによって構成されており、所定の処理プログラムにし
たがって照明２７に所要の電力を供給したり、ＣＣＤカ
メラ２５の動作制御、例えば、撮影タイミングを決定す
る電子シャッターの動作制御を行う。撮影開始の指示
は、制御部ＣＲからトリガ信号が入力されることによっ
て行われる。撮影された撮影視野３０の画像信号は、２
値化処理されて静止画像に変換される。その撮影視野３
０の静止画像は制御部ＣＲを介して表示部３３に出力さ
れ、その中においてオペレータにより判断領域３０Ａが
設定される（図７参照）。さらに、予めフォトレジスト
液の吐出が正常な状態において撮影視野３０を撮影し、
判断領域３０Ａを表示部３３に表示させた状態で、図７
に示すようなフォトレジスト液Ｒ（図中の二点鎖線）の
吐出幅Ｄを測定するための幅計測ライン３０Ｗ（図中の
点線）を設定しておくとともに、設定した幅計測ライン
３０Ｗにおける正常な吐出状態のフォトレジスト液Ｒの
吐出幅Ｄを基準幅Ｄｒｅｆとして記憶するようになって
いる。

【００３７】また、上述した異常状態検出部３５は、処
理液供給ノズル５が供給位置に移動した時点から一定時
間だけ行われる『ぼた落ち検出処理』においてぼた落ち
が検出された場合を異常状態として検出するとともに、
基板Ｗの処理時にフォトレジスト液が基板Ｗに供給され
始めてから一定時間の間だけ行われる『吐出幅検出処
理』において吐出幅Ｄが基準幅Ｄｒｅｆより小さい場合
を異常状態として検出する。そして、異常発生を制御部
ＣＲに伝達し、制御部ＣＲは異常発生時の処理を行うよ
う各部を制御する。

【００３８】［１−２．処理動作］次に、基板Ｗに対す
る処理液の塗布処理の一例を示す図８のタイムチャート
と、『ぼた落ち検出処理』、『吐出幅検出処理』および
『異常時処理』を示す図９、図１０および図１１のフロ
ーチャートを参照して塗布処理について説明する。な
お、図８のタイムチャートにおける時間原点は、基板Ｗ
が吸引式スピンチャック１０に吸着保持された時点であ
るものとして説明する。

【００３９】この基板処理システムでは、ホストコンピ
ュータ９０は各基板ＷごとにＩＤ（管理情報）を記憶し
ており、そのＩＤは各基板Ｗの処理に先立ち、処理が行
われる基板処理装置１の制御部ＣＲに送信され、その制
御部ＣＲに記憶されている。また、塗布処理に先立ち、
予め「ぼた落ち」や「吐出幅異常」等の吐出状態の不良
が検出された基板（以下「不良基板」という）Ｗの回収
専用のリジェクトカセットをインデクサの通常のカセッ
ト載置位置のいずれかに配置してあり、そのリジェクト
カセットの載置位置を制御部ＣＲが記憶している。

【００４０】まず、ｔ₁時点において制御部ＣＲはノズ
ル移動命令を実行し、ノズル移動機構１７が処理液供給
ノズル５を退避位置から供給位置に移動する。次いで、
ｔ₂時点にて回転開始命令を実行し、ｔ₃時点で回転数Ｒ
１に達するように電動モータ３の駆動を開始する。

【００４１】ここでノズル移動命令の実行後、処理液供
給ノズル５が供給位置に移動した後から供給開始命令Ｔ
_Sの実行時点まで『ぼた落ち検出処理』が実行される。

【００４２】つまりトリガ信号を与えられた異常状態検
出部３５は、まず、ＣＣＤカメラ２５を制御して、撮影
視野３０の撮影を行う（ステップＳ１）。次に、撮影視
野３０の静止画像を２値化処理し（ステップＳ２）、そ
の中の判断領域３０Ａ中の画素値に基づいてフォトレジ
スト液が存在するか否かを判断する（ステップＳ３）。
例えば、この実施例装置では、フォトレジスト液の背後
からストロボ２７からの光が照射されているためフォト
レジスト液が影となって黒画素となる一方その周囲が白
画素となるので、黒画素が判断領域３０Ａに存在するか
否かを判断すればよい。

【００４３】そして、黒画素が存在する場合にはぼた落
ちが生じている異常状態を表すので、制御部ＣＲが以下
に示す『異常時処理』を実行する（ステップＳ４）。

【００４４】図１１に示すように、『異常時処理』にお
いては、まず、制御部ＣＲの制御により不良基板Ｗを搬
送ロボットＴＲが搬送し、リジェクトカセットに回収す
る（ステップＵ１）。

【００４５】次に、制御部ＣＲはリジェクトカセットに
所定量（例えばリジェクトカセットに収容可能な最大
数）の不良基板Ｗが収容されたか否かを判定する（ステ
ップＵ２）。前述のように制御部ＣＲは各基板ＷをＩＤ
で管理することにより、各基板Ｗの処理段階を常時把握
している。そのため、どの基板Ｗが不良基板としてリジ
ェクトカセットに回収されているかも常時把握している
ため、容易に各時点でのリジェクトカセットの不良基板
Ｗの収容数を判定することができるのである。そして、
所定量、収容されていなければ、異常時処理を終了し
て、次の未処理基板Ｗに対して塗布処理を行う。逆に、
リジェクトカセットに所定量の不良基板Ｗが収容されて
いた場合には、ＡＧＶ(Automatic Guided Vehicle)やＯ
ＨＴ(over-head hoist transport)等によってリジェク
トカセットを基板処理システム外の図示しないリワーク
装置へ搬送する（ステップＵ３）。リワーク装置は、処
理液としてレジスト剥離液を基板Ｗに供給し、レジスト
剥離処理を行う装置である。

【００４６】そして、リワーク装置に搬送されたリジェ
クトカセット内の不良基板Ｗには、リワーク装置におい
て順次、再生処理、具体的にはレジスト剥離処理が施さ
れていく（ステップＵ４）。

【００４７】レジスト剥離処理によって再生された基板
Ｗはリワーク装置において別のカセットに収容されて、
再度、塗布処理を受ける等、再利用される。以上で、
『異常時処理』が終了する。

【００４８】一方、ステップＳ３（図９）において黒画
素が存在しなかった場合には「ぼた落ち」がなく正常な
状態を表すので、制御部ＣＲはＴ_S時点でサックバック
バルブ１３の動作を解除するとともにポンプ１４を作動
させてフォトレジスト液を処理液供給ノズル５から供給
開始する。

【００４９】そして、供給開始命令の実行時点Ｔ_Sから
供給時間Ｔ_SUが経過するＴ_E時点において供給停止命令
を実行し、ポンプ１４の動作を停止してフォトレジスト
液の吐出を停止するとともに、サックバックバルブ１３
を作動させてフォトレジスト液を僅かに引き戻す。これ
により所定量のフォトレジスト液が基板Ｗに対して供給
されるようになっている。

【００５０】上述した供給開始命令が実行された後、制
御部ＣＲは異常状態検出部３５に対してトリガ信号を出
力する。すると図１０の『吐出幅検出処理』が実行され
るようになっている。この処理は、図８のタイムチャー
トに示すように、供給開始命令の実行時点Ｔ_Sから供給
停止命令の実行時点Ｔ_Eまでの間に少なくとも一度行え
ばよい。また、供給開始から供給停止までの間に処理液
タンク１６が空になって、吐出停止の直前にフォトレジ
スト液が吐出されなくなる事態もあるので、供給開始か
ら供給停止直前まで所定の周期で『吐出幅検出処理』を
繰り返し実行するようにしてもよく、あるいは供給開始
命令の実行後と供給停止命令の実行直前の２回だけ『吐
出幅検出処理』を実行するようにしてもよい。

【００５１】トリガ信号を与えられた異常状態検出部３
５は、まず、ＣＣＤカメラ２５を制御して、撮影視野３
０の撮影を行う（ステップＴ１）。次に、撮影視野３０
の静止画像を２値化処理し（ステップＴ２）、その中の
判断領域３０Ａに設定されている幅計測ライン３０Ｗの
画素値に基づいて現在吐出されているフォトレジスト液
の吐出幅Ｄを測定する（ステップＴ３）。例えば、この
実施例装置では、照明２７の関係上、幅計測ライン３０
Ｗの画素値を一端側から調べ、白画素から黒画素に変わ
る位置と、黒画素から白画素に変わる位置を特定すれ
ば、吐出幅Ｄを測定することができる。

【００５２】次に、予め測定して記憶しておいた基準幅
Ｄｒｅｆと測定した吐出幅Ｄとを比較する（ステップＴ
４）。その結果、吐出幅Ｄが基準幅Ｄｒｅｆよりも小さ
いならば異常であると判断して、これもまた前述の『異
常時処理』を実行する（ステップＴ５）。それ以外であ
れば正常であると判断して吐出幅検出処理を終了する。

【００５３】フォトレジスト液の吐出幅に異常がなく、
供給停止命令がＴ_E時点で実行された場合には、ポンプ
１４の動作を停止してフォトレジスト液の吐出を停止
し、さらにサックバックバルブ１３を作動させてフォト
レジスト液を僅かに引き戻す。その後、ｔ₄時点でノズ
ル退避命令が実行されて処理液供給ノズル５が退避位置
に移動され、ｔ₅時点で回転上昇命令が実行されて基板
Ｗの回転数がＲ１より高速のＲ２に上昇されて余剰分の
フォトレジスト液が振り切られ、ｔ₆時点で回転停止命
令が実行されてｔ₇時点で塗布処理が完了する。

【００５４】ここで供給停止命令の実行後、ノズル退避
命令が実行されてノズルが基板外に退避するまでのノズ
ル退避完了ｔ₄’の時点まで上述と同様の『ぼた落ち検
出処理』が実行され、必要に応じて『異常時処理』が実
行される。

【００５５】なお、ｔ₁〜Ｔ_SおよびＴ_E〜ｔ₄’時点の間
だけでなく、処理液供給ノズル５が供給位置にある間、
すなわちｔ₁〜ｔ₄’時点の間『ぼた落ち検出処理』を実
行するようにしてもよい。

【００５６】以上、説明したように、本発明の第１実施
形態によれば、処理液供給ノズル５から基板Ｗに向けて
吐出された処理液が通過する経路を含む領域を撮影する
ＣＣＤカメラ２５と、処理液供給ノズル５から基板Ｗに
処理液を吐出するときに、ＣＣＤカメラ２５によって撮
影された処理液の吐出状態が不良であるか否かを判定す
る異常状態検出部３５と、吐出状態が不良である場合
に、当該基板Ｗを不良基板専用のカセットに搬送する搬
送ロボットＴＲとを備えるため、特別な検査装置を搭載
することなく塗布不良を発見することができ、しかもそ
の不良基板Ｗをカセットに自動的に回収して後工程に流
れるのを防ぐことができる。

【００５７】また、例えば、塗布処理ユニットＳＣ１に
基板Ｗの回転数調整用のカメラを設けている場合には、
それをそのままＣＣＤカメラ２５として用いることがで
きるので、新たに撮影手段を設ける必要がなく、塗布不
良の発見できる装置を安価に実現できる。

【００５８】＜２．第２実施形態＞第２実施形態に係る
基板処理システムは、第１実施形態と全く同様の装置構
成を有している。なお、上記第１実施形態の装置と同じ
構成については同符号を付すことで詳細な説明について
は省略する。

【００５９】また、基板Ｗに対する塗布処理としても第
１実施形態とほぼ同様で、図８のタイムチャートは全く
同じであり、図９に示した『ぼた落ち検出処理』および
図１０に示した『吐出幅検出処理』における『異常時処
理』のみが異なる。

【００６０】図１２は第２実施形態の基板処理システム
における『異常時処理』のフローチャートである。以
下、図１２を用いて第２実施形態の基板処理システムに
おける『異常時処理』について説明する。

【００６１】第２実施形態における『異常時処理』で
は、リジェクトカセットは特に設けない。また、この基
板処理システムでも、ホストコンピュータ９０は各カセ
ットの各基板ＷごとにＩＤを記憶しており、そのＩＤは
各基板Ｗの処理に先立ち、処理が行われる基板処理装置
１の制御部ＣＲに送信され、その制御部ＣＲに記憶され
ている。

【００６２】そして、異常が検出されると異常状態検出
部３５から制御部ＣＲにその基板Ｗが『ぼた落ち』また
は『吐出幅異常』である旨の情報が伝達される。する
と、制御部ＣＲがホストコンピュータ９０に、その基板
ＷのＩＤとその基板Ｗが不良基板である旨の情報である
不良基板情報を伝達する（ステップＵ１１）。そして、
ホストコンピュータ９０において不良基板Ｗについては
不良基板情報が記憶され、その後、その不良基板Ｗの管
理に利用される。

【００６３】次に、制御部ＣＲの制御により不良基板Ｗ
を搬送ロボットＴＲがインデクサＩＤに搬送し、元のカ
セットに収容する（ステップＵ１２）。これにより、後
に元のカセットに納められた不良基板Ｗが取り出されて
レジスト剥離処理等の再生処理が施されたりする。

【００６４】以上説明したように、本発明の第２実施形
態によれば、処理液供給ノズル５から基板Ｗに処理液を
吐出するときに、ＣＣＤカメラ２５によって撮影された
処理液の吐出状態が不良であるか否かを判定する異常状
態検出部３５と、吐出状態が不良である場合に、当該基
板Ｗについての吐出状態が不良である旨の情報をホスト
コンピュータ９０に伝達する制御部ＣＲとを備えるた
め、特別な検査装置を搭載することなく塗布不良を発見
し、ホストコンピュータ９０で不良基板Ｗの情報を管理
することができる。

【００６５】また、例えば、塗布処理ユニットＳＣ１に
基板Ｗの回転数調整用のカメラを設けている場合には、
それをそのままＣＣＤカメラ２５として用いることがで
きるので、新たに撮影手段を設ける必要がなく、塗布不
良の発見できる装置を安価に実現できる。

【００６６】＜３．第３実施形態＞第３実施形態の基板
処理装置は、第１実施形態の基板処理装置のＳＣ２（図
３参照）をリワークユニットとして使用するものとなっ
ている。ただし、図５において処理液タンクがレジスト
液供給ではなくレジスト剥離液を供給するものとなって
いる点が異なっている。

【００６７】なお、第３実施形態の基板処理システムに
おけるその他の構成は第１実施形態と同様である。な
お、上記第１実施形態の装置と同じ構成については同符
号を付すことで詳細な説明については省略する。

【００６８】基板Ｗに対する塗布処理としては第１実施
形態とほぼ同様である。具体的には、図８のタイムチャ
ートは全く同じであり、図９に示した『ぼた落ち検出処
理』および図１０に示した『吐出幅検出処理』のそれぞ
れにおける『異常時処理』のみが異なる。

【００６９】図１３は第３実施形態の基板処理システム
における『異常時処理』のフローチャートである。以
下、図１３を用いて第３実施形態の基板処理システムに
おける『異常時処理』について説明する。

【００７０】第３実施形態における『異常時処理』で
は、まず、制御部ＣＲの制御により搬送ロボットＴＲが
不良基板Ｗをリワークユニットへ搬送する（ステップＵ
２１）。

【００７１】次に、リワークユニットにおいて、制御部
ＣＲの制御により不良基板Ｗにレジスト剥離液を供給
し、レジスト剥離処理を行う（ステップＵ２２）。な
お、このときの制御部ＣＲの制御に基づく処理液として
のレジスト剥離液の供給動作は、例えば剥離液を貯留す
る液貯留タンクにＮ₂ガス等のキャリアガスを導入し、
処理液供給ノズル側に圧送することにより行う。このレ
ジスト剥離処理により、不良基板Ｗを再生して、再利用
する。

【００７２】なお、上記第３実施形態では塗布処理ユニ
ットＳＣ２をリワークユニットとしたが、塗布処理ユニ
ットＳＣ１や現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２はいずれ
も同様の構成を有しているので、それらいずれかを処理
液をレジスト剥離液としてリワークユニットとして利用
してもよい。

【００７３】以上説明したように、本発明の第３実施形
態によれば、処理液供給ノズル５から基板Ｗに処理液を
吐出するときに、ＣＣＤカメラ２５によって撮影された
処理液の吐出状態が不良であるか否かを判定する異常状
態検出部３５と、処理液の塗布によって基板Ｗの表面に
形成された膜を除去するリワークユニットと、吐出状態
が不良である場合に、当該基板Ｗをリワークユニットに
搬送する搬送ロボットＴＲとを備えるため、特別な検査
装置を搭載することなく塗布不良を発見することがで
き、装置の省スペース化、およびコストダウンを実現で
きる。

【００７４】また、例えば、塗布処理ユニットＳＣ１に
基板Ｗの回転数調整用のカメラを設けている場合には、
それをそのままＣＣＤカメラ２５として用いることがで
きるので、新たに撮影手段を設ける必要がなく、塗布不
良の発見できる装置を安価に実現できる。

【００７５】＜４．第４実施形態＞図１４は、第４実施
形態に係る基板処理装置１の全体構成を示す平面図であ
る。第４実施形態に係る基板処理装置１では、インデク
サＩＤ内の各種処理ユニットを配置するための筐体（図
示省略）内の上段にマクロ検査ユニットＭＩを搭載して
いる。マクロ検査ユニットＭＩは、その詳細構造の説明
は省略するが、基板保持手段、撮像手段、画像処理手
段、不良判定手段等を備え、保持した基板Ｗに対して処
理が施された面を撮影し、その撮影された画像に画像処
理を施して、不良判定手段により塗布斑や塗り残し等の
塗布不良を検出するマクロ欠陥検査を行う。マクロ検査
ユニットＭＩとしては、マクロ欠陥検査を行うマクロ検
査装置として広く一般に用いられているものを利用し得
る。

【００７６】なお、第４実施形態の基板処理システムに
おけるその他の構成は第１実施形態と同様である。ま
た、上記第１実施例装置と同じ構成については同符号を
付すことで詳細な説明については省略する。

【００７７】図１５は第４実施形態の基板処理システム
における『異常時処理』のフローチャートである。以
下、図１５を用いて第４実施形態の基板処理システムに
おける『異常時処理』について説明する。なお、この基
板処理システムでも、各基板Ｗの処理に先立ち、それら
のＩＤは、処理が行われる基板処理装置１の制御部ＣＲ
に送信され、その制御部ＣＲに記憶されている。

【００７８】まず、制御部ＣＲの制御により、不良基板
Ｗを搬送ロボットＴＲがマクロ検査ユニットＭＩに搬送
し（ステップＵ３１）、そこでマクロ欠陥検査を行う
（ステップＵ３２）。そして、制御部ＣＲはマクロ検査
ユニットＭＩの検査結果と、『ぼた落ち検出処理』また
は『吐出幅検出処理』で検出された吐出不良との相関関
係を記憶する（ステップＵ３３）。すなわち、マクロ欠
陥検査、『ぼた落ち検出処理』および『吐出幅検出処
理』の結果を不良基板ＷのＩＤとともに記憶するのであ
る。

【００７９】そして、その後、オペレータがそれらの情
報を表示部３３に表示して、マクロ欠陥検査の検査結果
と、『ぼた落ち検出処理』または『吐出幅検出処理』で
検出された吐出不良との相関関係を調べ、その後の塗布
処理の改善のため等に利用する。この場合、マクロ欠陥
検査のにより確認された塗布不良は、『ぼた落ち』また
は『吐出幅不良』によるものであると考えられるので、
それらの改善のために利用できる。

【００８０】なお、上記第４実施形態では、異常が検出
された基板Ｗについてのみマクロ欠陥検査を行うものと
したが、処理された基板Ｗ全てに対してマクロ欠陥検査
を行うものとしてもよい。その場合は、吐出不良以外の
原因による塗布不良も検出できる。

【００８１】以上説明したように、本発明の第４実施形
態によれば、処理液供給ノズル５から基板Ｗに処理液を
吐出するときに、ＣＣＤカメラ２５によって撮影された
処理液の吐出状態が不良であるか否かを判定する異常状
態検出部３５と、処理液の塗布によって膜が形成された
基板Ｗのマクロ欠陥検査を行うマクロ検査ユニットＭＩ
と、異常状態検出部３５によって吐出状態の判定がなさ
れた基板Ｗをマクロ検査ユニットＭＩに搬送する搬送ロ
ボットＴＲとを備えるため、特別な検査装置を搭載する
ことなく塗布不良を発見することができ、さらにマクロ
欠陥検査結果と吐出状態との相関関係を容易に調べるこ
とが可能となる。そのため、その相関関係を塗布不良の
原因究明に利用することで、より塗布不良の少ない装置
を実現することができる。

【００８２】また、例えば、塗布処理ユニットＳＣ１に
基板Ｗの回転数調整用のカメラを設けている場合には、
それをそのままＣＣＤカメラ２５として用いることがで
きるので、新たに撮影手段を設ける必要がなく、塗布不
良の発見できる装置を安価に実現できる。

【００８３】＜５．第５実施形態＞図１６は、第５実施
形態に係る基板処理システムの塗布処理ユニットＳＣ
１，ＳＣ２および制御部ＣＲの概略構成を示すブロック
図である。

【００８４】この塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２にお
いて、供給配管１２には処理液の流通を制御する開閉弁
の機能と、弁の開度を段階的に調節して処理液の流量を
調整する機能を兼ね備えた流量調整弁３７が配設されて
いる。この流量調整弁３７の開閉と流量調整は、流量調
整弁３７に電気的に接続された制御部ＣＲによって行わ
れるようになっている。

【００８５】次に、第５実施形態に係る基板処理システ
ムにおける塗布処理について説明する。第５実施形態の
塗布処理は、タイムチャート、『ぼた落ち検出処理』お
よび『異常時処理』については第１実施形態において図
８、図９および図１１により示したものと同様であり、
『吐出幅検出処理』のみが異なっており、吐出幅Ｄを正
常範囲（後述する最小基準幅Ｄｍｉｎ〜最大基準幅Ｄｍ
ａｘ）に維持するようフィードバック制御を行うものと
なっている。ここで、最小基準幅Ｄｍｉｎおよび最大基
準幅Ｄｍａｘは、図７で示した予め設定した幅計測ライ
ン３０Ｗにおける正常な吐出状態のフォトレジスト液Ｒ
の吐出幅Ｄの許容可能な最小値および許容可能な最大値
として定義され、オペレータの予めの設定により異常状
態検出部３５が記憶するようになっている。

【００８６】図１７は第５実施形態における『吐出幅検
出処理』のフローチャートである。以下、図１７を用い
て『吐出幅検出処理』を具体的に説明する。なお、ステ
ップＴ１〜Ｔ３は図１０で示した第１実施形態の処理と
同様であるので、それらのステップは同じ参照符号を付
して示した。ステップＴ１〜Ｔ３では、異常状態検出部
３５が、ＣＣＤカメラ２５を制御して撮影視野３０を撮
影し、その静止画像を２値化処理し、吐出されているフ
ォトレジスト液の吐出幅Ｄを測定する。

【００８７】次に、異常状態検出部３５が、得られた吐
出幅Ｄを最大基準幅Ｄｍａｘと比較する（ステップＴ１
１）。その結果、吐出幅Ｄが基準幅Ｄｍａｘよりも大き
いならばフォトレジスト液の吐出量が多すぎると判断し
て、制御部ＣＲにその旨の情報を伝達し、制御部ＣＲが
流量調整弁３７の開度を１段階下げる（ステップＴ１
２）。これにより、処理液供給ノズル５へのフォトレジ
スト液の供給量が減少して、処理液供給ノズル５からの
フォトレジスト液の吐出量が減少する。その後、ステッ
プＴ１に戻る。

【００８８】逆に、吐出幅Ｄが基準幅Ｄｍａｘよりも小
さい場合、吐出幅Ｄを最小基準幅Ｄｍｉｎと比較する
（ステップＴ１３）。その結果、吐出幅Ｄが基準幅Ｄｍ
ｉｎよりも小さいならばフォトレジスト液の吐出量が少
なすぎると判断して、制御部ＣＲにその旨の情報を伝達
し、制御部ＣＲが流量調整弁３７の開度を１段階上げる
（ステップＴ１４）。これにより、処理液供給ノズル５
へのフォトレジスト液の供給量が増加して、処理液供給
ノズル５からのフォトレジスト液の吐出量が増加する。
その後、ステップＴ１に戻る。

【００８９】そして、ステップＴ１３において、吐出幅
Ｄが基準幅Ｄｍｉｎよりも大きい場合、フォトレジスト
液の吐出量は正常範囲にあると判断するして吐出幅検出
処理を終了する。このように、制御部ＣＲはフォトレジ
スト液の吐出量を正常範囲に保つようにフィードバック
制御を行う。

【００９０】なお、第５実施形態でも『吐出幅検出処
理』は、図８のタイムチャートに示すように、供給開始
命令の実行時点Ｔ_Sから供給停止命令の実行時点Ｔ_Eまで
の間に少なくとも一度行えばよい。また、供給開始から
供給停止直前まで所定の周期で『吐出幅検出処理』を繰
り返し実行するようにしてもよく、あるいは供給開始命
令の実行後と供給停止命令の実行直前の２回だけ『吐出
幅検出処理』を実行するようにしてもよい。

【００９１】また、上記第５実施形態では、吐出幅Ｄが
正常範囲にない場合、流量調整弁３７を調節するものと
したが、塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２の処理液供給
ノズル５近傍にノズル洗浄手段を設け、吐出量が少ない
場合に処理液供給ノズル５の先端が詰まっている可能性
が高いとして、ノズル先端を洗浄するように制御するも
のとしてもよい。

【００９２】以上説明したように、本発明の第５実施形
態によれば、異常状態検出部３５による処理液の吐出状
態の情報に応じて、制御部ＣＲが処理液供給ノズル５か
ら吐出される処理液の流量を増減するように流量調整弁
３７を制御するため、特別な検査装置を搭載することな
く塗布不良を発見することができ、適正な吐出状態を維
持して、処理液の基板Ｗへの塗布不良を減らすことがで
きる。

【００９３】また、例えば、塗布処理ユニットＳＣ１に
基板Ｗの回転数調整用のカメラを設けている場合には、
それをそのままＣＣＤカメラ２５として用いることがで
きるので、新たに撮影手段を設ける必要がなく、塗布不
良を減らすことができる装置を安価に実現できる。

【００９４】＜６．変形例＞本発明は以上の実施の形態
に限定されるものではない。例えば、上記各実施形態で
は、基板処理装置１の塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２
において基板Ｗに処理液としてフォトレジスト液を塗布
するものとしたが、処理液としてポリイミド樹脂等のそ
の他の液を塗布する装置に対しても適用可能である。

【００９５】また、上記第１、第２、第４実施形態にお
けるリワーク装置および第３実施形態におけるリワーク
ユニットは、レジスト剥離液によりレジスト剥離処理を
行うものとしたがこれをプラズマアッシャ等のアッシン
グ装置によりレジストの灰化処理を行うものとしてもよ
い。

【００９６】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、液吐出ノズルから基板に向けて吐出された処
理液が通過する経路を含む領域を撮影する撮影手段と、
液吐出ノズルから基板に処理液を吐出するときに、撮影
手段によって撮影された処理液の吐出状態が不良である
か否かを判定する判定手段と、吐出状態が不良である場
合に、当該基板を不良基板専用のカセットに搬送する搬
送手段と、を備えるため、特別な検査装置を搭載するこ
となく塗布不良を発見することができ、しかもその不良
基板をカセットに自動的に回収して後工程に流れるのを
防ぐことができる。

【００９７】また、請求項２の発明によれば、液吐出ノ
ズルから基板に向けて吐出された処理液が通過する経路
を含む領域を撮影する撮影手段と、液吐出ノズルから基
板に処理液を吐出するときに、撮影手段によって撮影さ
れた処理液の吐出状態が不良であるか否かを判定する判
定手段と、吐出状態が不良である場合に、当該基板につ
いての吐出状態が不良である旨の情報をホストコンピュ
ータに伝達する情報伝達手段とを備えるため、特別な検
査装置を搭載することなく塗布不良を発見することがで
き、ホストコンピュータで不良基板の情報を管理するこ
とができる。

【００９８】また、請求項３の発明によれば、吐出状態
が不良である場合に、当該基板についての吐出状態が不
良である旨の情報を装置外部に伝達する情報伝達手段を
備えるため、特別な検査装置を搭載することなく塗布不
良を発見することができ、装置外部においても不良基板
の情報を管理することができる。特に、装置外部のホス
トコンピュータ等に情報を伝達するものとすることで、
請求項２のシステムを容易に実現することができる。

【００９９】また、請求項４の発明によれば、液吐出ノ
ズルから基板に処理液を吐出するときに、撮影手段によ
って撮影された処理液の吐出状態が不良であるか否かを
判定する判定手段と、処理液の塗布によって基板の表面
に形成された膜を除去する膜除去ユニットと、吐出状態
が不良である場合に、当該基板を膜除去ユニットに搬送
する搬送手段とを備えるため、特別な検査装置を搭載す
ることなく塗布不良を発見することができ、装置の設置
面積およびコストを抑えることができる。

【０１００】また、請求項５の発明によれば、液吐出ノ
ズルから基板に処理液を吐出するときに、撮影手段によ
って撮影された処理液の吐出状態が不良であるか否かを
判定する判定手段と、処理液の塗布によって膜が形成さ
れた基板のマクロ欠陥検査を行うマクロ検査ユニット
と、判定手段によって吐出状態の判定がなされた基板を
マクロ検査ユニットに搬送する搬送手段とを備えるた
め、特別な検査装置を搭載することなく塗布不良を発見
することができ、さらにマクロ欠陥検査結果と吐出状態
との相関関係を容易に調べることが可能となる。そのた
め、その相関関係を塗布不良の原因究明に利用すること
で、より塗布不良の少ない装置を実現することができ
る。

【０１０１】また、請求項６の発明によれば、液吐出ノ
ズルから基板に向けて吐出された処理液が通過する経路
を含む領域を撮影する撮影手段と、液吐出ノズルから吐
出される処理液の流量を調整する流量調整手段と、撮影
手段によって撮影された処理液の吐出状態に応じて液吐
出ノズルから吐出される処理液の流量を増減するように
流量調整手段を制御する流量制御手段とを備えるため、
特別な検査装置を搭載することなく塗布不良を発見する
ことができ、適正な吐出状態を維持して、処理液の基板
への塗布不良をなくすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理システム
の概略構成を示す図である。

【図２】本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す
平面図である。

【図３】第１処理部群ＰＧ１および第２処理部群ＰＧ２
の構成を示す図である。

【図４】搬送ロボットＴＲの外観斜視図である。

【図５】本発明の第１実施形態に係る基板処理システム
の塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２および制御部ＣＲの
概略構成を示すブロック図である。

【図６】撮影視野の一例を示す図である。

【図７】判断領域および幅計測ラインの一例を示す図で
ある。

【図８】塗布処理を示すタイムチャートである。

【図９】ぼた落ち検出処理を示すフローチャートであ
る。

【図１０】吐出幅検出処理を示すフローチャートであ
る。

【図１１】第１実施形態の基板処理システムにおける
『異常時処理』のフローチャートである。

【図１２】第２実施形態の基板処理システムにおける
『異常時処理』のフローチャートである。

【図１３】第３実施形態の基板処理システムにおける
『異常時処理』のフローチャートである。

【図１４】第４実施形態に係る基板処理装置１の全体構
成を示す平面図である。

【図１５】第４実施形態の基板処理システムにおける
『異常時処理』のフローチャートである。

【図１６】第５実施形態に係る基板処理システムの塗布
処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２および制御部ＣＲの概略構
成を示すブロック図である。

【図１７】第５実施形態における『吐出幅検出処理』の
フローチャートである。

【符号の説明】

１基板処理装置５処理液供給ノズル（液吐出ノズル）２５ＣＣＤカメラ（撮影手段）３５異常状態検出部（判定手段）３７流量調整弁（流量調整手段）６５，８０通信ライン９０ホストコンピュータＣＲ制御部（情報伝達手段、流量制御手段）ＳＣ１塗布処理ユニットＳＣ２塗布処理ユニット、リワークユニット（膜除去
ユニット）ＳＤ１，ＳＤ２現像処理ユニットＴＲ搬送ロボット（搬送手段）Ｗ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者松家毅京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者金山幸司京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 EA04 2H096 AA25 CA13 CA14 GA30 4F042 AA07 AA08 AB00 BA22 DF09 DF32 DH09 EB09 ED05 5F046 JA01 JA22

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液吐出ノズルから基板に処理液を吐出し
て該基板に前記処理液を塗布する基板処理装置であっ
て、前記液吐出ノズルから前記基板に向けて吐出された処理
液が通過する経路を含む領域を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから基板に処理液を吐出するときに、
前記撮影手段によって撮影された処理液の吐出状態が不
良であるか否かを判定する判定手段と、前記吐出状態が不良である場合に、当該基板を不良基板
専用のカセットに搬送する搬送手段と、を備えることを
特徴とする基板処理装置。
【請求項２】液吐出ノズルから基板に処理液を吐出し
て該基板に前記処理液を塗布する基板処理装置とホスト
コンピュータとを通信ラインにて接続した基板処理シス
テムであって、前記基板処理装置が、前記液吐出ノズルから前記基板に向けて吐出された処理
液が通過する経路を含む領域を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから基板に処理液を吐出するときに、
前記撮影手段によって撮影された処理液の吐出状態が不
良であるか否かを判定する判定手段と、前記吐出状態が不良である場合に、当該基板についての
吐出状態が不良である旨の情報を前記ホストコンピュー
タに伝達する情報伝達手段と、を備えることを特徴とす
る基板処理システム。
【請求項３】液吐出ノズルから基板に処理液を吐出し
て該基板に前記処理液を塗布する基板処理装置であっ
て、前記液吐出ノズルから前記基板に向けて吐出された処理
液が通過する経路を含む領域を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから基板に処理液を吐出するときに、
前記撮影手段によって撮影された処理液の吐出状態が不
良であるか否かを判定する判定手段と、前記吐出状態が不良である場合に、当該基板についての
吐出状態が不良である旨の情報を装置外部に伝達する情
報伝達手段と、を備えることを特徴とする基板処理装
置。
【請求項４】液吐出ノズルから基板に処理液を吐出し
て該基板に前記処理液を塗布する基板処理装置であっ
て、前記液吐出ノズルから前記基板に向けて吐出された処理
液が通過する経路を含む領域を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから基板に処理液を吐出するときに、
前記撮影手段によって撮影された処理液の吐出状態が不
良であるか否かを判定する判定手段と、処理液の塗布によって基板の表面に形成された膜を除去
する膜除去ユニットと、前記吐出状態が不良である場合に、当該基板を前記膜除
去ユニットに搬送する搬送手段と、を備えることを特徴
とする基板処理装置。
【請求項５】液吐出ノズルから基板に処理液を吐出し
て該基板に前記処理液を塗布する基板処理装置であっ
て、前記液吐出ノズルから前記基板に向けて吐出された処理
液が通過する経路を含む領域を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから基板に処理液を吐出するときに、
前記撮影手段によって撮影された処理液の吐出状態が不
良であるか否かを判定する判定手段と、処理液の塗布によって膜が形成された基板のマクロ欠陥
検査を行うマクロ検査ユニットと、前記判定手段によって吐出状態の判定がなされた基板を
前記マクロ検査ユニットに搬送する搬送手段と、を備え
ることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】液吐出ノズルから基板に処理液を吐出し
て該基板に前記処理液を塗布する基板処理装置であっ
て、前記液吐出ノズルから前記基板に向けて吐出された処理
液が通過する経路を含む領域を撮影する撮影手段と、前記液吐出ノズルから吐出される処理液の流量を調整す
る流量調整手段と、前記撮影手段によって撮影された処理液の吐出状態に応
じて前記液吐出ノズルから吐出される処理液の流量を増
減するように前記流量調整手段を制御する流量制御手段
と、を備えることを特徴とする基板処理装置。