JP6423672B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状の精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）にノズルから処理液を吐出して所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来より、半導体デバイスなどの製造工程においては、基板に対して純水、フォトレジスト液、エッチング液などの種々の処理液を供給して洗浄処理やレジスト塗布処理などの基板処理を行っている。これらの処理液を使用した液処理を行う装置としては、基板を水平姿勢で回転させつつ、その基板の表面にノズルから処理液を吐出する基板処理装置が広く用いられている。
このような基板処理装置においては、流量計の出力やポンプの動作確認によってノズルから処理液が吐出されているか否かの確認が行われているのであるが、より確実に吐出の有無を判定する手法として、例えば特許文献１にはＣＣＤカメラ等の撮像手段を設けてノズルからの処理液吐出を直接的に監視することが提案されている。
特開平１１−３２９９３６号公報
しかしながら、撮像手段によってノズルからの処理液吐出を直接的に監視する場合には、処理対象となる基板の種類によって撮像時の背景が異なる。すなわち、一般に基板の表面にはレジスト膜や絶縁膜などの種々の膜が成膜されてパターン形成がなされている。そして、そのような膜の種類や形成されたパターンによって基板表面の反射率は大きく異なるものとなり、その結果処理対象となる基板の種類によって撮像時の背景が異なることとなるのである。また、同じ種類の膜が形成されていたとしても、例えばフッ酸を用いたエッチング処理を行うときには、処理時間の経過とともに膜の腐食が進行して基板の表面の反射率も変化することがある。このため、表面に成膜された膜の種類、形成されたパターン、処理内容などの種々の要因により、撮像手段によって撮像される画像のノイズが大きくなってノズルからの処理液の吐出を正確に検出することができないという問題が生じていた。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ノズルからの処理液の吐出を確実に検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部の周囲を取り囲むカップと、処理液を吐出するノズルと、前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置と前記カップよりも外側の待機位置との間で前記ノズルを移動させる駆動部と、前記処理位置にて前記ノズルから処理液が吐出されたときに液流が形成されるべき領域を含む撮像領域を撮像する撮像部と、前記ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した画像から、前記基板保持部に保持された基板の表面のうち前記液流が形成されるべき領域を含む検査画像と当該領域を除く第１基準画像とを切り出す画像取得部と、前記第１基準画像と前記検査画像とを比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定する判定部と、を備えることを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記撮像部は、前記ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に前記撮像領域を複数回撮像して複数の画像を取得し、前記画像取得部は、前記複数の画像のそれぞれから前記第１基準画像および前記検査画像を切り出し、前記判定部は、前記複数の画像のそれぞれについて前記画像取得部が切り出した前記第１基準画像と前記検査画像とを比較することを特徴とする。
また、請求項３の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記画像取得部は、前記基板保持部に保持された基板の表面のうち前記液流が形成されるべき領域を除く領域であって前記第１基準画像とは異なる第２基準画像を前記撮像部が取得した画像からさらに切り出し、前記判定部は、前記第１基準画像と前記第２基準画像とを比較して処理液吐出判定の妥当性を判定することを特徴とする。
また、請求項４の発明は、基板処理方法であって、基板保持部に新たな処理対象となる基板を保持する保持工程と、前記基板保持部に新たな処理対象となる基板が保持された後、前記基板保持部の周囲を取り囲むカップよりも外側の待機位置から前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置に向けて処理液を吐出するノズルを移動させるノズル移動工程と、前記処理位置にて前記ノズルから処理液が吐出されたときに液流が形成されるべき領域を含む撮像領域を前記ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に撮像する撮像工程と、前記撮像工程にて取得された画像から、前記基板保持部に保持された基板の表面のうち前記液流が形成されるべき領域を含む検査画像と当該領域を除く第１基準画像とを切り出す画像取得工程と、前記第１基準画像と前記検査画像とを比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定する判定工程と、を備えることを特徴とする。
また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る基板処理方法において、前記撮像工程では、前記ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に前記撮像領域を複数回撮像して複数の画像を取得し、前記画像取得工程では、前記複数の画像のそれぞれから前記第１基準画像および前記検査画像を切り出し、前記判定工程では、前記複数の画像のそれぞれについて前記画像取得工程にて切り出した前記第１基準画像と前記検査画像とを比較することを特徴とする。
また、請求項６の発明は、請求項４の発明に係る基板処理方法において、前記画像取得工程では、前記基板保持部に保持された基板の表面のうち前記液流が形成されるべき領域を除く領域であって前記第１基準画像とは異なる第２基準画像を前記撮像工程にて取得された画像からさらに切り出し、前記判定工程では、前記第１基準画像と前記第２基準画像とを比較して処理液吐出判定の妥当性を判定することを特徴とする。
請求項１から請求項３の発明によれば、ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に撮像部が撮像領域を撮像して取得した画像から、基板保持部に保持された基板の表面のうち液流が形成されるべき領域を含む検査画像と当該領域を除く第１基準画像とを切り出し、その第１基準画像と検査画像とを比較してノズルからの処理液吐出を判定するため、第１基準画像と検査画像とは同一の基板について同一のタイミングで取得されることとなり、処理対象となる基板の種類および処理内容にかかわらず、ノズルからの処理液の吐出を確実に検出することができる。
特に、請求項３の発明によれば、第１基準画像とは異なる第２基準画像をさらに切り出し、第１基準画像と第２基準画像とを比較して処理液吐出判定の妥当性を判定するため、ノズルからの処理液吐出の検出精度を高めることができる。
請求項４から請求項６の発明によれば、ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に撮像領域を撮像して取得された画像から、基板保持部に保持された基板の表面のうち液流が形成されるべき領域を含む検査画像と当該領域を除く第１基準画像とを切り出し、その第１基準画像と検査画像とを比較してノズルからの処理液吐出を判定するため、第１基準画像と検査画像とは同一の基板について同一のタイミングで取得されることとなり、処理対象となる基板の種類および処理内容にかかわらず、ノズルからの処理液の吐出を確実に検出することができる。
特に、請求項６の発明によれば、第１基準画像とは異なる第２基準画像をさらに切り出し、第１基準画像と第２基準画像とを比較して処理液吐出判定の妥当性を判定するため、ノズルからの処理液吐出の検出精度を高めることができる。
本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図である。 処理ユニットの平面図である。 処理ユニットの縦断面図である。 カメラと上面処理液ノズルとの位置関係を示す図である。 カメラおよび制御部のブロック図である。 処理液吐出判定の手順を示すフローチャートである。 カメラによって撮像された画像の一例を示す図である。 カメラによって撮像された画像の他の例を示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１００の全体構成を示す図である。この基板処理装置１００は、半導体用途の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置であり、円形のシリコンの基板Ｗに薬液および純水を用いた液処理を行ってから乾燥処理を行う。薬液としては、典型的にはＳＣ１液（アンモニア水、過酸化水素水、水の混合液）、ＳＣ２液（塩酸、過酸化水素水、水の混合液）、ＤＨＦ液（希フッ酸）などが用いられる。本明細書では、薬液と純水とを総称して「処理液」とする。なお、洗浄処理のみならず、成膜処理のためのフォトレジスト液などの塗布液、不要な膜を除去するための薬液、エッチングのための薬液（例えば、フッ酸）なども本発明の「処理液」に含まれる。
基板処理装置１００は、インデクサ１０２、複数の処理ユニット１、および、主搬送ロボット１０３を備える。インデクサ１０２は、装置外から受け取った未処理の基板Ｗを装置内に搬入するとともに、処理の終了した処理済みの基板Ｗを装置外に搬出する機能を有する。インデクサ１０２は、複数のキャリアを載置するとともに移送ロボットを備える（いずれも図示省略）。キャリアとしては、基板Ｗを密閉空間に収納する公知のＦＯＵＰ(front opening unified pod)やＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッド、或いは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)を採用することができる。移送ロボットは、当該キャリアと主搬送ロボット１０３との間で基板Ｗを移送する。
基板処理装置１００には、１２個の処理ユニット１が配置されている。詳細な配置構成は、３個の処理ユニット１を積層したタワーが主搬送ロボット１０３の周囲を囲むように４個配置されるというものである。換言すれば、主搬送ロボット１０３を囲んで配置された４個の処理ユニット１が３段に積層されており、図１にはそのうちの１層を示している。なお、基板処理装置１００に搭載される処理ユニット１の個数は１２に限定されるものではなく、例えば８個や４個であっても良い。
主搬送ロボット１０３は、処理ユニット１を積層した４個のタワーの中央に設置されている。主搬送ロボット１０３は、インデクサ１０２から受け取った未処理の基板Ｗを各処理ユニット１に搬入するとともに、各処理ユニット１から処理済みの基板Ｗを搬出してインデクサ１０２に渡す。
次に、処理ユニット１について説明する。以下、基板処理装置１００に搭載された１２個の処理ユニット１のうちの１つに説明するが、他の処理ユニット１についても全く同様である。図２は、処理ユニット１の平面図である。また、図３は、処理ユニット１の縦断面図である。なお、図２はスピンチャック２０に基板Ｗが保持されていない状態を示し、図３はスピンチャック２０に基板Ｗが保持されている状態を示している。
処理ユニット１は、チャンバー１０内に、主たる要素として基板Ｗを水平姿勢（法線が鉛直方向に沿う姿勢）に保持するスピンチャック２０と、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面に処理液を供給するための３つの上面処理液ノズル３０，６０，６５と、スピンチャック２０の周囲を取り囲む処理カップ４０と、スピンチャック２０の上方空間を撮像するカメラ７０と、を備える。また、チャンバー１０内における処理カップ４０の周囲には、チャンバー１０の内側空間を上下に仕切る仕切板１５が設けられている。
チャンバー１０は、鉛直方向に沿う側壁１１、側壁１１によって囲まれた空間の上側を閉塞する天井壁１２および下側を閉塞する床壁１３を備える。側壁１１、天井壁１２および床壁１３によって囲まれた空間が基板Ｗの処理空間となる。また、チャンバー１０の側壁１１の一部には、チャンバー１０に対して主搬送ロボット１０３が基板Ｗを搬出入するための搬出入口およびその搬出入口を開閉するシャッターが設けられている（いずれも図示省略）。
チャンバー１０の天井壁１２には、基板処理装置１００が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバー１０内の処理空間に供給するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１４が取り付けられている。ファンフィルタユニット１４は、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバー１０内に送り出すためのファンおよびフィルタ（例えばＨＥＰＡフィルタ）を備えており、チャンバー１０内の処理空間に清浄空気のダウンフローを形成する。ファンフィルタユニット１４から供給された清浄空気を均一に分散するために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレートを天井壁１２の直下に設けるようにしても良い。
スピンチャック２０は、鉛直方向に沿って延びる回転軸２４の上端に水平姿勢で固定された円板形状のスピンベース２１を備える。スピンベース２１の下方には回転軸２４を回転させるスピンモータ２２が設けられる。スピンモータ２２は、回転軸２４を介してスピンベース２１を水平面内にて回転させる。また、スピンモータ２２および回転軸２４の周囲を取り囲むように筒状のカバー部材２３が設けられている。
円板形状のスピンベース２１の外径は、スピンチャック２０に保持される円形の基板Ｗの径よりも若干大きい。よって、スピンベース２１は、保持すべき基板Ｗの下面の全面と対向する保持面２１ａを有している。
スピンベース２１の保持面２１ａの周縁部には複数（本実施形態では４本）のチャックピン２６が立設されている。複数のチャックピン２６は、円形の基板Ｗの外周円に対応する円周上に沿って均等な間隔をあけて（本実施形態のように４個のチャックピン２６であれば９０°間隔にて）配置されている。複数のチャックピン２６は、スピンベース２１内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される。スピンチャック２０は、複数のチャックピン２６のそれぞれを基板Ｗの外周端に当接させて基板Ｗを把持することにより、当該基板Ｗをスピンベース２１の上方で保持面２１ａに近接した水平姿勢にて保持することができるとともに（図３参照）、複数のチャックピン２６のそれぞれを基板Ｗの外周端から離間させて把持を解除することができる。
スピンモータ２２を覆うカバー部材２３は、その下端がチャンバー１０の床壁１３に固定され、上端がスピンベース２１の直下にまで到達している。カバー部材２３の上端部には、カバー部材２３から外方へほぼ水平に張り出し、さらに下方に屈曲して延びる鍔状部材２５が設けられている。複数のチャックピン２６による把持によってスピンチャック２０が基板Ｗを保持した状態にて、スピンモータ２２が回転軸２４を回転させることにより、基板Ｗの中心を通る鉛直方向に沿った回転軸ＣＸまわりに基板Ｗを回転させることができる。なお、スピンモータ２２の駆動は制御部９によって制御される。
上面処理液ノズル３０は、ノズルアーム３２の先端に吐出ヘッド３１を取り付けて構成されている。ノズルアーム３２の基端側はノズル基台３３に固定して連結されている。ノズル基台３３は図示を省略するモータによって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。ノズル基台３３が回動することにより、図２中の矢印ＡＲ３４にて示すように、上面処理液ノズル３０はスピンチャック２０に保持された基板Ｗの上方の処理位置と処理カップ４０よりも外側の待機位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動する。上面処理液ノズル３０には、複数種の処理液（少なくとも純水を含む）が供給されるように構成されている。処理位置にて上面処理液ノズル３０の吐出ヘッド３１から吐出された処理液はスピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面に着液する。また、ノズル基台３３の回動によって、上面処理液ノズル３０はスピンベース２１の保持面２１ａの上方にて揺動可能とされている。
また、本実施形態の処理ユニット１には、上記の上面処理液ノズル３０に加えてさらに２つの上面処理液ノズル６０，６５が設けられている。本実施形態の上面処理液ノズル６０，６５は、上記の上面処理液ノズル３０と同じ構成を備える。すなわち、上面処理液ノズル６０は、ノズルアーム６２の先端に吐出ヘッドを取り付けて構成され、ノズルアーム６２の基端側に連結されたノズル基台６３によって、矢印ＡＲ６４にて示すようにスピンチャック２０の上方の処理位置と処理カップ４０よりも外側の待機位置との間で円弧状に移動する。同様に、上面処理液ノズル６５は、ノズルアーム６７の先端に吐出ヘッドを取り付けて構成され、ノズルアーム６７の基端側に連結されたノズル基台６８によって、矢印ＡＲ６９にて示すようにスピンチャック２０の上方の処理位置と処理カップ４０よりも外側の待機位置との間で円弧状に移動する。上面処理液ノズル６０，６５にも、少なくとも純水を含む複数種の処理液が供給されるように構成されており、処理位置にてスピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面に処理液を吐出する。なお、上面処理液ノズル６０，６５の少なくとも一方は、純水などの洗浄液と加圧した気体とを混合して液滴を生成し、その液滴と気体との混合流体を基板Ｗに噴射する二流体ノズルであっても良い。また、処理ユニット１に設けられるノズル数は３本に限定されるものではなく、１本以上であれば良い。
一方、回転軸２４の内側を挿通するようにして鉛直方向に沿って下面処理液ノズル２８が設けられている。下面処理液ノズル２８の上端開口は、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの下面中央に対向する位置に形成されている。下面処理液ノズル２８にも複数種の処理液が供給されるように構成されている。下面処理液ノズル２８から吐出された処理液はスピンチャック２０に保持された基板Ｗの下面に着液する。
スピンチャック２０を取り囲む処理カップ４０は、互いに独立して昇降可能な内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３を備えている。内カップ４１は、スピンチャック２０の周囲を取り囲み、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの中心を通る回転軸ＣＸに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この内カップ４１は、平面視円環状の底部４４と、底部４４の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部４５と、底部４４の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部４６と、内壁部４５と外壁部４６との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側（スピンチャック２０に保持される基板Ｗの回転軸ＣＸに近づく方向）斜め上方に延びる第１案内部４７と、第１案内部４７と外壁部４６との間から上方に立ち上がる円筒状の中壁部４８とを一体的に備えている。
内壁部４５は、内カップ４１が最も上昇された状態で、カバー部材２３と鍔状部材２５との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。中壁部４８は、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、中カップ４２の後述する第２案内部５２と処理液分離壁５３との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。
第１案内部４７は、滑らかな円弧を描きつつ中心側（基板Ｗの回転軸ＣＸに近づく方向）斜め上方に延びる上端部４７ｂを有している。また、内壁部４５と第１案内部４７との間は、使用済みの処理液を集めて廃棄するための廃棄溝４９とされている。第１案内部４７と中壁部４８との間は、使用済みの処理液を集めて回収するための円環状の内側回収溝５０とされている。さらに、中壁部４８と外壁部４６との間は、内側回収溝５０とは種類の異なる処理液を集めて回収するための円環状の外側回収溝５１とされている。
廃棄溝４９には、この廃棄溝４９に集められた処理液を排出するとともに、廃棄溝４９内を強制的に排気するための図示省略の排気液機構が接続されている。排気液機構は、例えば、廃棄溝４９の周方向に沿って等間隔で４つ設けられている。また、内側回収溝５０および外側回収溝５１には、内側回収溝５０および外側回収溝５１にそれぞれ集められた処理液を基板処理装置１の外部に設けられた回収タンクに回収するための回収機構（いずれも図示省略）が接続されている。なお、内側回収溝５０および外側回収溝５１の底部は、水平方向に対して微少角度だけ傾斜しており、その最も低くなる位置に回収機構が接続されている。これにより、内側回収溝５０および外側回収溝５１に流れ込んだ処理液が円滑に回収される。
中カップ４２は、スピンチャック２０の周囲を取り囲み、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの中心を通る回転軸ＣＸに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この中カップ４２は、第２案内部５２と、この第２案内部５２に連結された円筒状の処理液分離壁５３とを一体的に備えている。
第２案内部５２は、内カップ４１の第１案内部４７の外側において、第１案内部４７の下端部と同軸円筒状をなす下端部５２ａと、下端部５２ａの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側（基板Ｗの回転軸ＣＸに近づく方向）斜め上方に延びる上端部５２ｂと、上端部５２ｂの先端部を下方に折り返して形成される折返し部５２ｃとを有している。下端部５２ａは、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、第１案内部４７と中壁部４８との間に適当な隙間を保って内側回収溝５０内に収容される。また、上端部５２ｂは、内カップ４１の第１案内部４７の上端部４７ｂと上下方向に重なるように設けられ、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、第１案内部４７の上端部４７ｂに対してごく微小な間隔を保って近接する。さらに、上端部５２ｂの先端を下方に折り返して形成される折返し部５２ｃは、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、折返し部５２ｃが第１案内部４７の上端部４７ｂの先端と水平方向に重なるような長さとされている。
また、第２案内部５２の上端部５２ｂは、下方ほど肉厚が厚くなるように形成されており、処理液分離壁５３は上端部５２ｂの下端外周縁部から下方に延びるように設けられた円筒形状を有している。処理液分離壁５３は、内カップ４１と中カップ４２とが最も近接した状態で、中壁部４８と外カップ４３との間に適当な隙間を保って外側回収溝５１内に収容される。
外カップ４３は、中カップ４２の第２案内部５２の外側において、スピンチャック２０の周囲を取り囲み、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの中心を通る回転軸ＣＸに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この外カップ４３は、第３案内部としての機能を有する。外カップ４３は、第２案内部５２の下端部５２ａと同軸円筒状をなす下端部４３ａと、下端部４３ａの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側（基板Ｗの回転軸ＣＸに近づく方向）斜め上方に延びる上端部４３ｂと、上端部４３ｂの先端部を下方に折り返して形成される折返し部４３ｃとを有している。
下端部４３ａは、内カップ４１と外カップ４３とが最も近接した状態で、中カップ４２の処理液分離壁５３と内カップ４１の外壁部４６との間に適当な隙間を保って外側回収溝５１内に収容される。また、上端部４３ｂは、中カップ４２の第２案内部５２と上下方向に重なるように設けられ、中カップ４２と外カップ４３とが最も近接した状態で、第２案内部５２の上端部５２ｂに対してごく微小な間隔を保って近接する。さらに、上端部４３ｂの先端部を下方に折り返して形成される折返し部４３ｃは、中カップ４２と外カップ４３とが最も近接した状態で、折返し部４３ｃが第２案内部５２の折返し部５２ｃと水平方向に重なるように形成されている。
また、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３は互いに独立して昇降可能とされている。すなわち、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３のそれぞれには個別に昇降機構（図示省略）が設けられており、それによって別個独立して昇降される。このような昇降機構としては、例えばボールネジ機構やエアシリンダなどの公知の種々の機構を採用することができる。
仕切板１５は、処理カップ４０の周囲においてチャンバー１０の内側空間を上下に仕切るように設けられている。仕切板１５は、処理カップ４０を取り囲む１枚の板状部材であっても良いし、複数の板状部材をつなぎ合わせたものであっても良い。また、仕切板１５には、厚さ方向に貫通する貫通孔や切り欠きが形成されていても良く、本実施形態では上面処理液ノズル３０，６０，６５のノズル基台３３，６３，６８を支持するための支持軸を通すための貫通穴が形成されている。
仕切板１５の外周端はチャンバー１０の側壁１１に連結されている。また、仕切板１５の処理カップ４０を取り囲む端縁部は外カップ４３の外径よりも大きな径の円形形状となるように形成されている。よって、仕切板１５が外カップ４３の昇降の障害となることはない。
また、チャンバー１０の側壁１１の一部であって、床壁１３の近傍には排気ダクト１８が設けられている。排気ダクト１８は図示省略の排気機構に連通接続されている。ファンフィルタユニット１４から供給されてチャンバー１０内を流下した清浄空気のうち、処理カップ４０と仕切板１５と間を通過した空気は排気ダクト１８から装置外に排出される。
カメラ７０は、チャンバー１０内であって仕切板１５よりも上方に設置されている。図４は、カメラ７０と上面処理液ノズル３０との位置関係を示す図である。カメラ７０は、例えば固体撮像素子のひとつであるＣＣＤと、電子シャッター、レンズなどの光学系とを備える。上面処理液ノズル３０は、ノズル基台３３によって、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの上方の処理位置（図４の点線位置）と処理カップ４０よりも外側の待機位置（図４の実線位置）との間で往復移動される。処理位置は、上面処理液ノズル３０からスピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面に処理液を吐出して液処理を行う位置である。待機位置は、上面処理液ノズル３０が液処理を行わないときに処理液の吐出を停止して待機する位置である。待機位置には、上面処理液ノズル３０の吐出ヘッド３１を収容する待機ポッドが設けられていても良い。
カメラ７０は、その撮影視野に少なくとも処理位置にて上面処理液ノズル３０から処理液が吐出されたときに処理液の液流が形成されるべき領域が含まれるように、つまり上面処理液ノズル３０の吐出ヘッド３１の下方が含まれる位置に設置されている。また、カメラ７０は、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面の一部であって上記液流が形成されるべき領域とは異なる領域が撮像視野に含まれる位置に設置されている。本実施形態では、図４に示すように、処理位置における上面処理液ノズル３０を前方上方から撮影する位置にカメラ７０が設置される。よって、カメラ７０は、処理位置にて上面処理液ノズル３０から処理液が吐出されたときに処理液の液流が形成されるべき領域、および、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面の一部であって上記液流が形成されるべき領域とは異なる領域を含む撮像領域を撮像することができる。
同様に、カメラ７０は、処理位置にて上面処理液ノズル６０，６５から処理液が吐出されたときに処理液の液流が形成されるべき領域、および、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面の一部であって当該液流が形成されるべき領域とは異なる領域を含む撮像領域を撮像することもできる。なお、カメラ７０が図２，４に示す位置に設置されている場合には、上面処理液ノズル３０，６０についてはカメラ７０の撮影視野内で横方向に移動するため、処理位置近傍での動きを適切に撮像することが可能であるが、上面処理液ノズル６５についてはカメラ７０の撮影視野内で奥行き方向に移動するため、処理位置近傍での移動を適切に撮像できないおそれもある。このような場合は、カメラ７０とは別に上面処理液ノズル６５専用のカメラを設けるようにしても良い。
また、図３に示すように、チャンバー１０内であって仕切板１５よりも上方には照明部７１が設けられている。通常、チャンバー１０内は暗室であるため、カメラ７０が撮影を行うときには照明部７１が処理位置近傍の上面処理液ノズル３０，６０，６５に光を照射する。
図５は、カメラ７０および制御部９のブロック図である。基板処理装置１００に設けられた制御部９のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部９は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクなどを備えて構成される。制御部９のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理装置１００の各動作機構が制御部９に制御され、基板処理装置１００における処理が進行する。
図５に示す画像取得部９１および判定部９２は、制御部９のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって制御部９内に実現される機能処理部である。詳細については後述するが、画像取得部９１はカメラ７０によって撮像された画像に対してトリミング処理を行って部分画像を取得する。また、判定部９２は画像取得部９１によって取得された部分画像の比較を行って処理液の吐出判定処理を行う。また、制御部９内の記憶部９３は、上記のＲＡＭまたは磁気ディクスにて構成されており、カメラ７０によって撮像された画像のデータや入力値などを記憶する。
次に、上記の構成を有する基板処理装置１００における動作について説明する。基板処理装置１００における基板Ｗの通常の処理手順は、主搬送ロボット１０３がインデクサ１０２から受け取った未処理の基板Ｗを各処理ユニット１に搬入し、当該処理ユニット１で基板Ｗに処理液を供給して表面処理を行った後、主搬送ロボット１０３が当該処理ユニット１から処理済みの基板Ｗを搬出してインデクサ１０２に戻すというものである。各処理ユニット１における典型的な基板Ｗの処理手順の概略は、基板Ｗの表面に薬液を供給して所定の薬液処理を行った後、純水を供給して純水リンス処理を行い、その後基板Ｗを高速回転させて振り切り乾燥処理を行うというものである。
処理ユニット１にて基板Ｗの処理を行う際には、スピンチャック２０に基板Ｗを保持するとともに、処理カップ４０が昇降動作を行う。薬液処理を行うときには、例えば外カップ４３のみが上昇し、外カップ４３の上端部４３ｂと中カップ４２の第２案内部５２の上端部５２ｂとの間に、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの周囲を取り囲む開口が形成される。この状態にて基板Ｗがスピンチャック２０とともに回転され、上面処理液ノズル３０および／または下面処理液ノズル２８から基板Ｗの上面および／または下面に薬液が供給される。供給された薬液は基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの上面および／または下面に沿って流れ、やがて基板Ｗの端縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Ｗの薬液処理が進行する。回転する基板Ｗの端縁部から飛散した薬液は外カップ４３の上端部４３ｂによって受け止められ、外カップ４３の内面を伝って流下し、外側回収溝５１に回収される。
また、純水リンス処理を行うときには、例えば、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３の全てが上昇し、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの周囲が内カップ４１の第１案内部４７によって取り囲まれる。この状態にて基板Ｗがスピンチャック２０とともに回転され、上面処理液ノズル３０および下面処理液ノズル２８から基板Ｗの上面および下面に純水が供給される。供給された純水は基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの上面および下面に沿って流れ、やがて基板Ｗの端縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Ｗの純水リンス処理が進行する。回転する基板Ｗの端縁部から飛散した純水は第１案内部４７の内壁を伝って流下し、廃棄溝４９から排出される。なお、純水を薬液とは別経路にて回収する場合には、中カップ４２および外カップ４３を上昇させ、中カップ４２の第２案内部５２の上端部５２ｂと内カップ４１の第１案内部４７の上端部４７ｂとの間に、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの周囲を取り囲む開口を形成するようにしても良い。
また、振り切り乾燥処理を行うときには、内カップ４１、中カップ４２および外カップ４３の全てが下降し、内カップ４１の第１案内部４７の上端部４７ｂ、中カップ４２の第２案内部５２の上端部５２ｂおよび外カップ４３の上端部４３ｂのいずれもがスピンチャック２０に保持された基板Ｗよりも下方に位置する。この状態にて基板Ｗがスピンチャック２０とともに高速回転され、基板Ｗに付着していた水滴が遠心力によって振り切られ、乾燥処理が行われる。
そして、本実施形態においては、上面処理液ノズル３０から基板Ｗの上面に処理液を吐出するときに、カメラ７０が撮像して得られた画像に画像取得部９１および判定部９２が所定の画像処理を行って処理液吐出の有無を判定している。以下、その技術について詳細に説明する。なお、ここでは上面処理液ノズル３０からの処理液吐出判定について説明するが、他の上面処理液ノズル６０，６５についても同様である。
図６は、処理液吐出判定の手順を示すフローチャートである。まず、処理対象となる基板Ｗが主搬送ロボット１０３によって処理ユニット１に搬入される（ステップＳ１）。搬入された基板Ｗはスピンチャック２０によって水平姿勢で保持される。それとともに、処理カップ４０が所定の高さ位置に到達するように昇降動作を行う。
スピンチャック２０に新たな処理対象となる基板Ｗが保持された後、制御部９の制御によってスピンモータ２２がスピンチャック２０および基板Ｗの回転を開始するとともに、上面処理液ノズル３０が待機位置から処理位置に向けて移動を開始する（ステップＳ２）。上面処理液ノズル３０の移動は、予め設定されたレシピ（基板Ｗの処理手順および条件を記述したもの）に従って制御部９がノズル基台３３を制御することにより行われる。
次に、当該レシピに従って制御部９が上面処理液ノズル３０に処理液の吐出開始を指示する（ステップＳ３）。典型的には、上面処理液ノズル３０が基板Ｗ上方の処理位置に到達して停止した後に処理液の吐出を開始するのであるが、上面処理液ノズル３０が処理位置に到達するよりも以前の移動中に処理液の吐出を開始するようにしても良い。
制御部９は処理液の吐出開始を指示した後に、カメラ７０に撮像を実行させる（ステップＳ４）。カメラ７０による撮像は、上面処理液ノズル３０が処理位置に到達して停止した後であれば、上面処理液ノズル３０が処理液吐出開始の指示を受けた後の任意のタイミングにて実行することが可能である。上面処理液ノズル３０の停止は上記のレシピより判断するようにしても良いし、ノズル基台３３に付設されたエンコーダによって検知するようにしても良いし、或いはカメラ７０による監視結果から判定するようにしても良い。
図７は、カメラ７０によって撮像された画像の一例を示す図である。カメラ７０は、処理位置にて上面処理液ノズル３０から処理液が吐出されたときに処理液の液流が形成されるべき領域、および、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面の一部であって上記液流が形成されるべき領域とは異なる領域を含む撮像領域を撮像する。本実施形態におけるカメラ７０の撮像領域は、図７に示すように、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面の全面を含む。よって、カメラ７０の撮像領域には、基板Ｗ上方の処理位置にて上面処理液ノズル３０から処理液が吐出されたときに処理液の液流が形成されるべき領域も含まれる。また、カメラ７０の撮像領域には、基板Ｗの表面の一部であって上記液流が形成されるべき領域とは異なる領域も当然に含まれる。カメラ７０によって撮像された図７に示す如き画像ＦＡのデータは制御部９の記憶部９３に格納される。
次に、カメラ７０によって撮像された画像ＦＡから制御部９の画像取得部９１が基準画像ＳＡを切り出す（ステップＳ５）。基準画像ＳＡは、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面のうち上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域を除く領域の画像である。例えば、図７に示すように、基板Ｗの表面であって上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域の側方の領域の画像を基準画像ＳＡとすれば良い。画像取得部９１は、カメラ７０によって撮像されて記憶部９３に格納されている画像ＦＡに対してトリミング処理を行って基準画像ＳＡを切り出す。より具体的には、カメラ７０によって撮像された画像ＦＡにおいて、基板Ｗの表面領域および上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域の座標は決まっているので、その液流が形成されるべき領域の側方領域を予め座標設定しておき、画像取得部９１はその座標設定された領域をトリミングすれば良い。画像取得部９１によってトリミングされた基準画像ＳＡのデータは制御部９の記憶部９３に格納される。
続いて、カメラ７０によって撮像された画像ＦＡから制御部９の画像取得部９１が検査画像ＰＡを切り出す（ステップＳ６）。検査画像ＰＡは、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面のうち上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域を含む画像である。検査画像ＰＡのサイズは基準画像ＳＡのサイズと同じである。画像取得部９１は、カメラ７０によって撮像されて記憶部９３に格納されている画像ＦＡに対してトリミング処理を行って検査画像ＰＡを切り出す。より具体的には、カメラ７０によって撮像された画像ＦＡにおいて、上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域の座標は決まっているので、画像取得部９１はその座標の領域をトリミングすれば良い。画像取得部９１によってトリミングされた検査画像ＰＡのデータは制御部９の記憶部９３に格納される。
図６では、基準画像ＳＡのトリミングを行った後に検査画像ＰＡのトリミングを行うようにしているが、これら両工程の順序は特に限定されるものでなく、検査画像ＰＡのトリミングを行った後に基準画像ＳＡのトリミングを行うようにしても良いし、両画像のトリミングを同時に行うようにしても良い。トリミングの順序にかかわりなく、基準画像ＳＡおよび検査画像ＰＡは、いずれも共通の画像ＦＡから切り出されたものであり、同時に撮像されたものであるといえる。
次に、制御部９の判定部９２が基準画像ＳＡと検査画像ＰＡとを比較して上面処理液ノズル３０からの処理液の吐出を判定する（ステップＳ７）。この判定処理は、例えば以下のようにして行えば良い。判定部９２は、基準画像ＳＡの各画素の階調値と当該画素に対応する検査画像ＰＡの画素の階調値との差分の絶対値を基準画像ＳＡに含まれる全画素について積算する。すなわち、判定部９２は、基準画像ＳＡを構成する各画素の階調値と、その画素に対応する検査画像ＰＡを構成する画素の階調値との差分の絶対値の総和を算出する。
続いて、判定部９２は、上述のようにして算出した差分の総和と予め設定されて記憶部９３に記憶されている所定の閾値とを比較する。そして、差分の総和が当該閾値以上である場合には、判定部９２は上面処理液ノズル３０から処理液が吐出されていると判定する。一方、差分の総和が当該閾値よりも小さい場合には、判定部９１は上面処理液ノズル３０から処理液が吐出されていないと判定する。処理液の吐出開始の指示がなされた後であるにもかかわらず、処理液が吐出されていないと判定された場合には処理液吐出の異常と考えられるため、例えば制御部９に付設されたディスプレイ等にエラーを表示するようにしても良い。さらに、上面処理液ノズル３０からの処理液吐出が異常であると判定された場合には制御部９が処理停止などの異常対応処理を行うようにしても良い。
以上は、上面処理液ノズル３０についての判定処理であったが、他の上面処理液ノズル６０，６５を使用する場合には、図６に示したのと同様の手順にて上面処理液ノズル６０または上面処理液ノズル６５についての判定処理を行うことができる。
本実施形態においては、上面処理液ノズル３０が処理液吐出開始の指示を受けた後にカメラ７０によって撮像された１枚の画像ＦＡから基準画像ＳＡおよび検査画像ＰＡを切り出している。検査画像ＰＡは、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面のうち上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域を含む画像である。一方、基準画像ＳＡは、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面のうち上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域を除く領域の画像である。すなわち、基準画像ＳＡと検査画像ＰＡとは、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面の異なる領域について完全に同一のタイミングで取得されたものである。
従って、検査画像ＰＡの背景として表面が映り込んでいる基板Ｗは、基準画像ＳＡに含まれる基板Ｗと同一であり、基準画像ＳＡと検査画像ＰＡとの差分においては、基板Ｗの表面に形成されている膜の種類やパターンに起因した表面反射率の大小にかかわらず、その影響が排除されることとなる。その結果、処理対象となる基板Ｗの種類にかかわらず、基準画像ＳＡと検査画像ＰＡとを比較するこによって上面処理液ノズル３０からの処理液の吐出を確実に検出することができる。
ここで、比較の基準となる基準画像として、上面処理液ノズル３０からの処理液吐出を開始する前に検査画像ＰＡと同じ領域を撮像したものを用いることも考えられる。このようにしても、基準画像と検査画像とは同じ基板Ｗの同じ領域について撮像されたものであるため、基板Ｗの表面に形成されている膜の種類やパターンの影響は排除されることとなる。ところが、例えば上面処理液ノズル３０から処理液としてフッ酸を吐出して基板Ｗの表面に形成されている膜のエッチング処理を行うような場合には、処理の進行とともに膜の腐食によって基板Ｗの表面状態が変化するため、同じ基板Ｗであっても表面反射率等が変動することとなる。そうすると、その変動が基準画像と検査画像との比較時におけるバックグラウンドのノイズとなるため、正確な処理液吐出判定が阻害されるおそれがある。
本実施形態のようにすれば、同一の基板Ｗについて同一のタイミングで基準画像ＳＡと検査画像ＰＡとを取得しているため、処理内容がフッ酸によるエッチング処理のような場合であって処理の進行とともに基板Ｗの表面状態が変化したとしても、その影響を排除することができる。その結果、処理対象となる基板Ｗの種類および処理内容にかかわらず、上面処理液ノズル３０からの処理液の吐出を確実に検出することができる。
また、本実施形態においては、上面処理液ノズル３０が処理液吐出開始の指示を受けた後に基準画像ＳＡおよび検査画像ＰＡの双方を取得していることとなる。すなわち、上面処理液ノズル３０からの処理液吐出を開始する前に基準画像ＳＡを取得する必要はない。上面処理液ノズル３０からの処理液吐出を開始する前に基準画像を取得しなければならない場合には、基準画像撮像のタイミングが極めて限られており、ノズル停止前から処理液吐出を開始しているような処理の場合には基準画像の取得そのものが不可能となる。本実施形態のようにすれば、上面処理液ノズル３０から処理液の吐出を開始した後であっても基準画像ＳＡを確実に取得することができる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装置の構成は第１実施形態と全く同じである。また、第２実施形態における基板Ｗの処理手順についても第１実施形態と同じであるが、第２実施形態では処理液吐出の有無を判定するときに複数回の判定処理を行っている。
第２実施形態においては、上面処理液ノズル３０が処理液吐出開始の指示を受けた後に、カメラ７０が第１実施形態と同じ撮像領域を複数回撮像して複数枚の画像ＦＡを取得する。そして、制御部９の画像取得部９１は、カメラ７０が撮像した複数枚の画像ＦＡのそれぞれから基準画像ＳＡおよび検査画像ＰＡを切り出す。このときに、各画像ＦＡから切り出される基準画像ＳＡおよび検査画像ＰＡの領域は上記第１実施形態と同じである。
次に、制御部９の判定部９２は、複数の画像ＦＡのそれぞれについて画像取得部９１が切り出した基準画像ＳＡと検査画像ＰＡとを比較して上面処理液ノズル３０からの処理液の吐出を判定する。各画像ＦＡごとの基準画像ＳＡと検査画像ＰＡとの比較判定処理は第１実施形態と同様である。
第２実施形態においては、上面処理液ノズル３０からの処理液吐出の有無を複数回判定したときに、１回でも上面処理液ノズル３０から処理液が吐出されていないと判定された場合には処理液吐出が異常であると判定する。このため、一旦開始された処理液の吐出が何らかの要因によって中断されたような場合であっても、それを確実に検出することができる。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の基板処理装置の構成は第１実施形態と全く同じである。また、第３実施形態における基板Ｗの処理手順についても第１実施形態と同じであるが、第３実施形態ではカメラ７０によって撮像された画像ＦＡの異なる領域から２枚の基準画像を切り出して処理液吐出判定の妥当性を検証している。
図８は、カメラ７０によって撮像された画像の他の例を示す図である。第３実施形態におけるカメラ７０の撮像領域は第１実施形態と同じであり、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面の全面を含む。第３実施形態では、カメラ７０によって撮像された画像ＦＡから制御部９の画像取得部９１が第１基準画像ＳＡ１および第２基準画像ＳＡ２の２枚の基準画像を切り出す。第１基準画像ＳＡ１は、例えば第１実施形態における基準画像ＳＡと同じ領域の画像であって良い。一方、第２基準画像ＳＡ２は、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面のうち上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域を除く領域であって第１基準画像ＳＡ１とは異なる領域の画像である。例えば、図８に示すように、基板Ｗの表面であって上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域を挟んで第１基準画像ＳＡ１と反対側の領域の画像を第２基準画像ＳＡ２とすれば良い。
また、画像取得部９１は、カメラ７０によって撮像された画像ＦＡから検査画像ＰＡを切り出すが、この検査画像ＰＡの切り出しについては第１実施形態と同じである。すなわち、検査画像ＰＡは、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面のうち上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域を含む画像である。第１基準画像ＳＡ１、第２基準画像ＳＡ２および検査画像ＰＡはいずれも共通の画像ＦＡから切り出されたものであり、同時に撮像されたものである。
第３実施形態においては、制御部９の判定部９２が第１基準画像ＳＡ１（または第２基準画像ＳＡ２）と検査画像ＰＡとの比較を行うとともに、第１基準画像ＳＡ１と第２基準画像ＳＡ２との比較を行う。第１基準画像ＳＡ１と検査画像ＰＡとの比較により上面処理液ノズル３０からの処理液の吐出を判定する処理については第１実施形態と同様である。
第３実施形態では、さらに判定部９２が第１基準画像ＳＡ１と第２基準画像ＳＡ２との比較を行って処理液吐出判定の妥当性を判定している。第１基準画像ＳＡ１および第２基準画像ＳＡ２は、いずれもスピンチャック２０に保持された基板Ｗの表面のうち上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域を除く領域の画像である。従って、カメラ７０による画像ＦＡの撮像および画像取得部９１による第１基準画像ＳＡ１および第２基準画像ＳＡ２の切り出しが正常に実行されていれば、第１基準画像ＳＡ１と第２基準画像ＳＡ２とは同じものとなるはずである。
判定部９２による第１基準画像ＳＡ１と第２基準画像ＳＡ２との比較の結果、両基準画像に差異が存在していた場合には、第１基準画像ＳＡ１および第２基準画像ＳＡ２の少なくともいずれか一方に異常があり、基準画像としては不適当であると考えられる。よって、第１基準画像ＳＡ１と第２基準画像ＳＡ２とに差異が存在している場合には、判定部９２は基準画像自体が不適当であるとして、第１基準画像ＳＡ１（または第２基準画像ＳＡ２）と検査画像ＰＡとの比較による処理液吐出判定を無効とする。この場合、判定部９２は処理液吐出異常とは異なるエラーを発報するようにしても良い。
第３実施形態においては、カメラ７０によって撮像された画像ＦＡの異なる領域から２枚の基準画像を切り出して処理液吐出判定の妥当性を検証しているため、上面処理液ノズル３０からの処理液吐出の検出精度を高めることができる。
＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第１実施形態では、上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域の側方の領域の画像を基準画像ＳＡとしていたが、これに限定されるものではなく、基準画像ＳＡは基板Ｗの表面のうち上面処理液ノズル３０からの処理液の液流が形成されるべき領域を除く任意の領域の画像とすることができる。
また、上記第１実施形態においては、１台のカメラ７０によって撮像された画像ＦＡから基準画像ＳＡおよび検査画像ＰＡを切り出すようにしていたが、複数台のカメラを設けて基準画像ＳＡおよび検査画像ＰＡを同じタイミングで個別に撮像するようにしても良い。もっとも、同じ領域を撮像したとしてもカメラの微小な機差に起因して撮像結果が相違することもあるため、上記各実施形態のように１台のカメラ７０によって撮像された画像ＦＡから基準画像および検査画像を切り出すのが好ましい。
また、基板処理装置１００によって処理対象となる基板は半導体用途の基板に限定されるものではなく、太陽電池用途の基板や液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板であっても良い。
さらに、本発明に係る技術は、ノズルから基板に処理液を吐出して所定の処理を行う装置であれば適用することができる。例えば、回転する基板にノズルから洗浄液を吐出して洗浄処理を行う洗浄装置、回転する基板にノズルからフォトレジスト液を吐出してレジスト塗布を行う回転塗布装置（スピンコータ）、表面に膜が成膜された基板の端縁部にノズルから膜の除去液を吐出する装置、或いは、基板の表面にノズルからエッチング液を吐出する装置などに本発明に係る技術を適用することができる。
１ 処理ユニット
９ 制御部
１０ チャンバー
２０ スピンチャック
３０，６０，６５ 上面処理液ノズル
３３，６３，６８ ノズル基台
４０ 処理カップ
７０ カメラ
７１ 照明部
９１ 画像取得部
９２ 判定部
９３ 記憶部
１００ 基板処理装置
ＰＡ 検査画像
ＳＡ 基準画像
Ｗ 基板

Claims (6)

  1. 基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部の周囲を取り囲むカップと、
    処理液を吐出するノズルと、
    前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置と前記カップよりも外側の待機位置との間で前記ノズルを移動させる駆動部と、
    前記処理位置にて前記ノズルから処理液が吐出されたときに液流が形成されるべき領域を含む撮像領域を撮像する撮像部と、
    前記ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に前記撮像部が前記撮像領域を撮像して取得した画像から、前記基板保持部に保持された基板の表面のうち前記液流が形成されるべき領域を含む検査画像と当該領域を除く第１基準画像とを切り出す画像取得部と、
    前記第１基準画像と前記検査画像とを比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定する判定部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１記載の基板処理装置において、
    前記撮像部は、前記ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に前記撮像領域を複数回撮像して複数の画像を取得し、
    前記画像取得部は、前記複数の画像のそれぞれから前記第１基準画像および前記検査画像を切り出し、
    前記判定部は、前記複数の画像のそれぞれについて前記画像取得部が切り出した前記第１基準画像と前記検査画像とを比較することを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項１記載の基板処理装置において、
    前記画像取得部は、前記基板保持部に保持された基板の表面のうち前記液流が形成されるべき領域を除く領域であって前記第１基準画像とは異なる第２基準画像を前記撮像部が取得した画像からさらに切り出し、
    前記判定部は、前記第１基準画像と前記第２基準画像とを比較して処理液吐出判定の妥当性を判定することを特徴とする基板処理装置。
  4. 基板保持部に新たな処理対象となる基板を保持する保持工程と、
    前記基板保持部に新たな処理対象となる基板が保持された後、前記基板保持部の周囲を取り囲むカップよりも外側の待機位置から前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置に向けて処理液を吐出するノズルを移動させるノズル移動工程と、
    前記処理位置にて前記ノズルから処理液が吐出されたときに液流が形成されるべき領域を含む撮像領域を前記ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に撮像する撮像工程と、
    前記撮像工程にて取得された画像から、前記基板保持部に保持された基板の表面のうち前記液流が形成されるべき領域を含む検査画像と当該領域を除く第１基準画像とを切り出す画像取得工程と、
    前記第１基準画像と前記検査画像とを比較して前記ノズルからの処理液吐出を判定する判定工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
  5. 請求項４記載の基板処理方法において、
    前記撮像工程では、前記ノズルが処理液吐出開始の指示を受けた後に前記撮像領域を複数回撮像して複数の画像を取得し、
    前記画像取得工程では、前記複数の画像のそれぞれから前記第１基準画像および前記検査画像を切り出し、
    前記判定工程では、前記複数の画像のそれぞれについて前記画像取得工程にて切り出した前記第１基準画像と前記検査画像とを比較することを特徴とする基板処理方法。
  6. 請求項４記載の基板処理方法において、
    前記画像取得工程では、前記基板保持部に保持された基板の表面のうち前記液流が形成されるべき領域を除く領域であって前記第１基準画像とは異なる第２基準画像を前記撮像工程にて取得された画像からさらに切り出し、
    前記判定工程では、前記第１基準画像と前記第２基準画像とを比較して処理液吐出判定の妥当性を判定することを特徴とする基板処理方法。
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