JP5835188B2 - 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、円形の基板の表面に形成された塗布膜において、不要な周縁部を除去する技術に関する。

半導体デバイスのチップを製造する工程においては、円形の基板であるウエハの表面に塗布膜を形成する処理が行われる。前記塗布膜としては例えばレジスト膜がある。前記レジスト膜の形成処理は、例えば複数のレジスト膜形成モジュールと、各レジスト膜形成モジュールに基板を搬送する１つまたは複数の搬送機構とを備えた基板処理装置により行われる。レジスト膜形成モジュールにおいて前記レジストは、例えばスピンコーティングによりウエハの表面全体に塗布される。

ウエハの周縁部に形成されたレジスト膜は、前記搬送機構がウエハを搬送するにあたり、当該搬送機構と接触することでパーティクルの発生源となるおそれがある。そこで、前記レジスト膜形成モジュールにおいて、ウエハ周縁部のレジスト膜は不要部としてリング状に除去される。即ち、ウエハにおいてこのように除去される不要部の内側が半導体デバイスの形成領域として設定されている。前記不要部の除去は、特許文献１に記載されるように前記スピンコーティングに用いるスピンチャックによりウエハの裏面中央部を保持し、ウエハを当該ウエハの直交軸回りに回転させる。この回転中のウエハの周縁部に前記レジスト膜の溶剤を供給することにより行われる。

ところで、前記チップのサイズは次第に小さくなっており、１枚のウエハからできるだけ多くのチップを生産して当該チップの生産性を高めたいという要請がある。前記半導体デバイスの形成領域に掛かるレジスト膜が除去されてしまうと、このレジスト膜が除去された箇所から生産される半導体デバイスは不良品となるので、このような要請に応えるために前記不要部を正確に除去することが求められている。具体的には、前記不要部が除去されたレジスト膜の中心とウエハとの中心とが揃っていることが求められ、そのために前記搬送機構により前記スピンチャックの回転中心と、ウエハの中心とのずれが無いように当該スピンチャックにウエハを受け渡すことが求められている。さらに、ウエハの周縁部において、前記溶剤が吐出される位置を正確に位置合わせすることも求められている。

以上のような背景から、これまでは次のような作業が行われていた。上記の基板処理装置において、どのウエハをどのレジスト膜形成モジュールで処理したかを装置のユーザが記憶しておく。その後、レジスト膜について前記不要部の除去が行われたウエハを基板処理装置の外部へと搬出し、顕微鏡などの測定器を使用してレジスト膜の除去幅（カット幅）を測定する。この測定結果に基づいて、当該ウエハを処理したレジスト膜形成モジュールについて前記溶剤の吐出位置の補正を行うと共に、当該レジスト膜形成モジュールのスピンチャックにウエハを搬送する搬送機構について、当該スピンチャックへの受け渡し位置の補正を行う。なお、各補正量の算出は、ユーザが手動計算で行うか、所定の計算ツールを用いて行う。
補正後は、どのウエハをどのレジスト膜形成モジュールで処理したかをユーザが改めて記憶しておき、補正を行ったレジスト膜形成モジュールで処理されたウエハについて、再び測定器による測定を行い、補正が適切であるか否かを確認する。

しかし、このような手法においては、ウエハを装置の外部に搬出するため手間である。例えば基板処理装置の設置場所とは異なる建屋に測定器が設けられ、搬送に時間を要したり、測定器が空いておらず測定を行うまでの待ち時間が発生することも考えられる。そのように測定に手間取る分、上記の補正作業が遅れてしまい、不良なウエハが量産されてしまうおそれがある。さらに、ユーザが上記のように各ウエハを、当該ウエハを処理するレジスト膜形成モジュールと対応付けて記憶しておくことはユーザの負担が大きいし、場合によってはメモを取る必要もあるため、いっそうの手間となる。

上記の特許文献１は、基板の外縁を検出してそれに基づき溶剤の吐出位置を制御することについて記載されているが、この手法では搬送体によるウエハのスピンチャックに対する受け渡し位置のずれを補正することができず、デバイス形成領域を可能な限り広くするという目的を達成するには不十分である。また特許文献２には検査装置を用いて検査を行うことが記載されているが、上記の問題については記載されていない。

特開２００１−１１０７１２号公報 特開２０１１−１７４７５７号公報

本発明はこのような事情においてなされたものであり、その目的は、円形の基板表面の周縁部における塗布膜の不要部をリング状に除去するにあたり、前記不要部の除去を行うための装置の調整を容易に行うことができる技術を提供することである。

本発明の基板周縁部の塗布膜除去方法は、搬送体により円形の基板の裏面側を保持部に受け渡して保持させる工程と、
次いで前記保持部を基板の直交軸周りに回転させながら、基板の表面に形成されている塗布膜の周縁部に対して溶剤ノズルから溶剤を供給し、予め設定された幅寸法でリング状に塗布膜を除去する塗布膜除去工程と、
次いで、前記基板の表面全体を撮像して前記塗布膜の状態を検査するための検査モジュールに、当該基板を搬送する工程と、
その後、前記検査モジュールにて前記基板の表面を撮像して、その画像データに基づいて塗布膜の除去領域を検出する工程と、
この工程の検出結果に基づいて、前記搬送体による前記保持部に対する後続の基板の受け渡し位置を補正する工程と、
を含むことを特徴とする。

本発明の基板処理装置は、表面に塗布膜が形成された円形の基板の裏面を保持すると共に前記基板を当該基板に直交する軸回りに回転させる裏面側保持部と、前記回転する基板の周縁部に前記溶剤を吐出し、予め設定された幅寸法でリング状に前記塗布膜を除去するための溶剤供給ノズルと、を備えた塗布膜周縁部除去モジュールと、
駆動機構により前記塗布膜周縁部除去モジュールへ前記基板を搬送し、前記裏面側保持部に当該基板を受け渡す搬送体と、
前記塗布膜が除去された基板の表面全体を撮像して前記塗布膜の状態を検査するために画像データを取得する検査モジュールと、
前記画像データに基づいて塗布膜の除去領域を検出するためのデータ処理部と、
前記除去領域に基づいて、前記搬送体による前記保持部に対する後続の基板の受け渡し位置を補正するように前記駆動機構を動作させるための搬送体操作部と、
を備えたことを特徴とする。

円形の基板の周縁の塗布膜を予め設定された幅寸法で除去する塗布膜周縁部除去モジュールと、当該塗布膜周縁部除去モジュールに前記基板を搬送する搬送体とを含む基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。

本発明は、塗布膜の不要部を除去した基板の画像データを取得し、その画像データから塗布膜の除去幅を検出し、後続の基板に対しては、当該基板に対する前記不要部が除去された塗布膜の偏心が防がれるように、前記各除去幅に基づいて基板の搬送体から裏面保持部への基板を受け渡すための受け渡し位置をずらす。
また、他の発明では画像データから塗布膜の除去幅を検出し、後続の基板に対しては、前記除去幅が設定値となるように溶剤の供給位置をずらす。このように画像データに基づいて装置の調整を行うようにすることで、基板を装置の外部の検査機器で検査するために装置の外部へ搬送する必要を無くすことができるので、装置の調整が容易になる。また、これらの発明において、画像データは塗布膜の状態を検査するための検査モジュールにて取得されるので、装置に画像データの取得用の専用のモジュールを設ける必要が無く、装置の構成の複雑化や大型化を防ぐことができる。

レジスト膜形成モジュールを含んだ塗布、現像装置の横断平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置の単位ブロックの斜視図である。 前記単位ブロックに設けられた向き調整モジュールの概略側面図である。 前記レジスト膜形成モジュールの斜視図である。 前記レジスト膜形成モジュールの縦断側面図である。 前記単位ブロックの搬送アームの平面図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜が形成されたウエハＷの平面図である。 前記単位ブロックの搬送アームの平面図である。 ウエハとレジスト膜との関係を示す説明図である。 ウエハの画像データの説明図である。 前記画像データと測定グループとの関係を示す説明図である。 ウエハとレジスト膜との関係を示す説明図である。 ウエハとレジスト膜との関係を示す説明図である。 ウエハとレジスト膜との関係を示す説明図である。 算出されるパラメータの一例を示す表図である。 前記塗布、現像装置に設けられる制御部の構成図である。 受け渡し位置及び溶剤処理位置の補正が行われる工程を示すフロー図である。 前記受け渡し位置が変更される様子を示す説明図である。 前記溶剤処理位置が変更される様子を示す説明図である。 表示画面の一例を示す説明図である。 パラメータの補正について示したグラフ図である。 レジスト膜形成モジュールの概略側面図である。

（第１の実施形態）
本発明の基板処理装置の一実施形態である塗布、現像装置１について、その平面図、斜視図、概略縦断側面図である図１、図２、図３を夫々参照しながら説明する。塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、を直線状に接続して構成されている。以降の説明ではブロックＤ１〜Ｄ３の配列方向をＹ方向とし、このＹ方向に直交する水平方向をＸ方向とする。インターフェイスブロックＤ３には、露光装置Ｄ４が接続されている。

キャリアブロックＤ１には、複数枚のウエハＷからなるロットを格納したキャリアＣが搬送される。ウエハＷは円形の基板であり、その周縁には当該ウエハＷの方向を示すために切り欠きであるノッチＮが形成されている。キャリアブロックＤ１は、前記キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための移載機構１３とを備えている。

処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」と夫々表現する場合がある。

この例では、図２に示すように下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられている。同じ単位ブロックにおいて互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。ここでは互いに同様に構成されたＣＯＴ層Ｅ３、Ｅ４を代表して図１を参照しながら説明する。また、ＣＯＴ層Ｅ３、Ｅ４の斜視図である図４も参照しながら説明する。キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ３へ向かう搬送領域Ｒの左右の一方側には棚ユニットＵが前後方向に配置され、他方側には夫々液処理モジュールであるレジスト膜形成モジュールＣＯＴ、保護膜形成モジュールＩＴＣがＹ方向に並べて設けられている。

前記レジスト膜形成モジュールＣＯＴは、塗布膜周縁部除去モジュールが組み込まれたモジュールとして構成されており、ウエハＷにレジストを供給してレジスト膜を形成し、当該ウエハＷの周縁部におけるレジスト膜の前記不要部を除去する。レジスト膜形成モジュールＣＯＴについては後に詳しく説明する。また、以下の説明では、ＣＯＴ層Ｅ３、Ｅ４のレジスト膜形成モジュールを互いに区別するために、単位ブロックＥ３のレジスト膜形成モジュールをＣＯＴ３、単位ブロックＥ４のレジスト膜形成モジュールをＣＯＴ４として夫々示す。保護膜形成モジュールＩＴＣは、レジスト膜上に所定の処理液を供給し、当該レジスト膜を保護する保護膜を形成するためのモジュールである。

前記搬送領域Ｒには、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＦが設けられている。単位ブロックＥ３の搬送アームをＦ３、単位ブロックＥ４の搬送アームをＦ４としている。搬送アームＦ３、Ｆ４は、ウエハＷの保持体（搬送体）２、２、基台２１、昇降台２２、フレーム２３及び筐体２４を備える。各保持体２は、互いに上下に重なるように基台２１上に設けられ、互いに独立して基台２１上を水平に進退する。保持体２は、ウエハＷの側周を囲むと共にウエハＷの裏面を支持することによりウエハＷを保持する。また、保持体２は図示しないウエハＷの吸引口を備え、ウエハＷの保持体２上での位置ずれが防がれるようになっている。以降、各保持体２を上側保持体、下側保持体と区別して記す場合がある。
基台２１は前記昇降台２２上に設けられ、鉛直軸回りに回転する。昇降台２２は、上下方向に延伸されたフレーム２３に囲まれるように設けられる。フレーム２３は、前記棚ユニットＵの下方の筐体２４に接続され、搬送領域ＲをＹ方向に移動する。

基台２１には保持体２を進退させる駆動機構が設けられ、昇降台２２には基台２１を回転させる駆動機構が設けられている。フレーム２３には昇降台２２を昇降させる駆動機構が設けられ、筐体２４にはフレーム２３を移動させる駆動機構が設けられている。各駆動機構は、モータ、プーリ及びこれらモータ及びプーリに巻きかけられるベルトにより構成されている。各ベルトにより各モータの回転運動を直線運動に変換して、フレーム２３、昇降台２２、保持体２が移動する。また前記プーリの回転により、基台２１が回転する。各モータはエンコーダを備え、所定の基準位置からの当該モータの回転量に応じたパルス数の信号が塗布、現像装置１の制御部６に出力される。即ち、保持体２、基台２１、昇降台２２、フレーム２３の夫々の位置に応じた数値のパルスが、各モータのエンコーダから出力される。制御部６は、搬送アームＦ３、Ｆ４がモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うために、各モータのパルス値が所定値になるように制御信号を出力する。この制御部６は、塗布、現像装置１の動作を制御するためのコンピュータであり、詳しくは後述する。

ＣＯＴ層Ｅ３、Ｅ４の説明に戻ると、棚ユニットＵは、加熱モジュール３１と、ウエハＷの向き調整用のモジュール３２とを備えている。加熱モジュール３１はウエハＷを加熱処理する熱板を備えている。
向き調整用モジュール３２の概略側面を図５に示している。図中３３はステージであり、その表面にウエハＷを載置して鉛直軸回りに回転させる。３４は投光部であり、回転するウエハＷの周縁部に投光する。３５は受光部であり、投光部３４から投光される光を受光する。受光部３５において光が供給される領域の変化に基づいて、制御部６がノッチＮを検出する。検出後、ステージ３３によりノッチＮが所定の方向に向けられた状態で搬送アームＦ３、Ｆ４がステージ３３からウエハＷを受け取る。なお、この向き調整用モジュール３２は、実際にはウエハＷの周縁を露光するための光源部を備えた周縁露光モジュールであり、露光された周縁部を現像時に除去するものである。この例では周縁部の除去をレジスト膜形成モジュールＣＯＴにより行い、前記周縁露光を行わないので前記光源部の図示は省略している。

他の単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ５及びＥ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なること及び向き調整用モジュール３２の代わりに加熱モジュール３１が設けられることなどを除き、単位ブロックＥ３、Ｅ４と同様に構成される。単位ブロックＥ１、Ｅ２は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４の代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＥ５、Ｅ６は、現像モジュールを備える。図３では各単位ブロックＥ１〜Ｅ６の搬送アームはＦ１〜Ｆ６として示している。

処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構である受け渡しアーム１４とが設けられている。タワーＴ１は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各高さに設けられるモジュールは、当該単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各搬送アームＦ１〜Ｆ６との間でウエハＷを受け渡すことができる。これらのモジュールとしては、実際には各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュール、及びウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが含まれている。説明を簡素化するために、前記疎水化処理モジュール、温調モジュール、前記バッファモジュールについての図示は省略している。

また、タワーＴ１には検査モジュール（画像取得モジュール）３０が設けられており、レジスト膜形成モジュールＣＯＴでレジスト膜が形成されたウエハＷが搬入される。この検査モジュール３０は、ウエハＷを載置するステージと、前記ステージに載置されたウエハＷの表面を撮像するカメラとを備えており、カメラにより撮像されたウエハＷ表面の画像データが制御部６に送信される。制御部６は、後述するようにこの画像データに基づいてレジスト膜のカット幅を検出すると共に、この画像データに基づいてレジスト膜の表面状態の良否の判定を行う。表面状態の良否とは、例えばパーティクル数が規定数以下であるか否か、ウエハＷの周縁部を除いてレジスト膜が形成されていない箇所があるか否かについてである。

インターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム１５と、タワーＴ２とタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム１６と、タワーＴ２と露光装置Ｄ４の間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム１７が設けられている。タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温調モジュールなどが互いに積層されて構成されているが、ここでは、前記受け渡しモジュールＴＲＳ以外の図示を省略する。なお、タワーＴ３、Ｔ４にも夫々モジュールが設けられているが、ここでは説明を省略する。

この塗布、現像装置１及び露光装置Ｄ４からなるシステムのウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷはロットごとにキャリアＣから搬出される。つまり、一のロットのウエハＷが全て払い出された後に他のロットのウエハＷがキャリアＣから搬出されるように設定されている。また、キャリアＣから払い出される前に、各ウエハＷの搬送経路は予め設定されており、上記のように二重化された単位ブロックのうち、予め設定された単位ブロックに搬送される。また、同種のモジュールが複数ある場合、ウエハＷはそのうちの予め設定されたモジュールに搬送される。

ウエハＷは、キャリアＣから移載機構１３により、処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。この受け渡しモジュールＴＲＳ０からウエハＷは、単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。
例えばウエハＷを単位ブロックＥ１に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＦ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。またウエハＷを単位ブロックＥ２に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ２に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ２に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。これらのウエハＷの受け渡しは受け渡しアーム１４により行われる。

このように振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール３１→ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送され、続いて受け渡しアーム１４により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＥ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。

このようにＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ３（ＴＲＳ４）→向き調整用モジュール３２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３（ＣＯＴ４）→加熱モジュール３１→検査モジュール３０→保護膜形成モジュールＩＴＣ→加熱モジュール３１→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳの順で搬送され、タワーＴ３を介して露光装置Ｄ４へ搬入される。露光後のウエハＷは、タワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＥ５、Ｅ６に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６に夫々搬送される。然る後、加熱モジュール３１→現像モジュール→加熱モジュール３１→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳに搬送された後、移載機構１３を介してキャリアＣに戻される。

続いて、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４について説明する。これらのレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４は、互いに同様の構成であり、ここでは代表してレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３について、図６の斜視図も参照しながら説明する。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３は、２つの処理部４１と、多数のレジスト供給ノズル４２（便宜上図６では１本、図１では２本のみ夫々表示している）と、溶剤供給ノズル４３と、を備えている。これらノズル４２、４３は処理部４１に共用され、基台４４上を移動部４５により移動し、各処理部４１のウエハＷ上に位置することができる。図６では処理部４１については、一方の処理部４１のみ示している。以降、説明を簡素化するために処理部４１は一つであるものとして説明する。

処理部４１は、ウエハＷの裏面を吸着保持する基板保持部であるスピンチャック５１と、スピンチャック５１の周囲を囲むと共に上側が開口したカップ５２とを備えている。図７は、カップ５２の縦断側面図である。図中５３はカップ５２内を排気する排気口、５４は廃液口である。５５は昇降ピンであり、スピンチャック５１と搬送アームＦ３との間でウエハＷを受け渡すために３本設けられている。図ではそのうちの２本のみ表示している。

図６中５６は移動部である。移動部５６には、周縁部溶剤供給ノズル５７が設けられている。前記基台４４には、移動部５６を移動させる駆動機構が設けられている。この駆動機構は、搬送アームＦに設けられる駆動機構と同様にモータ、プーリ及びベルトにより構成されている。移動部５６によって、周縁部溶剤供給ノズル５３が前記Ｙ方向に沿って水平移動し、溶剤の吐出位置をウエハＷの周端部と中心部側との間で移動させることができる。前記移動部５６のモータも、搬送アームＦのモータと同様に、基準位置からの回転量に応じたパルス数の信号を出力する。制御部６は、このパルス数が所定の値になるように制御信号を出力し、周縁部溶剤供給ノズル５７を所定の位置に位置させる。この周縁部溶剤供給ノズル５７により溶剤を吐出する位置を溶剤処理位置と記載し、ウエハＷの周縁において当該ノズル５７から溶剤が吐出される位置を溶剤吐出位置と記載する。

図８〜図１２を用いて、搬送アームＦ３からレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３へのウエハＷの受け渡しと、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３におけるウエハＷの処理とを説明する。先ず、向き調整用モジュール３２のステージ３３から搬送アームＦ３の保持体２がウエハＷを受け取り、搬送アームＦ３が搬送領域ＲをＹ方向を移動する。それによって、前記保持体２がスピンチャック５１の正面に移動すると共に基台２１が回転し、図８中に実線で示すように保持体２がスピンチャック５１の正面に、当該スピンチャック５１に向かうように位置する。そして、保持体２が基台２１上をＸ方向に前進し、図８中鎖線で示すようにウエハＷをスピンチャック５１上の受け渡し位置へ搬送する。その後、上昇した昇降ピン５５によりウエハＷが支持され、保持体２の後退、昇降ピン５５の下降によりウエハＷがスピンチャック５１に受け渡される。

スピンチャック５１によりウエハＷが回転し、溶剤供給ノズル４３からウエハＷの中心部へシンナーが吐出され、遠心力により当該ウエハＷの周縁部に広げられる。いわゆるスピンコーティングが行われる。次いでレジスト供給ノズル４２からレジストがウエハＷの中心部へ供給され、スピンコーティングによりウエハＷ全体にレジスト膜５０が形成される（図９）。その後、周縁部溶剤供給ノズル５７がカップ５２の外側の待機位置からカップ５２内の溶剤処理位置へ移動し（図１０）、回転するウエハＷの周縁部に溶剤を吐出する。前記溶剤はウエハＷの遠心力により溶剤吐出位置からウエハＷの周端へ広がり、ウエハＷの周縁部の不要部が、リング状に除去される（図１１）。前記溶剤の供給及びウエハＷの回転が停止し、処理が終了すると（図１２）、ウエハＷが搬送アームＦ３によりレジスト膜形成モジュールＣＯＴから搬出される。

ここで、スピンチャック５１に対するウエハＷの受け渡し位置とは、望ましくは図８に示すようにスピンチャック５１の回転中心Ｐ１とウエハＷの中心Ｐ２とが互いに一致する位置である。このように回転中心Ｐ１とウエハＷの中心Ｐ２とが一致すると、図１３に示すように不要部が除去されたレジスト膜５０の中心Ｐ３は、ウエハＷの中心Ｐ２に一致することになる。しかし、搬送アームＦ３の経年劣化により、各駆動機構のベルトの緩みやベルトの歯飛びなどが発生する場合がある。それらのトラブルが発生した場合、図８の受け渡し位置に保持体２が位置したときと同じように各エンコーダからのパルスが出力される位置に保持体２を移動させると、例えば図１４に示すように前記回転中心Ｐ１とウエハＷの中心Ｐ２とが一致しなくなる場合がある。つまり、スピンチャック５１に対するウエハＷの受け渡し位置がずれる。そうなると、図１５に示すように前記レジスト膜５０の中心Ｐ３は、ウエハＷの中心Ｐ２に対して偏心する。

塗布、現像装置１はこのような偏心を検出し、後続のウエハＷについては当該偏心が発生しないように成膜を行えるように構成されている。この手法について前記図１５を用いて概略的に説明する。説明にあたり、ウエハＷが前記受け渡し位置にてスピンチャック５１に受け渡されるときの前記Ｘ方向、Ｙ方向に沿ったウエハＷの直径を夫々ウエハＷのＸ軸、Ｙ軸と記載する。
検査モジュール３０から得られた画像データに基づいて、前記Ｘ軸の両端において、ウエハＷの周端とレジスト膜５０の周端との距離であるカット幅（レジスト膜の除去幅）Ｊ１、Ｊ２を夫々検出する。また、前記画像データに基づいて前記Ｙ軸の両端において、ウエハＷの周端とレジスト膜５０の周端との距離であるカット幅Ｋ１、Ｋ２を夫々検出する。そして、ΔＸ＝（Ｊ１−Ｊ２）／２、ΔＹ＝（Ｋ１−Ｋ２）を算出する。算出したΔＸ、ΔＹだけ、夫々Ｘ方向、Ｙ方向に前記搬送アームＦ３の受け渡し位置をずらす。例えば前記Ｋ１が０．６ｍｍ、Ｋ２が０．４ｍｍであったとすると、ΔＹ＝（０．６［ｍｍ］−０．４［ｍｍ］）／２＝０．１ｍｍ分、前記スピンチャック５１への受け渡し位置を予め設定された位置からずらす。

理解を容易にするために補正量ΔＸ、ΔＹの単位としてｍｍを使って説明したが、保持体２の受け渡し位置は、上記のようにエンコーダのパルス値として制御部６により設定されているため、実際には補正量ΔＸ、ΔＹはパルス値で表される。より具体的に説明すると、保持体２を前記受け渡し位置に位置させたときに、保持体２をＸ方向に移動させるために基台２１に設けられるモータのパルス値（Ｘ方向のパルス値）、保持体２をＹ方向に移動させるために筐体２４に設けられるモータのパルス値（Ｙ方向のパルス値）が夫々３０００パルス、２０００パルスであるように、制御部６に記憶されているものとする。

検査モジュール３０において、このような受け渡し位置で受け渡されて処理されたウエハＷについて、画像データを取得し、上記のようにカット幅を検出下結果、ΔＸが−３０パルスに相当し、ΔＹが１０パルスに相当していたとする。制御部６は、受け渡し位置について、このΔＸ、ΔＹだけずれるように補正し、受け渡し位置のＸ方向のパルス値を３０００−（−３０）＝３０３０、Ｙ方向のパルス値を２０００−１０＝１９９０として記憶する。そして、後続のウエハＷをこのパルス値が出力されるように新たに設定された受け渡し位置へ搬送し、スピンチャック５１の回転中心Ｐ１に対するウエハＷの中心Ｐ２の偏心を防ぐ。

説明を補足すると、向き調整用モジュール３２によりウエハＷは所定の向きに向けられる。搬送アームＦ３に保持されている間、またレジスト膜形成後の加熱モジュール３１に搬入されている間はウエハＷの向きは変化しない。また、スピンチャック５１にウエハＷが受け渡された後、上記のようにモジュールでの処理が終了してスピンチャック５１の回転が停止するまでのウエハＷの回転量は、制御部６により所定の値に制御される。つまり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３及び検査モジュール３０に対してウエハＷを所定の向きで搬送することができる。従って、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３での処理後、検査モジュール３０に所定の向きでウエハＷを搬送することができ、当該検査モジュール３０において所定の向きのウエハＷの画像データを取得することができる。それによって上記のように補正量ΔＸ及び補正量ΔＹを算出することができる。

搬送アームＦ４においても、搬送アームＦ３と同様に受け渡し位置の調整が行われる。また、周縁部溶剤供給ノズル５７の溶剤処理位置についても搬送アームＦ３、Ｆ４と略同様に補正が行われる。即ち、溶剤吐出時には前記ノズル５７を駆動させるモータのエンコーダが予め設定されたパルス値となるようにノズル５７が移動する。制御部６は、前記画像データに基づいてカット幅Ｊ１、Ｊ２、Ｋ１、Ｋ２の平均を算出し、算出値と予め設定されたカット幅の目標値との差分を求め、この差分に対応する分だけ前記溶剤処理位置を補正する。そして、溶剤処理位置が補正されたことにより、図１５に示すようにウエハＷにおける溶剤の吐出位置５９が変更され、カット幅が目標値になる。前記溶剤吐出位置５９は、ノズル５７の吐出口の投影領域である。

これまでは説明を容易にするために、ウエハＷの画像データにおいてカット幅を測定する箇所が４つであるように説明してきたが、実際には例えばウエハＷの周方向において、互いに離れた２４箇所の領域のカット幅を測定する。図１６はウエハＷの画像データの一例を示しており、図中測定領域を鎖線で囲って示している。この測定領域は、ウエハＷの周縁部において、中心部側から外周へと向かう長方形の領域である。画像データにおいて、レジスト膜５０と当該レジスト膜が除去された領域との境界、ウエハＷの内側と外側との境界は夫々画像のグレーレベルが変化しており、このグレーレベルの変化に基づいて制御部６がレジスト膜５０のカット幅を検出する。図中に１Ａとして示した測定領域を拡大し、カット幅を矢印で示している。

各測定領域について図１７も参照しながら説明する。例えば２４個の測定領域のうちの４つは、ウエハＷの前記Ｘ軸とＹ軸とに重なるように設定されている。この４つの測定領域をグループＡとし、周方向に沿って反時計回りに測定領域１Ａ、２Ａ、３Ａ、４Ａとして示している。上記の図１５の説明に用いたカット幅Ｊ１、Ｊ２、Ｋ１、Ｋ２は、これら測定領域４Ａ、２Ａ、３Ａ、１Ａの夫々のカット幅である。他の測定領域は、Ｘ軸及びＹ軸をウエハＷの中心Ｐ２周りに所定量傾けた傾斜軸Ｇ及び傾斜軸Ｈ上に設定している。図中αはこの傾斜軸Ｇ、ＨのＸ軸、Ｙ軸に対する角度である。この傾斜角αが同じ測定領域同士が、同じグループに属する。図１７ではグループごとに測定領域を表示し、同じグループに属する測定領域をグレースケールで示している。

傾斜角α＝１５°であるグループをグループＢとし、その各測定領域を、上記測定領域１Ａ、２Ａ、３Ａ、４Ａから夫々１５°ずつずれた１Ｂ、２Ｂ、３Ｂ、４Ｂとして示している。同様にα＝３０°であるグループをグループＣとし、その各測定領域を１Ｃ、２Ｃ、３Ｃ、４Ｃとして夫々示している。α＝４５°であるグループをグループＤとし、その各測定領域を１Ｄ、２Ｄ、３Ｄ、４Ｄとして夫々示している。α＝６０°であるグループをグループＥとし、その各測定領域を１Ｅ、２Ｅ、３Ｅ、４Ｅとして夫々示している。α＝７５°であるグループをグループとし、その各測定領域を１Ｆ、２Ｆ、３Ｆ、４Ｆとして夫々示している。

従って、グループＡの測定領域１Ａを基準にすると、他の各測定領域はウエハＷの中心から見て１５°ずつ、反時計回りにずれた位置に設定されている。以降、説明の便宜上、各測定領域のカット幅については、記号Ｌの後ろに当該測定領域１Ａからずれた角度の数値を付して示す場合がある。例えばグループＡにおいて、測定領域１Ａ、２Ａ、３Ａ、４Ａのカット幅は、Ｌ０、Ｌ９０、Ｌ１８０、Ｌ２７０として表す。例えばグループＤの測定領域１Ｄ、２Ｄ、３Ｄ、４Ｄのカット幅は、このルールに従うことにより夫々Ｌ４５、Ｌ１３５、Ｌ２２５、Ｌ３１５として表す。

上記の６つのグループＡ〜Ｆから夫々、ウエハＷの中心Ｐ２に対するレジスト膜の中心Ｐ３のＸ方向の偏心Ｘｃ（＝ΔＸ）、前記中心Ｐ２に対する前記中心Ｐ３のＹ方向の偏心Ｙｃ、中心Ｐ２と中心Ｐ３とを結ぶ線分で表される偏心量Ｚ、平均カット幅Ｅ、最大誤差Ｄを夫々算出する。図１８も参照しながらこれらの測定項目について説明する。前記平均カット幅Ｅは、同じグループ内の４つの測定領域のカット幅の平均値である。前記偏心Ｘｃは、上記の搬送アームＦのＸ方向の補正量ΔＸに相当する。前記偏心Ｙｃは、上記の搬送アームＦのＹ方向の補正量ΔＹに相当する。最大誤差Ｄは、平均カット幅Ｅと偏心量Ｚの両方を加味した誤差である。

これら偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、平均カット幅Ｅ、最大誤差Ｄの各項には許容範囲が設定され、許容範囲から外れた場合、測定されたウエハＷは不良なウエハＷとして制御部６により認定される。また、最大誤差Ｄについて補足しておく。最大誤差Ｄが大きいと、平均カット幅Ｅ、偏心量Ｚが前記許容範囲内に収まっていても、レジスト膜が除去される領域がデバイスの形成領域にかかるおそれがある。そこで、このように最大誤差Ｄを算出すると共に、この最大誤差についても許容範囲を設定している。

偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃを求める過程において、偏心ｔ、偏心ｕ、偏心角θを夫々算出する。偏心ｔは、Ｘ軸の傾斜軸である前記Ｇ軸に沿ったウエハＷの中心Ｐ２に対するレジスト膜の中心Ｐ３の偏心である。偏心ｕは、Ｙ軸の傾斜軸である前記Ｈ軸に沿ったウエハＷの中心Ｐ２に対するレジスト膜の中心Ｐ３の偏心である。偏心角θは、レジスト膜５０の中心Ｐ３とウエハＷの中心Ｐ２とを結ぶ線分と、Ｘ軸とがなす角である。

一例として、グループＤにおける平均カット幅Ｅ、偏心Ｘｃ、Ｙｃ、Ｚ、最大誤差Ｄの算出方法について、図１９を参照しながら説明する。他のグループの平均カット幅Ｅ、偏心Ｘｃ、Ｙｃ、偏心量Ｚ、最大誤差Ｄと区別するためにこのグループＤから算出される平均カット幅をＥｄ、偏心をＸｃｄ、Ｙｃｄ、Ｚｄ、最大誤差をＤｄと表記する。
平均カット幅Ｅｄは４つのカット幅の平均値であり、下記の式１で算出される。
Ｅｄ＝（Ｌ４５＋Ｌ１３５＋Ｌ２２５＋Ｌ３１５）／４・・・式１

また予め設定された値である不要部が除去された状態のレジスト膜の半径をｒ、同じく予め設定された値であるウエハＷの半径をＲとすると、下記の式２、式３が成り立つ。
Ｌ１３５＋ｒ・ｃｏｓθ−ｔ＝Ｒ・・・式２
Ｌ２７０＋ｒ・ｃｏｓθ＋ｔ＝Ｒ・・・式３
式２、式３から、下記の式４が求められる。
ｔ＝（Ｌ１３５−Ｌ３１５）／２・・・式４
また、前記偏心ｔを算出する場合と同様に考えると、下記の式５により偏心ｕが算出される。
ｕ＝（Ｌ２２５−Ｌ４５）／２・・・式５

前記偏心量Ｚｄ、偏心角θｄは下記の式６、式７で算出される。
Ｚｄ＝（ｔ^２＋ｕ^２）^１/２・・・式６
偏心角θｄ＝ｔａｎ^−１（ｔ／ｕ）−４５°・・・式７
この偏心量Ｚｄ、偏心角θｄに基づいて下記の式８、式９により偏心Ｘｃｄ、Ｙｃｄが算出される。
Ｘｃｄ＝Ｚｄ・ｃｏｓθｄ・・・式８
Ｙｃｄ＝Ｚｄ・ｓｉｎθｄ・・・式９

さらに、このように算出された平均カット幅Ｅｄ、偏心量Ｚｄ及び予め設定された値であるカット幅の目標値を用いて、次の式１０により、最大誤差Ｄｄが算出される。
最大誤差Ｄｄ＝｜カット幅の目標値−平均カット幅Ｅｄ｜＋偏心量Ｚｄ・・・式１０

グループＤ以外の他のグループについても同様に４つの測定領域にて検出されるカット幅から、平均カット幅Ｅ、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚが算出される。つまり、Ｌ４５、Ｌ１３５、Ｌ２２５、Ｌ３１５の代わりに各グループで測定されるカット幅を用いて上記各式１〜式１０による演算が行われる。また、式７においてグループＤでは、Ｘ軸、Ｙ軸に対して傾斜軸Ｇ、Ｈが４５°傾いているため、ｔａｎ^−１（ｔ／ｕ）により算出される角度から４５°を減算して偏心角を算出しているが、このように減算する角度はＸ軸、Ｙ軸に対する各グループの傾斜軸Ｇ、Ｈの傾きであるので、この傾斜軸の傾きに応じて各グループごとに用いられる値は異なる。グループＢ、Ｃ、Ｅ、Ｆで夫々１５°、３０°、６０°、７５°が減算される。

グループＡの平均カット幅Ｅ、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、偏心角θ、最大誤差Ｄの算出についても図２０を参照しながら説明しておく。他のグループの計算値と区別するために前記平均カット幅をＥａ、前記偏心をＸｃａ、Ｙｃａ、前記偏心量をＺａ、偏心角をθａ、最大誤差をＤａとして説明する。上記の式１においては、上記Ｌ４５、Ｌ１３５、Ｌ２２５、Ｌ３１５の代わりにＬ０、Ｌ９０、Ｌ１８０、Ｌ２７０が用いられるため、（Ｌ０＋Ｌ９０＋Ｌ１８０＋Ｌ２７０）／４が演算される。上記の式２〜式５についてもこれらＬ０、Ｌ９０、Ｌ１８０、Ｌ２７０が用いられるので、ｔ＝（Ｌ９０−Ｌ２７０）／２、ｕ＝（Ｌ１８０−Ｌ０）／２として演算される。偏心量Ｚａは、偏心ｔ，ｕからグループＤのＺｄと同様に算出される。また、このグループＡでは傾斜軸Ｇ、ＨがＸ軸、Ｙ軸に各々一致している。即ちＸ、Ｙ軸と傾斜軸Ｇ、Ｈ軸とのなす角が０°であるため、式７は、偏心角θａ＝ｔａｎ^−１（ｔ／ｕ）−０°として演算される。そして、式８及び式９より、Ｘｃａ＝Ｚａ・ｃｏｓθａ、Ｙｃａ＝Ｚａ・ｓｉｎθａとして算出される。また、式１０よりグループＤと同様に最大誤差Ｄａが算出される。なお、このグループＡでは上記のようにＸ、Ｙ軸と傾斜軸Ｇ、Ｈ軸とが一致しているため、式４、式５から演算される偏心ｔ，ｕは夫々偏心Ｘｃａ、Ｙｃａである。

グループＡ〜Ｆにおいて、各平均カット幅をＥａ〜Ｅｆ、各偏心ＸｃをＸｃａ〜Ｘｃｆ、各偏心ＹｃをＹｃａ〜Ｙｃｆ、各偏心量ＺをＺａ〜Ｚｆ、各偏心角θをθａ〜θｆ、最大誤差ＤをＤａ〜Ｄｆとすると、これらの各項目について平均値が算出される。つまり、平均カット幅については（Ｅａ＋Ｅｂ＋Ｅｃ＋Ｅｄ＋Ｅｅ＋Ｅｆ）/６が演算され、この演算値が最終的に測定された平均カット幅とされる。同様に、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、偏心角θ、最大誤差Ｄについても夫々各グループから検出された値の平均値が算出され、各平均値が最終的に測定された偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、偏心角θ、最大誤差Ｄとされる。偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃに基づいて、上記の受け渡し位置のＸ方向、Ｙ方向の補正量が算出される。平均カット幅に基づいて周縁部溶剤供給ノズル５７の溶剤処理位置の補正量が算出される。

図２１の表には、１枚のウエハＷの画像データから得られる各測定項目をまとめて示している。上記のように各グループごとに平均カット幅、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、偏心角θ及び最大誤差Ｄが算出され、各グループ間で同じ測定項目同士の値の平均値が算出される。これらの算出された測定値が、ウエハＷごとに制御部６に記憶される。表中に示したようにこの例では平均カット幅、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ及び最大誤差Ｄの単位はｍｍであり、偏心角θの単位は度（degree）である。

続いて、図２２を参照しながら制御部６について説明する。特許請求の範囲の搬送体操作部、移動機構操作部及びデータ処理部は当該制御部に含まれる。制御部６は、プログラム６１を備えたプログラム格納部６２、各種の演算を実行するＣＰＵ６３を備えている。図中６０はこれらプログラム格納部６２、ＣＰＵ６３が接続されるバスである。前記プログラム６１は、制御部６から塗布、現像装置１の各部に制御信号を送り、ウエハＷの搬送を制御すると共に各モジュールでウエハＷの処理を行うことができるようにステップ群が組まれている。例えば、既述の各モータに制御信号が送られることで搬送アームＦの保持体２はモジュール間を移動し、上記のレジスト膜形成モジュールＣＯＴを含む各モジュールに対するウエハＷの受け渡し位置へと移動することができる。同様に、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ５７も前記制御信号に基づいて待機位置と溶剤処理位置との間で移動することができる。また、前記レジスト膜の表面状態の良否判定もプログラム６１により行われる。
プログラム格納部６２は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）メモリーカードなどの記憶媒体により構成され、プログラム６１はこのような記憶媒体に格納された状態で制御部６にインストールされる。

制御部６は第１の記憶部６４を備えている。この第１の記憶部６４には、上記のように各グループから算出される偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、カット幅Ｅについて、補正を行う範囲、補正不可能範囲、補正不要範囲（許容範囲）について夫々記憶されている。これらは、前記搬送アームＦの受け渡し位置及び前記レジスト膜形成モジュールＣＯＴの周縁部溶剤供給ノズル５７の溶剤処理位置について補正を行うか否かの判定、及び前記搬送アームＦ及び前記モジュールＣＯＴを使用不可にするか否かの判定を行うために用いられる。また、図示は省略したが偏心量Ｚ、最大誤差Ｄの許容範囲、補正不可能範囲についても、この第１の記憶部６４に記憶される。

制御部６は、第２の記憶部６５を備えている。この第２の記憶部６５には制御部６により付されたロット及びウエハＷのＩＤが記憶されている。また、この第２の記憶部６５には、ウエハＷごとに、どのレジスト膜形成モジュールＣＯＴで処理されたか、どの搬送アームＦにより前記レジスト膜形成モジュールＣＯＴに搬送されたか、上側保持体２、下側保持体２のうちどちらで前記レジスト膜形成モジュールＣＯＴに搬送されたか、というデータが互いに対応付けられて記憶される。さらに、当該第２の記憶部６５には、図２１で説明した平均カット幅Ｅ、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、偏心角θ、最大誤差Ｄについての各測定項目の値がウエハＷごとに記憶される。既述のレジスト膜の表面状態についての良否の判定も、ウエハＷごとに記憶される。

また、制御部６には第３の記憶部６６が設けられる。この第３の記憶部６６には、例えば塗布、現像装置１の電源投入後における、搬送アームＦ３、Ｆ４の受け渡し位置の補正回数、及び各レジスト膜形成モジュールＣＯＴの周縁部溶剤供給ノズル５７の溶剤処理位置の補正回数が記憶される。各補正は繰り返し行うことが可能であるが、その回数について上限値が設定されており、当該上限値もこの第３の記憶部６６に記憶される。

さらに、制御部６には第４の記憶部６７が設けられる。この第４の記憶部６７には搬送アームＦ３、Ｆ４について、レジスト膜形成モジュールＣＯＴへの受け渡し位置のデータが記憶される。このデータは既述してきたようにＸ方向の位置データ、Ｙ方向の位置データであり、前記Ｘ方向の位置データは搬送アームＦの保持体２ごとに記憶されている。これらのデータは、上記のようにエンコーダのパルス値として記憶されており、上記の偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃに基づいて補正される。また、各レジスト膜形成モジュールＣＯＴの周縁部溶剤供給ノズル５７の溶剤処理位置のデータについてもエンコーダのパルス値として記憶されている。このデータは上記の平均カット幅Ｅにより補正される。なお、図示及び説明の便宜上記憶部を４つに分けているが、これらは共通のメモリにより構成されていてもよい。

また、制御部６はアラーム出力部６８を備えている。このアラーム出力部６８は、上記の補正不可能範囲に含まれる測定項目があったり、後述するように上限値まで、搬送アームＦの受け渡し位置または溶剤処理位置の補正を行ってもカット幅Ｅ、偏心Ｘｃまたは偏心Ｙｃが許容範囲にならない場合にアラームを出力する。アラーム出力としては、画面に所定の表示を行ったり、所定の音声を出力することにより行われる。

制御部６にはディスプレイにより構成される表示部６９が設けられている。この表示部６９には、第２の記憶部６５に記憶されているデータが表示される。具体的には、各ウエハＷについて、表面検査結果の良否、処理を行ったレジスト膜形成モジュールＣＯＴ、当該モジュールＣＯＴに搬送した搬送アーム及び保持部、画像データから得られた各測定項目の値が互いに対応付けられて表示される。

続いて、搬送アームＦ３、Ｆ４の受け渡し位置及び溶剤処理位置の補正が行われるプロセスについて、図２３のフローチャートを参照して説明する。また、このフローの説明においては、先に塗布、現像装置１に搬入されたウエハＷをＷ１、後続のウエハＷをＷ２とする。ウエハＷ１とＷ２とは互いに同じ搬送経路で搬送され、同じ保持体２を用いてレジスト膜形成モジュールＣＯＴに搬送されるように設定されているものとする。

上記のように塗布、現像装置１を搬送され、反射防止膜が形成されたウエハＷ１が単位ブロックＥ３（Ｅ４）の向き調整用のモジュール３１に搬入され、ノッチＮが所定の方向に向くようにその向きが調整される（ステップＳ１）。ウエハＷ１を保持した搬送アームＦ３（Ｆ４）の保持体２が、制御部６に記憶される受け渡し位置のデータに基づいて、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３（ＣＯＴ４）のスピンチャック５１上の前記受け渡し位置に移動し、図８で説明したようにウエハＷ１がスピンチャック５１に受け渡される。ウエハＷ１の受け渡し先のレジスト膜形成モジュールがＣＯＴ３、ＣＯＴ４のいずれか、受け渡した搬送アームがＦ３、Ｆ４のいずれか、上側、下側のいずれの保持体２で塗布モジュールＣＯＴ３に受け渡したかが制御部６に記憶される。

図９で説明したように、ウエハＷの表面全体にレジスト膜の形成が行われる。次いで、制御部６に記憶される溶剤処理位置のデータに基づいて、当該溶剤処理位置に溶剤吐出ノズル５１が移動し、ウエハＷ１の周縁部に溶剤が吐出され、図１０〜図１２で説明したようにレジスト膜の不要部の除去が行われる（ステップＳ２）。

加熱モジュール３１での処理後、前記ウエハＷ１は検査モジュール３０に搬送され、カメラにより撮像され、それによって得られた画像データが制御部６に送信される（ステップＳ３）。この画像データからレジスト膜の表面の良否判定が行われ、その判定結果が制御部６に記憶される。さらに、前記画像データから、既述の各グループＡ〜Ｆについて、平均カット幅Ｅ、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、偏心角θ、最大誤差Ｄが算出される。そして、これらカット幅Ｅ、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、偏心角θ、最大誤差Ｄについて６つのグループＡ〜Ｆ間の平均値が算出され、これらの計算値が制御部６に記憶される（ステップＳ４）。この一連のフローにおいてこれ以降、単に平均カット幅Ｅ、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、偏心角θ、最大誤差Ｄという場合には、グループＡ〜Ｆ間の平均値のことを指す。

算出された平均カット幅Ｅ、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、偏心量Ｚ、最大誤差Ｄの各検査項目について、その値が予め設定された補正不可能範囲に設定されているものがあるか否かが判定される（ステップＳ５）。ステップＳ５において、どの検査項目も補正不可能範囲に含まれないと判定された場合、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ及び平均カット幅Ｅについて、これらのパラメータが補正を行う範囲に含まれているか否かが判定される（ステップＳ６）。ステップＳ６でいずれのパラメータも補正を行う範囲に含まれていないと判定された場合、各検査項目は補正不要範囲に収まっているため、搬送アームＦの受け渡し位置及び周縁部溶剤供給ノズル５７の溶剤処理位置は補正されないまま、後続のウエハＷ２が、ウエハＷ１と同様にレジスト膜形成モジュールＣＯＴへ受け渡され、レジスト膜の不要部の除去が行われる（ステップＳ７）。

前記ステップＳ６で、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃ、平均カット幅Ｅのいずれかが補正を行う範囲に含まれていると判定された場合は、制御部６に記憶されたデータに基づき、このウエハＷ１のレジスト膜の表面状態が良好か否かの判定が行われる（ステップＳ８）。このステップＳ８でレジスト膜の表面状態が不良と判定された場合は、前記ステップＳ７が実行され、前記受け渡し位置及び前記溶剤処理位置は補正されないまま、後続のウエハＷ２のレジスト膜形成モジュールＣＯＴへの受け渡し及びレジスト膜の不要部の除去が行われる。このように表面状態が異常と判定されたウエハＷに基づいて補正を実行しないのは、当該ウエハＷにおいてはレジスト膜が正常に形成されていない場合があるためである。

ステップＳ８において、レジスト膜の表面状態が良好と判定された場合、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃのいずれかが補正を行う範囲に含まれているとすると、ウエハＷ１を搬送する搬送アームＦの受け渡し位置の補正回数が、上限値に達しているか否かが判定される。また、カット幅Ｅが補正を行う範囲に含まれているとすると、ウエハＷ１を処理したレジスト膜形成モジュールＣＯＴについて、溶剤処理位置の補正回数が、上限値に達しているか否かが判定される（ステップＳ９）。

ステップＳ９において、前記受け渡し位置についての補正回数が上限値に達していないと判定された場合、当該受け渡し位置の補正が行われる。偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃのうち、補正を行う範囲とされたパラメータについて、この偏心の値をエンコーダのパルス値に変換した補正量ΔＸ、ΔＹが算出される。このＸｃ、ＹｃからΔＸ、ΔＹへの変換式は予め制御部６に記憶されているものとする。そして、このように算出されたΔＸ、ΔＹにより、図１５を用いて説明したように第４の記憶部６７に記憶される受け渡し位置のデータが補正される。つまり、補正量ΔＹによって搬送アームＦ３、Ｆ４のうち、ウエハＷ１をレジスト膜形成モジュールＣＯＴに受け渡した搬送アームＦのＹ方向の受け渡し位置のデータが補正される。補正量ΔＸによって前記搬送アームＦの２つ保持体２のうちウエハＷ１を保持していた保持体２のＸ方向の受け渡し位置のデータが補正される。このように補正が行われると共に、前記搬送アームＦの補正回数が１つ繰り上がるように更新される。

また、ステップＳ９において、溶剤処理位置の補正回数が上限値に達していないと判定された場合には、前記測定された平均カット幅Ｅとカット幅の目標値との差分（μｍ）が演算され、この差分値をエンコーダのパルス値に変換した補正量ΔＥが算出される。この変換式及び前記目標値は予め制御部６に記憶されているものとする。そして、このように算出された補正量ΔＥにより、ウエハＷ１を処理したレジスト膜形成モジュールＣＯＴの溶剤吐出位置のデータが補正される。この補正は、搬送アームＦの受け渡し位置の補正と同様に行われ、例えば溶剤吐出位置のデータのパルス値がＡと記憶されているとすると、Ａ−ΔＥが補正後の溶剤吐出位置のデータとして記憶される。このように補正が行われると共に、前記モジュールＣＯＴの溶剤処理位置の補正回数が１つ繰り上がるように更新される（ステップＳ１０）。

図２４は、前記受け渡し位置が補正される様子を示している。図の上段に示すようにウエハＷ１はスピンチャック５１の回転中心Ｐ１に対してウエハＷ１の中心Ｐ２が偏心するように搬送アームＦ３（Ｆ４）の保持体２によりウエハＷの受け渡し位置（図中鎖線で表示）へ搬送されている。そして、上記のようにフローが実行され、受け渡し位置のデータが補正される。ここでは偏心Ｘｃ、Ｙｃが共に補正を行う範囲であり、受け渡し位置のデータはＸ方向についてもＹ方向についても補正されたものとする。

然る後、後続のウエハＷ２を保持した搬送アームＦ３（Ｆ４）の保持体２が、記憶されたデータに従って受け渡し位置に移動する。このデータは補正されているため、図中下段に示すようにウエハＷ２の中心Ｐ２とスピンチャック５１の回転中心Ｐ１とが互いに一致する。この受け渡し後、ウエハＷ１と同様にレジスト膜形成モジュールＣＯＴで処理され、図１３に示したように形成されるレジスト膜の中心Ｐ３はウエハＷの中心Ｐ２に一致する。

図２５は、溶剤処理位置が補正される様子を示している。この例では図中上段に示すようにウエハＷ１の処理時に周縁部溶剤供給ノズル５７の溶剤吐出位置５９が比較的ウエハＷの内方側に位置し、当該ウエハＷ１の検査の結果、目標値よりもカット幅Ｅが小さかったものとする。そして、上記のようにフローが実行され、溶剤処理位置のデータが補正され、ウエハＷ２が搬入され、レジスト膜が形成されると、補正された処理位置のデータに従って周縁部溶剤供給ノズル５７が移動する。図中下段は、当該周縁部溶剤供給ノズル５７により処理されたウエハＷ２を示している。周縁部溶剤供給ノズル５７は、ウエハＷ１の処理時よりもウエハＷの外方側に位置し、溶剤吐出位置５９もウエハＷの外方に寄るように位置する。これによってレジスト膜５０のカット幅が目標値となる。

このようにレジスト膜形成モジュールＣＯＴで処理を終えたウエハＷ２は検査モジュール５１などの各モジュールをウエハＷ１と同様に搬送される。図２４、図２５の例では受け渡し位置及び溶剤処理位置について補正が行われた結果、ウエハＷ２の処理時には各測定項目が補正不要範囲に収まり、補正が行われないものとしているが、ウエハＷ２についてもウエハＷ１のフローに従って処理されるので、このウエハＷ２からの画像データを解析した結果によっては、ステップＳ６、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０が実行され、データの補正が再度行われることになる。つまり、第３の記憶部６６に設定している補正の繰り返し回数の上限値を超えない限り、各パラメータが補正不要範囲に収まるまで、前記受け渡し位置及び溶剤処理位置の補正が繰り返して行われる。

図２３のフローの説明に戻る。ステップＳ９において、搬送アームＦの受け渡し位置の補正回数が上限値に達していると判定された場合は、当該搬送アームＦを使用不可とする。搬送アームＦ３を使用不可にする場合を例に挙げて詳しく説明すると、上記の判定が行われると単位ブロックＥ３の搬入口となる受け渡しモジュールであるＴＲＳ３への受け渡しを停止する。そして、搬送アームＦ３は、すでに単位ブロックＥ３に搬入されているウエハＷを既述の経路で搬送し、単位ブロックＥ３からそれらのウエハＷが搬出されると、その動作を停止する。このように搬送アームＦ３の動作をすぐに停止させないのは、前記停止によって正常に処理が行われないウエハＷが増えることを防ぐためである。そして、単位ブロックＥ３に搬送されるように設定されていたウエハＷについては、単位ブロックＥ４に搬送されて処理を受けるように搬送経路が変更される。搬送アームＦ４を使用不可にする場合も同様であり、受け渡しモジュールＴＲＳ４へのウエハＷの搬送停止、単位ブロックＥ４からのウエハＷの搬出、及び単位ブロックＥ３への後続のウエハＷの搬送経路の切り替えが行われる。

また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３（ＣＯＴ４）において前記溶剤吐出ノズル５１の処理位置の補正回数が設定回数を超えたと判定されると、当該レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３（ＣＯＴ４）を使用不可とし、当該モジュールＣＯＴへのウエハＷの搬送を停止させる。この実施形態では１つの単位ブロックにレジスト膜形成モジュールＣＯＴが１つしか無いので、搬送アームＦを使用不可にする場合と同様に当該レジスト膜形成モジュールＣＯＴを含む単位ブロックへのウエハＷの搬送を停止させる。
そして、このように搬送アームまたはレジスト膜形成モジュールＣＯＴが使用不可とされると、搬送アームＦ３、Ｆ４、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４のいずれが使用不可になっているかを示すようにアラームが出力され、塗布、現像装置１のユーザに当該搬送アームまたはモジュールの修理を促す（ステップＳ１１）。

ステップＳ５において算出された設定項目のうち、補正不可範囲に含まれているものがあると判定された場合にも前記ステップＳ１１が行われる。つまり、ウエハＷ１を搬送した搬送アームＦ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴが使用不可とされ、これらの修理を促すためにアラームが出力される。
ところで、１つの単位ブロックＥにおいて使用可能なレジスト膜形成モジュールＣＯＴが複数あり、１つのレジスト膜形成モジュールＣＯＴが使用不可になったときに他のレジスト膜形成モジュールＣＯＴが使用可能であると、使用不可になったレジスト膜形成モジュールＣＯＴに搬送されるように設定されていた後続のウエハＷは、前記使用可能なレジスト膜形成モジュールＣＯＴに搬送されるように設定される。つまり、前記単位ブロックＥへの搬送が中止されることなく、当該単位ブロックＥにおけるウエハＷの処理が引き続き行われる。

このような塗布、現像装置１によれば、レジスト膜の表面状態を検査するための検査モジュール３０により取得された画像データに基づいて、ウエハＷの周方向における複数の領域でのカット幅を検出し、当該カット幅に基づいて、搬送アームＦのレジスト膜形成モジュールＣＯＴへの受け渡し位置及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴの周縁部溶剤供給ノズル５７の溶剤処理位置を補正するための測定項目が算出される。そして、そのように算出されたデータによって、前記受け渡し位置及び溶剤処理位置の補正が行われる。従って、装置１の外部にレジスト膜形成モジュールＣＯＴにより処理されたウエハＷを搬出する必要が無くなる。また装置１のユーザが、ウエハＷと、当該ウエハＷを処理したレジスト膜形成モジュールＣＯＴと、レジスト膜形成モジュールＣＯＴへ前記ウエハＷを搬送した搬送アームＦと、ウエハＷのカット幅の測定結果とを対応付けて記憶したり、この対応についての情報をメモしたりする必要が無くなる。従って、ユーザの手間が軽減されるし、ユーザの記憶違いや手違いにより、補正が誤って行われるなどの人為的なミスを防ぐことができる。

また、この第１の実施形態では上記の画像データからカット幅が検出されると、制御部６が自動でそのカット幅に基づいて前記受け渡し位置及び溶剤処理位置の補正を行う。従って、速やかに前記補正を行うことができ、算出される各パラメータについての検査結果が不適となるウエハＷ枚数が多くなることが防がれるし、ユーザの手間をより抑えることができる。

さらに、前記画像データを取得する検査モジュール３０は、レジスト膜の表面状態の検出も行うためのモジュールであり、得られた画像データから上記各パラメータの算出とレジスト膜の表面状態の良否の判定とが並行して行われる。従って、このような補正データを取得するにあたり、専用のモジュールを設ける必要が無いので、塗布、現像装置１内のモジュール設置数が抑えられ、装置の大型化を防ぐことができる。また、上記のように補正データの算出は、前記表面状態に異常が有ると判定されたウエハＷについては行われないので、不適切な補正データが算出されることを防ぐことができるため、不良な処理が行われるウエハＷの枚数を抑えることができる。

検査モジュール３０による画像データの取得は全てのウエハＷについて行うことには限られず、例えばロットの先頭のウエハＷについてのみ行うようにしてもよい。また、この第１の実施形態において、前記受け渡し位置及び処理位置の補正は、補正値の算出後すぐに行うことには限られない。例えば先に装置１に搬入されるロットＡについて検査により補正値を算出しても、ロットＡの処理中は補正を行わない。そして、ロットＡ処理後、次に装置１に搬入されるロットＢをレジスト膜形成モジュールＣＯＴに搬送する前に補正を行う。このようにして同じロット内において各ウエハＷの処理状態が揃うようにしてもよい。

（第２の実施形態）
上記のように制御部６が自動で前記受け渡し位置及び溶剤処理位置の補正を行うことには限られない。この第２の実施形態では、第１の実施形態と同様に画像データに基づいて、各測定項目が演算される。各測定項目は表示部６９に表示される。表示部６９はタッチパネルなどにより構成され、算出された測定項目に従って補正を行うか否かはユーザが決定することができる。また、ユーザはこの表示部６９から、算出された各測定項目の値を変更して補正を行うこともできる。この実施形態においては当該表示部６９が、特許請求の範囲における搬送体操作部及び移動機構操作部を構成する。

図２６に表示部６９の画面表示の一例を示している。図中の上段から中段へ、中段から下段へ、ユーザの指示により画面表示が切り替わる。図中上段の表について説明する。表ではロットのＩＤと、当該ロットについて処理を開始した時刻と、ロットに含まれるウエハＷの枚数とが互いに対応付けられて表示されている。ユーザは、各ロットについて割り振られた選択番号を選択することで、上記の測定項目について表示を行うロットを選択する。なお、同じロットには同種の処理が行われるので、この画面は所定の処理を行ったウエハＷのデータを表示するための画面であるとも言える。

図２６中の中段の表について説明する。この画面７２では上段の表で選択されたロットに含まれるウエハＷのデータが、当該ウエハＷごとに表示される。この画面表示は前記第２の記憶部６５に格納されたデータに基づいて行われる。表示されるデータとしては、ウエハＷのＩＤ、レジスト膜の表面状態の良否、どのレジスト膜形成モジュールＣＯＴで処理されたか、どの搬送アームで前記モジュールＣＯＴに搬送されたか、上下いずれの保持体２を用いて搬送されたかというデータである。
さらに、カット幅の目標値、各グループＡ〜Ｆから算出された平均カット幅Ｅ、偏心量Ｚ、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃについても表示される。これら平均カット幅Ｅ、偏心量Ｚ、偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃは、既述の各グループＡ〜Ｆの平均値である。

また、表中の上側測定値、下側測定値、左側測定値及び右側測定値について説明する。各グループＡ〜Ｆ間の傾斜軸Ｇの一端側（図１７中右側）のカット幅の平均を右側測定値、傾斜軸Ｇの他端側（図１７中左側）のカット幅の平均を左側測定値としている。各グループＡ〜Ｆ間の傾斜軸Ｈのカット幅の一端側（図１７中上側）の数値の平均を上側測定値、傾斜軸Ｈの他端側（図１７中下側）のカット幅の平均を下側測定値としている。なお、ここではグループＡについてＸ軸＝傾斜軸Ｇ、Ｙ軸＝傾斜軸Ｈであるものとする。ユーザは、各ウエハＷについて設けられるチェック欄から、上記の各補正を行うためにそのデータを用いるウエハＷを指定することができる。

図２６中下段の画面について説明する。この画面では、前記中段の画面で指定したウエハＷ間における上側測定値、下側測定値、右側測定値、左側測定値について夫々の平均値が表示される。指定したウエハＷが１つである場合には、前記平均値の代わりに当該選択したウエハＷの各測定値が表示される。
またこの画面では、指定したウエハＷを搬送した搬送アームＦ及びその保持体２においての現在設定されている受け渡し位置のデータと、指定したウエハＷを処理したレジスト膜形成モジュールＣＯＴの周縁部溶剤供給ノズル５７について、現在設定されている溶剤処理位置のデータが表示される。これらの表示は前記、第４の記憶部６７のデータに基づいて行われる。

また、補正後のＸ方向の受け渡し位置、補正後のＹ方向の受け渡し位置についても表示される。この補正後のＸ方向の受け渡し位置は、指定したウエハＷ間の偏心Ｘｃの平均値と、現在設定されているＸ方向の受け渡し位置とにより演算されるものである。同様に補正後のＹ方向の受け渡し位置は、選択したウエハＷ間の偏心Ｙｃの平均値と、現在設定されているＹ方向の受け渡し位置とにより演算されるものである。
さらに補正後の溶剤処理位置についても表示される。この補正後の処理位置は、指定したウエハＷ間の平均カット幅の平均値と、現在設定されている溶剤処理位置とにより演算される。

この下段の画面には、補正実行ボタン、キャンセルボタン及び再計算ボタンが表示される。補正実行ボタンをタッチすることにより、この画面で設定される値に受け渡し位置及び処理位置が変更される。つまり、第４の記憶部６７のデータが書き換えられ、以降補正されたデータに基づいて、第１の実施形態と同様に搬送アームＦ及び周縁部溶剤供給ノズル５７の移動が行われる。キャンセルボタンを押すと補正は実行されず、この画面が閉じられる。

この下段側に表示された上側測定値、下側測定値、右側測定値、左側測定値について、ユーザはその値を変更することができる。変更後、再計算ボタンを押すことで、これら変更値に基づいて補正後の受け渡し位置及び溶剤処理位置について再計算が行われ、その計算値が画面に表示される。また、補正後の受け渡し位置及び溶剤処理位置の値をユーザが直接書き換えて変更することもできる。変更後、補正実行ボタンを押すことでこの画面で変更された受け渡し位置及び溶剤処理位置に第４の記憶部６７のデータが書き換わる。図２６の下段側の画面では示していないが、カット幅の目標値についても当該画面から変更し、変更した値に従って再計算ができるようになっていてもよい。

第１及び第２の実施形態として区別して説明したが、これらの実施形態は組み合わせて１つの装置として構成されていてもよく、例えばユーザが第１の実施形態に沿って補正を行うか、第２の実施形態に沿って補正を行うか選択自在に構成されていてもよい。
また、ウエハＷの方向をスピンチャック５１への受け渡し時と、検査モジュール３０への搬入時とで確実に対応付けるために、前記受け渡し前に向き調整用モジュール３２を用いてウエハＷの向きを調整しているが、このようにウエハＷの向きを調整することに限られない。検査モジュール３０の画像データより、ノッチＮの検出を行うことができる。そして、レジスト膜形成モジュールＣＯＴから検査モジュール５１に至るまでの加熱モジュール３１及び搬送アームＦの保持体２上でウエハＷは回転せず、上記のようにレジスト膜形成モジュールＣＯＴにおいてはウエハＷの回転量について制御部６が検出できるので、ノッチＮの位置からスピンチャック５１に受け渡し時におけるウエハＷのノッチＮの位置が分かる。即ち、ウエハＷの上記Ｘ軸及びＹ軸を検出することができるので、上記のＸ方向、Ｙ方向の補正を行うことができる。

また、上記のカット幅に基づいた各パラメータの算出方法は、一例でありこの例に限られるものではない。例えば画像データから図の上側のグラフで示すようにカット幅が検出されたとする。グラフの横軸は、グループＡ〜Ｆの各測定領域を示している。具体的には、測定領域１Ａを０度とし、他の測定領域についてはウエハＷの中心Ｐ２まわりにこの測定領域１Ａからずれた角度で示している。縦軸はカット幅（単位μｍ）を５０μｍ刻みで示している。
このようなカット幅のデータがなすグラフ線を例えば最小二乗法を用いて、下側のグラフで示すようにサインカーブを描くように近似する。つまり、各カット幅のデータが、このサインカーブ上にあるように補正する。このように補正したカット幅を用いて、既述の各パラメータを算出してもよい。また、このようにサインカーブへの近似を行う場合、当該サインカーブの振幅は偏心量Ｚに対応する。また得られたサインカーブについて、所定のサインカーブに対する位相ずれが偏心角θに対応する。この偏心量Ｚ、偏心角θから上記の偏心Ｘｃ、偏心Ｙｃを算出するようにしてもよい。

この例では受け渡し位置の補正及び処理位置の補正の両方を行っているが、いずれか一方のみ行うようにしてもよい。上記のように複数箇所を測定することで測定精度を高めることができるが、受け渡し位置の補正を行うにあたっては測定領域は４つであってもよい。また、処理位置の補正のみを行うにあたっては、測定領域は１つであってもよい。また、レジスト塗布を別のモジュールにより行い、前記レジスト膜形成モジュールＣＯＴを前記レジスト膜の不要部の除去のみを行うモジュールとして構成してもよい。
また、上記の各実施形態において、説明を省略したが周縁部溶剤供給ノズル５７は、溶剤の吐出開始後は回転するウエハＷの外側へ向かって移動し、ウエハＷ上における溶剤の吐出位置が外側へと移動することによりレジスト膜の除去が行われる。ただし、ノズルの移動を行わず、ウエハＷの回転による遠心力のみによって溶剤をウエハＷの周端に行き渡らせても良い。また、溶剤の吐出位置のウエハＷの内側の位置が補正されればよいので、ノズル５７の移動方向は外側から内側であってもよい。

また、周縁部溶剤供給ノズル５７は、溶剤吐出位置をウエハＷの内方側と外方側との間で変更することができればよい。従って例えば、図２８に示すように互いに異なる吐出位置に溶剤を吐出する複数の周縁部溶剤供給ノズル５７を設け、上記の処理位置の補正を行う際には、各ノズル５７のバルブＶの開閉を制御することにより行ってもよい。その他に、ノズル５７の傾きが変更されるようにしてもよい。各実施形態では塗布膜としてレジスト膜を例に挙げたが、本発明はレジスト膜の除去に限られるものではなく、例えば反射防止膜の除去に適用してもよい。また、検査モジュール３０による画像データの取得は、ウエハＷの周縁部の塗布膜が除去されたものについて行われればよい。従って、現像処理を行い、レジスト膜にパターンを形成したウエハＷを検査モジュール３０に搬送して、画像データを取得してもよい。従って、ウエハＷの表面状態としてパターンの寸法の適否を判定するために用いる画像データから、上記のカット幅を検出してもよい。

ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
Ｅ 単位ブロック
Ｆ 搬送アーム
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
２ 保持体
３０ 検査モジュール
３２ 向き調整用モジュール
５０ レジスト膜
５１ スピンチャック
５６ 移動部
５７ 周縁部溶剤供給ノズル
５９ 溶剤吐出位置
６ 制御部

Claims (15)

1. 搬送体により円形の基板の裏面側を保持部に受け渡して保持させる工程と、
   次いで前記保持部を基板の直交軸周りに回転させながら、基板の表面に形成されている塗布膜の周縁部に対して溶剤ノズルから溶剤を供給し、予め設定された幅寸法でリング状に塗布膜を除去する塗布膜除去工程と、
   次いで、前記基板の表面全体を撮像して前記塗布膜の状態を検査するための検査モジュールに、当該基板を搬送する工程と、
   その後、前記検査モジュールにより取得した画像データに基づいて塗布膜の除去領域を検出する工程と、
   この工程の検出結果に基づいて、前記搬送体による前記保持部に対する後続の基板の受け渡し位置を補正する工程と、
   を含むことを特徴とする塗布膜除去方法。
2. 前記塗布膜の除去領域の検出結果に基づいて、前記溶剤ノズルによる後続の基板に対する溶剤の供給位置を補正する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の塗布膜除去方法。
3. 前記除去領域の検出結果に基づいて、前記後続の基板を前記搬送体から前記裏面側保持部に受け渡すか、あるいは前記搬送体から当該裏面側保持部への受け渡しを中止するかを決定する工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板周縁部の塗布膜除去方法。
4. 前記保持部に対する後続の基板の受け渡し位置の補正または後続の基板に対する溶剤の供給位置の補正は、前記除去領域の検出結果に基づいて繰り返し行われ、この繰り返し回数が設定値を超えたときに、前記搬送体から当該裏面側保持部への受け渡しを中止する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板周縁部の塗布膜除去方法。
5. 前記画像データに基づいて前記基板の塗布膜の状態の良否の判定を行う工程を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板周縁部の塗布膜除去方法。
6. 塗布膜の状態が不良と判定された基板の画像データに基づいては、前記保持部に対する後続の基板の受け渡し位置の補正または溶剤の吐出位置の補正が行われないことを特徴とする請求項５記載の基板周縁部の塗布膜除去方法。
7. 表面に塗布膜が形成された円形の基板の裏面を保持すると共に前記基板を当該基板に直交する軸回りに回転させる裏面側保持部と、前記回転する基板の周縁部に前記溶剤を供給し、予め設定された幅寸法でリング状に前記塗布膜を除去するための溶剤供給ノズルと、を備えた塗布膜周縁部除去モジュールと、
   駆動機構により前記塗布膜周縁部除去モジュールへ前記基板を搬送し、前記裏面側保持部に当該基板を受け渡す搬送体と、
   前記塗布膜が除去された基板の表面全体を撮像し、前記塗布膜の状態を検査するために画像データを取得する検査モジュールと、
   前記画像データに基づいて塗布膜の除去領域を検出するためのデータ処理部と、
   前記除去領域に基づいて、前記搬送体による前記保持部に対する後続の基板の受け渡し位置を補正するように前記駆動機構を動作させるための搬送体操作部と、
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
8. 前記データ処理部及び前記搬送体操作部を構成する制御部が設けられ、
   前記制御部は、前記駆動機構に制御信号を送信して、その動作を制御し、
   前記搬送体から裏面側保持部に基板を受け渡すステップと、
   前記基板から検出された前記塗布膜の除去領域に基づいて、補正された受け渡し位置に後続の基板を受け渡すステップと、
   を行うように前記制御信号を出力することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記塗布膜周縁部除去モジュールは、前記溶剤の供給位置を基板の周端側と内側との間で移動させるための移動機構を備え、
   前記制御部は、前記移動機構に制御信号を送信して、その動作を制御し、
   基板に溶剤を供給するステップと、
   前記基板から検出された前記塗布膜の除去領域に基づいて、補正された位置に溶剤を供給するステップと、
   を行うように前記制御信号を出力することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
10. 前記制御部は、検出された除去領域に基づいて、前記後続の基板を前記搬送体から前記裏面側保持部に受け渡すか、あるいは前記搬送体から当該裏面側保持部への受け渡しを停止するかを決定するステップを実行するように制御信号を出力することを特徴とする請求項８または９記載の基板処理装置。
11. 前記制御部は、前記搬送体による前記保持部に対する後続の基板の受け渡し位置の補正または前記溶剤ノズルによる後続の基板に対する溶剤の供給位置の補正を、前記塗布膜の除去幅の除去領域に基づいて繰り返し行い、この繰り返し回数が設定値を超えると、前記搬送体から当該裏面側保持部への受け渡しを中止するステップを実行するように制御信号を出力することを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理装置。
12. 前記塗布膜周縁部除去モジュールは、第１の塗布膜周縁部除去モジュール及び第２の塗布膜周縁部除去モジュールを含むと共に、前記搬送体は、上流側のモジュールから各々第１の塗布膜周縁部除去モジュール、第２の塗布膜周縁部除去モジュールに夫々基板を搬送する第１の搬送体、第２の搬送体を含み、
    前記第１の搬送体、第２の搬送体による基板の搬送は互いに並行して行われ、上流側モジュールに搬送される基板は、予め第１の塗布膜周縁部除去モジュール、第２の塗布膜周縁部除去モジュールのうちいずれかに搬送されるかが予め設定されており、
    前記制御部は、前記第１の搬送体及び第２の搬送体のうちいずれか一方の搬送体による塗布膜周縁部除去モジュールへの搬送が停止したときに、
    第１の塗布膜周縁部除去モジュール及び第２の塗布膜周縁部除去モジュールに搬送されるように設定されていた基板を、他方の搬送体により、前記上流側モジュールから当該他方の搬送体の受け渡し先の塗布膜周縁部除去モジュールへ搬送するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１０または１１記載の基板処理装置。
13. 前記データ処理部は、前記画像データに基づいて前記基板の塗布膜の状態の良否の判定を行うことを特徴とする請求項７ないし１２のいずれか一つに記載の基板処理装置。
14. 塗布膜の状態が不良と判定された基板の画像データに基づいて、前記第１の受け渡し位置から第２の受け渡し位置への変更あるいは第１の吐出位置から第２の吐出位置への変更が行われないように前記搬送体操作部または前記移動機構操作部が構成されることを特徴とする請求項１３記載の基板処理装置。
15. 円形の基板の周縁の塗布膜を予め設定された幅寸法で除去する塗布膜周縁部除去モジュールと、当該塗布膜周縁部除去モジュールに前記基板を搬送する搬送体とを含む基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし６のいずれか一つに記載の塗布膜除去方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。

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