KR101757815B1 - 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치. - Google Patents

기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치. Download PDF

Info

Publication number
KR101757815B1
KR101757815B1 KR1020150136079A KR20150136079A KR101757815B1 KR 101757815 B1 KR101757815 B1 KR 101757815B1 KR 1020150136079 A KR1020150136079 A KR 1020150136079A KR 20150136079 A KR20150136079 A KR 20150136079A KR 101757815 B1 KR101757815 B1 KR 101757815B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
center point
end positions
center
calculating
Prior art date
Application number
KR1020150136079A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170037031A (ko
Inventor
김덕식
김현준
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020150136079A priority Critical patent/KR101757815B1/ko
Priority to US15/274,321 priority patent/US10388550B2/en
Priority to CN201610850986.0A priority patent/CN106558514B/zh
Publication of KR20170037031A publication Critical patent/KR20170037031A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101757815B1 publication Critical patent/KR101757815B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number

Abstract

본 발명은 기판의 중심을 검출하는 방법, 기판을 반송하는 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 중심 검출 방법은 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 검출하는 제1위치 검출 단계와 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정하는 노치 유무 판정 단계와 상기 노치 유무 판단 단계에서 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 단계와 그리고 상기 기판의 중심을 산출하는 중심 산출 단계를 포함하되 상기 중심 산출 단계는 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제2위치 검출 단계와 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제1중심점 산출 단계와 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제2중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제1판정 단계를 포함하는 기판 중심 검출 방법를 포함한다.

Description

기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치. {Method for dectecting the center of substrate, method for transporting a substrate, Transporting unit and apparatus for treating a substrate including the unit}
본 발명은 기판 상에 단부 위치를 검출하여 기판의 중심을 검출하는 방법과 기판을 반송 유닛으로 반송 시 반송 유닛에 지지된 기판에 위치 어긋남량을 산출해 이를 기초로 반송하는 방법과 기판을 반송하는 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.
이러한 공정은 복수의 공정 챔버에서 순차적으로 수행된다. 기판 처리 공정은 공정 챔버에서 기판 처리 공정이 끝나면, 별도의 기판 이송 유닛을 통해서 다른 공정 챔버로 기판을 이송하여 기판을 처리하는 공정을 수행한다. 다만, 기판이 이송 시 이송 유닛에 지지된 기판이 정위치가 아닌 다른 위치에 놓여져 이송되는 경우 문제가 발생한다.
따라서, 기판을 이송하기 전에 기판이 정위치에 놓여져 있는 것을 검사한다.
일반적으로 기판이 정위치에 놓여져 있는지 여부는 기판의 놓여진 상태에서 기판의 중심을 산출하여 기판의 기준 중심 위치와 비교하여 기판이 정위치에 놓여져 있는지를 검사할 수 있다. 다만, 기판 상에 위치를 검출 시 기판상에 노치 위치를 검출하는 경우 이를 기초로 산출한 기판의 중심점은 실제 기판의 중심점과 상이한 중심점이 되어 기판의 정위치에 놓여져 있는지 여부를 확인할 수 없으며, 기판의 위치 어긋남량을 확인하여 반송하는데 문제가 있다.
본 발명은 기판의 반송 시 반송 유닛에 놓여진 기판의 중심을 검출하는 기판 중심 검출 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판의 반송 시 반송 유닛에 놓여진 기판의 위치 어긋남량을 산출하여, 기판을 목표 위치로 반송하는 기판 반송 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판의 중심을 산출하여 기판을 목표 위치로 반송할 수 있는 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판의 중심을 검출하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 기판 중심 검출 방법은 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 검출하는 제1위치 검출 단계와 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정하는 노치 유무 판정 단계와 상기 노치 유무 판단 단계에서 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 단계와 그리고 상기 기판의 중심을 산출하는 중심 산출 단계를 포함하되 상기 중심 산출 단계는 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제2위치 검출 단계와 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제1중심점 산출 단계와 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제2중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제1판정 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 방향과 동일한 방향으로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 노치 유무 판단 단계는 검출된 상기 4개의 단부 위치 중 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 단부 위치들 간에 거리인 대각선 거리를 각각 산출하며, 각각의 상기 대각선 거리와 상기 기판의 지름간의 차이값을 구하고, 상기 차이값이 기설정된 값보다 크면 노치가 있는 것으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1중심점 산출 단계는 상기 노치 유무 판정 단계에서 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하고 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하며 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와 상기 제3위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 노치 유무 판단 단계는 상기 4개의 단부 위치 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 상기 기판의 중심점을 구하며, 상기 기판의 중심점들간의 거리의 합이 기설정된값 보다 크면 노치가 있는 것으로 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1중심점 산출 단계는 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고 상기 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와 상기 제3위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 기판의 단부 위치는 4개의 위치 검출 부재에 의해 각각 검출되고, 각각의 상기 위치 검출 부재는 광을 조사하는 발광부와 상기 발광부에서 조사된 광을 수신하는 수광부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 위치 검출 부재는 레이져 변위 센서로 제공될 수 있다.
본 발명은 기판을 반송하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 중심을 산출하는 기판 중심 검출 단계와 상기 기판 중심 산출 단계에서 구한 상기 기판의 중심과 기판의 기준 중심을 비교하여 상기 기판의 어긋남량을 구하는 기판 어긋남량 산출 단계와 그리고 상기 기판 어긋남량 산출 단계에서 구한 상기 기판의 위치 어긋남량을 기초로 상기 기판의 이동 시 기판의 반송 위치를 보정해 상기 기판을 반송하는 기판 반송 단계를 포함하되 상기 기판 중심 검출 단계는 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 검출하는 제1위치 검출 단계와 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정하는 노치 유무 판정 단계와 상기 노치 유무 판단 단계에서 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 단계와 그리고 상기 기판의 중심을 산출하는 중심 산출 단계를 포함하되 상기 중심 산출 단계는 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제2위치 검출 단계와 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제1중심점 산출 단계와 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제2중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제1판정 단계를 포함 할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 방향과 동일한 방향으로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 노치 유무 판단 단계는 검출된 상기 4개의 단부 위치 중 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 단부 위치들 간에 거리인 대각선 거리를 각각 산출하며, 각각의 상기 대각선 거리와 상기 기판의 지름간의 차이값을 구하고, 상기 차이값이 기설정된 값보다 크면 노치가 있는 것으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1중심점 산출 단계는 상기 노치 유무 판정 단계에서 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하고 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하며 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와 상기 제3위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 노치 유무 판단 단계는 상기 4개의 단부 위치 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 상기 기판의 중심점을 구하며, 상기 기판의 중심점들간의 거리의 합이 기설정된값 보다 크면 노치가 있는 것으로 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1중심점 산출 단계는 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고 상기 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와 상기 제3위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 기판의 단부 위치는 4개의 위치 검출 부재에 의해 각각 검출되고, 각각의 상기 위치 검출 부재는 광을 조사하는 발광부와 상기 발광부에서 조사된 광을 수신하는 수광부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 위치 검출 부재는 레이져 변위 센서로 제공될 수 있다.
본 발명은 기판을 반송하는 유닛을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 반송 유닛은 베이스와 상기 베이스에 설치되며, 기판을 지지하는 이송암과 상기 이송암에 지지된 기판 상의 4개의 단부 위치를 검출하는 위치 검출 부재와 그리고 상기 위치 검출 부재에서 검출된 상기 4개의 단부 위치를 이용해 기판에 중심을 검출하는 제어기를 포함하되 상기 제어기는 상기 위치 검출 부재에서 측정된 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 검출하는 제1위치 검출 단계와 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정하는 노치 유무 판정 단계와 상기 노치 유무 판단 단계에서 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 단계와 상기 기판의 중심을 산출하는 중심 산출 단계를 수행하도록 제어하되 상기 중심 산출 단계는 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제2위치 검출 단계와 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제1중심점 산출 단계와 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제2중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제1판정 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 방향과 동일한 방향으로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 노치 유무 판단 단계는 검출된 상기 4개의 단부 위치 중 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 단부 위치들 간에 거리인 대각선 거리를 각각 산출하며, 각각의 상기 대각선 거리와 상기 기판의 지름간의 차이값을 구하고, 상기 차이값이 기설정된 값보다 크면 노치가 있는 것으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1중심점 산출 단계는 상기 노치 유무 판정 단계에서 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하고 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하며 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와 상기 제3위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 더 포함 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 노치 유무 판단 단계는 상기 4개의 단부 위치 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 상기 기판의 중심점을 구하며, 상기 기판의 중심점들간의 거리의 합이 기설정된값 보다 크면 노치가 있는 것으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1중심점 산출 단계는 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고 상기 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와 상기 제3위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 위치 검출 부재는 4개가 제공되고 각각의 상기 위치 검출 부재는 광을 조사하는 발광부와 상기 발광부에서 조사된 광을 수신하는 수광부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 발광부와 상기 수광부는 상기 이송암을 기준으로 상하로 서로 마주보며 위치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 위치 검출 부재는 레이져 변위 센서로 제공될 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 기판을 반송하는 반송 유닛이 제공된 반송 챔버와 상기 반송 챔버을 둘러싸며 위치하는 하나 또는 복수의 공정 챔버를 포함하고 상기 반송 유닛은 베이스와 상기 베이스에 설치되며, 기판을 지지하는 이송암과 상기 이송암에 지지된 기판 상의 4개의 단부 위치를 검출하는 위치 검출 부재와 그리고 상기 위치 검출 부재에서 검출된 4개의 위치를 이용해 기판을 중심을 산출하고, 이를 기초로 기판의 위치 어긋남량을 산출해 기판의 반송 위치를 보정하여 반송하도록 이송암을 제어하는 제어기를 포함하되 상기 제어기는 기판에 중심을 산출하는 기판 중심 검출 단계와 상기 기판 중심 산출 단계에서 구한 상기 기판의 중심과 기판의 기준 중심을 비교하여 상기 기판의 어긋남량을 구하는 기판 어긋남량 산출 단계와 상기 기판 어긋남량 산출 단계에서 구한 상기 기판의 위치 어긋남량을 기초로 상기 기판의 이동 시 기판의 반송 위치를 보정해 상기 기판을 반송하는 기판 반송 단계를 수행하도록 상기 이송암을 제어하되 상기 기판 중심 검출 단계는 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 검출하는 제1위치 검출 단계와 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정하는 노치 유무 판정 단계와 상기 노치 유무 판단 단계에서 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 단계와 그리고 상기 기판의 중심을 산출하는 중심 산출 단계를 포함하되 상기 중심 산출 단계는 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제2위치 검출 단계와 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제1중심점 산출 단계와 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제2중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제1판정 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 방향과 동일한 방향으로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 노치 유무 판단 단계는 검출된 상기 4개의 단부 위치 중 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 단부 위치들 간에 거리인 대각선 거리를 각각 산출하며, 각각의 상기 대각선 거리와 상기 기판의 지름간의 차이값을 구하고, 상기 차이값이 기설정된 값보다 크면 노치가 있는 것으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1중심점 산출 단계는 상기 노치 유무 판정 단계에서 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하고 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하며 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와 상기 제3위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 더 포함 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 노치 유무 판단 단계는 상기 4개의 단부 위치 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 상기 기판의 중심점을 구하며, 상기 기판의 중심점들간의 거리의 합이 기설정된값 보다 크면 노치가 있는 것으로 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1중심점 산출 단계는 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고 상기 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고 상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와 상기 제3위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와 그리고 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 위치 검출 부재는 4개가 제공되고 각각의 상기 위치 검출 부재는 광을 조사하는 발광부와 상기 발광부에서 조사된 광을 수신하는 수광부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 발광부와 상기 수광부는 상기 이송암을 기준으로 상하로 서로 마주보며 위치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 위치 검출 부재는 레이져 변위 센서로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판상에 복수의 단부 위치를 검출하여 검출된 위치 중 노치가 있는지 여부를 검출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 에에 의하면, 기판상에 복수의 단부 위치를 검출하여 기판의 중심을 검출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 반송 유닛에 놓여진 기판의 위치 어긋남량을 산출해 이를 기초로 기판을 목표 위치로 정확히 반송할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 반송 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 위치 검출 부재를 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 4의 반송 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 7과 도 8은 도 4의 반송 유닛으로 기판 상에 단부 위치를 검출한 예를 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 중심 검출 방법을 순차적으로 보여주는 순서도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 중심 검출 방법을 순차적으로 보여주는 순서도이다.
도 11은 4개의 기판 상의 단부 위치로 기판의 중심을 산출하는 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는 검출된 4개의 단부 위치 중 노치 유무를 확인하는 방법을 보여주는 도면이다.
도 13은 검출된 4개의 단부 위치로 기판의 중심을 구하는 것을 보여주는 도면이다.
도 14와 도 15는 검출된 4개의 단부 위치를 이용해 기판의 중심을 검출하는 방법을 보여주는 도면이다.
도 16 내지 18은 검출된 4개의 단부 위치 중 노치 유무를 확인하는 다른 방법을 보여주는 도면이다.
도 19 내지 도 23은 검출된 기판 상의 4개의 단부 위치를 이용하여 기판의 실제 중심점을 판단하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 24는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 반송 방법을 순차적으로 보여주는 순서도이다.
도 25는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 반송 방법을 순차적으로 보여주는 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 기판 처리 장치는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1 내지 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12) 및 제2방향(14)과 각각 수직한 방향을 제3방향(16)이라 한다.
웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700) 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공된 예가 도시되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제1방향(12), 제2방향(14), 제3방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 제공된다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제2방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제1버퍼(320), 제2버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제1버퍼(320), 제2버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제2버퍼(330), 그리고 제1버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제3방향(16)을 따라 배치된다. 제1버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제2버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제1버퍼 로봇(360)은 제2버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1버퍼(320)와 제2방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제1버퍼(320)와 제2버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제2버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제1버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제1버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제1버퍼(320)는 제2버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제1버퍼(320)의 하우징(321)에는 제1버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제1버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제2버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제2버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제1버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제1버퍼 로봇(360)은 제1버퍼(320)와 제2버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제1버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제2방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제2버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제1버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제1버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제2방향(14) 및 제3방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다.
처리 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 처리 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 처리 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 공정 챔버(410,420)와 반송 챔버(430)를 포함한다.
공정 챔버(410,420)는 기판 처리 공정을 수행한다. 일 예로 공정 챔버(410,420)는 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)를 포함할 수 있다.
레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제2방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제1버퍼 모듈(300)의 제1버퍼(320)와 제1방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 반송 유닛(500)과 가이드 레일(411)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 반송 유닛(500)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제1버퍼 모듈(300)의 제1버퍼(320), 그리고 후술하는 제2버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(411)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(411)은 반송 유닛(500)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다.
반송 유닛(500)의 자세한 구성은 후술한다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W)상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제2방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제1방향(12) 및 제3방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제1버퍼 모듈(300)의 제2버퍼(330)와 제1방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제1버퍼 모듈(300)의 제2버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제2버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제1방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 처리 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
상술한 예에서는 6층으로 제공된 도포 및 처리 모듈(400)을 예로 설명하였으나, 공정의 과정에 따라서 7층 이상의 처리 모듈(400)로 제공 될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 기판(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제1버퍼(720), 제2버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제1버퍼(720), 제2버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제1버퍼(720)와 제2버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제1버퍼(720)는 제2버퍼(730)보다 높게 배치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제1버퍼(720) 및 제2버퍼(730)와 제2방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제1버퍼(720), 제2버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)를 운반한다.
제1버퍼(720)는 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제2버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제1버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제2버퍼(730)는 제1버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 배치될 수 있다. 구체적으로, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 로봇(740)을 중심으로 제1버퍼(720)와 마주보는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 가스 퍼지 공정과 린스 공정을 수행한다.
도 4는 도 1의 반송 유닛을 보여주는 사시도이고, 도 5는 도 4의 위치 검출 부재를 보여주는 사시도이며, 도 6은 도 4의 반송 유닛을 보여주는 평면도이다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참고하면, 반송 유닛(500)은 베이스(510), 이송암(530), 위치 검출 부재(550), 지지대(570), 받침대(580) 그리고 제어기(590)를 포함한다.
베이스(510)에는 이송암(530)이 설치된다. 이송암(530)은 기판(W)을 지지하며, 기판(W)을 이송한다. 이송암(530)은 복수개 제공될 수 있다. 일 예로 이송암(530)은 2개가 제공될 수 있다. 이와는 달리 이송암(530)은 다른 개수로 제공될 수 있다. 이송암(530)은 핸드(531)와 유지부(533)를 가진다.
핸드(531)는 이송암(530)에 고정 설치된다. 이송암(530)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(531)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 핸드(531)는 상부에서 바라 볼 때, 대체로 원형의 현상을 가진다. 지지대(570)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 이송암(530)은 지지대(570)를 따라 제3방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(570)에 결합된다. 지지대(570)는 받침대(580)에 고정 결합되고, 받침대(580)는 가이드 레일(411)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(411)에 결합된다.
핸드(531)에는 유지부(533)가 설치된다. 유지부(533)는 기판(W)의 하부를 지지한다. 일 예로 유지부(533)는 진공 흡착에 의해 기판(W)을 지지할 수 있다. 유지부(533)는 복수개 제공된다. 일 예로 유지부(533)는 4개 제공된다. 4개의 유지부(533)는 서로 조합되어 원형으로 이루며 배치된다. 상술한 예에서는 4개의 유지부(533)가 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와는 달리 3개 또는 5개 이상으로 제공될 수 있다.
위치 검출 부재(550)는 이송암(530)에 유지된 기판(W) 상에 단부 위치를 검출한다. 위치 검출 부재(550)는 베이스(510)에 설치된다. 위치 검출 부재(550)는 복수개 제공될 수 있다. 일 예로 위치 검출 부재(550)는 4개가 제공될 수 있다. 이 경우 위치 검출 부재(550)는 기판(W) 상에 단부 위치를 4개 검출 할 수 있다. 일 예로 위치 검출 부재(550)는 레이져 변위 센서로 제공될 수 있다.
위치 검출 부재(550)는 발광부(551), 수광부(553) 그리고 지지부(555)를 포함한다.
발광부(551)는 광을 조사한다. 발광부(551)는 베이스(510)의 하부에 고정설치된다. 발광부(551)는 복수개 제공된다. 일 예로 발광부(551)는 4개가 제공된다. 4개의 발광부(551)는 베이스(510)에 설치되며, 서로 조합되어 원형의 형상으로 배치된다. 발광부(551)에서 조사되는 광원은 레이저 광으로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 발광부(551)의 광원은 LED 광으로 제공될 수 있다.
지지부(555)는 베이스(510)에 결합되며, 이송암(530)의 상부에 위치한다. 지지부(555)에는 수광부(553)가 고정설치된다.
수광부(553)는 발광부(551)에서 조사된 광을 수신한다. 수광부(553)는 수신되는 광을 양에 따라서 기판(W)의 위치를 측정할 수 있다. 일 예로 기판(W)의 없을 때, 발광부(551)에서 조사된 양을 기준값으로 한다. 이 후 기판(W)의 이송암(530)에 유지된 상태일 때, 발광부(551)에서 광이 조사되면, 기판(W)에 의해 가려진 광량을 제외하고 수신된 광원을 통해서 기판(W)의 위치를 측정한다. 수광부(553)는 위치 검출 부재(550)가 레이져 변위로 제공되는 경우 레이져 광을 수신한다. 이와는 달리, 발광부(551)가 LED 광을 조사하는 경우, 수광부(553)는 리니어 이미지 센서로 제공될 수 있다. 일 예로 리니어 이미지 센서는 CCD(Charge Coupled Device) 라인 센서, 파이버라인 센서, 광전 센서 등 각 종 리니어 이미지 센서가 제공될 수 있다.
제어기(590)는 위치 검출 부재(550)에서 검출된 4개의 기판(W) 상의 단부 위치를 전송받는다. 제어기(590)는 4개의 기판(W) 상의 단부 위치를 이용해 기판(W)에 중심을 검출한다.
제어기(590)는 검출된 기판(W)의 중심을 이용해 이송암(530)에 유지된 기판(W)의 위치 어긋남량을 구하여 기판(W)의 반송 시 이를 기초로 반송한다.
제어기(590)는 기판(W)에 중심을 산출하는 기판 중심 검출 단계와 기판 중심 산출 단계(S400)에서 구한 상기 기판(W)의 중심과 기판(W)의 기준 중심을 비교하여 기판(W)의 어긋남량을 구하는 기판 어긋남량 산출 단계와 기판 어긋남량 산출 단계에서 구한 기판(W)의 위치 어긋남량을 기초로 기판(W)의 이동 시 기판(W)의 반송 위치를 보정해 상기 기판(W)을 반송하는 기판 반송 단계를 수행하도록 이송암(530)을 제어하여, 기판(W)을 반송한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 중심 검출 방법(S10)을 설명한다.
이송암(530)에 놓여진 기판(W)은 위치 검출 부재(550)를 통해서 기판(W) 상에 단부 위치를 검출한다. 4개의 위치 검출 부재(550)는 4개의 기판(W)상에 단부 위치를 검출한다. 도 7과 도 8은 도 4의 반송 유닛으로 기판 상에 단부 위치를 검출한 예를 보여주는 도면이다. 도 7과 도 8을 참고하면, 기판(W) 상에 단부 위치(A,B,C,D)는 도 7과 같이 모두 정상적인 위치로 검출될 수 있다. 이와는 달리. 도 8과 같이 4개의 단부 위치 중 노치 위치가 포함된 단부 위치(A,B,C,D)들이 검출될 수 있다. 도 7과 같이 정상적인 기판(W) 상의 단부 위치를 검출하는 경우 검출된 4개의 기판(W) 상의 단부 위치로 기판(W)의 중심을 산출할 수 있다.
이와는 달리, 도 8과 같이 노치 위치가 포함된 단부 위치를 검출할 경우 이를 이용해 기판(W)의 중심을 산출하는 경우 기판(W)의 실제 중심과 상이한 결과를 가져올 수 있다. 따라서, 4개의 위치 중 노치가 있는지 여부를 판단 해 노치가 없는 위치로 기판(W)의 중심을 산출하여야 한다.
4개의 기판(W) 상의 단부 위치로 기판(W)의 중심을 구하는 방법은 아래와 같다.
이하, 4개의 기판의 단부 위치에서 기판의 중심을 산출하는 방법을 설명한다. 4개의 기판의 단부 위치는 A, B, C 그리고 D 점을 포함한다. A, B, C 그리고 D점은 각각 A(x1,y1), B(x2,y2), C(x3,y3), D(x4,y4) 좌표로 표시될 수 있다.
이 중 임의의 3점을 통해서 기판의 중심점을 산출한다. 여기는 A,B 그리고 C점을 이용해 기판의 중심점을 산출하는 방법을 설명한다.
먼저, A점과 B점을 연결하는 직선의 방정식을 구할 수 있다.
(수식1) y=ax+b
여기서 a는 A점과 B점의 연결하는 직선의 방정식의 기울기이다. 기울기 a는 아래와 같이 구할 수 있다.
Figure 112015093636704-pat00001
또한, A점과 C점을 연결하는 직선의 방정식을 구할 수 있다.
(수식2) y=cx+d
여기서 c는 A점과 C점을 연결하는 직선의 방정식의 기울기이다. 기울기 c는 아래와 같이 구할 수 있다.
Figure 112015093636704-pat00002
다음으로 (수식1)에서 선분 AB의 중점을 지나는 법선의 방정식을 구할 수 있다.
(수식3)
Figure 112015093636704-pat00003
다음으로 (수식2)에서 선분 AC의 중점을 지나는 법선의 방정식을 구할 수 있다.
(수식4)
Figure 112015093636704-pat00004
다음으로 (수식3)과 (수식4)의 직선의 방정식의 교점을 구하면 기판의 중심점을 산출 할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 중심 검출 방법을 순차적으로 보여주는 순서도이다.
도 9을 참고하면, 기판 중심 검출 방법(S10)은 제1위치 검출 단계(S100), 노치 유무 판단 단계(S200), 기판 이동 단계(S300) 그리고 중심 산출 단계(S400)를 포함한다.
제1위치 검출 단계(S100)에서는 기판(W) 상의 4개의 단부 위치를 검출한다. 4개의 단부 위치는 위치 검출 부재(550)를 이용하여 이송암(530)에 놓여진 기판(W) 상에 단부 위치를 검출한다.
노치 유무 판단 단계(S200)에서는 검출된 기판(W) 상의 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정한다. 노치 유무 판단 단계(S200)에서는 도 12와 같이 검출된 4개의 단부 위치 중 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 단부 위치들 간에 거리(d1,d2 ,)를 각각 산출한다. 각각의 대각선 거리(d1,d2 ,)는 기판(W)의 지름(d0)과 비교한다. 각각의 대각선 거리와 기판(W)의 지름간의 차이값을 구한다. 각각의 대각선 거리와 기판(W)의 지름간에 차이값 중 기설정된 값보다 크게 나타나는 경우 4개의 단부 위치 중에 노치 위치가 있는 것으로 판단한다. 2개의 대각선 거리(d1,d2) 중 기판(W)의 지름값(d0)과 차이를 보이는 하나의 대각선(d1)의 거리를 구한 2개의 단부 위치(A1,D1) 중 어느 하나를 노치 위치로 판정한다.
이와는 달리, 2개의 대각선 거리 모두 지름간의 차이값이 기설정된 값의 범위 내인 경우 검출된 4개의 단부 위치 중 노치가 없는 것으로 판단한다.
이와는 달리, 노치 유무 판단 단계(S200)에서는 검출된 기판(W) 상의 4개의 단부 위치 중에 3개의 단부 위치로 4개의 기판의 중심점들을 구하여 노치가 있는 여부를 판정할 수 있다.
노치 유무 판단 단계(S200)에서는 검출된 기판(W) 상의 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정한다. 노치 유무 판단 단계(S200)는 검출된 4개의 단부 위치 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 기판의 중심점을 구한다. 구한 기판의 중심점들간의 거리에 근하여 노치가 있는지 여부를 판정한다.
일 예로, 도 16과 같이 구한 4개의 단부 위치(A1,B1,C1,D1) 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 기판의 중심점(P1,Q1,T1,R1)들을 산출한다.
노치 유무 판단 단계(S200)에서는 4개의 기판의 중심점(P1,Q1,T1,R1)들 중 인접하는 2개의 중심점들 간의 거리(d3,d4,d5,d6)를 각각 산출한다. 여기서 인접하는 2개의 중심점들 간의 거리는 도 17과 같이 4개의 중심점을 연결하는 사각형에 각 변의 길이를 구하는 두 개의 점으로 정의한다. 노치 유무 판단 단계(S200)에서는 산출된 4개의 거리(d3,d4,d5,d6)의 합이 기설정됩 값보다 크면 4개의 단부 위치(A1,B1,C1,D1) 중에 노치가 있는 것으로 판정한다.
이와는 달리, 노치 유무 판단 단계(S200)에서는 4개의 기판의 중심점(P1,Q1,T1,R1)들 중 인접하는 2개의 중심점들 간의 거리(d3,d4,d5,d6)와 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 중심점들 간의 각각의 거리를 산출한다.
여기서 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 중심점들 간의 거리는 도 18과 같이 4개의 중심점을 연결하는 사각형에 2개의 대각선 거리(d7,d8)로 정의한다.
노치 유무 판단 단계(S200)는 산출된 6개의 거리(d3,d4,d5,d6 , d7,d8)의 합이 기설정된 값보다 크면 4개의 단부 위치(A1,B1,C1,D1) 중에 노치가 있는 것으로 판정한다.
상술한 예와는 달리, 중심점들 간의 거리의 합이 기설정된 범위 내인 경우 4개의 단부 위치 중 노치가 없는 것으로 판단한다.
이 경우 후술하는 중심 산출 단계(S400)를 바로 수행한다.
기판 이동 단계(S300)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 검출된 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 기판(W)을 이동시키는 단계이다. 일 예로 기판(W)의 이동은 기설정된 방향 또는 거리만큼 기판(W)을 이동시킨다.
기판 이동 단계(S300)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 검출된 4개의 단부 위치 중에 노치가 없다고 판정되는 경우 생략할 수 있다.
중심 산출 단계(S400)는 기판(W)의 중심을 산출하는 단계이다. 검출된 4개의 단부 위치를 이용하여 기판(W)의 중심을 산출한다. 중심 산출 단계(S400)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 검출된 4개의 단부 위치 중에 노치가 없다고 판정되는 경우 검출된 4개의 단부 위치로 기판(W)의 중심을 산출한다.
중심 산출 단계(S400)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 검출된 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 아래와 같은 단계를 수행하여 기판(W)의 중심을 산출한다.
중심 산출 단계(S400)는 제2위치 검출 단계(S410), 제1중심점 산출 단계(S420), 제2중심점 산출 단계(S430), 제1판정 단계(S440)를 포함한다.
제2위치 검출 단계(S410)는 기판 이동 단계(S300)에서 이동된 기판(W) 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 단계이다.
제1중심점 산출 단계(S420)는 제1위치 검출 단계(S100)에서 검출된 4개의 단부 위치(A1,B1,C1,D1)로 기판(W)의 중심점을 산출하는 단계이다. 제1중심점 산출 단계(S420)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 노치가 있다고 판정 되는 경우, 노치 유무 판단 단계(S200)에서 기설정된 범위에 있는 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치(B1,C1)와 기설정된 범위를 범어낫 대각선 선리를 산출하는 데 사용된 2개의 단부 위치(A1,D1) 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 기판(W)의 중심점(M1, N1)을 구한다. 일 예로 도 13과 같이 2개의 기판(W)의 중심점(M1, N1)을 구할 수 있다.
제2중심점 산출 단계(S430)는 제2위치 검출 단계(S410)에서 검출된 4개의 단부 위치(A2,B2,C2,D2)로 기판(W)의 중심점을 산출하는 단계이다. 제2중심점 산출 단계(S430)에서는 기판(W)의 중심점을 2개(M2,N2) 산출한다. 제2중심점 산출 단계(S430)는 제1중심점 산출 단계(S420)에서 기설정된 범위에 있는 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치(B1,C1)와 대응되는 2개의 단부 위치(B2,C2)와 기설정된 범위를 벗어난 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치(A1,D1)와 대응되는 2개의 단부 위치(A2,D2) 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 중심점(M2,N2)을 구한다.
여기서 기설정된 범위에 있는 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치는 기판(W)의 이동 전 후 동일한 위치 검출 부재(550)로 검출한 위치를 말한다. 일 예로 도 13과 도 14와 같이 기판(W)의 이동 전 검출 한 B1, C1과 동일한 위치 검출 부재(550)로 검출한 B2, C2의 위치가 기설정된 범위에 있는 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치이다. 마찬가지로, 기설정된 범위를 벗어낫 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치에 대응되는 2개의 단부 위치는 기판(W)의 이동 전 후 동일한 위치 검출 부재(550)로 검출한 위치를 말한다. 일 예로 도 13과 도 14와 같이 기판(W)의 이동 전 검출한 A1, D1과 동일한 위치 검출 부재(550)로 검출한 A2, D2의 위치가 위치가 기설정된 범위에 있는 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치를 말한다.
제1판정 단계(S440)는 제1중심점 산출 단계(S420)와 제2중심점 산출 단계(S430)에서 산출된 각각의 기판(W)의 중심점의 이동 상태로부터 실제 기판(W)의 중심점을 판정하는 단계이다.
일 예로 제1판정 단계(S440)에서는 제1중심점 산출 단계(S420)에서 산출된 2개의 기판(W)의 중심점과 제2중심점 산출 단계(S430)에서 산출된 2개의 중심점 기판(W)의 이동 상태와 동일한 이동 상태로 이동한 하나의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 산출한다.
일 예로 기판(W)의 이동 상태로 실제 기판(W)의 중심점을 판단하는 방법은 제1판정 단계(S440)에서 제1중심점 산출 단계(S420)와 제2중심점 산출 단계(S430)에서 산출된 각각 2개의 기판(W)의 중심점 중 기판(W)의 중심점의 이동 상태가 기판(W)의 이동방향과 동일한 방향으로 이동한 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 판정할 수 있다.
이와는 달리, 제1판정 단계(S440)에서 제1중심점 산출 단계(S420)와 제1중심점 산출 단계(S420)에서 산출된 각각 2개의 상기 기판(W)의 중심점 중 기판(W)의 중심점의 이동 상태가 기판(W)의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 판단할 수 있다.
예컨대, 도 13과 도 14의 경우, 실제 기판(W)의 이동 상태와 동일한 이동 상태로 이동한 N1과 N2의 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 산출한다. 또한, N1과 N2의 기판(W)의 중심점을 산출한 3개의 단부 위치인 B1, C1, D1과 B2, C2, D2를 기판(W) 상에 노치가 없는 위치로 판정하며, A1과 A2를 노치가 있는 위치로 판정한다.
이와는 달리, 중심 산출 단계(S400)는 다른 방법으로 산출 할 수 있다.
기판 이동 단계(S300)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 검출된 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 기판(W)을 이동시키는 단계이다. 일 예로 기판(W)의 이동은 기설정된 방향 또는 거리만큼 기판(W)을 이동시킨다.
기판 이동 단계(S300)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 검출된 4개의 단부 위치 중에 노치가 없다고 판정되는 경우 생략할 수 있다.
중심 산출 단계(S400)는 기판(W)의 중심을 산출하는 단계이다. 검출된 4개의 단부 위치를 이용하여 기판(W)의 중심을 산출한다. 중심 산출 단계(S400)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 검출된 4개의 단부 위치 중에 노치가 없다고 판정되는 경우 검출된 4개의 단부 위치로 기판(W)의 중심을 산출한다.
중심 산출 단계(S400)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 검출된 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 아래와 같은 단계를 수행하여 기판(W)의 중심을 산출한다.
중심 산출 단계(S400)는 제2위치 검출 단계(S410), 제1중심점 산출 단계(S420), 제2중심점 산출 단계(S430), 제1판정 단계(S440)를 포함한다.
제2위치 검출 단계(S410)는 기판 이동 단계(S300)에서 이동된 기판(W) 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 단계이다.
제1중심점 산출 단계(S420)는 제1위치 검출 단계(S100)에서 검출된 4개의 단부 위치(A1,B1,C1,D1) 중 3개의 단부 위치로 기판(W)의 중심점을 산출하는 단계이다. 제1중심점 산출 단계(S420)는 노치 유무 판단 단계(S200)에서 노치가 있다고 판정 되는 경우, 도 19와 같이 검출된 4개의 단부 위치(A1,B1,C1,D1) 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점((P1,Q1,T1,R1)을 구한다.
제2중심점 산출 단계(S430)는 제2위치 검출 단계(S410)에서 검출된 4개의 단부 위치(A2,B2,C2,D2) 중 3개의 단부 위치로 기판(W)의 중심점을 산출하는 단계이다. 제2중심점 산출 단계(S430)는 도 20과 같이 검출된 4개의 단부 위치(A2,B2,C2,D2) 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점((P2,Q2,T2,R2)을 구한다.
제1판정 단계(S440)는 제1중심점 산출 단계(S420)와 제2중심점 산출 단계(S430)에서 산출된 각각의 기판(W)의 중심점의 이동 상태로부터 실제 기판(W)의 중심점을 판정하는 단계이다.
일 예로 제1판정 단계(S440)에서는 제1중심점 산출 단계(S420)에서 산출된 4개의 기판(W)의 중심점과 제2중심점 산출 단계(S430)에서 산출된 4개의 중심점 기판(W)의 이동 상태와 동일한 이동 상태로 이동한 하나의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 산출한다.
일 예로 기판(W)의 이동 상태로 실제 기판(W)의 중심점을 판단하는 방법은 제1판정 단계(S440)에서 제1중심점 산출 단계(S420)와 제2중심점 산출 단계(S430)에서 산출된 각각 2개의 기판(W)의 중심점 중 기판(W)의 중심점의 이동 상태가 기판(W)의 이동방향과 동일한 방향으로 이동한 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 판정할 수 있다.
이와는 달리, 제1판정 단계(S440)에서 제1중심점 산출 단계(S420)와 제1중심점 산출 단계(S420)에서 산출된 각각 4개의 상기 기판(W)의 중심점 중 기판(W)의 중심점의 이동 상태가 기판(W)의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 판단할 수 있다.
예컨대, 도 21의 경우, 실제 기판(W)의 이동 상태와 동일한 이동 상태로 이동한 P1과 P2의 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 산출한다. 또한, P1과 P2의 기판(W)의 중심점을 산출한 3개의 단부 위치인 B1, C1, D1과 B2, C2, D2를 기판(W) 상에 노치가 없는 위치로 판정하며, A1과 A2를 노치가 있는 위치로 판정한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 중심 검출 방법을 순차적으로 보여주는 순서도이다. 도 10을 참고하면, 도 9의 기판 중심 검출 방법(S10)에 중심 산출 단계(S400)는 제1판정 단계(S440)에서 기판(W)의 중심점이 산출되지 않는 경우도 있다. 이는 노치로 구한 기판(W)의 중심점의 이동 상태가 기설정된 오차 범위 내로 들어오는 경우가 있어 상술한 중심 산출 단계(S400)에서 실제 기판(W)의 중심점이 구하지 못하는 경우가 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 중심 검출 방법(S11)은 제1판정 단계(S440)에서 실제 기판(W)의 중심을 산출하지 못하는 경우 중심 산출 단계(S400)는 제1판정 단계(S440) 이후 아래의 단계를 더 포함한다.
중심 산출 단계(S400)는 기판 재이동 단계(S450), 제3위치 검출 단계(S460), 제3중심점 산출 단계(S470) 그리고 제2판정 단계(S480)를 더 포함한다.
기판 재이동 단계(S450)는 기판(W)을 이동시키는 단계이다. 일 예로 기판(W)의 이동은 기판 이동 단계(S300)에서 기설정된 방향 및 거리를 기준으로 기설정된 방향에 반대 방향으로 이동할 수 있다. 기판 재이동 단계(S450)에서 기판(W)의 이동 거리는 기설정된 거리에 반만큼 이동할 수 있다.
제3위치 검출 단계(S460)에서는 기판 재이동 단계(S450) 후 위치 검출 부재(550)를 이용하여 기판(W) 상에 4개의 단부 위치를 재검출한다.
제3중심점 산출 단계(S470)는 제3위치 검출 단계(S460)에서 검출된 4개의 단부 위치로 기판(W)의 중심점을 산출하는 단계이다. 제3중심점 산출 단계(S470)에서는 기판(W)의 중심점을 2개(M3,N3) 산출한다. 제3중심점 산출 단계(S470)는 제1중심점 산출 단계(S420)에서 기설정된 범위에 있는 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치(B1,C1)와 대응되는 2개의 단부 위치(B3,C3)와 기설정된 범위를 벗어난 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치(A1,D1)와 대응되는 2개의 단부 위치(A3,D3) 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 중심점(M3,N3) 을 구한다.
여기서 기설정된 범위에 있는 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치는 기판(W)의 이동 전 후 동일한 위치 검출 부재(550)로 검출한 위치를 말한다. 일 예로 도 13과 도 15와 같이 기판(W)의 이동 전 검출 한 B1, C1과 동일한 위치 검출 부재(550)로 검출한 B3, C3의 위치가 기설정된 범위에 있는 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치이다. 마찬가지로, 기설정된 범위를 벗어낫 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치에 대응되는 2개의 단부 위치는 기판(W)의 이동 전 후 동일한 위치 검출 부재(550)로 검출한 위치를 말한다. 일 예로 도 14와 도 16과 같이 기판(W)의 이동 전 검출 한 A1, D1과 동일한 위치 검출 부재(550)로 검출한 A3, D3의 위치가 위치가 기설정된 범위에 있는 대각선 거리를 산출하는데 사용된 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치를 말한다.
제2판정 단계(S480)는 제1중심점 산출 단계(S420)와 제3중심점 산출 단계(S470)에서 산출된 각각의 기판(W)의 중심점의 이동 상태로부터 실제 기판(W)의 중심점을 판정하는 단계이다.
일 예로 제2판정 단계(S480)에서는 제1중심점 산출 단계(S420)에서 산출된 2개의 기판(W)의 중심점과 제3중심점 산출 단계(S470)에서 산출된 2개의 중심점 기판(W)의 이동 상태와 동일한 이동 상태로 이동한 하나의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 산출한다.
일 예로 기판(W)의 이동 상태로 실제 기판(W)의 중심점을 판단하는 방법은 제2판정 단계(S480)에서 제1중심점 산출 단계(S420)와 제3중심점 산출 단계(S470)에서 산출된 각각 2개의 기판(W)의 중심점 중 기판(W)의 중심점의 이동 상태가 기판(W)의 이동방향과 동일한 방향으로 이동한 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 판정할 수 있다.
이와는 달리, 제2판정 단계(S470)에서 제1중심점 산출 단계(S420)와 제3중심점 산출 단계(S470)에서 산출된 각각 2개의 상기 기판(W)의 중심점 중 기판(W)의 중심점의 이동 상태가 기판(W)의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 판단할 수 있다.
예컨대, 도 13과 도 15의 경우, 실제 기판(W)의 이동 상태와 동일한 이동 상태로 이동한 N1과 N3의 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 산출한다. 또한, N1과 N3의 기판(W)의 중심점을 산출한 3개의 단부 위치인 B1, C1, D1과 B3, C3, D3를 기판(W) 상에 노치가 없는 위치로 판정하며, A1과 A3를 노치가 있는 위치로 판정한다.
이와는 달리, 제3중심점 산출 단계(S470)에서는 다른 방법으로 기판의 중심을 검출 할 수 있다.
제3중심점 산출 단계(S470)는 제3위치 검출 단계(S460)에서 검출된 4개의 단부 위치(A3,B3,C3,D3) 중 3개의 단부 위치로 기판(W)의 중심점을 산출하는 단계이다. 제3중심점 산출 단계(S430)는 도 22와 같이 검출된 4개의 단부 위치(A3,B3,C3,D3) 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점((P3,Q3,T3,R3)을 구한다.
제2판정 단계(S480)는 제1중심점 산출 단계(S420)와 제3중심점 산출 단계(S470)에서 산출된 각각의 기판(W)의 중심점의 이동 상태로부터 실제 기판(W)의 중심점을 판정하는 단계이다.
일 예로 제2판정 단계(S480)에서는 제1중심점 산출 단계(S420)에서 산출된 2개의 기판(W)의 중심점과 제3중심점 산출 단계(S470)에서 산출된 4개의 중심점 기판(W)의 이동 상태와 동일한 이동 상태로 이동한 하나의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 산출한다.
일 예로 기판(W)의 이동 상태로 실제 기판(W)의 중심점을 판단하는 방법은 제2판정 단계(S480)에서 제1중심점 산출 단계(S420)와 제3중심점 산출 단계(S470)에서 산출된 각각 4개의 기판(W)의 중심점 중 기판(W)의 중심점의 이동 상태가 기판(W)의 이동방향과 동일한 방향으로 이동한 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 판정할 수 있다.
이와는 달리, 제2판정 단계(S470)에서 제1중심점 산출 단계(S420)와 제3중심점 산출 단계(S470)에서 산출된 각각 4개의 상기 기판(W)의 중심점 중 기판(W)의 중심점의 이동 상태가 기판(W)의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 판단할 수 있다.
예컨대, 도 23의 경우, 실제 기판(W)의 이동 상태와 동일한 이동 상태로 이동한 P1과 P3의 기판(W)의 중심점을 실제 기판(W)의 중심점으로 산출한다. 또한, P1과 P3의 기판(W)의 중심점을 산출한 3개의 단부 위치인 B1, C1, D1과 B3, C3, D3를 기판(W) 상에 노치가 없는 위치로 판정하며, A1과 A3를 노치가 있는 위치로 판정한다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 반송 방법(S1)을 설명한다.
도 24는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 반송 방법을 순차적으로 보여주는 순서도이다.
도 24을 참고하면, 기판 반송 방법(S1)은 기판(W)의 반송 전 기판(W)의 위치 어긋남량을 측정해 기판(W) 반송 시 이를 기초로 반송한다. 기판 반송 방법(S1)은 기판 중심 검출 단계(S10), 기판 어긋남량 산출 단계(S20) 그리고 기판 반송 단계(S30)를 포함한다.
기판 중심 검출 단계(S10)는 도 9의 기판 중심 검출 방법과 동일하게 제공된다.
기판 어긋남량 산출 단계(S20)는 기판 중심 산출 단계(S10)에서 구한 기판(W)의 중심과 기판(W)의 기준 중심을 비교하여 기판(W)의 어긋남량을 산출한다. 기판(W)의 기준 중심은 기판(W)이 이송암(530)에 지지 시 정위치에 놓여졌을 때 기판(W)의 중심 위치를 나타낸다.
기판 반송 단계(S30)에서는 기판 어긋남량 산출 단계(S20)에서 구한 기판(W)의 위치 어긋남량을 기초로 기판(W)의 이동시 기판(W)의 반송 위치를 보정해 기판(W)을 반송한다.
일 예로 위치 어긋남량을 기준으로 이송암(530)을 반송 위치를 보정해 기판(W)을 목표 위치로 반송한다.
이하, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 반송 방법(S2)을 설명한다.
도 25는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 반송 방법을 순차적으로 보여주는 순서도이다.
도 25를 참고하면, 기판 반송 방법(S2)은 도 24의 기판(W) 반송 방법과 대체로 동일하게 제공된다. 도 25의 기판 반송 방법(S2)에서 기판 중심 검출 단계(S11)는 도 10의 기판 중심 검출 방법과 동일하게 제공된다.
상술한 바와 같이 본 발명은 기판(W)의 실제 중심점을 검출하여 기판(W)이 이송전 기판(W)의 정확한 위치를 검출할 수 있다. 기판(W) 상에 단부 위치 중에 노치 위치를 정확하게 측정하여 이를 제외하고 기판(W)의 중심점을 검출할 수 있다.
또한, 기판(W)의 실제 중심점을 검출하여 기판(W)의 이송암(530)에 유지된 상태에서 위치 어긋남량을 구할 수 있으며, 이를 기초로 기판(W)의 반송 시 반송 위치를 보정해 기판(W)을 목표 위치로 정확히 반송 할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
500: 반송 유닛 510: 베이스
530: 이송암 550: 위치 검출 부재
551: 발광부 553: 수광부
590: 제어기

Claims (46)

  1. 기판의 중심을 검출하는 방법에 있어서,
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 검출하는 제1위치 검출 단계와;
    검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정하는 노치 유무 판정 단계와;
    상기 노치 유무 판정 단계에서 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 단계와; 그리고
    상기 기판의 중심을 산출하는 중심 산출 단계를 포함하되,
    상기 중심 산출 단계는,
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제2위치 검출 단계와;
    상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제1중심점 산출 단계와;
    상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제2중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제1판정 단계를 포함하는 기판 중심 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 방향과 동일한 방향으로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정하는 기판 중심 검출 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정하는 기판 중심 검출 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노치 유무 판정 단계는,
    검출된 상기 4개의 단부 위치 중 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 단부 위치들 간에 거리인 대각선 거리를 각각 산출하며, 각각의 상기 대각선 거리와 상기 기판의 지름간의 차이값을 구하고, 상기 차이값이 기설정된 값보다 크면 노치가 있는 것으로 판정하는 기판 중심 검출 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1중심점 산출 단계는 상기 노치 유무 판정 단계에서 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하고,
    제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하며
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 기판 중심 검출 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우
    상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와;
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와;
    상기 제3위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 더 포함하는 기판 중심 검출 방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노치 유무 판정 단계는,
    상기 4개의 단부 위치 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 상기 기판의 중심점을 구하며, 상기 기판의 중심점들간의 거리의 합이 기설정된값 보다 크면 노치가 있는 것으로 판정하는 기판 중심 검출 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1중심점 산출 단계는 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고,
    상기 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 기판 중심 검출 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우
    상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와;
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와;
    상기 제3위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 포함하는 기판 중심 검출 방법.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 항에 있어서,
    상기 기판의 단부 위치는 4개의 위치 검출 부재에 의해 각각 검출되고, 각각의 상기 위치 검출 부재는,
    광을 조사하는 발광부와
    상기 발광부에서 조사된 광을 수신하는 수광부를 포함하는 기판 중심 검출 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 위치 검출 부재는 레이져 변위 센서로 제공되는 기판 중심 검출 방법.
  12. 기판을 반송하는 방법에 있어서,
    기판에 중심을 산출하는 기판 중심 검출 단계와;
    상기 기판 중심 검출 단계에서 구한 상기 기판의 중심과 기판의 기준 중심을 비교하여 상기 기판의 어긋남량을 구하는 기판 어긋남량 산출 단계와; 그리고
    상기 기판 어긋남량 산출 단계에서 구한 상기 기판의 위치 어긋남량을 기초로 상기 기판의 이동 시 기판의 반송 위치를 보정해 상기 기판을 반송하는 기판 반송 단계를 포함하되,
    상기 기판 중심 검출 단계는,
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 검출하는 제1위치 검출 단계와;
    검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정하는 노치 유무 판정 단계와;
    상기 노치 유무 판정 단계에서 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 단계와; 그리고
    상기 기판의 중심을 산출하는 중심 산출 단계를 포함하되,
    상기 중심 산출 단계는,
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제2위치 검출 단계
    상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제1중심점 산출 단계와;
    상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제2중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제1판정 단계를 포함하는 기판 반송 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 방향과 동일한 방향으로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정하는 기판 반송 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정하는 기판 반송 방법.
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노치 유무 판정 단계는,
    검출된 상기 4개의 단부 위치 중 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 단부 위치들 간에 거리인 대각선 거리를 각각 산출하며, 각각의 상기 대각선 거리와 상기 기판의 지름간의 차이값을 구하고, 상기 차이값이 기설정된 값보다 크면 노치가 있는 것으로 판정하는 기판 반송 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1중심점 산출 단계는 상기 노치 유무 판정 단계에서 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하고,
    제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하며
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 기판 반송 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우
    상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와;
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와;
    상기 제3위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 더 포함하는 기판 반송 방법.
  18. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노치 유무 판정 단계는,
    상기 4개의 단부 위치 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 상기 기판의 중심점을 구하며, 상기 기판의 중심점들간의 거리의 합이 기설정된값 보다 크면 노치가 있는 것으로 판정하는 기판 반송 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1중심점 산출 단계는 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고,
    상기 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 기판 반송 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우
    상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와;
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와;
    상기 제3위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 포함하는 기판 반송 방법.
  21. 제12항 내지 제14항 중 어느 항에 있어서,
    상기 기판의 단부 위치는 4개의 위치 검출 부재에 의해 각각 검출되고, 각각의 상기 위치 검출 부재는,
    광을 조사하는 발광부와
    상기 발광부에서 조사된 광을 수신하는 수광부를 포함하는 기판 반송 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 위치 검출 부재는 레이져 변위 센서로 제공되는 기판 반송 방법.
  23. 기판을 반송하는 유닛에 있어서,
    베이스와;
    상기 베이스에 설치되며, 기판을 지지하는 이송암과;
    상기 이송암에 지지된 기판 상의 4개의 단부 위치를 검출하는 위치 검출 부재와; 그리고
    상기 위치 검출 부재에서 검출된 상기 4개의 단부 위치를 이용해 기판에 중심을 검출하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 위치 검출 부재에서 측정된 상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 검출하는 제1위치 검출 단계와 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정하는 노치 유무 판정 단계와 상기 노치 유무 판정 단계에서 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 단계와 상기 기판의 중심을 산출하는 중심 산출 단계를 수행하도록 제어하되,
    상기 중심 산출 단계는,
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제2위치 검출 단계와;
    상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제1중심점 산출 단계와;
    상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제2중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제1판정 단계를 포함하는 반송 유닛.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 방향과 동일한 방향으로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정하는 반송 유닛.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정하는 반송 유닛.
  26. 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노치 유무 판정 단계는,
    검출된 상기 4개의 단부 위치 중 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 단부 위치들 간에 거리인 대각선 거리를 각각 산출하며, 각각의 상기 대각선 거리와 상기 기판의 지름간의 차이값을 구하고, 상기 차이값이 기설정된 값보다 크면 노치가 있는 것으로 판정하는 반송 유닛.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 제1중심점 산출 단계는 상기 노치 유무 판정 단계에서 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하고,
    제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하며
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 반송 유닛.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우
    상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와;
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와;
    상기 제3위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 더 포함하는 반송 유닛.
  29. 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노치 유무 판정 단계는,
    상기 4개의 단부 위치 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 상기 기판의 중심점을 구하며, 상기 기판의 중심점들간의 거리의 합이 기설정된값 보다 크면 노치가 있는 것으로 판정하는 반송 유닛.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제1중심점 산출 단계는 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고,
    상기 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 반송 유닛.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우
    상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와;
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와;
    상기 제3위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 포함하는 반송 유닛.
  32. 제23항 내지 제25항 중 어느 항에 있어서,
    상기 위치 검출 부재는 4개가 제공되고 각각의 상기 위치 검출 부재는,
    광을 조사하는 발광부와
    상기 발광부에서 조사된 광을 수신하는 수광부를 포함하는 반송 유닛.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 발광부와 상기 수광부는 상기 이송암을 기준으로 상하로 서로 마주보며 위치되는 반송 유닛.
  34. 제32항에 있어서,
    상기 위치 검출 부재는 레이져 변위 센서로 제공되는 반송 유닛.
  35. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 반송하는 반송 유닛이 제공된 반송 챔버와
    상기 반송 챔버을 둘러싸며 위치하는 하나 또는 복수의 공정 챔버를 포함하고,
    상기 반송 유닛은,
    베이스와;
    상기 베이스에 설치되며, 기판을 지지하는 이송암과;
    상기 이송암에 지지된 기판 상의 4개의 단부 위치를 검출하는 위치 검출 부재와; 그리고
    상기 위치 검출 부재에서 검출된 4개의 위치를 이용해 기판을 중심을 산출하고, 이를 기초로 기판의 위치 어긋남량을 산출해 기판의 반송 위치를 보정하여 반송하도록 이송암을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는 기판에 중심을 산출하는 기판 중심 검출 단계와 상기 기판 중심 검출 단계에서 구한 상기 기판의 중심과 기판의 기준 중심을 비교하여 상기 기판의 어긋남량을 구하는 기판 어긋남량 산출 단계와 상기 기판 어긋남량 산출 단계에서 구한 상기 기판의 위치 어긋남량을 기초로 상기 기판의 이동 시 기판의 반송 위치를 보정해 상기 기판을 반송하는 기판 반송 단계를 수행하도록 상기 이송암을 제어하되,
    상기 기판 중심 검출 단계는,
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 검출하는 제1위치 검출 단계와;
    검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있는 지 여부를 판정하는 노치 유무 판정 단계와;
    상기 노치 유무 판정 단계에서 검출된 상기 4개의 단부 위치 중에 노치가 있다고 판정되는 경우 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 단계와; 그리고
    상기 기판의 중심을 산출하는 중심 산출 단계를 포함하되,
    상기 중심 산출 단계는,
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제2위치 검출 단계
    상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제1중심점 산출 단계와;
    상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 상기 기판의 중심점을 산출하는 제2중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제1판정 단계를 포함하는 기판 처리 장치.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 방향과 동일한 방향으로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정하는 기판 처리 장치.
  37. 제35항에 있어서,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 상기 기판의 중심점 중 상기 기판의 중심점의 이동 상태가 상기 기판의 이동 거리와 동일한 이동 거리로 이동한 상기 기판의 중심점을 실제 상기 기판의 중심점으로 판정하는 기판 처리 장치.
  38. 제35항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노치 유무 판정 단계는,
    검출된 상기 4개의 단부 위치 중 서로 대각선 방향에 위치하는 2개의 단부 위치들 간에 거리인 대각선 거리를 각각 산출하며, 각각의 상기 대각선 거리와 상기 기판의 지름간의 차이값을 구하고, 상기 차이값이 기설정된 값보다 크면 노치가 있는 것으로 판정하는 기판 처리 장치.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 제1중심점 산출 단계는 상기 노치 유무 판정 단계에서 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하고,
    제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하며
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 기판 처리 장치.
  40. 제39항에 있어서,
    상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우
    상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와;
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와;
    상기 제3위치 검출 단계에서 상기 기설정된 범위에 있는 상기 대각선 거리를 산출하는 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치와 상기 기설정된 범위를 벗어난 상기 대각선 거리를 산출하는데 사용된 상기 2개의 단부 위치와 대응되는 2개의 단부 위치 중 어느 하나를 이용하여 각각 2개의 상기 기판의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  41. 제35항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노치 유무 판정 단계는,
    상기 4개의 단부 위치 중 서로 다른 3개의 단부 위치를 이용하여 4개의 상기 기판의 중심점을 구하며, 상기 기판의 중심점들간의 거리의 합이 기설정된값 보다 크면 노치가 있는 것으로 판정하는 기판 처리 장치.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 제1중심점 산출 단계는 상기 제1위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고,
    상기 제2중심점 산출 단계는 상기 제2위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하고,
    상기 제1판정 단계는 상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제2중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 기판 처리 장치.
  43. 제42항에 있어서,
    상기 중심 산출 단계는 상기 제1판정 단계에서 상기 기판의 중심점이 산출되지 않는 경우
    상기 기판을 이동시키는 기판 재이동 단계와;
    상기 기판 상에 4개의 단부 위치를 재검출하는 제3위치 검출 단계와;
    상기 제3위치 검출 단계에서 검출된 상기 기판 상의 4개의 단부 위치 중 3개의 단부 위치로 각각 4개의 중심점을 구하는 제3중심점 산출 단계와; 그리고
    상기 제1중심점 산출 단계와 상기 제3중심점 산출 단계에서 산출된 각각의 상기 기판의 중심점의 이동 상태로부터 실제 상기 기판의 중심점을 판정하는 제2판정 단계를 포함하는 기판 처리 장치.
  44. 제35항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 위치 검출 부재는 4개가 제공되고 각각의 상기 위치 검출 부재는,
    광을 조사하는 발광부와
    상기 발광부에서 조사된 광을 수신하는 수광부를 포함하는 기판 처리 장치.
  45. 제44항에 있어서,
    상기 발광부와 상기 수광부는 상기 이송암을 기준으로 상하로 서로 마주보며 위치되는 기판 처리 장치.
  46. 제44항에 있어서,
    상기 위치 검출 부재는 레이져 변위 센서로 제공되는 기판 처리 장치.
KR1020150136079A 2015-09-25 2015-09-25 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치. KR101757815B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150136079A KR101757815B1 (ko) 2015-09-25 2015-09-25 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
US15/274,321 US10388550B2 (en) 2015-09-25 2016-09-23 Method for detecting the center of substrate, method for transporting a substrate, transporting unit and apparatus for treating a substrate including the unit
CN201610850986.0A CN106558514B (zh) 2015-09-25 2016-09-26 衬底中心检测方法、衬底运送方法、运送单元及包括运送单元的衬底处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150136079A KR101757815B1 (ko) 2015-09-25 2015-09-25 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170037031A KR20170037031A (ko) 2017-04-04
KR101757815B1 true KR101757815B1 (ko) 2017-07-14

Family

ID=58406702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150136079A KR101757815B1 (ko) 2015-09-25 2015-09-25 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10388550B2 (ko)
KR (1) KR101757815B1 (ko)
CN (1) CN106558514B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170048787A (ko) * 2015-10-27 2017-05-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN109110497B (zh) * 2018-08-31 2021-06-11 惠科股份有限公司 一种显示面板的搬运系统和搬运方法
US10790237B2 (en) * 2018-09-14 2020-09-29 Lam Research Corporation Fiducial-filtering automatic wafer centering process and associated system
KR20210039523A (ko) * 2019-10-01 2021-04-12 삼성전자주식회사 웨이퍼 이송 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이송 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003254738A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Olympus Optical Co Ltd ウエハ芯出し装置及び方法並びにプログラム
JP2008218903A (ja) 2007-03-07 2008-09-18 Olympus Corp ウエハの求心装置および方法
KR101023948B1 (ko) 2008-09-01 2011-03-22 주식회사 싸이맥스 웨이퍼의 중심 검출 장치 및 그 방법

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198976B1 (en) * 1998-03-04 2001-03-06 Applied Materials, Inc. On the fly center-finding during substrate handling in a processing system
US6549290B2 (en) * 1998-09-22 2003-04-15 Olympus Optical Co., Ltd. Method and apparatus for aligning target object
JP2002093786A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法
JP2002319612A (ja) 2001-04-20 2002-10-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ搬送装置、気相成長装置およびウェーハ搬送方法
JP2003173955A (ja) 2001-12-05 2003-06-20 Ushio Inc ウエハ周辺露光方法および装置
JP4289961B2 (ja) * 2003-09-26 2009-07-01 キヤノン株式会社 位置決め装置
US8634633B2 (en) * 2003-11-10 2014-01-21 Brooks Automation, Inc. Wafer center finding with kalman filter
KR20070048650A (ko) * 2004-08-31 2007-05-09 가부시키가이샤 니콘 위치 맞춤 방법, 처리 시스템, 기판의 투입 재현성 계측방법, 위치 계측 방법, 노광 방법, 기판 처리 장치, 계측방법 및 계측 장치
JP4566798B2 (ja) * 2005-03-30 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置，基板位置決め方法，プログラム
JP2010087473A (ja) * 2008-07-31 2010-04-15 Canon Anelva Corp 基板位置合わせ装置及び基板処理装置
JP2011209064A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Fuji Xerox Co Ltd 物品認識装置及びこれを用いた物品処理装置
JP5614326B2 (ja) 2010-08-20 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
CN102169822B (zh) 2011-02-09 2012-07-04 沈阳芯源微电子设备有限公司 双整定精确定位硅片圆心的方法
JP5516482B2 (ja) * 2011-04-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、基板搬送装置、及び塗布現像装置
JP5582152B2 (ja) * 2012-02-03 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP5673577B2 (ja) * 2012-02-07 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5712975B2 (ja) * 2012-07-06 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 計測用基板、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
CN104756243B (zh) * 2012-10-29 2018-02-13 日商乐华股份有限公司 半导体衬底的位置检测装置和位置检测方法
JP5835188B2 (ja) * 2012-11-06 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板周縁部の塗布膜除去方法、基板処理装置及び記憶媒体
CN103811387B (zh) 2012-11-08 2016-12-21 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 晶圆预对准方法及装置
US10522380B2 (en) * 2014-06-20 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining substrate placement in a process chamber
JP6506984B2 (ja) * 2015-02-13 2019-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板検出装置、基板検出方法及び基板処理システム
KR101740480B1 (ko) * 2015-05-29 2017-06-08 세메스 주식회사 티칭 방법, 그리고 이를 이용한 기판 처리 장치
US9966290B2 (en) * 2015-07-30 2018-05-08 Lam Research Corporation System and method for wafer alignment and centering with CCD camera and robot

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003254738A (ja) 2002-02-28 2003-09-10 Olympus Optical Co Ltd ウエハ芯出し装置及び方法並びにプログラム
JP2008218903A (ja) 2007-03-07 2008-09-18 Olympus Corp ウエハの求心装置および方法
KR101023948B1 (ko) 2008-09-01 2011-03-22 주식회사 싸이맥스 웨이퍼의 중심 검출 장치 및 그 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170037031A (ko) 2017-04-04
CN106558514A (zh) 2017-04-05
US20170092520A1 (en) 2017-03-30
CN106558514B (zh) 2019-10-15
US10388550B2 (en) 2019-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10468284B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101757815B1 (ko) 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
KR101740480B1 (ko) 티칭 방법, 그리고 이를 이용한 기판 처리 장치
JP2016063039A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20140152966A1 (en) Facility and method for treating substrate
US11626309B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101559027B1 (ko) 기판 처리 설비 및 방법
JP4243937B2 (ja) 基板支持ピンの支持位置検知方法、その傾き検知方法及びそれらの教示装置並びに教示用治具
KR101765092B1 (ko) 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
KR101736849B1 (ko) 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
KR20180006710A (ko) 기판 처리 장치
KR101706735B1 (ko) 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101736873B1 (ko) 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
US7361920B2 (en) Substrate processing apparatus and transfer positioning method thereof
KR102066044B1 (ko) 기판 처리 장치, 인덱스 로봇 및 기판 이송 방법
KR101927698B1 (ko) 이송 로봇, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101681185B1 (ko) 인터페이스 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR102497795B1 (ko) 기판 처리 장치
WO2024070818A1 (ja) リフターピンの制御方法及び搬送アーム
KR101885106B1 (ko) 기판 정렬 방법 및 이를 이용한 기판 정렬 모듈
KR101927695B1 (ko) 반송 로봇의 자세 보정 방법
CN115410946A (zh) 用于处理基板的装置及用于检测基板状态的方法
KR20160081010A (ko) 베이크 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR20150078608A (ko) 기판처리장치
KR20040079778A (ko) 웨이퍼 감지수단이 구비된 로봇 암을 포함하는 반도체제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant