KR101559027B1 - 기판 처리 설비 및 방법 - Google Patents

Abstract

기판 처리 방법이 개시된다. 기판 처리 방법은 롯드에 수납된 기판들을 공정 모듈에 제공하여 공정 처리를 수행하는 공정 처리 단계; 및 상기 공정 처리 단계를 마친 기판들에 대한 검사 처리를 검사 모듈에서 수행하는 검사 처리 단계를 포함하되, 상기 검사 처리 단계는 상기 롯드 단위의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 검사 처리가 완료되도록 상기 검사 모듈에 제공되는 검사 대상 기판을 선정한다.

Description

기판 처리 설비 및 방법{FACILITY AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 설비 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정 처리를 마친 웨이퍼를 검사 처리하는 검사 모듈을 포함하는 기판 처리 설비 및 방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 평판 표시 패널의 제조 프로세스의 하나로서, 기판에 레지스트막을 형성하고 포토마스크를 이용해 해당 레지스트막을 노광한 후 현상 처리를 행하는 것으로 원하는 패턴을 구하는 일련의 공정이 이루어진다. 이러한 처리는 레지스트액의 도포나 현상을 실시하는 도포·현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용해 행해진다. 그리고 레지스트 패턴이 형성된 기판에 대해서는 소정의 검사, 예를 들면 레지스트 패턴의 선폭 레지스트 패턴과 기초 패턴과의 겹친 상태 및 현상 결함 등의 검사를 행하여 합격으로 판정된 기판만이 다음 공정으로 보내진다.

이러한 기판의 검사는 도포·현상 장치와는 별개에 설치된 스탠드 얼론 검사 장치에 의해 행해지는 경우가 많지만, 도포·현상 장치 내에 기판 검사 장치를 설치하는 인 라인 시스템이 채용될 수 있다.

기판을 검사하는 방법은 기판을 수납하는 롯드 단위로 모든 기판을 연속적으로 검사하는 전수 검사 방법과, 사전에 설정된 주기 수량별로 검사하는 샘플림 검사 방법이 있다. 이러한 검사 방법은 기판 검사를 위해 대기 시간이 발생하고 이로 인해 기판들의 총 소요시간이 증가할 수 있다. 검사 대기 시간은 기판 검사 시간이 도포·현상 처리 시간에 비해 긴 경우 증가한다.

본 발명의 실시예는 기판 검사 시간으로 인한 생산량 감소를 최소화할 수 있는 기판 처리 설비 및 방법을 제공한다.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 롯드에 수납된 기판들을 공정 모듈에 제공하여 공정 처리를 수행하는 공정 처리 단계; 및 상기 공정 처리 단계를 마친 기판들에 대한 검사 처리를 검사 모듈에서 수행하는 검사 처리 단계를 포함하되, 상기 검사 처리 단계는 상기 롯드 단위의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 검사 처리가 완료되도록 상기 검사 모듈에 제공되는 검사 대상 기판을 선정한다.

또한, 상기 검사 처리 단계는, 상기 롯드 단위로 기판들에 대한 전체 공정 처리 예상 소요 시간을 계산하고, 상기 예상 소요 시간 내에 상기 검사 처리가 완료되도록 상기 검사 대상 기판을 선정할 수 있다.

또한, 상기 검사 처리 단계는 상기 검사 모듈에 제공하고자 하는 기판에 대한 상기 검사 처리의 예상 완료 시점이 상기 롯드 단위의 기판들 중 상기 공정 모듈에서 최종 처리되는 기판에 대한 공정 처리 완료 시점보다 늦을 경우, 해당 기판은 상기 검사 처리 단계를 거치지 않고 상기 롯드에 수납될 수 있다.

또한, 상기 검사 처리 단계는 상기 공정 모듈에서 공정 처리된 기판들 중 일부를 샘플링하여 상기 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다.

또한, 상기 검사 처리 단계는 상기 공정 모듈에서 공정 처리되는 순서에 따라 연속하여 공정 처리된 기판을 상기 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다.

또한, 상기 공정 처리 단계는 기판에 대해 포토레지스트를 도포하는 도포 처리 단계; 및 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 대해 현상 처리를 수행하는 현상 처리 단계를 포함하고, 상기 검사 처리 단계는 상기 현상 처리 단계를 마친 기판을 상기 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다.

또한, 상기 현상 처리 단계는 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 현상 공정; 및 상기 현상 공정이 완료된 기판에 대해 열처리를 수행하는 열처리 공정을 포함할 수 있다.

또한, 상기 공정 모듈은 상기 공정 처리 단계를 수행할 수 있는 챔버들을 복수 개 포함하며, 상기 검사 처리 단계는 상기 챔버들 중 특정 챔버에서 상기 공정 처리를 마친 기판만을 상기 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다.

또한, 상기 공정 모듈은 상기 공정 처리 단계를 수행할 수 있는 챔버들을 복수 개 포함하며, 상기 검사 처리 단계는 상기 챔버들에서 상기 공정 처리 단계를 마친 기판들 중 상기 챔버들마다 적어도 1매의 기판을 상기 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다.

또한, 상기 롯드는 n매의 기판을 수납한 제1롯드와, m매의 기판을 수납한 제2롯드를 가지며, 상기 제1롯드의 기판들에 대한 상기 공정 처리 단계와 상기 검사 처리 단계가 수행된 후, 상기 제2롯드의 기판들에 대한 상기 공정 처리 단계와 상기 검사 처리 단계가 수행되며, 상기 제1롯드의 기판들에 대한 검사 처리 단계는 상기 제1롯드의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 제1롯드의 기판들에 대한 검사 처리가 완료되도록 상기 제1롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하고, 상기 제2롯드의 기판들에 대한 검사 처리 단계는 상기 제2롯드의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 제2롯드의 기판에 대한 검사 처리가 완료되도록 상기 제2롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정할 수 있다.

또한, 상기 제1롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 순서는 상기 제2롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 순서와 상이할 수 있다.

또한, 상기 n은 상기 m보다 큰 자연수이며, 상기 제1롯드의 기판들에서 선정되는 상기 검사 대상 기판의 수는 상기 제2롯드이 기판들에서 선정되는 상기 검사 대상 기판의 수보다 클 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비는 복수 매의 기판이 수납된 롯드가 놓여지는 로드 포트; 기판에 대해 공정 처리를 수행하는 공정 모듈; 상기 로드 포트와 상기 공정 모듈 사이에 위치하며, 기판을 이송하는 인덱스 로봇을 갖는 인텍스 모듈; 상기 공정 모듈에서 공정 처리를 마친 기판에 대해 검사 처리를 수행하는 검사 모듈; 및 상기 공정 모듈에서 상기 롯드 단위의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 검사 모듈에서 검사 처리가 완료되도록 상기 검사 모듈에 제공되는 검사 대상 기판을 선정하는 제어부를 포함할 수 있다.

또한, 상기 공정 모듈은 기판에 대해 포토레지스트 도포 처리를 수행하는 도포 모듈; 및 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 대해 현상 처리를 수행하는 현상 모듈을 포함하고, 상기 제어부는 상기 현상 공정을 마친 기판들을 상기 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다.

또한, 상기 공정 모듈은 복층 구조로, 상기 도포 모듈은 상기 현상 모듈의 상층에 제공되며, 상기 현상 모듈은 현상 공정을 수행하며, 일 방향으로 배열되는 복수의 현상 챔버들; 및 상기 현상 공정을 수행한 기판에 대해 열처리 공정을 수행하며, 상기 현상 챔버들과 나란하게 배열되는 베이크 챔버들을 포함하며, 상기 검사 모듈은 상기 인덱스 모듈과 상기 베이크 챔버들 사이에 위치하며, 상기 열처리 공정이 완료된 기판을 검사할 수 있다.

또한, 상기 공정 모듈은 단층 구조로, 상기 현상 모듈은 현상 공정을 수행하는 복수의 현상 챔버들과, 상기 현상 공정을 수행한 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 베이크 챔버들을 포함하고, 상기 도포 모듈은 상기 도포 처리를 수행하는 복수의 도포 챔버들을 포함하며, 상기 현상 챔버들과 상기 도포 챔버들은 일 방향으로 일렬 배치되고, 상기 베이크 챔버들은 상기 현상 챔버들과 상기 도포 챔버들과 나란하게 일렬 배치되며, 상기 검사 모듈은 상기 인덱스 모듈과 상기 베이크 챔버들 사이에 위치하며, 상기 열처리 공정이 완료된 기판을 검사하는 검사 챔버를 포함할 수 있다.

또한, 상기 공정 모듈은 기판에 대해 동일한 처리를 수행하는 복수의 챔버들을 가지며, 상기 제어부는 상기 챔버들 중 특정 챔버에서 공정 처리를 마친 기판만을 상기 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다.

또한, 상기 공정 모듈은 기판에 대해 동일한 처리를 수행하는 복수의 챔버들을 가지며, 상기 제어부는 상기 챔버들마다 공정 처리를 마친 적어도 1매의 기판을 상기 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다.

또한, 상기 롯드는 n매의 기판을 수납한 제1롯드와, m매의 기판을 수납한 제2롯드를 가지며, 상기 제어부는 상기 제1롯드의 n매의 기판들에 대한 처리가 완료된 후, 상기 제2롯드의 m매의 기판들에 대한 처리가 순차적으로 수행되도록 제어하며, 상기 제1롯드의 n매의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 제1롯드의 기판들에 대한 검사 처리가 완료되도록 상기 제1롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하고, 상기 제2롯드의 m매의 기판에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 제2롯드의 기판들에 대한 검사 처리가 완료되도록 상기 제2롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정할 수 있다.

또한, 상기 제어부는 상기 제1롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 순서와 상기 제2롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 순서가 상이하도록 제어할 수 있다.

본 발명에 의하면, 기판들의 공정 처리 시간 내에 검사 처리가 완료되므로, 기판 검사로 인한 대기 시간 발생이 예방된다.

도 1은 기판 처리 설비를 측면에서 바라본 단면도이다.
도 2는 도 1의 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 순서를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 순서를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 순서를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 순서를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 설비를 나타내는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정과 현상 공정을 수행하는데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 설비를 측면에서 바라본 단면도이고, 도 2는 도 1의 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 C-C 방향에서 바라본 도면이다.

기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 공정 모듈(400), 인터페이스 모듈(500), 검사 모듈(700), 그리고 제어부(800)를 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 공정 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(500)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 공정 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(500)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.

웨이퍼(W)는 롯드(lot)(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 롯드(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 롯드(20)는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. 이하 도 1 내지 도 4를 참조하여, 각각의 구성에 대해서 상세히 설명한다.

로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 롯드(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수 개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 롯드(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 롯드(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 공정 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 공정 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 공정 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.

버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.

냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.

공정 모듈(400)은 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 도포 처리 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 현상 처리를 수행한다. 공정 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 공정 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.

도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그

리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.

반송 챔버(430)는 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(500)의 제 1 버퍼(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.

베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.

현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 4개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.

반송 챔버(480)는 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 인터페이스 모듈(500)의 제 2 버퍼(530) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.

베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.

인터페이스 모듈(500)은 공정 모듈(400)과 노광 장치(600) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(500)은 프레임(510), 제 1 버퍼(520), 제 2 버퍼(530), 그리고 인터페이스 로봇(540)를 가진다. 제 1 버퍼(520), 제 2 버퍼(530), 그리고 인터페이스 로봇(540)은 프레임(510) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(520)와 제 2 버퍼(530)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(520)는 제 2 버퍼(530)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(520)는 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(530)는 현상 모듈(402)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(520)는 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(530)는 현상 모듈(402)의 반송 챔버(480)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.

인터페이스 로봇(540)은 제 1 버퍼(520) 및 제 2 버퍼(530)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(540)은 제 1 버퍼(520), 제 2 버퍼(530), 그리고 노광 장치(600) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(540)은 버퍼 로봇(360)과 대체로 유사한 구조를 가진다.

제 1 버퍼(520)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(600)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(530)는 노광 장치(600)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 현상 모듈(402)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(520)는 하우징(521)과 복수의 지지대들(522)을 가진다. 지지대들(522)은 하우징(521) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(522)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(521)은 인터페이스 로봇(540) 및 도포부 로봇(432)이 하우징(521) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(540)이 제공된 방향 및 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(530)는 제1 버퍼(520)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(530)의 하우징(531)에는 인터페이스 로봇 (540)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.

검사 모듈(700)은 공정 모듈(400)에서 공정 처리를 마친 웨이퍼(W)에 대해 검사 처리를 수행한다. 검사 모듈(700)은 현상 모듈(402)에서 현상 공정과 베이크 공정을 마친 웨이퍼(W)를 검사 처리한다. 검사 모듈(700)은 현상 처리의 불편 및 결함을 검출하기 위한 결함 검사 장치, 웨이퍼(W) 표면의 이물을 검사하는 이물 검사 장치, 웨이퍼(W) 상에 형성된 레지스트막의 패턴의 선폭(CD)을 측정하기 위한 선폭 측정 장치, 노광 후의 웨이퍼(W)와 포토마스크와의 겹침 맞춤 정밀도를 검사하기 위한 겹침 맞춤검사 장치, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)에 잔존하는 레지스트 잔사를 검출하기 위한 잔사 검사 장치, 그리고 노광 장치에서 생기는 패턴의 위치 차이를 검출하기 위한 디포커스 검사 장치등을 유니트한 것으로, 원하는 검사의 종류에 따라 장치가 적당 선택될 수 있다. 또한 각 검사 유니트의 배치수 및 배치 레이아웃은 원하는 검사의 종류나 배치할 수 있는 스페이스에 따라 결정할 수 있게 된다.

검사 모듈(700)은 공정 모듈(400) 내에 배치될 수 있다. 검사 모듈(700)은 검사 처리가 수행되는 공간을 제공하는 검사 챔버(710)를 포함한다. 검사 챔버(710)는 현상 모듈(402)이 배치된 공정 모듈(400)의 하층에 배치될 수 있다. 검사 챔버(710)는 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)들과 인덱스 모듈(300) 사이에 배치되며, 제1방향(12)으로 베이크 챔버(470)들과 일렬 배치된다. 검사 챔버(710)는 복수 개가 제3방향(16)으로 적층되어 제공될 수 있다.

제어부(800)는 공정 모듈(400)에서 공정 처리를 마친 웨이퍼(W)들 중 검사 모듈(700)에 제공되는 검사 대상 기판을 선정한다. 제어부(800)는 롯드(20) 단위의 웨이퍼(W)들에 대한 공정 처리 시간 내에 검사 처리가 완료되도록 검사 대상 기판을 선정한다. 제어부(800)는 롯드(20) 단위의 웨이퍼 전체에 대한 공정 처리 예상 소요 시간을 계산하고, 공정 처리 예상 소요 시간 내에 검사 처리가 종료되도록 검사 모듈(700)에 제공되는 검사 대상 기판을 선정한다. 제어부(800)는 공정 모듈(400)에서 공정 처리를 마친 웨이퍼(W)들 중 일부 웨이퍼(W)를 선택하여 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다. 제어부(800)는 공정 모듈(400)에서 공정 처리를 마치는 웨이퍼(W)들을 일정 주기로 샘플링하여 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다. 이와 달리, 제어부(800)는 공정 모듈(400)에서 공정처리를 마치는 순서대로 웨이퍼(W)를 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다. 제어부(800)가 검사 대상 기판을 선정하는 방법에 대해서는 도 5 내지 도 10를 참조하여 자세하게 설명한다.

이하, 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 웨이퍼를 처리하는 방법에 대해 설명한다.

웨이퍼들(W)이 수납된 롯드(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 롯드(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 롯드(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 도포부 로봇(432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다.

도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 인터페이스 모듈(500)의 제 1 버퍼(520)로 운반한다. 인터페이스 로봇(540)은 제 1 버퍼(520)로부터 노광 장치(600)로 웨이퍼(W)를 운반한다. 노광 장치(600)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 수행된다. 이후, 인터페이스 로봇(540)은 노광 장치(600)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(530)로 운반한다.

현상부 로봇(482)은 제 2 버퍼(530)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다.

제어부(800)는 상술한 도포/현상 처리가 완료된 웨이퍼(W)들 중 검사 대상 기판을 선정한다. 검사 대상 기판으로 선정된 웨이퍼(W)는 현상부 로봇(482)에 의해 베이크 챔버(470)로부터 꺼내어져 검사 챔버(710)로 운반된다. 반면, 검사 대상 기판으로 선정되지 않은 웨이퍼(W)는 현상부 로봇(482)에 의해 꺼내어져 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반된다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 순서를 나태는 도면이다.

도 5를 참조하면, 도포/현상 처리는 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)에서 d웨이퍼(W)들이 순차적으로 도포 처리와 현상 처리가 수행되는 과정을 나타내는 도표이고, 검사 처리는 제어부(800)가 검사 대상 기판을 선정하고 이를 검사 모듈(700)에 제공하여 검사 처리가 수행되는 과정을 나타내는 도표이다. 소요시간은 롯드(20) 단위로 웨이퍼(W)들에 대한 도포/현상 처리, 그리고 검사 처리가 모두 완료되는 시간을 나타낸다. 실시예에 의하면, 롯드(20)에는 7매의 웨이퍼(W1 내지 W7)들이 수납되며, 1매씩 순차적으로 도포/현상 처리에 제공된다. 본 실시예에서는 검사 처리 시간이 도포 처리 시간 및 현상 처리 시간이 긴 것으로 고려하였다.

제어부(800)는 7매의 웨이퍼(W1 내지 W7)들에 대한 공정 처리 전체 예상 소요 시간(Td)을 계산한다. 계산된 예상 소요 시간을 토대로, 검사 대상 기판을 선정한다. 첫 번째 기판(W1)에 대한 도포/현상 처리가 완료되면, 제어부(800)는 첫 번째 웨이퍼(W1)에 대한 검사 처리 예상 종료시간이 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않은 것으로 판단하며 첫 번째 웨이퍼(W1)를 검사 대상 기판으로 선정한다. 첫 번째 웨이퍼(W1)에 대한 검사 처리는 두 번째 웨이퍼(W2)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안 계속된다. 세 번째 웨이퍼(W3)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안, 첫 번째 웨이퍼(W1)에 대한 검사 처리가 종료된다. 제어부(800)는 세 번째 웨이퍼(W3)에 대한 검사 처리 예상 종료시간이 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않은 것으로 판단하며 세 번째 웨이퍼(W3)를 검사 대상 기판으로 선정한다. 세 번째 웨이퍼(W3)에 대한 검사 처리는 네 번째 웨이퍼(W4)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안 계속된다. 세 번째 웨이퍼(W3)에 대한 검사 처리는 다섯 번째 웨이퍼(W5)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안 종료한다. 제어부(800)는 다섯 번째 웨이퍼(W5)에 대한 검사 처리 예상 종료시간이 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않은 것으로 판단하며 다섯 번째 웨이퍼(W5)를 검사 대상 기판으로 선정한다. 다섯 번째 웨이퍼(W5)에 대한 검사 처리는 여섯 번째 웨이퍼(W6)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안 계속되며, 일곱 번째 웨이퍼(W7)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안 종료한다. 제어부(800)는 여섯 번째 웨이퍼(W6)과 일곱 번째 웨이퍼(W7)에 대한 검사 처리 예상 종료 시간이 공정 처리 전체 예상 시간(Td)을 초과하는 것으로 판단하여 여섯 번째 웨이퍼(W6)와 일곱 번째 웨이퍼(W7)를 검사 대상 기판으로 선정하지 않는다. 상술한 제어부(800)의 판단에 의하여, 첫 번째, 세 번째, 그리고 다섯 번째 웨이퍼(W1, W3, W5)은 검사 대상 기판으로 선정되고, 두 번째, 네 번째, 여섯 번째, 그리고 일곱 번째 웨이퍼(W2, W4, W6, W7)은 검사 대상 기판으로 선정되지 않는다. 이러한 제어부(800)의 검사 대상 기판 선정으로 롯드(20) 단위의 웨이퍼(W)들에 대한 검사 처리가 전체 웨이퍼(W)들의 도포/현상 처리에 비해 일찍 종료되므로, 검사 처리로 인한 대기 시간이 발생하지 않으며 롯드(20) 단위의 웨이퍼(W) 처리 시간이 증가하는 것이 예방될 수 있다. 실시예에서, 제어부(800)는 검사 대상 기판을 일정 주기로 선정하였다. 제어부(800)는 2n-1(n은 자연수)의 주기로 도포/현상 처리가 완료되는 웨이퍼들을 검사 대상 기판으로 선정하였다. 이와 달리, 제어부(800)는 3n-1(n은 자연수)의 주기, 또는 3n-2(n은 자연수)의 주기로 검사 대상 기판을 선정할 수 있다. 검사 대상 기판을 선정하는 주기는 슬롯(20) 단위로 제공되는 웨이퍼(W)들의 개수 및 단위 웨이퍼(W)에 대한 검사 처리 시간에 따라 다양하게 변경될 수 있다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 순서를 나타내는 도면이다.

도 6을 참조하면, 두 개의 롯드(20a, 20b)가 제공된다. 제1롯드(20a)에는 n매의 웨이퍼(W)가 수납되고, 제2롯드(20b)에는 m매의 웨이퍼(W)가 수납된다. n은 m과 상이한 자연수로써, m보다 큰 자연수 일 수 있다. 실시예에 의하면, n=7이고, m=6일 수 있다. 기판 처리 설비(1)는 제1롯드(20a)의 웨이퍼(W1 내지 W7)들에 대한 도포/현상 처리와 검사 처리를 수행한 후, 제2롯드(20b)의 웨이퍼(W8 내지 W13)들에 대한 도포/현상 처리와 검사 처리를 수행한다. 제2롯드(20b)의 웨이퍼(W8 내지 W13)들에 대한 검사 처리 시간이 제1롯드(20a)의 웨이퍼(W1 내지 W7)들에 대한 검사 처리 시간보다 길 수 있다.

제1롯드(20a)에 대한 도포/현상 처리와 검사 처리는 상술한 도 5의 실시예와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.

제2롯드(20b)의 첫 번째에 웨이퍼(W8)에 대한 도포/현상 처리가 종료하는 시점에 검사 모듈(700)에서는 검사 처리가 수행되지 않는다. 제어부(800)는 제2롯드(20b)의 첫 번째 웨이퍼(W8)에 대한 검사 처리 예상 종료시간이 제2롯드(20b)의 웨이퍼들의 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않은 것으로 판단하며 첫 번째 웨이퍼(W8)를 검사 대상 기판으로 선정한다. 첫 번째 웨이퍼(W8)에 대한 검사 처리는 두 번째 웨이퍼(W9)와 세 번째 웨이퍼(W10)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안 계속되며, 네 번째 웨이퍼(W11)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안 종료된다.

제어부(800)는 두 번째 웨이퍼(W9)를 검사 대상 기판으로 선정할 경우 첫 번째 웨이퍼(W8)에 대한 검사 처리가 종료할 때까지 오랜 시간 대기하여야 하는 문제가 발생하므로, 두 번째 웨이퍼(W9)를 검사 대상 기판으로 선정하지 않는다.

제어부(800)는 세 번째 웨이퍼(W10)에 대한 검사 처리 종료 예상 시간이 제2롯드(20b)의 웨이퍼들의 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않는 것으로 판단하며, 세 번째 웨이퍼(W10)를 검사 대상 기판으로 선정한다. 세 번째 웨이퍼(W10)에 대한 검사 처리는 다섯 번째 웨이퍼(W12)와 여섯 번째 웨이퍼(W13)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안 계속된다. 제어부(800)는 다섯 번째 웨이퍼(W12)와 여섯 번째 웨이퍼(W13)를 검사 처리할 경우, 웨이퍼들의 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과한다고 판단하며, 다섯 번째 웨이퍼(W12)과 여섯 번째 웨이퍼(W13)를 검사 대상 기판으로 선정하지 않는다.

제어부(800)의 판단에 의하여, 제1롯드(20a)에서는 첫 번째, 세 번째, 그리고 다섯 번째 웨이퍼(W1, W3, W5)가 검사 대상 기판으로 선정되고, 두 번째, 네 번째, 여섯 번째, 그리고 일곱 번째 웨이퍼(W2, W5, W6, W7)가 검사 대상 기판으로 선정되지 않는다. 그리고, 제2롯드(20b)에서는 첫 번째 웨이퍼(W8)와 세 번째 웨이퍼(W10)가 검사 대상 기판으로 선정되고, 두 번째, 네 번째, 다섯 번째, 그리고 여섯 번째 웨이퍼(W9, W11, W12, W13)은 검사 대상 기판으로 선정되지 않는다. 이와 같이, 제어부(800)는 롯드(20a, 20b)에 제공되는 웨이퍼들의 개수 및 롯드(20a, 20b) 단위로 웨이퍼 검사 처리 시간이 상이하더라도, 웨이퍼들에 대한 전체 공정 처리 시간(Td)이 종료하기 전에 검사 처리가 종료하도록 검사 대상 기판을 유연하게 선정하므로, 검사 처리로 인한 대기 시간이 발생하지 않을 수 있다.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 과정을 나타내는 도면이다.

도 7을 참조하면, 제어부(800)는 자동 수량 연속 검사를 실시한다. 도 5 및 도 6의 경우, 검사 대상 기판을 일정 주기로 선정하였으나, 본 실시예의 경우 도포/현상 처리가 완료되는 순서대로 연속하여 웨이퍼들을 검사 대상 기판으로 선정한다.

롯드(20)에 7매의 웨이퍼(W1 내지 W7)가 수납되는 것을 예를 들어 설명한다. 제어부(800)는 7매의 웨이퍼(W1 내지 W7)들에 대한 공정 처리 전체 예상 소요 시간(Td)을 계산한다. 계산된 예상 소요 시간(Td)을 토대로, 검사 대상 기판을 선정한다. 첫 번째 웨이퍼(W1)에 대한 도포/현상 처리가 완료되면, 제어부(800)는 첫 번째 웨이퍼(W1)에 대한 검사 처리 예상 종료시간이 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않은 것으로 판단하며 첫 번째 웨이퍼(W1)을 검사 대상 기판으로 선정한다. 첫 번째 웨이퍼(W1)에 대한 검사 처리는 두 번째 웨이퍼(W2)에 대한 도포/현상 처리가 종료될 때까지 계속된다. 제어부(800)는 도포/현상 처리가 완료된 두 번째 웨이퍼(W2)를 대기시키고, 검사 대상 기판 여부를 판단한다. 첫 번째 웨이퍼(W1)에 대한 검사 처리 종료 시점을 기준으로 두 번째 웨이퍼(W2)에 대한 검사 처리 종료시간을 예상하며, 두 번째 웨이퍼(W2)에 대한 검사 처리 종료시간이 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않은 것으로 판단하여 두 번째 웨이퍼(W2)을 검사 대상 기판으로 선정한다. 이러한 방법으로 제어부(800)는 세 번째 웨이퍼(W3)와 네 번째 웨이퍼(W4)를 순차적으로 검사 대상 기판으로 선정한다. 제어부(800)는 네 번째 웨이퍼(W4)에 대한 검사 처리가 종료하는 시점을 기준으로 다섯 번째 웨이퍼(W5)에 대한 검사 처리 종료시간을 예상하며, 다섯 번째 웨이퍼(W5)에 대한 검사 처리 종료시간이 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하는 것으로 판단하여 다섯 번째 웨이퍼(W5)를 검사 대상 기판으로 선정하지 않는다. 여섯 번째 웨이퍼(W6)와 일곱 번째 웨이퍼(W7)는 다섯 번째 웨이퍼(W5)와 동일한 이유에서 검사 대상 기판으로 선정되지 않는다.

제어부(800)의 판단에 의하여, 롯드(20)에서는 첫 번째 내지 네 번째 웨이퍼(W1 내지 W4)가 검사 대상 기판으로 선정되고, 다섯 번째 내지 일곱 번째 웨이퍼(W5 내지 W7)가 검사 대상 기판으로 선정되지 않는다. 이와 같이, 제어부(800)는 검사 대상 기판을 도포/현상 처리가 완료되는 웨이퍼 순서로 연속하여 선정할 수 있다.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 순서를 나타내는 도면이다.

도 8을 참조하면, 두 개의 롯드(20a, 20b)가 제공된다. 제1롯드(20a)에는 7매의 웨이퍼(W1 내지 W7)가 수납되고, 제2롯드(20b)에는 6매의 웨이퍼(W8 내지 W13)가 수납될 수 있다. 제1롯드(20a)의 웨이퍼(W1 내지 W7)들에 대한 도포/현상 처리와 검사 처리를 수행한 후, 제2롯드(20b)의 웨이퍼(W8 내지 W13)들에 대한 도포/현상 처리와 검사 처리를 수행한다. 제2롯드(20b)의 웨이퍼(W8 내지 W13)에 대한 검사 처리 시간이 제1롯드(20a)의 웨이퍼(W1 내지 W7)에 대한 검사 처리 시간보다 길 수 있다.

제1롯드(20a)에 대한 도포/현상 처리와 검사 처리는 상술한 도 7의 실시예와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.

제2롯드(20b)의 첫 번째에 웨이퍼(W8)에 대한 도포/현상 처리가 종료하는 시점에 검사 처리가 수행되지 않는다. 제어부(800)는 제2롯드(20b)의 첫 번째 웨이퍼(W8)에 대한 검사 처리 예상 종료시간이 제2롯드(20d)의 웨이퍼들의 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않은 것으로 판단하며 첫 번째 웨이퍼(W8)를 검사 대상 기판으로 선정한다. 첫 번째 웨이퍼(W8)에 대한 검사 처리는 두 번째 내지 네 번째 웨이퍼(W9 내지 W11)에 대한 도포/현상 처리가 진행되는 동안 계속된다. 제어부(800)는 첫 번째 웨이퍼(W1)에 대한 검사 처리가 종료되는 시점을 기준으로 도포/현상 처리가 완료된 두 번째 웨이퍼(W9)에 대한 검사 대상 기판 선정 여부를 판단한다. 제어부(800)는 두 번째 웨이퍼(W9)에 대한 검사 처리 종료시간이 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않은 것으로 판단하여 두 번째 웨이퍼(W9)을 검사 대상 기판으로 선정한다. 제어부(800)는 두 번째 웨이퍼(W9)에 대한 검사 처리 종료 시점을 기준으로 도포/현상 처리가 완료된 세 번째 내지 여섯 번째 웨이퍼(W10 내지 W13)에 대한 검사 처리 종료시간을 예상하고, 제2롯드(20d) 웨이퍼들 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하는 것으로 판단하여 이들을 검사 대상 기판으로 선정하지 않는다.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 과정을 나타내는 도면이다.

도 9를 참조하면, 도포 챔버(C1 내지 C3)와 현상 챔버(D1 내지 D4)는 각각 복수 개 제공된다. 실시예에 의하면, 도포 챔버(C1 내지 C3)은 3개 제공되고, 현상 챔버(D1 내지 D3)은 3개 제공된다. 도포 챔버(C1 내지 C3) 각각에서는 도포 처리가 수행되고, 현상 챔버(D1 내지 D3) 각각에서는 현상 처리가 수행된다. 실시예에서, 롯드(20)에는 7매의 웨이퍼(W1 내지 W7)가 수납되는 것을 예를 들어 설명한다.

롯드(20)에 수납된 웨이퍼(W1 내지 W7)들은 1매씩 순차적으로 도포 챔버(C1 내지 C3)과 현상 챔버(D1 내지 D3)에 제공된다. 실시예에 의하면, 제1웨이퍼(W1)는 제1도포 챔버(D1)에서 도포 처리되고 제2현상 챔버(D2)에서 현상처리된다. 제2웨이퍼(W2)는 제2도포 챔버(C2)에서 도포 처리되고 제3현상 챔버(D3)에서 현상처리된다. 제3웨이퍼(W3)는 제3도포 챔버(C3)에서 도포 처리되고 제1현상 챔버(D1)에서 현상처리된다. 제4웨이퍼(W4)는 제1도포 챔버(C1)에서 도포 처리되고 제3현상 챔버(C3)에서 현상처리된다. 제5웨이퍼(W5)는 제2도포 챔버(C2)에서 도포 처리되고 제2현상 챔버(D2)에서 현상처리된다. 제6웨이퍼(W6)는 제3도포 챔버(C3)에서 도포 처리되고 제3현상 챔버(D3)에서 현상처리된다. 그리고, 제7웨이퍼(W7)는 제1도포 챔버(C1)에서 도포 처리되고 제3현상 챔버(D3)에서 현상처리된다. 이와 같이, 웨이퍼(W1 내지 W7)들 각각은 서로 다른 도포 챔버(C1 내지 C3)와 현상 챔버(D1 내지 D3)에 제공되어 도포/현상 처리를 수행할 수 있다. 웨이퍼(W1 내지 W7)들이 제공되는 도포 챔버(C1 내지 C3)와 현상 챔버(D1 내지 D3)의 순서는 다양하게 변경될 수 있다.

제어부(800)는 상술한 도포 챔버(C1 내지 C3)들과 현상 챔버(D1 내지 D3)들 중 특정 챔버에서 공정 처리를 완료한 웨이퍼만을 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다. 실시예에 의하면, 제어부(800)는 제1도포 챔버(C1)에서 도포 처리를 완료한 웨이퍼(W1, W4)를 검사 대상 기판으로 선정할 수있다. 제어부(800)는 제1도포 챔버(C1)에서 도포 처리를 마친 제1웨이퍼(W1)와 제4웨이퍼(W4)의 검사 처리 예상 종료시간이 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하지 않은 것으로 판단하며 제1 및 제4웨이퍼(W1, W4)를 검사 대상 기판으로 선정한다. 제어부(800)는 제7웨이퍼(W7)의 경우, 검사 처리 예상 종료시간이 전체 공정 처리 예상 소요시간(Td)을 초과하는 것으로 판단하며 제7웨이퍼(W7)를 검사 대상 기판으로 선정하지 않는다.

이와 같이, 제어부(800)는 특정 챔버(C1)에서 공정 처리된 웨이퍼(W1, W4)만을 검사 대상 기판으로 선정하므로, 웨이퍼 검사를 통하여 특정 챔버(C1)에서의 공정 처리 특성을 파악할 수 있다. 실시 예에 의하면, 제어부(800)는 유지 보수 작업을 수행한 챔버에서 공정 처리를 마친 웨이퍼를 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다. 이를 통해 챔버의 유지 보수 상태를 확인할 수 있다. 또한, 제어부(800)는 특정 챔버의 공정 처리 성능을 파악하기 위해, 특정 챔버에서 공정 처리된 웨이퍼만을 검사 대상 기판으로 선정할 수 있다.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 제어부가 검사 대상 기판을 선정하는 순서를 나타내는 도면이다.

도 10을 참조하면, 두 개의 롯드(20a, 20b)가 제공된다. 제1롯드(20a)에는 7매의 웨이퍼(W1 내지 W7)이 수납되고, 제2롯드(20b)에는 6매의 웨이퍼(W8 내지 W13)가 수납된다.

제어부(800)는 제2도포 챔버(C2)에서 공정 처리된 제1롯드(20a)의 제2웨이퍼(W2)와 제5웨이퍼(W5), 그리고 제2롯드(20b)의 제1웨이퍼(W8)와 제4웨이퍼(W11)를 검사 대상 기판으로 선정한다. 제1롯드(20a)의 제2웨이퍼(W2)와 제5웨이퍼(W5)와 제2롯드(20b)의 제1웨이퍼(W8)와 제4웨이퍼(W11)의 검사 처리로 제2도포 챔버(C2)의 검사 처리 성능을 파악할 수 있다.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 설비를 나타내는 도면이다. 도 11을 참조하면, 기판 처리 설비(1')는 단층으로 제공될 수 있다. 도포 모듈(401')과 현상 모듈(402')은 동일한 층에 배치될 수 있다. 도포 모듈(401')과 현상 모듈(402')은 제1방향(12)으로 일렬 배열되고, 맞은 편에 검사 모듈(700')과 베이크 챔버(470')이 일렬 배열될 수 있다. 검사 모듈(700')은 버퍼 모듈(300)과 베이크 챔버(470') 사이에 배치될 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

1: 기판 처리 설비 100: 로드 포트
200: 인덱스 모듈 300: 버퍼 모듈
400: 공정 모듈 401: 도포 모듈
402: 현상 모듈 500: 인터페이스 모듈
600: 노광 모듈 700: 검사 모듈
800: 제어부

Claims (20)

1. 롯드에 수납된 기판들을 공정 모듈에 제공하여 공정 처리를 수행하는 공정 처리 단계; 및
   상기 공정 처리 단계를 마친 기판들에 대한 검사 처리를 검사 모듈에서 수행하는 검사 처리 단계를 포함하되,
   상기 검사 처리 단계는
   상기 롯드 단위의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 검사 처리가 완료되도록 상기 검사 모듈에 제공되는 검사 대상 기판을 선정하는 기판 처리 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 검사 처리 단계는,
   상기 롯드 단위로 기판들에 대한 전체 공정 처리 예상 소요 시간을 계산하고, 상기 예상 소요 시간 내에 상기 검사 처리가 완료되도록 상기 검사 대상 기판을 선정하는 기판 처리 방법.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 검사 처리 단계는
   상기 검사 모듈에 제공하고자 하는 기판에 대한 상기 검사 처리의 예상 완료 시점이 상기 롯드 단위의 기판들 중 상기 공정 모듈에서 최종 처리되는 기판에 대한 공정 처리 완료 시점보다 늦을 경우, 해당 기판은 상기 검사 처리 단계를 거치지 않고 상기 롯드에 수납되는 기판 처리 방법.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 검사 처리 단계는
   상기 공정 모듈에서 공정 처리된 기판들 중 일부를 샘플링하여 상기 검사 대상 기판으로 선정하는 기판 처리 방법.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 검사 처리 단계는
   상기 공정 모듈에서 공정 처리되는 순서에 따라 연속하여 공정 처리된 기판을 상기 검사 대상 기판으로 선정하는 기판 처리 방법.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 공정 처리 단계는
   기판에 대해 포토레지스트를 도포하는 도포 처리 단계; 및
   상기 포토레지스트가 도포된 기판에 대해 현상 처리를 수행하는 현상 처리 단계를 포함하고,
   상기 검사 처리 단계는
   상기 현상 처리 단계를 마친 기판을 상기 검사 대상 기판으로 선정하는 기판 처리 방법.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 현상 처리 단계는
   상기 포토레지스트가 도포된 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 현상 공정; 및
   상기 현상 공정이 완료된 기판에 대해 열처리를 수행하는 열처리 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 공정 모듈은 상기 공정 처리 단계를 수행할 수 있는 챔버들을 복수 개 포함하며,
   상기 검사 처리 단계는
   상기 챔버들 중 특정 챔버에서 상기 공정 처리를 마친 기판만을 상기 검사 대상 기판으로 선정하는 기판 처리 방법.
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 공정 모듈은 상기 공정 처리 단계를 수행할 수 있는 챔버들을 복수 개 포함하며,
   상기 검사 처리 단계는
   상기 챔버들에서 상기 공정 처리 단계를 마친 기판들 중 상기 챔버들마다 적어도 1매의 기판을 상기 검사 대상 기판으로 선정하는 기판 처리 방법.
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 롯드는 n매의 기판을 수납한 제1롯드와, m매의 기판을 수납한 제2롯드를 가지며,
    상기 제1롯드의 기판들에 대한 상기 공정 처리 단계와 상기 검사 처리 단계가 수행된 후, 상기 제2롯드의 기판들에 대한 상기 공정 처리 단계와 상기 검사 처리 단계가 수행되며,
    상기 제1롯드의 기판들에 대한 검사 처리 단계는 상기 제1롯드의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 제1롯드의 기판들에 대한 검사 처리가 완료되도록 상기 제1롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하고,
    상기 제2롯드의 기판들에 대한 검사 처리 단계는 상기 제2롯드의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 제2롯드의 기판에 대한 검사 처리가 완료되도록 상기 제2롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 기판 처리 방법.
11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 순서는 상기 제2롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 순서와 상이한 기판 처리 방법.
12. 제 10 항에 있어서,
    상기 n은 상기 m보다 큰 자연수이며,
    상기 제1롯드의 기판들에서 선정되는 상기 검사 대상 기판의 수는 상기 제2롯드의 기판들에서 선정되는 상기 검사 대상 기판의 수보다 큰 기판 처리 방법.
13. 복수 매의 기판이 수납된 롯드가 놓여지는 로드 포트;
    기판에 대해 공정 처리를 수행하는 공정 모듈;
    상기 로드 포트와 상기 공정 모듈 사이에 위치하며, 기판을 이송하는 인덱스 로봇을 갖는 인덱스 모듈;
    상기 공정 모듈에서 공정 처리를 마친 기판에 대해 검사 처리를 수행하는 검사 모듈; 및
    상기 공정 모듈에서 상기 롯드 단위의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 검사 모듈에서 검사 처리가 완료되도록 상기 검사 모듈에 제공되는 검사 대상 기판을 선정하는 제어부를 포함하는 기판 처리 설비.
14. 제 13 항에 있어서,
    상기 공정 모듈은
    기판에 대해 포토레지스트 도포 처리를 수행하는 도포 모듈; 및
    상기 포토레지스트가 도포된 기판에 대해 현상 처리를 수행하는 현상 모듈을 포함하고,
    상기 제어부는 상기 현상 공정을 마친 기판들을 상기 검사 대상 기판으로 선정하는 기판 처리 설비.
15. 제 14 항에 있어서,
    상기 공정 모듈은 복층 구조로, 상기 도포 모듈은 상기 현상 모듈의 상층에 제공되며,
    상기 현상 모듈은
    현상 공정을 수행하며, 일 방향으로 배열되는 복수의 현상 챔버들; 및
    상기 현상 공정을 수행한 기판에 대해 열처리 공정을 수행하며, 상기 현상 챔버들과 나란하게 배열되는 베이크 챔버들을 포함하며,
    상기 검사 모듈은
    상기 인덱스 모듈과 상기 베이크 챔버들 사이에 위치하며, 상기 열처리 공정이 완료된 기판을 검사하는 검사 챔버를 포함하는 기판 처리 설비.
16. 제 14 항에 있어서,
    상기 공정 모듈은 단층 구조로,
    상기 현상 모듈은
    현상 공정을 수행하는 복수의 현상 챔버들과,
    상기 현상 공정을 수행한 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 베이크 챔버들을 포함하고,
    상기 도포 모듈은 상기 도포 처리를 수행하는 복수의 도포 챔버들을 포함하며,
    상기 현상 챔버들과 상기 도포 챔버들은 일 방향으로 일렬 배치되고,
    상기 베이크 챔버들은 상기 현상 챔버들과 상기 도포 챔버들과 나란하게 일렬 배치되며,
    상기 검사 모듈은
    상기 인덱스 모듈과 상기 베이크 챔버들 사이에 위치하며, 상기 열처리 공정이 완료된 기판을 검사하는 검사 챔버를 포함하는 기판 처리 설비.
17. 제 13 항에 있어서,
    상기 공정 모듈은 기판에 대해 동일한 처리를 수행하는 복수의 챔버들을 가지며,
    상기 제어부는 상기 챔버들 중 특정 챔버에서 공정 처리를 마친 기판만을 상기 검사 대상 기판으로 선정하는 기판 처리 설비.
18. 제 13 항에 있어서,
    상기 공정 모듈은 기판에 대해 동일한 처리를 수행하는 복수의 챔버들을 가지며,
    상기 제어부는 상기 챔버들마다 공정 처리를 마친 적어도 1매의 기판을 상기 검사 대상 기판으로 선정하는 기판 처리 설비.
19. 제 13 항에 있어서,
    상기 롯드는 n매의 기판을 수납한 제1롯드와, m매의 기판을 수납한 제2롯드를 가지며,
    상기 제어부는
    상기 제1롯드의 n매의 기판들에 대한 처리가 완료된 후, 상기 제2롯드의 m매의 기판들에 대한 처리가 순차적으로 수행되도록 제어하며,
    상기 제1롯드의 n매의 기판들에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 제1롯드의 기판들에 대한 검사 처리가 완료되도록 상기 제1롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하고,
    상기 제2롯드의 m매의 기판에 대한 공정 처리 시간 내에 상기 제2롯드의 기판들에 대한 검사 처리가 완료되도록 상기 제2롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 기판 처리 설비.
20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제어부는
    상기 제1롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 순서와 상기 제2롯드의 기판들로부터 상기 검사 대상 기판을 선정하는 순서가 상이하도록 제어하는 기판 처리 설비.

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