JP2016063039A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板支持部の位置ずれが生じた状態で基板処理を行なうことを防止可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】位置ずれ検出動作時に、搬送機構１２７のハンドＨ１が基板支持部ＷＳの真目標位置に移動する。基板支持部ＷＳにより基準位置で支持された基板ＷがハンドＨ１により受け取られる。ハンドＨ１により受け取られた基板ＷとハンドＨ１との位置関係が検出される。検出された位置関係に基づいて基板支持部ＷＳの基準位置と真目標位置とのずれ量が取得される。取得されたずれ量が予め定められたしきい値よりも大きい場合に警報が出力される。
【選択図】図１６

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。このような基板処理装置においては、複数の基板が搬送装置により処理部の所定の基板支持部に順次搬送される。処理部は、基板支持部に搬送された基板に熱処理または成膜処理等の所定の処理を行う（例えば特許文献１参照）。

特許文献１の基板処理装置においては、レール上に積層された複数の熱処理部が、定常位置と退避位置との間で移動可能に設けられる。複数の熱処理部は、搬送装置のメンテナンス時には退避位置に移動され、基板処理時には定常位置に移動される。

特開２００４−１５０１９号公報

特許文献１のように、処理部を移動可能に構成することにより、メンテナンスが容易になる。しかしながら、メンテナンス後に処理部が定常位置に戻されたときにわずかな位置ずれが生じることがある。これにより、処理部内の基板支持部に位置ずれが生じる。また、メンテナンス時に処理部内の基板支持部が処理部から取り外された後、再度基板支持部が処理部に取り付けられる。この場合にも、処理部に対する基板支持部の位置ずれが生じることがある。基板支持部の位置ずれが生じた状態で基板処理が行なわれると、基板処理の精度が低下する可能性がある。

本発明の目的は、基板支持部の位置ずれが生じた状態で基板処理を行なうことを防止可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、予め設定された基準位置を有し、基板を支持可能に構成される基板支持部と、基板を保持するように構成された保持部を有し、保持部を移動させることにより基板を搬送する搬送装置と、保持部により保持された基板と保持部との位置関係を検出する位置検出部と、基板処理時に、基板支持部の基準位置に基板を渡しまたは基準位置から基板を受け取るために目標位置に保持部を移動させるように搬送装置を制御する制御部とを備え、制御部は、位置ずれ検出動作時に、保持部を基板支持部の目標位置に移動させて基板支持部により支持された基板を受け取るように搬送装置を制御するとともに、位置検出部により検出された位置関係に基づいて基準位置と目標位置とのずれ量を取得し、取得されたずれ量が予め定められた第１のしきい値よりも大きい場合に警報を出力する。

この基板処理装置においては、基板処理時に、搬送装置の保持部が目標位置に移動する。これにより、基準位置で基板が支持されるように保持部により基板を基板支持部に渡すことができ、または基準位置で支持された基板を受け取ることができる。ここで、メンテナンス時における基板支持部の取り外しおよび取り付けまたは部品の経年劣化等により、基板支持部に位置ずれが生じることがある。

本発明の構成によれば、位置ずれ検出動作時に、搬送装置の保持部が基板支持部の目標位置に移動する。これにより、基板支持部により基準位置で支持された基板が保持部により受け取られる。保持部により受け取られた基板と保持部との位置関係が検出される。検出された位置関係に基づいて基板支持部の基準位置と目標位置とのずれ量が取得される。取得されたずれ量が予め定められた第１のしきい値よりも大きい場合に警報が出力される。これにより、基板支持部に位置ずれが生じたことが作業者に通知される。その結果、基板支持部に位置ずれが生じた状態で基板処理を行なうことが防止される。

（２）基板支持部は、基板を水平姿勢で保持して基準位置の周りで回転可能に構成され、制御部は、位置ずれ検出動作時に、保持部を目標位置に移動させて基板支持部に基板を渡すように搬送装置を制御し、基板支持部により支持された基板が第１の角度だけ回転されるように基板支持部を制御し、保持部を目標位置に移動させて基板支持部により支持された基板を受け取るように搬送装置を制御し、基板支持部へ基板を渡す前における保持部と基板との位置関係および基板支持部から基板を受け取った後における保持部と基板との位置関係に基づいて基準位置を取得してもよい。

この場合、位置ずれ検出動作時に、搬送装置の保持部が基板支持部に基板を渡して回転後の基板を受け取ることにより基準位置が取得される。これにより、簡単な動作で基準位置を取得することができる。

（３）制御部は、搬送装置に関する教示動作時に、保持部を基板支持部の初期位置に移動させて基板支持部に基板を渡すように搬送装置を制御し、基板支持部により支持された基板が第２の角度だけ回転されるように基板支持部を制御し、保持部を初期位置に移動させて基板支持部により支持された基板を受け取るように搬送装置を制御し、基板支持部へ基板を渡す前における保持部と基板との位置関係および基板支持部から基板を受け取った後における保持部と基板との位置関係に基づいて初期位置と基準位置とのずれ量を補正情報として取得し、取得された補正情報に基づいて初期位置が基準位置に一致するように初期位置を補正し、補正された初期位置を目標位置として取得してもよい。

この場合、搬送装置に関する教示動作時に、搬送装置の保持部が基板支持部に基板を渡して回転後の基板を受け取ることにより、初期位置が目標位置に補正される。これにより、簡単な動作で目標位置を取得することができる。

（４）基板処理装置は、基板支持部を含み、基板処理時に基板支持部により回転される基板に処理を行う処理ユニットをさらに備えてもよい。

この場合、基板の中心と基板支持部の基準位置とが一致した状態で基板支持部により回転される基板に処理が行われる。これにより、基板の処理の精度を向上させることができる。

（５）制御部は、位置ずれ検出動作時に、保持部を目標位置に移動させて基板支持部の基準位置で支持された基板を受け取るように搬送装置を制御し、位置検出部により検出された位置関係に基づいて基準位置を取得してもよい。

この場合、位置ずれ検出動作時に、搬送装置の保持部が基板支持部に基板支持部の基準位置で支持された基板を受け取ることにより基準位置が取得される。これにより、簡単な動作で基準位置を取得することができる。

（６）制御部は、搬送装置に関する教示動作時に、保持部を基板支持部の初期位置に移動させて基板支持部の基準位置で支持された基板を受け取るように搬送装置を制御し、位置検出部により検出された位置関係に基づいて初期位置と基準位置とのずれ量を補正情報として取得し、取得された補正情報に基づいて初期位置が基準位置に一致するように初期位置を補正し、補正された初期位置を目標位置として取得してもよい。

この場合、搬送装置に関する教示動作時に、搬送装置の保持部が基板支持部の基準位置で支持された基板を受け取ることにより、初期位置が目標位置に補正される。これにより、簡単な動作で目標位置を取得することができる。

（７）基板支持部は、基板を基準位置に導く案内機構を含み、教示動作時に、案内機構により基板が基板支持部の基準位置に導かれてもよい。

この場合、基板が案内機構により水平基準位置に導かれる。これにより、教示動作時に、作業者が基板を基準位置に位置決めする作業が不要となる。したがって、作業者の負担がより低減される。また、基板処理時においても、基板が案内機構により基板支持部の基準位置に正確に位置決めされる。

（８）基板処理装置は、基板支持部を含み、基板処理時に基板支持部に支持される基板に処理を行う処理ユニットをさらに備え、目標位置は、処理ユニット内に設定され、制御部は、保持部を処理ユニット内の目標位置に移動させて処理ユニット内において基準位置で支持された基板を受け取るように搬送装置を制御してもよい。

この場合、基板は、処理ユニット内において、基準位置で支持される。これにより、基板の中心と基準位置とが一致した状態で基板支持部により支持される基板に処理が行われる。これにより、基板の処理の精度を向上させることができる。

（９）搬送装置の保持部は、基板の下面を保持する保持面を有し、基板処理装置は、保持部の保持面が基板の下面を保持したことを検出する保持検出部をさらに備え、制御部は、位置ずれ検出動作時に、保持部を基板支持部により基準高さで支持された基板の下方の目標高さから上昇させるように搬送装置を制御し、保持検出部による検出時点での保持部の高さを取得し、取得された高さに基づいて目標高さに保持部が位置するときの保持面と基準高さとの間の距離のずれ量を取得し、取得されたずれ量が第２のしきい値よりも大きい場合に警報を出力してもよい。

この構成によれば、目標高さに保持部が位置するときの保持面と基準高さとの間の距離のずれ量がしきい値よりも大きい場合に警報が出力される。これにより、基板支持部に位置ずれが生じたか、または保持部の保持面が磨耗していることが作業者に通知される。その結果、基板支持部に位置ずれが生じた状態で基板処理を行なうこと、および保持部の保持面が磨耗している状態で基板の搬送を行なうことが防止される。

（１０）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を支持可能に構成される基板支持部と、基板の下面を保持する保持面を有する保持部を含み、保持部を移動させることにより基板を搬送する搬送装置と、保持部の保持面が基板の下面を保持したことを検出する保持検出部と、基板処理時に、基板支持部に基板を渡しまたは基板支持部から基板を受け取るために保持部を移動させるように搬送装置を制御する制御部とを備え、制御部は、位置ずれ検出動作時に、保持部を基板支持部により基準高さで支持された基板の下方の目標高さから上昇させるように搬送装置を制御し、保持検出部による検出時点での保持部の高さを取得し、取得された高さに基づいて目標高さに保持部が位置するときの保持面と基準高さとの間の距離のずれを取得し、取得されたずれ量がしきい値よりも大きい場合に警報を出力する。

この基板処理装置においては、基板処理時に、搬送装置の保持部が目標高さに移動した後、上昇する。これにより、基準高さで基板が支持されるように保持部により基板を基板支持部に渡すことができ、または基準高さで支持された基板を受け取ることができる。ここで、メンテナンス時における基板支持部の取り外しおよび取り付けまたは部品の経年劣化等により、目標高さに保持部が位置するときの保持面と基準高さとの間の距離にずれが生じることがある。

本発明の構成によれば、位置ずれ検出動作時に、搬送装置の保持部が基板支持部により基準高さで支持された基板の下方の目標高さから上昇する。これにより、保持部の保持面が基板の下面を保持したことが検出される。基板の検出時点での保持部の高さが取得される。取得された高さに基づいて目標高さに保持部が位置するときの保持面と基準高さとの間の距離のずれ量が取得される。取得されたずれ量がしきい値よりも大きい場合に警報が出力される。

これにより、基板支持部に位置ずれが生じたか、または保持部の保持面が磨耗していることが作業者に通知される。その結果、基板支持部に位置ずれが生じた状態で基板処理を行なうこと、および保持部の保持面が磨耗している状態で基板の搬送を行なうことが防止される。

（１１）制御部は、搬送装置に関する教示動作時に、保持部を基板支持部により基準高さで支持された基板の下方から上昇させるように搬送装置を制御し、保持検出部による検出時点での保持部の高さに基づいて目標高さを取得してもよい。

この場合、搬送装置に関する教示動作時に、搬送装置の保持部が基板支持部により基準高さで支持された基板の下面を下方から検出することにより目標高さが取得される。そのため、簡単な動作で目標高さを取得することができる。

（１２）保持部は、基板の下面を吸着する吸着部を含み、吸着部は、保持面を有し、保持検出部は、吸着部により基板が吸着されているか否かに基づいて保持面が基板の下面を保持したことを検出するように構成されてもよい。

この場合、簡単な構成で保持部が基板の下面を保持したことを検出することができる。また、保持部は基板を確実に保持することができる。

（１３）第３の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、基板処理時に、基板支持部の予め設定された基準位置に基板を渡しまたは基準位置から基板を受け取るために目標位置に搬送装置の保持部を移動させるステップと、位置ずれ検出動作時に、搬送装置の保持部を基板支持部の目標位置に移動させて基板支持部により基準位置で支持された基板を受け取るステップと、保持部により受け取られた基板と保持部との位置関係を検出するステップと、検出された位置関係に基づいて基板支持部の基準位置と目標位置とのずれ量を取得するステップと、取得されたずれ量が予め定められたしきい値よりも大きい場合に警報を出力するステップとを含む。

この基板処理方法によれば、基板処理時に、搬送装置の保持部が目標位置に移動する。これにより、基準位置で基板が支持されるように保持部により基板を基板支持部に渡すことができ、または基準位置で支持された基板を受け取ることができる。ここで、メンテナンス時における基板支持部の取り外しおよび取り付けまたは部品の経年劣化等により、基板支持部に位置ずれが生じることがある。

本発明の方法によれば、位置ずれ検出動作時に、搬送装置の保持部が基板支持部の目標位置に移動する。これにより、基板支持部により基準位置で支持された基板が保持部により受け取られる。保持部により受け取られた基板と保持部との位置関係が検出される。検出された位置関係に基づいて基板支持部の基準位置と目標位置とのずれ量が取得される。取得されたずれ量が予め定められた第１のしきい値よりも大きい場合に警報が出力される。これにより、基板支持部に位置ずれが生じたことが作業者に通知される。その結果、基板支持部に位置ずれが生じた状態で基板処理を行なうことが防止される。

（１４）第４の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、基板処理時に、基板支持部に基板を渡しまたは基板支持部から基板を受け取るために搬送装置の保持部を移動させるステップと、位置ずれ検出動作時に、搬送装置の保持部を基板支持部により基準高さで支持された基板の下方の目標高さから上昇させるステップと、保持部の保持面が基板の下面を保持したことを検出するステップと、基板の検出時点での保持部の高さを取得するステップと、取得された高さに基づいて目標高さに保持部が位置するときの保持面と基準高さとの間の距離のずれを取得するステップと、取得されたずれ量がしきい値よりも大きい場合に警報を出力するステップとを含む。

この基板処理方法によれば、基板処理時に、搬送装置の保持部が目標高さに移動した後、上昇する。これにより、基準高さで基板が支持されるように保持部により基板を基板支持部に渡すことができ、または基準高さで支持された基板を受け取ることができる。ここで、メンテナンス時における基板支持部の取り外しおよび取り付けまたは部品の経年劣化等により、目標高さに保持部が位置するときの保持面と基準高さとの間の距離にずれが生じることがある。

本発明の方法によれば、位置ずれ検出動作時に、搬送装置の保持部が基板支持部により基準高さで支持された基板の下方の目標高さから上昇する。これにより、保持部の保持面が基板の下面を保持したことが検出される。基板の検出時点での保持部の高さが取得される。取得された高さに基づいて目標高さに保持部が位置するときの保持面と基準高さとの間の距離のずれ量が取得される。取得されたずれ量がしきい値よりも大きい場合に警報が出力される。

これにより、基板支持部に位置ずれが生じたか、または保持部の保持面が磨耗していることが作業者に通知される。その結果、基板支持部に位置ずれが生じた状態で基板処理を行なうこと、および保持部の保持面が磨耗している状態で基板の搬送を行なうことが防止される。

本発明によれば、基板支持部の位置ずれが生じた状態で基板処理が行なわれることを防止することができる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 主として図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。 主として図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。 主として図１の搬送部を示す側面図である。 搬送機構を示す斜視図である。 搬送機構を示す平面図、側面図および端面図である。 搬送機構の制御系の構成を示すブロック図である。 垂直方向の教示動作を説明するための図である。 水平方向の教示動作を説明するための図である。 図５および図６のセンサ装置による基板Ｗの外周部の複数の部分の検出方法を説明するための図である。 熱処理ユニットの斜視図である。 図１１の熱処理ユニットの平面図である。 図１１の熱処理ユニットの側面図である。 基板支持部が熱処理ユニットに設けられる場合における基準位置を説明するための図である。 スピンチャックが基板支持部である場合における水平方向の教示動作を説明するための図である。 基板支持部がスピンチャックに設けられる場合における水平方向の位置ずれ検出動作を説明するための図である。 基板支持部が熱処理ユニットに設けられる場合における水平方向の位置ずれ検出動作を説明するための図である。 垂直方向の位置ずれ検出動作を説明するための図である。 制御部による位置ずれ検出処理の一例を示すフローチャートである。 制御部による位置ずれ検出処理の他の例を示すフローチャートである。 １つのセンサ装置により２つのハンドに保持される２枚の基板Ｗの外周部を検出するための搬送機構の一制御例を示す図である。 １つのセンサ装置により２つのハンドに保持される２枚の基板Ｗの外周部を検出するための搬送機構の一制御例を示す図である。 他の実施の形態における他方のハンドの補正情報の取得手順を説明するための図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。

図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェースブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。

搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、制御部１１４に接続されている。使用者は、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる図示しない操作部が設けられている。使用者は、操作部を操作することにより基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。熱処理部１２３は、移動可能に設けられる。基板処理時には、熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで塗布処理部１２１と対向するように配置される。このときの熱処理部１２３の位置を定常位置と呼ぶ。一方、基板処理装置１００のメンテナンス時には、熱処理部１２３は、定常位置から離間した位置に配置される。このときの熱処理部１２３の位置をメンテナンス位置と呼ぶ。これにより、作業スペースを確保することができる。以下の基板処理装置１００の説明では、熱処理部１２３は定常位置に配置されている。

搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図４参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図４参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。熱処理部１３３は、移動可能に設けられる。基板処理時には、熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで現像処理部１３１と対向するように配置される。このときの熱処理部１３３の位置を定常位置と呼ぶ。一方、基板処理装置１００のメンテナンス時には、熱処理部１３３は、定常位置から離間した位置に配置される。このときの熱処理部１３３の位置をメンテナンス位置と呼ぶ。以下の基板処理装置１００の説明では、熱処理部１３３は定常位置に配置されている。

搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図４参照）が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理室３１〜３４の各々には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）に着脱可能に設けられる。基板処理時には、スピンチャック２５は、駆動装置により回転駆動される。一方、メンテナンス時には、スピンチャック２５は、駆動装置から取り外される。また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の処理液ノズル２８およびそれらの処理液ノズル２８を移動させるノズル搬送機構２９を備える。

塗布処理ユニット１２９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動され、その処理液ノズル２８から処理液が吐出される。これにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する処理液が除去される。

塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９においては、反射防止膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９においては、レジスト膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。

現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの廃液および排気等に関する流体関連機器が収納される。流体関連機器は、導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプおよび温度調節器等を含む。

（３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。

エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの外周縁部を露光する光出射器９９を備える。スピンチャック９８は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）に着脱可能に設けられる。基板処理時には、スピンチャック９８は、駆動装置により回転駆動される。一方、メンテナンス時には、スピンチャック９８は、駆動装置から取り外される。

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜の周縁部の一定幅の領域に露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（４）搬送部の構成
図４は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

図４に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１，３２（図２）および上段熱処理部３０３（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３，３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

搬送部１２２，１３２には、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８をそれぞれ制御する複数の制御部５００が設けられる。複数の制御部５００の一部または全部が図１の制御部１１４により実現されてもよい。

（５）基板処理装置の動作
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図４）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２により反射防止膜が形成された基板Ｗを塗布処理室２２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２１（図２）に順に搬送する。続いて、搬送機構１２７は、塗布処理室２１によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。

この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。

搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２４に順に搬送する。続いて、搬送機構１２８は、塗布処理室２４により反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）および塗布処理室２３に順に搬送する。続いて、搬送機構１２８は、塗布処理室２３によりレジスト膜が形成された基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。

また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。

第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。

また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。

この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。

また、搬送機構１３８（図４）は、インターフェースブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容と同様である。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）に搬送する。続いて、搬送機構１４１は、基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送する。また、搬送機構１４２は、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

インターフェースブロック１４において、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。

（６）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図５は、搬送機構１２７を示す斜視図である。搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。図４および図５に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図４に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

図４および図５に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。本例においては、ハンドＨ１は、ハンドＨ２の上方に位置する。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図４）および上段熱処理部３０１（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

また、回転部材３１５には、センサ装置３１６が取り付けられる。センサ装置３１６は、投光部保持ケーシング３１６ａおよび受光部保持ケーシング３１６ｂを含む。投光部保持ケーシング３１６ａは回転部材３１５の上面に配置され、受光部保持ケーシング３１６ｂは投光部保持ケーシング３１６ａの上方に配置される。

図６（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ搬送機構１２７を示す平面図、側面図および端面図である。図６（ａ）に示すように、ハンドＨ１は、ガイド部Ｈａおよびアーム部Ｈｂからなる。ガイド部Ｈａは略Ｃ字形状を有し、アーム部Ｈｂは長方形状を有する。ガイド部Ｈａの内周部には、ガイド部Ｈａの内周部に沿って形成される円の中心に対して等角度間隔で、ガイド部Ｈａの内側に向かうように複数（本例では３つ）の突出部ｐｒが形成されている。各突出部ｐｒの先端部に、吸着部ｓｍが設けられている。吸着部ｓｍは、図示しない吸気系に接続される。

ハンドＨ１においては、３つの突出部ｐｒの３つの吸着部ｓｍ上に基板Ｗが載置される。図６（ａ）〜（ｃ）においては、ハンドＨ１により保持される基板Ｗが二点鎖線で示される。この状態で、３つの吸着部ｓｍに接続された吸気系が制御され、３つの吸着部ｓｍ上に位置する基板Ｗの３箇所の部分がそれぞれ３つの吸着部ｓｍにより吸着される。なお、ハンドＨ１は４つの吸着部ｓｍを有してもよい。この場合、４つの吸着部ｓｍ上に位置する基板Ｗの４箇所の部分がそれぞれ４つの吸着部ｓｍにより吸着される。

複数の吸着部ｓｍが基板Ｗを吸着しているか否かを示す吸着信号が、ハンドＨ１から図４の制御部５００に与えられる。複数の吸着部ｓｍが基板Ｗを吸着している場合には吸着信号はオン状態となり、いずれかの吸着部ｓｍが基板Ｗを吸着していない場合には吸着信号はオフ状態となる。

ハンドＨ２は、ハンドＨ１と同様の構成を有する。各ハンドＨ１，Ｈ２においては、保持される基板Ｗの中心が位置すべき正規の位置（以下、正規位置と呼ぶ。）が予め定められている。ハンドＨ１における正規位置は、例えばガイド部Ｈａの内周部に沿って形成される円の中心位置である。ハンドＨ１における正規位置は、複数の吸着部ｓｍの中心位置であってもよい。

以下、ハンドＨ１，Ｈ２の進退方向においてハンドＨ１，Ｈ２が後退可能な限界位置を進退基準位置と呼ぶ。図６（ａ）〜（ｃ）の例では、ハンドＨ１，Ｈ２はそれぞれ進退基準位置にある。

回転部材３１５の上面における略中央部に投光部保持ケーシング３１６ａが設けられる。投光部保持ケーシング３１６ａ内では、複数（本例では４つ）の投光部３１６ｔが保持されている。投光部保持ケーシング３１６ａに対向するように、回転部材３１５の上方の位置に受光部保持ケーシング３１６ｂが設けられる。受光部保持ケーシング３１６ｂ内では、投光部保持ケーシング３１６ａにより保持される複数の投光部３１６ｔにそれぞれ対向するように複数（本例では４つ）の受光部３１６ｒが保持されている。互いに対向する投光部３１６ｔおよび受光部３１６ｒにより検出器３１６Ｄが構成される。図６（ｃ）に示されるように、本例では、センサ装置３１６は４つの検出器３１６Ｄを備える。

４つの検出器３１６Ｄは、水平面内において、進退基準位置にあるハンドＨ１のガイド部Ｈａの内側の領域に配置される。本例では、４つの検出器３１６Ｄがガイド部Ｈａの内周部に同心の円弧ａｒ上で一定の間隔をおいて配置される。

４つの投光部３１６ｔから上方に向かってそれぞれ光が出射される。４つの受光部３１６ｒは、それぞれ対向する４つの投光部３１６ｔから出射される光を帰還光として受光することにより受光信号を出力する。各受光部３１６ｒから出力された受光信号は、制御部５００に与えられる。

４つの投光部３１６ｔは、ハンドＨ１の進退方向において、進退基準位置にあるハンドＨ１の複数の吸着部ｓｍのうち少なくとも１つの吸着部ｓｍよりも前方に配置されることが好ましい。この場合、搬送機構１２７による基板Ｗの搬送時に、ハンドＨ１により保持される基板Ｗの外周部の４つの部分が４つの投光部３１６ｔによりそれぞれ確実に検出される。

図７は、搬送機構１２７の制御系の構成を示すブロック図である。他の搬送機構１２８，１３７，１３８の制御系の構成は、図７の搬送機構１２７の制御系の構成と同様である。

図７に示すように、制御部５００は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）５１０およびメモリ５２０を含む。メモリ５２０には、後述する仮目標位置座標が記憶されるとともに、後述する補正情報が記憶される。ＣＰＵ５１０は、搬送機構１２７のセンサ装置３１６から与えられる受光信号に基づいて種々の演算を行い、その結果をメモリ５２０に記憶する。また、メモリ５２０に記憶された情報に基づいて、搬送機構１２７の動作を制御する。

（７）搬送機構に関する教示動作
搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８のハンドＨ１，Ｈ２が基板支持部に移動する際の搬送機構に関する教示動作について説明する。基板処理装置１００の設置時に、以下の教示動作が行なわれる。ここで、基板支持部は、例えば、冷却ユニットＣＰ、熱処理ユニットＰＨＰおよび密着強化処理ユニットＰＡＨＰの各々に設けられる。また、基板支持部は、例えば、塗布処理ユニット１２９、現像処理ユニット１３９およびエッジ露光部ＥＥＷの各々に設けられる。

教示動作としては、垂直方向の教示動作および水平方向の教示動作がある。以下の説明では、搬送機構１２７の教示動作を説明する。他の搬送機構１２８，１３７，１３８の教示動作も搬送機構１２７の教示動作と同様である。

基板支持部により支持された基板Ｗの高さを基準高さと呼ぶ。搬送機構１２７のハンドＨ１が基板支持部に基板Ｗを渡し、または基板支持部から基板Ｗを受け取るためにハンドＨ１が基板支持部ＷＳの下方に移動したときのハンドＨ１の高さ目標高さと呼ぶ。垂直方向の教示動作により目標高さが決定される。

また、基板支持部により基板Ｗが支持されるべき位置を基準位置と呼ぶ。水平方向の教示動作の前に搬送機構１２７のハンドＨ１により基板支持部に渡された基板Ｗの位置を仮目標位置と呼ぶ。水平方向の教示動作により基準位置と仮目標位置とのずれを示す補正情報が取得される。補正情報に基づいて仮目標位置が基準位置と一致するように仮目標位置が補正される。補正後の仮目標位置を真目標位置と呼ぶ。

基板支持部が冷却ユニットＣＰ、熱処理ユニットＰＨＰまたは密着強化処理ユニットＰＡＨＰである場合、基板Ｗは、その中心が基準位置と一致するように基板支持部の案内機構により自動的に案内される。一方、基板支持部がスピンチャック２５，３５，９８である場合、基板Ｗは、その中心が基準位置と一致するとは限らない。

以下の説明では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向の位置をそれぞれＸ座標、Ｙ座標およびＺ座標で表わす。

図８は、垂直方向の教示動作を説明するための図である。図８（ａ）〜（ｄ）は、基板支持部ＷＳおよび搬送機構１２７のハンドＨ１の略中央部の縦断面図を示す。図８（ａ）〜（ｄ）の例では、搬送機構１２７のハンドＨ１が基板支持部ＷＳの下方に移動する場合の目標高さが決定される。

まず、図８（ａ）に示すように、基板支持部ＷＳにより基板Ｗが基準高さで支持される。次に、図８（ｂ）に示すように、制御部５００は、ハンドＨ１を進退基準位置から基板支持部ＷＳの下方の位置まで水平方向に移動させる。この時点では、ハンドＨ１の複数の吸着部ｓｍには基板Ｗが吸着されていない。そのため、吸着信号はオフ状態である。搬送機構１２７は、エンコーダを有する。制御部５００は、搬送機構１２７のエンコーダの出力信号に基づいてハンドＨ１の位置を常時検出している。

続いて、制御部５００は、ハンドＨ１を上方に移動させる。この場合、図８（ｃ）に示すように、ハンドＨ１が上方に所定の距離だけ移動した時点で、複数の吸着部ｓｍが基板Ｗを吸着する。これにより、吸着信号がオン状態になる。制御部５００は、吸着信号がオン状態になった時点のハンドＨ１のＺ座標を基準高さのＺ座標として決定する。また、制御部５００は、基準高さのＺ座標に垂直方向の所定のオフセット量を加算した座標を目標高さのＺ座標として決定する。

以下、基準高さのＺ座標を基準高さ座標と呼び、目標高さのＺ座標を目標高さ座標と呼ぶ。目標高さ座標および目標高さ座標から基準高さ座標までのオフセット量は、制御部５００のメモリ５２０に記憶される。その後、図８（ｄ）に示すように、制御部５００は、ハンドＨ１を基板支持部ＷＳの上方まで移動させた後、進退基準位置まで水平方向に移動させる。

図９は、水平方向の教示動作を説明するための図である。図９（ａ）〜（ｃ）は、基板支持部ＷＳおよび搬送機構１２７のハンドＨ１の平面図を示す。図９（ａ）〜（ｃ）の例では、搬送機構１２７のハンドＨ１を用いて基板支持部ＷＳについての補正情報を取得する。

まず、図９（ａ）に示すように、基板支持部ＷＳに基板Ｗが支持される。ここで、基板Ｗは、その中心が基準位置に正確に一致する状態で支持される。一方、水平方向の教示動作の前においては、制御部５００は基板支持部ＷＳの基準位置を認識していない。そのため、仮目標位置は基準位置と一致するとは限らない。

以下、基準位置の座標を基準位置座標と呼び、仮目標位置の座標を仮目標位置座標と呼ぶ。また、ハンドＨ１上での正規位置の座標を正規位置座標と呼ぶ。基準位置座標は（Ｘｗ，Ｙｗ）であり、仮目標位置座標は（Ｘｂ，Ｙｂ）であり、正規位置座標は（Ｘｒ，Ｙｒ）である。仮目標位置座標は、制御部５００のメモリ５２０に記憶されている。図９（ａ）の例では、基準位置座標（Ｘｗ，Ｙｗ）と仮目標位置座標（Ｘｂ，Ｙｂ）とは一致していない。

図９（ａ）の状態で、制御部５００は、図示しない複数のリフトピンを基板支持部ＷＳの下方から上方に上昇させることにより、基板Ｗを基板支持部ＷＳの上方に上昇させる。次に、ハンドＨ１の正規位置が仮目標位置と一致するようにハンドＨ１を進退基準位置から水平方向に移動させる。この時点で、ハンドＨ１は基板支持部ＷＳの上方でかつ基板Ｗの下方に位置する。

続いて、制御部５００は、図示しない複数のリフトピン下降させることにより、基板Ｗを下降させる。これにより、図９（ｂ）に示すように、基板ＷがハンドＨ１の複数の吸着部ｓｍに吸着される。この場合、基板Ｗは、その中心が正規位置からずれた状態でハンドＨ１により保持される。

その後、図９（ｃ）に示すように、制御部５００は、ハンドＨ１を進退基準位置まで水平方向に移動させる。ここで、図５および図６の回転部材３１５上でハンドＨ１がセンサ装置３１６よりも前方の位置から進退基準位置まで後退することによりハンドＨ１に保持された基板Ｗの外周部の複数の部分がそれぞれ検出される。ハンドＨ１に保持された基板Ｗの外周部の検出方法についての詳細は後述する。

制御部５００は、基板Ｗの外周部の複数の部分の検出結果に基づいて、ハンドＨ１における基板Ｗの中心の位置（以下、検出位置と呼ぶ）を検出する。以下、検出位置の座標を検出位置座標と呼ぶ。検出位置座標は（Ｘｗｈ，Ｙｗｈ）である。次に、下記式（１），（２）に基づいて、Ｘ方向およびＹ方向における仮目標位置座標に対する基準位置座標のずれ（ΔＸ，ΔＹ）を補正情報として算出する。

ΔＸ＝Ｘｒ−Ｘｗｈ （１）
ΔＹ＝Ｙｒ−Ｙｗｈ （２）
続いて、制御部５００は、下記式（３），（４）に基づいて、真目標位置の座標（以下、真目標位置座標と呼ぶ。）を算出する。真目標位置座標は（Ｘｒｂ，Ｙｒｂ）である。真目標位置座標は（Ｘｒｂ，Ｙｒｂ）は、制御部５００のメモリ５２０に記憶される。

Ｘｒｂ＝Ｘｂ−ΔＸ （３）
Ｙｒｂ＝Ｙｂ−ΔＹ （４）
これにより、真目標位置座標（Ｘｒｂ，Ｙｒｂ）は基準位置座標（Ｘｗ，Ｙｗ）と一致する。

基板Ｗの処理時には、制御部５００は、ハンドＨ１が真目標位置に移動するように搬送機構１２７を制御する。その結果、基板Ｗの中心が基板支持部ＷＳの基準位置と一致するようにハンドＨ１により基板Ｗが基板支持部ＷＳに渡される。また、ハンドＨ１の正規位置に基板Ｗが保持されるようにハンドＨ１により基板支持部ＷＳから基板Ｗが受け取られる。

上記の例では、搬送機構１２７のハンドＨ１を用いた教示動作について説明したが、ハンドＨ２を用いた教示動作も、ハンドＨ１を用いた教示動作と同様である。また、搬送機構１２８，１３７，１３８は、搬送機構１２７と同様の構成および動作を有する。そのため、搬送機構１２８，１３７，１３８を用いた教示動作も、搬送機構１２７を用いた教示動作と同様である。

（８）基板の外周部の検出方法
図１０は、図５および図６のセンサ装置３１６による基板Ｗの外周部の複数の部分の検出方法を説明するための図である。図１０（ａ），（ｃ），（ｅ），（ｇ）に、ハンドＨ１が進退基準位置に向かって後退する場合のハンドＨ１、回転部材３１５および複数の検出器３１６Ｄの状態の変化が平面図で示される。図１０（ｂ），（ｄ），（ｆ），（ｈ）に、図１０（ａ），（ｃ），（ｅ），（ｇ）のＱ−Ｑ線における模式的断面図がそれぞれ示される。なお、ハンドＨ２についての説明は省略する。

初めに、ハンドＨ１により基板Ｗが受け取られるタイミングでは、ハンドＨ１が４つの検出器３１６Ｄよりも前方に位置する。この場合、ハンドＨ１は４つの投光部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間に位置しない。したがって、４つの受光部３１６ｒはそれぞれ対向する４つの投光部３１６ｔからの光を受光する。それにより、制御部５００に受光信号が与えられる。

次に、ハンドＨ１が後退する。この場合、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、ハンドＨ１が４つの投光部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間の空間に進入する。このとき、４つの投光部３１６ｔから出射される光がハンドＨ１により遮られるので、４つの受光部３１６ｒはそれぞれ対向する４つの投光部３１６ｔからの光を受光しない。したがって、制御部５００に受光信号は与えられない。

次に、図１０（ｃ），（ｄ）に示すように、ハンドＨ１が４つの投光部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間の空間を通過する。ハンドＨ１が各投光部３１６ｔとその投光部３１６ｔに対向する受光部３１６ｒとの間の空間を通過するタイミングで、各受光部３１６ｒは対向する投光部３１６ｔからの光を受光する。それにより、制御部５００に受光信号が与えられる。

次に、図１０（ｅ），（ｆ）に示すように、ハンドＨ１により保持される基板Ｗが４つの投光部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間の空間に進入する。ハンドＨ１により保持される基板Ｗの外周部が各投光部３１６ｔとその投光部３１６ｔに対向する受光部３１６ｒとの間の空間に進入するタイミングで、各投光部３１６ｔから出射される光が基板Ｗの外周部により遮られる。この場合、各受光部３１６ｒは対向する投光部３１６ｔからの光を受光しない。したがって、制御部５００に受光信号は与えられない。

次に、図１０（ｇ），（ｈ）に示すように、ハンドＨ１が進退基準位置で停止する。このとき、ハンドＨ１により保持される基板Ｗが４つの投光部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間の空間に位置する。この場合、４つの受光部３１６ｒはそれぞれ対向する４つの投光部３１６ｔからの光を受光しない。したがって、制御部５００に受光信号は与えられない。

上記のように、ハンドＨ１により基板Ｗが受け取られた後、ハンドＨ１が進退基準位置に移動するまでの間に、制御部５００には４つの検出器３１６Ｄの４つの受光部３１６ｒからそれぞれ断続的に受光信号が与えられる。

制御部５００は、基板Ｗの外周部により４つの受光部３１６ｒの各々から受光信号が与えられなくなるタイミング（図１０（ｅ），（ｆ）のタイミング）に基づいて、基板Ｗの外周部の４つの部分が検出される。ここで、制御部５００のメモリ５２０には、正規データが予め記憶されている。正規データは、基板Ｗの中心がハンドＨ１の正規位置にある状態で、ハンドＨ１がセンサ装置３１６の前方の位置から進退基準位置に移動したときに得られる基板Ｗの外周部の４つの部分の検出結果を示すデータである。

センサ装置３１６は回転部材３１５に対して固定されている。したがって、センサ装置３１６の複数の検出器３１６Ｄの座標上の位置は変化しない。そこで、制御部５００は、基板Ｗの外周部の４つの部分の検出結果と正規データの４つの部分の検出結果との差分に基づいて、ハンドＨ１が進退基準位置にあるときの基板Ｗの外周部の４つの部分の位置を示す座標を算出する。算出された４つの部分の位置の座標に基づいて、ハンドＨ１が進退基準位置にあるときの基板Ｗの中心の位置の座標が算出される。

ハンドＨ１における基板Ｗの中心の位置の座標は、基板Ｗの外周部の３つの部分の座標に基づいて算出することができる。本例では、基板Ｗの外周部の４つの部分の座標が得られる。それにより、例えば４つの部分のうちの１つの部分が基板Ｗの位置決め用の切り欠き（オリエンテーションフラットまたはノッチ）部分であった場合でも、切り欠き部分の座標を除く３つの部分の座標に基づいて基板Ｗの中心の位置の座標を算出することができる。基板Ｗの外径が既知である場合には、基板Ｗの外周部の２つの部分の座標に基づいて基板Ｗの中心の位置の座標を算出することが可能である。この場合、センサ装置３１６は、２つまたは３つの検出器３１６Ｄにより構成されてもよい。

（９）基板支持部の基準位置
上記のように、教示動作においては、基板支持部ＷＳが冷却ユニットＣＰ、熱処理ユニットＰＨＰまたは密着強化処理ユニットＰＡＨＰである場合、基板Ｗは、その中心が基板支持部ＷＳの基準位置に正確に一致する状態で支持される。以下、基板支持部ＷＳの基準位置を説明する。

図１１は、熱処理ユニットＰＨＰの斜視図である。図１２は、図１１の熱処理ユニットＰＨＰの平面図である。図１３は、図１１の熱処理ユニットＰＨＰの側面図である。図１１および図１２に示すように、熱処理ユニットＰＨＰは、冷却部４１０、加熱部４２０および搬送機構４３０を含む。冷却部４１０および加熱部４２０は、並ぶように配置されている。搬送機構４３０は、冷却部４１０と加熱部４２０との間で基板Ｗを搬送可能に配置される。

冷却部４１０は、基板載置プレート４１１および昇降可能な複数（本例では３つ）の支持ピン４１２を含む。基板載置プレート４１１は、例えばクーリングプレートである。基板載置プレート４１１には、複数（本例では３つ）の支持ピン挿入孔が形成されている。後述する搬送機構４３０の搬送アーム４３４が基板載置プレート４１１の上面に接触することにより、搬送アーム４３４により保持される基板Ｗを搬送アーム４３４とともに冷却することができる。

複数の支持ピン４１２は、上下方向に移動することにより基板載置プレート４１１の複数の支持ピン挿入孔にそれぞれ挿入可能に配置される。冷却部４１０への基板Ｗの搬入時および搬出時には、複数の支持ピン４１２の上端部がそれぞれ複数の支持ピン挿入孔を通して基板載置プレート４１１の上方の位置と基板載置プレート４１１の上面よりも下方の位置との間で移動する。

加熱部４２０は、基板載置プレート４２１、昇降可能な複数（本例では３つ）の支持ピン４２２および複数（本例では６つ）のガイド部材４２３を含む。基板載置プレート４２１は、例えば基板Ｗに加熱処理を行うホットプレートである。基板載置プレート４２１には、複数（本例では３つ）の支持ピン挿入孔が形成されている。複数の支持ピン４２２は、複数の支持ピン４１２と同様の構成を有する。

複数のガイド部材４２３は、基板載置プレート４２１の縁に沿って略等間隔で設けられる。本例では、６個のガイド部材４２３が略６０°間隔で設けられる。図１３に示すように、各ガイド部材４２３は円錐台形状を有する。複数のガイド部材４２３により囲まれる領域に基板Ｗが配置される場合、ガイド部材４２３の傾斜した側面に沿って基板Ｗが下方に導かれる。これにより、基板載置プレート４２１の中心と基板Ｗの中心とが一致する。

搬送機構４３０は、上下方向に延びるように設けられた２本の長尺状のガイドレール４３１，４３２を備える。ガイドレール４３１，４３２は、冷却部４１０および加熱部４２０を挟んで対向するように配置される。ガイドレール４３１とガイドレール４３２との間には、長尺状のガイドレール４３３が設けられる。ガイドレール４３３は、上下動可能にガイドレール４３１，４３２に取り付けられる。ガイドレール４３３に搬送アーム４３４が取り付けられる。搬送アーム４３４は、ガイドレール４３３の長手方向に移動可能に設けられる。

図１３に示すように、搬送アーム４３４には、冷却部４１０の複数の支持ピン４１２および加熱部４２０の複数の支持ピン４２２と干渉しないように切り込み（スリット）４３５が設けられている。また、搬送アーム４３４には、複数のガイド部材４３６が設けられる。複数のガイド部材４３６は、複数のガイド部材４２３と同様の構成を有する。基板処理時には、搬送アーム４３４は、冷却部４１０と加熱部４２０との間で基板Ｗを搬送する。本例では、搬送アーム４３４が基板支持部ＷＳであり、複数のガイド部材４３６が案内機構である。

図１４は、基板支持部ＷＳが熱処理ユニットＰＨＰに設けられる場合における基準位置を説明するための図である。以下、熱処理ユニットＰＨＰの搬送アーム４３４が基板支持部ＷＳである場合における基準位置を説明する。冷却ユニットＣＰおよび密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおける基準位置は、熱処理ユニットＰＨＰにおける基準位置と同様である。

教示動作時には、まず、図１４（ａ）に示すように、冷却部４１０の複数の支持ピン４１２が上昇する。次に、図１４（ｂ）に示すように、搬送機構１２７はハンドＨ１により基板Ｗを保持し、上昇した複数の支持ピン４１２の上端に搬送する。これにより、基板Ｗは、その中心が仮目標位置にある状態で、複数の支持ピン４１２により支持される。

その後、図１４（ｃ）に示すように、複数の支持ピン４１２が下降する。ここで、仮目標位置と基準位置とが一致していない場合、図１４（ｃ）に矢印で示すように、搬送アーム４３４上の複数のガイド部材４３６の傾斜した側面に沿って、基板Ｗが下方に導かれる。これにより、搬送アーム４３４の中心と基板Ｗの中心とが一致する。

次に、図１４（ｄ）に示すように、複数の支持ピン４１２が上昇する。続いて、図１４（ｅ）に示すように、搬送機構１２７はハンドＨ１により複数の支持ピン４１２から基板Ｗを受け取る。図１４（ｄ）において、複数の支持ピン４１２により支持された基板Ｗの中心の位置が基準位置となる。すなわち、複数のガイド部材４３６により導かれた基板Ｗの中心の位置が基準位置となる。

（１０）スピンチャックにおける教示動作
スピンチャック２５，３５，９８が基板支持部ＷＳである場合において、スピンチャック２５，３５，９８の回転中心の位置が既知である場合には、回転中心の位置を基準位置として水平方向の教示動作が行われてもよい。一方で、スピンチャック２５，３５，９８の回転中心の位置が未知である場合には、以下の手順により水平方向の教示動作が行われてもよい。

図１５は、スピンチャック２５，３５，９８が基板支持部ＷＳである場合における水平方向の教示動作を説明するための図である。図１５（ａ）〜（ｄ）は、搬送機構１２７およびスピンチャック２５の模式的平面図を示す。図１５の例においては、基板支持部ＷＳはスピンチャック２５である。スピンチャック３５，９８における教示動作は、スピンチャック２５における教示動作と同様である。

まず、図１５（ａ）に示すように、搬送機構１２７はハンドＨ１により正規位置に基板Ｗを保持する。ここで、基板Ｗの中心の座標を算出する。算出された基板Ｗの中心の座標は（Ｘ１，Ｙ１）である。次に、図１５（ｂ）に示すように、搬送機構１２７は基板Ｗをスピンチャック２５に搬送する。スピンチャック２５は、基板Ｗの中心が仮目標位置に一致するように基板Ｗを保持する。続いて、図１５（ｃ）に示すように、スピンチャック２５は、基板Ｗを所定の角度だけ回転させる。スピンチャック２５による基板Ｗの回転角度は１８０°であることが好ましい。

その後、図１５（ｄ）に示すように、搬送機構１２７は、基板Ｗをスピンチャック２５から受け取る。ここで、基板Ｗの中心の座標を算出する。算出された基板Ｗの中心の座標は（Ｘ２，Ｙ２）である。次に、算出された座標（Ｘ１，Ｙ１）および座標（Ｘ２，Ｙ２）に基づいて、仮目標位置座標に対する基準位置座標のずれ（ΔＸ，ΔＹ）を算出する。ここで、図１５（ｂ），（ｃ）の処理において、基板Ｗの回転角度が１８０°であった場合には、仮目標位置座標に対する基準位置座標のずれ（ΔＸ，ΔＹ）は下記式（５），（６）により与えられる。

ΔＸ＝（Ｘ１＋Ｘ２）／２ （５）
ΔＹ＝（Ｙ１＋Ｙ２）／２ （６）
続いて、真目標位置座標（Ｘｒｂ，Ｙｒｂ）を算出する。Ｘ方向における真目標位置Ｘｒｂは、下記式（７）で与えられる。ここで、Ｘ１＜Ｘ２である場合には正号が適用され、Ｘ１＞Ｘ２である場合には負号が適用される。また、Ｙ方向における真目標位置Ｙｒｂは、下記式（８）で与えられる。ここで、Ｙ１＜Ｙ２である場合には正号が適用され、Ｙ１＞Ｙ２である場合には負号が適用される。算出された真目標位置座標（Ｘｒｂ，Ｙｒｂ）は、補正情報として制御部５００のメモリ５２０に記憶される。

Ｘｒｂ＝Ｘｂ±ΔＸ （７）
Ｙｒｂ＝Ｙｂ±ΔＹ （８）
上記の例では、搬送機構１２７のハンドＨ１を用いた教示動作について説明したが、ハンドＨ２を用いた教示動作も、ハンドＨ１を用いた動作と同様である。また、１２８，１３７，１３８を用いた教示動作も、搬送機構１２７を用いた教示動作と同様である。

（１１）位置ずれ検出動作
（ａ）水平方向の位置ずれ検出動作
教示動作が行なわれた後でかつ基板処理装置１００のメンテナンスが行なわれた後には、基板支持部ＷＳの位置ずれ検出動作が行なわれる。位置ずれ検出動作は、水平方向の位置ずれ検出動作と垂直方向の位置ずれ検出動作とを含む。

図１６は、基板支持部ＷＳがスピンチャックに設けられる場合における水平方向の位置ずれ検出動作を説明するための図である。図１６（ａ）〜（ｄ）は、搬送機構１２７およびスピンチャック２５の模式的平面図を示す。図１６の例においては、基板支持部ＷＳはスピンチャック２５である。スピンチャック３５，９８における位置ずれ検出動作は、スピンチャック２５における位置ずれ検出動作と同様である。

基板処理時には、メモリ５２０に記憶された補正情報に基づいてハンドＨ１が真目標位置に移動されることにより、ハンドＨ１により基板支持部ＷＳに基板Ｗが渡され、または基板支持部ＷＳから基板Ｗが受け取られる。それにより、基準位置で基板Ｗが支持されるようにハンドＨ１により基板Ｗを基板支持部ＷＳに渡すことができ、または基準位置で支持された基板Ｗを受け取るようにハンドＨ１を基板支持部ＷＳに移動させることができる。

基板処理装置１００のメンテナンスが行なわれた後には、メンテナンス時に取り外されていたスピンチャック２５が図示しない駆動装置に取り付けられる。ここで、図１６（ａ）に示すように、スピンチャック２５が、その基準位置がずれた状態で駆動装置に取り付けられる可能性がある。図１６（ａ）においては、取り外される前におけるスピンチャック２５が一点鎖線で示されている。

この場合には、図１６（ｂ）に示すように、正規位置で基板Ｗを保持したハンドＨ１を真目標位置に移動させても、基準位置で基板Ｗが支持されるように基板Ｗをスピンチャック２５に渡すことができなくなる。同様に、ハンドＨ１を真目標位置に移動させても、スピンチャック２５の基準位置で支持された基板ＷをハンドＨ１の正規位置で受け取ることができなくなる。

そこで、位置ずれ検出動作時には、図１６（ｃ）に示すように、スピンチャック２５は、支持した基板Ｗを所定の角度だけ回転させる。スピンチャック２５による基板Ｗの回転角度は１８０°であることが好ましい。その後、図１６（ｄ）に示すように、ハンドＨ１は、その正規位置を真目標位置に移動させて、基板Ｗをスピンチャック２５から受け取る。ここで、基板Ｗの中心の座標を算出する。算出された基板Ｗの中心の座標は（ｘ１，ｙ１）である。

正規位置の座標（Ｘ１，Ｙ１）と算出された座標（ｘ１，ｙ１）との中点から正規位置の座標（Ｘ１，Ｙ１）までの距離は、基準位置座標（Ｘｗ，Ｙｗ）から真目標位置座標（Ｘｒｂ，Ｙｒｂ）までの距離に等しい。ここで、正規位置の座標（Ｘ１，Ｙ１）と算出された座標（ｘ１，ｙ１）とのずれ量が予め定められたしきい値よりも大きい場合には、警報が出力される。これにより、スピンチャック２５に位置ずれが生じたことが作業者に通知される。

警報の出力は、例えば音声であってもよいし、ブザー等による警報音の発生であってもよいし、ランプ等による警報表示であってもよい。あるいは、警報の出力は、画面上での文字または図形の表示であってもよい。

図１７は、基板支持部ＷＳが熱処理ユニットＰＨＰに設けられる場合における水平方向の位置ずれ検出動作を説明するための図である。図１７（ａ）〜（ｄ）は、搬送機構１２７および熱処理ユニットＰＨＰの一部の模式的平面図を示す。冷却ユニットＣＰおよび密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおける位置ずれ検出動作は、熱処理ユニットＰＨＰにおける位置ずれ検出動作と同様である。

基板処理装置１００のメンテナンスが行なわれた後には、熱処理部１２３，１３３（図３参照）がメンテナンス位置から定常位置に移動される。ここで、熱処理部１２３，１３３が定常位置からずれた位置に移動される可能性がある。図１７（ａ）においては、熱処理部が定常位置にある場合における熱処理ユニットＰＨＰが一点鎖線で示されている。

この場合には、図１７（ｂ）に示すように、正規位置で基板Ｗを保持したハンドＨ１を真目標位置に移動させても、基準位置で基板Ｗが支持されるように基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに渡すことができなくなる。同様に、ハンドＨ１を真目標位置に移動させても、熱処理ユニットＰＨＰの基準位置で支持された基板ＷをハンドＨ１の正規位置で受け取ることができなくなる。

そこで、位置ずれ検出動作時には、図１７（ｃ）に示すように、熱処理ユニットＰＨＰの基準位置で支持された基板Ｗを準備する。その後、図１７（ｄ）に示すように、ハンドＨ１は、その正規位置を真目標位置に移動させて、基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰから受け取る。ここで、基板Ｗの中心の座標を算出する。算出された基板Ｗの中心の座標は（ｘ１，ｙ１）である。

正規位置の座標（Ｘ１，Ｙ１）から算出された座標（ｘ１，ｙ１）までの距離は、基準位置座標（Ｘｗ，Ｙｗ）から真目標位置座標（Ｘｒｂ，Ｙｒｂ）までの距離に等しい。ここで、正規位置の座標（Ｘ１，Ｙ１）と算出された座標（ｘ１，ｙ１）とのずれ量が予め定められたしきい値よりも大きい場合には、警報が出力される。これにより、熱処理ユニットＰＨＰに位置ずれが生じたことが作業者に通知される。

（ｂ）垂直方向の位置ずれ検出動作
図１８は、垂直方向の位置ずれ検出動作を説明するための図である。図１８（ａ）〜（ｄ）は、搬送機構１２７および基板支持部ＷＳの模式的断面図を示す。

メモリ５２０に記憶された目標高さ座標に基づいてハンドＨ１が目標高さに移動されることにより、基板支持部ＷＳに基板Ｗが渡され、または基板支持部ＷＳから基板Ｗが受け取られる。それにより、基準高さで基板Ｗが支持されるようにハンドＨ１により基板Ｗを基板支持部ＷＳに渡すことができ、または基準高さで支持された基板Ｗを受け取るようにハンドＨ１を基板支持部ＷＳに移動させることができる。図１８（ａ）の例においては、目標高さにあるハンドＨ１の吸着部ｓｍの吸着面ｓｓと基板支持部ＷＳにより基準高さで支持される基板Ｗの下面との距離はＺ１である。

しかしながら、吸着部ｓｍは、基板Ｗを繰り返し吸着することにより、徐々に磨耗する。したがって、吸着部ｓｍを長期間にわたって使用した場合、図１８（ｂ）に示すように、吸着部ｓｍの高さ方向の寸法が減少する。図１８（ｂ）の例においては、目標高さにあるハンドＨ１の吸着部ｓｍの吸着面ｓｓと基板支持部ＷＳにより基準高さで支持される基板Ｗの下面との距離はＺ２である。距離Ｚ２は距離Ｚ１よりも大きい。

そのため、図１８（ｃ）に示すように、ハンドＨ１を距離Ｚ１だけ上方に移動させても、基板支持部ＷＳにより基準高さで支持された基板Ｗを受け取ることができない。同様に、ハンドＨ１を距離Ｚ１だけ下方に移動させても、基準高さで基板Ｗが支持されるように基板Ｗを基板支持部ＷＳに渡すことができない。なお、距離Ｚ１は、図７のメモリ５２０に記憶されたオフセット量である。

また、基板処理装置１００のメンテナンスが行なわれた後には、水平方向と同様に、垂直方向に基板支持部ＷＳの位置ずれが発生する可能性がある。この場合にも、ハンドＨ１を距離Ｚ１だけ下方に移動させても、基準高さで基板Ｗが支持されるように基板Ｗを基板支持部ＷＳに渡すことができないことがある。

そこで、位置ずれ検出動作時には、図１８（ｄ）に示すように、吸着部ｓｍが基準高さで支持される基板Ｗを吸着するまでハンドＨ１が目標高さから上方に移動する。図１８（ｄ）の例では、ハンドＨ１が上方に距離Ｚ２だけ移動したときに吸着部ｓｍが基板Ｗを吸着する。

ハンドＨ１の移動距離と距離Ｚ１とのずれ量が予め定められたしきい値よりも大きい場合には、警報が出力される。これにより、吸着部ｓｍが磨耗しているか、または基板支持部ＷＳに位置ずれが生じたことが作業者に通知される。

（ｃ）位置ずれ検出処理
図１９は、制御部５００による位置ずれ検出処理の一例を示すフローチャートである。図１９の位置ずれ検出処理は、例えば基板処理装置１００のメンテナンスの直後に実行される。図１９の例では、搬送機構１２７のハンドＨ１を用いた位置ずれ検出処理が実行される。

制御部５００は、メモリ５２０に記憶された目標高さ座標および補正情報に基づいて、ハンドＨ１を目標高さでかつ真目標位置に移動させる（ステップＳ１）。この場合、ハンドＨ１の正規位置が基板支持部ＷＳの基準位置に一致する。この状態で、制御部５００は、ハンドＨ１を上方に移動させることにより基板支持部ＷＳに支持された基板ＷをハンドＨ１により保持させる（ステップＳ２）。

ここで、制御部５００は、ハンドＨ１が基板Ｗを保持するまでのハンドＨ１の上方への移動距離および基板Ｗの検出位置座標を算出する（ステップＳ３）。次に、制御部５００は、算出された移動距離および検出位置座標が正常であるか否かを判定する（ステップＳ４）。ここで、ハンドＨ１の移動距離とメモリ５２０に記憶されたオフセット量とのずれ量が一のしきい値以下で、かつ正規位置座標と検出位置座標とのずれ量が他のしきい値以下である場合、移動距離および検出位置座標が正常であると判定される。

ステップＳ４において、移動距離および検出位置座標が正常である場合、制御部５００は、位置ずれ検出処理を終了する。一方、ステップＳ４において、Ｚ座標または検出位置座標が正常ではない場合、制御部５００は、警報を出力する（ステップＳ７）。その後、制御部５００は位置ずれ検出処理を終了する。

これにより、使用者は、メンテナンスにおいて、基準位置がずれた状態でスピンチャック２５，３５，９８が駆動装置に取り付けられたか、または熱処理部１２３，１３３が定常位置からずれた位置に配置されたかを認識することができる。あるいは、使用者は、ハンドＨ１の長期間の使用により、吸着部ｓｍが磨耗していることを認識することができる。

図２０は、制御部５００による位置ずれ検出処理の他の例を示すフローチャートである。図２０の位置ずれ検出処理は、例えば基板処理と並行して実行される。図２０のステップＳ１１〜Ｓ１４の処理は、図１９のステップＳ１〜Ｓ４の処理とそれぞれ同様である。

ステップＳ１４において、移動距離および検出位置座標が正常である場合、制御部５００は、ハンドＨ１により保持した基板Ｗを次の搬送先へ搬送する（ステップＳ１５）。その後、制御部５００は、基板処理の終了が指示されたか否かを判定する（ステップＳ１６）。ステップＳ１６において、基板処理の終了が指示されていない場合、制御部５００はステップＳ１１の処理に戻る。ステップＳ１６において、基板処理の終了が指示された場合、制御部５００は位置ずれ検出処理を終了する。

一方、ステップＳ１４において、Ｚ座標または検出位置座標が正常ではない場合、制御部５００は、警報を出力する（ステップＳ１７）。その後、制御部５００は位置ずれ検出処理を終了する。

これにより、使用者は、基板処理中にスピンチャック２５，３５，９８または熱処理部１２３，１３３に位置ずれ等の異常が発生したことを認識することができる。あるいは、使用者は、基板処理中に、吸着部ｓｍが磨耗していることを認識することができる。

（１２）搬送機構の一制御例
搬送機構１２７においては、センサ装置３１６により、ハンドＨ１により保持される基板Ｗの外周部が検出される。また、センサ装置３１６により、ハンドＨ２により保持される基板Ｗの外周部が検出される。

図２１および図２２は、１つのセンサ装置３１６により２つのハンドＨ１，Ｈ２に保持される２枚の基板Ｗの外周部を検出するための搬送機構１２７の一制御例を示す図である。図２１（ａ）〜（ｅ）および図２２（ａ）〜（ｃ）においては、ハンドＨ１，Ｈ２および１の検出器３１６Ｄの位置関係が縦断面図で示される。

初期状態では、ハンドＨ１，Ｈ２にはそれぞれ基板Ｗが保持されていない。また、ハンドＨ１，Ｈ２は進退基準位置ＦＢＰにある。この場合、受光部３１６ｒは投光部３１６ｔから出射されかつハンドＨ１，Ｈ２のガイド部Ｈａ（図６（ａ），（ｂ）参照）の内側を通過する光を受光する。

図２１（ａ）に示すように、まず下側のハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰから検出器３１６Ｄの前方へ前進し、所定の位置に配置された基板Ｗを受け取る。このとき、受光部３１６ｒは投光部３１６ｔから出射される光を受光する。

次に、基板Ｗを保持するハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰに向かって後退する。この場合、図２１（ｂ）に示すように、ハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰに移動するまでの間に、受光部３１６ｒは投光部３１６ｔから出射されかつ基板Ｗの外周部とハンドＨ２との間を通過する光を受光する。その後、ハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰに到達すると、ハンドＨ２により保持される基板Ｗが投光部３１６ｔと受光部３１６ｒとの間に位置する。それにより、図２１（ｃ）に示すように、受光部３１６ｒは対応する投光部３１６ｔからの光を受光しない。

上記のようにハンドＨ２が移動する。それにより、受光部３１６ｒから出力される受光信号に基づいてハンドＨ２により保持される基板Ｗの外周部の複数の部分が検出される。

続いて、図２１（ｄ）に示すように、上側のハンドＨ１が進退基準位置ＦＢＰから検出器３１６Ｄの前方へ前進し、所定の位置に配置された基板Ｗを受け取る。このとき、投光部３１６ｔから出射される光は、ハンドＨ２により保持される基板Ｗにより遮られる。したがって、受光部３１６ｒは投光部３１６ｔから出射される光を受光しない。

次に、図２１（ｅ）に示すように、基板Ｗを保持するハンドＨ１が進退基準位置ＦＢＰに向かって後退するとともに、基板Ｗを保持するハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰから前進する。その後、図２２（ａ）に示すように、ハンドＨ２が投光部３１６ｔおよび受光部３１６ｒよりも前方に移動する。このようにして、ハンドＨ１が進退基準位置ＦＢＰに移動するまでの間に、受光部３１６ｒは投光部３１６ｔから出射されかつ基板Ｗの外周部とハンドＨ２との間を通過する光を受光する。

ハンドＨ１が進退基準位置ＦＢＰまで移動すると、ハンドＨ１により保持される基板Ｗが投光部３１６ｔと受光部３１６ｒとの間に位置する。それにより、図２２（ｂ）に示すように、受光部３１６ｒは対応する投光部３１６ｔからの光を受光しない。

上記のようにハンドＨ１，Ｈ２が移動する。それにより、受光部３１６ｒから出力される受光信号に基づいてハンドＨ１により保持される基板Ｗの外周部の複数の部分が検出される。

その後、図２２（ｃ）に示すように、前進するハンドＨ２により保持された基板Ｗがいずれかの基板支持部ＷＳ上に載置された後、ハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰまで後退する。

上記のように、本実施の形態では、ハンドＨ１，Ｈ２が互いに逆方向に進退動作することにより、１つのセンサ装置３１６により２つのハンドＨ１，Ｈ２により保持される２枚の基板Ｗの外周部の複数の部分を検出することが可能である。

（１３）効果
本実施の形態においては、位置ずれ検出動作時に、搬送機構１２７のハンドＨ１が基板支持部ＷＳの真目標位置に移動する。これにより、基板支持部ＷＳにより基準位置で支持された基板ＷがハンドＨ１により受け取られる。ハンドＨ１により受け取られた基板ＷとハンドＨ１との位置関係がセンサ装置３１６により検出される。検出された位置関係に基づいて基板支持部ＷＳの基準位置と真目標位置とのずれ量が取得される。取得されたずれ量が予め定められたしきい値よりも大きい場合に警報が出力される。

また、位置ずれ検出動作時に、搬送機構１２７のハンドＨ１が基板支持部ＷＳにより基準高さで支持された基板Ｗの下方の目標高さから上昇する。これにより、ハンドＨ１の吸着部ｓｍの吸着面ｓｓが基板Ｗの下面を吸着したことが検出される。基板Ｗの検出時点でのハンドＨ１の高さが取得される。取得された高さに基づいて目標高さにハンドＨ１が位置するときの吸着面ｓｓと基準高さとの間の距離のずれ量が取得される。取得されたずれ量がしきい値よりも大きい場合に警報が出力される。

この構成によれば、基板処理装置１００のメンテナンス等の後に基板支持部ＷＳに位置ずれが生じた場合には、警報が出力される。また、吸着部ｓｍの吸着面ｓｓの磨耗により吸着部ｓｍの厚みが減少している場合には、警報が出力される。これにより、基板支持部ＷＳに位置ずれが生じたこと、または吸着部ｓｍの吸着面ｓｓが磨耗していることが作業者に通知される。その結果、基板支持部ＷＳに位置ずれが生じた状態で基板処理を行なうこと、および吸着部ｓｍの吸着面ｓｓが磨耗した状態で基板Ｗの搬送を行なうことが防止される。

（１４）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、各ハンドＨ１，Ｈ２についての補正情報は、上記の方法により独立に取得されるが、これに限定されない。一方のハンドについての補正情報は上記の方法により取得され、他方のハンドについての補正情報は一方のハンドについての補正情報に基づいて取得されてもよい。

図２３は、他の実施の形態における他方のハンドの補正情報の取得手順を説明するための図である。図２３（ａ）〜（ｃ）は、搬送機構１２７および基板支持部ＷＳの模式的平面図を示す。ハンドＨ１，Ｈ２は垂直方向に重なるように設けられるが、図２３の例においては、理解を容易にするために、ハンドＨ１，Ｈ２を水平方向に並ぶように図示している。図２３の例では、ハンドＨ１についての補正情報に基づいてハンドＨ２についての補正情報を取得することを考える。

まず、図２３（ａ）に示すように、搬送機構１２７はハンドＨ１により正規位置に基板Ｗを保持する。ここで、ハンドＨ１における基板Ｗの中心の座標を算出する。算出されたハンドＨ１における基板Ｗの中心の座標は（Ｘ３，Ｙ３）である。次に、図２３（ｂ）に示すように、ハンドＨ１は基板Ｗを基板支持部ＷＳに搬送する。基板支持部ＷＳは、基板Ｗの中心が仮目標位置に一致する状態で基板Ｗを保持する。ここで、ハンドＨ１に対応付けられた基板支持部ＷＳにおける仮目標位置座標を（Ｘｂ３，Ｙｂ３）とする。

その後、図２３（ｃ）に示すように、ハンドＨ２は基板Ｗを基板支持部ＷＳから取り出す。ここで、ハンドＨ２に対応付けられた基板支持部ＷＳにおける仮目標位置座標を（Ｘｂ４，Ｙｂ４）とする。ハンドＨ１に対応付けられた仮目標位置とハンドＨ２に対応付けられた仮目標位置とは異なるので、図２３（ｃ）において、ハンドＨ２は、正規位置とは異なる位置に基板Ｗを保持することとなる。ここで、ハンドＨ２における基板Ｗの中心の座標を算出する。算出されたハンドＨ２における基板Ｗの中心の座標は（Ｘ４，Ｙ４）である。

制御部５００は、ハンドＨ１における基板Ｗの中心の座標（Ｘ３，Ｙ３）とハンドＨ２における基板Ｗの中心の座標（Ｘ４，Ｙ４）とのずれを算出する。また、制御部５００は、算出されたずれとハンドＨ１についての補正情報とに基づいて、ハンドＨ２についての補正情報を算出する。ハンドＨ２についての補正情報は、制御部５００のメモリ５２０に記憶される。

同様の手順により、制御部５００は、ハンドＨ１，Ｈ２の基準高さのずれとハンドＨ１についての目標高さとに基づいて、ハンドＨ２についての目標高さを決定する。決定された目標高さ座標は、制御部５００のメモリ５２０に記憶される。

（ｂ）上記実施の形態において、基板支持部ＷＳが熱処理ユニットＰＨＰに設けられる場合には、搬送機構４３０の複数のガイド部材４３６により導かれた基板Ｗの中心の位置が基準位置となるが、これに限定されない。熱処理ユニットＰＨＰに搬送機構４３０が設けられない場合には、加熱部４２０の複数のガイド部材４２３により導かれた基板Ｗの中心の位置が基準位置となってもよい。

（ｃ）上記実施の形態において、図１５の教示動作時に基板Ｗがスピンチャック２５により１８０°回転されるが、これに限定されない。図１５の教示動作時に基板Ｗがスピンチャック２５により任意の角度だけ回転されてもよい。この場合、幾何学的な演算により、基板Ｗの回転前の中心の位置と基板Ｗの回転後の中心の位置とに基づいて、仮目標位置座標に対する基準位置座標のずれを算出することができる。

同様に、図１６の位置ずれ検出動作時に基板Ｗがスピンチャック２５により１８０°回転されるが、これに限定されない。図１６の位置ずれ検出動作時に基板Ｗがスピンチャック２５により任意の角度だけ回転されてもよい。

（１５）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、基板支持部ＷＳが基板支持部の例であり、ハンドＨ１が保持部の例である。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８が搬送装置の例であり、センサ装置３１６が位置検出部の例であり、制御部５００が制御部および保持検出部の例である。

塗布処理ユニット１２９，現像処理ユニット１３９、エッジ露光部ＥＥＷ、冷却ユニットＣＰ、熱処理ユニットＰＨＰまたは密着強化処理ユニットＰＡＨＰが処理ユニットの例である。ガイド部材４２３，４３６が案内機構の例であり、吸着面ｓｓが保持面の例であり、吸着部ｓｍが吸着部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

１１ インデクサブロック
１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４ インターフェースブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
１５ａ 基板搬入部
１５ｂ 基板搬出部
２１〜２４ 塗布処理室
２５，３５ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ 処理液ノズル
２９ ノズル搬送機構
３１〜３４ 現像処理室
３８ 現像ノズル
３９ 移動機構
５０，６０ 流体ボックス部
９８ スピンチャック
９９ 光出射器
１００ 基板処理装置
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４，５００ 制御部
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６，４３０ 搬送機構
１１６ ハンド
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
３１１〜３１３，４３１〜４３３ ガイドレール
３１４ 移動部材
３１５ 回転部材
３１６ センサ装置
３１６ａ 投光部保持ケーシング
３１６ｂ 受光部保持ケーシング
３１６Ｄ 検出器
３１６ｒ 受光部
３１６ｔ 投光部
４１０ 冷却部
４１１，４２１ 基板載置プレート
４１２，４２２ 支持ピン
４２０ 加熱部
４２３，４３６ ガイド部材
４３４ 搬送アーム
４３５ 切り込み
５１０ ＣＰＵ
５２０ メモリ
ａｒ 円弧
ＣＰ 冷却ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＦＢＰ 進退基準位置
Ｈ１，Ｈ２ ハンド
Ｈａ ガイド部
Ｈｂ アーム部
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＰＮ メインパネル
ｐｒ 突出部
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
ｓｍ 吸着部
ｓｓ 吸着面
Ｗ 基板
ＷＳ 基板支持部

Claims (14)

1. 基板に処理を行う基板処理装置であって、
   予め設定された基準位置を有し、基板を支持可能に構成される基板支持部と、
   基板を保持するように構成された保持部を有し、前記保持部を移動させることにより基板を搬送する搬送装置と、
   前記保持部により保持された基板と前記保持部との位置関係を検出する位置検出部と、
   基板処理時に、前記基板支持部の前記基準位置に基板を渡しまたは前記基準位置から基板を受け取るために目標位置に前記保持部を移動させるように前記搬送装置を制御する制御部とを備え、
   前記制御部は、位置ずれ検出動作時に、前記保持部を前記基板支持部の前記目標位置に移動させて前記基板支持部により支持された基板を受け取るように前記搬送装置を制御するとともに、前記位置検出部により検出された位置関係に基づいて前記基準位置と前記目標位置とのずれ量を取得し、取得されたずれ量が予め定められた第１のしきい値よりも大きい場合に警報を出力する、基板処理装置。
2. 前記基板支持部は、基板を水平姿勢で保持して前記基準位置の周りで回転可能に構成され、
   前記制御部は、前記位置ずれ検出動作時に、前記保持部を前記目標位置に移動させて前記基板支持部に基板を渡すように前記搬送装置を制御し、前記基板支持部により支持された基板が第１の角度だけ回転されるように前記基板支持部を制御し、前記保持部を前記目標位置に移動させて前記基板支持部により支持された基板を受け取るように前記搬送装置を制御し、前記基板支持部へ基板を渡す前における前記保持部と基板との位置関係および前記基板支持部から基板を受け取った後における前記保持部と基板との位置関係に基づいて前記基準位置を取得する、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、前記搬送装置に関する教示動作時に、前記保持部を前記基板支持部の初期位置に移動させて前記基板支持部に基板を渡すように前記搬送装置を制御し、前記基板支持部により支持された基板が第２の角度だけ回転されるように前記基板支持部を制御し、前記保持部を前記初期位置に移動させて前記基板支持部により支持された基板を受け取るように前記搬送装置を制御し、前記基板支持部へ基板を渡す前における前記保持部と基板との位置関係および前記基板支持部から基板を受け取った後における前記保持部と基板との位置関係に基づいて前記初期位置と前記基準位置とのずれ量を補正情報として取得し、前記取得された補正情報に基づいて前記初期位置が前記基準位置に一致するように前記初期位置を補正し、補正された初期位置を前記目標位置として取得する、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記基板支持部を含み、前記基板処理時に前記基板支持部により回転される基板に処理を行う処理ユニットをさらに備える、請求項２または３記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、前記位置ずれ検出動作時に、前記保持部を前記目標位置に移動させて前記基板支持部の前記基準位置で支持された基板を受け取るように前記搬送装置を制御し、前記位置検出部により検出された位置関係に基づいて前記基準位置を取得する、請求項１記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、前記搬送装置に関する教示動作時に、前記保持部を前記基板支持部の初期位置に移動させて前記基板支持部の前記基準位置で支持された基板を受け取るように前記搬送装置を制御し、前記位置検出部により検出された位置関係に基づいて前記初期位置と前記基準位置とのずれ量を補正情報として取得し、前記取得された補正情報に基づいて前記初期位置が前記基準位置に一致するように前記初期位置を補正し、補正された初期位置を前記目標位置として取得する、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記基板支持部は、基板を前記基準位置に導く案内機構を含み、
   前記教示動作時に、前記案内機構により基板が前記基板支持部の前記基準位置に導かれる、請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記基板支持部を含み、前記基板処理時に前記基板支持部に支持される基板に処理を行う処理ユニットをさらに備え、
   前記目標位置は、前記処理ユニット内に設定され、
   前記制御部は、前記保持部を前記処理ユニット内の前記目標位置に移動させて前記処理ユニット内において前記基準位置で支持された基板を受け取るように前記搬送装置を制御する、請求項５〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記搬送装置の前記保持部は、基板の下面を保持する保持面を有し、
   前記基板処理装置は、前記保持部の前記保持面が基板の下面を保持したことを検出する保持検出部をさらに備え、
   前記制御部は、前記位置ずれ検出動作時に、前記保持部を前記基板支持部により基準高さで支持された基板の下方の目標高さから上昇させるように前記搬送装置を制御し、前記保持検出部による検出時点での前記保持部の高さを取得し、取得された高さに基づいて前記目標高さに前記保持部が位置するときの前記保持面と前記基準高さとの間の距離のずれ量を取得し、取得されたずれ量が第２のしきい値よりも大きい場合に警報を出力する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 基板に処理を行う基板処理装置であって、
    基板を支持可能に構成される基板支持部と、
    基板の下面を保持する保持面を有する保持部を含み、前記保持部を移動させることにより基板を搬送する搬送装置と、
    前記保持部の前記保持面が基板の下面を保持したことを検出する保持検出部と、
    基板処理時に、前記基板支持部に基板を渡しまたは前記基板支持部から基板を受け取るために前記保持部を移動させるように前記搬送装置を制御する制御部とを備え、
    前記制御部は、位置ずれ検出動作時に、前記保持部を前記基板支持部により基準高さで支持された基板の下方の目標高さから上昇させるように前記搬送装置を制御し、前記保持検出部による検出時点での前記保持部の高さを取得し、取得された高さに基づいて前記目標高さに前記保持部が位置するときの前記保持面と前記基準高さとの間の距離のずれ量を取得し、取得されたずれ量がしきい値よりも大きい場合に警報を出力する、基板処理装置。
11. 前記制御部は、前記搬送装置に関する教示動作時に、前記保持部を前記基板支持部により前記基準高さで支持された基板の下方から上昇させるように前記搬送装置を制御し、前記保持検出部による検出時点での前記保持部の高さに基づいて前記目標高さを取得する、請求項１０記載の基板処理装置。
12. 前記保持部は、基板の下面を吸着する吸着部を含み、
    前記吸着部は、前記保持面を有し、
    前記保持検出部は、前記吸着部により基板が吸着されているか否かに基づいて前記保持面が基板の下面を保持したことを検出するように構成される、請求項１０または１１記載の基板処理装置。
13. 基板に処理を行う基板処理方法であって、
    基板処理時に、基板支持部の予め設定された基準位置に基板を渡しまたは前記基準位置から基板を受け取るために目標位置に搬送装置の保持部を移動させるステップと、
    位置ずれ検出動作時に、前記搬送装置の前記保持部を前記基板支持部の前記目標位置に移動させて前記基板支持部により前記基準位置で支持された基板を受け取るステップと、
    前記保持部により受け取られた基板と前記保持部との位置関係を検出するステップと、
    検出された前記位置関係に基づいて前記基板支持部の前記基準位置と前記目標位置とのずれ量を取得するステップと、
    取得されたずれ量が予め定められたしきい値よりも大きい場合に警報を出力するステップとを含む、基板処理方法。
14. 基板に処理を行う基板処理方法であって、
    基板処理時に、基板支持部に基板を渡しまたは前記基板支持部から基板を受け取るために搬送装置の保持部を移動させるステップと、
    位置ずれ検出動作時に、前記搬送装置の前記保持部を前記基板支持部により基準高さで支持された基板の下方の目標高さから上昇させるステップと、
    前記保持部の保持面が基板の下面を保持したことを検出するステップと、
    基板の検出時点での前記保持部の高さを取得するステップと、
    取得された高さに基づいて前記目標高さに前記保持部が位置するときの前記保持面と前記基準高さとの間の距離のずれ量を取得するステップと、
    取得されたずれ量がしきい値よりも大きい場合に警報を出力するステップとを含む、基板処理方法。

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