JP6723055B2 - 基板処理装置および基板有無確認方法 - Google Patents

基板処理装置および基板有無確認方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6723055B2
JP6723055B2 JP2016074951A JP2016074951A JP6723055B2 JP 6723055 B2 JP6723055 B2 JP 6723055B2 JP 2016074951 A JP2016074951 A JP 2016074951A JP 2016074951 A JP2016074951 A JP 2016074951A JP 6723055 B2 JP6723055 B2 JP 6723055B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
sensor
wafer
detection result
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016074951A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017188523A (ja
Inventor
智裕 田中
智裕 田中
賢一郎 斎藤
賢一郎 斎藤
晃一 武田
晃一 武田
真澄 西嶋
真澄 西嶋
隆一 小菅
隆一 小菅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2016074951A priority Critical patent/JP6723055B2/ja
Priority to US15/475,860 priority patent/US10157762B2/en
Priority to SG10201702731WA priority patent/SG10201702731WA/en
Publication of JP2017188523A publication Critical patent/JP2017188523A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6723055B2 publication Critical patent/JP6723055B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、搬送経路中において基板の有無を確認する技術に関する。
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。半導体デバイスの製造では、シリコンウェハの上に多くの種類の材料が膜状に繰り返し形成され、積層構造を形成する。この積層構造を形成するためには、ウェハの表面を平坦にする技術が重要となっている。このようなウェハの表面を平坦化する一手段として、化学機械研磨(CMP)を行う研磨装置(化学的機械的研磨装置ともいう)が広く用いられている。
従来のCMP装置には、所定の搬送経路に沿って半導体ウェハなどの基板を搬送するリニアトランスポータが備えられており、リニアトランスポータの各搬送ステージには、ウェハの有無を検知する透過型のセンサが備えられている。従来のCMP装置では、このセンサを用いて各搬送ステージ上のウェハの有無を検知することができる。
特開2010−50436号公報
従来のCMP装置において、搬送経路中におけるウェハの位置情報(どの搬送ステージにウェハが位置しているべきかを示す情報)を利用して、搬送経路中におけるウェハの有無を確認することが考えられる。例えば、搬送経路中におけるウェハの位置情報とセンサの検知結果とが整合していない場合、すなわち、ウェハの位置情報によればセンサによりウェハ有と判定されるべきであるにも関わらずセンサの検知結果ではウェハ無である、あるいは、ウェハの位置情報によればセンサによりウェハ無と判定されるべきであるにも関わらずセンサの検知結果ではウェハ有である場合に、アラームを発報してウェハの搬送を緊急停止することが考えられる。
ところで、CMP装置には、搬送経路に沿ってウェハを搬送している間にウェハが乾燥するのを防ぐためにウェアに水(純水)を噴霧するシャワーノズルが備えられていることがある。また、CMP装置では、研磨後のウェハの洗浄に水(純水)を用いることもある。透過型のセンサ(例えば、光センサ)では、これらの水の影響や光の回り込みにより光量にチャタリングが発生し、チャタリングに起因する誤検知が生じるおそれがある。例えば、ウェハが有るにもかかわらずチャタリングの影響によりウェハが無い、あるいは、ウェハが無いにもかかわらずチャタリングの影響によりウェハが有ると誤検知するおそれがある。
このようなチャタリングに起因する誤検知がセンサに発生すると、搬送経路中におけるウェハの位置情報とセンサの検知結果とが整合しているか否かの判定結果も誤判定となり、アラームを誤発報させてしまう結果となる。このようなアラームの誤発報のたびにウェハの搬送を緊急停止すると、CMP装置の生産性およびスループットが低下してしまう。そのため、チャタリングに起因するセンサの誤検知の影響を低減して、スループットの低下を抑える技術の開発が望まれていた。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、チャタリングに起因するセンサの誤検知の影響を低減して、スループットの低下を抑えることのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の基板処理装置は、所定の搬送経路に沿って、基板を保持して搬送する搬送機構と、前記搬送機構に前記基板が保持されているか否かを検知するためのセンサと、前記センサを制御するセンサ制御部と、前記搬送経路中における前記基板の位置情報を取得する位置情報取得部と、前記センサから検知結果を取得する検知結果取得部と、前記センサの検知結果が前記位置情報と整合するか否かを判定する判定処理部と、を備え、前記センサ制御部は、前記センサの検知結果が前記位置情報と整合しないと判定された場合に、前記基板が保持されているか否かを前記センサに再度検知させる。
この構成によれば、搬送機構に基板が保持されているか否かがセンサによって検知される。一方、搬送経路中における基板の位置情報から、基板が搬送機構に保持されているべきか否かがわかる。センサの検知結果が位置情報と整合するか否かを判定し、整合しないと判定された場合には、基板が保持されているか否かをセンサに再度検知させる。センサの誤検知がチャタリングに起因するものである場合には、少し時間をおくことでセンサが正常な検知を行うことができる状態に戻ることが多い。したがって、上記のように、センサの検知結果が位置情報とが整合しないと判定された場合に、基板が保持されているか否かをセンサに再度検知させることにより、チャタリングに起因するセンサの誤検知の影響を低減することができる。
仮に、チャタリングが落ち着くまでの時間(ディレイ時間)を考慮してチャタリングの検知時間を設定したとすると、基板の検知を行うごとに(基板ごとに)ディレイ時間分の遅延が生じることになる。例えば、1日に3000枚の基板を処理する場合には、たとえ誤検知が1日に1度も発生しなくても、3000枚分のディレイ時間がかかることになり、スループットが低下してしまう。これに対して、本発明では、センサの検知結果が位置情報とが整合しないと判定された場合にのみ、基板が保持されているか否かをセンサに再度検知させるので、もし誤検知が1度も発生しなければ、スループットが低下することがない。また、仮に誤検知が発生した場合であっても、誤検知が発生した回数(例えば、多くても1日に1回)の分だけ時間がかかるだけで済み、ディレイ時間を設ける場合に比べて、スループットの低下を抑えることができる。
また、本発明の基板処理装置は、前記センサに再度検知させるべきリトライ回数を記憶する記憶部を備え、前記センサ制御部は、前記リトライ回数を超えた場合には、前記基板が保持されているか否かを前記センサに再度検知させる処理を停止してもよい。
この構成によれば、所定のリトライ回数を超えた場合には、基板が保持されているか否かをセンサに再度検知させる処理を停止させる。チャタリング以外の原因に起因するセンサの誤検知の場合、少し時間をおいたとしてもセンサが正常な検知を行うことができる状態に戻ることは少ない。そのような場合には、基板が保持されているか否かをセンサに再度検知させる処理を停止させ、余計な遅延が生じるのを防ぐことができる。
また、本発明の基板処理装置は、前記リトライ回数を超えた場合に、前記リトライ回数を超えたことを通知するためのアラーム処理を行うアラーム処理部を備えてもよい。
この構成によれば、所定のリトライ回数を超えた場合には、そのことを通知するためのアラーム処理が行われる。これにより、チャタリング以外の原因に起因するセンサの誤検知が発生したことを、作業者に知らせることができる。
また、本発明の基板処理装置では、複数の前記センサを備え、前記判定処理部は、前記複数のセンサの各々の検知結果が前記位置情報と整合するか否かを判定し、前記センサ制御部は、前記複数のセンサのうちの少なくとも1つのセンサの検知結果が前記位置情報と整合しないと判定された場合に、前記基板が保持されているか否かを前記複数のセンサに再度検知させてもよい。
この構成によれば、複数のセンサによって、搬送機構に基板が保持されているか否かが検知される。そして、複数のセンサの検知結果の各々と位置情報とが整合するか否かを判定し、少なくとも1つのセンサの検知結果が整合しないと判定された場合には、基板が保持されているか否かをセンサに再度検知させる。これにより、複数のセンサのうち、あるセンサでチャタリングに起因する誤検知が発生していた場合でも、他のセンサが正常な検知を行うことができる状態であれば、その正常なセンサの検知結果に基づいて、位置情報と整合するか否かを適切に判定することができる。
なお、この場合、複数のセンサの検知結果のすべてが位置情報とが整合しないと判定されれば(すべてのセンサでチャタリングに起因する誤検知が発生していれば)、基板が保持されているか否かを複数のセンサに再度検知させる。上述のように、センサの誤検知がチャタリングに起因するものである場合には、少し時間をおくことでセンサが正常な検知を行うことができる状態に戻ることが多い。したがって、チャタリングに起因するセンサの誤検知の影響を低減することができる。
本発明の基板有無確認方法は、基板処理装置で実行される基板有無確認方法であって、前記基板処理装置は、所定の搬送経路に沿って、基板を保持して搬送する搬送機構と、前記搬送機構に前記基板が保持されているか否かを検知するためのセンサと、を備え、前記基板有無確認方法は、前記搬送経路中における前記基板の位置情報を取得するステップと、前記センサから検知結果を取得するステップと、前記センサの検知結果が前記位置情報と整合するか否かを判定するステップと、前記センサの検知結果が前記位置情報と整合しないと判定された場合に、前記センサに、前記基板が保持されているか否かを再度検知させるステップと、を含んでいる。
この基板有無確認方法によっても、上記の基板処理装置と同様に、搬送機構に基板が保持されているか否かがセンサによって検知される。一方、搬送経路中における基板の位置情報から、基板が搬送機構に保持されているべきか否かがわかる。センサの検知結果が位置情報と整合するか否かを判定し、整合しないと判定された場合には、基板が保持されているか否かをセンサに再度検知させる。センサの誤検知がチャタリングに起因するものである場合には、少し時間をおくことでセンサが正常な検知を行うことができる状態に戻ることが多い。したがって、上記のように、センサの検知結果が位置情報とが整合しないと判定された場合に、基板が保持されているか否かをセンサに再度検知させることにより、チャタリングに起因するセンサの誤検知の影響を低減することができる。
すなわち、チャタリングが落ち着くまでの時間(ディレイ時間)を考慮してチャタリングの検知時間を設定すると、基板の検知を行うごとに(基板ごとに)ディレイ時間分の遅延が生じることになる。例えば、1日に3000枚の基板を処理する場合には、たとえ誤検知が1度も発生しなくても、3000枚分のディレイ時間がかかることになり、スループットが低下してしまう。これに対して、本発明では、センサの検知結果が位置情報とが整合しないと判定された場合にのみ、基板が保持されているか否かをセンサに再度検知させるので、誤検知が1度も発生しなければ、スループットが低下することがない。また、誤検知が発生した場合であっても、誤検知が発生した回数(例えば、多くても1日に1回)の分だけ時間がかかるだけで済み、ディレイ時間を設ける場合に比べて、スループットの低下を抑えることができる。
本発明によれば、チャタリングに起因するセンサの誤検知の影響を低減して、スループットの低下を抑えることができる。
本発明の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 本発明の実施の形態における第1リニアトランスポータを模式的に示す斜視図である。 本発明の実施の形態における搬送ステージ、ステーションユニット、研磨テーブル、トップリングを示す斜視図である。 本発明の実施の形態における搬送ステージとステーションユニットを示す斜視図である。 本発明の実施の形態における搬送ステージ、センサ、シャワーノズルの位置関係を示す説明図である。 本発明の実施の形態における基板処理装置の機能(基板有無確認機能)を説明するためのブロック図である。 本発明の実施の形態の基板処理装置における基板有無確認処理の流れを示すフロー図である。 他の実施の形態の基板処理装置における基板有無確認処理の流れを示すフロー図である。
以下、本発明の実施の形態の基板処理装置について、図面を用いて説明する。なお、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
図1は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、この基板処理装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1bによってロード/アンロード部2と研磨部3と洗浄部4とに区画されている。これらのロード/アンロード部2、研磨部3、および洗浄部4は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、基板処理装置は、基板処理動作を制御する制御部5を有している。
ロード/アンロード部2は、多数のウェハ(基板)をストックするウェハカセットが載置される2つ以上(本実施形態では4つ)のフロントロード部20を備えている。これらのフロントロード部20はハウジング1に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向(長手方向と垂直な方向)に沿って配列されている。フロントロード部20には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Font Opening Unified Pod)を搭載することができるようになっている。ここで、SMIF、FOUPは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
また、ロード/アンロード部2には、フロントロード部20の並びに沿って走行機構21が敷設されており、この走行機構21上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な2台の搬送ロボット(ローダー)22が設置されている。搬送ロボット22は走行機構21上を移動することによってフロントロード部20に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット22は上下に2つのハンドを備えており、上側のハンドを処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用し、下側のハンドを処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット22の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウェハを反転させることができるように構成されている。
ロード/アンロード部2は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード/アンロード部2の内部は、基板処理装置外部、研磨部3、および洗浄部4のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨部3は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨部3の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄部4の内部圧力よりも低く維持されている。ロード/アンロード部2には、HEPAフィルタ、ULPAフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
研磨部3は、ウェハの研磨(平坦化)が行われる領域であり、第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、第4研磨ユニット3Dを備えている。これらの第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、および第4研磨ユニット3Dは、図1に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
図1に示すように、第1研磨ユニット3Aは、研磨面を有する研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Aと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル30A上の研磨パッド10に押圧しながら研磨するためのトップリング31Aと、研磨パッド10に研磨液やドレッシング液(例えば、純水)を供給するための研磨液供給ノズル32Aと、研磨パッド10の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ33Aと、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素ガス)の混合流体または液体(例えば純水)を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ34Aとを備えている。
同様に、第2研磨ユニット3Bは、研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Bと、トップリング31Bと、研磨液供給ノズル32Bと、ドレッサ33Bと、アトマイザ34Bとを備えており、第3研磨ユニット3Cは、研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Cと、トップリング31Cと、研磨液供給ノズル32Cと、ドレッサ33Cと、アトマイザ34Cとを備えており、第4研磨ユニット3Dは、研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Dと、トップリング31Dと、研磨液供給ノズル32Dと、ドレッサ33Dと、アトマイザ34Dとを備えている。
次に、第1リニアトランスポータ6、第2リニアトランスポータ7、リフタ11、スイングトランスポータ12の構造について説明する。
図2は、第1リニアトランスポータ6を模式的に示す斜視図である。図2に示すように、第1リニアトランスポータ6は、ウェハが載置される搬送ステージ(基板搬送ステージ)121a,122a,123a,124aをそれぞれ有する第1,第2,第3,第4搬送ハンド121,122,123,124と、第2,第3,第4搬送ハンド122,123,124をそれぞれ上下動させる3つの昇降駆動機構(例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダ)130A,130B,130Cと、第1,第2,第3,第4搬送ハンド121,122,123,124を水平方向に移動自在に支持する3つのリニアガイド132A,132B,132Cと、第1,第2,第3,第4搬送ハンド121,122,123,124を水平方向に駆動する3つの水平駆動機構134A,134B,134Cとを備えている。本実施形態では、水平駆動機構134A,134B,134Cはそれぞれ、一対のプーリ136と、これらプーリ136に掛けられたベルト137と、一対のプーリのうちのいずれか一方を回転させるサーボモータ138とを有している。
搬送ステージ121a,122a,123a,124aの上面には複数のピンがそれぞれ設けられており、ウェハはこれらのピンの上に載置される。各搬送ステージ121a,122a,123a,124aには、ウェハの有無を検知する透過型のセンサ40(例えば光センサ)が備えられており、各搬送ステージ121a,122a,123a,124a上のウェハの有無を検知することができるようになっている。
第1搬送ハンド121は第1リニアガイド132Aに支持され、第1水平駆動機構134Aに駆動されて第1搬送位置TP1と第4搬送位置TP4との間を移動する。この第1搬送ハンド121は、リフタ11からウェハを受け取り、それを第2リニアトランスポータ7に渡すためのパスハンドである。したがって、ウェハを第1研磨ユニット3Aおよび第2研磨ユニット3Bでは研磨せずに、第3研磨ユニット3Cおよび第4研磨ユニット3Dで研磨する場合に、第1搬送ハンド121が使用される。この第1搬送ハンド121には昇降駆動機構は設けられていなく、第1搬送ハンド121の搬送ステージ(基板パスステージ)121aは水平方向にのみ移動可能となっている。
第2搬送ハンド122は第2リニアガイド132Bに支持され、第2水平駆動機構134Bに駆動されて第1搬送位置TP1と第2搬送位置TP2との間を移動する。この第2搬送ハンド122は、ウェハをリフタ11から第1研磨ユニット3Aに搬送するためのアクセスハンドとして機能する。すなわち、第2搬送ハンド122は第1搬送位置TP1に移動し、ここでリフタ11からウェハを受け取る。そして、第2搬送ハンド122は再び第2搬送位置TP2に移動し、ここで搬送ステージ122a上のウェハをトップリング31Aに渡す。第2搬送ハンド122には第1昇降駆動機構130Aが連結されており、これらは一体に水平方向に移動するようになっている。搬送ステージ122a上のウェハをトップリング31Aに渡すときは、第2搬送ハンド122は第1昇降駆動機構130Aに駆動されて上昇し、トップリング31Aにウェハを渡した後、第1昇降駆動機構130Aに駆動されて下降する。
搬送ステージ122aの上面には、トップリング31Aの外周縁の下端(リテーナリング40の下端)に係合する複数の(図では3つの)のアクセスガイド140が設けられている。これらのアクセスガイド140の内側はテーパ面となっており、搬送ステージ122aが上昇してトップリング31Aにアクセスすると、トップリング31Aがこれらのアクセスガイド140によって案内され、トップリング31Aと搬送ステージ122aとが互いに係合する。この係合によりトップリング31Aと搬送ステージ122a(すなわちウェハ)との間でセンタリングが行われる。このアクセスガイド140は、第3,第4搬送ハンド123,124の搬送ステージ123a,124aにも同様に設けられている。
第3搬送ハンド123と第4搬送ハンド124は第3リニアガイド132Cに支持されている。第3搬送ハンド123と第4搬送ハンド124とはエアシリンダ142によって互いに連結されており、これらは第3水平駆動機構134Cに駆動されて一体的に水平方向に移動するようになっている。エアシリンダ142は第3搬送ハンド123の搬送ステージ123aと第4搬送ハンド124の搬送ステージ124aとの間隔を調整する間隔調整機構として機能する。このエアシリンダ(間隔調整機構)142を設けた理由は、第1搬送位置TP1と第2搬送位置TP2との間隔と、第2搬送位置TP2と第3搬送位置TP3との間隔が異なる場合があるからである。エアシリンダ142は、第3搬送ハンド123および第4搬送ハンド124の移動中に間隔調整動作を行うことが可能である。
第3搬送ハンド123には第2昇降駆動機構130Bが連結され、第4搬送ハンド124には第3昇降駆動機構130Cが連結されており、第3搬送ハンド123と第4搬送ハンド124は、独立して昇降可能となっている。第3搬送ハンド123は、第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3の間を移動し、同時に、第4搬送ハンド124は第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3、第4搬送位置TP4の間を移動する。
第3搬送ハンド123は、ウェハをリフタ11から第2研磨ユニット3Bに搬送するためのアクセスハンドとして機能する。すなわち、第3搬送ハンド123は第1搬送位置TP1に移動し、ここでリフタ11からウェハを受け取り、さらに第3搬送位置TP3に移動し、搬送ステージ123a上のウェハをトップリング31Bに渡すように動作する。第3搬送ハンド123は、また、第1研磨ユニット3Aで研磨されたウェハを第2研磨ユニット3Bに搬送するためのアクセスハンドとしても機能する。すなわち、第3搬送ハンド123は第2搬送位置TP2に移動し、ここでトップリング31Aからウェハを受け取り、さらに第3搬送位置TP3に移動し、そして、搬送ステージ123a上のウェハをトップリング31Bに渡すように動作する。搬送ステージ123aとトップリング31Aまたはトップリング31Bとの間でのウェハの受け渡しを行うときは、第3搬送ハンド123は第2昇降駆動機構130Bに駆動されて上昇し、ウェハの受け渡しが終わった後は、第2昇降駆動機構130Bに駆動されて第3搬送ハンド123が下降する。
第4搬送ハンド124は、第1研磨ユニット3Aまたは第2研磨ユニット3Bで研磨されたウェハをスイングトランスポータ12に搬送するためのアクセスハンドとして機能する。すなわち、第4搬送ハンド124は第2搬送位置TP2または第3搬送位置TP3に移動し、ここでトップリング31Aまたはトップリング31Bから研磨されたウェハを受け取り、その後第4搬送位置TP4に移動する。トップリング31Aまたはトップリング31Bからウェハを受け取るときは、第4搬送ハンド124は第3昇降駆動機構130Cに駆動されて上昇し、ウェハを受け取った後、第3昇降駆動機構130Cに駆動されて下降する。
図3は、第2搬送位置TP2,第3搬送位置TP3,第6搬送位置TP6,第7搬送位置TP7に設けられたステーションユニットと、搬送ステージと、トップリングとの配置を説明する斜視図である。図4は、第2搬送位置TP2に配置されたステーションユニットと搬送ステージを示す斜視図である。
図3に示すように、搬送ステージ121a〜127aは、ステーションユニット143とトップリング31Aとの間の搬送経路上に配置されており、搬送経路に沿ってステーションユニット143とトップリング31Aとの間でウェハWを搬送する。図4に示すように、ステーションユニット143は、トップリング31Aのリテーナリング40を押し上げる複数の押し上げ機構(図示せず)と、これらの押し上げ機構を支持するサポートベース145とを備えている。押し上げ機構は、例えばモータなどで構成される。押し上げ機構の高さ方向の位置は、トップリング31Aと第1リニアトランスポータ6の搬送ステージ(122aまたは123aまたは124a)との間にある。押し上げ機構は、リテーナリング40に接触する押し上げピン146を備えている。押し上げ機構は、押し上げピン146がリテーナリング40の下面に対向する位置に配置される。トップリング31Aが下降すると、リテーナリング40の下面が押し上げピン146に接触する。リテーナリング40は押し上げピン146に押し上げられ、ウェハWよりも上方の位置まで移動する。
次に、第1リニアトランスポータ5からトップリング31Aにウェハを渡すときの動作について説明する。まず、トップリング31Aは、研磨位置から第1搬送位置TP1まで移動する。次いでトップリング31Aが下降し、上述したようにリテーナリング40がステーションユニット143の押し上げ機構により押し上げられる。トップリング31Aが下降しているとき、第1リニアトランスポータ5の搬送ステージが上昇し、リテーナリング40に接触することなくトップリング31Aの真下まで移動する。この状態で、ウェハWは搬送ステージからトップリング31Aに渡される。そして、トップリング31Aが上昇するとほぼ同時に搬送ステージが下降する。トップリング31Aはさらに研磨位置に移動してウェハWを研磨し、搬送ステージは次の搬送動作を開始する。トップリング31Aから第1リニアトランスポータ5にウェハを渡すときも同様の動作が行われる。
このように、ウェハの受け渡し時には、トップリング31Aと搬送ステージは、ほぼ同時に互いに近接し、ほぼ同時に離間するので、スループットを向上させることができる。なお、第3搬送位置TP3,第6搬送位置TP6,第7搬送位置TP7に設けられるステーションユニット143の構成も、上述のステーションユニット143と同様であり、ウェハの受け渡し動作も同様に行われる。
続いて、本実施の形態の基板処理装置が有する機能(基板有無確認機能)について説明する。図5は、本実施の形態における搬送ステージ、センサ、シャワーノズルの位置関係を示す説明図であり、図6は、本実施の形態の基板処理装置の機能(基板有無確認機能)を説明するためのブロック図である。
図5に示すように、搬送ステージ121a〜127aがウェハWを保持して搬送する搬送経路には、搬送ステージ121a〜127aにウェハWが保持されているか否かを検知するためのセンサ40が設けられている。センサ40は、例えば光センサであり、発光部41と受光部42で構成されている。なお、本実施の形態では、センサ40の数は1つである。搬送ステージ121a〜127aにウェハWが保持されていない場合には、発光部41から発光された光が受光部42でそのまま(ウェハWに遮られずに)受光される。一方、搬送ステージ121a〜127aにウェハWが保持されている場合には、発光部41から発光された光がウェハWに遮られ受光部42で受光される光量が減少する。このセンサ40は、受光部42で受光した光量に基づいて、搬送ステージ121a〜127aにウェハWが保持されているか否かを検知することができる。
また、図5に示すように、搬送経路には、搬送ステージ121a〜127aで搬送されている間にウェハWが乾燥するのを防ぐためにウェハWに水(純水)を噴霧するシャワーノズル50が備えられている。例えば、シャワーノズル50は、ウェハWの表面(おもて面)と裏面の両側に配置される。
図6に示すように、基板処理装置は、基板有無確認機能のための構成として、上記のようなセンサ40に加えて、記憶部60、表示部70、制御部80を備えている。記憶部60は、例えばメモリなどで構成されており、表示部70は、例えばディスプレイなどで構成されている。制御部80は、例えばCPUなどで構成されており、位置情報取得部81、センサ制御部82、検知結果取得部83、判定処理部84、アラーム処理部85を備えている。
記憶部60には、搬送経路中におけるウェハWの位置情報が記憶されている。位置情報取得部81は、記憶部60から搬送経路中におけるウェハWの位置情報を取得する機能を備えている。センサ制御部82は、センサ40を制御する機能を備えている。例えば、センサ制御部82は、センサ40のオン・オフを制御することができる。
検知結果取得部83は、センサ40から検知結果(搬送ステージ121a〜127aにウェハWが保持されているか否かの検知結果)を取得する機能を備えている。判定処理部84は、検知結果取得部83が取得したセンサ40の検知結果と位置情報取得部81が取得した位置情報とが整合するか否かを判定する機能を備えている。判定処理部84は、ウェハWの位置情報によればセンサ40によりウェハ有と判定されるべきであるにも関わらずセンサ40の検知結果ではウェハ無である、あるいは、ウェハWの位置情報によればセンサ40によりウェハ無と判定されるべきであるにも関わらずセンサ40の検知結果ではウェハ有である場合に、センサの検知結果と位置情報とが整合していない(ウェハ有無検知が異常である)と判定する。一方、判定処理部84は、ウェハWの位置情報によりセンサ40によりウェハ有と判定されるべきであるときにセンサ40の検知結果でもウェハ有である、あるいは、ウェハWの位置情報によりセンサ40によりウェハ無と判定されるべきであるときにセンサ40の検知結果でもウェハ無である場合に、センサの検知結果と位置情報とが整合している(ウェハ有無検知が正常である)と判定する。
センサ制御部82は、センサ40の検知結果が位置情報と整合しないと判定された場合に、ウェハWが保持されているか否かをセンサ40に再度検知させるリトライ制御を行う。なお、センサ40がウェハWの再検知を行うのに要する時間は、例えば0.3秒である。
また、記憶部60には、センサ40に再度検知させるべきリトライ回数が記憶されている。リトライ回数は、作業者が任意に設定することができる。リトライ回数は、例えば5回である。センサ制御部82は、リトライ制御を行う回数が設定されたリトライ回数を超えた場合には、ウェハWが保持されているか否かをセンサ40に再度検知させる処理を停止する。アラーム処理部85は、リトライ制御を行う回数が設定されたリトライ回数を超えた場合に、そのことを通知するためのアラーム処理を行う。アラーム処理が行われると、例えば、表示部70の画面にアラーム表示を行うことにより、作業者にアラームが発報される。なお、アラームの発報は、表示部70へのアラーム表示に限られず、音や光を用いた従来公知の発報方法を利用することができる。
以上のように構成された基板処理装置について、図7を参照してその動作を説明する。
図7は、本実施の形態の基板処理装置における基板有無確認処理の流れを示すフロー図である。図7に示すように、基板処理装置で基板有無確認処理が行われるときには、まず、位置情報取得部81によって、記憶部60から搬送経路中におけるウェハWの位置情報が取得される(S100)。次に、センサ制御部82によってセンサ40がオン制御されて、発光部41からの発光が開始される(S101)。そして、検知結果取得部83によって、センサ40から検知結果(搬送ステージ121a〜127aにウェハWが保持されているか否かの検知結果)が取得される(S102)。
その後、判定処理部84により、検知結果取得部83が取得したセンサ40の検知結果と位置情報取得部81が取得した位置情報とが整合するか否かが判定される(S103)。ステップS103の判定の結果、センサ40の検知結果と位置情報とが整合しないと判定された場合には、設定されたリトライ回数を超えているか否かの判定が行われる(S104)。
ステップS104の判定の結果、リトライ回数を超えていると判定されると、センサ制御部82によってセンサ40がオフ制御されて、発光部41からの発光が停止され(S105)、リトライ回数を超えたことを通知するためのアラーム処理がアラーム処理部85によって行われる(S106)。
一方、ステップS104の判定の結果、リトライ回数を超えていないと判定されると、再度、検知結果取得部83によって、センサ40から検知結果(搬送ステージ121a〜127aにウェハWが保持されているか否かの検知結果)が取得され(S102)、そのセンサ40の検知結果(再検知結果)と位置情報とが整合するか否かが判定される(S103)。
ステップS103の判定の結果、センサ40の検知結果と位置情報とが整合すると判定された場合には、センサ制御部82によってセンサ40がオフ制御されて、発光部41からの発光が停止され(S107)、搬送経路に沿ったウェハWの搬送処理が実行される(S108)。
このような本実施の形態の基板処理装置によれば、チャタリングに起因するセンサ40の誤検知の影響を低減して、スループットの低下を抑えることができる。
本実施の形態では、搬送ステージ121a〜127aにウェハWが保持されているか否かがセンサ40によって検知される。一方、搬送経路中におけるウェハWの位置情報から、ウェハWが搬送ステージ121a〜127aに保持されているべきか否かがわかる。センサ40の検知結果が位置情報と整合するか否かを判定し、整合しないと判定された場合には、ウェハWが保持されているか否かをセンサ40に再度検知させる。センサ40の誤検知がチャタリングに起因するものである場合には、少し時間をおくことでセンサ40が正常な検知を行うことができる状態に戻ることが多い。したがって、上記のように、センサ40の検知結果が位置情報とが整合しないと判定された場合に、ウェハWが保持されているか否かをセンサ40に再度検知させることにより、チャタリングに起因するセンサ40の誤検知の影響を低減することができる。
仮に、チャタリングが落ち着くまでの時間(ディレイ時間)を考慮してチャタリングの検知時間を設定したとすると、ウェハWの検知を行うごとに(ウェハWごとに)ディレイ時間分の遅延が生じることになる。例えば、1日に3000枚のウェハWを処理する場合には、たとえ誤検知が1日に1度も発生しなくても、3000枚分のディレイ時間がかかることになり、スループットが低下してしまう。これに対して、本実施の形態では、センサ40の検知結果が位置情報とが整合しないと判定された場合にのみ、ウェハWが保持されているか否かをセンサ40に再度検知させるので、もし誤検知が1度も発生しなければ、スループットが低下することがない。また、仮に誤検知が発生した場合であっても、誤検知が発生した回数(例えば、多くても1日に1回)の分だけ時間がかかるだけで済み、ディレイ時間を設ける場合に比べて、スループットの低下を抑えることができる。
また、本実施の形態では、所定のリトライ回数を超えた場合には、ウェハWが保持されているか否かをセンサ40に再度検知させる処理を停止させる。チャタリング以外の原因に起因するセンサ40の誤検知の場合、少し時間をおいたとしてもセンサ40が正常な検知を行うことができる状態に戻ることは少ない。そのような場合には、ウェハWが保持されているか否かをセンサ40に再度検知させる処理を停止させ、余計な遅延が生じるのを防ぐことができる。
また、本実施の形態では、所定のリトライ回数を超えた場合には、そのことを通知するためのアラーム処理が行われる。これにより、チャタリング以外の原因に起因するセンサ40の誤検知が発生したことを、作業者に知らせることができる。
以上、本発明の実施の形態を例示により説明したが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではなく、請求項に記載された範囲内において目的に応じて変更・変形することが可能である。
例えば、以上の説明では、基板処理装置が1つのセンサ40を備える例について説明したが、基板処理装置は、一つの搬送ステージ(例えば、搬送ステージ124a)にウェハWが保持されているか否かを検知するために、複数のセンサ40(例えば、2つのセンサ40)を備えてもよい。その場合、判定処理部は、複数のセンサ40の各々の検知結果が位置情報と整合するか否かを判定し、センサ40制御部は、複数のセンサ40のうちの少なくとも1つのセンサ40の検知結果が位置情報と整合しないと判定された場合に、ウェハWが保持されているか否かを複数のセンサ40に再度検知させてもよい。
図8は、そのような他の実施の形態における基板有無確認処理の流れを示すフロー図である。図8に示すように、この場合には、まず、位置情報取得部81によって、記憶部60から搬送経路中におけるウェハWの位置情報が取得される(S200)。次に、センサ制御部82によって複数のセンサ40がオン制御されて、発光部41からの発光が開始される(S201)。そして、検知結果取得部83によって、複数のセンサ40から検知結果(例えば、ある搬送ステージ124aにウェハWが保持されているか否かの検知結果)が取得される(S202)。
その後、判定処理部84により、検知結果取得部83が取得した複数のセンサ40の検知結果の各々と位置情報取得部81が取得した位置情報とが整合するか否かが判定される(S203)。ステップS203の判定の結果、複数のセンサ40のうちの少なくとも1つのセンサ40の検知結果と位置情報とが整合しないと判定された場合には、設定されたリトライ回数を超えているか否かの判定が行われる(S204)。
ステップS204の判定の結果、リトライ回数を超えていると判定されると、センサ制御部82によって複数のセンサ40がオフ制御されて、発光部41からの発光が停止され(S205)、リトライ回数を超えたことを通知するためのアラーム処理がアラーム処理部85によって行われる(S206)。
一方、ステップS204の判定の結果、リトライ回数を超えていないと判定されると、再度、検知結果取得部83によって、複数のセンサ40から検知結果(例えば、搬送ステージ124aにウェハWが保持されているか否かの検知結果)が取得され(S202)、その複数のセンサ40の検知結果(再検知結果)の各々と位置情報とが整合するか否かが判定される(S203)。
ステップS203の判定の結果、複数のセンサ40のうちの少なくとも1つのセンサ40の検知結果と位置情報とが整合すると判定された場合には、センサ制御部82によって複数のセンサ40がオフ制御されて、発光部41からの発光が停止され(S107)、搬送経路に沿ったウェハWの搬送処理が実行される(S108)。
このような他の実施の形態の場合には、複数のセンサ40(例えば2つのセンサ40)によって、一つの搬送ステージ(例えば、搬送ステージ124a)にウェハWが保持されているか否かが検知される。そして、複数のセンサ40の検知結果の各々と位置情報とが整合するか否かを判定し、少なくとも1つのセンサ40の検知結果が整合しないと判定された場合には、ウェハWが保持されているか否かをセンサ40に再度検知させる。これにより、複数のセンサ40のうち、あるセンサ40でチャタリングに起因する誤検知が発生していた場合でも、他のセンサ40が正常な検知を行うことができる状態であれば、その正常なセンサ40の検知結果に基づいて、位置情報と整合するか否かを適切に判定することができる。
なお、この場合、複数のセンサ40の検知結果のすべてが位置情報とが整合しないと判定されれば(すべてのセンサ40でチャタリングに起因する誤検知が発生していれば)、ウェハWが保持されているか否かを複数のセンサ40に再度検知させる。上述のように、センサ40の誤検知がチャタリングに起因するものである場合には、少し時間をおくことでセンサ40が正常な検知を行うことができる状態に戻ることが多い。したがって、チャタリングに起因するセンサ40の誤検知の影響を低減することができる。
以上のように、本発明にかかる基板処理装置は、チャタリングに起因するセンサの誤検知の影響を低減して、スループットの低下を抑えることができるという効果を有し、CMP装置等として用いられ、有用である。
40 センサ
41 発光部
42 受光部
50 シャワーノズル
60 記憶部
70 表示部
80 制御部
81 位置情報取得部
82 センサ制御部
83 検知結果取得部
84 判定処理部
85 アラーム処理部
121a〜127a 搬送ステージ

Claims (5)

  1. 所定の搬送経路に沿って、基板を保持して搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構に前記基板が保持されているか否かを検知するためのセンサと、
    前記センサを制御するセンサ制御部と、
    前記搬送経路中のどこに前記基板が位置しているべきかを示す情報であって、前記搬送経路中における前記基板の位置が前記センサの検知結果と整合するか否かを判定するために用いられる情報である、前記搬送経路中における前記基板の位置情報が記憶されている記憶部と、
    前記記憶部から、前記基板の位置情報を取得する位置情報取得部と、
    前記センサから検知結果を取得する検知結果取得部と、
    前記センサの検知結果が前記基板の位置情報と整合するか否かを判定する判定処理部と、
    を備え、
    前記センサ制御部は、前記センサの検知結果が前記基板の位置情報と整合しないと判定された場合に、前記基板が保持されているか否かを前記センサに再度検知させる、基板処理装置。
  2. 前記センサに再度検知させるべきリトライ回数を記憶する記憶部を備え、
    前記センサ制御部は、前記リトライ回数を超えた場合には、前記基板が保持されているか否かを前記センサに再度検知させる処理を停止する、請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記リトライ回数を超えた場合に、前記リトライ回数を超えたことを通知するためのアラーム処理を行うアラーム処理部を備える、請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 複数の前記センサを備え、
    前記判定処理部は、前記複数のセンサの各々の検知結果が前記基板の位置情報と整合するか否かを判定し、
    前記センサ制御部は、前記複数のセンサのうちの少なくとも1つのセンサの検知結果が前記基板の位置情報と整合しないと判定された場合に、前記基板が保持されているか否かを前記複数のセンサに再度検知させる、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 基板処理装置で実行される基板有無確認方法であって、
    前記基板処理装置は、
    所定の搬送経路に沿って、基板を保持して搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構に前記基板が保持されているか否かを検知するためのセンサと、
    前記搬送経路中のどこに前記基板が位置しているべきかを示す情報であって、前記搬送経路中における前記基板の位置が前記センサの検知結果と整合するか否かを判定するために用いられる情報である、前記搬送経路中における前記基板の位置情報が記憶されている記憶部と、
    を備え、
    前記基板有無確認方法は、
    前記記憶部から、前記基板の位置情報を取得するステップと、
    前記センサから検知結果を取得するステップと、
    前記センサの検知結果が前記基板の位置情報と整合するか否かを判定するステップと、
    前記センサの検知結果が前記基板の位置情報と整合しないと判定された場合に、前記センサに、前記基板が保持されているか否かを再度検知させるステップと、
    を含む、基板有無確認方法。
JP2016074951A 2016-04-04 2016-04-04 基板処理装置および基板有無確認方法 Active JP6723055B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016074951A JP6723055B2 (ja) 2016-04-04 2016-04-04 基板処理装置および基板有無確認方法
US15/475,860 US10157762B2 (en) 2016-04-04 2017-03-31 Substrate processing apparatus and substrate presence or absence checking method and program
SG10201702731WA SG10201702731WA (en) 2016-04-04 2017-04-03 Substrate processing apparatus and substratepresence or absence checking method andprogram

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016074951A JP6723055B2 (ja) 2016-04-04 2016-04-04 基板処理装置および基板有無確認方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017188523A JP2017188523A (ja) 2017-10-12
JP6723055B2 true JP6723055B2 (ja) 2020-07-15

Family

ID=59959867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016074951A Active JP6723055B2 (ja) 2016-04-04 2016-04-04 基板処理装置および基板有無確認方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10157762B2 (ja)
JP (1) JP6723055B2 (ja)
SG (1) SG10201702731WA (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10460926B2 (en) * 2017-11-17 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for chemical mechanical polishing process

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3468056B2 (ja) * 1997-09-23 2003-11-17 東京エレクトロン株式会社 基板検出装置
US6090158A (en) * 1998-09-08 2000-07-18 Levi Strauss & Co. Localized finishing of garment workpieces
JP2004319961A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、及び該方法を実行するプログラム
TWI295657B (en) * 2003-07-29 2008-04-11 Daifuku Kk Transporting apparatus
JP2009135433A (ja) * 2007-11-05 2009-06-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5015729B2 (ja) * 2007-11-13 2012-08-29 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP2009173433A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Panasonic Corp 基板検出装置及び基板搬送装置
JP5744382B2 (ja) 2008-07-24 2015-07-08 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP2010182823A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Panasonic Corp 半導体製造装置および半導体製造システム
NL2004216A (en) * 2009-03-26 2010-09-28 Asml Netherlands Bv Alignment measurement arrangement, alignment measurement method, device manufacturing method and lithographic apparatus.
JP2011061008A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP6368453B2 (ja) * 2011-06-24 2018-08-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、及び基板処理装置のデータ解析方法並びにプログラム
JP5949741B2 (ja) * 2013-12-19 2016-07-13 株式会社安川電機 ロボットシステム及び検出方法
KR20150146095A (ko) * 2014-06-20 2015-12-31 삼성전자주식회사 기판 반송 장치 및 그 동작 방법
JP6422695B2 (ja) * 2014-07-18 2018-11-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20160048087A1 (en) * 2014-08-12 2016-02-18 Macronix International Co., Ltd. Scanner and method for performing exposure process on wafer
JP6339909B2 (ja) * 2014-09-17 2018-06-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
EP3225408B1 (en) * 2014-11-28 2021-07-21 Toppan Printing Co., Ltd. Image-forming-body manufacturing apparatus, transfer ribbon, and image-forming-body manufacturing method
US10933532B2 (en) * 2015-02-13 2021-03-02 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate conveying robot and operation method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
SG10201702731WA (en) 2017-11-29
JP2017188523A (ja) 2017-10-12
US20170287755A1 (en) 2017-10-05
US10157762B2 (en) 2018-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7153616B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
US20060213842A1 (en) Supporting shelf for front opening unified pod
KR102110290B1 (ko) 티칭 장치 및 티칭 방법
JP2006074004A (ja) ワーク搬送収納装置,およびそのワーク搬送収納装置を備えた切削装置
JP6478878B2 (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法並びに基板搬送プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2015133449A (ja) 基板処理装置の異常検出装置、及び基板処理装置
TW202147495A (zh) 晶圓搬送裝置、及晶圓搬送方法
KR20150117601A (ko) 기판 처리 장치
KR20150120869A (ko) 기판 처리 장치
JP6723055B2 (ja) 基板処理装置および基板有無確認方法
TWI730044B (zh) 基板研磨方法、頂環及基板研磨裝置
TW201639019A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2000294616A (ja) 仮置台付位置合わせ機構及びポリッシング装置
KR20210007863A (ko) 기판 처리 시스템 및 기록 매체
JP2023105587A (ja) プッシャ、搬送装置、および基板処理装置
JP6656441B2 (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法並びに基板搬送プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TW202331240A (zh) 基板搬送方法、基板處理裝置、及記錄介質
JP2021182605A (ja) 受け渡し装置、基板処理装置
JP2023142824A (ja) 搬送装置
JP6216258B2 (ja) 基板処理装置
JP2021013987A (ja) 基板処理システムおよび記録媒体
JP2023111109A (ja) 基板処理装置
KR100686453B1 (ko) 반도체 웨이퍼 파드
JP2019114684A (ja) 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2015192094A (ja) 基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181018

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190723

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190924

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200526

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200623

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6723055

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250