JP2021013987A - 基板処理システムおよび記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハを破損することなく、ウェハを確実にリリースすることができる基板処理システムが提供される。【解決手段】基板処理システム２００は、トップリング３１と、真空形成機構２２０と、制御装置５と、を備えている。プログラムは、トップリング３１の高さを測定する動作を処理装置５ｂに実行させ、トップリング３１の高さと吸引開始位置とを比較する動作を処理装置５ｂに実行させ、トップリング３１の高さと吸引開始位置との比較結果に基づいて、弾性バッグ４６の内部に真空を形成する動作を真空形成機構２２０に実行させる。【選択図】図６

Description

本発明は、基板処理システムと、基板処理システムの構成要素を動作させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、に関するものである。

搬送ステージとトップリングとの間でウェハを受け渡す構成を有する基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。このような基板処理装置では、ウェハの受け渡し時において、ウェハの周端部を取り囲むリテーナリングは、ウェハに対して相対的に上昇される。

特開２０１２−１２９５５９号公報 特開２０１４−４６８３号公報

しかしながら、トップリング本体とリテーナリングとの間に配置された弾性バッグの内部を大気開放した状態で、リテーナリングが上昇されると、弾性バッグの内部に残留する空気に起因して、リテーナリングが正常に上昇しないおそれがある。この状態で、ウェハがリリースされると、ウェハがリテーナリングに接触して、ウェハが破損するおそれがある。

そこで、本発明は、ウェハを破損することなく、ウェハを確実にリリースすることができる基板処理システムおよび非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。

一態様では、上下動可能なリテーナリングと、前記リテーナリングを上下動させる弾性バッグと、を備えたトップリングと、前記弾性バッグに連結された真空形成機構と、前記真空形成機構に接続された制御装置と、を備え、前記制御装置は、プログラムを格納した記憶装置と、前記プログラムに従って演算を実行する処理装置と、を備えており、前記プログラムは、トップリング下降位置まで下降する前記トップリングの高さを測定する動作を前記処理装置に実行させ、前記トップリングの高さと吸引開始位置とを比較する動作を前記処理装置に実行させ、前記トップリングの高さと前記吸引開始位置との比較結果に基づいて、前記弾性バッグの内部に真空を形成する動作を前記真空形成機構に実行させる、基板処理システムが提供される。

一態様では、前記プログラムは、前記トップリングの高さが前記吸引開始位置よりも低いことを条件として、前記弾性バッグの内部に真空を形成する動作を前記真空形成機構に実行させる。
一態様では、前記プログラムは、前記トップリングが前記トップリング下降位置に到達するまで、前記リテーナリングの高さの時間変化を測定する動作を前記処理装置に実行させ、前記時間変化のオーバーシュート量が所定の許容範囲内にあるか否かを比較する動作を前記処理装置に実行させ、前記オーバーシュート量が前記許容範囲内にないことを条件として、前記吸引開始位置を前記トップリング下降位置よりも高い位置に変更する動作を前記処理装置に実行させる。
一態様では、前記プログラムは、前記オーバーシュート量が前記許容範囲内に収まるまで、前記吸引開始位置を前記トップリング下降位置よりも高い位置に変更する動作を繰り返す動作を前記処理装置に実行させる。

一態様では、前記プログラムは、前記リテーナリングの最下降位置と最上昇位置との間の距離に基づいて、前記吸引開始位置を変更する動作を前記処理装置に実行させる。
一態様では、前記プログラムは、前記リテーナリングの摩耗量を測定する動作を前記処理装置に実行させ、前記リテーナリングの摩耗量に相当する距離を前記吸引開始位置に反映する動作を前記処理装置に実行させる。
一態様では、前記プログラムは、前記トップリングが前記トップリング下降位置まで下降した後、前記リテーナリングの高さを測定する動作を前記処理装置に実行させ、測定された前記リテーナリングの高さが過去に測定されたリテーナリングの高さよりも高いか否かを判断する動作を前記処理装置に実行させ、測定された前記リテーナリングの高さが過去に測定されたリテーナリングの高さよりも高いことを条件に、前記トップリングを再び下降させるリトライ動作の開始を決定する動作を前記処理装置に実行させる。

一態様では、上下動可能なリテーナリングと、前記リテーナリングを上下動させる弾性バッグと、を備えたトップリングをトップリング下降位置まで下降させる動作をトップリング上下動装置に実行させるステップと、下降する前記トップリングの高さを測定するステップと、前記トップリングの高さと吸引開始位置とを比較する動作を実行するステップと、前記トップリングの高さと前記吸引開始位置との比較結果に基づいて、前記弾性バッグの内部に真空を形成する動作を、前記弾性バッグに連結された真空形成機構に実行させるステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

一態様では、前記トップリングの高さが前記吸引開始位置よりも低いことを条件として、前記弾性バッグの内部に真空を形成する動作を前記真空形成機構に実行させるステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、上記記録媒体が提供される。
一態様では、前記トップリングが前記トップリング下降位置に到達するまで、前記リテーナリングの高さの時間変化を測定するステップと、前記時間変化のオーバーシュート量が所定の許容範囲内にあるか否かを比較するステップと、前記オーバーシュート量が前記許容範囲内にないことを条件として、前記吸引開始位置を前記トップリング下降位置よりも高い位置に変更するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、上記記録媒体が提供される。
一態様では、前記オーバーシュート量が前記許容範囲内に収まるまで、前記吸引開始位置を前記トップリング下降位置よりも高い位置に変更するステップを繰り返すステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、上記記録媒体が提供される。

一態様では、前記リテーナリングの最下降位置と最上昇位置との間の距離に基づいて、前記吸引開始位置を変更するステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、上記記録媒体が提供される。
一態様では、前記リテーナリングの摩耗量を測定するステップと、前記リテーナリングの摩耗量に相当する距離を前記吸引開始位置に反映するステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、上記記録媒体が提供される。
一態様では、前記トップリングが前記トップリング下降位置まで下降した後、前記リテーナリングの高さを測定するステップと、測定された前記リテーナリングの高さが過去に測定されたリテーナリングの高さよりも高いか否かを判断するステップと、測定された前記リテーナリングの高さが過去に測定されたリテーナリングの高さよりも高いことを条件に、前記トップリングを再び下降させるリトライ動作の開始を決定するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、上記記録媒体が提供される。

制御装置は、真空形成機構を動作させて、弾性バッグの内部に真空を形成する。したがって、基板処理システムは、リテーナリングの下面がウェハの上面よりも高い位置に配置されるまで、リテーナリングを確実に上昇させることができる。結果として、基板処理システムは、ウェハを確実にリリースすることができる。

基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。 トップリングの構造を模式的に示す断面図である。 図３（ａ）はリテーナリングステーションとトップリングとの位置関係を示す側面図であり、図３（ｂ）はリテーナリングステーションと搬送ステージとの位置関係を示す平面図である。 図４（ａ）は押し上げ機構を示す断面図であり、図４（ｂ）はリテーナリングに接触したときの押し上げ機構を示す断面図である。 基板処理システムを示す図である。 制御装置の動作の一実施形態を示すフローチャートである。 図７（ａ）乃至図７（ｄ）は、基板処理システムの構成要素の動作を説明するための図である。 トップリングの高さを検出する距離センサを示す図である。 高さ測定センサを備えたリテーナリングステーションを示す斜視図である。 リテーナリングの高さの時間変化を示すグラフである。 制御装置の動作の他の実施形態を示すフローチャートである。 リテーナリングの最下降位置および最上昇位置を示す図である。 制御装置の動作のさらに他の実施形態を示すフローチャートである。

以下、本発明に係る基板処理装置の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１は基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。図１に示すように、この基板処理装置は、略矩形状のハウジング１を備えており、ハウジング１の内部は隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロード部２と研磨部３と洗浄部４とに区画されている。これらのロード／アンロード部２、研磨部３、および洗浄部４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、基板処理装置は、基板処理動作を制御する制御装置５を備えている。

ロード／アンロード部２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備えている。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

また、ロード／アンロード部２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設されており、この走行機構２１上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー）２２が設置されている。搬送ロボット２２は走行機構２１上を移動することによってフロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は上下に２つのハンドを備えており、上側のハンドを処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用し、下側のハンドを処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウェハを反転させることができるように構成されている。

ロード／アンロード部２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロード部２の内部は、基板処理装置外部、研磨部３、および洗浄部４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨部３は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨部３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄部４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロード部２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。

研磨部３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。これらの第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。

図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａと、を備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。

次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａおよび第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。この第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。

また、第３研磨ユニット３Ｃおよび第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置されている。この第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。上述したように、第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハはこのリフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄部４との間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。このスイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有しており、第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃおよび／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨部３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄部４に搬送される。洗浄部４は、第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。

図２はトップリング３１Ａの構造を模式的に示す断面図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６の下端に自在継手３７を介して連結されている。自在継手３７は、トップリング３１Ａとトップリングシャフト３６との互いの傾動を許容しつつ、トップリングシャフト３６の回転をトップリング３１Ａに伝達するボールジョイントである。トップリング３１Ａは、略円盤状のトップリング本体３８と、トップリング本体３８の下部に配置されたリテーナリング４０とを備えている。トップリング本体３８は金属やセラミックス等の強度および剛性が高い材料から形成されている。また、リテーナリング４０は、剛性の高い樹脂材またはセラミックス等から形成されている。なお、リテーナリング４０をトップリング本体３８と一体的に形成することとしてもよい。

トップリング本体３８およびリテーナリング４０の内側に形成された空間内には、ウェハＷに当接する円形の弾性パッド４２が収容されている。弾性パッド４２はトップリング本体３８の下面に取り付けられている。弾性パッド４２には、４つの圧力室（エアバッグ）Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が設けられている。圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４にはそれぞれ流体路５１，５２，５３，５４を介して加圧空気等の加圧流体が供給され、あるいは真空引きがされるようになっている。中央の圧力室Ｐ１は円形であり、他の圧力室Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は環状である。これらの圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、同心上に配列されている。

圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の内部圧力は圧力調整部（図示しない）により互いに独立して変化させることが可能であり、これにより、ウェハＷの４つの領域、すなわち、中央部、内側中間部、外側中間部、および周縁部に対する押圧力を独立に調整することができる。また、トップリング３１Ａの全体を昇降させることにより、リテーナリング４０を所定の押圧力で研磨パッド１０に押圧できるようになっている。

ウェハＷの周端部はリテーナリング４０に囲まれており、研磨中にウェハＷがトップリング３１Ａから飛び出さないようになっている。圧力室Ｐ３を構成する、弾性パッド４２の部位には開口（図示せず）が形成されており、圧力室Ｐ３に真空を形成することによりウェハＷがトップリング３１Ａに吸着保持されるようになっている。また、この圧力室Ｐ３に窒素ガス、乾燥空気、圧縮空気等を供給することにより、ウェハＷがトップリング３１Ａからリリースされるようになっている。

リテーナリング４０とトップリング本体３８との間には弾性バッグ４６が配置されており、その弾性バッグ４６の内部には圧力室Ｐ６が形成されている。リテーナリング４０はトップリング本体３８に対して相対的に上下動可能となっている。圧力室Ｐ６には流体路５６が連通しており、加圧空気等の加圧流体が流体路５６を通じて圧力室Ｐ６に供給されるようになっている。圧力室Ｐ６の内部圧力は圧力調整部（後述する）により調整可能となっている。したがって、ウェハＷに対する押圧力とは独立してリテーナリング４０の研磨パッド１０に対する押圧力を調整することができる。

図３（ａ）はリテーナリングステーションとトップリングとの位置関係を示す側面図であり、図３（ｂ）はリテーナリングステーションと搬送ステージとの位置関係を示す平面図である。以下、第２搬送位置ＴＰ２に配置されたリテーナリングステーションについて説明する。

リテーナリングステーション１４３は、トップリング３１Ａのリテーナリング４０を押し上げる複数の押し上げ機構１４４と、これらの押し上げ機構１４４を支持するサポートベース１４５とを備えている。押し上げ機構１４４の高さ方向の位置は、トップリング３１Ａと第１リニアトランスポータ６の搬送ステージとの間にある。また、図３（ｂ）に示すように、押し上げ機構１４４と搬送ステージとは、互いに接触しないように配置されている。

図４（ａ）は押し上げ機構１４４を示す断面図であり、図４（ｂ）はリテーナリングに接触したときの押し上げ機構１４４を示す断面図である。押し上げ機構１４４は、リテーナリング４０に接触する押し上げピン１４６と、押し上げピン１４６を上方に押す押圧機構としてのばね１４７と、押し上げピン１４６およびばね１４７を収容するケーシング１４８とを備えている。押し上げ機構１４４は、押し上げピン１４６がリテーナリング４０の下面に対向する位置に配置される。トップリング３１Ａが下降すると、リテーナリング４０の下面が押し上げピン１４６に接触する。図４（ｂ）に示すように、リテーナリング４０は押し上げピン１４６に押し上げられ、ウェハＷよりも上方の位置まで移動する。

上述したように、弾性バッグ４６の内部を大気開放した状態で、リテーナリング４０が押し上げピン１４６によって押し上げられると、弾性バッグ４６の内部に残留する空気に起因して、リテーナリング４０がウェハＷよりも上方の位置まで、完全に移動しないおそれがある。この状態で、ウェハＷがリリースされると、ウェハＷがリテーナリング４０に接触して、ウェハＷが破損するおそれがある。

そこで、ウェハＷを破損することなく、ウェハＷを確実にリリースすることができる基板処理システムが設けられている。以下、図面を参照して、基板処理システムの詳細について説明する。

図５は基板処理システムを示す図である。図５に示すように、基板処理システム２００は、上下動可能なリテーナリング４０と、リテーナリング４０を上下動させる弾性バッグ４６と、を備えたトップリング３１（すなわち、３１Ａ〜３１Ｄ）と、弾性バッグ４６に連結された真空形成機構２２０と、真空形成機構２２０に接続された制御装置５と、を備えている。

基板処理システム２００は、図１に示す基板処理装置の全部または一部の構成要素を備えている。一実施形態では、基板処理システム２００は、図１に示す制御装置５とは別の制御装置を備えてもよい。

トップリングシャフト３６は、トップリングシャフト３６を介して、トップリング３１を上下動させる上下動装置２０２に接続されている。上下動装置２０２の一例は、サーボモータまたはエアシリンダである。以下、本明細書において、上下動装置２０２をサーボモータとして説明する。サーボモータ２０２は、制御装置５に電気的に接続されたモータドライバ２０２ａと、モータドライバ２０２ａに接続されたモータ本体２０２ｂと、を備えている。サーボモータ２０２は、制御装置５からの指令に従って駆動され、トップリングシャフト３６およびトップリング３１は、サーボモータ２０２により一体に上下動する。

流体路５６には、加圧流体を弾性バッグ４６の内部（より具体的には、圧力室Ｐ６）に供給するための加圧ライン２０５が接続されている。加圧ライン２０５には、弾性バッグ４６に供給される加圧流体の圧力を調整する圧力調整部２０６と、加圧流体の流れ方向において、圧力調整部２０６の下流側に配置された加圧弁（開閉弁）２０７と、が取り付けられている。これら圧力調整部２０６および加圧弁２０７は、制御装置５に電気的に接続されている。制御装置５は、圧力調整部２０６および加圧弁２０７のそれぞれを制御することができる。

流体路５６には、弾性バッグ４６の内部（より具体的には、圧力室Ｐ６）に真空を形成するための真空ライン２１０が接続されている。真空ライン２１０には、真空装置２１１および真空弁（開閉弁）２１２が取り付けられている。真空弁２１２は、制御装置５に電気的に接続されている。

真空装置２１１が駆動されると、真空ライン２１０および流体路５６を介して弾性バッグ４６には、真空が形成される。制御装置５は、真空弁２１２を動作させて、弾性バッグ４６の内部に真空を形成し、または真空の形成を遮断する。真空ライン２１０、真空装置２１１、および真空弁２１２は、真空形成機構２２０を構成している。

流体路５６には、弾性バッグ４６の内部（より具体的には、圧力室Ｐ６）を大気開放するための大気開放ライン２１５が接続されている。大気開放ライン２１５には、大気開放弁（開閉弁）２１６が取り付けられている。大気開放弁２１６は、制御装置５に電気的に接続されている。加圧弁２０７および真空弁２１２が閉じられた状態で、大気開放弁２１６が開かれると、弾性バッグ４６は、大気開放される。

制御装置５は、プログラムを格納した記憶装置５ａと、プログラムに従って演算を実行する処理装置５ｂと、を備えている。コンピュータからなる制御装置５は、記憶装置５ａに電気的に格納されたプログラムに従って動作する。プログラムは、トップリング下降位置まで下降するトップリング３１の高さを測定する動作を処理装置５ｂに実行させ、トップリング３１の高さと吸引開始位置とを比較する動作を処理装置５ｂに実行させ、トップリング３１の高さと吸引開始位置との比較結果に基づいて、弾性バッグ４６の内部に真空を形成する動作を真空形成機構２２０に実行させる指令を含んでいる。

言い換えれば、制御装置５は、トップリング３１をトップリング下降位置まで下降させる動作を上下動装置２０２に実行させるステップと、下降するトップリング３１の高さを測定するステップと、トップリング３１の高さと吸引開始位置とを比較するステップと、トップリング３１の高さと吸引開始位置との比較結果に基づいて、弾性バッグ４６の内部に真空を形成する動作を真空形成機構２２０に実行させるステップと、を実行する。

これらステップを制御装置５に実行させるためのプログラムは、非一時的な有形物であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録され、記録媒体を介して制御装置５に提供される。または、プログラムは、インターネットまたはローカルエリアネットワークなどの通信ネットワークを介して通信装置（図示しない）から制御装置５に入力されてもよい。

制御装置５は、このようなステップを実行することにより、リテーナリング４０の下面がウェハＷの上面よりも高い位置に配置されるまで、リテーナリング４０を確実に上昇させることができる。結果として、ウェハＷがリリースされても、ウェハＷはリテーナリング４０に接触することなく、ウェハＷの破損が防止される。

以下、制御装置５が実行可能なステップについて、図面を参照して、具体的に説明する。図６は制御装置５の動作の一実施形態を示すフローチャートである。図７（ａ）乃至図７（ｄ）は基板処理システム２００の構成要素の動作を説明するための図である。なお、図７（ａ）乃至図７（ｄ）において、符号ＶＳＰは吸引開始位置を示しており、符号ＴＬＰはトップリング下降位置を示している。

図６および図７（ａ）に示すように、制御装置５は、上下動装置２０２（本実施形態では、サーボモータ２０２）に指令を出してトップリング３１の下降を開始する（ステップＳ１０１参照）。このとき、トップリング３１は、吸引開始位置よりも上方に配置されている。トップリング３１の下降が開始されると、トップリング３１の高さを示す位置データがサーボモータ２０２から制御装置５に送られる。制御装置５は、サーボモータ２０２から送られた位置データに基づいて、トップリング３１の高さを測定する（ステップＳ１０２参照）。

以下、トップリング３１の高さを測定する上下動装置２０２の構成の一例について、説明する。上述したように、上下動装置２０２は、トップリングシャフト３６に接続されている。上下動装置２０２は、その内部に設けられたセンサ（例えば、エンコーダ）によって、トップリングシャフト３６の、所定の基準位置からの変位を検出する。この変位は、トップリング３１の位置の変位に相当する。

上下動装置２０２がトップリング３１を基準位置から下降（または上昇）させると、上下動装置２０２は、トップリング３１の、基準位置からの変位量を検出し、位置データとして、制御装置５に送る。制御装置５は、上下動装置２０２から送られる位置データに基づいて、トップリング３１の位置、すなわち、トップリング３１の高さを測定する。一実施形態では、制御装置５は、位置データとトップリング３１の高さとの相関関係を示すデータを予め記憶装置５ａに記憶してもよい。

図８はトップリング３１の高さを検出する距離センサを示す図である。一実施形態では、基板処理システム２００は、トップリング３１との距離を検出する距離センサ２４０を備えてもよい。距離センサ２４０は、制御装置５に電気的に接続されている。距離センサ２４０は、トップリング３１の上方に配置されている。距離センサ２４０は、トップリング３１の、基準位置からの変位量を検出し、この変位量を示す位置データを制御装置５に送る。制御装置５は、距離センサ２４０から送られた位置データに基づいて、トップリング３１の高さを測定する。

図６に戻り、ステップＳ１０２の後、制御装置５は、トップリング３１の高さと吸引開始位置とを比較して、トップリング３１の高さが吸引開始位置よりも低いか否かを判断する（ステップＳ１０３参照）。トップリング３１の高さが吸引開始位置よりも低くない場合、すなわち、トップリング３１の高さが吸引開始位置以上である場合（ステップＳ１０３の「Ｎｏ」参照）、制御装置５は、ステップＳ１０１に戻り、トップリング３１の下降動作を実行する。

トップリング３１の高さが吸引開始位置よりも低くなると（ステップＳ１０３の「Ｙｅｓ」参照）、図７（ｂ）に示すように、制御装置５は、真空形成機構２２０を動作させて、弾性バッグ４６の内部に真空を形成する（ステップＳ１０４参照）。

制御装置５は、真空形成機構２２０を動作させて、弾性バッグ４６の内部に第１真空圧力と、第１真空圧力よりも小さな第２真空圧力を形成するように構成されている。第１真空圧力は、第２真空圧力よりも大気圧に近い圧力である。したがって、弾性バッグ４６の内部の真空引きが開始されると、まず、弾性バッグ４６の内部に第１真空圧力が形成され、その後、第２真空圧力が形成される。

第１真空圧力はリテーナリング４０が上昇するまで、弾性バッグ４６を収縮させる圧力であり、第２真空圧力は弾性バッグ４６を完全に収縮させる圧力である。したがって、弾性バッグ４６の内部に第１真空圧力が形成されると、弾性バッグ４６は収縮し、リテーナリング４０は上昇する。弾性バッグ４６の内部に第２真空圧力が形成されると、弾性バッグ４６は完全に収縮する。

図６のステップＳ１０４では、制御装置５は、弾性バッグ４６の内部を徐々に真空引きし、弾性バッグ４６の内部に第１真空圧力を形成する。結果として、図７（ｂ）に示すように、リテーナリング４０は、弾性バッグ４６の収縮によって、トップリング本体３８の下面に接触しない高さまで上昇する。図７（ｂ）では、リテーナリング４０は、その下面がウェハＷの下面と同じ高さになるまで上昇する。

トップリング３１がトップリング下降位置まで下降される前に、弾性バッグ４６の内部に第２真空圧力が形成されると、弾性バッグ４６の一部にしわが寄った状態で、弾性バッグ４６が完全に収縮するおそれがある。結果として、リテーナリング４０は正常に上昇しないおそれがある。そこで、制御装置５は、上下動装置２０２（および／または真空形成機構２２０）を制御して、弾性バッグ４６の内部に第２真空圧力が形成される前に、トップリング３１をトップリング下降位置まで下降させる。

ステップＳ１０５に示すように、制御装置５は、トップリング３１をトップリング下降位置まで下降させる。図７（ｃ）に示すように、トップリング３１がトップリング下降位置まで下降すると、リテーナリング４０の下面が押し上げピン１４６（図５参照）に接触し、リテーナリング４０は、押し上げピン１４６によって僅かに押し上げられる。このとき、ばね１４７はリテーナリング４０によって僅かに縮む。その後、リテーナリング４０は、ばね１４７の付勢力によって、押し上げピン１４６に完全に押し上げられる（図７（ｄ）参照）。結果として、リテーナリング４０は、ウェハＷよりも上方の位置まで移動する。

このように、制御装置５は、トップリング３１の高さが吸引開始位置よりも低いことを条件として、真空形成機構２２０、より具体的には、真空弁２１２を開く。真空弁２１２が開かれると、弾性バッグ４６の内部は真空引きされる。したがって、基板処理システム２００は、弾性バッグ４６の内部に、リテーナリング４０の正常な上昇を阻害するような空気が残留することを防止することができ、押し上げピン１４６は、リテーナリング４０をウェハＷよりも上方の位置まで確実に移動させることができる。結果として、基板処理システム２００は、ウェハＷのリテーナリング４０との接触に起因するウェハＷの破損を防止することができ、ウェハＷを確実にリリースすることができる。

吸引開始位置は、弾性バッグ４６の内部の真空引きを開始するための位置であり、任意の値を設定することができる。吸引開始位置は、定数であり、可変である。一実施形態では、吸引開始位置は、リテーナリング４０が押し上げピン１４６に接触した後、リテーナリング４０の上昇が終了する前の、トップリング３１の高さに相当する位置であってもよい。

弾性バッグ４６の一部にしわが寄った状態（すなわち、捻れるように変形した状態）で、弾性バッグ４６の内部が真空引きされると、弾性バッグ４６は、その一部が重なるように収縮する。したがって、弾性バッグ４６の重なりが原因で、リテーナリング４０は、完全に上昇しないおそれがある。リテーナリング４０が押し上げピン１４６によって押し上げられると、弾性バッグ４６は、その断面が楕円になるように（すなわち、横に広がるように）、押しつぶされる。このタイミングで、弾性バッグ４６の内部を真空引きすることにより、弾性バッグ４６の一部にしわが寄ることなく、弾性バッグ４６の内部を真空引きすることができる。

弾性バッグ４６の内部を真空引きするタイミングは、上記タイミングには限定されない。他の実施形態では、吸引開始位置は、トップリング３１の下降が開始された後、リテーナリング４０が押し上げピン１４６に接触する前の、トップリング３１の高さに相当する位置であってもよい。

押し上げピン１４６がリテーナリング４０を押し上げると、押し上げピン１４６を上方に押すばね１４７（図４参照）には、弾性バッグ４６の押し下げ力（言い換えれば、ばね反力）が作用する。このようなばね反力は、ばね１４７の寿命を短くする原因となる。本実施形態によれば、弾性バッグ４６の内部に真空を形成することにより、ばね１４７に作用する負荷を低減することができるため、ばね１４７の寿命を長くすることができる。

リテーナリング４０は、ウェハＷの研磨中に研磨パッドの研磨面と摺接するため、リテーナリング４０の下面は徐々に摩耗する。一実施形態では、上記プログラムは、リテーナリング４０の摩耗量を測定する動作を処理装置５ｂに実行させ、リテーナリング４０の摩耗量に相当する距離（値）を吸引開始位置に反映する動作を処理装置５ｂに実行させる指令を含んでもよい。

リテーナリング４０の摩耗量の測定方法の一例は、以下の通りである。図５に示すように、基板処理システム２００は、リテーナリング４０の高さを測定する高さ測定センサ２３０を備えている。

図９は高さ測定センサ２３０を備えたリテーナリングステーション１４３を示す斜視図である。高さ測定センサ２３０は、押し上げ機構１４４を支持するサポートベース１４５に設置されており、高さ測定センサ２３０と押し上げ機構１４４の相対位置は固定されている。高さ測定センサ２３０は、リテーナリング４０の下方に配置された接触部２３０ａと、接触部２３０ａが固定されたセンサ部２３０ｂと、を備えている。高さ測定センサ２３０は、制御装置５に電気的に接続されている。高さ測定センサ２３０の一例として、変位センサを挙げることができる。

リテーナリング４０が下降すると、リテーナリング４０の下面は、高さ測定センサ２３０の接触部２３０ａに接触する。リテーナリング４０がさらに下降すると、接触部２３０ａは下方に移動する。センサ部２３０ｂは、接触部２３０ａの移動をリテーナリング４０の変位として検出する。制御装置５は、高さ測定センサ２３０によって検出された高さデータを取得し、リテーナリング４０の変位を測定する。

高さ測定センサ２３０の測定値は、リテーナリング４０の摩耗量によって変化する。したがって、制御装置５は、リテーナリング４０の変位の変化に基づいて、リテーナリング４０の摩耗量を測定する。制御装置５は、所定枚数のウェハＷが処理される毎に、この摩耗量の測定を実行してもよい。

制御装置５は、リテーナリング４０の摩耗量に相当する距離を吸引開始位置に反映する。例えば、制御装置５は、この距離だけ吸引開始位置を下降する。このような構成により、制御装置５は、リテーナリング４０の摩耗による影響を受けることなく、常に安定したタイミングで、真空引きを実行することができる。

図１０はリテーナリング４０の高さの時間変化を示すグラフである。図１０に示すように、制御装置５は、トップリング３１がトップリング下降位置に到達するまで、高さ測定センサ２３０によって、リテーナリング４０の高さの時間変化を測定する。図１０では、制御装置５は、リテーナリング４０の高さの時間変化のオーバーシュート量を測定している。ここで、「リテーナリング４０の高さ」は、高さ測定センサ２３０のセンサ出力を意味している。センサ出力は、次式で表すことができる。
センサ出力＝トップリングの下降量−弾性バッグの縮み量

このようなオーバーシュート現象が発生する一般的な理由は、次の通りである。制御装置５は、弾性バッグ４６の内部を大気開放した状態で、トップリング３１を下降させると、リテーナリング４０は、押し上げピン１４６に接触する（図１０のＰ１参照）。弾性バッグ４６の内部に残留する空気に起因して、リテーナリング４０は、押し上げピン１４６を僅かに押し下げる（図１０のＰ２参照）。その後、押し上げピン１４６は、リテーナリング４０（弾性バッグ４６）の押し下げ力に抗してリテーナリング４０を押し上げて、リテーナリング４０を完全に上昇させる。

このように、リテーナリング４０が押し上げピン１４６に接触してからリテーナリング４０の上昇が開始されるまでの間における、リテーナリング４０の高さの時間変化は、オーバーシュート現象と呼ばれている。オーバーシュート現象が発生すると、リテーナリング４０が完全に上昇するまでの間、ウェハＷをリリースすることができない。結果として、プロセス全体のスループットが低下してしまう。

図１１は制御装置５の動作の他の実施形態を示すフローチャートである。図１１に示す実施形態では、制御装置５は、吸引開始位置を自動的に変更するように構成されている。図１１に示す実施形態に係る制御装置５は、上述したオーバーシュート現象に起因する問題を解決することができる。図１１のステップＳ２０１に示すように、吸引開始位置の自動変更が実行される場合、制御装置５は、吸引開始位置をトップリング下降位置に決定する（吸引開始位置＝トップリング下降位置）。一実施形態では、制御装置５は、吸引開始位置をトップリング下降位置よりも高い位置に決定してもよい（吸引開始位置＞トップリング下降位置）。

図１１のステップＳ２０２およびステップＳ２０３に示すように、制御装置５は、トップリング３１の下降を開始し、トップリング３１の高さを測定する。その後、制御装置５は、トップリング３１の高さと吸引開始位置とを比較して、トップリング３１の高さが吸引開始位置以下である否かを判断する（ステップＳ２０４参照）。トップリング３１の高さが吸引開始位置以下でない場合、すなわち、トップリング３１の高さが吸引開始位置よりも高い場合（ステップＳ２０４の「Ｎｏ」参照）、制御装置５は、ステップＳ２０２に戻り、トップリング３１の下降動作を実行（継続）する。

トップリング３１の高さが吸引開始位置以下である場合（ステップＳ２０４の「Ｙｅｓ」参照）、制御装置５は、真空形成機構２２０を動作させて、弾性バッグ４６の内部に真空を形成する（ステップＳ２０５参照）。その後、制御装置５は、トップリング３１をトップリング下降位置まで下降させる（ステップＳ２０６参照）。上述したように、吸引開始位置の変更動作の初期時では、吸引開始位置およびトップリング下降位置は同一であるため、制御装置５は、ステップＳ２０６を省略する。

図１１のステップＳ２０７に示すように、制御装置５は、オーバーシュート量が許容範囲内か否かを判断し、オーバーシュート量が許容範囲内でない場合、すなわち、オーバーシュート量が許容範囲外である場合、吸引開始位置をトップリング下降位置よりも高い位置に変更する（ステップＳ２０８参照）。

一実施形態では、制御装置５は、吸引開始位置を初期時の位置（本実施形態では、トップリング下降位置）よりも所定の数値（例えば、１ｍｍ）だけ上昇させてもよい。この数値は、任意に設定することができる。他の実施形態では、制御装置５は、リテーナリング４０の最下降位置と最上昇位置との間の距離に基づいて、吸引開始位置の変更を決定されてもよい。

図１２はリテーナリング４０の最下降位置および最上昇位置を示す図である。図１２に示すように、リテーナリング４０の最下降位置は、リテーナリング４０が最も下降したときのリテーナリング４０の下面の位置である。リテーナリング４０の最上昇位置は、リテーナリング４０が最も上昇したときのリテーナリング４０の下面の位置である。制御装置５は、この最下降位置と最上昇位置との間の距離を所定の割合で分割して、分割された数値を吸引開始位置の変更に反映してもよい。

図１１のステップＳ２０８の後、制御装置５は、再び、ステップＳ２０２〜ステップＳ２０７を実行して、オーバーシュート量が許容範囲内か否かを判断する。オーバーシュート量が許容範囲内でない場合、制御装置５は、オーバーシュート量が許容範囲内に収まるまで、吸引開始位置をトップリング下降位置よりも高い位置に変更する動作を繰り返す。

このような動作を実行することにより、押し上げピン１４６がリテーナリング４０（弾性バッグ４６）に押し下げられる前に、制御装置５は、弾性バッグ４６の内部の真空引きを開始することができる。したがって、基板処理システム２００は、リテーナリング４０の高さのオーバーシュート量を低減することができ、結果として、速やかに、ウェハＷをリリースすることができる。

吸引開始位置が高すぎると、トップリング３１がトップリング下降位置に到達する前に、弾性バッグ４６の内部に第２真空圧力が形成される可能性がある。したがって、制御装置５は、吸引開始位置を、弾性バッグ４６の内部に第２真空圧力が形成される前にトップリング３１がトップリング下降位置に到達する高さに決定する。

図１３は制御装置５の動作のさらに他の実施形態を示すフローチャートである。図１３に示す実施形態では、制御装置５は、リテーナリング４０が所定の上昇位置まで完全に上昇しているか否かを確認する動作を実行する。上述したように、弾性バッグ４６の一部にしわが寄った状態（すなわち、捻れるように変形した状態）で、弾性バッグ４６の内部が真空引きされると、弾性バッグ４６は、その一部が重なるように収縮する。この場合、リテーナリング４０は、完全に上昇しないおそれがある。

そこで、制御装置５は、リテーナリング４０が完全に上昇しているか否かを判断する動作を実行してもよい。図１３のステップＳ３０１〜ステップＳ３０３に示すように、制御装置５は、トップリング３１の下降を開始し、弾性バッグ４６の内部に真空を形成し、トップリング３１をトップリング下降位置まで下降させる。

その後、制御装置５は、高さ測定センサ２３０から取得した高さデータに基づいて、リテーナリング４０の高さを測定し（ステップＳ３０４参照）、測定されたリテーナリング４０の高さが過去に測定されたリテーナリング４０の高さよりも高いか否かを判断する（ステップＳ３０５参照）。一実施形態では、過去に測定されたリテーナリング４０の高さは、過去に複数回測定されたリテーナリング４０の高さの平均であってもよい。他の実施形態では、過去に測定されたリテーナリング４０の高さは、直前に測定されたリテーナリング４０の高さであってもよい。

測定されたリテーナリング４０の高さが過去に測定されたリテーナリング４０の高さよりも高い場合（ステップＳ３０５の「Ｙｅｓ」参照）、制御装置５は、リテーナリング４０が完全に上昇していないと判断し、リトライ動作の開始を決定する（ステップＳ３０６参照）。その後、制御装置５は、トップリング３１を所定の位置まで上昇させ（ステップＳ３０７参照）、弾性バッグ４６の内部に加圧流体を供給した後、弾性バッグ４６の内部を大気開放する（ステップＳ３０８参照）。その後、制御装置５は、再び、ステップＳ３０１を実行する。

測定されたリテーナリング４０の高さが過去に測定されたリテーナリング４０の高さよりも高くない場合（ステップＳ３０５の「Ｎｏ」参照）、すなわち、測定されたリテーナリング４０の高さが過去に測定されたリテーナリング４０の高さ以下である場合、制御装置５は、リテーナリング４０は完全に上昇したと判断する。その後、ウェハＷがリリースされる。

このように、制御装置５は、過去に測定されたリテーナリング４０の高さに基づいて、リトライ動作を実行するか否かを決定する。本実施形態によれば、制御装置５は、リテーナリング４０が完全に上昇したと判断し、その後に、ウェハＷがリリースされる。したがって、基板処理システム２００は、ウェハＷをより確実にリリースすることができる。

一実施形態では、制御装置５は、過去に複数回測定されたリテーナリング４０の高さの平均または直前に測定されたリテーナリング４０の高さに基づいて、リトライしきい値を決定してもよい。リトライしきい値は、定数であってもよい。測定されたリテーナリング４０の高さを示す数値がリトライしきい値よりも高い場合、制御装置５は、リトライ動作を実行してもよい。

上述したすべての実施形態に係る制御装置５の動作を実行させるプログラムは、記憶装置５ａに格納されてもよい。上述したすべての実施形態は、可能な限り、組み合わされてもよい。制御装置５は、図６、図１１、および図１３に係る実施形態を、可能な限り、組み合わせて、制御フローを実行してもよい。

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。

１ ハウジング
２ ロード／アンロード部
３ 研磨部
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ 研磨ユニット
４ 洗浄部
５ 制御装置
６ 第１リニアトランスポータ
７ 第２リニアトランスポータ
１０ 研磨パッド
１１ リフタ
１２ スイングトランスポータ
２０ フロントロード部
２１ 走行機構
２２ 搬送ロボット
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ 研磨テーブル
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ トップリング
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ 研磨液供給ノズル
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ ドレッサ
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ アトマイザ
３６ トップリングシャフト
４０ リテーナリング
４２ 弾性パッド
４６ 弾性バッグ
５１〜５４，５６ 流体路
１４３ リテーナリングステーション
１４４ 押し上げ機構
１４５ サポートベース
１４６ 押し上げピン
１４７ ばね
１４８ ケーシング
１９０ 第１洗浄室
１９１ 第１搬送室
１９２ 第２洗浄室
１９３ 第２搬送室
１９４ 乾燥室
２００ 基板処理システム
２０２ 上下動装置
２０２ａ モータドライバ
２０２ｂ モータ本体
２０５ 加圧ライン
２０６ 圧力調整部
２０７ 加圧弁（開閉弁）
２１０ 真空ライン
２１１ 真空装置
２１２ 真空弁（開閉弁）
２１５ 大気開放ライン
２１６ 大気開放弁（開閉弁）
２２０ 真空形成機構
２３０ 高さ測定センサ
２３０ａ 接触部
２３０ｂ センサ部
２４０ 距離センサ

Claims (14)

1. 上下動可能なリテーナリングと、前記リテーナリングを上下動させる弾性バッグと、を備えたトップリングと、
   前記弾性バッグに連結された真空形成機構と、
   前記真空形成機構に接続された制御装置と、を備え、
   前記制御装置は、プログラムを格納した記憶装置と、前記プログラムに従って演算を実行する処理装置と、を備えており、
   前記プログラムは、トップリング下降位置まで下降する前記トップリングの高さを測定する動作を前記処理装置に実行させ、前記トップリングの高さと吸引開始位置とを比較する動作を前記処理装置に実行させ、前記トップリングの高さと前記吸引開始位置との比較結果に基づいて、前記弾性バッグの内部に真空を形成する動作を前記真空形成機構に実行させる、基板処理システム。
2. 前記プログラムは、前記トップリングの高さが前記吸引開始位置よりも低いことを条件として、前記弾性バッグの内部に真空を形成する動作を前記真空形成機構に実行させる、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記プログラムは、前記トップリングが前記トップリング下降位置に到達するまで、前記リテーナリングの高さの時間変化を測定する動作を前記処理装置に実行させ、前記時間変化のオーバーシュート量が所定の許容範囲内にあるか否かを比較する動作を前記処理装置に実行させ、前記オーバーシュート量が前記許容範囲内にないことを条件として、前記吸引開始位置を前記トップリング下降位置よりも高い位置に変更する動作を前記処理装置に実行させる、請求項１または２に記載の基板処理システム。
4. 前記プログラムは、前記オーバーシュート量が前記許容範囲内に収まるまで、前記吸引開始位置を前記トップリング下降位置よりも高い位置に変更する動作を繰り返す動作を前記処理装置に実行させる、請求項３に記載の基板処理システム。
5. 前記プログラムは、前記リテーナリングの最下降位置と最上昇位置との間の距離に基づいて、前記吸引開始位置を変更する動作を前記処理装置に実行させる、請求項３または４に記載の基板処理システム。
6. 前記プログラムは、前記リテーナリングの摩耗量を測定する動作を前記処理装置に実行させ、前記リテーナリングの摩耗量に相当する距離を前記吸引開始位置に反映する動作を前記処理装置に実行させる、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
7. 前記プログラムは、前記トップリングが前記トップリング下降位置まで下降した後、前記リテーナリングの高さを測定する動作を前記処理装置に実行させ、測定された前記リテーナリングの高さが過去に測定されたリテーナリングの高さよりも高いか否かを判断する動作を前記処理装置に実行させ、測定された前記リテーナリングの高さが過去に測定されたリテーナリングの高さよりも高いことを条件に、前記トップリングを再び下降させるリトライ動作の開始を決定する動作を前記処理装置に実行させる、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
8. 上下動可能なリテーナリングと、前記リテーナリングを上下動させる弾性バッグと、を備えたトップリングをトップリング下降位置まで下降させる動作をトップリング上下動装置に実行させるステップと、
   下降する前記トップリングの高さを測定するステップと、
   前記トップリングの高さと吸引開始位置とを比較する動作を実行するステップと、
   前記トップリングの高さと前記吸引開始位置との比較結果に基づいて、前記弾性バッグの内部に真空を形成する動作を、前記弾性バッグに連結された真空形成機構に実行させるステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
9. 前記トップリングの高さが前記吸引開始位置よりも低いことを条件として、前記弾性バッグの内部に真空を形成する動作を前記真空形成機構に実行させるステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、請求項８に記載の記録媒体。
10. 前記トップリングが前記トップリング下降位置に到達するまで、前記リテーナリングの高さの時間変化を測定するステップと、
    前記時間変化のオーバーシュート量が所定の許容範囲内にあるか否かを比較するステップと、
    前記オーバーシュート量が前記許容範囲内にないことを条件として、前記吸引開始位置を前記トップリング下降位置よりも高い位置に変更するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、請求項８または９に記載の記録媒体。
11. 前記オーバーシュート量が前記許容範囲内に収まるまで、前記吸引開始位置を前記トップリング下降位置よりも高い位置に変更するステップを繰り返すステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、請求項１０に記載の記録媒体。
12. 前記リテーナリングの最下降位置と最上昇位置との間の距離に基づいて、前記吸引開始位置を変更するステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、請求項１０または１１に記載の記録媒体。
13. 前記リテーナリングの摩耗量を測定するステップと、
    前記リテーナリングの摩耗量に相当する距離を前記吸引開始位置に反映するステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の記録媒体。
14. 前記トップリングが前記トップリング下降位置まで下降した後、前記リテーナリングの高さを測定するステップと、
    測定された前記リテーナリングの高さが過去に測定されたリテーナリングの高さよりも高いか否かを判断するステップと、
    測定された前記リテーナリングの高さが過去に測定されたリテーナリングの高さよりも高いことを条件に、前記トップリングを再び下降させるリトライ動作の開始を決定するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した、請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の記録媒体。

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