KR20040043026A - 리프팅 장치 - Google Patents
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Abstract
지지부 상의 공정물을 들어 올리기 위한 리프팅 장치가 개시되고 있다. 리프팅 장치는 상기 공정물을 지지하기 위한 상기 지지부를 관통하는 제1홀의 하부에 결합되며, 상기 제1홀과 동일한 중심축을 가지며 상기 중심축을 따라 제2홀이 형성되어 있는 소켓, 상기 소켓의 하부에 연결되는 벨로우즈 및 로드와 헤드를 포함하며, 상기 벨로우즈에 의해 상하로 이동되는 리프트 핀을 포함한다. 상기 제2홀과 상기 리프트 핀 사이에 유로가 형성되어 상기 벨로우즈가 수축하는 동안 상기 벨로우즈 내부의 가스가 원활하게 배출된다. 따라서 상기 리프트 핀을 상승시킬 때 상기 벨로우즈가 수축하여 내부의 가스가 빠져나오면서 허용 스트로크(stroke) 이상으로 리프트 핀을 들어올리는 파핑(popping)의 발생을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 지지부 상의 공정물을 로딩 또는 언로딩 하기 위한 리프팅 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 벨로우즈의 수축과 신장에 의해 상하로 움직이는 리프트 핀을 이용하여 지지부 상의 공정물을 로딩 또는 언로딩 하기 위한 리프팅 장치에 관한 것이다.
근래에 반도체 장치의 제조 기술은 정보 통신 기술의 비약적인 발전에 따라 집적도, 신뢰도 및 처리 속도 등을 향상시키는 방향으로 발전되고 있다. 상기 반도체 장치는 실리콘 단결정으로부터 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼를 제작하고, 상기 반도체 기판 상에 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.
상기 반도체 장치의 제조 공정은 증착, 사진, 식각, 이온주입, 연마 등의 단위 공정들로 이루어지고, 상기 단위 공정들을 적절하게 조합하여 순차적으로 수행함으로서 반도체 장치가 제조된다. 상기 단위 공정들 중 증착 공정은 반도체 기판 상에 목적하는 막을 형성하는 공정으로 제공되는 공정 가스의 유량 및 압력, 공정 챔버 내부의 압력 및 반도체 기판의 온도 등이 주요한 공정 조건이다.
상기 증착 공정을 수행하는 장치는 공정 챔버와 반도체 기판이 놓여지는 서셉터와 공정 가스 제공부 등을 구비한다. 상기 서셉터에 놓여지는 반도체 기판에 막을 형성하는 증착 장치에 관한 일 예는 미합중국 특허 제5,510,297호(issued to Telford, et al.)와 미합중국 특허 제5,565,382호(issued to Tseng, et al.)에 개시되어 있다.
도 1은 종래의 리프팅 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
증착 장치에서는 증착 공정이 진행되는 반응 챔버 내에 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프팅 장치와 연결되어 있는 서셉터(40)에 의해 상기 반도체 기판이 지지된다. 상기 리프팅 장치는 반도체 기판 이송 로봇의 작동에 맞추어 작동된다. 상기 반도체 기판 이송 로봇에 의해 상기 반도체 기판이 서셉터(40)의 상부로 이동되면, 상기 리프팅 장치의 벨로우즈(20)가 수축하면서 리프트 핀(30)이 서셉터(40)의 상부면의 위로 상승한다. 리프트 핀(30)이 상승하면서 상기 반도체 기판 이송 로봇의 암이 파지한 반도체 기판을 지지한다. 이후 상기 이송 로봇의 암이 빠져나가고, 벨로우즈(20)가 신장하면서 리프트 핀(30)이 하강한다. 따라서 상기 반도체 기판이 서셉터(40) 위에 로딩되게 된다.
한편 반도체 기판의 증착이 수행되는 챔버 분위기를 미리 조성하고, 측벽에 일정 두께만큼의 오염되지 않은 막을 형성하여 상기 반도체 기판의 증착이 효과적으로 수행되도록 하기 위해 반도체 기판이 로딩되지 않은 상태에서 프리 코팅(pre coating) 공정을 시행한다. 이 때 도 1에서와 같이 종래의 리프팅 장치의 리프트 핀(30)은 로드와, 상기 로드의 상부에 결합되며 원반 형상을 갖는 헤드를 포함한다. 상기 헤드는 프리 코팅 공정 중에 상기 리프팅 장치 내부에 상기 막이 증착되는 것을 방지하는 커버 역할을 한다. 상기 리프팅 장치에서 벨로우즈(20)가 수축하면서 리프트 핀(30)을 상승시키는데 이 때 벨로우즈(20) 내부의 가스가 소켓(10)의 홀과 리프트 핀(30) 사이의 공간을 통해 상기 리프팅 장치의 외부로 빠져나가게 된다. 상기 공간이 협소하기 때문에 상기 가스가 벨로우즈 내부에서 가압되고, 가압된 가스가 강한 압력으로 상기 헤드를 밀어 올리게 된다. 따라서 리프트 핀(30)이 허용 스트로크(stroke) 이상으로 상승하는 파핑(popping)이 발생된다.
도 2는 도 1에 도시된 리프팅 장치에서 발생하는 파핑을 설명하기 위한 도면으로, 점선으로 나타난 정상적인 리프트 핀의 위치(32)보다 파핑이 발생한 경우의 리프트 핀의 위치(34)가 h만큼 더 높다. 따라서 상기 이송 로봇에 의해 이송된 반도체 기판을 리프트 핀(30)이 지지하게 될 때 리프트 핀(30)의 높이가 같지 않으므로 반도체 기판이 미끄러지는 슬립 현상이 발생하거나, 이후 벨로우즈(20)가 신장되는 동안 리프트 핀(30)이 하강하지 않는 경우가 발생하여 반도체 기판 이송 로봇의 이송 암이 이동하면서 리프트 핀(30)을 부러지게 하는 문제점이 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 상기와 같은 파핑의 발생을 억제하고, 반도체 기판을 안정적으로 로딩 및 언로딩할 수 있는 리프팅 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 리프팅 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 리프팅 장치에서 발생하는 파핑을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 리프팅 장치를 포함하는 증착 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시한 서셉터와 소켓을 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 5는 상기 도 3에 도시된 리프트 핀의 구조를 설명하기 위한 사시도, 평면도 및 저면도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 리프팅 장치를 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 리프팅 장치110 : 소켓
112, 114, 142 : 홀120 : 벨로우즈(bellows)
130 : 리프트 핀132 : 로드
134 : 헤드136 : 그루브(groove)
140 : 서셉터150 : 플레이트
160 : 구동부200 : 챔버
210 : 가스 제공부220 : 배출구
W : 기판
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 공정물을 지지하기 위한 지지부의 상하로 관통하는 제1홀의 하부에 결합되며, 상기 제1홀과 동일한 중심축을 가지며 상기 중심축을 따라 제2홀이 형성되어 있는 소켓과, 상기 소켓의 하부에 연결되는 벨로우즈 및 상기 제2홀과 상기 벨로우즈의 중심축을 따라 내장되며, 상기 벨로우즈의 신장 및 수축에 의해 상하 이동하여 상기 공정물을 로딩 및 언로딩하기 위한 로드와, 상기 로드의 상단부에 형성되며, 상기 공정물을 지지하기 위한 헤드를 포함하는 리프트 핀을 구비하는 리프팅 장치를 제공한다.
상기 리프팅 장치에는 상기 벨로우즈가 수축하는 동안 상기 벨로우즈 내부의 가스를 배출하기 위한 유로가 상기 제2홀과 상기 리프트 핀 사이에 형성되어 있다. 따라서 상기 리프팅 장치는 벨로우즈가 수축하는 동안 상기 벨로우즈 내부의 가스가 상기 리프트 핀의 헤드를 허용 스트로크 이상으로 밀어올리는 파핑의 발생을 억제한다.
이하, 본 발명의 바람직한 제1실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 리프팅 장치를 포함하는 증착 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시한 서셉터와 소켓을 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 도시된 증착 장치는 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 프로세싱 공간을 제공하는 챔버(200)와, 챔버(200) 내부에 구비되어 반도체 기판(W)을 지지하는 서셉터(140), 서셉터(140)의 하부에서 반도체 기판(W)을 가열하기 위한 히터(미도시) 및 상기 막을 형성하기 위한 가스를 제공하는 샤워 헤드(210)를 구비한다.
서셉터(140)에는 반도체 기판(W)을 로딩 및 언로딩하는 다수개의 리프팅 장치(100)가 연결되어 있다. 리프팅 장치(100)는 반도체 기판(W)을 지지하는 서셉터(140)의 하부에 결합되는 소켓(110), 소켓(110)의 하부에 연결되는 벨로우즈(120) 및 벨로우즈(120)에 의해 상하로 이동되는 리프트 핀(130)을 포함한다. 또한 벨로우즈(120)를 구동하기 위한 구동부(160)를 더 포함한다.
챔버(200)의 상측 부위에는 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 가스를 제공하는 샤워 헤드(210)가 구비된다. 도시되지는 않았으나, 샤워 헤드(210)의 상부는 상기 가스를 제공하는 가스 제공부와 연결된다. 샤워 헤드(210)에는 챔버(200) 내부로 제공되는 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 고주파 전원이 연결되어 있다. 한편 챔버의 하부에는 막 형성 공정의 진행 도중에 발생하는 반응 부산물 및 미반응 가스를 배출하기 위한 배출구(220)가 형성되어 있다.
서셉터(140)의 형상은 전체적으로 원반 형상을 갖고, 리프팅 장치(100)의 소켓(110)이 연결되기 위한 상부면과 하부면을 관통하는 제1홀(142)이 형성되어 있다. 제1홀(142)은 2단으로 천공되며, 상부의 제1단(142a)을 형성하는 제1홀(142)보다 하부의 제2단(142b)을 형성하는 제1홀(142)이 더 큰 직경을 가지도록 형성된다. 제2단(142b)을 형성하는 제1홀(142)의 내측에는 소켓(110)과 결합되기 위한 제1나사산이 형성되어 있다.
리프팅 장치(100)의 형상을 살펴보면 우선 소켓(110)은 4단의 단차로 형성된다. 소켓(110)은 서셉터(140)의 제1홀(142)의 제1단(142a)과 대응하는 제1단차(110a), 서셉터(140)의 제1홀(142)의 제2단(142b)과 대응하며 외부면에 제2나사산이 형성되어 서셉터(140)의 제1홀(142)의 제2단(142b)과 나사 결합되기 위한 제2단차(110b), 서셉터(140)의 제1홀(142)을 통해 아르곤 가스가 서셉터(140)의 상부로 유출되는 것을 방지하기 위해 서셉터(140)의 하부면에 밀착되며, 서셉터(140)의 제1홀(142)의 제2단(142b)보다 더 큰 지름을 가지는 제3단차(110c) 및 벨로우즈(120)를 연결하기 위한 제4단차(110d)로 구성된다. 소켓(110)은 상기 단차들(110a, 110b, 110c, 110d)이 일체로 형성된다. 또한 소켓(110)은 서셉터(140)의 제1홀(142)과 동일한 중심축을 가지며, 상기 중심축을 따라 리프트 핀(130)이 삽입되며, 삽입되는 리프트 핀(130)을 가이드 하기 위한 제2홀(112)이 형성되어 있다. 제2홀(112)도 2단으로 형성되어 있다. 소켓(110)의 제1단차(110a) 부위에서 제2홀(112)의 단이 형성되고, 제2홀(112)에서 상부에 위치하는 제1단(112a)의 지름이 하부에 위치하는 제2단(112b)의 지름보다 크다.
벨로우즈(120)는 소켓(110)의 제4단차가 형성되어 있는 부분에 연결된다. 벨로우즈(120)는 유연성이 있는 요소이므로 신축이 가능하다. 따라서 벨로우즈(120)의 신축을 통해서 내부의 리프트 핀(130)을 상승 또는 하강시킨다. 상기 증착 공정이 진행되는 동안 공정 가스가 서셉터(140)와 히터 사이로 유입되는 것을 방지하기 위해 아르곤 가스가 공급되고, 상기 아르곤 가스의 일부가 소켓(110)이 결합되는 서셉터(140)의 제1홀(142) 뿐만 아니라 소켓(110)의 제2홀(112)을 통하여서도 서셉터(140) 상부로 유출된다. 유출된 아르곤 가스가 서셉터(140)에 안착된 반도체 기판(W)을 서셉터(140) 상에서 미끄러지게 하는 현상이 발생되며, 이는 반도체 기판(W)의 파손 또는 파티클 발생의 원인으로 작용한다. 상기의 원인 중 하나인 소켓(110)의 제2홀(112)을 통한 아르곤 가스가 유출을 막기 위해 벨로우즈(120)가 사용된다. 즉 벨로우즈(120)가 소켓(110)의 제4단차(110d)와 밀폐되도록 결합되어 상기 아르곤 가스의 유출을 막는다.
리프트 핀(130)은 로드(132)와, 로드(132)의 상부에 결합되며 원반 형상을 갖는 헤드(134)를 포함한다. 리프트 핀(130)은 소켓(110) 내부의 제2홀(112)을 관통하며, 소켓(110)의 하부에 연결된 벨로우즈(120)의 저면까지 삽입되어 구비된다. 이때 리프트 핀(130)의 헤드(134)는 소켓(110)에 형성되는 제2홀(112)의 제1단(112a)에, 리프트 핀(130)의 로드(132)는 소켓(110)에 형성되는 제2홀(112)의 제2단(112b)에 위치하도록 구비된다. 도 5에 도시된 바와 같이 벨로우즈(120)가 수축하는 동안 벨로우즈(120) 내부의 가스가 원활하게 리프팅 장치(100) 외부, 즉, 챔버 내부로 배출될 수 있도록 리프트 핀(130)의 측면에 리프트 핀(130)의 중심축 방향으로 로드(132)에서 헤드(134)까지 그루브(136)가 형성되어 있다. 벨로우즈(120)가 수축하는 동안 가압되는 벨로우즈(120) 내부의 가스가 리프트 핀(130)의 헤드(134)를 밀어 올리지 않고 그루브(136)를 통해 빠져나가므로 리프트 핀(130)이 허용 스트로크 이상으로 상승하는 파핑의 발생이 억제된다. 그루브(136)는 벨로우즈가 수축되는 동안 벨로우즈 내부에서 가압되는 가스를 서셉터의 상부로 원활하게 배출하기 위한 유로 역할을 한다. 리프트 핀(130)에 형성된 그루브(136)는 벨로우즈(120) 내부의 가스가 원활하게 배출되도록 3개정도 형성되는 것이 바람직하다.
상기 도면에서는 리프트 핀(130)에 그루브(136)가 형성되는 것만이 도시되었지만, 소켓(110)의 내측면에 소켓(110)의 중심축을 따라 제2그루브가 형성되고, 상기 제2그루브에 대응하는 리프트 핀(130)의 헤드 부위에 제3그루브가 형성되어 벨로우즈(120)가 수축하는 동안 벨로우즈 내부(120)의 가스를 배출하기 위한 유로를 형성할 수도 있다.
구동부(160)는 벨로우즈(120)를 신축하기 위한 구동력을 제공한다. 각각의 벨로우즈(120) 하부면과 연결되어 있는 플레이트(150)는 구동부(160)에 의해 상하 구동되며 벨로우즈(120)가 신축 구동하도록 구동부(160)의 구동력을 전달한다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 리프팅 장치를 나타내는 단면도이다. 도6에 도시된 바와 같이 본 발명이 바람직한 다른 실시예는 리프팅 장치(100)의 소켓(110)에 관한 것이다. 소켓(110)의 내부에 형성되는 제2홀(112)의 제2단(112b) 상부에서 소켓(110)의 제1단차(110a)의 측면까지 연장되는 제3홀(114)을 형성하여 벨로우즈(120)가 수축하는 동안 제3홀(114)을 통하여 벨로우즈(120)의 내부 가스가 리프트 핀(130)의 헤드를 밀어올리지 않고 외부로 원활하게 배출될 수 있도록 한다. 제3홀(114)은 벨로우즈가 수축되는 동안 벨로우즈 내부에서 가압되는 가스를 서셉터의 상부로 원활하게 배출하기 위한 유로 역할을 한다. 제3홀(114)은 수평으로 형성되거나 소켓(110) 외부에 위치한 제3홀(114) 부분이 소켓(110)의 내부에 위치한 제3홀(114) 부분보다 높이 위치하도록 소정 각도만큼 경사지게 형성되는 것이 바람직하다. 제3홀(114)도 벨로우즈(120) 내부의 가스를 보다 원활하게 배출할 수 있도록 3개정도 형성되는 것이 바람직하다.
여기서, 도 3 및 도 4에서 설명한 내용들은 중복 설명을 피하기 위해 생략하였다.
리프팅 장치(100)는 반도체 기판(W)을 안정적으로 지지하기 위해 적어도 3개인 것이 바람직하다.
상기에서는 제1실시예와 제2실시예가 각각 실시되는 것으로 설명되었지만, 보다 효과를 높이기 위하여 제1실시예와 제2실시예를 동시에 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리프팅 장치(100)의 각 구성 요소의 작용 관계에 대하여 상세히 설명한다.
상술한 바에 의하면, 증착 장치는 반도체 기판(W)의 증착이 수행되는 챔버 분위기를 미리 조성하고, 측벽에 일정 두께만큼의 오염되지 않은 증착물을 형성하여 반도체 기판(W)의 증착이 효과적으로 수행되도록 하기 위해 반도체 기판(W)이 로딩되지 않은 상태에서 프리 코팅(pre coating)을 시행한다. 이 때 도 3에서와 같이 리프팅 장치(100)의 리프트 핀(130)은 로드(132) 및 로드(132)의 상부에 결합되며 원반 형상을 갖는 헤드(134)를 포함하며, 헤드(134)는 프리 코팅 공정시 소켓(110)의 제2홀(112) 내부가 프리 코팅되지 않도록 커버 역할을 한다. 따라서 프리 코팅 공정시 리프팅 장치(100) 내부가 코팅되는 것을 방지한다.
프리 코팅 공정이 끝나면 반도체 기판(W)이 로딩된다. 반도체 기판(W) 이송 로봇에 의해 반도체 기판(W)이 서셉터(140)의 상부까지 이송되면 구동부(160)의 구동에 의해 플레이트(150)가 상방으로 이동한다. 따라서 플레이트에 각각 연결된 벨로우즈(120)가 수축하게 되고 벨로우즈(120)가 수축하면서 리프트 핀(130)을 밀어 올리게 된다. 벨로우즈(120)가 수축하는 동안 벨로우즈(120) 내부의 가스는 도 5에서와 같이 리프트 핀(130)의 측면에 리프트 핀(130)의 중심축 방향으로 형성된 그루브(136) 또는 도 6에서와 같이 소켓(110)에 형성되는 제2홀(112)의 제2단(112b) 상부에서 소켓(110)의 제1단차(110a)의 외부까지 연장되는 제3홀(114)을 통해 원활하게 외부 즉, 챔버 내부로 빠져나가게 된다.
리프팅 장치(100)에서 리프트 핀(130)에 형성된 그루브(136)와 소켓(110)에 형성되는 제3홀(114)은 제1실시예와 제2실시예에서 각각 형성되어 있지만, 벨로우즈(120)가 수축하는 동안 벨로우즈(120) 내부의 가스를 보다 원활하게 배출되도록 동시에 형성될 수 있다.
다음으로 상승된 리프트 핀(130)이 상기 이송 로봇이 이송한 반도체 기판(W)의 후면을 지지하게 되고, 상기 이송 로봇이 빠져나간다. 다시 구동부(160)의 구동에 의해 플레이트(150)가 하방으로 이동하면 플레이트(150)에 각각 연결된 벨로우즈(120)가 원래 모양으로 신장함에 따라 벨로우즈(120)에 의해 지지되는 리프트 핀(130)도 하강하게 된다. 이에 따라, 리프트 핀(130)에 의해 지지된 반도체 기판(W)이 서셉터(140)의 상부면에 로딩된다.
이후 증착 공정이 진행되고 막이 증착된 반도체 기판(W)은 로딩 과정의 역과정을 거쳐 언로딩된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상기 리프팅 장치에는 리프트 핀의 측면에 상기 리프트 핀의 중심축 방향을 따라 상기 로드와 상기 헤드에 형성된 그루브 또는 상기 소켓에 형성되는 제2홀의 제2단 상부에서 상기 소켓의제1단차의 외부까지 연장되는 제3홀이 형성되어 있다. 상기 벨로우즈가 수축하는 동안 상기 벨로우즈 내부의 가스가 상기 그루브나 상기 제3홀을 통해 원활하게 외부로 빠져나가게 된다. 따라서, 상기 가스가 빠져나가면서 커버 역할을 하는 상기 리프트 핀의 헤드를 밀어 리프트 핀이 허용 스트로크 이상으로 상승하는 파핑의 발생을 억제한다. 그러므로 반도체 기판을 상기 리프트 핀이 지지하게 될 때 상기 리프트 핀의 높이가 같지 않으므로 반도체 기판이 미끄러지거나, 이후 벨로우즈가 신장되는 동안 리프트 핀이 하강하지 않는 경우가 발생하여 반도체 기판 이송 로봇의 이송 암이 이동하면서 리프트 핀을 부러지게 하는 문제점을 원천적으로 방지한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
Claims (4)
- 공정물을 지지하기 위한 지지부의 상하로 관통하는 제1홀의 하부에 결합되며, 상기 제1홀과 동일한 중심축을 가지며 상기 중심축을 따라 제2홀이 형성되어 있는 소켓;상기 소켓의 하부에 연결되는 벨로우즈; 및상기 제2홀과 상기 벨로우즈의 중심축을 따라 내장되며, 상기 벨로우즈의 신장 및 수축에 의해 상하 이동하여 상기 공정물을 로딩 및 언로딩하기 위한 로드와, 상기 로드의 상단부에 형성되며, 상기 공정물을 지지하기 위한 헤드를 포함하는 리프트 핀을 구비하고,상기 벨로우즈가 수축하는 동안 상기 벨로우즈 내부의 가스를 배출하기 위한 유로가 상기 제2홀과 상기 리프트 핀 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 리프트 핀의 측면에 상기 리프트 핀의 중심축 방향으로 형성되는 그루브(groove)가 상기 유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2홀에서 상기 소켓의 측면까지 형성되는 제3홀이 상기 유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 벨로우즈를 신장 및 수축시키기 위한 구동력을 제공하는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020071018A KR20040043026A (ko) | 2002-11-15 | 2002-11-15 | 리프팅 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020071018A KR20040043026A (ko) | 2002-11-15 | 2002-11-15 | 리프팅 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040043026A true KR20040043026A (ko) | 2004-05-22 |
Family
ID=37339644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020071018A KR20040043026A (ko) | 2002-11-15 | 2002-11-15 | 리프팅 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040043026A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100646105B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2006-11-14 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 기판 승강부재 |
| KR100840971B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2008-06-24 | 세메스 주식회사 | 기판 서포트 및 이를 갖는 기판 코팅 장치 |
| KR20210048901A (ko) * | 2019-10-24 | 2021-05-04 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
2002
- 2002-11-15 KR KR1020020071018A patent/KR20040043026A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100646105B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2006-11-14 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 기판 승강부재 |
| KR100840971B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2008-06-24 | 세메스 주식회사 | 기판 서포트 및 이를 갖는 기판 코팅 장치 |
| KR20210048901A (ko) * | 2019-10-24 | 2021-05-04 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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