KR20060023021A - 리프팅 장치 - Google Patents

리프팅 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060023021A
KR20060023021A KR1020040071830A KR20040071830A KR20060023021A KR 20060023021 A KR20060023021 A KR 20060023021A KR 1020040071830 A KR1020040071830 A KR 1020040071830A KR 20040071830 A KR20040071830 A KR 20040071830A KR 20060023021 A KR20060023021 A KR 20060023021A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor substrate
electrostatic chuck
lift pins
load
sensor
Prior art date
Application number
KR1020040071830A
Other languages
English (en)
Inventor
조정현
채승기
권영민
이혁재
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040071830A priority Critical patent/KR20060023021A/ko
Publication of KR20060023021A publication Critical patent/KR20060023021A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

정전척 상으로부터 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프팅 장치에서, 다수의 리프트 핀들은 정전척의 상하를 관통하는 홀을 따라 상하 이동하며, 정전척의 하부에 배치되는 플레이트 상에 지지된다. 구동부는 상기 리프트 핀들을 이동시키기 위한 구동력을 제공하며, 상기 플레이트와 구동축을 통해 연결되어 있다. 상기 반도체 기판을 언로딩하는 동안 상기 리프트 핀들에 가해지는 압력은 상기 리프트 핀들과 결합된 센서에 의해 감지되며, 제어부는 상기 하중에 따라 상기 구동부의 동작을 제어한다. 따라서, 상기 반도체 기판의 언로딩 도중에 발생될 수 있는 반도체 기판의 파핑(popping)현상과 반도체 기판의 손상 등을 방지 할 수 있다.

Description

리프팅 장치{Apparatus for lifting a workpiece}
도 1은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 리프팅 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 리프팅 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 도 1에 도시된 리프팅 장치를 포함하는 증착 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10, 20 : 리프팅 장치 30 : 증착 장치
100, 200 : 서셉터 102, 202 : 홀
104, 204 : 리프트 핀 106, 206 : 플레이트
108, 208 : 센서 110, 210 : 구동부
112, 212 : 제어부 114, 214 : 고정부
116, 216 : 구동축 302 : 샤워헤드
304 : 배출부 W : 반도체 기판
본 발명은 정전척 상의 기판을 로딩 또는 언로딩하기 위한 리프팅 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구동부로부터 제공되는 구동력에 의해 상하로 움직이는 리프트 핀을 이용하여, 정전기력을 이용한 정전척 상에 반도체 기판을 로딩 또는 언로딩하기 위한 리프팅 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 제조 기술은 소비자의 다양한 욕구를 충족시키기 위해 집적도, 신뢰도, 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 발전하고 있다. 일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 반도체 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.
상기 패턴은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 화학적 기계적 연마(CMP) 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. 상기와 같은 단위 공정들에서는 반도체 기판을 지지하고, 고정시키는 척이 사용된다. 최근, 반도체 장치의 미세화 및 대용량화를 요구하는 반도체 기판 가공 기술에서는 매엽식 가공 공정 및 건식 가공이 선호됨에 따라 반도체 기판을 고정하는 방법도 크게 변하고 있다.
종래의 경우 단순히 클램프 또는 진공을 이용하여 반도체 기판을 고정하는 정도였으나, 최근에는 반도체 기판을 정전기력을 이용하여 고정시키는 정전척(electro static chuck : ESC)이 주로 사용되고 있다. 특히, 플라즈마 방전을 이용한 식각 장비의 경우 상기 정전척이 필수적인 장치로 사용되고 있다.
반도체 식각 장치에서 반도체 기판의 식각은 플라즈마에 의해 이루어지는데, 고온의 플라즈마와 접촉하는 반도체 기판의 손상을 방지하기 위해, 반도체 기판의 하부면에 헬륨 등의 냉각가스를 접촉시킨다. 이때 냉각가스의 분사 압력에 의해 반도체 기판이 들어올려지고 또한, 플라즈마 반응 챔버 안으로 냉각가스가 유입되므로 이를 방지하기 위해, 정전척으로는 인가된 직류전원의 정전기력에 의해 상기 반도체 기판을 고정시킨다.
상기 반도체 기판을 고정시킨 상태에서 반응 챔버 내로 공정 가스가 고주파 전원에 의해 플라즈마로 형성되어 반도체 기판을 식각한다. 식각이 완료되면, 인가된 전원을 차단하고, 동시에 상기 정전척과 반도체 기판의 전하는 접지되어 있는 전극에 의해 방전된다. 이어서, 리프트 핀은 홀을 통해 반도체 기판을 정전척으로부터 상향으로 들어올려 반도체 기판을 정전척으로부터 분리시킨다.
이때, 정전척의 직류전원을 중단하여도 반도체 기판 및 정전척 상의 잔류 전하가 완전하게 방전되지 않아, 상당 시간이 경과해도 반도체 기판이 정전척으로부터 분리되기 어려운 형상이 발생하게 된다. 이러한 상태에서 상기 리프트 핀으로 반도체 기판을 들어올리면 정전척 표면과 반도체 기판상의 잔류 전하로 인한 잔존 흡착력에 의해 반도체 기판이 튀어나오는 파핑(popping)현상과 반도체 기판의 손상이 발생된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 기판 상의 잔류 전하로 인한 잔존 흡착력에 의해 상기 반도체 기판이 갑자기 튕겨져 올라오는 파핑 현상과 상기 반도체 기판의 손상을 방지하고, 상기 반도체 기판을 안정적으로 로딩 및 언로딩할 수 있는 리프팅 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판을 정전기력을 이용하여 흡착하는 정전척의 상하를 관통하는 홀을 따라 상하 이동하며 상기 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수개의 리프트 핀들과, 상기 리프트 핀들을 수직 방향으로 지지하고, 수직 방향으로 제공되는 구동력에 의해 상기 리프트 핀들과 함께 상하 이동하는 플레이트가 상기 정전척의 하부에 위치하며, 상기 반도체 기판을 상기 정전척으로부터 언로딩하는 동안 상기 리프트 핀들에 가해지는 하중을 감지하기 위한 적어도 하나의 센서를 포함한다.
이때, 상기 센서와 연결되어 있으며, 상기 센서에 의해 감지된 하중과 기 설정된 하중을 비교하며, 상기 비교 결과가 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우, 상기 구동부의 동작을 중단시키기 위한 제어부를 더 포함한다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 리프팅 장치는 리프트 핀의 하중을 감지하여 상기 리프트 핀의 구동을 제어함으로써 반도체 기판을 언로딩할 때 상기 반도체 기판의 파핑 현상 및 반도체 기판의 손상을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 리프팅 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 리프트 장치(10)는 반도체 기판(W)을 지지하는 정전척 (100)과, 상기 반도체 기판(W)을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수개의 리프트 핀(104)들과, 상기 리프트 핀(104)들의 하부에 위치하고 리프트 핀(104)들을 수직방향으로 지지하며 수직 방향으로 제공되는 구동력에 의해 상기 리프트 핀(104)들과 연결되어 함께 상하 이동하는 플레이트(106)와, 상기 플레이트(106)를 구동시키기 위한 구동부(112)와, 상기 반도체 기판(W)을 지지하고 있는 리프트 핀(104)에 의한 하중을 감지하는 센서(108)와, 상기 센서(108)에서 감지된 하중과 기 설정된 하중을 비교하여 상기 리프트 핀(104)들의 구동을 제어하는 제어부(110)로 구성된다.
정전척(100)은 공정이 진행되는 동안 반도체 기판(W)을 지지하고, 고정시키기 위해 정전기력으로 흡착한다. 상세히 도시되지 않았으나, 상기 정전척(100)의 내부에는 정전기력을 발생시키기 위한 전극이 내장되어 있으며, 상기 전극에는 외부에서 일정한 직류전원이 인가된다.
상기 정전척(100)에는 상하부를 관통하는 다수의 홀(102)들이 형성되어 있다. 상기 홀(102)들을 따라 리프트 핀(104)들이 상하로 구동하며, 상기 플레이트(106) 상에는 리프트 핀(104)들의 하단 부위를 플레이트(106) 상에 고정시키기 위한 고정부(114)가 구비되며, 상기 플레이트(106)와 상기 고정부(114)는 일체로 형성될 수 있다.
리프트 핀(104)은 적어도 세 개 이상이어야 정상적으로 기능하며, 반도체 기판(W)을 소정의 반도체 공정을 하기 위해 정전척(100) 상에 올려놓거나(로딩) 상기 반도체 공정을 수행한 후 정전척(100)으로부터 분리하는데(언로딩) 사용된다.
구체적으로, 리프트 핀(104)은 반도체 기판(W) 이송 로봇의 작동에 맞추어 작동된다. 상기 반도체 기판(W) 이송 로봇(미도시)에 의해 상기 반도체 기판(W)이 정전척(100)의 상부로 이동되면, 상기 리프트 핀(104)이 정전척(100)의 상부면의 위로 상승한다. 리프트 핀(104)이 상승하면서 상기 반도체 기판(W) 이송 로봇의 암(미도시)이 파지한 반도체 기판(W)을 지지한다. 이후 상기 이송 로봇의 암이 빠져나가고, 리프트 핀(104)이 하강한다. 따라서 상기 반도체 기판(W)이 정전척(100) 위에 로딩하게 된다.
이후 소정의 반도체 공정이 수행되고, 공정이 끝난 반도체 기판(W)은 로딩 과정의 역과정을 거쳐 언로딩된다.
언로딩을 수행하는 동안 정전척(100)과 반도체 기판(W) 사이에 잔존하는 정전기력 및 상기 리프트 핀(104)에 의해 반도체 기판(W)에 작용되는 구동력에 의해 반도체 기판(W)이 튀어오르거나 손상될 수 있다. 잔존 정전기력이 생성되는 과정은 이후에 자세하게 설명하겠다.
센서(108)는 다수의 리프트 핀(104)들과 상기 플레이트(106)사이에 결합되어 있으며, 상기 반도체 기판(W)과 정전척(100) 사이의 잔존하는 정전기력을 하중으로 감지하는 기능을 한다. 도시된 바에 의하면, 리프트 핀(104)들과 플레이트(106) 사이에 각각 센서(108)들이 결합되어 있으나. 리프트 핀(104)들 중에 하나와 플레이트(106) 사이에 하나의 센서(108)만이 장착될 수도 있다.
상기 센서(108)는 리프트 핀(104)에 의한 하중을 감지하기 위한 압력 센서이며, 상기 센서(108)의 예로는 압전 센서 또는 로드셀 등이 있다. 압전센서는 하중에 따른 전류를 발생시키고 상기 전류는 제어부(110)로 전송하며, 로드셀은 외력에 비례하여 변형되는 물리적 변화량을 전기적 신호로 변화하여 제어부(110)로 전송한다.
제어부(110)는 상기 센서(108)와 연결되어 있으며, 상기 센서(108)부터 측정된 하중과 기 설정된 하중을 비교하여 리프트 핀(104)의 구동을 제어한다.
구체적으로, 상기 센서(108)에 의해 측정된 하중과 기 설정된 하중을 비교하여 반도체 기판(W) 및 정전척(100) 내에 잔류 전하의 여부를 판단한다. 즉, 측정된 하중이 기 설정된 하중의 범위에 속하는 경우 반도체 기판(W) 및 정전척(100) 내에 잔류 전하는 존재하지 않아 언로딩을 수행할 수 있는 것으로 판단한다. 이와는 다르게 측정된 하중이 기 설정된 하중의 범위를 초과하는 경우, 반도체 기판(W) 및 정전척(100) 내에 잔류 전하가 존재하는 것으로 판단한다. 따라서 상기 리프트 핀(104)은 언로딩을 수행하지 않고 인터락(inter lock)하고, 리프트 핀(104)을 내린 후 소정의 시간을 두어 잔류 전하가 모두 방전된 후 언로딩을 수행하여 파핑 현상과 반도체 기판(W)의 손상을 방지 할 수 있다. 상기 인터락은 잔류 전하가 모두 방전될 때까지 여러 번 수행되어질 수 있다.
구동부(112)는 제어부(110)와 연결되어 있고, 구동축(116)을 통해 플레이트(106)와 연결되며, 제어부(110)로부터 판단되어진 결과에 의해 상하 방향으로 구동력을 제공한다. 자세하게 도시되지 않았으나, 상기 구동부(112)로는 다양한 장치들이 사용될 수 있으며, 수직 방향으로 왕복 운동력을 제공할 수 있으면 족하다. 예를 들면, 상기 구동부(112)로는 공압 또는 유압 실린더 또는 모터를 포함하는 리니어 운동 기구 등이 사용될 수 있다.
도 2은 본 발명의 제2 실시예에 따른 리프팅 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2를 참조하면, 리프팅 장치(20)는 정전척(200), 리프트 핀(204), 플레이트(206), 구동부(212), 센서(208) 및 제어부(210) 등을 포함한다.
센서는 플레이트(206)와 구동부(212)를 연결하는 구동축(216) 사이에 결합되어 있으며, 다수 개의 리프트 핀(204)들에 가해지는 하중을 감지한다.
상기 다른 구성 요소들은 도 1을 참조하여 이미 설명된 리프팅 장치와 동일하므로 이들에 대한 추가적인 상세 설명은 생략하기로 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 상기 리프팅 장치를 이용하여 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 증착 장치를 이용한 막을 형성하는 공정을 간단하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 리프팅 장치를 포함하는 증착 장치를 설명하기 위한 구성도 있다.
도 3을 참조하면, 도시된 증착 장치(30)는 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 공간을 제공하는 챔버(300)와, 챔버(300) 내부에 구비되어 반도체 기판(W)을 흡착하여 지지하는 정전척(100)과, 상기 반도체 기판(W)을 정전척(100) 상에/으로부터 로딩 및 언로딩하기 위한 리프팅 장치(10)와, 상기 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 가스를 제공하는 샤워헤드(302)를 구비한다.
상기 리프팅 장치는 정전척(100)과, 리프트 핀(104)과, 플레이트(106)와, 센서(108), 구동부 및 제어부(110)를 포함한다.
챔버(300)의 상측 부위에는 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 가스를 제공하는 샤워 헤드(302)가 구비된다. 도시되지는 않았으나, 샤워 헤드(302)의 상부는 상기 가스를 제공하는 가스 제공부와 연결된다. 한편 챔버의 하부에는 막 형성 공정의 진행 도중에 발생하는 반응 부산물 및 미반응 가스를 배출하기 위한 배출부(304)가 형성되어 있다.
정전척(100)은 챔버(300) 내부의 하부에 위치하며, 반도체 기판(W)을 지지하고 회전시킨다. 정전척(100)을 관통하는 홀(102)들을 따라 리프트 핀(104)들이 위치하고 상기 리프트 핀(104)들은 플레이트(106) 상에 결합되어 있는 고정부(114)에 의해 수직으로 지지된다. 상기 리프트 핀(104)들은 구동부(112)의 구동력으로 상하 구동하여 상기 반도체 기판(W)을 정전척 상으로 로딩 및 언로딩하는 기능을 한다. 상기 리프트 핀(104)들과 플레이트(106) 사이에 결합되어 있는 센서(108)는 리프트 핀(104)의 의한 하중을 감지하는 기능을 한다.
구동부(114)는 챔버(300)의 하부에 배치되며, 상기 플레이트(106) 하부에 결합하여 챔버 하부로 연장하는 구동축(116)을 통해 플레이트(106)에 구동력을 제공한다. 상기 구동부(114)는 제어부(110)와 연결되어 있고, 상기 제어부(110)는 챔버(300) 내부의 센서(108)와 연결되어 센서(108)에서 감지한 하중을 기 설정된 하중과 비교하여 상기 리프트 핀(104)의 구동을 제어한다.
리프팅 장치의 구성요소들은 도 1을 참조하여 이미 설명된 리프팅 장치와 동일하여 중복 설명을 피하기 위해 생략하기로 한다.
증착 장치(30)를 이용하여 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하는 증착 공정은 반응 챔버(300)의 정전척(100) 상에 반도체 기판(W)을 로딩하는 단계와 상기 반도체 기판(W) 상에 막이 형성되도록 샤워헤드(302)를 통해 가스를 배출하여 막을 형성하는 단계 및 막 형성 후, 상기 반도체 기판(W)을 상기 정전척(100)으로부터 언로딩하는 단계를 포함한다.
구체적으로, 반도체 기판(W) 이송 로봇(미도시)에 의해 상기 반도체 기판(W)이 정전척(100)의 상부로 이동되면, 상기 리프팅 장치의 리프트 핀(104)이 상승하여 정전척(100)의 상부면 위로 상승한다. 리프트 핀(104)이 상승하면서 상기 반도체 기판(W) 이송 로봇의 암이 파지한 반도체 기판(W)을 지지한다. 이후 상기 이송 로봇의 암으로부터 반도체 기판(W)은 분리되며, 상기 이송 로봇의 암은 빠져나가고, 리프트 핀(104)이 하강한다. 따라서 상기 반도체 기판(W)이 정전척(100) 위로 로딩된다.
이어서, 상기 반도체 기판(W)이 로딩된 정전척(100)으로 일정한 직류전원이 인가된다. 이때, 정전척(100)과 반도체 기판(W)사이에 정전기적 인력이 발생하고, 상기 정전기적 인력으로 상기 반도체 기판(W)을 고정시킨다. 그리고, 반도체 기판(W)이 고정된 상태에서 반도체 기판(W) 상에 막을 형성한다.
상기 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위해 샤워 헤드를 이용하여 가스를 제공한다. 도시되지는 않았으나, 샤워헤드(302)의 상부는 가스를 제공하는 가스 제공부와 연결되어 있다. 또한, 상기 샤워헤드(302)는 챔버(300) 내부로 제공되는 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 고주파 전원이 연결되어 있다. 한편 챔버(300)의 하부에는 막 형성 공정의 진행 도중에 발생하는 반응 부산물 및 미반응 가 스를 배출하기 위한 배출구(304)가 형성되어 있다.
상기 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하는 공정 이후, 상기 정전척(100)으로 인가되는 전원이 차단되고, 전원이 차단되면 상기 정전척(100) 내부에 위치하고 접지 되어있는 전극을 통해 상기 정전기 전하들이 방전된다. 이때, 리프트 핀(104)은 홀(102)을 통해 반도체 기판(W)을 정전척(100)으로부터 상향으로 들어올리게 된다. 자세하게, 반도체 기판(W)을 흡착하여 지지하고 있는 정전척(100) 상부면 위로 상기 리프트 핀(104)이 상승하는 동시에 상기 반도체 기판(W)이 상승하며, 반도체 기판(W) 이송 로봇 암이 상기 반도체 기판(W)을 파지하고 이송한다. 이후 상기 이송 로봇의 암이 빠져나가고, 리프트 핀(104)이 하강한다.
이때, 정전척(100)의 전원을 차단하더라도 반도체 기판(W) 및 정전척(100)에는 잔류 전하가 존재할 수 있다. 상기 잔류 전하는 접지되어 있는 전극에 의해 완전하게 방전되지 않아 발생된다. 이 잔류 전하로 인한 잔존 흡착력이 정전척(100)과 반도체 기판(W) 상에 존재하므로 상기 리프트 핀(104)으로 반도체 기판(W)을 들어올리면, 상기 리프트 핀(104)에 받는 하중은 잔류 전하가 완전히 방전된 리프트 핀(104)에 받는 하중보다 크다.
따라서, 측정된 하중이 기 설정된 하중의 범위보다 크면 언로딩을 수행하지 않고 인터락(inter lock)하여 언로딩을 정지시키고, 리프트 핀(104)을 내린 후 소정의 시간동안 정지한 후 다시 리프트 핀(104)을 올려 언로딩 단계를 수행한다. 상기 인터락은 상기 잔류 전하가 완전히 방전될 때까지 여러번 수행되어질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 소정의 반도체 공정을 수행 한 후, 반도체 기판을 정전척으로부터 분리하는 과정에서, 상기 정전척으로부터 반도체 기판을 상승시키기 위한 리프트 핀에 가해지는 하중을 감지할 수 있는 센서를 더 구비하여 기 설정된 하중보다 측정된 하중이 클 경우 리프팅 핀을 상승시켜 상기 반도체 기판을 정전척으로부터 분리하지 않고, 인터락(interlock)하여 언로딩을 정지시킨다. 이어서, 리프트 핀을 내린 후 일정시간 후 다시 리프트 핀을 올려 반도체 기판의 손상을 방지 할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 기판을 정전기력을 이용하여 흡착하는 정전척의 상하를 관통하는 홀을 따라 상하 이동하며 상기 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수개의 리프트 핀;
    상기 정전척의 하부에 위치하고, 상기 리프트 핀들을 수직 방향으로 지지하고, 수직 방향으로 제공되는 구동력에 의해 상기 리프트 핀들과 함께 상하 이동하는 플레이트; 및
    상기 기판을 상기 정전척으로부터 언로딩하는 동안 상기 리프트 핀들에 가해지는 하중을 감지하기 위한 적어도 하나의 센서를 포함하는 리프팅 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구동력을 제공하기 위한 구동부와, 상기 구동부와 상기 플레이트 사이를 연결하며 상기 구동력을 전달하기 위한 구동축을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 센서와 연결되어 있으며, 상기 센서에 의해 감지된 하중과 기 설정된 하중을 비교하며, 상기 비교 결과가 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우, 상기 구동부의 동작을 중단시키기 위한 제어부를 더 포함하는 리프팅 장치.
  4. 제2항에 있어서, 다수개의 센서는 리프트 핀들과 상기 플레이트 사이에 결합 되어 있는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 센서는 플레이트와 상기 구동축 사이에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 센서는 압전 센서 또는 로드셀인 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
KR1020040071830A 2004-09-08 2004-09-08 리프팅 장치 KR20060023021A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040071830A KR20060023021A (ko) 2004-09-08 2004-09-08 리프팅 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040071830A KR20060023021A (ko) 2004-09-08 2004-09-08 리프팅 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060023021A true KR20060023021A (ko) 2006-03-13

Family

ID=37129359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040071830A KR20060023021A (ko) 2004-09-08 2004-09-08 리프팅 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060023021A (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080040342A (ko) * 2006-11-03 2008-05-08 주식회사 에이디피엔지니어링 정전력 측정장치 및 이를 이용한 정전력 측정방법
KR101274897B1 (ko) * 2010-01-14 2013-06-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유지체 구조, 로드 록 장치, 처리 장치 및 반송 기구
CN104576491A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种顶针升降装置和反应腔室
CN106571317A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种晶片粘片处理方法和装置
CN106571316A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种晶片粘片处理方法和装置
WO2024063873A1 (en) * 2022-09-22 2024-03-28 Applied Materials, Inc. Method of electrostatic chuck motion control for wafer breakage prevention
US11984344B2 (en) 2019-11-25 2024-05-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Lift apparatus and substrate processing apparatus including the same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080040342A (ko) * 2006-11-03 2008-05-08 주식회사 에이디피엔지니어링 정전력 측정장치 및 이를 이용한 정전력 측정방법
KR101274897B1 (ko) * 2010-01-14 2013-06-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유지체 구조, 로드 록 장치, 처리 장치 및 반송 기구
CN104576491A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种顶针升降装置和反应腔室
CN106571317A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种晶片粘片处理方法和装置
CN106571316A (zh) * 2015-10-09 2017-04-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种晶片粘片处理方法和装置
US11984344B2 (en) 2019-11-25 2024-05-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Lift apparatus and substrate processing apparatus including the same
WO2024063873A1 (en) * 2022-09-22 2024-03-28 Applied Materials, Inc. Method of electrostatic chuck motion control for wafer breakage prevention

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11024517B2 (en) Apparatus and transfer unit which measures weight remaining on a substrate
US8409995B2 (en) Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method
US7556246B2 (en) Unloading method of object, program storage medium, and mounting mechanism
US8383000B2 (en) Substrate processing apparatus, method for measuring distance between electrodes, and storage medium storing program
JP5449382B2 (ja) 触覚ウェハ昇降装置とその操作方法
WO2000059007A1 (en) Perimeter wafer lifting
KR20060023021A (ko) 리프팅 장치
US8416555B2 (en) System for securely dechucking wafers
KR20090130786A (ko) 진공처리장치의 리프트장치 및 그 제어방법
US7995323B2 (en) Method and apparatus for securely dechucking wafers
KR20060130966A (ko) 리프트 핀
KR102076166B1 (ko) 정렬부가 포함된 카세트모듈 로드락 장치
US8000081B2 (en) Method and apparatus for safely dechucking wafers
KR20230161753A (ko) 와피지 제어 가능한 진공 흡착핀을 구비하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR20070010667A (ko) 리프트 장치를 채택한 반도체 제조설비
KR20210020592A (ko) 정전척, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20090005878A (ko) 기판 지지부재 및 상기 기판 지지부재의 기판 처리 방법
KR20080061109A (ko) 정전척 어셈블리 및 이를 갖는 막 형성 장치
JP6628681B2 (ja) 接合装置、接合システムおよび接合方法
KR20060133313A (ko) 반도체 제조 장치
JP2003109999A (ja) 基板処理装置
KR200284626Y1 (ko) 수평 증착장치
KR20070062776A (ko) 반도체 소자 제조 설비
KR20040043026A (ko) 리프팅 장치
CN117352454A (zh) 一种静电吸盘的检测装置及其检测方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination