KR20060133313A - 반도체 제조 장치 - Google Patents

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KR20060133313A
KR20060133313A KR1020050053111A KR20050053111A KR20060133313A KR 20060133313 A KR20060133313 A KR 20060133313A KR 1020050053111 A KR1020050053111 A KR 1020050053111A KR 20050053111 A KR20050053111 A KR 20050053111A KR 20060133313 A KR20060133313 A KR 20060133313A
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 슬라이딩을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치에 관한 것이다. 본 발명은, 챔버 내에 설치되어 웨이퍼를 정전기력으로 로딩시키는 정전척과, 상기 웨이퍼를 상승 및 하강시키는 웨이퍼 리프트 핀과, 상기 웨이퍼 리프트 핀을 동작시키는 구동기와, 상기 리프트 핀 하부에 설치된 무게 감지기를 포함한다. 상기 무게 감지기는 특정 무게 이상을 감지하면 상기 웨이퍼 리프트 핀을 하강시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 리프트 핀 벨로우즈 위에 전자 저울을 설치하여 특정 무게 이상으로 무게가 감지되면 인터록을 설정하여 리프트 핀이 다시 하강되게 함으로써 웨이퍼 슬라이딩을 억제한다. 이에 따라, 웨이퍼 슬라이딩에 동반되는 웨이퍼 파손 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
반도체, 정전척, 웨이퍼 리프트 핀

Description

반도체 제조 장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100; 반도체 제조 장치 110; 챔버
120; 정전척 122; 개구
130; 웨이퍼 리프트 핀 140; 핀 벨로우즈
150; 에어 실린더 160; 전자 저울
본 발명의 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 슬라이딩을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해선 여러 다양한 프로세스가 동원되고 각 프로세스를 진행하기에 적합한 반도체 생산 설비가 사용된다. 반도체 생산 설비 중 정전척(ESC)을 사용하는 설비(예; 에칭 설비)에서 프로세스가 끝난 다음 디스차아지(discharge)를 실시하고 웨이퍼 리프트 핀(wafer lift pin)이 상승됨으로써 웨이퍼를 정전척으로부터 언로딩한다.
그런데, 디스차아지가 불완전할 경우 정전척 위에 잔류 정전기가 남아서 웨이퍼가 상승되는 웨이퍼 리프트 핀에 의해 슬라이딩되는 경우가 종종 있었다. 이러한 웨이퍼 슬라이딩은 웨이퍼 트랜스퍼 로봇에 의한 웨이퍼 파손 현상을 동반하는 일이 때때로 있었다.
본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 슬라이딩을 억제함으로써 웨이퍼 파손 현상을 없애거나 최소화 할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 특정 무게 이상이 감지되면 상승된 웨이퍼 리프트 핀을 다시 하강시킴으로써 웨이퍼 리프트 핀의 상승에 의한 웨이퍼 슬라이딩 내지 웨이퍼 파손을 방지하는 것을 특징으로 한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 챔버 내에 설치되어 웨이퍼를 정전기력으로 로딩시키는 정전척과, 상기 웨이퍼를 상승 및 하강시키는 웨이퍼 리프트 핀과, 상기 웨이퍼 리프트 핀을 동작시키는 구동기와, 상기 리프트 핀 하부에 설치된 무게 감지기를 포함한다. 상기 무게 감지기는 특정 무게 이상을 감지하면 상기 웨이퍼 리프트 핀을 하강시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 무게 감지기는 전자 저울을 포함한다. 상 기 구동기는 에어 실린더를 포함한다. 상기 에어 실린더와 상기 웨이퍼 리프트 핀 사이에는 상기 에어 실린더에서 발생된 구동력을 상기 웨이퍼 리프트 핀에 전달하는 핀 벨로우즈를 더 포함한다. 상기 특정 무게는 상기 웨이퍼 리프트 핀과 상기 웨이퍼의 무게의 합이다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 특정의 프로세스가 진행되는 밀폐된 공간을 정의하는 챔버와, 상기 챔버 내의 내부 공간에 설치되어 웨이퍼가 로딩되는 장소를 제공하는 정전척과, 상기 정전척에의 웨이퍼 로딩 및 언로딩을 위해 상기 정전척 위로 상승 및 하강 가능한 웨이퍼 리프트 핀과, 상기 웨이퍼 리프트 핀의 상승 및 하강 동작을 구현시키는 구동력을 발생시키는 에어 실린더와, 상기 웨이퍼 리프트 핀과 상기 에어 실린더 사이에 설치되어 특정 무게 이상이면 상기 웨이퍼 리프트 핀을 하강시키는 전자 저울을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 변형 실시예에 있어서, 상기 특정 무게은 상기 웨이퍼 리프트 핀과 상기 웨이퍼의 무게의 합이다.
본 발명에 의하면, 리프트 핀 아래에 전자 저울을 설치하여 전자 저울이 특정 무게 이상으로 무게가 감지되면 인터록을 설정하여 리프트 핀이 다시 하강되게 함으로써 웨이퍼 슬라이딩을 억제한다.
이하 본 발명에 따른 반도체 제조 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 반도체 제조 장치(100)는 특정의 프로세스가 진행되는 밀폐된 공간을 제공하는 챔버(110)와, 챔버(100) 내에 설치되어 특정의 프로세스 대상물인 웨이퍼(W)가 장착되는 척(120)과, 정전척(120)으로의 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩을 위해 정전척(120) 하부에는 웨이퍼 리프트 핀(130)이 구비되어 있다. 그리고, 웨이퍼 리프트 핀(130)을 상승 및 하강시키는 동력을 발생시키는 에어 실린더(150)와 에어 실린더(150)로부터 발생하는 구동력을 웨이퍼 리프트 핀(130)으로 전달하는 핀 벨로우즈(140)가 더 구비된다.
여기서의 척(120)은 정전기력을 이용하여 웨이퍼(W)를 견고히 밀착시켜 장착하는 정전척(120)이다. 이 리프트 핀(130)은 에어 실린더(150)의 동작에 의해 상승 및 하강하여 웨이퍼(W)를 정전척(120)상에 로딩 및 언로딩시킨다. 정전척(120)에는 리프트 핀(130)이 정전척(120) 위로 이동 가능하게 삽입될 수 있도록 리프트 핀(130)의 수와 동일한 수의 개구(122)가 형성되어 있다.
웨이퍼(W)의 정전척(120)으로의 로딩은 다음과 같은 동작에 의한다. 웨이퍼(W)가 웨이퍼 이송 로봇(미도시)에 의해 챔버(110) 내로 이송되어 정전척(120) 위 에 위치한다. 그러면, 에어 실린더(150)가 웨이퍼 리프트 핀(130)을 상승시켜 웨이퍼(W)의 배면이 리프트 핀(130)에 놓이게 한다. 리프트 핀(130)상에 웨이퍼(W)가 놓이면 에어 실린더(150)는 리프트 핀(130)을 하강시키고 이에 따라 웨이퍼(W)가 정전척(120) 상에 놓이게 한다. 그리고, 정전척(120)을 차아지(charge)시켜 정전기력으로 정전척(120) 상에 웨이퍼(W)가 견고히 로딩되도록 한다.
웨이퍼(W)의 정전척(120)으로부터의 언로딩은 다음과 같다. 정전척(120)을 디스차아지(discharge)시켜 정전기력을 소멸시킨다. 에어 실린더(150)는 리프트 핀(130)을 상승시켜 웨이퍼(W)가 정전척(120)으로부터 이탈시킨다.
그런데, 디스차아지가 불완전할 경우 정전척(120)에는 잔류 정전기가 남게 된다. 잔류 정전기력에 의해 웨이퍼(W)가 정전척(120)에 그대로 밀착되어 있는 상태에서 리프트 핀(130)이 상승할 경우 웨이퍼(W)를 강제로 밀어올리게 된다. 그러면, 웨이퍼(W)의 어느 한쪽이 다른 한쪽에 비해 들어올리게 되어 웨이퍼(W)가 슬라이딩되고 심지어는 웨이퍼(W)가 척(120) 아래로 떨어지거나 웨이퍼 이송 로봇에 의해 충격을 받아 파손될 수 있다.
따라서, 본 발명에선 리프트 핀(130)과 핀 벨로우즈(140) 사이에 무게 감지 기구, 예를 들어, 전자 저울(160)을 설치되어 있다. 이 전자 저울(160)은 리프트 핀(130)과 웨이퍼(W)의 무게를 감지한다. 따라서, 디스차아지(discharge)임에도 불구한고 정전척(130)에 잔류 정전기가 남아 있어 리프트 핀(130)이 상승하더라도 웨이퍼(W)가 정전척(130)에서 잘 떨어지지 않으면 전자 저울(160)은 리프트 핀(130)과 웨이퍼(W)의 무게 합보다 더 큰 무게가 감지된다.
전자 저울(160)이 특정 무게보다 더 큰 무게를 감지하게 되면 인터록이 설정되도록 하여 리프트 핀(130)이 상승하지 못하게 함으로써 웨이퍼(W)의 슬라이딩 내지 파손을 방지한다. 즉, 전자 저울(160)이 특정 무게(리프트 핀(130)과 웨이퍼(W)의 무게) 이상의 무게가 감지되면 인터록을 설정하여 리프트 핀(130)이 다시 하강되도록 하게 한다. 이로써, 디척킹(dechucking) 불량으로 인한 웨이퍼 슬라이딩 및 파손을 미연에 방지할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 리프트 핀 아래에 전자 저울을 설치하여 특정 무게 이상으로 무게가 감지되면 인터록을 설정하여 리프트 핀이 다시 하강되게 함으로써 웨이퍼 슬라이딩을 억제한다. 이에 따라, 웨이퍼 슬라이딩에 동반되는 웨이퍼 파손 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 챔버 내에 설치되어 웨이퍼를 정전기력으로 로딩시키는 정전척과;
    상기 웨이퍼를 상승 및 하강시키는 웨이퍼 리프트 핀과;
    상기 웨이퍼 리프트 핀을 동작시키는 구동기와;
    상기 리프트 핀 하부에 설치된 무게 감지기를 포함하며,
    상기 무게 감지기는 특정 무게 이상을 감지하면 상기 웨이퍼 리프트 핀을 하강시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무게 감지기는 전자 저울을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 구동기는 에어 실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 에어 실린더와 상기 웨이퍼 리프트 핀 사이에는 상기 에어 실린더에서 발생된 구동력을 상기 웨이퍼 리프트 핀에 전달하는 핀 벨로우즈를 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 특정 무게는 상기 웨이퍼 리프트 핀과 상기 웨이퍼와의 무게 합인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  6. 특정의 프로세스가 진행되는 밀폐된 공간을 정의하는 챔버와;
    상기 챔버 내의 내부 공간에 설치되어 웨이퍼가 로딩되는 장소를 제공하는 정전척과;
    상기 정전척에의 웨이퍼 로딩 및 언로딩을 위해 상기 정전척 위로 상승 및 하강 가능한 웨이퍼 리프트 핀과;
    상기 웨이퍼 리프트 핀의 상승 및 하강 동작을 구현시키는 구동력을 발생시키는 에어 실린더와;
    상기 웨이퍼 리프트 핀과 상기 에어 실린더 사이에 설치되어 특정 무게 이상이면 상기 웨이퍼 리프트 핀을 하강시키는 전자 저울;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 특정 무게는 상기 웨이퍼 리프트 핀과 상기 웨이퍼의 무게의 합인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20210076167A (ko) * 2019-05-22 2021-06-23 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨 실리콘 질화물 에칭 종료 포인트 검출을 이용한 3차원 메모리 디바이스의 제조 방법

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