KR20080061109A - 정전척 어셈블리 및 이를 갖는 막 형성 장치 - Google Patents

정전척 어셈블리 및 이를 갖는 막 형성 장치 Download PDF

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KR20080061109A
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Abstract

정전척 어셈블리는 정전척, 다수의 리프트 핀, 도전성 코어 및 접지 전극을 포함한다. 정전척은 기판을 정전기력을 이용하여 흡착한다. 리프트 핀들은 정전척의 상하를 관통하는 홀을 따라 상하 이동하며 반도체 기판을 로딩 및 언로딩한다. 도전성 코어는 리프트 핀의 상단에 노출되도록 리프트 핀의 내부에 구비되며, 기판의 언로딩시 기판과 접촉한다. 접지 전극은 도전성 코어와 연결되며, 정전척 및 기판에 잔류하는 전하를 방전시킨다. 따라서, 기판을 정전적으로부터 용이하게 분리할 수 있다.

Description

정전척 어셈블리 및 이를 갖는 막 형성 장치{Electrostatic chuck and apparatus for manufacturing a substrate having the same}
도 1은 종래 기술에 따른 정전척의 리프트 핀을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 어셈블리를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 어셈블리를 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 정전척 어셈블리 110 : 세라믹 플레이트
120 : 몸체 130 : 전극
140 : 직류 전원 150 : 리프트 핀
160 : 도전성 코어 170 : 접지 전극
180 : 지지 플레이트 190 : 구동부
200 : 막 형성 장치 210 : 챔버
220 : 가스 공급부 230 : 샤워 헤드
240 : 코일 250 : 고주파 전원
W : 기판
본 발명은 정전척 어셈블리 및 이를 갖는 막 형성 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전기력으로 기판을 지지하기 위한 정전척 어셈블리 및 이를 갖는 막 형성 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 제조 기술은 소비자의 다양한 욕구를 충족시키기 위해 집적도, 신뢰도, 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 발전하고 있다. 일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 반도체 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.
상기 패턴은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 화학적 기계적 연마(CMP) 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. 상기와 같은 단위 공정들에서는 반도체 기판을 지지하고, 고정시키는 척이 사용된다. 최근, 반도체 장치의 미세화 및 대용량화를 요구하는 반도체 기판 가공 기술에서는 매엽식 가공 공정 및 건식 가공이 선호됨에 따라 반도체 기판을 고정하는 방법도 크게 변하고 있다.
종래의 경우 단순히 클램프 또는 진공을 이용하여 반도체 기판을 고정하는 정도였으나, 최근에는 반도체 기판을 정전기력을 이용하여 고정시키는 정전척(electro static chuck : ESC)이 주로 사용되고 있다. 특히, 플라즈마 방전을 이용한 막 형성 장치의 경우 상기 정전척이 필수적으로 사용되고 있다.
상기 플라즈마 막 형성 장치에서는, 고온의 플라즈마와 접촉하는 반도체 기판의 손상을 방지하기 위해, 반도체 기판의 하부면에 헬륨 등의 냉각가스를 접촉시킨다. 이때, 상기 냉각가스의 분사 압력에 의해 반도체 기판이 들어올려지고, 또한, 플라즈마 반응 챔버 안으로 냉각가스가 유입된다. 그러므로, 이를 방지하기 위해, 정전척으로 인가된 직류전원의 정전기력에 의해 상기 반도체 기판을 고정시킨다.
상기 반도체 기판을 고정시킨 상태에서 반응 챔버 내로 제공된 공정 가스가 고주파 전원에 의해 플라즈마로 형성되어 반도체 기판을 가공한다. 상기 반도체 기판의 처리가 완료되면, 인가된 전원을 차단하고, 동시에 상기 정전척과 반도체 기판의 전하는 접지되어 있는 전극에 의해 방전된다. 이어서, 리프트 핀이 정전척의 홀을 통해 반도체 기판을 상방으로 들어올려 반도체 기판을 정전척으로부터 분리시킨다.
이때, 정전척의 직류전원을 차단하여도 반도체 기판 및 정전척 상의 잔류 전하가 완전하게 방전되지 않아, 상당 시간이 경과해도 반도체 기판이 정전척으로부터 분리되기 어려운 현상이 발생하게 된다. 이러한 상태에서 상기 리프트 핀으로 반도체 기판을 들어올리면 정전척 표면과 반도체 기판상의 잔류 전하로 인한 잔존 흡착력에 의해 반도체 기판이 상기 정전척과 갑자기 분리되면서 튀어나오는 파핑(popping)이 발생하거나 상기 리프트 핀에 의해 상기 반도체 기판이 손상된다.
본 발명의 실시예들은 반도체 기판 및 정전척의 전류 전하를 제거할 수 있는 정전척 어셈블리를 제공한다.
본 발명의 실시예들은 상기 정전척 어셈블리를 포함하는 막 형성 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 정전척 어셈블리는 정전척, 리프트 핀, 도전성 코어 및 접지 전극을 포함한다. 상기 정전척은 기판을 정전기력을 이용하여 흡착한다. 상기 리프트 핀은 상기 정전척의 상하를 관통하는 홀을 따라 상하 이동하며 상기 반도체 기판을 로딩 및 언로딩한다. 상기 도전성 코어는 상기 리프트 핀의 상단에 노출되도록 상기 리프트 핀의 내부에 구비되며, 상기 기판의 언로딩시 상기 기판과 접촉한다. 상기 접지 전극은 상기 도전성 코어와 연결되며, 상기 정전척 및 상기 기판에 잔류하는 전하를 방전시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 정전척은 상기 기판을 지지하기 위한 세라믹 플레이트, 상부면에 상기 세라믹 플레이트를 부착하는 몸체 및 상기 세라믹 플레이트에 내장되고 상기 기판을 흡착하기 위한 정전기력을 발생시키는 전원이 인가되는 전극을 포함한다. 상기 정전척 어셈블리는 상기 전극으로 전원을 인가하는 전원부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 리프트 핀은 절연 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 막 형성 장치는 공정 챔버, 정전척 어셈블리 및 가스 공급부를 포함한다. 상기 공정 챔버는 막 형성 공정을 수행하기 위한 공간을 제공한다. 상기 정전척 어셈블리는 상기 기판을 정전기력을 이용하여 흡착하는 정전척과, 상기 정전척의 상하를 관통하는 홀을 따라 상하 이동하며 상기 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트 핀과, 상기 리프트 핀의 상단에 노출되도록 상기 리프트 핀의 내부에 구비되며, 상기 기판의 언로딩시 상기 기판과 접촉하는 도전성 코어 및 상기 도전성 코어와 연결되며, 상기 정전척 및 상기 기판에 잔류하는 전하를 방전시키기 위한 접지 전극을 포함한다. 상기 가스 공급부는 상기 공정 챔버에 배치되어 상기 공정 챔버 내부로 막을 형성하기 위한 공정 가스를 제공한다.
이와 같이 구성된 본 발명들에 따르면, 상기 리프트 핀의 내부에 구비되는 도전성 코어를 이용하여 상기 정전척 및 반도체 기판에 잔류하는 전하를 제거할 수 있다. 따라서, 상기 반도체 기판의 언로딩시 반도체 기판의 파핑 또는 손상을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 정전척 어셈블리 및 이를 갖는 막 형성 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 어셈블리를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 정전척 어셈블리(100)는 정전척을 형성하는 세라믹 플레이트(110), 몸체(120), 전극(130) 및 직류 전원(140)과, 리프트 핀(150), 도전성 코어(160), 접지 전극(170), 지지 플레이트(180) 및 구동부(190)를 포함한다.
상기 세라믹 플레이트(110)는 기판(W)을 지지하며, 상기 몸체(120)는 상기 세라막 플레이트(110)가 부착된다. 상기 몸체(120)의 재질로는 알루미늄을 들 수 있다. 전극(130)은 상기 세라믹 플레이트(110)의 내부에 구비되며, 상기 기판(W)을 흡착하여 고정시키기 위한 정전기력을 발생시킨다. 상기 직류 전원(140)은 상기 전극(130)과 연결되며, 상기 전극(130)에 상기 정전기력을 발생시키기 위한 전원을 인가한다. 이때, 상기 전극(130)과 상기 기판(W) 사이에 있는 상기 세라믹 플레이트(110)의 상측 부위는 유전체 역할을 한다.
상기 리프트 핀(150)은 상기 세라믹 플레이트(110) 및 몸체(120)의 상하부를 관통하는 다수의 홀(122)을 따라 상하로 이동한다. 상기 리프트 핀(150)은 절연 재질로 이루어진다. 상기 절연 재질의 예로는 세라믹을 들 수 있다.
상기 리프트 핀(150)은 적어도 세 개 이상이어야 정상적으로 기능하며, 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위해 상기 세라믹 플레이트(110) 상에 올려놓거나(로딩) 상기 반도체 기판(W) 상에 막을 형성한 후 상기 세라믹 플레이트(110)로부터 분리하는데(언로딩) 사용된다.
구체적으로, 상기 리프트 핀(150)은 반도체 기판(W)을 이송하는 이송 로봇의 작동에 맞추어 작동된다. 상기 반도체 기판(W) 이송 로봇(미도시)에 의해 상기 반도체 기판(W)이 세라믹 플레이트(110)의 상부로 이동되면, 상기 리프트 핀(150)이 정전척(100)의 상부면의 위로 상승한다. 리프트 핀(150)이 상승하면서 상기 반도체 기판(W) 이송 로봇의 암(미도시)이 파지한 반도체 기판(W)을 지지한다. 이후 상기 이송 로봇의 암이 빠져나가고, 리프트 핀(150)이 하강한다. 따라서 상기 반도체 기판(W)이 정전척(100) 위에 로딩하게 된다.
이후 상기 반도체 기판 상에 막을 형성하는 공정이 수행되고, 상기 공정이 끝난 반도체 기판(W)은 로딩 과정의 역과정을 거쳐 언로딩된다.
언로딩을 수행하는 동안 정전척(100)과 반도체 기판(W) 사이에 잔존하는 정전기력 및 상기 리프트 핀(150)에 의해 반도체 기판(W)에 작용되는 구동력에 의해 반도체 기판(W)이 튀어오르거나 손상될 수 있다. 잔존 정전기력이 생성되는 과정은 이후에 자세하게 설명한다.
상기 지지플레이트(180)는 평판 형태를 가지며, 상기 리프트 핀(150)들의 하단 부위를 고정한다. 상기 리프트 핀(150)들은 상기 지지플레이트(180)에 고정된 상태에서 상하 이동한다.
상기 구동부(180)는 구동축(192)을 통해 플레이트(180)와 연결되며, 상기 리프트 핀(150)들을 상하 방향으로 이동시키기 위한 구동력을 제공한다. 자세하게 도시되지 않았으나, 상기 구동부(190)로는 다양한 장치들이 사용될 수 있으며, 수직 방향으로 왕복 운동력을 제공할 수 있으면 무방하다. 예를 들면, 상기 구동부(190)로는 공압 또는 유압 실린더 또는 모터를 포함하는 리니어 운동 기구 등이 사용될 수 있다.
상기 도전성 코어(160)는 상기 리프트 핀(150)들의 내부에 각각 구비된다. 상기 도전성 코어(160)는 상기 리프트 핀(150)의 상단 부위에 노출되도록 구비된다. 상기 도전성 코어(160)는 전기가 통하는 물질이면 어느 것이든 무방하다. 상기 물질로는 금속을 들 수 있다.
상기 반도체 기판(W)의 언로딩을 위해 상기 리프트 핀(150)이 상승하여 상기 세라믹 플레이트(110)에 지지된 반도체 기판(W)과 접촉한다. 상기 도전성 코어(160)가 상기 리프트 핀(150)의 상단 부위에 노출되어 있으므로, 상기 도전성 코어(160)도 상기 반도체 기판(W)과 접촉한다. 따라서, 상기 세라믹 플레이트(110) 및 상기 반도체 기판(W)에 잔류하는 전하들이 상기 도전성 코어(160)로 이동한다.
상기 접지 전극(170)은 상기 도전성 코어(160)와 연결된다. 상기 접지 전극(170)은 상기 전하들을 방전시킨다.
상기 정전척 어셈블리(100)는 상기 도전성 코어(160)와 접지 전극(170)을 이용하여 상기 반도체 기판(W)의 언로딩시 상기 세라믹 플레이트(110) 및 상기 반도체 기판(W)에 잔류하는 전하를 모두 방전한다. 따라서, 상기 반도체 기판(W)을 파핑이나 손상없이 언로딩할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 어셈블리를 포함하는 막 형성 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 막 형성 장치(200)는
공정 챔버(210), 정전척 어셈블리(100), 가스 공급부(220), 샤워 헤드(230), 코일 안테나(240) 및 고주파 전원(250)을 포함한다.
상기 공정 챔버(210)는 막을 형성하는 공정을 수행하기 위한 공간을 제공한 다. 상기 공정 챔버(210)의 하부에는 상기 막 형성 공정시 발생하는 반응 부산물 및 미반응 가스를 배출하기 위한 배출부(212)가 구비된다.
상기 정전척 어셈블리(100)는 정전척을 형성하는 세라믹 플레이트(110), 몸체(120), 전극(130) 및 직류 전원(140)과, 리프트 핀(150), 도전성 코어(160), 접지 전극(170), 지지 플레이트(180) 및 구동부(190)를 포함한다.
상기 정전척 어셈블리(100)에 대한 구체적인 설명은 도 2에 도시되었으므로 구체적인 설명은 생략한다.
상기 정전척 어셈블리(100)는 상기 공정 챔버(210)의 내측 하부에 구비된다. 상기 정전척 어셈블리(100)의 일부 구성 요소는 상기 공정 챔버(210)의 외부에 구비될 수도 있다.
상기 가스 분사부(220)는 상기 공정 챔버(210)의 상부와 연결되며, 상기 공정 챔버(210)의 내부로 상기 정전척 어셈블리(100)에 지지되는 기판(W) 상에 막을 형성하기 위한 공정 가스를 제공한다.
상기 샤워 헤드(230)는 상기 공정 챔버(210)의 내측 상부에 구비된다. 상기 샤워 헤드(230)는 상기 가스 분사부(220)로부터 제공된 상기 공정 가스를 균일하게 상기 기판(W)에 제공되도록 한다.
상기 코일 안테나(240)는 상기 공정 챔버(214)의 외벽을 둘러싸도록 설치된다. 상기 고주파 전원(250)은 상기 코일 안테나(240)와 연결되며, 상기 코일 안테나(240)로 고주파 전류를 인가한다. 상기 코일 안테나(240)를 통해 흐르는 상기 고주파 전류에 의해 자기장(magnetic field)이 발생되며, 상기 자기장의 시간에 따른 변화에 의해 상기 공정 챔버(210) 내부에는 전기장(electric field)이 유도된다. 상기 유도 전기장은 상기 공정 챔버(210) 내부로 유입되는 공정 가스를 이온화시켜 상기 공정 챔버(210) 내에 플라즈마를 생성한다. 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 기판(W) 상에 막을 형성한다.
이하에서는 상기 막 형성 장치(200)를 이용하여 상기 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하는 공정에 대해 설명한다.
상기 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하는 공정은 상기 공정 챔버(210)의 세라믹 플레이트(110) 상에 반도체 기판(W)을 로딩하는 단계와 상기 반도체 기판(W) 상에 막이 형성되도록 공정 가스를 분사하여 막을 형성하는 단계 및 막 형성 후, 상기 반도체 기판(W)을 상기 세라믹 플레이트(110)로부터 언로딩하는 단계를 포함한다.
구체적으로, 반도체 기판(W) 이송 로봇(미도시)에 의해 상기 반도체 기판(W)이 세라믹 플레이트(110)의 상부로 이동되면, 상기 리프팅 장치의 리프트 핀(150)이 상승하여 세라믹 플레이트(110)의 상부면 위로 상승한다. 리프트 핀(150)이 상승하면서 상기 반도체 기판(W) 이송 로봇의 암이 파지한 반도체 기판(W)을 지지한다. 이후 상기 이송 로봇의 암으로부터 반도체 기판(W)은 분리되며, 상기 이송 로봇의 암은 빠져나가고, 리프트 핀(150)이 하강한다. 따라서 상기 반도체 기판(W)이 세라믹 플레이트(110) 위로 로딩된다.
이어서, 상기 세라믹 플레이트(110) 내부의 전극(130)으로 일정한 직류전원이 인가된다. 이때, 세라믹 플레이트(110)와 반도체 기판(W)사이에 정전기적 인력 이 발생하고, 상기 정전기적 인력에 의해 상기 반도체 기판(W)이 상기 세라믹 플레이트(110)에 고정된다. 그리고, 반도체 기판(W)이 고정된 상태에서 반도체 기판(W) 상에 막을 형성한다.
상기 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하기 위해 상기 가스 분사부(220)에서 샤워 헤드(230)를 통해 가스를 제공한다. 또한, 상기 코일 안테나(240)에 고주파 전원이 인가되어 상기 공정 챔버(210) 내부로 제공되는 가스를 플라즈마 상태로 형성한다.
상기 반도체 기판(W) 상에 막을 형성하는 공정이 완료되면, 상기 전극(130)으로 인가되는 전원이 차단된다. 상기 전원이 차단되면 접지된 상기 전극(130)을 통해 상기 정전기 전하들이 방전된다.
하지만, 세라믹 플레이트(110)의 전원을 차단하더라도 반도체 기판(W) 및 세라믹 플레이트(110)에는 잔류 전하가 존재할 수 있다. 상기 잔류 전하는 접지된 상기 전극(130)에 의해 상기 전하가 완전하게 방전되지 않아 발생된다. 이 잔류 전하로 인한 잔존 흡착력이 세라믹 플레이트(110)와 반도체 기판(W) 상에 존재한다.
이후, 리프트 핀(150)은 홀(122)을 통해 반도체 기판(W)을 세라믹 플레이트(110)로부터 상방으로 들어올리게 된다. 상기 리프트 핀(150)이 상기 반도체 기판(W)과 접촉할 때, 상기 도전성 코어(160)도 상기 반도체 기판(W)과 접촉한다. 따라서, 상기 잔류 전하를 접지 전극을 통해 방전한다. 따라서, 상기 잔류 전하로 인한 잔존 흡착력이 제거된 상태에사 상기 리프트 핀(150)이 상기 반도체 기판(W)을 상승시킨다.
상기 반도체 기판(W)이 상승하면, 상기 이송 로봇 암이 상기 반도체 기판(W)을 파지하여 이송한다. 이후 상기 이송 로봇의 암이 빠져나가고, 상기 리프트 핀(150)이 하강한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 리프트 핀의 내부에 도전성 코어 및 도전성 코어와 연결되는 접지 전극을 이용하여 정전척의 세라믹 플레이트와 반도체 기판에 잔류하는 전하를 방전시킨다. 따라서, 상기 잔류 전하로 인한 잔존 흡착력에 의해 반도체 기판이 상기 정전척과 갑자기 분리되면서 튀어나오는 파핑 또는 리프트 핀에 의해 상기 반도체 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 기판을 정전기력을 이용하여 흡착하는 정전척;
    상기 정전척의 상하를 관통하는 홀을 따라 상하 이동하며 상기 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트 핀;
    상기 리프트 핀의 상단에 노출되도록 상기 리프트 핀의 내부에 구비되며, 상기 기판의 언로딩시 상기 기판과 접촉하는 도전성 코어; 및
    상기 도전성 코어와 연결되며, 상기 정전척 및 상기 기판에 잔류하는 전하를 방전시키기 위한 접지 전극을 포함하는 정전척 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정전척은,
    상기 기판을 지지하기 위한 세라믹 플레이트;
    상부면에 상기 세라믹 플레이트를 부착하는 몸체; 및
    상기 세라믹 플레이트에 내장되고, 상기 기판을 흡착하기 위한 정전기력을 발생시키는 전원이 인가되는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전극으로 전원을 인가하는 전원부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 어셈블리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리프트 핀은 절연 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척 어셈블리.
  5. 기판 상에 막을 형성하기 위한 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 기판을 정전기력을 이용하여 흡착하는 정전척과, 상기 정전척의 상하를 관통하는 홀을 따라 상하 이동하며 상기 반도체 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트 핀과, 상기 리프트 핀의 상단에 노출되도록 상기 리프트 핀의 내부에 구비되며, 상기 기판의 언로딩시 상기 기판과 접촉하는 도전성 코어 및 상기 도전성 코어와 연결되며, 상기 정전척 및 상기 기판에 잔류하는 전하를 방전시키기 위한 접지 전극을 포함하는 정전척 어셈블리; 및
    상기 공정 챔버에 배치되어 상기 공정 챔버 내부로 상기 기판 상에 막을 형성하기 위한 공정 가스를 제공하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
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