KR20040026427A - 리프트 핀 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법 - Google Patents

리프트 핀 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 기판을 이송하는 리프트 핀 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법이 개시되어 있다. 기판을 플레이트에 로딩 및 언로딩시키기 위해 상기 기판의 후면과 점 접촉되는 금속 재질의 상단부와 절연체 재질의 하단부로 구성되어 있는 외측 부재가 구비되어 있다. 상기 기판의 후면과 상기 상단부의 접촉면 사이에서 발생되는 아킹 포인트를 상기 상단부의 접촉면과 대응되는 상단부의 내측면에 형성하기 위해 상기 외측 부재에 삽입되어 상단부 내측면과 점 접촉하는 금속 재질의 내측 부재가 구비되어 있다. 상기와 같은 구성을 갖는 리프트 핀은 기판과 리프트 핀 사이에서 발생되는 아킹 현상을 방지할 수 있어 상기 기판의 손상을 보다 용이하게 감소시킬 수 있다.

Description

리프트 핀 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법 { lift fin and method of wafer lifting using thereof}
본 발명은 반도체 기판의 이송 장치 및 이를 이용한 이송 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플레이트 상면에 놓여지는 반도체 기판을 지지하여 상기 기판을 로딩 및 언로딩시키기 위한 리프트 핀 및 이를 이용한 이송 방법에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 미세 패턴 형성 기술이 발전되고 있다.
상기 식각 기술은 기판 상에 형성시킨 막들의 소정 부위를 식각하여 상기 막들을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하는 가공하는 기술로서 최근의 식각 기술은 0.15㎛ 이하의 디자인룰(design rule)을 요구하기 때문에 플라즈마가 적용되는건식 식각 장비를 주로 사용한다.
상기 플라즈마를 사용하는 식각장치들의 일 예로서, 미합중국 특허 제6,165,377호(issued Kawahara, et al) 및 미합중국 특허 제6,306,245호(issued Yanagisawa, et al)에는 플라즈마를 사용하여 식각하는 건식 식각 장치가 개시되어 있다.
도 1a 내지 1b는 건식 식각 장치에 적용되는 종래의 리프트 핀을 설명하기 위한 구성도이다.
상기 플라즈마 챔버(도시하지 않음) 내에서 식각 공정들을 수행하기 위해서는 먼저 정전척(30)에 형성된 관통공에 삽입되는 다수개의 리프트 핀(35a,35b)의 승,하강 동작에 의해 상기 정전척(30) 상에 반도체 기판(W)이 로딩된다. 이어서, 플라즈마를 형성하여 상기 반도체 기판(W) 상에 소정의 패턴을 형성하는 식각 공정을 수행한 후 상기 정전척(30) 상에 위치한 반도체 기판(W)을 언로딩시키기 위해 상기 리프트 핀(35)을 상승시킨다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 상기 정전척(30)과 반도체 기판(W) 사이에 작용하는 전하의 차이로 인하여 상기 반도체 기판(W)을 흡착하는 정전력이 세라믹 리프트 핀(35a)을 상승시키는 힘보다 클 경우 상기 세라믹 리프트 핀(35a)에는 국부적인 스트레스로 인한 휨 현상 및 균열(Crack; C) 발생하여 상기 세라믹 리프트 핀(35a)이 파손되는 문제점이 발생한다.
이로 인해, 상기 반도체 기판(W)을 지지하는 세라믹 리프트 핀(35a)들의 균형이 틀어져서 상기 세라믹 리프트 핀(35a)에 위치한 반도체 기판(W)이 미끌어져파손되는 현상이 발생한다. 이는 상기 세라믹 리프트 핀(35a)이 부도체이기 때문에 상기 반도체 기판(W) 상에 존재하고, 정전력 발생을 초래하는 전하를 외부로 배출시키지 못하였기 때문이다.
또한, 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 리프트 핀이 도체인 알루미늄 리프트 핀일(35b) 경우에는 상기 정전척(30) 상면에 반도체 기판(W)을 언로딩시키기 위해 상기 반도체 기판(W)의 후면을 상기 알루미늄 리프트 핀(35b)으로 밀어 올릴 때 불완전한 전하의 흐름 또는 미스얼라인으로 인해 어느 하나의 알루미늄 리프트 핀(35b)의 면 저항력이 낮아져 상기 반도체 기판(W)과 알루미늄 리프트 핀(35b)의 접촉면 사이에는 아킹(Arcing; A)이 현상을 발생된다.
상기 아킹은 플라즈마의 방전이 불안전한 상태를 뜻하는 것으로, 아킹이 발생하면, 기판 전면의 에칭률(etchingrate)의 변화로 기판 상에 형성되는 패턴의 원하는 테이퍼(taper)각을 형성하기 어렵고, 식각 잔여물이 남는 등 공정불량이 발생되게 되어, 반도체 기판의 후면에 이물의 흡착으로 후속 공정의 오염을 초래할 수 있게된다.
따라서, 상기와 같이 리프트 핀 손상 및 아킹 현상의 발생은 상기 반도체 기판의 오염 및 손상을 유발하여 상기 반도체 기판의 신뢰성 및 생산 수율에 지장을 초래할 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 기판에 발생되는 아킹 현상 및 리프트 핀의 손상을 방지하면서, 상기 정전척에 놓여진 반도체 기판을 언로딩시키기 위한기판 리프트 핀 및 리프팅 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 기판에 발생되는 아킹 현상 및 리프트 핀의 손상을 방지하면서, 상기 정전척 상면에 놓여진 반도체 기판을 언로딩시키기 위한 기판 리프팅 방법을 제공하는데 있다.
도 1a 내지 1b는 건식 식각 장치에 적용되는 종래의 리프트 핀을 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 이송 장치를 포함하는 플라즈마 건식 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예로서 상기 도 2에 도시된 리프트 핀의 내부적인 구조를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4a 내지 4b는 도3에 도시된 리프트 핀의 외측부재의 결합관계를 나타내는 사시도이다.
도 5a 내지 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판을 이송시키기 위한 리프트 핀의 동작원리를 나타내는 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 건식 식각 장치110 : 챔버
120 : 상부 전극130 : 정전척
132 : 관통공140 : 가스 주입구
150 : 가스 배출구160 : 기판 배출구
200 : 기판 이송 장치210 : 상단부
220 : 하단부230 : 외측 부재
240 : 내측 부재250 : 리프트 핀
260 : 플레이트270 : 구동부
W : 반도체 기판
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기판 리프트 핀은,
기판을 플레이트에 로딩 및 언로딩시키기 위해 상기 기판의 후면과 점 접촉되는 금속 재질의 상단부와 절연체 재질의 하단부로 구성되어 있는 외측 부재; 및
상기 기판의 후면과 상기 상단부의 접촉면 사이에서 발생되는 아킹 포인트를 상기 상단부의 접촉면과 대응되는 상단부의 내측면에 형성하기 위해 상기 외측 부재에 삽입되어 상단부 내측면과 점 접촉하는 금속 재질의 내측 부재를 구비하고 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기판 리프팅 방법은,
정전척의 관통공에 삽입된 외측 부재를 상승시켜 상기 정전척의 상면에 놓여지는 기판의 후면에 도전체 및 절연체 재질로 이루어진 외측 부재의 상부면을 점 접촉시키는 단계;
상기 기판의 후면과 상부가 도전체인 외측 부재의 상부면 사이에서 발생되는 아킹 포인트를 상기 외측 부재의 상부면과 대응되는 내측면에 형성하기 위해 상기 외측 부재에 내측 부재를 삽입시켜 상기 외측 부재의 내측면에 상기 내측 부재의 상부면을 점 접촉시키는 단계; 및
상기 내측 부재가 삽입된 외측 부재를 동시에 상승시켜 상기 기판을 상기 정전척의 상면으로부터 언로딩시키는 단계를 갖는다.
따라서, 상기 기판 리프팅 장치의 리프트 핀은 정전척 상면에 놓여지는 반도체 기판을 언로딩시킬 때 상기 리프트 핀의 손상 및 상기 반도체 기판과 상기 리프트 핀 사이에서 발생되는 아킹 현상을 방지할 수 있어 반도체 기판의 손상을 보다 용이하게 감소시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는 AMT사의 e - MAX 모델의 건식 식각 장치를 개량하여 나타내고 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 이송 장치를 포함하는 플라즈마 건식 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 건식 식각 장치(100)는 가스 주입구(140), 가스 배출구(150) 및 기판 배출구(160)가 형성된 챔버(110)를 포함하고 있다. 챔버(110) 내부로 제공되는 식각 가스를 플라즈마 상태로 형성시키기 위한 RF 전력이 제공되는 상부 전극(120)이 챔버(110) 상부에 구비되어 있다. 피처리 대상인 기판(W)을 파지하기 위한 정전척(130)은 바이어스 전력이 인가는 하부 전극 역할을 하고, 챔버(110) 하부에 구비되어 있다.
이러한, 건식 식각 장치(100)내에서 이루어지는 건식 식각 중 화학반응에 의한 건식 식각을 한 예로 하여 설명하면, 챔버(110) 내로 반응 가스를 주입한 후,상부전극(120) 및 정전척(130)에 전력을 인가한다. 이로 인해 상부전극(120)과 정전척(130) 사이에는 고주파의 전계가 형성되어 챔버로 제공된 반응가스는 플라즈마로 변화된다. 이렇게 형성된 플라즈마는 정전척(130) 상면에 안착된 기판(W)을 패터닝하는 식각 공정에 적용된다.
이때, 상기 정전척(130)에는 다수 개의 관통공(132)이 형성되어 있다. 상기 관통공(132) 내에는 기판(W)을 지지하고, 상기 관통공(132)을 따라 상, 하 이동함으로써 상기 기판(W)을 이송시키는 기판 이송 장치(200)의 리프트 핀(250)이 다수개가 장착되어 있다.
상기 기판 이송 장치(200)는 상기 정전척(130)의 일측면에 존재하고, 피처리 대상인 기판(W)을 정전척(130) 상면에 로딩 및 언로딩시키기 위해 상하 움직임을 갖는 적어도 3개의 리프트 핀(250), 리프트 핀을 지지하는 플레이트(260) 및 플레이트를 상, 하로 구동시키는 힘을 전달하는 구동부(270)를 포함하고 있다.
본 발명의 리프트 핀(250)은 전기 전도도가 우수한 알루미늄 재질인 상단부(도시하지 안음)와 절연성이 우수한 세라믹 재질인 하단부(도시하지 않음)의 결합으로 이루져 기판의 후면과 집적 접촉되는 외측 부재(도시하지 않음)와 알루미늄 재질로 이루어져 상기 외측 부재에 삽입되는 내측 부재(도시하지 않음)로 구성되어 있다.
상기와 같은 구성을 갖는 리프트 핀(250)은 상기 기판(W)에 존재하는 잔류 전류를 방출(discharge)하여 기판을 정전척으로부터 언로딩시킬 때 발생하는 스트레스를 감소시키고, 상기 기판 후면에 발생하는 아킹 현상을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예로 상기 도 2에 도시된 리프트 핀의 내부적인 구조를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 리프트 핀(250)은 전기 전도도가 우수한 알루미늄 재질인 상단부(210)와 절연성이 우수한 세라믹 재질인 하단부(220)의 결합으로 이루어져 상기 기판(W)의 후면과 집적 접촉되는 외측 부재(230)와 상기 알루미늄의 재질로 이루어져 상기 외측부재(230)에 형성된 홈(225)에 삽입되는 내측 부재(240)로 구성되어 있다.
상기 외측 부재(230)에는 상면이 고깔 형상을 갖는 봉으로 이루어진 내측 부재(240)가 상기 외측부재의 하단부(220)를 관통하고, 상단부(210)의 상면을 관통되지 않는 깊이를 갖는 홈(225)이 형성되어 있다. 그러므로, 상기 외측 부재(230)의 형상은 내측부가 관통된 봉 형상을 갖는 몸체에 꼭지가 둥근 형상을 갖는 고깔이 결합된 형상을 갖는다.
상기 외측 부재(230)에 형성된 홈(225)은 상기 내측 부재(240)가 삽입되어 상기 외측 부재의 상단부(210) 내측면과 접촉할 수 있도록 상기 내측 부재(210)의 외측형상과 대응되는 형상을 갖는다. 상기 상단부(210) 내측 상면이 원형의 돔 형상 또는 평평한 플레이트 형상으로 형성되어도 본 발명의 취지를 벗어나지 않는다.
또한, 상기 외측 부재(230)와 내측 부재(240)의 외측 상면은 꼭지가 둥근 고깔 형상을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 이는 상기 기판(W)의 후면과 점 접촉되는 외측 부재(230) 또는 외측 부재의 내측면에 점 접촉되는 내측 부재(240)의 상면이 기판(W) 상에 존재하는 잔류 전류의 흐름을 균일하게 해주는 경로를 제공해주기 때문이다.
여기서 알루미늄 재질인 외측 부재의 상단부(210) 및 내측 부재(240)의 내, 외측 접점을 제외한 나머지 영역에는 아노다이징(Anodizing)코팅처리를 하여 플라즈마 및 아킹현상으로 인한 손상을 방지하도록 한다.
도 4a 내지 4b는 도3에 도시된 리프트 핀의 외측부재의 결합 관계를 나타내는 사시도이다.
도 4a 내지 4b를 참조하면, 본 발명의 리프트 핀(250)의 외측 부재(230)는 전기 전도도가 우수한 알루미늄 재질인 상단부(210)와 절연성이 우수한 세라믹 재질인 하단부(220)의 결합으로 이루어져있다.
상기 상단부(210)와 하단부(220)의 결합은 도 4a에 도시된 바와 같이 상기 상단부(210)의 내측벽에 제1나사산(212a)을 형성하고, 하단부(220)의 외측벽에 제2나산산(222a)을 형성한 후 제1 및 제2 나사산(212a,222a)의 체결로 형성된다. 또한, 상단부의 외측벽에 형성된 제1나사산과 상기 하단부의 내측벽에 형성된 제2나사산의 체결로 인하여 형성될 수 도 있다.
그리고, 상기 상단부(210)와 하단부(220)의 결합은 도 4b에 도시된 바와 같이 상기 상단부(210)의 내측벽에 형성된 제1단차(212b)와 상기 하단부(220)의 외측벽에 형성된 제2단차(222b) 억지끼움 체결로 인하여 결합된다. 또한, 상단부의 외측벽에 형성된 제1단차와 상기 하단부의 내측에 형성된 제2단차의 결합으로 인해 형성될 수 도 있다.
따라서, 상기 상단부(210)와 하단부(220)는 일체형 형상으로 결합되어 도전체와 절연체로 이루어진 리프트 핀의 외측 부재(230)를 형성할 수 있다.
도 5a 내지 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판을 이송시키기 위한 리프트 핀의 동작원리를 나타내는 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 정전척(130) 상면에서 정전력에 의해 파지된 기판(W)은 건식 식각공정에 의해 소정의 패턴이 형성된다. 이때 상기 정전척(130)내에 형성되어 있는 관통공(132)에는 리프트 핀의 외측부재(230)가 상기 기판(W)의 후면과 맞닿지 않은 상태로 상기 관통공(132)에 삽입되어 있다. 그리고, 상기 외측 부재의 홈(225)에는 상기 내측 부재(240)가 상기 외측 부재 상단부(210)의 내측면과 일정거리를 유지한 체로 위치해 있다.
도 5b를 참조하면, 이어서 기판(W)을 챔버 밖으로 이송하기 위해 상기 정전척(130)에 형성된 관통공(132)내에 위치한 외측 부재(230)를 상기 기판(W)의 후면과 점 접촉되도록 상승시킨다. 이때, 외측 부재(230)는 제1플레이트(260a)에 위치해 있고, 상기 제1플레이트는 제1구동부(270a)에 연결되어 있다. 이로 인해 상기 외측 부재(230)는 제1구동부(270a)의 힘을 전달받은 제1플레이트(260a)로부터 힘을 전달받아 기판(W)과 접촉되도록 상승된다.
상기 외측 부재는 알루미늄 재질을 갖는 상단부와 세라믹 재질을 갖는 하단부를 포함하는 구성을 갖기 때문에 상기 외측 부재가 상기 기판의 후면과 점 접촉된 될 때 상기 기판(W)에 존재하는 잔류 전류를 흘러보내지 못하는 부도체의 역할을 한다. 이로 인해, 상기 기판(W)의 후면과 접촉하는 외측 부재(W)의 상부 면에서는 아킹이 발생되지 않는다. 그리고, 이때 기판(W)의 상면에는 양의 전자가 충전되어 있고, 기판의 후면에는 음의 전자가 충전되어 있는 상태를 유지하고 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 기판(W)에 존재하는 잔류전류를 방출시켜 정전척(130)과 기판(W)에 작용하는 정전력을 효과적으로 제거하기 위해서는 상기 외측 부재(230)의 홈(225)에 위치한 내측 부재(240)를 상기 외측 부재의 상부와 대응되는 외측 부재의 내측면에 점 접촉되도록 상승시킨다.
이때, 상기 내측 부재(240)는 제2플레이트(260b)에 위치해 있고, 상기 제2플레이트(260b)는 제2구동부(270b)에 연결되어 있기 때문에 상기 내측 부재(240)는 제2구동부(270b)의 힘을 전달받은 제2플레이트(260b)로부터 힘을 전달받아 상기 외측 부재(240)의 내측면에 점 접촉되도록 상승된다.
그러므로, 상기 기판(W)의 상면에 존재하는 잔류 전류는 상기 외측 부재(230)의 내측면에 점 접촉된 내측 부재(240)를 통해 방출된다. 만약 방출되는 전류의 전위가 불안정하더라도 상기 외측 부재(230)의 내측면과 내측 부재(24) 사이에서 아킹이 발생되기 때문에 상기 기판(W)의 손상을 초래하지 않는다. 이는 상기 장치의 구조가 상기 기판의 후면과 외측 부재의 상부 사이에서 발생되는 아킹 포인트를 상기 외측 부재의 내측면으로 옮기는 역할하기 때문이다.
도 5d를 참조하면, 상기 외측 부재(230)에 삽입된 내측 부재(240)를 동시에 일정 높이를 갖도록 상승시켜 상기 기판(W)을 상기 정전척(130)의 상면으로부터 언로딩시킨다. 상기 내측 부재(240)의 상승은 도 5d에 도시된 바와 같이 상기 제2플레이트(260b)와 제2구동부(270b)로부터 전달받은 힘으로 상승된다.
따라서, 상기와 같은 공정을 수행함으로 인해 리프트 핀의 파손 및 기판이손상없이 상기 기판을 정전척으로부터 안전하게 이송할 수 있다.
상기 본 발명에 따르면, 전도체와 절연체의 복합구조를 갖는 외측 부재와 전도체의 내측 부재로 구성된 리프트 핀은 정전척의 상면에 위치한 기판을 상승시킬 때 상기 리프트 핀의 휘어짐 또는 균열을 방지하고, 상기 기판의 후면과 리프트 핀 상면에서 발생되는 아킹 포인트를 상기 리프트 핀의 내측 면에 형성시킬 수 있다. 그러므로 상기 아킹 현상으로 인한 기판의 손상 및 상기 정전척과 기판의 사이에 작용하는 정전력을 효과적으로 제거할 수 있어 상기 리프트 핀의 손상을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 기판을 플레이트에 로딩 및 언로딩시키기 위해 상기 기판의 후면과 점 접촉되는 금속 재질의 상단부와 절연체 재질의 하단부로 구성되어 있는 외측 부재; 및
    상기 기판의 후면과 상기 상단부의 접촉면 사이에서 발생되는 아킹 포인트를 상기 상단부의 접촉면과 대응되는 상단부의 내측면에 형성하기 위해 상기 외측 부재에 삽입되어 상단부 내측면과 점 접촉하는 금속 재질의 내측 부재를 포함하는 기판 리프트 핀.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상단부 및 내측 부재는 알루미늄 재질이고, 상기 하단부는 세라믹 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 리프트 핀.
  3. 제1항에 있어서, 상기 외측 부재는 상기 상단부의 외측벽에 형성된 제1나사산과 상기 하단부의 내측벽에 형성된 제2나사산의 체결로 인하여 결합된 것을 특징으로 하는 기판 리프트 핀.
  4. 제1항에 있어서, 상기 외측 부재는 상기 상단부의 내측벽에 형성된 제1단차와 상기 하단부(220)의 외측벽에 형성된 제2단차의 억지끼움 체결로 인하여 결합된 것을 특징으로 하는 기판 리프트 핀.
  5. 기판을 플레이트에 로딩 및 언로딩시키기 위해 상기 기판의 후면과 점 접촉되는 금속 재질의 상단부와 절연체 재질의 하단부로 구성되어 있는 외측 부재;
    상기 외측 부재를 상기 기판의 후면에 점 접촉시키기 위해 상기 외측 부재를 상승시키는 제1구동부;
    상기 기판의 후면과 상기 상단부의 접촉면 사이에서 발생되는 아킹 포인트를 상기 상단부의 접촉면과 대응되는 상단부의 내측면에 형성하기 위해 상기 외측 부재에 삽입되어 상단부 내측면과 점 접촉하는 금속 재질의 내측 부재; 및
    상기 내측 부재를 상기 외측 부재의 상단부 내측면에 점 접촉시키기 위해 상기 내측부재를 상승시키는 제2구동부를 포함하는 기판 리프팅 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 상단부 및 내측 부재는 알루미늄 재질이고, 상기 하단부는 세라믹 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 리프팅 장치.
  7. 정전척의 관통공에 삽입된 외측 부재를 상승시켜 상기 정전척의 상면에 놓여지는 기판의 후면에 도전체 및 절연체 재질로 이루어진 외측 부재의 상부면을 점 접촉시키는 단계;
    상기 기판의 후면과 상부가 도전체인 외측 부재의 상부면 사이에서 발생되는 아킹 포인트를 상기 외측 부재의 상부면과 대응되는 내측면에 형성하기 위해 상기 외측 부재에 내측 부재를 삽입시켜 상기 외측 부재의 내측면에 상기 내측 부재의 상부면을 점 접촉시키는 단계; 및
    상기 내측 부재가 삽입된 외측 부재를 동시에 상승시켜 상기 기판을 상기 정전척의 상면으로부터 언로딩시키는 단계를 포함하는 리프팅 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 외측 부재는 알루미늄 재질로 이루어진 상단부와 세라믹 재질로 이루어진 하단부를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 리프팅 방법.
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