JPH04736A - ウエハ押上げ装置 - Google Patents
ウエハ押上げ装置Info
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- JPH04736A JPH04736A JP2102320A JP10232090A JPH04736A JP H04736 A JPH04736 A JP H04736A JP 2102320 A JP2102320 A JP 2102320A JP 10232090 A JP10232090 A JP 10232090A JP H04736 A JPH04736 A JP H04736A
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- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920004943 Delrin® Polymers 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体ウェハなどのウェハを載置台上に搬入
、搬出するウェハ押上げ装置に関する。
、搬出するウェハ押上げ装置に関する。
(従来の技術)
例えば半導体素子製造工程の一工程として、ベーキング
工程がある。このベーキング工程は、半導体ウェハに形
成されるレジスト膜の固形化の強化やレジスト膜と半導
体ウェハとの密着性を向上させるために重要な加熱工程
である。
工程がある。このベーキング工程は、半導体ウェハに形
成されるレジスト膜の固形化の強化やレジスト膜と半導
体ウェハとの密着性を向上させるために重要な加熱工程
である。
このようなベーキング工程に用いられる装置としては、
実開昭61−123541等多数の公報に開示されてい
る。ベーキング装置は、ホットプレート上に被処理体例
えば半導体ウェハを載置固定して加熱処理を行なうが、
このホードプレート上に半導体ウェハを搬入出するため
に、ホットプレートより突出駆動可能な押上ピンを用い
ている。すなわち、搬送アームなどによりホットプレー
ト上方に搬送されてきた半導体ウェハを、突出駆動され
た押上ピン上に置き、押上ピンの下降駆動により半導体
ウェハをホットプレート上に載置し、バキューム吸着等
により固定してベーキングを開始する。
実開昭61−123541等多数の公報に開示されてい
る。ベーキング装置は、ホットプレート上に被処理体例
えば半導体ウェハを載置固定して加熱処理を行なうが、
このホードプレート上に半導体ウェハを搬入出するため
に、ホットプレートより突出駆動可能な押上ピンを用い
ている。すなわち、搬送アームなどによりホットプレー
ト上方に搬送されてきた半導体ウェハを、突出駆動され
た押上ピン上に置き、押上ピンの下降駆動により半導体
ウェハをホットプレート上に載置し、バキューム吸着等
により固定してベーキングを開始する。
処理後には、バキューム解除した後に押上ピンを突出駆
動し、半導体ウェハをホットプレート上方に設置して搬
出を行なっている。
動し、半導体ウェハをホットプレート上方に設置して搬
出を行なっている。
(発明が解決しようとする課題)
ところで前述した従来の押上ピンの材質としては、機械
的強度及び耐熱性のみを考慮して決定され、例えばセラ
ミック等で形成していた。このように、押上ピンをセラ
ミックで形成した場合には、特に突出駆動中の押上ピン
が半導体ウェハ裏面に到達して衝突する時に、押上ピン
と半導体ウェハとの衝突に伴う耳障りな異音が発生する
という問題が生じていた。また、この衝突時に半導体ウ
ェハが位置ずれするという問題も生じていた。
的強度及び耐熱性のみを考慮して決定され、例えばセラ
ミック等で形成していた。このように、押上ピンをセラ
ミックで形成した場合には、特に突出駆動中の押上ピン
が半導体ウェハ裏面に到達して衝突する時に、押上ピン
と半導体ウェハとの衝突に伴う耳障りな異音が発生する
という問題が生じていた。また、この衝突時に半導体ウ
ェハが位置ずれするという問題も生じていた。
そこで本発明は、耳障りな異音を低減できるウェハ押上
げ装置の提供を目的とする。
げ装置の提供を目的とする。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明は、載置台に対してウェハを搬入口する際に、こ
の載置台より突出駆動される押上ピンによって、上記ウ
ェハを上記載置台上方に設定するウェハ押上げ装置にお
いて、 上記押上ピンの少なくともウェハとの当接部を、上記ウ
ェハよりも硬度の低い部材により形成したことを特徴と
する。
の載置台より突出駆動される押上ピンによって、上記ウ
ェハを上記載置台上方に設定するウェハ押上げ装置にお
いて、 上記押上ピンの少なくともウェハとの当接部を、上記ウ
ェハよりも硬度の低い部材により形成したことを特徴と
する。
(作 用)
押上ピンの少なくともウェハとの当接部に、ウェハより
も硬度の低い部材を形成することで、ウェハを押上ピン
により押し上げる際に発生する異音の周波数成分は、よ
り低周波領域側にシフトすることになる。このため、耳
障りな音の原因である高周波領域の騒音レベルが低下す
る。また、衝突時の衝撃は、被処理体よりも硬度の低い
押上ピン側の振動により吸収できるので、ウェハの位置
ずれ防止対策としても機能する。
も硬度の低い部材を形成することで、ウェハを押上ピン
により押し上げる際に発生する異音の周波数成分は、よ
り低周波領域側にシフトすることになる。このため、耳
障りな音の原因である高周波領域の騒音レベルが低下す
る。また、衝突時の衝撃は、被処理体よりも硬度の低い
押上ピン側の振動により吸収できるので、ウェハの位置
ずれ防止対策としても機能する。
(実施例)
以下、本発明装置をベーキング装置に適用した実施例に
ついて図面を参照して説明する。
ついて図面を参照して説明する。
第1図に示すベーキング装置は、被処理体である半導体
ウェハ2を載置して加熱処理するホットプレート1を有
し、このホットプレート1は図示しない加熱手段と、真
空吸着方式等により半導体ウェハ2を固定する図示しな
い固定手段を内蔵している。また、このホットプレート
1には上下に貫通する孔1aが3か所(同図では2か所
のみ図示)に離間して形成され、この孔1aを介してホ
ットプレート1により上方に突出可能な押上ピン3が設
けられている。この押上ピン3は、シリンダ等の昇降装
置4により、鉛直方向に上下駆動する。
ウェハ2を載置して加熱処理するホットプレート1を有
し、このホットプレート1は図示しない加熱手段と、真
空吸着方式等により半導体ウェハ2を固定する図示しな
い固定手段を内蔵している。また、このホットプレート
1には上下に貫通する孔1aが3か所(同図では2か所
のみ図示)に離間して形成され、この孔1aを介してホ
ットプレート1により上方に突出可能な押上ピン3が設
けられている。この押上ピン3は、シリンダ等の昇降装
置4により、鉛直方向に上下駆動する。
前記押上ピン3は、円柱状に形成されたセラミック製の
本体部3aと、この本体部3aの図示上端部3b、すな
わち前記被処理体2との当接部に、当該被処理体2より
も硬度の低い部材により形成した当接部材5とを備えた
ものである。
本体部3aと、この本体部3aの図示上端部3b、すな
わち前記被処理体2との当接部に、当該被処理体2より
も硬度の低い部材により形成した当接部材5とを備えた
ものである。
本体部3aは、第3図に示すように押上げピン3の上端
部3bに円筒状の嵌入孔3cが穿設されており、この嵌
入孔3cに第2図に示すごとき当接部材5が嵌入して支
持される。
部3bに円筒状の嵌入孔3cが穿設されており、この嵌
入孔3cに第2図に示すごとき当接部材5が嵌入して支
持される。
当接部材5は、本実施例ではウェハ2より硬度の低い材
料例えばポリイミド樹脂を第2図に示すような頂部平坦
な円錐台形状に形成したもので、図示下端面5aには前
記本体部3aに設けられた嵌入孔3cに嵌入される円柱
状の嵌入部5bが突出形成されている。
料例えばポリイミド樹脂を第2図に示すような頂部平坦
な円錐台形状に形成したもので、図示下端面5aには前
記本体部3aに設けられた嵌入孔3cに嵌入される円柱
状の嵌入部5bが突出形成されている。
次に、作用について説明する。
まず、被処理体2を加熱処理しようとする際には、昇降
部4により第4図に示すように押上ピン3を予め上昇駆
動させ、その当接部材5をホットプレート1上に突出さ
せておく。
部4により第4図に示すように押上ピン3を予め上昇駆
動させ、その当接部材5をホットプレート1上に突出さ
せておく。
このホットプレート1上に突出されている押上ピン3に
は、図示しない搬送装置により搬送されてきた加熱処理
前の被処理体2が載置されるが、当該被処理体2は本体
部3a上に取り付けられている硬度の低いポリイミド樹
脂製の当接部材5を介し、押上ピン3上に載置されるこ
とになる。
は、図示しない搬送装置により搬送されてきた加熱処理
前の被処理体2が載置されるが、当該被処理体2は本体
部3a上に取り付けられている硬度の低いポリイミド樹
脂製の当接部材5を介し、押上ピン3上に載置されるこ
とになる。
押上ピン3上に被処理体2を載置した際に発生する異音
の周波数成分は、第5図(a)に示す通りである。同様
な動作をセラミック製の押上ピンを用いて実施した従来
装置の場合には、その際に発生する異音の周波数成分は
第6図(a)の通りであった。両者を比較すると、本実
施例の方が従来のものに比べて高周波の騒音レベルが低
減していることが分かる。特に、耳障りな異音の原因と
なるIKHz前後〜2KHzの周波数に対応する騒音レ
ベルを低下することができる。
の周波数成分は、第5図(a)に示す通りである。同様
な動作をセラミック製の押上ピンを用いて実施した従来
装置の場合には、その際に発生する異音の周波数成分は
第6図(a)の通りであった。両者を比較すると、本実
施例の方が従来のものに比べて高周波の騒音レベルが低
減していることが分かる。特に、耳障りな異音の原因と
なるIKHz前後〜2KHzの周波数に対応する騒音レ
ベルを低下することができる。
これは、従来のセラミック製の押上ピンの硬度が高く、
衝突時の押上ピンの振動数が比較的高かったのに対し、
本実施例のようにポリイミド製の当接部材5上に被処理
体2を載置することで、硬度の低い当接部材5の振動数
が低くなるからである。
衝突時の押上ピンの振動数が比較的高かったのに対し、
本実施例のようにポリイミド製の当接部材5上に被処理
体2を載置することで、硬度の低い当接部材5の振動数
が低くなるからである。
また、このように硬度の低い当接部材5は、被処理体5
との衝突時にその衝撃力を吸収するように作用すること
になるので、被処理体2の位置ずれをも防止できる。
との衝突時にその衝撃力を吸収するように作用すること
になるので、被処理体2の位置ずれをも防止できる。
被処理体2を押上ピン3上に載置した後、昇降部4によ
り押上ピン3を下降駆動させて、第1図に示すように被
処理体2をホットプレート1上に載置し、その後ボキュ
ーム吸着によりポットプレート1上に密着させた状態に
て、被処理体2を加熱処理する。
り押上ピン3を下降駆動させて、第1図に示すように被
処理体2をホットプレート1上に載置し、その後ボキュ
ーム吸着によりポットプレート1上に密着させた状態に
て、被処理体2を加熱処理する。
この加熱処理が終了したら、バキューム吸着を解除した
後に、昇降部4の駆動により押上ピン3を上昇駆動させ
る。この結果、ホットプレート1上に載置されていた被
処理体2を再び上方に押し上げ駆動できる。
後に、昇降部4の駆動により押上ピン3を上昇駆動させ
る。この結果、ホットプレート1上に載置されていた被
処理体2を再び上方に押し上げ駆動できる。
二の場合には、押上ピン3の上昇駆動途中にて被処理体
2は本体部3a上に取り付けられている当接部材5と衝
突する。このときに発生する異音の周波数成分は第5図
(b)に示す通りである。
2は本体部3a上に取り付けられている当接部材5と衝
突する。このときに発生する異音の周波数成分は第5図
(b)に示す通りである。
同様な動作をセラミック製の押上ピンを用いて実施した
従来装置の場合には、その異音の周波数成分は第6図(
b)に示す通りであった。
従来装置の場合には、その異音の周波数成分は第6図(
b)に示す通りであった。
この両者を比較すると、本実施例の方が騒音レベルは低
周波側にシフトしていることが分かる。
周波側にシフトしていることが分かる。
すなわち、従来の周波数特性と比較して、高周波の騒音
レベルが低下し、この分が低周波側にシフトしている。
レベルが低下し、この分が低周波側にシフトしている。
押上ピン3の押上駆動途中での被処理体2との衝突は、
前述した被処理体2を載置した場合よりも衝撃力が大き
く、ポリイミド製の当接部材5を設けた効果が顕著とな
っている。このように、騒音レベルを低周波側にシフト
できる結果、耳障りな高周波成分の騒音レベルを低減す
ることができる。
前述した被処理体2を載置した場合よりも衝撃力が大き
く、ポリイミド製の当接部材5を設けた効果が顕著とな
っている。このように、騒音レベルを低周波側にシフト
できる結果、耳障りな高周波成分の騒音レベルを低減す
ることができる。
また、この際にも被処理体2の位置ずれを同様に防止で
きる。
きる。
以降は、押上ピン3に支持された被処理体2が図示しな
い搬送装置により後段の処理工程に搬送され、次の新た
な被処理体2の搬入動作が行われることになる。
い搬送装置により後段の処理工程に搬送され、次の新た
な被処理体2の搬入動作が行われることになる。
尚、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば
、前記実施例では当接部材5をポリイミド樹脂で形成し
たものを例示したが、テフロン(商品名)やデルリン(
商品名)等で形成してもよい。また、被処理体2よりも
硬度の低い部材は、被処理体との当接部だけでなく、押
上ピンを上記部材で形成することもできる。
の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば
、前記実施例では当接部材5をポリイミド樹脂で形成し
たものを例示したが、テフロン(商品名)やデルリン(
商品名)等で形成してもよい。また、被処理体2よりも
硬度の低い部材は、被処理体との当接部だけでなく、押
上ピンを上記部材で形成することもできる。
さらにベーキング装置に限らず押上げビンを用いてウェ
ハを押し上げる機構を用いていれば、ブローバ、エツチ
ャー、CVDなどの枚葉装置に適用して同様な効果が得
られる。
ハを押し上げる機構を用いていれば、ブローバ、エツチ
ャー、CVDなどの枚葉装置に適用して同様な効果が得
られる。
[発明の効果コ
以上詳述した本発明によれば、ウェハと押上ピンとの衝
突時の耳障りな異音を低減でき、がっ、その際のウェハ
の位置ずれをも防止できる。
突時の耳障りな異音を低減でき、がっ、その際のウェハ
の位置ずれをも防止できる。
第1図は本発明装置の一実施例としてのベーキング装置
の要部を示す詳細説明図、 第2図は押上ピンの上端部に取り付けられた当接部材の
概略説明図、 第3図は押上ピンの概略説明図、 第4図は第1図に示すベーキング装置の駆動状態を示す
説明図、 第5図(a)は、本実施例の押上ビン上に被処理体を載
置する場合に発生する異音の周波数成分と騒音レベルと
の関係図、同図(b)は被処理体を押上ピンにより押し
上げる場合に発生する異音の周波数成分と騒音レベルと
の関係図、第6図(a)は、従来の押上ピン上に被処理
体を載置する場合に発生する異音の周波数成分と騒音レ
ベルとの関係図、同図(b)は被処理体を従来の押上ピ
ンにより押し上げる場合に発生する異音の周波数成分と
騒音レベルとの関係図である。 1・・・ホットプレート、 2・・・ウエハ 3・・・押上ビン、 b・・・当接部、 5・・・当接部材。
の要部を示す詳細説明図、 第2図は押上ピンの上端部に取り付けられた当接部材の
概略説明図、 第3図は押上ピンの概略説明図、 第4図は第1図に示すベーキング装置の駆動状態を示す
説明図、 第5図(a)は、本実施例の押上ビン上に被処理体を載
置する場合に発生する異音の周波数成分と騒音レベルと
の関係図、同図(b)は被処理体を押上ピンにより押し
上げる場合に発生する異音の周波数成分と騒音レベルと
の関係図、第6図(a)は、従来の押上ピン上に被処理
体を載置する場合に発生する異音の周波数成分と騒音レ
ベルとの関係図、同図(b)は被処理体を従来の押上ピ
ンにより押し上げる場合に発生する異音の周波数成分と
騒音レベルとの関係図である。 1・・・ホットプレート、 2・・・ウエハ 3・・・押上ビン、 b・・・当接部、 5・・・当接部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 載置台に対してウェハを搬入出する際に、この載置台よ
り突出駆動される押上ピンによって、上記ウェハを上記
載置台上方に設定するウェハ押上げ装置において、 上記押上ピンの少なくともウェハとの当接部を、上記ウ
ェハよりも硬度の低い部材により形成したことを特徴と
するウェハ押上げ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2102320A JPH04736A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | ウエハ押上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2102320A JPH04736A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | ウエハ押上げ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04736A true JPH04736A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14324277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2102320A Pending JPH04736A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | ウエハ押上げ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04736A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218003A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Toray Ind Inc | 基板加熱装置 |
KR20040026427A (ko) * | 2002-09-24 | 2004-03-31 | 삼성전자주식회사 | 리프트 핀 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법 |
WO2004027856A1 (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Sendai Nikon Corporation | 基板保持方法、基板保持装置及び露光装置 |
JP2007266514A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | V Technology Co Ltd | 作業装置におけるワーク受け渡し装置 |
JP2008298763A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-12-11 | Ibiden Co Ltd | ハニカム構造体用載置台、及び、ハニカム構造体の検査装置 |
JP2009059867A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台および基板処理装置 |
KR20160098447A (ko) * | 2013-12-17 | 2016-08-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 감소된 기판 입자 생성을 갖는 기판 지지 장치 |
-
1990
- 1990-04-17 JP JP2102320A patent/JPH04736A/ja active Pending
Cited By (9)
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---|---|---|---|---|
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JP2017500745A (ja) * | 2013-12-17 | 2017-01-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板粒子生成が低減する基板支持装置 |
US10431489B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation |
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