JPH11163102A - 半導体製造装置用サセプタ - Google Patents
半導体製造装置用サセプタInfo
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- JPH11163102A JPH11163102A JP34214197A JP34214197A JPH11163102A JP H11163102 A JPH11163102 A JP H11163102A JP 34214197 A JP34214197 A JP 34214197A JP 34214197 A JP34214197 A JP 34214197A JP H11163102 A JPH11163102 A JP H11163102A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板の自動搬送により省力化を図りつつ、製品
の品質の向上を図る。 【解決手段】基台部１２に受載部１１を嵌脱可能に設
け、前記基台部と受載部とにより被処理基板２裏面全面
に当接する基板受載面が形成される様構成し、各種処理
中、前記被処理基板の裏面全面に当接しつつ、該被処理
基板を保持する。
の品質の向上を図る。 【解決手段】基台部１２に受載部１１を嵌脱可能に設
け、前記基台部と受載部とにより被処理基板２裏面全面
に当接する基板受載面が形成される様構成し、各種処理
中、前記被処理基板の裏面全面に当接しつつ、該被処理
基板を保持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に於
いて、ウェーハ等被処理基板を保持する半導体製造装置
用サセプタに関するものである。
いて、ウェーハ等被処理基板を保持する半導体製造装置
用サセプタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は反応室に於いてシリコ
ンウェーハ等被処理基板表面に気相成長反応により成膜
し、或は燐、硼素等の不純物拡散を行い、或はエッチン
グを行う等の各種処理をして半導体素子を製造する。
ンウェーハ等被処理基板表面に気相成長反応により成膜
し、或は燐、硼素等の不純物拡散を行い、或はエッチン
グを行う等の各種処理をして半導体素子を製造する。
【０００３】被処理基板はロボットアーム等によって、
反応室内部に搬送され、被処理基板の載置台と加熱装置
或は冷却装置を兼ねるサセプタ上に載置される。前記被
処理基板はサセプタに載置された状態で前記各種処理が
行われる。
反応室内部に搬送され、被処理基板の載置台と加熱装置
或は冷却装置を兼ねるサセプタ上に載置される。前記被
処理基板はサセプタに載置された状態で前記各種処理が
行われる。
【０００４】従って、自動搬送に対応した搬送方法を採
用すると共に自動搬送に適したサセプタの構造とする必
要がある。
用すると共に自動搬送に適したサセプタの構造とする必
要がある。
【０００５】先ず、サセプタの第１従来例を図１５、図
１６で説明する。
１６で説明する。
【０００６】反応室内に設けられた円形の載置台１の内
部には図示しないヒータが埋設され、又、上面にはウェ
ーハ２の厚さと同一の深さ、略同一の直径で該ウェーハ
２が遊嵌可能な円形の凹部３が形成されている。
部には図示しないヒータが埋設され、又、上面にはウェ
ーハ２の厚さと同一の深さ、略同一の直径で該ウェーハ
２が遊嵌可能な円形の凹部３が形成されている。
【０００７】前記ウェーハ２は図示しないロボットアー
ムに設けられたチャック（図示せず）の下面に真空吸着
され図示しない反応室内に自動搬送される。
ムに設けられたチャック（図示せず）の下面に真空吸着
され図示しない反応室内に自動搬送される。
【０００８】前記ウェーハ２を前記凹部３の上方位置迄
搬送し、前記チャックを下降させる。吸着を解除し、前
記ウェーハ２は前記載置台１の前記凹部３内に載置され
る。
搬送し、前記チャックを下降させる。吸着を解除し、前
記ウェーハ２は前記載置台１の前記凹部３内に載置され
る。
【０００９】前記反応室内で前記ウェーハ２に薄膜の生
成、エッチング等各種処理が施された後、前記ウェーハ
２は再び前記チャックの下面に吸着され、前記反応室外
部へ搬出される。
成、エッチング等各種処理が施された後、前記ウェーハ
２は再び前記チャックの下面に吸着され、前記反応室外
部へ搬出される。
【００１０】次に、サセプタの第２の従来例を図１７、
図１８で説明する。
図１８で説明する。
【００１１】載置台４の上面には前記した凹部３が形成
されると共に該凹部３の周辺部を貫通する通孔５を複数
個（図示では４個）穿設したもので、該通孔５には図示
しないウェーハ支持ピンが挿通されており、該ウェーハ
支持ピンは昇降可能となっている。
されると共に該凹部３の周辺部を貫通する通孔５を複数
個（図示では４個）穿設したもので、該通孔５には図示
しないウェーハ支持ピンが挿通されており、該ウェーハ
支持ピンは昇降可能となっている。
【００１２】ウェーハ２を移載する場合は、前記ウェー
ハ支持ピンを上昇させ前記ウェーハ２を前記載置台４よ
り持上げた状態とし、ロボットアーム（図示せず）によ
り前記ウェーハ２の授受を行う。前記ロボットアームの
前記ウェーハ受載部はコの字状のフォークとなってお
り、該フォークは前記ウェーハ２の外周部を支持し、前
記ウェーハ支持ピンとの干渉を避ける。前記ウェーハ２
が前記ロボットアームによって前記反応室内に搬入され
ると、前記ウェーハ支持ピンが上昇して前記ウェーハ２
を受載する。前記ロボットアームは退き、前記ウェーハ
支持ピンが降下して前記ウェーハ２が前記載置台４の前
記凹部３内に載置される。
ハ支持ピンを上昇させ前記ウェーハ２を前記載置台４よ
り持上げた状態とし、ロボットアーム（図示せず）によ
り前記ウェーハ２の授受を行う。前記ロボットアームの
前記ウェーハ受載部はコの字状のフォークとなってお
り、該フォークは前記ウェーハ２の外周部を支持し、前
記ウェーハ支持ピンとの干渉を避ける。前記ウェーハ２
が前記ロボットアームによって前記反応室内に搬入され
ると、前記ウェーハ支持ピンが上昇して前記ウェーハ２
を受載する。前記ロボットアームは退き、前記ウェーハ
支持ピンが降下して前記ウェーハ２が前記載置台４の前
記凹部３内に載置される。
【００１３】前記反応室（図示せず）内で前記ウェーハ
２に各種処理が施された後、該ウェーハ２は前述と逆の
手順で前記反応室外部へ搬出される。
２に各種処理が施された後、該ウェーハ２は前述と逆の
手順で前記反応室外部へ搬出される。
【００１４】次にサセプタの第３の従来例を図１９〜図
２１で説明する。
２１で説明する。
【００１５】載置台６の上面には前記した凹部３が形成
されると共に周辺部には該凹部３より一段低い弓形の段
差面７が左右対称に２箇所形成されている。該段差面７
は前記凹部３との境界線８が前記ウェーハ２の搬送方向
と平行で且前記各境界線８間の距離が前記ウェーハ２の
直径より短くなる様設けられている。
されると共に周辺部には該凹部３より一段低い弓形の段
差面７が左右対称に２箇所形成されている。該段差面７
は前記凹部３との境界線８が前記ウェーハ２の搬送方向
と平行で且前記各境界線８間の距離が前記ウェーハ２の
直径より短くなる様設けられている。
【００１６】前記ウェーハ２は前記フォーク（図示せ
ず）上に外周部が支持された状態で受載され、前記反応
室（図示せず）内に自動搬送される。前記ウェーハ２は
前記載置台６の上方位置迄搬送され、前記フォークを前
記境界線８と平行にした状態で下降させ、前記ウェーハ
２は前記載置台６の前記凹部３内に載置される。
ず）上に外周部が支持された状態で受載され、前記反応
室（図示せず）内に自動搬送される。前記ウェーハ２は
前記載置台６の上方位置迄搬送され、前記フォークを前
記境界線８と平行にした状態で下降させ、前記ウェーハ
２は前記載置台６の前記凹部３内に載置される。
【００１７】前記反応室内で前記ウェーハ２に各種処理
が施された後、該ウェーハ２は前述と逆の手順で前記反
応室外部へ搬出される。
が施された後、該ウェーハ２は前述と逆の手順で前記反
応室外部へ搬出される。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上記したサセプタの第
１の従来例に於いてはウェーハをチャックに吸着させ搬
送する為、チャックと成膜表面の接触による汚染や、吸
着時のガスの流れによるパーティクルの巻込み等が発生
し、製品の品質の向上が図れなかった。又、減圧された
状態の反応室では吸着時の圧力差が充分に取れない為真
空チャックが使用できないという問題があった。
１の従来例に於いてはウェーハをチャックに吸着させ搬
送する為、チャックと成膜表面の接触による汚染や、吸
着時のガスの流れによるパーティクルの巻込み等が発生
し、製品の品質の向上が図れなかった。又、減圧された
状態の反応室では吸着時の圧力差が充分に取れない為真
空チャックが使用できないという問題があった。
【００１９】上記したサセプタの第２及び第３の従来例
に於いては、載置台に設けられた孔や段差面によりウェ
ーハ裏面には載置台に接触している部分と接触していな
い部分がある為、加熱又は冷却した時に接触している部
分と接触していない部分との間で温度差が生じ、ウェー
ハの成膜速度や膜質の不均一の要因となっていた。
に於いては、載置台に設けられた孔や段差面によりウェ
ーハ裏面には載置台に接触している部分と接触していな
い部分がある為、加熱又は冷却した時に接触している部
分と接触していない部分との間で温度差が生じ、ウェー
ハの成膜速度や膜質の不均一の要因となっていた。
【００２０】本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの自
動搬送により省力化を図りつつ、ウェーハの品質の向上
を図ろうとするものである。
動搬送により省力化を図りつつ、ウェーハの品質の向上
を図ろうとするものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基台部に受載
部を嵌脱可能に設け、前記基台部と受載部とにより被処
理基板裏面全面に当接する基板受載面が形成される半導
体製造装置用サセプタに係り、又、前記受載部は昇降可
能であると共に被処理基板の中央部分と当接可能であ
り、前記基台部には上面から基板載置部が嵌合可能な中
央凹部が形成され、該中央凹部の外周の全周に亘り前記
被処理基板の周辺部と当接する周辺凹部が形成された半
導体製造装置用サセプタに係り、又、前記受載部が前記
被処理基板の中央部分に当接可能であり、前記基台部に
は上面から前記受載部が嵌合可能な中央凹部が形成さ
れ、該中央凹部の外周の全周に亘り前記被処理基板の周
辺部と当接する周辺凹部が形成され、前記中央凹部を遊
嵌する支持ピンにより前記受載部が昇降可能に構成され
た半導体製造装置用サセプタに係り、更に又、前記受載
部には上面から前記被処理基板が遊嵌可能な凹部が形成
されると共に外周部から中央部に至る欠如部が形成さ
れ、前記基台部が前記欠如部に嵌合可能な嵌合凸部を有
し、該嵌合凸部と前記凹部とにより前記基板受載面が形
成される半導体製造装置用サセプタに係り、各種処理
中、前記被処理基板の裏面全面に当接しつつ、該被処理
基板を保持する。
部を嵌脱可能に設け、前記基台部と受載部とにより被処
理基板裏面全面に当接する基板受載面が形成される半導
体製造装置用サセプタに係り、又、前記受載部は昇降可
能であると共に被処理基板の中央部分と当接可能であ
り、前記基台部には上面から基板載置部が嵌合可能な中
央凹部が形成され、該中央凹部の外周の全周に亘り前記
被処理基板の周辺部と当接する周辺凹部が形成された半
導体製造装置用サセプタに係り、又、前記受載部が前記
被処理基板の中央部分に当接可能であり、前記基台部に
は上面から前記受載部が嵌合可能な中央凹部が形成さ
れ、該中央凹部の外周の全周に亘り前記被処理基板の周
辺部と当接する周辺凹部が形成され、前記中央凹部を遊
嵌する支持ピンにより前記受載部が昇降可能に構成され
た半導体製造装置用サセプタに係り、更に又、前記受載
部には上面から前記被処理基板が遊嵌可能な凹部が形成
されると共に外周部から中央部に至る欠如部が形成さ
れ、前記基台部が前記欠如部に嵌合可能な嵌合凸部を有
し、該嵌合凸部と前記凹部とにより前記基板受載面が形
成される半導体製造装置用サセプタに係り、各種処理
中、前記被処理基板の裏面全面に当接しつつ、該被処理
基板を保持する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００２３】先ず、図１〜図４に於いて、第１の実施の
形態を説明する。
形態を説明する。
【００２４】サセプタ１０は受載部１１と基台部１２と
で構成され、該受載部１１と基台部１２とは熱容量或は
熱伝導率が近い材質となっている。
で構成され、該受載部１１と基台部１２とは熱容量或は
熱伝導率が近い材質となっている。
【００２５】前記受載部１１は円板形状の載置部１３
と、該載置部１３の下面中心部に突設された支柱部１４
から成り、前記載置部１３の直径は前記ウェーハ２の直
径より小さくなっている。
と、該載置部１３の下面中心部に突設された支柱部１４
から成り、前記載置部１３の直径は前記ウェーハ２の直
径より小さくなっている。
【００２６】前記基台部１２は円板形状をしており、上
面から中央凹部１５が形成され、該中央凹部１５の外周
の全周に亘り周辺凹部１６が形成され、又、前記中央凹
部１５の中心部分に丸孔１７が穿設されている。
面から中央凹部１５が形成され、該中央凹部１５の外周
の全周に亘り周辺凹部１６が形成され、又、前記中央凹
部１５の中心部分に丸孔１７が穿設されている。
【００２７】前記支柱部１４は前記丸孔１７に摺動自在
に貫通していると共に前記載置部１３は前記中央凹部１
５に嵌合可能となっている。前記載置部１３が嵌合した
状態で、該載置部１３の上面と前記周辺凹部１６によっ
て、前記ウェーハ２を保持可能な凹部が形成される。
に貫通していると共に前記載置部１３は前記中央凹部１
５に嵌合可能となっている。前記載置部１３が嵌合した
状態で、該載置部１３の上面と前記周辺凹部１６によっ
て、前記ウェーハ２を保持可能な凹部が形成される。
【００２８】以下、作動を説明する。
【００２９】前記ウェーハ２は図示しないロボットアー
ムにより搬送される。該ロボットアームには前記ウェー
ハ２を受載する先端がコの字形状のフォーク１８が設け
られ、該フォーク１８の内寸は前記載置部１３の外径よ
り大きくなっている。前記ウェーハ２は前記フォーク１
８に両側部を支持された状態で受載され、前記反応室
（図示せず）内に搬送される。
ムにより搬送される。該ロボットアームには前記ウェー
ハ２を受載する先端がコの字形状のフォーク１８が設け
られ、該フォーク１８の内寸は前記載置部１３の外径よ
り大きくなっている。前記ウェーハ２は前記フォーク１
８に両側部を支持された状態で受載され、前記反応室
（図示せず）内に搬送される。
【００３０】前記ウェーハ２が前記載置部１３の真上に
位置した状態で、前記受載部１１を図示しない昇降装置
の駆動により上昇させ、前記ウェーハ２を前記載置部１
３上に受載する。前記フォーク１８を後退させた後、前
記受載部１１を前記昇降装置の駆動により降下させ、前
記載置部１３を前記中央凹部１５に嵌合させると共に前
記ウェーハ２の周辺部を前記周辺凹部１６に嵌合させ
る。而して、前記ウェーハ２の周辺部は前記周辺凹部１
６に又中央部は前記載置部１３にそれぞれ接触し、前記
ウェーハ２の裏面全面が前記サセプタ１０と接触し、支
持される。
位置した状態で、前記受載部１１を図示しない昇降装置
の駆動により上昇させ、前記ウェーハ２を前記載置部１
３上に受載する。前記フォーク１８を後退させた後、前
記受載部１１を前記昇降装置の駆動により降下させ、前
記載置部１３を前記中央凹部１５に嵌合させると共に前
記ウェーハ２の周辺部を前記周辺凹部１６に嵌合させ
る。而して、前記ウェーハ２の周辺部は前記周辺凹部１
６に又中央部は前記載置部１３にそれぞれ接触し、前記
ウェーハ２の裏面全面が前記サセプタ１０と接触し、支
持される。
【００３１】前記ウェーハ２に処理が施された後は、前
述と逆の手順で該ウェーハ２を前記反応室外部へ搬出す
る。
述と逆の手順で該ウェーハ２を前記反応室外部へ搬出す
る。
【００３２】次に、図５〜図７に於いて第２の実施の形
態を説明する。尚、図５〜図７中、図１〜図４と同等の
ものには同符号を付し説明する。
態を説明する。尚、図５〜図７中、図１〜図４と同等の
ものには同符号を付し説明する。
【００３３】サセプタ１９は受載部２０と基台部２１で
構成され、該受載部２０と基台部２１とは熱容量或は熱
伝導率が近い材質となっている。
構成され、該受載部２０と基台部２１とは熱容量或は熱
伝導率が近い材質となっている。
【００３４】前記受載部２０は円板形状を成し、直径は
前記ウェーハ２の直径より小さくなっており、後述する
様に前記基台部２１に嵌脱可能となっている。
前記ウェーハ２の直径より小さくなっており、後述する
様に前記基台部２１に嵌脱可能となっている。
【００３５】前記基台部２１は偏平な円板形状をしてお
り、上面側から中央凹部２２が形成され、該中央凹部２
２の外周の全周に亘り周辺凹部２３が形成され、又、下
面の中心部に支柱部２４が突設されている。前記中央凹
部２２の周辺部には複数個（図示では４個）の丸孔２５
が穿設され、該丸孔２５は円周を４等分した位置となっ
ている。前記中央凹部２２は円形であり、その直径は前
記ウェーハ２の直径より小さく、前記受載部２０が嵌脱
可能であり、前記中央凹部２２と周辺凹部２３との段差
は前記受載部２０の厚さと同一となっている。
り、上面側から中央凹部２２が形成され、該中央凹部２
２の外周の全周に亘り周辺凹部２３が形成され、又、下
面の中心部に支柱部２４が突設されている。前記中央凹
部２２の周辺部には複数個（図示では４個）の丸孔２５
が穿設され、該丸孔２５は円周を４等分した位置となっ
ている。前記中央凹部２２は円形であり、その直径は前
記ウェーハ２の直径より小さく、前記受載部２０が嵌脱
可能であり、前記中央凹部２２と周辺凹部２３との段差
は前記受載部２０の厚さと同一となっている。
【００３６】前記丸孔２５には支持ピン２６が遊嵌可能
であり、該支持ピン２６は図示しない昇降装置によって
昇降可能となっている。
であり、該支持ピン２６は図示しない昇降装置によって
昇降可能となっている。
【００３７】以下、作動を説明する。
【００３８】前記ウェーハ２は前記フォーク１８上に外
周部を支持された状態で受載され、前記反応室（図示せ
ず）内に自動搬送される。前記ウェーハ２が前記受載部
２０の真上に位置した状態で前記支持ピン２６が上昇
し、前記受載部２０が前記支持ピン２６によって上昇さ
れ、前記受載部２０が前記ウェーハ２を受載する。前記
支持ピン２６を降下させ、前記受載部２０を前記中央凹
部２２に嵌合させ、前記ウェーハ２の周辺部を前記周辺
凹部２３に支持させる。而して、前記ウェーハ２の周辺
部は前記周辺凹部２３に又中央部は前記受載部２０にそ
れぞれ接触し、前記ウェーハ２の裏面全面が前記サセプ
タ１９と接触し支持される。
周部を支持された状態で受載され、前記反応室（図示せ
ず）内に自動搬送される。前記ウェーハ２が前記受載部
２０の真上に位置した状態で前記支持ピン２６が上昇
し、前記受載部２０が前記支持ピン２６によって上昇さ
れ、前記受載部２０が前記ウェーハ２を受載する。前記
支持ピン２６を降下させ、前記受載部２０を前記中央凹
部２２に嵌合させ、前記ウェーハ２の周辺部を前記周辺
凹部２３に支持させる。而して、前記ウェーハ２の周辺
部は前記周辺凹部２３に又中央部は前記受載部２０にそ
れぞれ接触し、前記ウェーハ２の裏面全面が前記サセプ
タ１９と接触し支持される。
【００３９】前記ウェーハ２に処理が施された後は、前
述と逆の手順で該ウェーハ２を前記反応室外部へ搬出す
る。
述と逆の手順で該ウェーハ２を前記反応室外部へ搬出す
る。
【００４０】次に、図８〜図１４に於いて第３の実施の
形態を説明する。
形態を説明する。
【００４１】サセプタ２７は受載部２８と基台部２９で
構成され、該受載部２８と基台部２９とは熱容量或は熱
伝導率が近い材質となっている。
構成され、該受載部２８と基台部２９とは熱容量或は熱
伝導率が近い材質となっている。
【００４２】前記受載部２８には円板の上面から凹部３
０が形成されると共に一外周部から中央部に至る短冊状
の欠如部３１が形成されている。前記凹部３０は円形で
あり、その直径は前記ウェーハ２の直径より僅かに大き
く、該ウェーハ２が遊嵌可能となっている。
０が形成されると共に一外周部から中央部に至る短冊状
の欠如部３１が形成されている。前記凹部３０は円形で
あり、その直径は前記ウェーハ２の直径より僅かに大き
く、該ウェーハ２が遊嵌可能となっている。
【００４３】前記基台部２９には円板形状の本体部３２
に嵌合凸部３３が形成されると共に下面中央部分に支柱
部３４が突設されている。前記嵌合凸部３３は前記欠如
部３１に嵌合可能な形状を成し、前記嵌合凸部３３の外
周部３５の先端は前記本体部３２の外周縁より外側に突
出すると共に外周は前記受載部２８の外周円の一部を成
す弧を形成している。又、該外周部３５の下面は前記本
体部３２の下面と同面を形成し、前記外周部３５の上面
と前記本体部３２の上面との段差は前記受載部２８の厚
さと同一となっている。更に、前記嵌合凸部３３は前記
外周部３５の上面より一段低い段差面３６を有し、該段
差面３６と前記本体部３２の上面との段差は前記凹部３
０の厚さと同一であり、該段差面３６と前記外周部３５
との境界線は前記凹部３０の外周円の一部を成す弧を形
成している。
に嵌合凸部３３が形成されると共に下面中央部分に支柱
部３４が突設されている。前記嵌合凸部３３は前記欠如
部３１に嵌合可能な形状を成し、前記嵌合凸部３３の外
周部３５の先端は前記本体部３２の外周縁より外側に突
出すると共に外周は前記受載部２８の外周円の一部を成
す弧を形成している。又、該外周部３５の下面は前記本
体部３２の下面と同面を形成し、前記外周部３５の上面
と前記本体部３２の上面との段差は前記受載部２８の厚
さと同一となっている。更に、前記嵌合凸部３３は前記
外周部３５の上面より一段低い段差面３６を有し、該段
差面３６と前記本体部３２の上面との段差は前記凹部３
０の厚さと同一であり、該段差面３６と前記外周部３５
との境界線は前記凹部３０の外周円の一部を成す弧を形
成している。
【００４４】而して、前記受載部２８と前記基台部２９
が嵌合した状態で、前記凹部３０と前記段差面３６によ
って、前記ウェーハ２を保持可能な凹部が形成される。
が嵌合した状態で、前記凹部３０と前記段差面３６によ
って、前記ウェーハ２を保持可能な凹部が形成される。
【００４５】以下、作動を説明する。
【００４６】前記フォーク１８は前記凹部３０上に前記
ウェーハ２を載置した前記受載部２８の外周部を支持
し、前記反応室（図示せず）内に自動搬送する。
ウェーハ２を載置した前記受載部２８の外周部を支持
し、前記反応室（図示せず）内に自動搬送する。
【００４７】前記フォーク１８は前記受載部２８を前記
基台部２９の上方迄搬送した後、降下し、前記欠如部３
１を前記嵌合凸部３３に嵌合し、前記受載部２８を前記
基台部２９上に移載する。而して、前記ウェーハ２の裏
面全面が前記サセプタ２７と接触し、支持される。
基台部２９の上方迄搬送した後、降下し、前記欠如部３
１を前記嵌合凸部３３に嵌合し、前記受載部２８を前記
基台部２９上に移載する。而して、前記ウェーハ２の裏
面全面が前記サセプタ２７と接触し、支持される。
【００４８】前記ウェーハ２に処理が施された後は、前
述と逆の手順で該ウェーハ２を前記反応室外部へ搬出す
る。
述と逆の手順で該ウェーハ２を前記反応室外部へ搬出す
る。
【００４９】尚、上記第３の実施の形態に於いては、前
記基台部２９に前記嵌合凸部３３を設け、該嵌合凸部３
３が前記受載部２８の前記欠如部３１に嵌合する様構成
させているが、前記受載部２８の下面に嵌合凸部を設
け、該嵌合凸部が嵌合可能な凹部、欠如部等嵌合凹部を
前記基台部２９に設けてもよく、更に、前記受載部２８
と基台部２９の両方にそれぞれ嵌合凹部及び嵌合凸部を
嵌合可能に設けてもよい。
記基台部２９に前記嵌合凸部３３を設け、該嵌合凸部３
３が前記受載部２８の前記欠如部３１に嵌合する様構成
させているが、前記受載部２８の下面に嵌合凸部を設
け、該嵌合凸部が嵌合可能な凹部、欠如部等嵌合凹部を
前記基台部２９に設けてもよく、更に、前記受載部２８
と基台部２９の両方にそれぞれ嵌合凹部及び嵌合凸部を
嵌合可能に設けてもよい。
【００５０】又、上記全ての実施の形態に於いて、前記
ウェーハ２を移載する際、前記受載部１１，２０，２８
を昇降させているが、前記基台部１２，２１，２９を昇
降させてもよい。
ウェーハ２を移載する際、前記受載部１１，２０，２８
を昇降させているが、前記基台部１２，２１，２９を昇
降させてもよい。
【００５１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、被処理
基板の裏面全面が一様にサセプタ表面と接触した状態で
各種処理が施される為、被処理基板の裏面のサセプタに
接触する部分と非接触部分との間で温度差が生じること
がなく、被処理基板への成膜速度、膜質が均一となる。
又、被処理基板の裏面に反応ガスが回込み反応副生成物
が付着堆積することがない。更に、被処理基板をチャッ
ク等の治具に吸着させないので、被処理基板の成長面が
汚染されることがない。
基板の裏面全面が一様にサセプタ表面と接触した状態で
各種処理が施される為、被処理基板の裏面のサセプタに
接触する部分と非接触部分との間で温度差が生じること
がなく、被処理基板への成膜速度、膜質が均一となる。
又、被処理基板の裏面に反応ガスが回込み反応副生成物
が付着堆積することがない。更に、被処理基板をチャッ
ク等の治具に吸着させないので、被処理基板の成長面が
汚染されることがない。
【００５２】而して、ウェーハの品質の均一化及び品質
の向上を図ることが可能となるという優れた効果を発揮
する。
の向上を図ることが可能となるという優れた効果を発揮
する。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】該実施の形態に於いて、ウェーハをフォーク上
に載置した状態を示す平面図である。
に載置した状態を示す平面図である。
【図４】該実施の形態に於いてウェーハの移載動作を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図６】図５のＢ−Ｂ矢視図である。
【図７】該実施の形態に於いてウェーハの移載動作を示
す断面図である。
す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図９】図８のＣ−Ｃ矢視図である。
【図１０】図８のＤ−Ｄ矢視図である。
【図１１】該実施の形態に係る受載部の斜視図である。
【図１２】該実施の形態に係る基台部の斜視図である。
【図１３】該実施の形態に於いてウェーハを受載した受
載部をフォーク上に載置した状態を示す平面図である。
載部をフォーク上に載置した状態を示す平面図である。
【図１４】該実施の形態に於いてウェーハの移載動作を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１５】第１の従来例を示す平面図である。
【図１６】図１５のＥ−Ｅ矢視図である。
【図１７】第２の従来例を示す平面図である。
【図１８】図１７のＦ−Ｆ矢視図である。
【図１９】第３の従来例を示す平面図である。
【図２０】図１９のＧ−Ｇ矢視図である。
【図２１】図１９のＨ−Ｈ矢視図である。
１０ サセプタ １１ 受載部 １２ 基台部 １８ フォーク １９ サセプタ ２０ 受載部 ２１ 基台部 ２６ 支持ピン ２７ サセプタ ２８ 受載部 ２９ 基台部
Claims (4)
- 【請求項１】 基台部に受載部を嵌脱可能に設け、前記
基台部と受載部とにより被処理基板裏面全面に当接する
基板受載面が形成されることを特徴とする半導体製造装
置用サセプタ。 - 【請求項２】 前記受載部は昇降可能であると共に被処
理基板の中央部分と当接可能であり、前記基台部には上
面から基板載置部が嵌合可能な中央凹部が形成され、該
中央凹部の外周の全周に亘り前記被処理基板の周辺部と
当接する周辺凹部が形成された請求項１の半導体製造装
置用サセプタ。 - 【請求項３】 前記受載部が前記被処理基板の中央部分
に当接可能であり、前記基台部には上面から前記受載部
が嵌合可能な中央凹部が形成され、該中央凹部の外周の
全周に亘り前記被処理基板の周辺部と当接する周辺凹部
が形成され、前記中央凹部を遊嵌する支持ピンにより前
記受載部が昇降可能に構成された請求項１の半導体製造
装置用サセプタ。 - 【請求項４】 前記受載部には上面から前記被処理基板
が遊嵌可能な凹部が形成されると共に外周部から中央部
に至る欠如部が形成され、前記基台部が前記欠如部に嵌
合可能な嵌合凸部を有し、該嵌合凸部と前記凹部とによ
り前記基板受載面が形成される請求項１の半導体製造装
置用サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34214197A JPH11163102A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 半導体製造装置用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34214197A JPH11163102A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 半導体製造装置用サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163102A true JPH11163102A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18351451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34214197A Withdrawn JPH11163102A (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 半導体製造装置用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163102A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN102086515A (zh) * | 2009-12-02 | 2011-06-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
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| KR20170126503A (ko) | 2015-04-27 | 2017-11-17 | 가부시키가이샤 사무코 | 서셉터 및 에피택셜 성장 장치 |
| CN108779576A (zh) * | 2016-02-08 | 2018-11-09 | 洛佩诗公司 | 可感应加热的基座和外延沉积反应器 |
| EP3422396A1 (de) * | 2017-06-28 | 2019-01-02 | Meyer Burger (Germany) GmbH | Vorrichtung zum transport eines substrats, behandlungsvorrichtung mit einer an einen substratträger einer solchen vorrichtung angepassten aufnahmeplatte und verfahren zum prozessieren eines substrates unter nutzung einer solchen vorrichtung zum transport eines substrats sowie behandlungsanlage |
-
1997
- 1997-11-27 JP JP34214197A patent/JPH11163102A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026110A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 除電機能付き基板搬送アーム |
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| US11274371B2 (en) | 2015-04-27 | 2022-03-15 | Sumco Corporation | Susceptor and epitaxial growth device |
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| JP2020526040A (ja) * | 2017-06-28 | 2020-08-27 | マイヤー・ブルガー（ジャーマニー）ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 基板を搬送するための装置、このような装置の基板キャリアに適合された収容板を有する処理装置、及び当該基板を搬送するための装置を使用して基板を処理するための方法、並びに処理システム |
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|---|---|---|---|
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040929 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040929 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040915 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070118 |