JP2004119859A - サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板が載置される際の横滑りを十分に抑制することが可能なサセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長の際に半導体基板Wを支持するサセプタ20、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法である。サセプタ20は、サセプタ20に半導体基板Wを位置決めさせるための座ぐり21を備える。座ぐり21は、座ぐり21内で半導体基板Wの外周縁部を支持する支持部22を備える。座ぐり21は、支持部22よりも中心側の座ぐり底面23と半導体基板Wとの隙間のガスをサセプタ主表面側に逃がすためのガス逃げ部24を備える。
【選択図】 図1
【解決手段】気相成長の際に半導体基板Wを支持するサセプタ20、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法である。サセプタ20は、サセプタ20に半導体基板Wを位置決めさせるための座ぐり21を備える。座ぐり21は、座ぐり21内で半導体基板Wの外周縁部を支持する支持部22を備える。座ぐり21は、支持部22よりも中心側の座ぐり底面23と半導体基板Wとの隙間のガスをサセプタ主表面側に逃がすためのガス逃げ部24を備える。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体基板(以下、基板と略称することがある。)の主表面上への薄膜の気相成長は、反応容器内にサセプタを配し、このサセプタ上に配置した基板を成長温度に加熱するとともに、基板の主表面上に原料ガスを供給することによって行うようにしている。
サセプタ上への基板の配置は、例えば、予め反応容器内に配置したサセプタ上に基板を搬送し、基板をサセプタ上に載置することにより行う。
【0003】
ところで、サセプタ上に基板を載置する際には、基板がサセプタ上を横滑りし、基板がサセプタ上における所望の配置位置からずれた位置に配置されてしまう。
基板が所望の配置位置から大きくずれた状態のままで気相成長を行うと、気相成長により形成される薄膜の膜厚が基板の面内で不均一になる場合がある。
従来より、膜厚を均一化するための技術として、基板が位置決め状態で配置される凹部、すなわち座ぐりをサセプタに形成し、この座ぐりにより基板の横滑りを規制することによって基板の横滑り量を抑制する技術は知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−260851号公報(図3)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板の搬送精度の誤差を許容できるように、座ぐりの内径は基板の外径よりも若干大きく形成されている。また、上記特許文献1の技術のような座ぐりを有するサセプタを用いる場合にも、基板の横滑り自体を抑制することは困難である。
【0006】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、基板が載置される際の横滑りを十分に抑制することが可能なサセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
従来の技術において、サセプタ上に基板を載置する際に基板がサセプタ上を横滑りしてしまうのは、該載置の際に、基板とサセプタとの隙間よりガスがスムーズに逃げることができず、このガスがクッションとなって基板がサセプタ上を滑るためである。
【0008】
そこで、本発明のサセプタは、気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタにおいて、当該サセプタに半導体基板を位置決めさせるための座ぐりと、該座ぐり内で半導体基板の外周縁部を支持する支持部と、該支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスをサセプタの主表面側に逃がすためのガス逃げ部と、を備えることを特徴としている。
ガス逃げ部は、前記支持部に溝を形成することにより構成されていることが好ましい一例である。
【0009】
また、本発明の半導体ウェーハの製造装置は、半導体基板の主表面上に薄膜を気相成長させて半導体ウェーハを製造するための製造装置において、本発明のサセプタを備えることを特徴としている。
【0010】
また、本発明の半導体ウェーハの製造方法は、本発明のサセプタにより半導体基板を支持させ、該半導体基板の主表面上に薄膜を気相成長させて半導体ウェーハを製造することを特徴としている。
【0011】
本発明によれば、サセプタは、支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスをサセプタの主表面側に逃がすためのガス逃げ部を備えるので、基板をサセプタに載置する際に、前記隙間のガスがガス逃げ部を介してサセプタの主表面側へとスムーズに逃げることができる。従って、サセプタに載置する際に基板がサセプタ上で横滑りしてしまうことを抑制できる。
よって、その後の気相成長の際に、基板の主表面上に形成される薄膜の膜厚を基板の面内で均一に保つことが可能となる。
【0012】
なお、仮に、座ぐり底面からサセプタ外周部にまで達するような溝をサセプタに形成することによりガス逃げ部を構成したとすれば、原料ガス流が当該溝により乱されてしまって半導体基板の主表面上に均一に供給されなくなる可能性がある。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施の形態について説明する。
【0014】
先ず、図4及び図5を参照して、本発明に係る半導体ウェーハの製造装置の好適な一例としての、本実施形態の枚葉式のエピタキシャルウェーハの製造装置10について説明する。
【0015】
エピタキシャルウェーハの製造装置10は、サセプタ20(詳細後述)と、該サセプタ20が内部に配される反応容器11と、サセプタ20を支持して回転駆動及び昇降動作させるサセプタ支持部材12と、サセプタ20を表裏に貫通するとともに該サセプタ20に対し昇降動作可能に設けられ、基板Wを支持した状態で昇降動作するのに伴わせて該基板Wをサセプタ20上に着脱するためのリフトピン13と、気相成長の際に基板Wを成長温度に加熱するための加熱装置14a、14b(具体的には、例えばハロゲンランプ)と、原料ガス(具体的には、例えばトリクロロシラン)およびキャリアガス(具体的には、例えば水素)を含む気相成長用ガスを反応容器11内のサセプタ20上側の領域に導入して該サセプタ20上の基板Wの主表面上に供給する気相成長用ガス導入管15と、反応容器11に対しこの気相成長用ガス導入管15と同じ側に設けられパージガス(具体的には、例えば水素)を反応容器11内のサセプタ20下側の領域に導入するパージガス導入管16と、これらパージガス導入管16および気相成長用ガス導入管15と反応容器11に対し反対側に設けられ該反応容器11からガス(気相成長用ガスおよびパージガス)を排気する排気管17とを備えて概略構成されている。
【0016】
このうち、サセプタ20は、気相成長の際に基板(半導体基板)Wを支持するものであり、例えば炭化珪素で被覆されたグラファイトにより構成されている。サセプタ20は、図1(a)、図1(b)に示すように、例えば略円盤状に構成され、その主表面には、該主表面上に基板Wを位置決めするための座ぐり21が形成されている。すなわち、サセプタ20は、当該サセプタ20に基板Wを位置決めさせるための座ぐり21を備える。
座ぐり21は、内部に基板Wを配置可能な平面視円形の凹部であり、その内径が基板Wの外径よりも若干大きく設定されている。
なお、サセプタ20は、座ぐり21の外周側に、該座ぐり21を取り巻く円環状の周囲壁部27を備える。この周囲壁部27の上端面は略平面に形成されているとともに、当該サセプタ20の上端面を構成している。
【0017】
座ぐり21の底面は、例えば図1(b)に示すような状態で基板Wの外周縁部を支持する外周側部分(支持部)22を有する。すなわち、サセプタ20は、座ぐり21内で基板Wの外周縁部を支持する支持部(外周側部分22)を備える。さらに、座ぐり21の底面は、外周側部分22の内側に該外周側部分22よりも下側に窪んだ状態に形成された平面視円形の内周側部分23を有する。
つまり、座ぐり21の底面は、内周側部分23と外周側部分22とを有する二段構成を成している。
なお、このうち外周側部分22は例えば略平面に形成され、内周側部分23は例えば中心側に向けて次第に窪む凹曲面形状に形成されている。
また、外周側部分22は、総体としては円環状をなすものであるが、後述するガス逃げ部24が形成された結果として複数の台状部に分割されている。
【0018】
また、サセプタ20は、該サセプタ20の座ぐり21内に基板Wを載置する際に、内周側部分23と基板Wとの隙間のガスを当該サセプタ20の主表面側に逃がすためのガス逃げ部24を、例えば複数備えている。
すなわち、サセプタ20は、支持部(外周側部分22)よりも中心側の座ぐり底面(つまり内周側部分23)と基板Wとの隙間のガスをサセプタ主表面側に逃がすためのガス逃げ部24を備える。
【0019】
これらガス逃げ部24は、具体的には、例えば、図1及び図2に示すように、外周側部分(支持部)22に溝25を座ぐり21と中心の等しい放射状に形成することにより構成されている。
各溝25は、例えば、内周側部分23と同じ深さにまで達するとともに、外周側部分22の内周端面22a(図1(c))から外周壁部27に達するように形成されている。
【0020】
また、図1に示すように、サセプタ20の座ぐり21の内周側部分23には、サセプタ20の主裏面に貫通した状態に形成され、リフトピン13が挿通されるリフトピン挿通用孔部26が形成されている。
このリフトピン挿通用孔部26は、例えば、座ぐり21と中心が等しい円周上に、等角度間隔で三箇所に配設されている。
【0021】
ここで、図4及び図5に示すように、リフトピン13は、例えば丸棒状に構成された胴体部13aと、該胴体部13aの上端部に形成され、基板Wを下面側から支持する頭部13bと、を備えている。このうち頭部13bは、基板Wを支持しやすいように胴体部13aに比べて拡径されている。そして、リフトピン13は、その下端部からリフトピン挿通用孔部26に挿入された結果、該リフトピン挿通用孔部26の縁部により頭部13bが下方に抜け止めされて、サセプタ20により支持されるとともに、その胴体部13aを該リフトピン挿通用孔部26より垂下させた状態となっている。なお、リフトピン13の胴体部13aは、サセプタ支持部材12の支持アーム12aに設けられた貫通孔12bも貫通している。
【0022】
また、サセプタ支持部材12は、複数の支持アーム12a(図4、図5)を放射状に備え、これら支持アーム12aにより、サセプタ20を下面側から支持している。これにより、サセプタ20は、その上面が略水平状態に保たれている。
【0023】
エピタキシャルウェーハの製造装置10は、概略以上のように構成されている。
そして、このエピタキシャルウェーハの製造装置10を用いて、以下の要領で気相成長を行うことにより、基板W(例えばシリコン単結晶基板)の主表面上にエピタキシャル層(薄膜;例えばシリコンエピタキシャル層)を形成してエピタキシャルウェーハ(半導体ウェーハ;例えばシリコンエピタキシャルウェーハ)を製造することができる。
【0024】
先ず、基板Wを反応容器11内のサセプタ20により支持させる(サセプタ20に載置する)。
このためには、先ず、リフトピン13上に基板Wを受け渡すために、各リフトピン13を、互いに略等量だけサセプタ20上面より上方に突出するように該サセプタ20に対し相対的に上昇させる。このためには、サセプタ支持部材12を下降させるのに伴わせてサセプタ20を下降させる。この下降の過程で、リフトピン13の下端部が、例えば反応容器11の内部底面に到達して以後は、リフトピン13はそれ以上に下降できないが、サセプタ20はさらに下降する。このため、サセプタ20に対し相対的にリフトピン13が上昇し、やがて、図5において、基板Wが無い状態となる。
次に、図示しないハンドラにより基板Wを反応容器11内に搬送し、上記上昇動作後の各リフトピン13の頭部13bにより、主表面を上向きにして基板Wを支持させる(図5の状態)。
次に、基板Wをサセプタ20により支持させるために、各リフトピン13をサセプタ20に対し相対的に下降させる。このためには、ハンドラを待避させる一方で、サセプタ支持部材12を上昇させるのに伴わせて、サセプタ20を上昇させる。この上昇の過程で、座ぐり21の外周側部分22が基板Wの主裏面に到達すると、それまでリフトピン13の頭部13b上に支持されていた基板Wが、座ぐり21の外周側部分22により支持された状態へと移行する。
つまり、図2(a)の状態から図2(b)の状態に移行し、基板Wがサセプタ20上に載置された状態となる。
【0025】
ここで、本実施形態のサセプタ20は、ガス逃げ部24を備えるので、このように基板Wがサセプタ20上に載置される際には、すなわち、図2(a)の状態から図2(b)の状態に移行する際には、サセプタ20の内周側部分23と基板Wとの隙間のガスが、ガス逃げ部24として形成された溝25を介してサセプタ20の主表面側へとスムーズに逃げることができる(図2(b)矢印C参照)。従って、以上のようにサセプタ20上に基板Wを載置する際には、サセプタ20上で基板Wの横滑りが発生しにくい。よって、基板Wを好適に座ぐり21内の所望の位置、すなわち、具体的には座ぐり21の中心に位置させることができる。
【0026】
なお、サセプタ20は、基板Wが外周側部分22により支持された状態へと移行した後もさらに上昇する。この上昇により、リフトピン挿通用孔部26の縁部がリフトピン13の頭部13bに到達すると、それまで反応容器11の内部底面により支持された状態であったリフトピン13は、サセプタ20により支持された状態へと移行する(図4の状態)。
【0027】
このようにサセプタ20により基板Wを支持させた後に、気相成長を行う。
すなわち、サセプタ支持部材12を鉛直軸周りに回転駆動することによりサセプタ20を回転させるのに伴わせて基板Wを回転させるとともに、該サセプタ20上の基板Wを加熱装置14により成長温度に加熱しながら、気相成長用ガス導入管15を介して基板Wの主表面上に気相成長用ガスを略水平に供給する一方で、パージガス導入管16を介してサセプタ20の下側にパージガスを略水平に導入する。従って、気相成長中、サセプタ20の上側には、気相成長用ガス流が、下側には、パージガス流が、それぞれサセプタ20および基板Wと略平行に形成される。
このように気相成長を行うことにより、基板Wの主表面上にエピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェーハを製造することができる。
【0028】
ここで、本実施の形態の場合、上記のように、基板Wを好適に座ぐり21の中心に位置させることができるため、気相成長の際にはエピタキシャル層を基板Wの主表面上に均一に形成することが可能となる。
すなわち、例えば基板Wを座ぐり21の中心に位置させることができずに、基板Wにおける何れかの側の周縁部が周囲壁部27に近寄り過ぎた場合などは、該基板Wの主表面上にはエピタキシャル層を均一に形成することが困難となるのであるが、本実施形態によればこのような問題の発生を抑制できる。
よって、気相成長により基板Wの主表面上に形成されるエピタキシャル層(薄膜)の膜厚を基板Wの面内で均一に保つことが可能となる。
【0029】
なお、より具体的には、ガス逃げ部24は、座ぐり21内に形成されているので、すなわち、換言すれば、ガス逃げ部24の周囲には周囲壁部27が存在するので、ガス逃げ部24は、原料ガス流に対して周囲壁部27の陰に位置する。
すなわち、サセプタ20は、気相成長の際にガス逃げ部24を原料ガス流に対し陰にさせるための壁部(周囲壁部27)を(例えばガス逃げ部24よりも外周側に)備える。
従って、ガス逃げ部24の存在により原料ガス流を乱してしまうことを好適に抑制することができる。
なお、周囲壁部27の上端面は、当該サセプタ20の上端面を構成するとともに平面に形成されているため、周囲壁部27も原料ガス流を乱すものではない。
【0030】
また、上記のようにエピタキシャルウェーハを製造した後は、このエピタキシャルウェーハを反応容器11外に搬出する。
すなわち、予めサセプタ20の回転を止めた後に、サセプタ支持部材12を下降させて、図5に示すように、各リフトピン13を互いに略等量だけサセプタ20上方に突出動作させ、この突出動作に伴わせて基板Wをサセプタ20の座ぐり21上方に上昇させる。そして、図示しないハンドラにより基板Wを搬出する。
【0031】
以上のような実施の形態によれば、サセプタ20は、外周側部分(支持部)22よりも中心側の座ぐり底面、すなわち内周側部分23と基板Wとの隙間のガスを逃がすためのガス逃げ部24を備えるので、基板Wをサセプタ20に載置する際に、ガス逃げ部24を介してガスがサセプタ20の主表面側へとスムーズに逃げることができる。従って、サセプタ20に載置する際における基板Wの横滑りの発生を抑制できる。
よって、気相成長により基板Wの主表面上に形成されるエピタキシャル層(薄膜)の膜厚を基板Wの面内で均一に保つことが可能となる。
【0032】
なお、上記の実施の形態では、ガス逃げ部24が(溝25が)内周側部分23と同じ深さまで達する例を示したが、内周側部分23より浅くても良いし、逆に内周側部分23よりも深くても良い。また、座ぐり21の底面が2段構成である例を示したが、例えば3段以上であっても良い。
【0033】
<変形例>
以下、図3を参照して、上記の第1の実施の形態のサセプタ20とは態様の異なるサセプタ30について説明する。なお、サセプタ30の構成要素のうちサセプタ20と同様の構成要素には、サセプタ20におけると同一の符号を付して説明を省略する。
【0034】
サセプタ30の主表面には、該主表面上に基板Wを位置決めするための座ぐり31が形成されている。
この座ぐり31の底面は、中心側に向けて次第に窪む凹曲面状をなしている。さらに、座ぐり31の底面は、例えば図3(b)に示すような状態で基板Wの外周縁部を支持する支持部32を有する。
なお、支持部32の上面は、座ぐり31の底面を構成する凹曲面の一部からなり、総体としては円環状をなすものであるが、ガス逃げ部34(後述)を形成した結果として、支持部32は複数の傾斜台状部に分割されている。
【0035】
また、サセプタ30は、支持部32よりも中心側の座ぐり底面と基板Wとの隙間のガスをサセプタ主表面側に逃がすためのガス逃げ部34を備える。
このガス逃げ部34は、具体的には、例えば、支持部32に溝35を座ぐり31と中心の等しい放射状に形成することにより構成されている。
【0036】
このような変形例によっても、上記の実施の形態と同様の効果が得られる。
すなわち、サセプタ30上に基板Wを載置する際には、図3(d)の矢印Fに示すように、支持部32よりも中心側の座ぐり底面と基板Wとの隙間のガスがガス逃げ部34を介してサセプタ30の主表面側へとスムーズに逃げることができる。
【0037】
なお、上記においては、サセプタ20(30)がリフトピン挿通用孔部26を備える例について説明したが、本発明はこれに限らず、サセプタがリフトピン挿通用孔部26を備えていなくても良い。
また、サセプタ20(30)として、枚葉式のものを例示したが、これに限らず、バッチ式のサセプタであっても良い。
同様に、枚葉式のエピタキシャルウェーハの製造装置10を例示したが、バッチ式のエピタキシャルウェーハの製造装置であっても良い。
また、半導体ウェーハ製造装置及び製造方法として、エピタキシャルウェーハの製造装置10及び製造方法を例示したが、その他の半導体ウェーハ(例えば、多結晶薄膜を気相成長して製造される半導体ウェーハ等)の製造装置及び製造方法であっても良い。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、サセプタは、支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスを逃がすためのガス逃げ部を備えるので、基板をサセプタに載置する際に、該隙間のガスがガス逃げ部を介してサセプタの主表面側へとスムーズに逃げることができる。従って、サセプタに載置する際に基板がサセプタ上で横滑りしてしまうことを抑制できる。
よって、気相成長により基板の主表面上に形成される薄膜の膜厚を基板の面内で均一に保つことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るサセプタの一例を示す図であり、このうち(a)は平面図、(b)は基板を支持した状態の(a)のA−A矢視断面、(c)はガス逃げ部近傍を示す拡大斜視図である。
【図2】サセプタへの半導体基板の載置動作を説明するための図1(a)のB−B矢視断面図であり、このうち(a)は載置直前の状態を示し、(b)は載置の際の状態を示す。
【図3】本発明に係るサセプタの他の一例を示す図であり、このうち(a)は平面図、(b)は基板を支持した状態の(a)のD−D矢視断面、(c)はガス逃げ部近傍を示す拡大斜視図、(d)は基板を支持した状態の(a)のE−E矢視断面図である。
【図4】本発明に係る半導体ウェーハの製造装置の好適な一例を示す模式的な正面断面図であり、特に、気相成長中の状態を示す。
【図5】本発明に係る半導体ウェーハの製造装置の好適な一例を示す模式的な正面断面図であり、特に、リフトピンにより基板をサセプタ上方に支持した状態を示す。
【符号の説明】
W シリコン単結晶基板(半導体基板)
20 サセプタ
21 座ぐり
22 外周側部分(支持部)
23 内周側部分(支持部よりも中心側の座ぐり底面)
24 ガス逃げ部
25 溝
30 サセプタ
31 座ぐり
32 支持部
34 ガス逃げ部
10 エピタキシャルウェーハの製造装置(半導体ウェーハの製造装置)
【発明の属する技術分野】
本発明は、サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体基板(以下、基板と略称することがある。)の主表面上への薄膜の気相成長は、反応容器内にサセプタを配し、このサセプタ上に配置した基板を成長温度に加熱するとともに、基板の主表面上に原料ガスを供給することによって行うようにしている。
サセプタ上への基板の配置は、例えば、予め反応容器内に配置したサセプタ上に基板を搬送し、基板をサセプタ上に載置することにより行う。
【0003】
ところで、サセプタ上に基板を載置する際には、基板がサセプタ上を横滑りし、基板がサセプタ上における所望の配置位置からずれた位置に配置されてしまう。
基板が所望の配置位置から大きくずれた状態のままで気相成長を行うと、気相成長により形成される薄膜の膜厚が基板の面内で不均一になる場合がある。
従来より、膜厚を均一化するための技術として、基板が位置決め状態で配置される凹部、すなわち座ぐりをサセプタに形成し、この座ぐりにより基板の横滑りを規制することによって基板の横滑り量を抑制する技術は知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−260851号公報(図3)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板の搬送精度の誤差を許容できるように、座ぐりの内径は基板の外径よりも若干大きく形成されている。また、上記特許文献1の技術のような座ぐりを有するサセプタを用いる場合にも、基板の横滑り自体を抑制することは困難である。
【0006】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、基板が載置される際の横滑りを十分に抑制することが可能なサセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
従来の技術において、サセプタ上に基板を載置する際に基板がサセプタ上を横滑りしてしまうのは、該載置の際に、基板とサセプタとの隙間よりガスがスムーズに逃げることができず、このガスがクッションとなって基板がサセプタ上を滑るためである。
【0008】
そこで、本発明のサセプタは、気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタにおいて、当該サセプタに半導体基板を位置決めさせるための座ぐりと、該座ぐり内で半導体基板の外周縁部を支持する支持部と、該支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスをサセプタの主表面側に逃がすためのガス逃げ部と、を備えることを特徴としている。
ガス逃げ部は、前記支持部に溝を形成することにより構成されていることが好ましい一例である。
【0009】
また、本発明の半導体ウェーハの製造装置は、半導体基板の主表面上に薄膜を気相成長させて半導体ウェーハを製造するための製造装置において、本発明のサセプタを備えることを特徴としている。
【0010】
また、本発明の半導体ウェーハの製造方法は、本発明のサセプタにより半導体基板を支持させ、該半導体基板の主表面上に薄膜を気相成長させて半導体ウェーハを製造することを特徴としている。
【0011】
本発明によれば、サセプタは、支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスをサセプタの主表面側に逃がすためのガス逃げ部を備えるので、基板をサセプタに載置する際に、前記隙間のガスがガス逃げ部を介してサセプタの主表面側へとスムーズに逃げることができる。従って、サセプタに載置する際に基板がサセプタ上で横滑りしてしまうことを抑制できる。
よって、その後の気相成長の際に、基板の主表面上に形成される薄膜の膜厚を基板の面内で均一に保つことが可能となる。
【0012】
なお、仮に、座ぐり底面からサセプタ外周部にまで達するような溝をサセプタに形成することによりガス逃げ部を構成したとすれば、原料ガス流が当該溝により乱されてしまって半導体基板の主表面上に均一に供給されなくなる可能性がある。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施の形態について説明する。
【0014】
先ず、図4及び図5を参照して、本発明に係る半導体ウェーハの製造装置の好適な一例としての、本実施形態の枚葉式のエピタキシャルウェーハの製造装置10について説明する。
【0015】
エピタキシャルウェーハの製造装置10は、サセプタ20(詳細後述)と、該サセプタ20が内部に配される反応容器11と、サセプタ20を支持して回転駆動及び昇降動作させるサセプタ支持部材12と、サセプタ20を表裏に貫通するとともに該サセプタ20に対し昇降動作可能に設けられ、基板Wを支持した状態で昇降動作するのに伴わせて該基板Wをサセプタ20上に着脱するためのリフトピン13と、気相成長の際に基板Wを成長温度に加熱するための加熱装置14a、14b(具体的には、例えばハロゲンランプ)と、原料ガス(具体的には、例えばトリクロロシラン)およびキャリアガス(具体的には、例えば水素)を含む気相成長用ガスを反応容器11内のサセプタ20上側の領域に導入して該サセプタ20上の基板Wの主表面上に供給する気相成長用ガス導入管15と、反応容器11に対しこの気相成長用ガス導入管15と同じ側に設けられパージガス(具体的には、例えば水素)を反応容器11内のサセプタ20下側の領域に導入するパージガス導入管16と、これらパージガス導入管16および気相成長用ガス導入管15と反応容器11に対し反対側に設けられ該反応容器11からガス(気相成長用ガスおよびパージガス)を排気する排気管17とを備えて概略構成されている。
【0016】
このうち、サセプタ20は、気相成長の際に基板(半導体基板)Wを支持するものであり、例えば炭化珪素で被覆されたグラファイトにより構成されている。サセプタ20は、図1(a)、図1(b)に示すように、例えば略円盤状に構成され、その主表面には、該主表面上に基板Wを位置決めするための座ぐり21が形成されている。すなわち、サセプタ20は、当該サセプタ20に基板Wを位置決めさせるための座ぐり21を備える。
座ぐり21は、内部に基板Wを配置可能な平面視円形の凹部であり、その内径が基板Wの外径よりも若干大きく設定されている。
なお、サセプタ20は、座ぐり21の外周側に、該座ぐり21を取り巻く円環状の周囲壁部27を備える。この周囲壁部27の上端面は略平面に形成されているとともに、当該サセプタ20の上端面を構成している。
【0017】
座ぐり21の底面は、例えば図1(b)に示すような状態で基板Wの外周縁部を支持する外周側部分(支持部)22を有する。すなわち、サセプタ20は、座ぐり21内で基板Wの外周縁部を支持する支持部(外周側部分22)を備える。さらに、座ぐり21の底面は、外周側部分22の内側に該外周側部分22よりも下側に窪んだ状態に形成された平面視円形の内周側部分23を有する。
つまり、座ぐり21の底面は、内周側部分23と外周側部分22とを有する二段構成を成している。
なお、このうち外周側部分22は例えば略平面に形成され、内周側部分23は例えば中心側に向けて次第に窪む凹曲面形状に形成されている。
また、外周側部分22は、総体としては円環状をなすものであるが、後述するガス逃げ部24が形成された結果として複数の台状部に分割されている。
【0018】
また、サセプタ20は、該サセプタ20の座ぐり21内に基板Wを載置する際に、内周側部分23と基板Wとの隙間のガスを当該サセプタ20の主表面側に逃がすためのガス逃げ部24を、例えば複数備えている。
すなわち、サセプタ20は、支持部(外周側部分22)よりも中心側の座ぐり底面(つまり内周側部分23)と基板Wとの隙間のガスをサセプタ主表面側に逃がすためのガス逃げ部24を備える。
【0019】
これらガス逃げ部24は、具体的には、例えば、図1及び図2に示すように、外周側部分(支持部)22に溝25を座ぐり21と中心の等しい放射状に形成することにより構成されている。
各溝25は、例えば、内周側部分23と同じ深さにまで達するとともに、外周側部分22の内周端面22a(図1(c))から外周壁部27に達するように形成されている。
【0020】
また、図1に示すように、サセプタ20の座ぐり21の内周側部分23には、サセプタ20の主裏面に貫通した状態に形成され、リフトピン13が挿通されるリフトピン挿通用孔部26が形成されている。
このリフトピン挿通用孔部26は、例えば、座ぐり21と中心が等しい円周上に、等角度間隔で三箇所に配設されている。
【0021】
ここで、図4及び図5に示すように、リフトピン13は、例えば丸棒状に構成された胴体部13aと、該胴体部13aの上端部に形成され、基板Wを下面側から支持する頭部13bと、を備えている。このうち頭部13bは、基板Wを支持しやすいように胴体部13aに比べて拡径されている。そして、リフトピン13は、その下端部からリフトピン挿通用孔部26に挿入された結果、該リフトピン挿通用孔部26の縁部により頭部13bが下方に抜け止めされて、サセプタ20により支持されるとともに、その胴体部13aを該リフトピン挿通用孔部26より垂下させた状態となっている。なお、リフトピン13の胴体部13aは、サセプタ支持部材12の支持アーム12aに設けられた貫通孔12bも貫通している。
【0022】
また、サセプタ支持部材12は、複数の支持アーム12a(図4、図5)を放射状に備え、これら支持アーム12aにより、サセプタ20を下面側から支持している。これにより、サセプタ20は、その上面が略水平状態に保たれている。
【0023】
エピタキシャルウェーハの製造装置10は、概略以上のように構成されている。
そして、このエピタキシャルウェーハの製造装置10を用いて、以下の要領で気相成長を行うことにより、基板W(例えばシリコン単結晶基板)の主表面上にエピタキシャル層(薄膜;例えばシリコンエピタキシャル層)を形成してエピタキシャルウェーハ(半導体ウェーハ;例えばシリコンエピタキシャルウェーハ)を製造することができる。
【0024】
先ず、基板Wを反応容器11内のサセプタ20により支持させる(サセプタ20に載置する)。
このためには、先ず、リフトピン13上に基板Wを受け渡すために、各リフトピン13を、互いに略等量だけサセプタ20上面より上方に突出するように該サセプタ20に対し相対的に上昇させる。このためには、サセプタ支持部材12を下降させるのに伴わせてサセプタ20を下降させる。この下降の過程で、リフトピン13の下端部が、例えば反応容器11の内部底面に到達して以後は、リフトピン13はそれ以上に下降できないが、サセプタ20はさらに下降する。このため、サセプタ20に対し相対的にリフトピン13が上昇し、やがて、図5において、基板Wが無い状態となる。
次に、図示しないハンドラにより基板Wを反応容器11内に搬送し、上記上昇動作後の各リフトピン13の頭部13bにより、主表面を上向きにして基板Wを支持させる(図5の状態)。
次に、基板Wをサセプタ20により支持させるために、各リフトピン13をサセプタ20に対し相対的に下降させる。このためには、ハンドラを待避させる一方で、サセプタ支持部材12を上昇させるのに伴わせて、サセプタ20を上昇させる。この上昇の過程で、座ぐり21の外周側部分22が基板Wの主裏面に到達すると、それまでリフトピン13の頭部13b上に支持されていた基板Wが、座ぐり21の外周側部分22により支持された状態へと移行する。
つまり、図2(a)の状態から図2(b)の状態に移行し、基板Wがサセプタ20上に載置された状態となる。
【0025】
ここで、本実施形態のサセプタ20は、ガス逃げ部24を備えるので、このように基板Wがサセプタ20上に載置される際には、すなわち、図2(a)の状態から図2(b)の状態に移行する際には、サセプタ20の内周側部分23と基板Wとの隙間のガスが、ガス逃げ部24として形成された溝25を介してサセプタ20の主表面側へとスムーズに逃げることができる(図2(b)矢印C参照)。従って、以上のようにサセプタ20上に基板Wを載置する際には、サセプタ20上で基板Wの横滑りが発生しにくい。よって、基板Wを好適に座ぐり21内の所望の位置、すなわち、具体的には座ぐり21の中心に位置させることができる。
【0026】
なお、サセプタ20は、基板Wが外周側部分22により支持された状態へと移行した後もさらに上昇する。この上昇により、リフトピン挿通用孔部26の縁部がリフトピン13の頭部13bに到達すると、それまで反応容器11の内部底面により支持された状態であったリフトピン13は、サセプタ20により支持された状態へと移行する(図4の状態)。
【0027】
このようにサセプタ20により基板Wを支持させた後に、気相成長を行う。
すなわち、サセプタ支持部材12を鉛直軸周りに回転駆動することによりサセプタ20を回転させるのに伴わせて基板Wを回転させるとともに、該サセプタ20上の基板Wを加熱装置14により成長温度に加熱しながら、気相成長用ガス導入管15を介して基板Wの主表面上に気相成長用ガスを略水平に供給する一方で、パージガス導入管16を介してサセプタ20の下側にパージガスを略水平に導入する。従って、気相成長中、サセプタ20の上側には、気相成長用ガス流が、下側には、パージガス流が、それぞれサセプタ20および基板Wと略平行に形成される。
このように気相成長を行うことにより、基板Wの主表面上にエピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェーハを製造することができる。
【0028】
ここで、本実施の形態の場合、上記のように、基板Wを好適に座ぐり21の中心に位置させることができるため、気相成長の際にはエピタキシャル層を基板Wの主表面上に均一に形成することが可能となる。
すなわち、例えば基板Wを座ぐり21の中心に位置させることができずに、基板Wにおける何れかの側の周縁部が周囲壁部27に近寄り過ぎた場合などは、該基板Wの主表面上にはエピタキシャル層を均一に形成することが困難となるのであるが、本実施形態によればこのような問題の発生を抑制できる。
よって、気相成長により基板Wの主表面上に形成されるエピタキシャル層(薄膜)の膜厚を基板Wの面内で均一に保つことが可能となる。
【0029】
なお、より具体的には、ガス逃げ部24は、座ぐり21内に形成されているので、すなわち、換言すれば、ガス逃げ部24の周囲には周囲壁部27が存在するので、ガス逃げ部24は、原料ガス流に対して周囲壁部27の陰に位置する。
すなわち、サセプタ20は、気相成長の際にガス逃げ部24を原料ガス流に対し陰にさせるための壁部(周囲壁部27)を(例えばガス逃げ部24よりも外周側に)備える。
従って、ガス逃げ部24の存在により原料ガス流を乱してしまうことを好適に抑制することができる。
なお、周囲壁部27の上端面は、当該サセプタ20の上端面を構成するとともに平面に形成されているため、周囲壁部27も原料ガス流を乱すものではない。
【0030】
また、上記のようにエピタキシャルウェーハを製造した後は、このエピタキシャルウェーハを反応容器11外に搬出する。
すなわち、予めサセプタ20の回転を止めた後に、サセプタ支持部材12を下降させて、図5に示すように、各リフトピン13を互いに略等量だけサセプタ20上方に突出動作させ、この突出動作に伴わせて基板Wをサセプタ20の座ぐり21上方に上昇させる。そして、図示しないハンドラにより基板Wを搬出する。
【0031】
以上のような実施の形態によれば、サセプタ20は、外周側部分(支持部)22よりも中心側の座ぐり底面、すなわち内周側部分23と基板Wとの隙間のガスを逃がすためのガス逃げ部24を備えるので、基板Wをサセプタ20に載置する際に、ガス逃げ部24を介してガスがサセプタ20の主表面側へとスムーズに逃げることができる。従って、サセプタ20に載置する際における基板Wの横滑りの発生を抑制できる。
よって、気相成長により基板Wの主表面上に形成されるエピタキシャル層(薄膜)の膜厚を基板Wの面内で均一に保つことが可能となる。
【0032】
なお、上記の実施の形態では、ガス逃げ部24が(溝25が)内周側部分23と同じ深さまで達する例を示したが、内周側部分23より浅くても良いし、逆に内周側部分23よりも深くても良い。また、座ぐり21の底面が2段構成である例を示したが、例えば3段以上であっても良い。
【0033】
<変形例>
以下、図3を参照して、上記の第1の実施の形態のサセプタ20とは態様の異なるサセプタ30について説明する。なお、サセプタ30の構成要素のうちサセプタ20と同様の構成要素には、サセプタ20におけると同一の符号を付して説明を省略する。
【0034】
サセプタ30の主表面には、該主表面上に基板Wを位置決めするための座ぐり31が形成されている。
この座ぐり31の底面は、中心側に向けて次第に窪む凹曲面状をなしている。さらに、座ぐり31の底面は、例えば図3(b)に示すような状態で基板Wの外周縁部を支持する支持部32を有する。
なお、支持部32の上面は、座ぐり31の底面を構成する凹曲面の一部からなり、総体としては円環状をなすものであるが、ガス逃げ部34(後述)を形成した結果として、支持部32は複数の傾斜台状部に分割されている。
【0035】
また、サセプタ30は、支持部32よりも中心側の座ぐり底面と基板Wとの隙間のガスをサセプタ主表面側に逃がすためのガス逃げ部34を備える。
このガス逃げ部34は、具体的には、例えば、支持部32に溝35を座ぐり31と中心の等しい放射状に形成することにより構成されている。
【0036】
このような変形例によっても、上記の実施の形態と同様の効果が得られる。
すなわち、サセプタ30上に基板Wを載置する際には、図3(d)の矢印Fに示すように、支持部32よりも中心側の座ぐり底面と基板Wとの隙間のガスがガス逃げ部34を介してサセプタ30の主表面側へとスムーズに逃げることができる。
【0037】
なお、上記においては、サセプタ20(30)がリフトピン挿通用孔部26を備える例について説明したが、本発明はこれに限らず、サセプタがリフトピン挿通用孔部26を備えていなくても良い。
また、サセプタ20(30)として、枚葉式のものを例示したが、これに限らず、バッチ式のサセプタであっても良い。
同様に、枚葉式のエピタキシャルウェーハの製造装置10を例示したが、バッチ式のエピタキシャルウェーハの製造装置であっても良い。
また、半導体ウェーハ製造装置及び製造方法として、エピタキシャルウェーハの製造装置10及び製造方法を例示したが、その他の半導体ウェーハ(例えば、多結晶薄膜を気相成長して製造される半導体ウェーハ等)の製造装置及び製造方法であっても良い。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、サセプタは、支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスを逃がすためのガス逃げ部を備えるので、基板をサセプタに載置する際に、該隙間のガスがガス逃げ部を介してサセプタの主表面側へとスムーズに逃げることができる。従って、サセプタに載置する際に基板がサセプタ上で横滑りしてしまうことを抑制できる。
よって、気相成長により基板の主表面上に形成される薄膜の膜厚を基板の面内で均一に保つことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るサセプタの一例を示す図であり、このうち(a)は平面図、(b)は基板を支持した状態の(a)のA−A矢視断面、(c)はガス逃げ部近傍を示す拡大斜視図である。
【図2】サセプタへの半導体基板の載置動作を説明するための図1(a)のB−B矢視断面図であり、このうち(a)は載置直前の状態を示し、(b)は載置の際の状態を示す。
【図3】本発明に係るサセプタの他の一例を示す図であり、このうち(a)は平面図、(b)は基板を支持した状態の(a)のD−D矢視断面、(c)はガス逃げ部近傍を示す拡大斜視図、(d)は基板を支持した状態の(a)のE−E矢視断面図である。
【図4】本発明に係る半導体ウェーハの製造装置の好適な一例を示す模式的な正面断面図であり、特に、気相成長中の状態を示す。
【図5】本発明に係る半導体ウェーハの製造装置の好適な一例を示す模式的な正面断面図であり、特に、リフトピンにより基板をサセプタ上方に支持した状態を示す。
【符号の説明】
W シリコン単結晶基板(半導体基板)
20 サセプタ
21 座ぐり
22 外周側部分(支持部)
23 内周側部分(支持部よりも中心側の座ぐり底面)
24 ガス逃げ部
25 溝
30 サセプタ
31 座ぐり
32 支持部
34 ガス逃げ部
10 エピタキシャルウェーハの製造装置(半導体ウェーハの製造装置)
Claims (4)
- 気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタにおいて、当該サセプタに半導体基板を位置決めさせるための座ぐりと、該座ぐり内で半導体基板の外周縁部を支持する支持部と、該支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスをサセプタの主表面側に逃がすためのガス逃げ部と、を備えることを特徴とするサセプタ。
- 前記ガス逃げ部は、前記支持部に溝を形成することにより構成されていることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 半導体基板の主表面上に薄膜を気相成長させて半導体ウェーハを製造するための製造装置において、請求項1又は2に記載のサセプタを備えることを特徴とする半導体ウェーハの製造装置。
- 請求項1又は2に記載のサセプタにより半導体基板を支持させ、該半導体基板の主表面上に薄膜を気相成長させて半導体ウェーハを製造することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
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