JP4655935B2 - シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
前記下側加熱手段の出力を前記上側加熱手段の出力に対して相対的に下げて、リフトピンに対応する位置におけるシリコンエピタキシャル層の表面形状を凸とするか、あるいは、前記下側加熱手段の出力を前記上側加熱手段の出力に対して相対的に上げて、リフトピンに対応する位置におけるシリコンエピタキシャル層の表面形状を凹として、前記上側加熱手段と前記下側加熱手段との加熱比率を制御し、シリコン単結晶基板の主表面のうちの前記リフトピン付近に形成されるシリコンエピタキシャル層の膜厚を制御することを特徴としている。
なお、この位置は、サセプタに形成されたリフトピン挿通用孔部に対応し、同じサセプタに形成された貫通孔の位置に対応して生じる凸部と同様、リフトピンと挿通用孔の隙間(リング状)によって裏面に凸部が形成させる。ただしこの場合、凸部は隙間の外側にリング状に形成される。又、リング状凸部の内側が凹になることもある。
[実施例]
ここで、裏面の形状が凸の場合は、デバイス製造工程において特にウェーハの裏面をウェーハチャックに吸着保持させる工程で、裏面の凸形状が表面側に転写して、例えばフォトリソグラフィー等で不具合を生じることがあり好ましくない。
1 気相成長装置
11 反応容器
13 リフトピン
14a 上側加熱装置(上側加熱手段)
14b 下側加熱装置(下側加熱手段)
20 サセプタ
25 貫通孔
Claims (1)
- 反応容器と、該反応容器内に配され上面にシリコン単結晶基板が載置されるサセプタと、該サセプタに対し昇降動作可能に設けられ、シリコン単結晶基板を下面側から支持した状態で昇降動作するのに伴わせてサセプタ上にシリコン単結晶基板を着脱するためのリフトピンと、前記サセプタを上方から加熱する上側加熱手段と、前記サセプタを下方から加熱する下側加熱手段と、を備える気相成長装置を使用して、前記サセプタ上のシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させることによってシリコンエピタキシャルウェーハを製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記下側加熱手段の出力を前記上側加熱手段の出力に対して相対的に下げて、リフトピンに対応する位置におけるシリコンエピタキシャル層の表面形状を凸とするか、あるいは、前記下側加熱手段の出力を前記上側加熱手段の出力に対して相対的に上げて、リフトピンに対応する位置におけるシリコンエピタキシャル層の表面形状を凹として、前記上側加熱手段と前記下側加熱手段との加熱比率を制御し、シリコン単結晶基板の主表面のうちの前記リフトピン付近に形成されるシリコンエピタキシャル層の膜厚を制御することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003342943 | 2003-10-01 | ||
JP2003342943 | 2003-10-01 | ||
PCT/JP2004/014080 WO2005034219A1 (ja) | 2003-10-01 | 2004-09-27 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005034219A1 JPWO2005034219A1 (ja) | 2006-12-14 |
JP4655935B2 true JP4655935B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=34419277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005514420A Active JP4655935B2 (ja) | 2003-10-01 | 2004-09-27 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7615116B2 (ja) |
EP (1) | EP1670044A4 (ja) |
JP (1) | JP4655935B2 (ja) |
KR (1) | KR20060060735A (ja) |
CN (1) | CN1864245A (ja) |
WO (1) | WO2005034219A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4508000B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2010-07-21 | 株式会社Sumco | エピタキシャル膜の製造方法 |
TWI327339B (en) | 2005-07-29 | 2010-07-11 | Nuflare Technology Inc | Vapor phase growing apparatus and vapor phase growing method |
KR101394111B1 (ko) * | 2008-02-11 | 2014-05-13 | (주)소슬 | 기판처리장치 |
KR101394109B1 (ko) * | 2008-02-11 | 2014-05-13 | (주)소슬 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 |
JP5412759B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-02-12 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの保持具及びそのウェーハの製造方法 |
US20110164955A1 (en) * | 2009-07-15 | 2011-07-07 | Applied Materials,Inc. | Processing chamber with translating wear plate for lift pin |
DE112010003694B4 (de) * | 2009-09-17 | 2015-11-26 | Sumco Corporation | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Epitaxialwafers |
CN101838801A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-09-22 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 加热器驱动螺杆检测装置及方法 |
CN102330147B (zh) * | 2010-07-14 | 2015-11-25 | 郭志凯 | 一种硅片生产外延设备及其系统 |
JP5565472B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-08-06 | 信越半導体株式会社 | サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR101238841B1 (ko) * | 2011-01-04 | 2013-03-04 | 주식회사 엘지실트론 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치 |
JP5477314B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2014-04-23 | 信越半導体株式会社 | サセプタ及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2013115342A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP5849674B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2016-02-03 | 株式会社Sumco | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
CN102538732A (zh) * | 2012-01-17 | 2012-07-04 | 河北普兴电子科技股份有限公司 | 一种硅外延层过渡区的无损检测方法 |
CN104269354A (zh) * | 2014-10-23 | 2015-01-07 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种提高ccd器件用硅外延片的厚度均匀性的方法 |
JP6153095B2 (ja) * | 2014-12-19 | 2017-06-28 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR101548903B1 (ko) * | 2015-03-19 | 2015-09-04 | (주)코미코 | 리프트 핀 및 이의 제조 방법 |
CN104818527A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-08-05 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延片生产设备 |
JP6740084B2 (ja) * | 2016-10-25 | 2020-08-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置、環状ホルダ、及び、気相成長方法 |
JP6380582B1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-08-29 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
CN109306468B (zh) * | 2017-07-26 | 2020-10-16 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 衬托器、气相生长装置及气相生长方法 |
JP6998839B2 (ja) * | 2018-06-25 | 2022-01-18 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
CN110246788B (zh) * | 2019-06-28 | 2020-05-19 | 英特尔半导体(大连)有限公司 | 用于在晶圆沉积薄膜的设备 |
KR102640172B1 (ko) | 2019-07-03 | 2024-02-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법 |
JP7192756B2 (ja) | 2019-12-19 | 2022-12-20 | 株式会社Sumco | 気相成長装置及び気相成長方法 |
KR102338848B1 (ko) * | 2020-01-10 | 2021-12-10 | 에스케이실트론 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 제조 장치 |
KR20210101983A (ko) | 2020-02-11 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법 |
CN111748800B (zh) * | 2020-06-12 | 2021-05-07 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000026192A (ja) * | 1998-04-28 | 2000-01-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜成長装置 |
JP2000103696A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェ―ハおよびその製造方法 |
WO2001086035A1 (en) * | 2000-05-08 | 2001-11-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer free from autodoping and backside halo |
JP2002141294A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-05-17 | Asm America Inc | ゾーン加熱用改良加熱ランプ |
JP2003515950A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド | 抵抗加熱型単一ウエハ炉 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5421893A (en) | 1993-02-26 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Susceptor drive and wafer displacement mechanism |
US6113702A (en) | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
KR100551980B1 (ko) | 1997-11-03 | 2006-02-20 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 저질량 지지체를 이용한 웨이퍼의 처리방법 및 장치 |
US6596086B1 (en) * | 1998-04-28 | 2003-07-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for thin film growth |
US20010001384A1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-05-24 | Takeshi Arai | Silicon epitaxial wafer and production method therefor |
US6444027B1 (en) * | 2000-05-08 | 2002-09-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process |
US20010041258A1 (en) * | 2000-05-11 | 2001-11-15 | Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag | Standard for a nanotopography unit, and a method for producing the standard |
JP2003100855A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2003197532A (ja) | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター |
JP4016823B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2007-12-05 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
2004
- 2004-09-27 CN CNA2004800289302A patent/CN1864245A/zh active Pending
- 2004-09-27 US US10/572,465 patent/US7615116B2/en active Active
- 2004-09-27 KR KR1020067006150A patent/KR20060060735A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-09-27 EP EP04788176A patent/EP1670044A4/en not_active Withdrawn
- 2004-09-27 WO PCT/JP2004/014080 patent/WO2005034219A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-09-27 JP JP2005514420A patent/JP4655935B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000026192A (ja) * | 1998-04-28 | 2000-01-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜成長装置 |
JP2000103696A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェ―ハおよびその製造方法 |
JP2003515950A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド | 抵抗加熱型単一ウエハ炉 |
WO2001086035A1 (en) * | 2000-05-08 | 2001-11-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer free from autodoping and backside halo |
JP2002141294A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-05-17 | Asm America Inc | ゾーン加熱用改良加熱ランプ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1670044A1 (en) | 2006-06-14 |
KR20060060735A (ko) | 2006-06-05 |
EP1670044A4 (en) | 2007-03-21 |
JPWO2005034219A1 (ja) | 2006-12-14 |
CN1864245A (zh) | 2006-11-15 |
US20070119367A1 (en) | 2007-05-31 |
WO2005034219A1 (ja) | 2005-04-14 |
US7615116B2 (en) | 2009-11-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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