JP6424726B2 - サセプタ及びエピタキシャル成長装置 - Google Patents
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Description
(1)エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタであって、
前記サセプタのおもて面には、前記ウェーハが載置される座ぐり部が形成され、
前記サセプタは、サセプタ本体と、該サセプタ本体のおもて面の中心部に設けられた凹部に載置された盤状部材とを有し、
前記座ぐり部の底面が、前記盤状部材のおもて面と、前記凹部の周囲に位置する、前記サセプタ本体のおもて面の一部とで構成され、
前記サセプタ本体には、前記盤状部材の裏面を支持して前記盤状部材を昇降させるリフトピンを挿通するための貫通孔が設けられ、
前記ウェーハを前記座ぐり部に載置する載、及び、前記ウェーハを前記座ぐり部から搬出する際に、前記リフトピンにより上昇される前記盤状部材のおもて面が、前記ウェーハの裏面の少なくとも中心部を面接触で支持する支持面として機能し、
前記盤状部材が前記凹部に載置された状態での、前記盤状部材と前記サセプタ本体との離間空間が、前記サセプタのおもて面から裏面に向かうほど、前記盤状部材の中心側に入り込むことを特徴とするサセプタ。
前記盤状部材は、第1半径r1の第1部分と、該第1部分の上でr1よりも大きい第2半径r2の第2部分とを有し、
前記段差部が、前記第2部分の周縁部を支持する上記(1)に記載のサセプタ。
前記リフトピンの下端部を支持して前記リフトピンを昇降させる昇降機構と、
を有するエピタキシャル成長装置。
図8及び図9に示すエピタキシャル成長装置100は、チャンバ10と、加熱ランプ14と、図1及び図2にも示すサセプタ20と、図7(A)にも示すサセプタサポートシャフト50と、図7(B)にも示す昇降シャフト60とを有する。
チャンバ10は、上部ドーム11、下部ドーム12及びドーム取付体13を含み、このチャンバ10がエピタキシャル膜形成室を区画する。チャンバ10には、その側面の対向する位置に反応ガスの供給及び排出を行うガス供給口15及びガス排出口16が設けられる。
加熱ランプ14は、チャンバ10の上側領域および下側領域に配置され、一般に、昇降温速度が速く、温度制御性に優れた、ハロゲンランプや赤外ランプが用いられる。
図1及び図2を参照して、サセプタ20の主要な構成を説明する。サセプタ20は、チャンバ10の内部でウェーハWを載置するための円盤状の部材である。サセプタ20は、カーボングラファイト(黒鉛)を母材とし、その表面を炭化ケイ素でコーティングしたものを使用することができる。図1(A)及び(B)を参照して、サセプタ20のおもて面には、ウェーハWが載置される座ぐり部21が形成されている。座ぐり部21の開口端における直径は、ウェーハWの直径を考慮して適宜設定すればよく、通常、ウェーハWの直径よりも1.0〜2.0mm程度大きくする。
図7(A)を参照して、サセプタサポートシャフト50は、チャンバ10内でサセプタ20を下方から支持するものであり、主柱52と、3本のアーム54と、3本の支持ピン58とを有する。主柱52は、サセプタの中心とほぼ同軸上に配置される。3本のアーム54は、主柱52からサセプタ20の周縁部下方に放射状に延び、それぞれ鉛直方向に貫通する貫通孔56を有する。なお、本明細書において「サセプタの周縁部」とは、サセプタ中心からサセプタ半径の80%以上外側の領域を意味する。支持ピン58は、3本のアーム54の先端にそれぞれ設けられ、サセプタ20を直接支持する。すなわち、支持ピン58は、サセプタの裏面周縁部を支持する。3つの貫通孔56には、3本のリフトピン44がそれぞれ挿通される。サセプタサポートシャフト50は、石英で構成することが望ましく、特に合成石英で構成することが望ましい。ただし、支持ピン58の先端部分は、サセプタ20と同じ炭化ケイ素で構成することが好ましい。
図7(B)に示すように、昇降機構としての昇降シャフト60は、サセプタサポートシャフトの主柱52を収容する中空を区画し、この主柱32と回転軸を共有する主柱62と、この主柱62の先端で分岐する3本の支柱64とを有し、これら支柱64の先端部66でリフトピン44の下端部をそれぞれ支持する。昇降シャフト60は石英で構成されることが好ましい。昇降シャフト60が、サセプタサポートシャフトの主柱52に沿って鉛直方向上下に動くことにより、リフトピン44を昇降させることができる。
次に、チャンバ10内へのウェーハWの搬入、ウェーハWへのエピタキシャル膜の気相成長、及び製造されたエピタキシャルウェーハのチャンバ10外への搬出の一連の動作を、図8及び図9を適宜参照して説明する。
ここで本発明の特徴的構成である、サセプタ本体30と盤状部材40との離間状態について詳細に説明する。
図1〜3に示すサセプタと、図8,9に示すエピタキシャル成長装置を用いて、上記した手順に従ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造した。図3(B)において、半径r3=120mm、半径r4=123mm、厚さt1=2.0mm、厚さt2=2.3mm、隙間の間隔G=1.0mmとした。エピタキシャルウェーハの基板としては、ボロンドープされた直径300mmのシリコンウェーハを用いた。
図5に示すサセプタを用いた以外は発明例1と同様にして、エピタキシャルシリコンウェーハを製造した。図5(B)において、半径r1=121mm、半径r2=123mm、厚さt1=2.0mm、厚さt2=2.3mm、隙間の間隔G=1.0mmとした。
図6に示すサセプタを用いた以外は発明例1と同様にして、エピタキシャルシリコンウェーハを製造した。図6(B)において、厚さt1=2.0mm、厚さt2=2.3mm、隙間の間隔G=1.0mmとした。盤状部材の半径は120mmとした。
エピタキシャルウェーハの製造は、シリコンウェーハをチャンバ内に導入し、既述の方法でサセプタ上に載置した。続いて、水素ガス雰囲気下で1150℃で水素ベークを行った後、1150℃にて、シリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル膜を4μm成長させてエピタキシャルシリコンウェーハを得た。ここで、原料ソースガスとしてはトリクロロシランガスを用い、また、ドーパントガスとしてジボランガス、キャリアガスとして水素ガスを用いた。その後、既述の方法で、エピタキシャルシリコンウェーハをチャンバ外へ搬出した。
発明例及び比較例で製造したエピタキシャルウェーハについて、表面検査装置(KLA-Tencor社製:Surfscan SP-2)を用いて、DCOモードで、リフトピンの位置に対応する裏面領域を観察し、レーザー反射の設定値以上の散乱強度を有する領域の面積(ピンマーク強度)を測定し、エピタキシャルウェーハ裏面のリフトピン起因の疵付きを評価した。その結果、比較例、発明例1,2とも0mm2であり、エピタキシャルウェーハの裏面にリフトピンに起因する疵は確認されなかった。
発明例及び比較例で製造したエピタキシャルウェーハについて、表面検査装置(KLA-Tencor社製:Surfscan SP-2)を用いてヘイズレベルを計測した。ヘイズレベルはウェーハ面内の温度に比例することが知られているため、この値からウェーハ面内の温度分布を算出比較した。結果を図11に示す。
10 チャンバ
11 上部ドーム
12 下部ドーム
13 ドーム取付体
14 加熱ランプ
15 ガス供給口
16 ガス排出口
20 サセプタ
21 座ぐり部
30 サセプタ本体
31 凹部
32 サセプタ本体のおもて面最外周部
32A ウェーハ支持面
32B 縦壁面
33 サセプタ本体のおもて面中間部
34 傾斜面
35 サセプタ本体のおもて面中心部(凹部の底面)
36 貫通孔
37A 鉛直面
37B 傾斜面
38A 第1鉛直面
38B 水平面
38C 第2鉛直面
40 盤状部材
41 盤状部材のおもて面
42 盤状部材の裏面
43 傾斜面
44 リフトピン
45A 鉛直面
45B 傾斜面
46 第1部分
46A 第1鉛直面
47 第2部分
47A 第2鉛直面
47B 第2部分の周縁部
48 水平面
50 サセプタサポートシャフト
52 主柱
54 アーム
56 貫通孔
58 支持ピン
60 昇降シャフト
62 主柱
64 支柱
66 支柱の先端部
70 ウェーハ搬送用ブレード
72 ウェーハ支持部
W ウェーハ
Claims (5)
- エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタであって、
前記サセプタのおもて面に、前記ウェーハが載置される座ぐり部が形成され、
前記サセプタは、サセプタ本体と、盤状部材とを有し、
前記サセプタ本体は、おもて面の中心部に、底面を有する凹部を有し、
前記盤状部材は、前記凹部の底面に載置され、
前記座ぐり部の底面が、前記盤状部材のおもて面と、前記凹部の周囲に位置する、前記サセプタ本体のおもて面の一部とで構成され、
前記サセプタ本体の前記凹部の底面には、前記盤状部材の裏面を支持して前記盤状部材を昇降させるリフトピンを挿通するための貫通孔が設けられ、
前記ウェーハを前記座ぐり部に載置する際、及び、前記ウェーハを前記座ぐり部から搬出する際に、前記リフトピンにより上昇される前記盤状部材のおもて面が、前記ウェーハの裏面の少なくとも中心部を面接触で支持する支持面として機能し、
前記盤状部材が前記凹部に載置された状態での、前記盤状部材と前記サセプタ本体との離間空間が、前記サセプタのおもて面から裏面に向かうほど、前記盤状部材の中心側に入り込むことを特徴とするサセプタ。 - 前記盤状部材の周縁部及び前記サセプタ本体の前記凹部の周縁部が、前記サセプタのおもて面から裏面に向かうほど前記盤状部材の中心側に入り込む傾斜面を有する、請求項1に記載のサセプタ。
- 前記サセプタ本体の前記凹部の周縁部が段差部を有し、
前記盤状部材は、第1半径r1の第1部分と、該第1部分の上でr1よりも大きい第2半径r2の第2部分とを有し、
前記段差部が、前記第2部分の周縁部を支持する請求項1に記載のサセプタ。 - 前記リフトピンが前記盤状部材に固定されている請求項1〜3のいずれか一項に記載のサセプタ。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のサセプタと、
前記リフトピンの下端部を支持して前記リフトピンを昇降させる昇降機構と、
を有するエピタキシャル成長装置。
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