JP2006041028A - サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006041028A JP2006041028A JP2004215878A JP2004215878A JP2006041028A JP 2006041028 A JP2006041028 A JP 2006041028A JP 2004215878 A JP2004215878 A JP 2004215878A JP 2004215878 A JP2004215878 A JP 2004215878A JP 2006041028 A JP2006041028 A JP 2006041028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- substrate wafer
- epitaxial
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】サセプタ2は、基板ウェーハが載置されるウェーハ載置部21を有する。このウェーハ載置部21は、基板ウェーハの形状に対応した凹形状を有し、基板ウェーハの外周縁部を支持する第1凹部211と、この第1凹部211よりも中心側下段に形成される第2凹部212とで構成される。このうち、第1凹部211の底面は、外周端縁から内周端縁に向かうにしたがってサセプタ2の厚み寸法が小さくなるように傾斜している。
【選択図】 図3
Description
このようなエピタキシャルウェーハを製造する際には、内部に反応ガスを供給可能な反応容器内の所定位置に設置されたサセプタ上に基板ウェーハを載置する。そして、サセプタ上の基板ウェーハを加熱しながら反応容器内に反応ガスを供給し、基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させる。
この際、サセプタの構造として、該サセプタの載置面に基板ウェーハの裏面全体が接触するような構造である場合には、基板ウェーハの裏面にサセプタの載置面との接触跡が形成されて、基板ウェーハの外観に影響を及ぼすことがある。特に、基板ウェーハの表面のみならず、裏面にも鏡面研磨処理が施されている場合に問題となる。
そして、このような問題を回避するサセプタの構造が提案されている(例えば、特許文献1または特許文献2参照)。
特許文献1または特許文献2に記載のサセプタは、基板ウェーハを載置するための載置部を有している。この載置部は、内部に基板ウェーハを配置可能に座ぐりが形成され、基板ウェーハの外周縁部を支持する上段座ぐり部と、この上段座ぐり部よりも中心側下段に形成される下段座ぐり部とを有する二段構成を成している。このように、基板ウェーハを外周縁部のみで支持する構成とすることで、基板ウェーハの裏面全体に亘って接触跡を残すことを回避している。
そして、近年のエピタキシャルウェーハの大口径化に伴い、サイズの大きい基板ウェーハをサセプタの上段座ぐり部に支持させた状態では、基板ウェーハに反りが生じてしまう。このような状態では、上段座ぐり部と基板ウェーハとの接触面積が小さくなり、サセプタから基板ウェーハへの熱伝導特性が劣化してしまう。すなわち、基板ウェーハの裏面において、サセプタに支持される外周部分の温度が低下してしまう。このため、基板ウェーハの表面上に気相成長されるエピタキシャル膜は、外周部分が他の領域に比較して膜厚が小さくなってしまう。
近年では、基板ウェーハの厚さも飛躍的に減少する傾向にあり、エピタキシャル膜における膜厚の面内不均一性もエピタキシャルウェーハの平坦度劣化の要因となる。
また、ウェーハ載置部が第1凹部および第2凹部で構成されているので、第2凹部から側面または下面にかけて貫通孔を形成すれば、エピタキシャル膜を気相成長させる際に基板ウェーハが加熱され、該基板ウェーハの裏面から外方拡散され気相中に放出されるドーパントを、貫通孔を介してサセプタの外側に放出させることができる。したがって、ドーパントが基板ウェーハの表面側に回り込みエピタキシャル膜内に取り込まれる、いわゆるオートドープ現象を抑制し、形成するエピタキシャル膜の特性を良好にすることも可能となる。
また、第1凹部における底面の傾斜角度が、サセプタの厚み方向に直交する水平方向に対する角度をXとした場合に、0°<X<5°の範囲内であるので、第1凹部の底面の傾斜を基板ウェーハの反り形状に良好に対応させることができる。したがって、このような範囲内で第1凹部における底面の傾斜角度を設定することで、基板ウェーハの表面上に膜厚の一様なエピタキシャル膜を容易に形成できる。
ここで、基板ウェーハの反りの角度よりも第1凹部の傾斜角度が大きい場合、特に、5°<Xの場合には、第1凹部の底面と基板ウェーハの裏面との接触面積が小さくなってしまい、結果として基板ウェーハの表面上に膜厚の一様なエピタキシャル膜を形成することが困難である。
〔エピタキシャルウェーハの製造装置の構成〕
図1は、本発明に係るエピタキシャルウェーハの製造装置1を模式的に示す断面図である。
製造装置1は、基板ウェーハW上にエピタキシャル膜EPを気相成長させてエピタキシャルウェーハEPWを製造する枚葉式の製造装置である。この製造装置1は、直径寸法が300mm以上のエピタキシャルウェーハEPWの製造装置として構成されている。この製造装置1は、図1に示すように、サセプタ2と、反応容器3と、加熱装置4とを備える。
サセプタ2は、具体的には後述するが、基板ウェーハWが載置される部材であり、反応容器3内部に設置される。このサセプタ2としては、炭素基材の表面にSiC被膜をコーティングしたものを採用できる。
上側ドーム31および下側ドーム32は、石英等の透光性部材から構成され、平面視略中央部分が反応容器3の内部から外側に向けて窪む略凹状に形成されている。
ドーム取付体33は、上方および下方が開放された略筒状部材から構成され、上方側の開口部分および下方側の開口部分にて上側ドーム31および下側ドーム32を支持するものである。そして、ドーム取付体33に上側ドーム31および下側ドーム32を取り付けることで、図1に示すように、反応容器3内部に反応室3Aが形成される。
このドーム取付体33において、その側面には、図1に示すように、反応ガス供給管331および反応ガス排出管332が設けられている。そして、これら反応ガス供給管331および反応ガス排出管332は、反応室3Aおよび反応容器3外部を連通するように形成されている。
ここで、反応ガスとしては、エピタキシャル膜EPを気相成長させるためのシリコン原子を含んだ原料ガスの他、キャリアガスを混合させたものを採用できる。原料ガスとしては、気相成長させるエピタキシャル膜EPに応じたものを採用すればよく、例えば、シリコンソースであるSiHCl3およびボロンドーパントソースであるB2H6を水素ガスで希釈した混合反応ガスを採用できる。また、キャリアガスとしては、例えば水素を含んだものを採用できる。
サセプタ支持部本体341は、下側ドーム32の略中央部分から反応室3A内に突出する基部341Aと、基部341Aの上方側端部から、反応室3A内にてドーム取付体33の内側面に近接する方向に延出する3つの延出部341Bとを備える。そして、サセプタ支持部本体341は、3つの延出部341Bの先端部分が上方に向けて延出し、該先端部分にてサセプタ2の下面外周縁部分を3点で支持する。サセプタ支持部本体341がサセプタ2を支持することで、サセプタ2は、反応室3A内に水平状態で設置される。
なお、サセプタ支持部本体341の形状は、上述したものに限らず、延出部341Bを3つ以上形成してもよく、延出部341Bを基部341Aの上方側端部から放射状に拡がる平面視円形状となるように形成してもよい。
このウェーハ昇降部342は、回転軸Rを中心として回転自在に構成されているとともに、サセプタ支持部本体341に対して上下方向に進退自在に構成されている。そして、ウェーハ昇降部342が上下方向に進退移動することで、ピン状部材342Cの先端部分がサセプタ2の後述するピン挿通孔を介して基板ウェーハWに当接し、該基板ウェーハWを上下方向に移動させる。
すなわち、本実施形態の製造装置1は、該製造装置1へのウェーハ搬入、搬出を行う図示しない搬送治具とサセプタ2間の移載方式が、ウェーハ下面をピン状部材342Cにて支持してウェーハ昇降部342の進退移動によりウェーハを移載するタイプで構成されている。
なお、ウェーハ昇降部342を省略し、製造装置1へのウェーハ搬入、搬出を行う前記搬送治具とサセプタ2間の移載方式として、ベルヌイチャック方式または前記搬送治具の昇降方式によりウェーハを移載するタイプを採用してもよい。
図2は、サセプタ2の概略構成を示す図である。具体的に、図2(A)は、サセプタ2の上面図である。図2(B)は、図2(A)におけるB−B線の断面図である。
サセプタ2は、図2に示すように、平面視略円板形状を有している。
このサセプタ2において、その上面の略中央部分には、図2に示すように、基板ウェーハWが載置されるウェーハ載置部21が形成されている。
ウェーハ載置部21は、図2に示すように、基板ウェーハWの下面外周縁部分全体を支持する円環状の第1凹部211と、第1凹部よりも中心側下段に位置する平面視円形状の第2凹部212とを有する段付状に形成されている。
第1凹部211の底面は、図3に示すように、外周端縁から内周端縁に向かうにしたがってサセプタ2の厚み寸法が小さくなるように傾斜し、全体として凹曲面形状を有している。
ここで、第1凹部211における底面の傾斜角度は、サセプタ2の厚み方向と直交する水平方向に対する角度をXとした場合に、0°<X<5°の範囲内であることが好ましい。特に、製造対象となるエピタキシャルウェーハEPWの直径寸法が300mmである場合には、0.1°<X<1°の範囲内であることが好ましい。
このように、第1凹部211の底面を傾斜形状とすることで、300mm以上の直径寸法を有する基板ウェーハWを第1凹部211に載置し、該基板ウェーハWに反りが生じた場合であっても、基板ウェーハWの下面を第1凹部211にて確実に支持できる。
次に、上述した製造装置1によるエピタキシャルウェーハEPWの製造方法を説明する。
図4は、エピタキシャルウェーハEPWの製造方法を説明する図である。
先ず、上述したウェーハの移載方式により、図示しない搬送治具を移動させるとともにウェーハ昇降部342のピン状部材342Cを進退移動させることで、基板ウェーハWをサセプタ2の第1凹部211に載置する(処理S1:ウェーハ載置工程)。
処理S1の後、加熱装置4により高温に加熱された反応室3A内に反応ガス供給管331を介してH2ガスを供給し、高温のガスエッチングにより基板ウェーハW表面の自然酸化膜を除去する(処理S2)。
すなわち、先ず、加熱装置4により、基板ウェーハWを所望の成長温度に加熱する。
そして、回転軸Rを中心としてサセプタ支持部34を回転させながら、反応ガス供給管331を介して基板ウェーハWの表面上に水平に反応ガスを供給する。このようにして気相成長を実施することにより、基板ウェーハWの表面上にエピタキシャル膜EPが形成され、エピタキシャルウェーハEPWが製造される。
この後、加熱装置4により高温に加熱された反応室3A内に反応ガス供給管331を介してHClガスを供給し、化学反応を利用した高温のガスエッチングによりサセプタ2のウェーハ載置部21上の汚染物質を除去する(処理S4:エッチング工程)。この汚染物質としては、エピタキシャル膜形成工程S3においてエピタキシャルウェーハEPWを製造した際に、サセプタ2に堆積したシリコン被膜も含まれる。この処理S4により、上述したシリコン被膜を除去するとともに、サセプタ2の表面上に付着する汚染物質、およびサセプタ2から上述したシリコン被膜に取り込まれた重金属等の汚染物質も同時に除去される。
(1)ウェーハ載置部21の第1凹部211の底面は、外周端縁から内周端縁に向かうにしたがってサセプタ2の厚み寸法が小さくなるように傾斜しているので、基板ウェーハWを第1凹部211に支持させた状態での基板ウェーハWの反り形状に対応させることができる。すなわち、基板ウェーハWに反りが生じた場合であっても、第1凹部211の底面と基板ウェーハWの裏面とを確実に接触させた状態で基板ウェーハWをサセプタ2に支持させることができ、サセプタ2から基板ウェーハWへの熱伝導性を良好に維持できる。このため、基板ウェーハWの裏面において、サセプタ2に支持される外周部分の温度が低下することなく、基板ウェーハWの表面上に膜厚の一様なエピタキシャル膜EPを形成できる。そして、エピタキシャル膜EPの膜厚を一様とすることで、平坦度の良好なエピタキシャルウェーハEPWを製造できる。
前記実施形態において、第2凹部212の底面または側壁からサセプタ2の側面または下面にかけて貫通孔を形成してもよい。このような構成では、エピタキシャル膜EPを気相成長させる際に基板ウェーハWが加熱され、該基板ウェーハWの裏面から外方拡散され気相中に放出されるドーパントを、貫通孔を介してサセプタの外側に放出することができる。このため、ドーパントが基板ウェーハWの表面側に回り込みエピタキシャル膜EP内に取り込まれる、いわゆるオートドープ現象を抑制し、良好な特性を有するエピタキシャル膜EPを形成できる。
この際、前記実施形態では、製造装置1には、反応ガス供給管331および反応ガス排出管332のみを有する構成であったが、サセプタ2の外側に放出されるドーパントを効率的に反応容器3外部に排出するために、水素ガス等のパージガスを反応室3A内に供給可能とするパージガス供給管、および反応室3A内のパージガスを反応容器3外部に排出可能とするパージガス排出管等をさらに設けてもよい。
前記実施形態において、エピタキシャル膜EPの外周部分における膜厚の減少を抑制するために、以下の構成を採用してもよい。
例えば、エピタキシャル膜EPを気相成長させる際に、基板ウェーハWの外周部分に他の領域よりも積極的に反応ガスを供給する。
また、例えば、エピタキシャル膜EPを気相成長させる際に、基板ウェーハWの外周部分を他の領域よりも温度が高くなるように基板ウェーハWを加熱する。
上述したような構成では、サセプタ2の形状とともに、エピタキシャル膜EPにおける外周部分の膜厚の減少を効率的に抑制できる。
前記実施形態において、エピタキシャルウェーハEPWの製造方法では、エッチング工程S4がエピタキシャル膜形成工程S3の後に実施されていたが、これに限らず、ウェーハ載置工程S1の前に実施する構成を採用してもよい。
したがって、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部若しくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
[実施例1]
本実施例1は、第1凹部211の底面の傾斜角度Xが0.12°であるサセプタ2を用い、前記実施形態で説明したエピタキシャルウェーハEPWの製造方法にて、300mmの直径寸法および0.78mmの厚み寸法を有するp型の基板ウェーハW上にエピタキシャル膜EPを気相成長させてエピタキシャルウェーハEPWを製造した。なお、上述したエピタキシャル膜EPの成膜条件は、以下の通りである。
反応ガス:SiHCl3
エピタキシャル膜EPの膜厚:2.5〜3.0μm
成膜温度:1100〜1130℃
成膜速度:3.0μm/min以下
本比較例1は、第1凹部211の底面の傾斜角度Xが0°であるサセプタ2を用い、前記実施例1と同様の製造方法および成膜条件にて、前記実施例1と同様の基板ウェーハW上にエピタキシャル膜EPを気相成長させてエピタキシャルウェーハEPWを製造した。
本比較例2は、サセプタ2における第1凹部211の底面の傾斜角度X、および基板ウェーハWは前記実施例1と同様であり、前記実施例1と異なる製造方法にてエピタキシャルウェーハEPWを製造した。具体的に、前記実施例1の製造方法において、ウェーハ載置工程S1の前に、反応ガス供給管331を介してサセプタ2の表面上に水平に反応ガスを供給する。そして、サセプタ2の上面にシリコン被膜を形成する。その他の工程は、前記実施例1と同様である。なお、上述したシリコン被膜の成膜条件は、以下の通りである。
反応ガス:SiHCl3
シリコン被膜の膜厚:1.0〜2.0μm
成膜温度:1100〜1130℃
成膜速度:3.0μm/min以下
(評価1)
実施例1、比較例1、および比較例2にて製造した各エピタキシャルウェーハEPWにおける各エピタキシャル膜EPの膜厚の一様性をFT−IR(ADE社製)にて評価する。具体的に、エピタキシャル膜EPの中心位置から外周部分まで所定の間隔毎に膜厚を測定する。
図5は、評価1の結果を示すグラフである。具体的に、図5(A)は、実施例1の結果を示す。図5(B)は、比較例1の結果を示す。図5(C)は、比較例2の結果を示す。なお、図5において、縦軸は各測定位置での膜厚を平均膜厚で除算した値を表し、横軸はエピタキシャル膜EPの中心位置からの各測定位置の距離を表したものである。
これに対して、実施例1は、図5(A)に示すように、エピタキシャル膜EPのエッジ近傍においてもエピタキシャル膜EPの膜厚が減少することなく、エピタキシャル膜EPの中心位置から外周部分にかけてエピタキシャル膜EPの膜厚が均一化されていることが確認された。
実施例1、比較例1、および比較例2にて製造した各エピタキシャルウェーハEPWにおける平坦度(SFQR:Site Focal Quality Range)をAFS3220(ADE社製)にて評価する。具体的に、SFQRは、エピタキシャルウェーハEPWを多数のサイトに分割し、各サイト内での基準面を設け、その基準面から各サイトでのプラス側とマイナス側の最大変化量を測定し、このプラス側の最大変化量の絶対値とマイナス側の最大変化量の絶対値とを加算したものである。
図6は、評価2の結果を示す図である。具体的に、図6(A)は、実施例1の結果を示す。図6(B)は、比較例1の結果を示す。図6(C)は、比較例2の結果を示す。なお、図6は、エピタキシャルウェーハEPWを複数のサイトに分割した状態を示したものであり、各サイトのうち、SFQRが40nmより小さいサイトを空白とする。また、SFQRが40nm以上50nm以下のサイトには斜線を引いている。さらに、SFQRが50nmより大きいサイトは塗り潰している。
これに対して、実施例1は、図6(A)に示すように、比較例1および比較例2に比較すると、SFQRの大きいサイトが飛躍的に少なくなっており、外周部分においてもSFQRの大きいサイトが減少している。すなわち、エピタキシャルウェーハEPW全体に亘って平坦度が良好になっている。
実施例1、比較例1、および比較例2にて製造した各エピタキシャルウェーハEPWにおける外周部分の特定のサイト毎のΔSFQRを測定し、外周部分における平坦度を評価する。具体的に、ΔSFQRは、エピタキシャルウェーハEPWを多数のサイトに分割し、各サイト内での基準面を設け、その基準面から上述した特定のサイトでのプラス側とマイナス側の最大変化量を測定し、このプラス側の最大変化量とマイナス側の最大変化量とを加算したものである。そして、このΔSFQRは、測定した特定のサイトにおける平坦度の指標として用いることができ、各ΔSFQRの平均値が小さいほど特定のサイトにおける平坦度が良好であり、平均値が大きいほど特定のサイトにおける平坦度が悪いものと判定できる。
図7は、ΔSFQRを測定する際の特定のサイトを示す図である。
評価3では、図7の斜線で示す外周部分の52個の各サイトにおけるΔSFQRを測定する。また、評価3では、エピタキシャルウェーハEPWを3枚用い、計156個の各サイトにおけるΔSFQRを測定する。
評価3の結果を以下の表1に示す。
2・・・サセプタ
3・・・反応容器
4・・・加熱装置
21・・・ウェーハ載置部
211・・・第1凹部
212・・・第2凹部
EP・・・エピタキシャル膜
EPW・・・エピタキシャルウェーハ
S1・・・ウェーハ載置工程
S3・・・エピタキシャル膜形成工程
S4・・・エッチング工程
W・・・基板ウェーハ
X・・・傾斜角度
Claims (5)
- 基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に前記基板ウェーハが載置されるサセプタであって、
前記基板ウェーハが載置されるウェーハ載置部を有し、
前記ウェーハ載置部は、前記基板ウェーハの形状に対応した凹形状を有し、前記基板ウェーハの外周縁部を支持する第1凹部と、前記第1凹部よりも中心側下段に形成される第2凹部とで構成され、
前記第1凹部の底面は、外周端縁から内周端縁に向かうにしたがって当該サセプタの厚み寸法が小さくなることを特徴とするサセプタ。 - 請求項1に記載のサセプタにおいて、
前記第1凹部の底面は、外周端縁から内周端縁に向かうにしたがって当該サセプタの厚み寸法が小さくなるように傾斜し、
前記第1凹部の底面の傾斜角度は、当該サセプタの厚み方向に直交する水平方向に対する角度をXとした場合に、0°<X<5°の範囲内であることを特徴とするサセプタ。 - 請求項1または請求項2に記載のサセプタにおいて、
炭素基材にSiC被膜が被覆された構成を有していることを特徴とするサセプタ。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載のサセプタにおいて、
直径寸法が300mm以上の前記基板ウェーハに対応して形成されていることを特徴とするサセプタ。 - 基板ウェーハをサセプタ上に載置し、前記基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記サセプタにおける前記基板ウェーハが載置されるウェーハ載置部は、前記基板ウェーハの形状に対応した凹形状を有し、前記基板ウェーハの外周縁部を支持する第1凹部と、前記第1凹部よりも中心側下段に形成される第2凹部とで構成され、
前記第1凹部の底面は、外周端縁から内周端縁に向かうにしたがって前記サセプタの厚み寸法が小さくなり、
前記サセプタの表面上をエッチングするエッチング工程を有し、
前記サセプタの前記ウェーハ載置部に前記基板ウェーハを載置するウェーハ載置工程と、
前記サセプタ上の前記基板ウェーハを加熱しながら前記基板ウェーハに反応ガスを供給し、前記基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させるエピタキシャル膜形成工程とを備えていることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004215878A JP2006041028A (ja) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004215878A JP2006041028A (ja) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006041028A true JP2006041028A (ja) | 2006-02-09 |
Family
ID=35905733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004215878A Pending JP2006041028A (ja) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006041028A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100797722B1 (ko) | 2006-10-11 | 2008-01-23 | 삼성전기주식회사 | 액체 렌즈 제작 장치 |
WO2009060770A1 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Sumco Corporation | 気相成長用サセプタ |
JP2010016183A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Sumco Corp | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
EP3305940A1 (en) | 2016-10-06 | 2018-04-11 | CoorsTek KK | Susceptor |
JPWO2018207942A1 (ja) * | 2017-05-12 | 2020-03-12 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 |
WO2020189812A1 (ko) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 에스케이실트론 주식회사 | 서셉터 및 반도체 제조장치 |
WO2023207693A1 (zh) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载件和半导体工艺设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015439A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェーハの処理装置および半導体ウェーハの処理方法 |
JP2002100570A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 枚葉式気相成長装置 |
JP2002151412A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-24 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2003197532A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター |
JP2004319623A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | サセプタ及び気相成長装置 |
-
2004
- 2004-07-23 JP JP2004215878A patent/JP2006041028A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015439A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェーハの処理装置および半導体ウェーハの処理方法 |
JP2002100570A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 枚葉式気相成長装置 |
JP2002151412A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-24 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2003197532A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター |
JP2004319623A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | サセプタ及び気相成長装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100797722B1 (ko) | 2006-10-11 | 2008-01-23 | 삼성전기주식회사 | 액체 렌즈 제작 장치 |
WO2009060770A1 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Sumco Corporation | 気相成長用サセプタ |
JP2010016183A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Sumco Corp | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
EP3305940A1 (en) | 2016-10-06 | 2018-04-11 | CoorsTek KK | Susceptor |
JPWO2018207942A1 (ja) * | 2017-05-12 | 2020-03-12 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 |
JP7233361B2 (ja) | 2017-05-12 | 2023-03-06 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 |
WO2020189812A1 (ko) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 에스케이실트론 주식회사 | 서셉터 및 반도체 제조장치 |
WO2023207693A1 (zh) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载件和半导体工艺设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5092975B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP5604907B2 (ja) | 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP5156446B2 (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
EP0953659B1 (en) | Apparatus for thin film growth | |
WO2007091638A1 (ja) | サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置 | |
US7615116B2 (en) | Method for producing silicon epitaxial wafer and silicon epitaxial wafer | |
JP5412759B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの保持具及びそのウェーハの製造方法 | |
JP6424726B2 (ja) | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 | |
JP3092801B2 (ja) | 薄膜成長装置 | |
JP2007243167A (ja) | サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置 | |
JP5098873B2 (ja) | 気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置 | |
JP3972710B2 (ja) | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法 | |
JP5161748B2 (ja) | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2006041028A (ja) | サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2010016312A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
US20050079690A1 (en) | Method for producing silicon epitaxial wafer | |
JP5195370B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2002033284A (ja) | 縦型cvd用ウェハホルダー | |
JP2011077476A (ja) | エピタキシャル成長用サセプタ | |
JP2018022724A (ja) | サセプタサポートシャフト及びエピタキシャル成長装置 | |
JP5144697B2 (ja) | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2006124758A (ja) | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2018060929A (ja) | サセプタ | |
JP4496052B2 (ja) | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
TW202302939A (zh) | 一種用於晶圓外延生長的晶圓支撐桿裝置、設備及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070528 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20071009 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091028 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101005 |