JP5161748B2 - 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるために使用する気相成長装置内で、ウェーハを水平に載置するサセプタに関し、さらに、それを利用した気相成長装置、並びにエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。

半導体デバイスの製造工程においては、容器で外界と遮断したウェーハ上に反応性ガスを供給し、前記ウェーハ上に薄膜を形成する工程がある。これらの工程では原料ガスの供給により、前記ウェーハ上で気相反応を起こさせて薄膜を形成する気相成長装置が使用されている。

それらの中でも特に、シリコンウェーハ上にシリコンの単結晶を成長させるエピタキシャル成長装置はＬＳＩ等の半導体デバイスの製造工程で利用されている。この装置ではシリコンウェーハを通常１０００℃以上に加熱し、反応容器内に四塩化珪素、トリクロルシラン等の原料ガスと水素との混合ガスを供給し、水素還元または熱分解することによって、前記シリコンウェーハ上にエピタキシャル成長による単結晶のシリコン薄膜を成長させる。また、エピタキシャル成長は半導体装置の製造プロセスにおいてバイポーラ素子の耐圧などを高めるために用いられており、素子においてもメガビットのメモリを製作する場合、α線によるソフトエラーやラッチアップを防ぐために必要な技術になっている。

このようなエピタキシャル成長には、例えば図７に示すような気相成長装置が用いられている。
図７は従来の気相成長装置の一例を示す概略図である。この気相成長装置１３０は石英製のチャンバ１１２とチャンバベース１１３とによって外界と隔離されている。チャンバ１１２内の中央部には円盤状のサセプタ１１１を支持する支持台１１４が回転可能に配設され、使用時にはこのサセプタ１１１に複数枚のウェーハＷを成長面を上にして水平に載置し、気相成長がなされる。

また、支持台１１４の中央部は原料ガス導入部１２０となっており、支持台１１４の下部はチャンバベース１１３の下方へ突出している。また、サセプタ１１１の中央にある開口部１１６に薄膜を形成するための原料を含むガスを供給するための原料ガスノズル１１７が接続されている。この原料ガスノズル１１７には原料ガスがウェーハＷの上面に対して略平行に流出するように複数個の孔１１８が形成されている。一方、チャンバベース１１３の中央部付近すなわち支持台１１４の周囲には原料ガスの排出口１１９が形成されている。また、ウェーハＷを加熱するため、誘導加熱コイル１１５がサセプタ１１１の下方に渦状に設置されている。

図８は、従来の１枚保持タイプのサセプタ１０１の概略を示す図である。この従来のサセプタ１０１は、例えば黒鉛基材上にＣＶＤ法により厚さ１５０μｍ程度のＳｉＣ膜をコーティングした円盤形状であり、その中央部にはウェーハＷの直径とほぼ同じ大きさの直径を有する円形凹形状のザグリ部１０２が形成されたものである。ザグリ部１０２の外側は一段高くなっており、気相成長中にウェーハＷが回転するサセプタ１０１から水平方向にズレて外れるのを防止するようになっている。

一般的にウェーハはザグリ部が設けられたサセプタに保持されながら加熱されるが、サセプタのザグリ部底面にメッシュパターンの溝が形成される場合がある（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。溝を形成する主目的はガスの通路を形成することであり、ウェーハを載置する際の位置ずれを防止する他、ウェーハを取り出す際に容易にサセプタから取り外せるといった効果がある。

また、ザグリ部の凹形状が外周側から中央側に向かって低くなり、中央側がウェーハの裏面と接触しない深さに窪んだ形状とすることで、ウェーハの裏面の傷の発生を抑制するとしたサセプタが開示されている（特許文献３参照）。

特開平８−８１９８号公報 特開２０００−２１７８８号公報 特開２００４−３１９６２３号公報

しかし、このような従来のサセプタを用いてウェーハに薄膜を気相成長させた場合、常温のウェーハを気相成長装置内の約１０００℃に加熱されたサセプタ上に載置した際に、ウェーハが急激に加熱され反りを生じてしまうことがあった。そして、この反りが発生することによって、例えばウェーハを搬入した直後にウェーハの上方にあるウェーハ載置用治具と接触するなどしてウェーハの表面に傷やパーティクルが発生してしまったり、そのウェーハ載置用治具にダメージを与えたりすることがあった。また、ザグリ部の底面とウェーハの裏面との接触部分に傷やパーティクルが発生してしまうことがあった。

このような問題に対して発明者が鋭意検討したところ、ウェーハの反りの発生はウェーハ面内に温度差が生じることで発生することが判明した。例えば、ザグリ部の凹形状の中央側がウェーハの裏面と接触しない深さに窪んだ形状となっている場合、すなわちウェーハの外周側のみがザグリ部と接触しているような場合には特に温度差が発生しやすく、急激に高温になるウェーハの外周側としばらく常温のままの中央側との間で温度差が発生し、ウェーハに反りが発生してしまう。さらに、その反りが大きい場合には、ザグリ部と非接触であったウェーハの中央側もその反りによってザグリ部と接触してウェーハの裏面に傷やパーティクルが発生してしまう場合がある。

本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制できる気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明によれば、ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるための気相成長装置においてウェーハを支持するための気相成長用サセプタであって、該サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であることを特徴とする気相成長用サセプタを提供する。

このように、前記ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０３０６ｍｍ^２以下であれば、ウェーハへの熱伝導量を確実に小さくすることができ、ウェーハを載置した際にウェーハ面内の温度差を確実に小さくすることができる。その結果、ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制することができる。また、前記それぞれの凸部の間隔が０．８ｍｍ以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上であれば、気相成長させるウェーハの品質が悪化するのを防ぐことができる。

このとき、前記凸部の形状が方形であることができる。
このように、前記凸部の形状が方形であれば、凸部を形成するために特別な加工を行う必要がなく、加工コストを下げることができる。

このとき、前記ザグリ部の底面の形状は、前記ウェーハが当接して支持される外周領域と、該外周領域に囲まれており前記ウェーハと接触しない中央領域を有する形状であることができる。
このように、前記ザグリ部の底面の形状が、前記ウェーハが当接して支持される外周領域と、該外周領域に囲まれており前記ウェーハと接触しない中央領域を有する形状であれば、ウェーハの裏面に傷やパーティクルが発生するのをより確実に抑制することができる。

また、本発明によれば、前記本発明に係る気相成長用サセプタを備えた気相成長装置を提供する。
このように、前記本発明に係る気相成長用サセプタを備えた気相成長装置であれば、気相成長するウェーハの品質が悪化することなく、ウェーハへの熱伝導量を小さくして、ウェーハ面内の温度差を小さくすることができ、ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制しつつ、ウェーハ表面に薄膜を気相成長させることができる。

また、本発明によれば、前記本発明に係る気相成長用サセプタを使用してウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
このように、前記本発明に係る気相成長用サセプタを使用してウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させれば、製造するエピタキシャルウェーハの品質を悪化させることなく、反り、傷及びパーティクルの発生が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することができる。

本発明では、気相成長用サセプタにおいて、ウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であるので、ウェーハへの熱伝導量を小さくすることができ、ウェーハ面内の温度差を小さくすることができる。その結果、気相成長するウェーハの品質が悪化するのを抑制しつつ、ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制することができる。

以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

従来のサセプタを用いてウェーハに薄膜を気相成長させた場合、ザグリ部にウェーハを載せた時にウェーハに反りが生じてしまうことがあった。また、この反りの発生により、ウェーハがザグリ部やウェーハ載置用治具等と接触し、ウェーハに傷やパーティクルが発生してしまうことがあった。

そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、ウェーハの反りの発生はウェーハ面内に温度差が生じることにより発生し、特にウェーハとザグリ部の接触箇所がウェーハを載置した際に急激に加熱され、ザグリ部と非接触の箇所との間で温度差が顕著に発生することが判明した。そこで、ウェーハとザグリ部の接触箇所の熱伝導量を小さくすることでウェーハ面内の温度差を小さくすることができ、ウェーハと接触するザグリ部の凸部の頂上部分の平面の面積を小さくし、それぞれの凸部の間隔を変えることで、ウェーハとザグリ部の接触箇所の熱伝導量を小さくすることができることに想到し、本発明を完成させた。

図１は本発明に係る気相成長用サセプタの一例を示す概略図である。
図１に示すように、このサセプタ１は略円盤状に形成され、その主表面には、当該主表面上にウェーハを収容するための平面視略円形状の凹形状であるザグリ部２が形成されている。また、ザグリ部の底面上にガス通路としてメッシュパターンの溝が設けられ、多数の凸部３が形成されている。
この凸部３の頂上部分は典型的には方形であり、以下では方形である場合を例として説明するが、本発明はこれには限定されない。

図２は方形凸部３を拡大した概略図であり、図２（Ａ）はその上面図、図２（Ｂ）はその側面図である。
図２（Ａ）（Ｂ）に示すように、方形凸部３の頂上部分４は平面となっており、ウェーハをサセプタに載置する際には、ウェーハの裏面がこの方形凸部３の頂上部分４と接触して載置されるようになっている。

また、図２（Ａ）に示す方形凸部３の頂上部分４の平面の面積Ｓが、０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下となっている。このように、頂上部分４の平面の面積Ｓが０．０３０６ｍｍ^２以下となっていれば、方形凸部３からのウェーハへの熱伝導量を確実に小さくすることができ、ウェーハを載置した際にウェーハ面内の温度差を確実に小さくすることができる。また、この面積Ｓが０．０１５６ｍｍ^２以上であれば、例えばウェーハにザグリ部２のメッシュのパターン転写がされるなどのようなウェーハの品質の悪化を抑制することができる。

また、図２（Ｂ）に示す方形凸部３の間隔Ｄは、０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下となっている。このように、方形凸部３の間隔Ｄが０．４ｍｍ以上となっていれば、方形凸部３からのウェーハへの熱伝導量を確実に小さくすることができ、ウェーハを載置した際にウェーハ面内の温度差を確実に小さくすることができる。また、この間隔Ｄが０．８ｍｍ以下となっていれば、上記と同様にパターン転写などのようなウェーハの品質の悪化を抑制することができる。

本発明の気相成長用サセプタは、このように方形凸部３を形成することによって、ウェーハ面内の温度差を小さくし、ウェーハの品質が悪化するのを抑制しつつ、ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制することができるものとなっている。

図１に示す本発明のサセプタ１はウェーハを１枚保持するタイプのものであるが、図３に示すように、ウェーハを複数保持するタイプのものであっても良い。
図３に示すように、サセプタ１１にはウェーハを載置する４つのザグリ部２が形成されている。そして、それぞれのザグリ部２の底面には多数の方形凸部３が形成されており、それぞれの方形凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、方形凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下となっている。

また、サセプタの構成材料としては、基材に黒鉛を、被膜に炭化珪素を用いたものが好ましい。基材として黒鉛が好ましく用いられるのは、開発当初の気相成長装置の加熱方式の主流が高周波誘導加熱であったことと関連しているが、その他にも高純度品が得られやすいこと、加工が容易であること、熱伝導性に優れていること、破損しにくい等のメリットがあるためである。

但し、黒鉛は多孔質体であるが故にプロセス中に吸蔵ガスを放出する可能性があること、また、気相成長の過程では、黒鉛と原料ガスが反応してサセプタの表面が炭化珪素に変化する等の問題がある。そのため、表面を最初から炭化珪素の被膜で覆う構成が一般化している。この炭化珪素の被膜はＣＶＤ（化学的気相成長法）により５０〜２００μｍの厚さに形成することができる。

このとき、図４に示すように、サセプタ２１のザグリ部２の底面の形状は、ウェーハが当接して支持される外周領域と、該外周領域に囲まれておりウェーハと接触しない中央領域を有する形状としても良い。
このように、ザグリ部２の底面の形状が、ウェーハＷが当接して支持される外周領域５と、該外周領域５に囲まれておりウェーハＷと接触しない中央領域６を有する形状であれば、ウェーハＷの裏面に傷やパーティクルが発生するのをより確実に抑制することができる。

次に本発明に係る気相成長装置について図５を用いて説明する。
図５に示すように、この気相成長装置３０は石英製のチャンバ１２とチャンバベース１３とによって外界と隔離されている。チャンバ１２内の中央部には円筒形状の支持台１４が回転可能に配設され、この支持台１４により、サセプタ１１が下方から支持されている。

このサセプタ１１は、中央に開口部１６を有し、図３に示すような複数のウェーハを載置することができるような形態の本発明に係るサセプタである。もちろん、図１に示すような、１枚のウェーハを載置するタイプのサセプタを用いることもできる。

また、支持台１４の中央部は原料ガス導入部２０となっており、支持台１４の下部はチャンバベース１３の下方へ突出している。また、サセプタ１１中央の開口部１６には原料ガスノズル１７が接続され、この原料ガスノズル１７には原料ガスがウェーハＷの表面に対して略平行に流出するように複数個の孔１８が形成されている。チャンバベース１３中央部の支持台１４周囲には原料ガス排出口１９が形成されている。また、サセプタ１１を下方から誘導加熱するコイル１５が渦状に設置されている。このコイル１５によりウェーハＷが加熱されるようになっている。

このような本発明に係る気相成長用サセプタを備えた気相成長装置であれば、気相成長するウェーハの品質が悪化することなく、ウェーハへの熱伝導量を小さくして、ウェーハ面内の温度差を小さくすることができ、ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制しつつ、ウェーハ表面に薄膜を気相成長させることができる。

次に本発明に係るエピタキシャルウェーハの製造方法について説明する。
本発明に係るエピタキシャルウェーハの製造方法は、例えば図１、３、４に示すような本発明に係る気相成長用サセプタを使用してウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法である。ここでは、図３に示すような気相成長用サセプタを備えた図５に示すような気相成長装置を用いた場合について説明する。

まず、本発明の気相成長用サセプタ１１のザグリ部２にウェーハＷを載置する。そして、原料ガスをガス導入部２０より供給し、原料ガスノズル１７の孔１８から噴出する。噴出された原料ガスは原料ガス排出口１９から排出される。このとき、ウェーハＷはコイル１５により加熱されているので、噴出された原料ガスはウェーハＷの表面で反応し、ウェーハＷの表面に薄膜のエピタキシャル層を気相成長させる。

このように、本発明の気相成長用サセプタを使用してエピタキシャル層を気相成長させることで、製造するエピタキシャルウェーハの品質を悪化させることなく、反り、傷及びパーティクルの発生が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することができる。

以上説明したように、本発明では、気相成長用サセプタにおいて、サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であるので、ウェーハへの熱伝導量を小さくすることができ、ウェーハ面内の温度差を小さくすることができる。その結果、気相成長するウェーハの品質が悪化するのを抑制しつつ、ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制することができる。

以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例１）
図３に示すような本発明の気相成長用サセプタを備えた図５に示すような気相成長装置を用いウェーハにエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造し、製造後のエピタキシャルウェーハの反り、傷及びパーティクルを評価した。
直径２００ｍｍ、結晶方位＜１００＞、厚さ７２５μｍ、ヒ素をドーパントとしたｎ＋型、裏面にＣＶＤ付きのポリッシュウェーハ１００枚を用い、表面に厚さ４ｎｍのエピタキシャル層を気相成長させた。
ここで、使用したサセプタは図４に相当する形状で、それぞれの方形凸部の間隔を０．６ｍｍ、方形凸部の頂上部分の平面の面積を０．０２３１ｍｍ^２としたものを用いた。

その結果を図６に示す。図６に示すように、ウェーハの反りの平均値は３．８３ｍｍであった。これと後述する比較例の結果である平均７．５１ｍｍとを比較して反りが抑制されていることがわかった。なお、反りは加熱炉内を写真撮影し、写真から計測した。また、ウェーハの表面をパーティクル測定器（ＡＤＥ社製、型番ＣＲ８２）で測定したところ、ウェーハ１枚当たりの平均のパーティクル数は７．３で、傷は発生していなかった。一方、後述する比較例ではウェーハ１枚当たりの平均のパーティクル数は１６．８で、傷は９枚のウェーハに発生しており、比較例の結果に比べ、傷及びパーティクルが改善されていることがわかった。

このことから、本発明の気相成長用サセプタを用いることで、品質を損なうことなく、反り、傷及びパーティクルの発生が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することができることが確認できた。

（実施例２）
ザグリ部のそれぞれの方形凸部の間隔を０．４ｍｍ、０．８ｍｍとした以外、実施例１と同様な条件でエピタキシャルウェーハを製造し、製造後のウェーハの反り、傷及びパーティクルを評価した。
結果を図６に示す。図６に示すように、方形凸部の間隔が０．４ｍｍ及び０．８ｍｍの場合、ウェーハの反りが抑制されていることが確認できた。また、傷が発生することもなく、ウェーハの品質も損なうことなく気相成長できていることが確認できた。

（実施例３）
ザグリ部の方形凸部の頂上部分の平面の面積を０．０１５６ｍｍ^２、０．０３０６ｍｍ^２とした以外、実施例１と同様な条件でエピタキシャルウェーハを製造し、製造後のウェーハの反り、傷及びパーティクルを評価した。
結果を図６に示す。図６に示すように、方形凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２、０．０３０６ｍｍ^２の場合、ウェーハの反りが抑制されていることが確認できた。また、傷が発生することもなく、ウェーハの品質も損なうことなく気相成長できていることが確認できた。

（比較例１）
ザグリ部の方形凸部の頂上部分の平面の面積を０．０４２ｍｍ^２とし、方形凸部の間隔を０．６４ｍｍとした以外、実施例１と同様な条件でエピタキシャルウェーハを製造し、製造後のウェーハの反り、傷及びパーティクルを評価した。
その結果、ウェーハの反りの平均値は７．５１ｍｍであり、実施例１の結果と比較して悪化していることがわかった。また、ウェーハの表面をパーティクル測定器で測定したところ、ウェーハ１枚当たりの平均のパーティクル数は１６．８で、傷は９枚のウェーハに発生しており、実施例１の結果に比べ悪化していることがわかった。

（比較例２）
ザグリ部のそれぞれの方形凸部の間隔を０．２ｍｍ、１．０ｍｍとした以外、実施例１と同様な条件でエピタキシャルウェーハを製造し、製造後のウェーハの反り、傷及びパーティクルを評価した。
結果を図６に示す。図６に示すように、方形凸部の間隔が０．２ｍｍの場合、ウェーハの反りが大きくなってしまった。また、方形凸部の間隔が１．０ｍｍの場合、ウェーハの反りは抑制されているものの、ウェーハにザグリ部のメッシュのパターン転写が見られ品質上問題となってしまった。

（比較例３）
ザグリ部の方形凸部の頂上部分の平面の面積を０．０１ｍｍ^２、０．０４２ｍｍ^２とした以外、実施例１と同様な条件でエピタキシャルウェーハを製造し、製造後のウェーハの反り、傷及びパーティクルを評価した。
結果を図６に示す。図６に示すように、ザグリ部の方形凸部の頂上部分の平面の面積が０．０４２ｍｍ^２の場合、ウェーハの反りが大きくなってしまった。また、ザグリ部の方形凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１ｍｍ^２の場合、ウェーハの反りは抑制されているものの、ウェーハにザグリ部のメッシュのパターン転写が見られ品質上問題となってしまった。

このように、それぞれの方形凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、方形凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であれば、反りが抑制され、メッシュのパターン転写等のウェーハの品質の悪化のないエピタキシャルウェーハが得られることがわかる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

本発明に係る気相成長用サセプタの一例を示した概略図である。 本発明に係る気相成長用サセプタの凸部を拡大した概略図である。（Ａ）その上面図。（Ｂ）その側面図。 本発明に係る気相成長用サセプタの別の一例を示した概略図である。 本発明に係る気相成長用サセプタの別の一例を示した概略図である。 本発明に係る気相成長装置の一例を示した概略図である。 実施例、比較例の結果を示した図である。 従来の気相成長装置の一例を示した概略図である。 従来の気相成長用サセプタの一例を示した概略図である。

符号の説明

１、１１、２１…気相成長用サセプタ、２…ザグリ部、３…凸部、
４…凸部の頂上部分、５…外周領域、６…中央領域、
１２…チャンバ、１３…チャンバベース、１４…支持台、
１５…コイル、１６…開口部、１７…原料ガスノズル、
１８…孔、１９…原料ガス排出口、２０…原料ガス導入部、
３０…気相成長装置、Ｗ…ウェーハ。

Claims (4)

1. ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるための気相成長装置においてウェーハを支持するための気相成長用サセプタであって、該サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であり、前記凸部の形状が方形であることを特徴とする気相成長用サセプタ。
2. 前記ザグリ部の底面の形状は、前記ウェーハが当接して支持される外周領域と、該外周領域に囲まれており前記ウェーハと接触しない中央領域を有する形状であることを特徴とする請求項１に記載の気相成長用サセプタ。
3. 請求項１又は請求項２に記載の気相成長用サセプタを備えたものであることを特徴とする気相成長装置。
4. 請求項１又は請求項２に記載の気相成長用サセプタを使用してウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。

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