JP2009135201A - 半導体製造装置および半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、反応室11内の所定位置でウェーハwを下面側より支持する第1の支持部材17と、この第1の支持部材17の上方に設けられ、ウェーハwの外周縁部を上面側より全周に亘って支持する第2の支持部材18を備え、ウェーハwを第1および第2の支持部材と共に回転させながら加熱し、均一に成膜を行う。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- ウェーハが搬入される反応室と、
この反応室にソースガスを含む第1のプロセスガスを供給するガス供給機構と、
このガス供給機構より供給された前記第1のプロセスガスを整流状態で前記ウェーハの上面側に供給する整流板と、
前記反応室より前記第1のプロセスガスを排出するガス排出機構と、
前記反応室内の所定位置で前記ウェーハを下面側より支持する第1の支持部材と、
この第1の支持部材の上方に設けられ、前記ウェーハの外周縁部を上面側より全周に亘って支持する第2の支持部材と、
この第2の支持部材を昇降させ、前記ウェーハの支持および開放を行わせる昇降駆動機構と、
前記ウェーハを前記第1および前記第2の支持部材と共に回転させる回転駆動機構と、
前記第1および前記第2の支持部材によって支持された前記ウェーハを加熱する加熱機構と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記第2の支持部材における前記ウェーハの支持箇所は、前記ウェーハの外周縁部に形成されたベベル内であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記ガス供給機構は、水素ガスまたは不活性ガスを含む第2のプロセスガスを前記ウェーハの外周部に供給することを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体製造装置。
- 反応室内にウェーハを搬入し、
前記ウェーハを第1の支持部材上に載置し、
前記載置された前記ウェーハの外周縁部を第2の支持部材によって前記ウェーハの上面側から全周に亘って支持し、
前記支持されたウェーハの上面側に、ソースガスを含む第1のプロセスガスを整流状態で供給し、
前記ウェーハを前記第1および前記第2の支持部材と共に回転させながら加熱し、
前記ウェーハの上面側に成膜することを特徴とする半導体製造方法。 - 水素ガスまたは不活性ガスを含む第2のプロセスガスを前記ウェーハの外周部に供給することを特徴とする請求項4の半導体製造方法。
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