JP2013048262A - サセプタ、半導体製造装置及び半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サセプタ11は、ウェーハwの径より小さく、表面に凸部12b(温度制御板となる)を有するインナーサセプタ12と、中心部に開口部を有し、インナーサセプタを開口部が遮蔽されるように載置するための第1の段部と、この第1の段部の上段に設けられ、ウェーハを載置するための第2の段部を有するアウターサセプタ13を備える。
【選択図】図1
Description
図1に本実施形態のサセプタの断面図を示す。図に示すように、サセプタ11は、インナーサセプタ12と、このインナーサセプタ12と分離可能なアウターサセプタ13から構成されている。
Claims (4)
- ウェーハの径より小さく、表面凸部を有するインナーサセプタと、
中心部に開口部を有し、前記インナーサセプタを前記開口部が遮蔽されるように載置するための第1の段部と、前記第1の段部の上部に設けられ、前記ウェーハとの間に隙間が形成されるための第2の段部と、前記第2の段部の上部に設けられ、前記ウェーハを載置するための第3の段部を有するアウターサセプタと、
を有するサセプタであって、
前記凸部の頂面がウェーハを載置した状態で、前記凸部の頂面と前記ウェーハの裏面との間に、間隙が生じるように構成されていることを特徴とするサセプタ。 - 前記インナーサセプタの表面の凸部は、中央部が高く、周辺部が低く構成されていることを特徴とする請求項1記載のサセプタ。
- ウェーハが導入される反応炉と、
前記反応炉にプロセスガスを供給するためのガス供給機構と、
前記反応炉より前記プロセスガスを排出するためのガス排出機構と、
前記ウェーハの径より小さく、表面に凸部を有するインナーサセプタと、
中心部に開口部を有し、前記インナーサセプタを前記開口部が遮蔽されるように載置するための第1の段部と、この第1の段部の上段に設けられ、前記ウェーハとの間に隙間が形成されるための第2の段部と、前記第2の段部の上部に設けられ、前記ウェーハを載置するための第3の段部を有するアウターサセプタと、
前記ウェーハを前記インナーサセプタおよび前記アウターサセプタの下部より加熱するためのヒータと、
前記ウェーハを回転させるための回転機構と、
前記ヒータを貫通し、前記インナーサセプタを上下駆動させるための突き上げピンと、
を備え、
前記凸部の頂面がウェーハを載置した状態で、前記凸部の頂面と前記ウェーハの裏面との間に、間隙を有するように構成されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 反応炉内にウェーハを搬入し、
前記反応炉内に設置され、前記ウェーハの径より小さく、表面に凸部を有するインナーサセプタを、突き上げピンにより上昇させて、前記凸部の頂面と前記ウェーハの裏面との間に、間隙を有するように前記インナーサセプタ上に前記ウェーハを載置し、
前記突き上げピンを下降させ、前記インナーサセプタを、中心部に開口部を有し、第1の段部と、この第1の段部の上段に設けられ、前記ウェーハとの間に隙間が形成されるための第2の段部と、前記第2の段部の上部に設けられ、前記ウェーハを載置するための第3の段部を有するアウターサセプタの第1の段部上に前記開口部を遮蔽するように載置するとともに、前記ウェーハを、前記アウターサセプタの前記第2の段部の上段に設けられた第3の段部上に載置し、
前記ウェーハを、前記インナーサセプタおよび前記アウターサセプタを介して加熱し、
前記ウェーハを回転させ、
前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする半導体製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2015146416A (ja) * | 2014-01-06 | 2015-08-13 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板用支持部材、炭化珪素成長装置用部材、および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 |
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