JP4019998B2 - サセプタ及び気相成長装置 - Google Patents
サセプタ及び気相成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4019998B2 JP4019998B2 JP2003109063A JP2003109063A JP4019998B2 JP 4019998 B2 JP4019998 B2 JP 4019998B2 JP 2003109063 A JP2003109063 A JP 2003109063A JP 2003109063 A JP2003109063 A JP 2003109063A JP 4019998 B2 JP4019998 B2 JP 4019998B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- counterbore
- semiconductor substrate
- susceptor
- outer peripheral
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板が載置されるサセプタと、このサセプタを備える気相成長装置とに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体基板の主表面上に単結晶薄膜を気相成長させる装置として、いわゆる枚葉型の気相成長装置が知られている。枚葉型の気相成長装置は、半導体基板を支持する略円盤状のサセプタを備えており、サセプタ上の半導体基板を両面側から加熱しつつ主表面上に反応ガスを供給することで単結晶薄膜を気相成長させる構成になっている。
【0003】
より詳細には、図4に示すように、サセプタ200は、その主表面の中央部に座ぐり201を有しており、この座ぐり201内で半導体基板Wを支持する。座ぐり201は、平坦で環状の基板支持面を有する外周側座ぐり部202と、この外周側座ぐり部202よりも窪んだ状態に形成された中央側座ぐり部203とを有している(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開昭61−215289号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記座ぐり201内に半導体基板Wを載置すると、該半導体基板Wが外周側座ぐり部202と接触する部分に傷が円弧状に発生しやすい。
【0006】
本発明は、傷の発生を抑制することができるサセプタ及び気相成長装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のサセプタは、半導体基板の主表面上に単結晶薄膜を気相成長する際に、前記半導体基板を座ぐり内で略水平に支持し、
前記座ぐりが、前記半導体基板を支持する外周側座ぐり部と、前記外周側座ぐり部の内側で該外周側座ぐり部よりも窪んだ状態に形成された中央側座ぐり部とを有するサセプタにおいて、
前記外周側座ぐり部は、前記座ぐりの外周側から中央側に向かって低くなるように水平面に対して傾斜した基板支持面を有し、該基板支持面のうち、少なくとも内周縁を除く領域で、前記半導体基板の裏面の外周縁よりも内側を支持し、
前記基板支持面は、前記座ぐりの中心軸を含む仮想面において、前記基板支持面と前記半導体基板との接点における前記半導体基板の接線が水平面となす角度と等しい角度で、水平面に対し傾斜していることを特徴とする。
【0008】
本発明者等は、上記課題を解決するため鋭意検討を行った。その結果、半導体基板の裏面に円弧状の傷が付くのは、熱応力によって半導体基板が縦断面視U字状に撓む結果、座ぐりの基板支持面の内周縁、つまり外周側座ぐり部と中央側座ぐり部との間に形成される角部分で、半導体基板の裏面が支持されるためであることが分かった。
【0009】
ただし、座ぐりの外周側から内周側に向かって基板支持面が傾斜している場合であっても、水平面に対する傾斜角度が大き過ぎる場合には、基板支持面は半導体基板を、該半導体基板の外周縁のみで支持することとなるため、半導体基板の裏面に傷が付くことはないものの、気相成長される単結晶薄膜においてスリップ転位の発生頻度が急増することとなる。具体的には、例えば直径300mmのシリコン単結晶基板用の座ぐりでは、水平面に対する基板支持面の傾斜角度が1度より急な場合には、気相成長される単結晶薄膜においてスリップ転位の発生頻度が急増する。
【0010】
一方、水平面に対する基板支持面の傾斜角度が0度以下の場合、即ち、基板支持面が水平となっているか、或いは座ぐりの外周側から中央側に向かって高くなるように傾斜している場合には、基板支持面の内周縁と半導体基板の裏面とが接触する結果、半導体基板の裏面に円弧状の傷が付きやすくなる。また、サセプタの主表面であって座ぐりの周囲の面(以下、座ぐり周囲面とする)に対する基板支持面の傾斜角度が所定の角度よりも緩い場合には、縦断面視逆U字状に反ったサセプタを使用すると、この反りによって基板支持面の座ぐり周囲面に対する傾斜が相殺されて水平面に対する傾斜角度が0度以下になり、半導体基板の裏面と基板支持面の内周縁とが接触することがあり、半導体基板の裏面に円弧状の傷が付きやすくなる。具体的には、例えば直径300mmのシリコン単結晶基板用の座ぐりでは、座ぐり周囲面に対する基板支持面の傾斜角度が0.2度よりも緩い場合、このサセプタが縦断面視逆U字状に反っており、その反り量が0.3mm以上であると、シリコン単結晶基板の裏面に円弧状の傷が付くこととなる。なお、サセプタの反り量とは、サセプタ裏面における中央部と外周部との高低差のことである。
【0011】
本発明によれば、外周側座ぐり部の基板支持面は座ぐりの外周側から中央側に向かって低くなるように水平面に対して傾斜しており、該基板支持面のうち、少なくとも内周縁を除く領域で半導体基板の裏面の外周縁よりも内側を支持するので、熱応力によって半導体基板が撓んだ場合にも、従来と異なり、サセプタの基板支持面の内周縁によって半導体基板の裏面に傷を付けることなく、半導体基板の主表面上に単結晶薄膜を気相成長させることができる。また、基板支持面が半導体基板を該半導体基板の外周縁のみで支持することがないため、気相成長される単結晶薄膜においてスリップ転位が発生するのを抑制することができる。
【0012】
また、本発明のサセプタは、座ぐりの中心軸を含む仮想面において、基板支持面と前記半導体基板との接点における半導体基板の接線が水平面となす角度と等しい角度で、基板支持面が水平面に対し傾斜しているので、熱応力によって半導体基板が撓んだ場合にも、基板支持面が半導体基板を該半導体基板の外周縁のみで支持するのを確実に防ぐことができる。従って、形成される単結晶薄膜にスリップ転位が発生するのを確実に防ぐことができる。
【0013】
また、本発明のサセプタは、半導体基板の裏面と接触しない深さに、中央側座ぐり部が窪んでいることが好ましい。この場合には、中央側座ぐり部と半導体基板の裏面とが擦れないため、半導体基板の裏面に傷が付くことをより確実に抑制することができる。
【0014】
本発明の気相成長装置は、本発明のサセプタを備えることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る気相成長装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、本実施の形態における気相成長装置は、半導体基板の主表面に単結晶薄膜を気相成長させるための枚葉型の気相成長装置である。
【0016】
図1は、気相成長装置100の概略構成を示す縦断面図である。この気相成長装置100は枚葉型の気相成長装置であり、シリコン単結晶基板などの半導体基板Wが内部に配置される反応炉1を備えている。
【0017】
反応炉1は頂壁1a、底壁1b及び側壁1eを有する反応室である。頂壁1aと底壁1bとは透光性の石英で形成されている。側壁1eには、反応炉1内に気相成長用の反応ガスを供給するためのガス供給口1cと、反応炉1から反応ガスを排出させるためのガス排出口1dとが形成されている。ガス供給口1cには、所定の組成及び流量で反応ガスを供給するガス供給装置(図示せず)が接続されている。なお、反応ガスとしては、例えばシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる際には、原料ガスであるSiHCl3(トリクロロシラン)ガスとキャリアガスであるH2ガスとの混合ガスを用いることが好ましい。
【0018】
反応炉1の上方には、頂壁1aを通して反応炉1の内部に向かって輻射を行う加熱装置5aが配設され、反応炉1の下方には、底壁1bを通して反応炉1の内部に向かって輻射を行う加熱装置5bが配設されている。なお、本実施の形態においては、加熱装置5a,5bとしてハロゲンランプが用いられている。
【0019】
また、反応炉1の内部には、半導体基板Wを載置するための略円盤状のサセプタ2が、支持部材3に支持された状態で配置されている。
サセプタ2は、グラファイトに炭化ケイ素(SiC)がコーティングされて形成されている。サセプタ2の主表面、つまり上面は、図2(a)に示すように、半導体基板Wを下方から水平に支持するための略円形の座ぐり2cと、該座ぐり2cの周囲の面(以下、座ぐり周囲面とする)2aとからなる。
【0020】
より詳細には、座ぐり2cは、図2(b)及び図3に示すように、半導体基板Wを支持する外周側座ぐり部20と、この外周側座ぐり部20の内側で該外周側座ぐり部20よりも窪んだ状態に形成された中央側座ぐり部21とを有している。
外周側座ぐり部20は基板支持面20aを有しており、この基板支持面20aは、図3に示すように、座ぐり2cの外周側から中央側に向かって低くなるように水平面に対して0度より大きく、かつ1度以下の角度で傾斜している。この外周側座ぐり部20は、基板支持面20aのうち、少なくとも内周縁20b、つまり外周側座ぐり部20と中央側座ぐり部21との間に形成される角部分、を除く領域で半導体基板Wの外周縁よりも内側を支持するようになっている。また、座ぐり2cの中心軸を含む仮想面において基板支持面20aが水平面となす角度は、気相成長の際に熱応力によって縦断面視U字状に撓んだ半導体基板Wと基板支持面20aとの接点における半導体基板Wの接線が水平面となす角度と等しくなっている。
中央側座ぐり部21は、縦断面視U字状に形成されており、気相成長の際に半導体基板Wの裏面と接触しない深さに窪んでいる。なお、図3には図示しないが、座ぐり2c内に載置された半導体基板Wは、図1に示すように、加熱装置5aによって上方から加熱されるとともに、加熱装置5bによってサセプタ2を介して下方からも加熱されるようになっている。
【0021】
この座ぐり2cの中央側座ぐり部21には、図2(b)に示すように、サセプタ2の表裏に貫通する3つの貫通孔2dが周方向に沿って所定間隔ごとに設けられている。なお、これら貫通孔2dは、半導体基板Wを昇降させるリフトピン(図示せず)を通すための孔である。
また、座ぐり2cより外側の部分には、サセプタ2の裏面に開口する3つの凹部2eが、それぞれ半径方向に沿って貫通孔2dと隣り合うように設けられている。
【0022】
支持部材3は、図1に示すように、サセプタ2の下方において上下方向に延在した回転軸3aを備えている。回転軸3aの上端部には、斜め上方に向けて放射状に分岐した3本のスポーク3bが設けられている。各スポーク3bの先端はサセプタ2の凹部2eと嵌合してサセプタ2を支持している。なお、回転軸3aには回転駆動装置(図示せず)が接続されており、この回転駆動装置の駆動によってサセプタ2が回転するようになっている。
【0023】
次に、上記のような気相成長装置100を用いて直径300mmのシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる場合の手順について説明する。
まず、シリコン単結晶基板を搬送してサセプタ2の座ぐり2c内に載置する。
【0024】
次に、加熱装置5a,5bによりシリコン単結晶基板を加熱するとともに上記回転駆動装置によりサセプタ2を回転させ、この状態でガス供給口1cから反応炉1内にSiHCl3ガスとH2ガスとの混合ガスを反応ガスとして導入し、気相成長を行う。
【0025】
なお、この気相成長の際、シリコン単結晶基板は縦断面視U字状に撓む。一方、サセプタ2の基板支持面20aは座ぐり2cの外周側から中央側に向かって低くなるように傾斜しており、該基板支持面20aのうち、少なくとも内周縁20bを除く領域でシリコン単結晶基板の裏面の外周縁よりも内側を支持する。このとき、座ぐり2cの中心軸を含む仮想面内で基板支持面20aが水平面となす角度は、撓んだシリコン単結晶基板と基板支持面20aとの接点におけるシリコン単結晶基板の接線が水平面となす角度と等しくなっている。この構成により、基板支持面が半導体基板を該半導体基板の外周縁のみで支持することを確実に防ぐとともに、シリコン単結晶基板の裏面と基板支持面の内周縁とが接触することを防ぐ。
【0026】
以上のような気相成長装置100によれば、シリコン単結晶基板の裏面に円弧状の傷を付けることなくこの裏面を支持することができるとともに、スリップ転位の発生を抑制しながら、このシリコン単結晶基板の主表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させることができる。
【0027】
また、サセプタ2の基板支持面20aは水平面に対して1度以下の角度で傾斜し、シリコン単結晶基板を該シリコン単結晶基板の外周縁のみで支持することがないので、気相成長されるシリコン単結晶薄膜にスリップ転位が発生することを抑制することができる。
【0028】
また、座ぐり2cの中央側座ぐり部21がシリコン単結晶基板の裏面と接触しないように形成されているので、座ぐり2cの中央側座ぐり部21とシリコン単結晶基板の裏面とが擦れることがない。従って、シリコン単結晶基板の裏面に鏡面加工が施されている場合など、裏面への傷の発生が顕著化しやすい場合に、傷の発生を抑制することができる。
【0029】
なお、上記実施の形態においては、気相成長装置100を枚葉型のものとして説明したが、半導体基板Wを座ぐり内で略水平に支持するものであれば良く、例えばパンケーキ型のものでも良い。
また、サセプタ2の基板支持面20aは、座ぐり2cの外周側から中央側に向かって低くなるように水平面に対して傾斜していることとして説明したが、座ぐり周囲面2aに対する基板支持面20aの傾斜角度を0.2度以上にしておくことが好ましい。この場合には、縦断面視逆U字状に反ったサセプタ2を使用する場合にも、サセプタ2の反り量が0.3mm以下であれば、この反りによっても基板支持面20aの傾斜が相殺されない。従って、縦断面視逆U字状に反ったサセプタ2を使用する場合にも、シリコン単結晶基板の裏面に円弧状の傷を付けることなくその主表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させることができる。
【0030】
【発明の効果】
本発明のサセプタ及び気相成長装置によれば、半導体基板が撓んだ場合にも、座ぐりの基板支持面の内周縁によって半導体基板の裏面に円弧状の傷を付けることなく、半導体基板の主表面上に単結晶薄膜を気相成長させることができる。また、基板支持面が半導体基板を該半導体基板の外周縁のみで支持することがないため、気相成長される単結晶薄膜においてスリップ転位が発生するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る気相成長装置の実施の形態の概略構成を示す縦断面図である。
【図2】本発明に係るサセプタを示す図であり、(a)は縦断面図であり、(b)はサセプタの裏面を示す平面図である。
【図3】図2(a)中の円部の拡大図である。
【図4】従来のサセプタを示す縦断面図である。
【符号の説明】
2 サセプタ
2c 座ぐり
20 外周側座ぐり部
20a 基板支持面
20b 基板支持面の内周縁
21 中央側座ぐり部
100 気相成長装置
W 半導体基板
Claims (4)
- 半導体基板の主表面上に単結晶薄膜を気相成長する際に、前記半導体基板を座ぐり内で略水平に支持し、
前記座ぐりが、前記半導体基板を支持する外周側座ぐり部と、前記外周側座ぐり部の内側で該外周側座ぐり部よりも窪んだ状態に形成された中央側座ぐり部とを有するサセプタにおいて、
前記外周側座ぐり部は、前記座ぐりの外周側から中央側に向かって低くなるように水平面に対して傾斜した基板支持面を有し、該基板支持面のうち、少なくとも内周縁を除く領域で、前記半導体基板の裏面の外周縁よりも内側を支持し、
前記基板支持面は、前記座ぐりの中心軸を含む仮想面において、前記基板支持面と前記半導体基板との接点における前記半導体基板の接線が水平面となす角度と等しい角度で、水平面に対し傾斜していることを特徴とするサセプタ。 - 前記座ぐりは直径300mmのシリコン単結晶基板用であり、
前記基板支持面は、水平面に対して0度より大きく、かつ1度以下の角度で傾斜していることを特徴とする請求項1記載のサセプタ。 - 前記中央側座ぐり部は、前記半導体基板の裏面と接触しない深さに窪んでいることを特徴とする請求項1または2記載のサセプタ。
- 請求項1〜3の何れか一項に記載のサセプタを備えることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003109063A JP4019998B2 (ja) | 2003-04-14 | 2003-04-14 | サセプタ及び気相成長装置 |
US10/552,438 US20060180086A1 (en) | 2003-04-14 | 2004-03-12 | Susceptor and vapor growth device |
EP04720191A EP1615259A4 (en) | 2003-04-14 | 2004-03-12 | SENSITIVE ELEMENT AND STEAM PHASE GROWTH DEVICE |
KR1020057019330A KR20060002975A (ko) | 2003-04-14 | 2004-03-12 | 서셉터 및 기상성장장치 |
CNB2004800101257A CN100490075C (zh) | 2003-04-14 | 2004-03-12 | 衬托器和气相生长装置 |
PCT/JP2004/003338 WO2004093173A1 (ja) | 2003-04-14 | 2004-03-12 | サセプタ及び気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003109063A JP4019998B2 (ja) | 2003-04-14 | 2003-04-14 | サセプタ及び気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004319623A JP2004319623A (ja) | 2004-11-11 |
JP4019998B2 true JP4019998B2 (ja) | 2007-12-12 |
Family
ID=33295907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003109063A Expired - Fee Related JP4019998B2 (ja) | 2003-04-14 | 2003-04-14 | サセプタ及び気相成長装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060180086A1 (ja) |
EP (1) | EP1615259A4 (ja) |
JP (1) | JP4019998B2 (ja) |
KR (1) | KR20060002975A (ja) |
CN (1) | CN100490075C (ja) |
WO (1) | WO2004093173A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4257725A1 (en) * | 2022-03-24 | 2023-10-11 | NuFlare Technology, Inc. | Film deposition method |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006041028A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP4841873B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-12-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 |
TWI354320B (en) * | 2006-02-21 | 2011-12-11 | Nuflare Technology Inc | Vopor phase deposition apparatus and support table |
JP2007251078A (ja) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置 |
US20080314319A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage |
JP4661982B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2011-03-30 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル成長用サセプタ |
JP5347288B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-11-20 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2010016183A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Sumco Corp | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP5161748B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2013-03-13 | 信越半導体株式会社 | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2011146506A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Sumco Corp | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 |
JP5659493B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2015-01-28 | 信越半導体株式会社 | 気相成長方法 |
JP5604907B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-10-15 | 信越半導体株式会社 | 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2012094700A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法及び半導体結晶成長装置 |
CN102828169A (zh) * | 2011-06-13 | 2012-12-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备 |
KR101245221B1 (ko) * | 2011-09-28 | 2013-03-19 | 주식회사 티씨케이 | 엘이디 제조용 기판 지지장치 |
TWI541928B (zh) * | 2011-10-14 | 2016-07-11 | 晶元光電股份有限公司 | 晶圓載具 |
KR101928356B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2018-12-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 제조 장치 |
US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
CN102828238B (zh) * | 2012-08-24 | 2015-11-04 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 用于改良外延过程中衬底晶片表面温场的方法 |
WO2014081424A1 (en) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | Ev Group Inc. | Accommodating device for accommodation and mounting of a wafer |
US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
US9799548B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-10-24 | Applied Materials, Inc. | Susceptors for enhanced process uniformity and reduced substrate slippage |
DE102014100024A1 (de) | 2014-01-02 | 2015-07-02 | Aixtron Se | Vorrichtung zur Anordnung von Substraten, insbesondere Suszeptor eines CVD-Reaktors |
TWI734668B (zh) * | 2014-06-23 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 在epi腔室中的基材熱控制 |
CN107574425A (zh) * | 2014-09-05 | 2018-01-12 | 应用材料公司 | 用于基板热处理的基座与预热环 |
US10269614B2 (en) | 2014-11-12 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Susceptor design to reduce edge thermal peak |
KR20170102020A (ko) * | 2015-01-23 | 2017-09-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 내의 퇴적 계곡들을 제거하기 위한 신규한 서셉터 설계 |
JP6424726B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2018-11-21 | 株式会社Sumco | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 |
US10184193B2 (en) * | 2015-05-18 | 2019-01-22 | Globalwafers Co., Ltd. | Epitaxy reactor and susceptor system for improved epitaxial wafer flatness |
CN107201507B (zh) * | 2016-03-17 | 2019-09-17 | Asm知识产权私人控股有限公司 | 衬底支撑板和包含其的薄膜沉积设备 |
KR102632725B1 (ko) | 2016-03-17 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 플레이트 및 이를 포함하는 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법 |
JP6799395B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-12-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ、電子デバイス製造装置において基板を搬送する搬送システム、および電子デバイス製造装置 |
WO2018106039A1 (ko) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | 주식회사 테스 | 유기금속화학기상증착장치 |
WO2020071308A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ |
CN113597667A (zh) * | 2019-03-18 | 2021-11-02 | 爱思开矽得荣株式会社 | 用于制造半导体的基座和设备 |
KR20210113776A (ko) * | 2020-03-09 | 2021-09-17 | 에스케이실트론 주식회사 | 서셉터 및 이를 포함하는 웨이퍼 제조 장치 |
JP7513413B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-07-09 | 株式会社カネカ | 基板トレイ |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5742174Y2 (ja) * | 1978-07-28 | 1982-09-17 | ||
JPS61215289A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-25 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
US5820686A (en) * | 1993-01-21 | 1998-10-13 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
US5643366A (en) * | 1994-01-31 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum |
JP3534866B2 (ja) * | 1995-01-06 | 2004-06-07 | 東芝機械株式会社 | 気相成長方法 |
JP3887052B2 (ja) * | 1996-12-13 | 2007-02-28 | 東洋炭素株式会社 | 気相成長用サセプター |
JP2002134484A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Asm Japan Kk | 半導体基板保持装置 |
US6634882B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-10-21 | Asm America, Inc. | Susceptor pocket profile to improve process performance |
US20030178145A1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-09-25 | Applied Materials, Inc. | Closed hole edge lift pin and susceptor for wafer process chambers |
-
2003
- 2003-04-14 JP JP2003109063A patent/JP4019998B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-12 EP EP04720191A patent/EP1615259A4/en not_active Withdrawn
- 2004-03-12 KR KR1020057019330A patent/KR20060002975A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-03-12 WO PCT/JP2004/003338 patent/WO2004093173A1/ja active Application Filing
- 2004-03-12 US US10/552,438 patent/US20060180086A1/en not_active Abandoned
- 2004-03-12 CN CNB2004800101257A patent/CN100490075C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4257725A1 (en) * | 2022-03-24 | 2023-10-11 | NuFlare Technology, Inc. | Film deposition method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004093173A1 (ja) | 2004-10-28 |
KR20060002975A (ko) | 2006-01-09 |
US20060180086A1 (en) | 2006-08-17 |
JP2004319623A (ja) | 2004-11-11 |
EP1615259A1 (en) | 2006-01-11 |
CN100490075C (zh) | 2009-05-20 |
CN1774794A (zh) | 2006-05-17 |
EP1615259A4 (en) | 2007-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4019998B2 (ja) | サセプタ及び気相成長装置 | |
JP6424726B2 (ja) | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 | |
JP5604907B2 (ja) | 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4592849B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
TWI417988B (zh) | Pneumatic growth device base | |
JP5659493B2 (ja) | 気相成長方法 | |
JP4661982B2 (ja) | エピタキシャル成長用サセプタ | |
JP2013093582A (ja) | スループットを改善しウェハダメージを低減するサセプタ | |
JP2004063779A (ja) | エピタキシャルウェーハ製造装置及びサセプタ構造 | |
JP2011522393A (ja) | サポートボスを有するサセプタ | |
JP2001313329A (ja) | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 | |
JP4599816B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
WO2020215790A1 (zh) | 一种用于金属有机物化学气相沉积的承载盘 | |
JP2004119859A (ja) | サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法 | |
JP2002151412A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2003318116A (ja) | サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 | |
JP3541838B2 (ja) | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法 | |
JP6986872B2 (ja) | ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、SiCエピタキシャルウェハの製造方法 | |
WO2009093417A1 (ja) | サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 | |
JP6587354B2 (ja) | サセプタ | |
JP2003142411A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2004235439A (ja) | サセプタ及び気相成長装置 | |
JP2022159954A (ja) | サセプタ | |
JP2002261023A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2019121613A (ja) | サセプタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070917 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4019998 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131005 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |