JP4417197B2 - サセプタ装置 - Google Patents
サセプタ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4417197B2 JP4417197B2 JP2004223995A JP2004223995A JP4417197B2 JP 4417197 B2 JP4417197 B2 JP 4417197B2 JP 2004223995 A JP2004223995 A JP 2004223995A JP 2004223995 A JP2004223995 A JP 2004223995A JP 4417197 B2 JP4417197 B2 JP 4417197B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- sample
- top surface
- less
- susceptor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
この場合、サセプタ基体2と板状試料Wとの間の熱伝導度が経時的に変化し、板状試料Wを一定の温度に維持することが難しくなるために、板状試料W毎に均一的な処理を施すことができないという問題点があった。
また、柱状突起4の頂面4aと板状試料Wの接触面との間にパーティクルが入り込み易く、このパーティクルが入り込んだ場合、静電吸着力が低下し、冷却ガスのシール性も低下するという問題点もあった。
さらに、板状試料の面内温度の均一性も低下するために、板状試料の処理面全域にわたる均一な処理ができなくなり、パーティクルも発生し易くなるという問題点もあった。
このサセプタ装置では、突起部それぞれの頂面に設けられた微小突起部それぞれの頂面を板状試料を載置する載置面としたことにより、サセプタ装置に板状試料を繰り返し載置した場合においても、また、ウエハレスドライクリーニング処理時間が増大した場合においても、サセプタ装置と板状試料との間の熱伝導特性の経時的変動を抑えることが可能になり、その結果、パーティクルの発生も少なくなり、板状試料の裏面へのパーティクルの付着を防止することも可能である。
さらに、サセプタ装置を静電チャックとして用いた場合においても、静電吸着力が変動したり、電圧印加中止後の離脱性が変化する等もなくなる。
このサセプタ装置では、微小突起部の前記突起部の頂面からの高さが1μm未満であると、板状試料の裏面にパーティクルが付着し易くなり、また、パーティクルが付着した際の熱伝導率の変化が大きくなるからであり、一方、微小突起部の前記突起部の頂面からの高さが10μmを越えると、パーティクル付着の防止効果や熱伝導性の変化の防止効果の増大が望めず、吸着力が低下し、微小突起部の加工時に形状崩れ等が生じ易く、加工コストの増加をもたらすからである。
このサセプタ装置では、複数の微小突起部の前記一主面に沿う面積の合計が突起部の頂面の面積の1%未満であると、必要な静電吸着力を確保することが難しくなるからであり、一方、複数の微小突起部の前記一主面に沿う面積の合計が突起部の頂面の面積の40%を越えると、載置面にパーティクルが付着し易くなり、しかも電圧印加中止後の板状試料の脱離性を確保することが難しくなるからである。
このサセプタ装置では、微小突起部の頂面の周縁部を曲面としたことにより、板状試料との接触による板状試料の損傷を防止すると共に、板状試料のズレによる前記微小突起部の頂面の形状変化を抑制し、板状試料の載置面と板状試料との間の熱伝導性の変化を防止する。
このサセプタ装置では、前記曲面の曲率半径を0.5μm以上かつ5μm以下としたことにより、前記微小突起部の外周部の欠け、板状試料との接触による板状試料の損傷、およびパーティクルの発生を抑制する。
また、炭化珪素の平均粒子径を0.2μm以下とすることにより、プラズマ照射時の電場が酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体中の炭化珪素粒子の部分に集中して炭化珪素粒子の周辺が損傷することを防止する。
このサセプタ装置では、前記一主面の周縁部に沿って設けられた連続する壁部の頂面及び前記微小突起部の頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことにより、前記板状試料の載置面と前記板状試料との間の隙間に冷却ガスをシールすることが可能である。
このサセプタ装置では、前記壁部の頂面の内周側に、その周方向に沿う段差部を形成し、前記頂面の前記段差部を除く領域と前記微小突起部の頂面とを前記板状試料を載置する載置面としたことにより、前記壁部の頂面上へのパーティクルの付着が低減され、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下を大幅に低減する。
このサセプタ装置では、前記段差部に、複数の第2の微小突起部を設け、これら第2の微小突起部それぞれの頂面と、前記壁部の頂面と、前記微小突起部の頂面とを前記板状試料を載置する載置面としたことにより、第2の微小突起部の頂面上へのパーティクルの付着が低減され、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下を大幅に低減する。
このサセプタ装置では、前記段差部に、その周方向に沿って連続する第2の壁部を設け、この第2の壁部の頂面と、前記(第1の)壁部の頂面と、前記微小突起部の頂面とを前記板状試料を載置する載置面としたことにより、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下を低減するとともに、十分な吸着力を確保することが可能になる。
このサセプタ装置では、第2の壁部の前記段差部からの高さが1μm未満であると、板状試料の裏面にパーティクルが付着し易くなり、また、パーティクルが付着した際の熱伝導率の変化が大きくなるからであり、一方、第2の壁部の前記段差部からの高さが10μmを越えると、パーティクル付着の防止効果や熱伝導性の変化の防止効果の増大が望めず、吸着力が低下し、微小突起部の加工時に形状崩れ等が生じ易く、加工コストの増加をもたらすからである。
この内部電極は、直流電圧が印加されて静電吸着力を発生させるための内部電極、高周波電力が印加されてプラズマを発生させるための内部電極、交流電圧または直流電圧が印加されて発熱するヒータ用の内部電極のいずれであってもよい。
さらに、サセプタ装置を静電チャックとして用いた場合には、静電吸着力の変動を抑制し、電圧印加中止後の離脱性が変化する虞もなくなる。
なお、以下の各実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
図1は、本発明の第1の実施形態の静電チャック装置を示す断面図、図2は同静電チャック装置の要部を示す拡大断面図、図3は同静電チャック装置の要部を示す拡大平面図であり、この静電チャック装置11は、円板状の基体12と、この基体12の下面側にシリコン樹脂系接着剤13を介して接着一体化された金属製の温度調節ベース部材14とを主体として構成されている。
そして、これら基体12及び温度調節ベース部材14の中央部には、誘電体板21に静電吸着された板状試料Wを脱着するために、板状試料Wを図中下方から押圧する押圧部材(図示略)を挿通させるための貫通孔26が形成されている。
この静電チャック装置では、微小突起部32各々の頂面32a上に板状試料Wを載置し、内部電極23に所定の電圧を印加することにより、静電気力を利用して板状試料Wを吸着固定することが可能な構造となっている。
上記の突起部31の上面21aに沿う断面積は8×10−3mm2以上かつ8×10−1mm2以下が好ましく、より好ましくは2×10−2mm2以上かつ4×10−1mm2以下である。
微小突起部32の高さが1μm未満であると、微小突起部32、32、…の頂面32a、32a、…に付着したパーティクルが微小突起部32、32間に形成される平坦部35、35、…に落下できず、また平坦部35、35、…内のパーティクルも容易に微小突起部32、32、…の頂面32a、32a、…に移動し易くなるために、板状試料Wの裏面にパーティクルが付着し易くなり、また、パーティクルが付着したときの熱伝導率の変化が大きくなってしまうからであり、一方、高さが10μmを超えると、パーティクルの付着防止効果や熱伝導率変化の防止効果が望めず、吸着力が低下し、微小突起部32、32、…の加工時に形状崩れ等が生じ易くなり、加工コストの増加をもたらすからである。
ここで、微小突起部32の面積の合計を1%以上としたのは、必要な静電吸着力を確保するためであり、また、この面積の合計を40%以下としたのは、静電吸着面に存在するパーティクルを付着させ難くし、しかも電圧印加中止後の板状試料Wの脱離性を確保するためである。
平坦部36の深さHが10μm未満であると、板状試料Wが平坦部36の底面に接触する可能性があり、一方、平坦部36の深さHが50μmを超えると、吸着力の低下の原因となるので好ましくない。
また、Heガス等の冷却ガスによる冷却効果を考慮すると、平坦部36の深さHを特に30μm〜45μmとすることにより、冷却ガス圧の均一化が達成されて板状試料Wの面内温度が均一となるので好ましい。
このセラミックスとしては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化ジルコニウム、サイアロン、窒化ホウ素、炭化珪素から選択された1種からなるセラミックス、あるいは2種以上を含む複合セラミックスが好ましい。
以上のことを考慮すれば、誘電体板21、突起部31及び微小突起部32は、実質的に1重量%〜12重量%の炭化珪素を含み、残部を酸化アルミニウムとする炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体が好ましい。
この複合焼結体においては、少量の不純物は許容される。しかしながら、アルミニウム(Al)、珪素(Si)以外の金属不純物が0.1重量%を越えると、ウエハ等の板状試料を汚染する可能性が高くなるとともに、電気抵抗の温度依存性が大きくなるので好ましくない。
炭化珪素粒子の平均粒子径が0.2μmを超えると、プラズマ照射時の電場が炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体中の炭化珪素粒子の部分に集中し、炭化珪素粒子の周辺が損傷を受け易くなるからである。
酸化アルミニウム粒子の平均粒子径が2μmを超えると、炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体がプラズマエッチングされ、スパッタ痕が形成され易くなり、表面粗さが粗くなるからである。
ここでは、誘電体板21、絶縁部材22,突起部31及び微小突起部32を、実質的に1重量%〜12重量%の炭化珪素を含む炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体を用いて製造する場合を例にとり説明する。
用いる炭化珪素粒子の原料粉末としては、平均粒子径が0.1μm以下の炭化珪素粉末を用いることが好ましい。
また、この炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体からなる誘電体板21は、プラズマに曝されたときに電場が炭化珪素粒子の部分に集中して大きな損傷を受け易くなり、プラズマ耐性が低く、プラズマ損傷後の静電吸着力が低下する虞があるからである。
その理由は、平均粒子径が1μmを越える酸化アルミニウム粉末を用いて得られた炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体においては、複合焼結体中の酸化アルミニウム粒子の平均粒子径が2μmを越えるために、誘電体板21の板状試料を載置する側の上面21aがプラズマによりエッチングされ易くなるために、スパッタ痕が形成されることとなり、この上面21aの表面粗さが粗くなり、静電チャック装置11の静電吸着力が低下する虞があるからである。
なお、使用する酸化アルミニウム粉末としては、平均粒子径が1μm以下のものであれば特段限定されず、高純度のものであればよい。
次いで、得られた混合粉を、金型を用いて所定形状に成形し、その後、得られた成形体を、例えば、ホットプレス(HP)を用いて、加圧しながら焼成し、炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体を得る。
また、焼成時の雰囲気としては、アルゴン雰囲気、窒素雰囲気等の不活性雰囲気が炭化珪素の酸化を防止するので好ましい。
また、この絶縁部材22の内部電極を形成する領域内に、導電性フィラーを含むペーストを塗布して導電層を形成し、この導電層を形成した領域の外側の領域に、絶縁性フィラーを含むペーストを塗布し、絶縁層を形成する。
一方、上記の2枚の複合焼結体のうち、他方の複合焼結体の表面(板状試料の載置面となる面)をRa(中心線平均粗さ)が0.3μm以下となるように研磨して平坦面とし、誘電体板21とする。
突起部31,微小突起部32及び壁部33は、例えば、砥石加工、レーザ彫刻等の機械的加工、あるいはブラスト加工を用いて形成することができる。
まず、図5(a)に示すように、炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体41の板状試料の載置面となる平坦な面を再研磨し、Ra(中心線平均粗さ)が、例えば、0.01〜0.3μmの表面41aとし、この表面41aを脱脂・洗浄する。
洗浄は、例えば、アセトン、メタノール、エタノール、2−プロパノール等の有機溶剤を用い、脱脂を行う。その後、温水等にて洗浄を行う。
このブラスト加工に使用される粒子としては、アルミナ、炭化珪素、ガラスビーズ等が好適に用いられる。これらの粒径としては、粒度分布における累積百分率が50%(D50)で8.5μm〜60μm程度が好ましい。
これにより、炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体41の表面41aに、突起部31及び平坦部36が同時に形成される。
このマスク43としては、紫外線や可視光に感光する感光性樹脂(レジスト)やメタルマスク等の板状マスクが用いられる。
この際、平坦部36がブラスト加工により研削されないように、この平坦部36を耐ブラスト性の高い有機高分子(レジスト)等で覆っておくのが望ましい。
このブラスト加工に使用される粒子の粒径としては、粒度分布における累積百分率が50%(D50)で6μm〜17μm程度が好ましい。
これにより、表面に突起部31、31、…及び微小突起部32、32、…が形成される。
その後、基体12の下面側にシリコン樹脂系接着剤13を介して温度調節ベース部材14を接着一体化することにより、本実施形態の静電チャック装置を得る。
さらに、微小突起部32、32、…各々の頂面32aにより板状試料Wを支持する構成であるから、静電吸着力が変動したり、電圧印加中止後の離脱性が変化する等の虞もない。
図6は、本発明の第2の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す断面図、図7は、同静電チャック装置の周縁部近傍を示す平面図であり、この静電チャック装置51が第1の実施形態の静電チャック装置11と異なる点は、壁部33の頂面33aの内周側に、その周方向に沿う断面矩形状の段差部52を形成し、残った環状の壁部33B上の頂面を板状試料Wを載置する載置面とし,これら段差部52及び壁部33BによりHe等の冷却ガスをシールするように構成した点である。
残った壁部33Bの幅は10μm〜50μm、その高さは1μm〜10μmである。
図8は、本発明の第3の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す断面図、図9は、同静電チャック装置の周縁部近傍を示す平面図であり、この静電チャック装置61が第2の実施形態の静電チャック装置51と異なる点は、段差部52上に、微小突起部32を複数個設け、残った環状の壁部33B上の頂面及び微小突起部32の頂面32aを板状試料Wを載置する載置面とし、段差部52及び壁部33BによりHe等の冷却ガスをシールするように構成した点である。
微小突起部32の断面積は8×10−5mm2以上かつ2×10−3mm2以下が好ましい。
特に、段差部52上に微小突起部32を複数個設けたので、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下を防止することができ他、十分な吸着力を確保することができる。
図10は、本発明の第4の実施形態の静電チャック装置を示す断面図、図11は、同静電チャック装置を示す平面図であり、この静電チャック装置71が第2の実施形態の静電チャック装置51と異なる点は、段差部52上に、この段差部52の周方向に沿って連続しかつ壁部33Bと同心円状の壁部33Cを形成し,環状の壁部33B,33C上の頂面及び微小突起部32の頂面32aを板状試料Wを載置する載置面とし、段差部52及び壁部33B、33CによりHe等の冷却ガスをシールするように構成した点である。
特に、段差部52上に、この段差部52の周方向に沿って連続しかつ壁部33Bと同心円状の壁部33Cを形成したので、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下をより一層防止することができ他、十分な吸着力を確保することができる。
(静電チャック装置の作製)
平均粒子径0.06μmの炭化珪素超微粒子をプラズマCVD法により気相合成し、この炭化珪素超微粒子と、平均粒子径0.15μmの酸化アルミニウム粉末とを、炭化珪素超微粒子/酸化アルミニウム粉末が重量比で9/91となるように秤量し、均一に混合した。
この混合粉末を粉末成形機を用いて円板状に成形し、次いで、ホットプレス(HP)を用いて、アルゴン雰囲気中、1800℃の温度で4時間、加圧しながら焼成し、直径298mm、厚み4mmの円板状の複合焼結体を2枚作製した。加圧力は40MPaとした。
また、この絶縁部材22の内部電極を形成する領域内(中心から半径145mm内の領域)に、スクリーン印刷法により導電性ペースト(導電性フィラーを含むペースト)を塗布し、導電層を形成した。
導電性ペーストとしては、炭化タンタル粉末と酸化アルミニウム粉末とを、炭化タンタル粉末/酸化アルミニウム粉末が体積比で35/65となるよう秤量し、有機溶剤等を加えて混練したものを用いた。
一方、上記の2枚の複合焼結体のうち、他方の複合焼結体の表面(板状試料の載置面となる面)をRa(中心線平均粗さ)が0.3μmとなるように研磨して平坦面とし、誘電体板21とした。
また、平坦部36からの壁部33B、33Cの頂面までの高さh1を30μm、平坦部36からの突起部31の高さh2を25μm、突起部31の頂面31aからの微小突起部32の高さh3を5μmとした。また、壁部33B、33Cの幅を、共に25μmとした。
この静電チャック装置をプラズマCVD装置に搭載し、静電チャック装置の板状試料載置面に直径30cm(12インチ)のシリコンウエハーを、直流1000Vの印加電圧で吸着固定しつつ、シランガスと酸素ガスとの混合ガス(シラン:20v/v%、酸素:80v/v%)を用いて発生させたプラズマ雰囲気下にて、静電チャック装置の板状試料載置面と板状試料との間にHeガスを圧力1.33×103Pa(10torr)にて流しつつ、また、温度調整ベース部材14の流路25に20℃の冷却水を流しつつ、シリコンウエハー上にSiO2膜を成膜し、処理枚数:1枚、100枚、1000枚毎に平均膜厚を測定した。
ウエハレスドライクリーニング(WLDC)処理の累積時間が1時間、50時間、200時間を経過する毎に、それぞれ上記と同様にして、SiO2膜の膜厚、シリコンウエハーの温度、パーティクル数、Heリーク量を測定した。得られた結果を表2に示す。
実施例1と同様にして静電チャック装置を得た。
ただし、突起部31の頂面31aの合計面積の吸着領域の全面積に対する比を8%、1つの突起部31の頂面31aにおける微小突起部32、32…の合計面積の突起部31の頂面31aに対する面積比を4%とした。
そして、実施例1に準じて、得られた静電チャック装置の各種特性を評価した。得られた結果を表3、表4に示した。
実施例1と同様にして静電チャック装置を得た。
ただし、突起部31の頂面31aには微小突起部32、32…を形成せず、この頂面31aに表面粗し加工を施した。表面粗し加工を行った頂面31aの表面粗さRa(中心線平均粗さ)は0.35μmであった。
そして、実施例1に準じて、得られた静電チャック装置の各種特性を評価した。得られた結果を表5、表6に示した。
上記の評価結果から、次のことが分かった。
実施例1、2では、ウエハー処理枚数が1000枚まで増加した場合においても、SiO2膜の膜厚、ウエハー温度、Heリーク量は変化しないか、変化したとしてもその変化量が小さかった。このことは、静電チャック装置の板状試料載置面が磨耗しても、その影響がないことを示している。また、パーティクル付着量も少なかった。
この比較例では、ウエハレスドライクリーニングの累積時間が増加するに伴って、SiO2膜の膜厚、ウエハー温度、Heリーク量が大きく変化していた。
このことは、静電チャック装置の板状試料載置面がプラズマによる損傷を受け、その影響が大きいことを示している。また、パーティクル付着量も多い。
また、ウエハレスドライクリーニングの累積時間が増加した場合であっても、静電チャック装置の板状試料載置面の表面状態の変動が軽微であり、よって、板状試料Wとの間の熱伝導特性が変化することはなく、板状試料の処理枚数が増加しても、板状試料ごとに均一な処理を施すことができ、パーティクルの付着量も少ない。
12 基体
13 シリコン樹脂系接着剤
14 温度調節ベース部材
21 誘電体板
21a 上面
21b 下面
22 絶縁部材
23 内部電極
24 絶縁部材
25 流路
26 貫通孔
27 電極挿入孔
28 取り出し電極
29 冷却ガス導入孔
31 突起部
31a 頂面
32 微小突起部
32a 頂面
33、33B、33C 壁部
41 炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体
41a 表面
42、43 マスク
52 段差部
Claims (12)
- 基体の一主面に複数の突起部を設け、これらの突起部それぞれの頂面に複数の微小突起部を設け、これら微小突起部それぞれの頂面を板状試料を載置する載置面とし、
前記突起部の前記一主面に沿う断面積は8×10 −3 mm 2 以上かつ8×10 −1 mm 2 以下であり、前記微小突起部の前記一主面に沿う断面積は2×10 −5 mm 2 以上かつ2×10 −3 mm 2 以下であることを特徴とするサセプタ装置。 - 前記微小突起部の前記突起部の頂面からの高さは、1μm以上かつ10μm以下であることを特徴とする請求項1記載のサセプタ装置。
- 前記突起部における前記複数の微小突起部の前記一主面に沿う面積の合計は、前記突起部の頂面の面積の1%以上かつ40%以下であることを特徴とする請求項1または2記載のサセプタ装置。
- 前記微小突起部の頂面の周縁部は、曲面とされていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載のサセプタ装置。
- 前記曲面の曲率半径は、0.5μm以上かつ5μm以下であることを特徴とする請求項4記載のサセプタ装置。
- 基体の一主面に複数の突起部を設け、これらの突起部それぞれの頂面に複数の微小突起部を設け、これら微小突起部それぞれの頂面を板状試料を載置する載置面とし、
前記複数の突起部及び前記複数の微小突起部は、炭化ケイ素を1重量%以上かつ12重量%以下含む酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体であり、前記酸化アルミニウムの平均粒子径は2μm以下、前記炭化ケイ素の平均粒子径は0.2μm以下であることを特徴とするサセプタ装置。 - 前記一主面の周縁部に沿って連続する壁部を設け、この壁部の頂面及び前記微小突起部の頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項記載のサセプタ装置。
- 前記壁部の頂面の内周側には、その周方向に沿う段差部が形成され、前記頂面の前記段差部を除く領域を前記板状試料を載置する載置面としたことを特徴とする請求項7記載のサセプタ装置。
- 前記段差部に、複数の第2の微小突起部を設け、これら第2の微小突起部それぞれの頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことを特徴とする請求項8記載のサセプタ装置。
- 前記段差部に、その周方向に沿って連続する第2の壁部を設け、この第2の壁部の頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことを特徴とする請求項8または9記載のサセプタ装置。
- 前記第2の壁部の前記段差部からの高さは、1μm以上かつ10μm以下であることを特徴とする請求項10記載のサセプタ装置。
- 前記基体内に、内部電極を備えたことを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1項記載のサセプタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004223995A JP4417197B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | サセプタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004223995A JP4417197B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | サセプタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006049352A JP2006049352A (ja) | 2006-02-16 |
JP4417197B2 true JP4417197B2 (ja) | 2010-02-17 |
Family
ID=36027596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004223995A Expired - Fee Related JP4417197B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | サセプタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4417197B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016052291A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
Families Citing this family (290)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4657824B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2011-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、基板処理装置および基板載置台の製造方法 |
US7646581B2 (en) | 2006-01-31 | 2010-01-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
JP2008085129A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Taiheiyo Cement Corp | 基板載置装置 |
JP2008198800A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Bridgestone Corp | 熱処理用治具 |
JP2008244149A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
JP4516089B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-08-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェハ搬送用ブレード |
JP5260023B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2013-08-14 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ成膜装置 |
JP2011508079A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-03-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プロセスキット及びチャンバをクリーニングするための方法、及び、ルテニウムを回収するための方法 |
JP5086206B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2012-11-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5161748B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2013-03-13 | 信越半導体株式会社 | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP5470601B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2014-04-16 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
SG183807A1 (en) * | 2010-03-26 | 2012-10-30 | Ulvac Inc | Substrate holding device |
JP2012028539A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックス接合体 |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
KR102101192B1 (ko) | 2012-07-27 | 2020-04-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 조면화된 기판 지지부 |
JP2014027207A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Hitachi Chemical Co Ltd | 誘電体及びこの誘電体を用いた静電チャック |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
WO2014156619A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US20180148835A1 (en) * | 2016-11-29 | 2018-05-31 | Lam Research Corporation | Substrate support with varying depths of areas between mesas and corresponding temperature dependent method of fabricating |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
USD876504S1 (en) | 2017-04-03 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
JP2024090652A (ja) * | 2022-12-23 | 2024-07-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック部材及び静電チャック装置 |
JP2024090654A (ja) * | 2022-12-23 | 2024-07-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック部材及び静電チャック装置 |
-
2004
- 2004-07-30 JP JP2004223995A patent/JP4417197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016052291A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JPWO2016052291A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-04-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006049352A (ja) | 2006-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4417197B2 (ja) | サセプタ装置 | |
JP4739039B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
US7646581B2 (en) | Electrostatic chuck | |
JP6119430B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP5011736B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
US8264813B2 (en) | Electrostatic chuck device | |
US7619870B2 (en) | Electrostatic chuck | |
TWI518835B (zh) | 靜電吸盤裝置 | |
JP6064908B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP4744855B2 (ja) | 静電チャック | |
US8284538B2 (en) | Electrostatic chuck device | |
US20080062609A1 (en) | Electrostatic chuck device | |
KR20020019030A (ko) | 정전 척 및 처리장치 | |
JP4943086B2 (ja) | 静電チャック装置及びプラズマ処理装置 | |
US11551962B2 (en) | Ceramic substrate and susceptor | |
WO2015056697A1 (ja) | 静電チャック装置 | |
US20080062610A1 (en) | Electrostatic chuck device | |
JP4943085B2 (ja) | 静電チャック装置及びプラズマ処理装置 | |
JP2007201068A (ja) | 静電チャック | |
JP4031419B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JP2008042140A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2008159900A (ja) | 静電チャック付きセラミックヒーター | |
JP2008042137A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2019179780A (ja) | 静電チャック装置の製造方法 | |
JP2007299867A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4417197 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131204 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |