JP4417197B2

JP4417197B2 - サセプタ装置

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Publication number: JP4417197B2
Application number: JP2004223995A
Authority: JP
Inventors: 守小坂井
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date: 2004-07-30
Filing date: 2004-07-30
Publication date: 2010-02-17
Anticipated expiration: 2024-07-30
Also published as: JP2006049352A

Description

本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置、液晶装置（ＬＣＤ）等を製造する際に用いられる半導体ウエハ、金属ウエハ、ガラス板等の板状試料を固定する際に用いて好適なサセプタ装置に関するものである。

従来、半導体装置や液晶装置等の製造工程においては、半導体ウエハ、金属ウエハ、ガラス板等の板状試料の表面に各種の処理を施すことが行われており、この各種処理に際しては、板状試料を固定するとともに、この板状試料を好ましい一定の温度に維持するためにサセプタ装置が用いられ、これまでにも様々な構造のサセプタ装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

図１２は、従来のサセプタ装置の１例を示す断面図であり、このサセプタ装置１は、絶縁体からなるサセプタ基体２の表面２ａの周縁部に所定幅及び所定高さのリング状の周縁壁３が設けられ、この周縁壁３の内側の表面２ａに周縁壁３と同一の高さの柱状突起４が複数本設けられ、柱状突起４、４、…のそれぞれの頂面４ａ、即ち板状試料Ｗとの接触面には、表面粗さＲａ（中心線平均粗さ）が０．３５μｍ〜３．０μｍとなるように粗面加工が施され、周縁壁３の頂面３ａ及び柱状突起４の頂面４ａにより板状試料Ｗを支持する構成になっている。

このサセプタ基体２には、厚み方向に貫通する冷却ガス導入孔５が形成されるとともに、その表面２ａに平行に静電吸着力を発生させるための内部電極６が配設され、この内部電極６に電極挿入孔７に設けられた取り出し電極８により電圧を印加することにより、板状試料Ｗを静電吸着しつつ、この板状試料Ｗを冷却ガス導入孔５を流動する冷却ガスにより好ましい一定の温度に維持するようになっている。

また、近年、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、イオン注入装置等のプラズマを使用する装置、特にプラズマエッチング装置においては、これらの装置に搭載されているサセプタ装置の静電吸着面の汚染物やパーティクルを除去するために、静電吸着面に板状試料を静電吸着固定する前に、プラズマを用いて反応チャンバー内をクリーニングする、いわゆるウエハレスドライクリーニングを施すことが行われ始めている。
特許第３１７６３０５号公報

しかしながら、上述した従来のサセプタ装置１においては、板状試料Ｗの処理が増加するに従って、サセプタ基体２の柱状突起４、４、…それぞれの頂面４ａが板状試料Ｗとの接触により磨耗することにより、これらの頂面４ａの表面状態が経時的に変化し、板状試料Ｗとの接触状態を一定に保つことが難しいという問題点があった。
この場合、サセプタ基体２と板状試料Ｗとの間の熱伝導度が経時的に変化し、板状試料Ｗを一定の温度に維持することが難しくなるために、板状試料Ｗ毎に均一的な処理を施すことができないという問題点があった。
また、柱状突起４の頂面４ａと板状試料Ｗの接触面との間にパーティクルが入り込み易く、このパーティクルが入り込んだ場合、静電吸着力が低下し、冷却ガスのシール性も低下するという問題点もあった。

一方、ウエハレスドライクリーニングでは、このドライクリーニング中にサセプタ装置の板状試料の載置面がプラズマに直接曝されるため、ウエハレスドライクリーニングが累積されるにしたがって、この載置面の表面状態が経時的に変化し、その結果、板状試料との接触状態が変化し、静電吸着力が変動し、電圧印加中止後の離脱性が変化する（静電チャックの場合）他、サセプタ装置の板状試料載置面と板状試料との間の熱伝導性が経時的に変化し、板状試料を所定の温度に一定に維持することができなくなり、板状試料毎に均一的な処理を施すことができなくなるという問題点があった。
さらに、板状試料の面内温度の均一性も低下するために、板状試料の処理面全域にわたる均一な処理ができなくなり、パーティクルも発生し易くなるという問題点もあった。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、サセプタ装置に板状試料を繰り返し載置した場合においても、また、ウエハレスドライクリーニング処理時間が増大した場合においても、サセプタ装置と板状試料との間の熱伝導特性が大きく変化することがなく、パーティクルの発生も少なく、板状試料の裏面へのパーティクルの付着を防止することが可能であり、さらに、サセプタ装置を静電チャックとして用いた場合においても、静電吸着力が変動したり、電圧印加中止後の離脱性が変化することもないサセプタ装置を提供することを目的とする。

本発明者は、鋭意検討した結果、サセプタ基体の表面（一主面）に複数の突起部を設け、これらの突起部それぞれの頂面に複数の微小突起部を設け、これら微小突起部それぞれの頂面を板状試料を載置する載置面とすれば、サセプタ装置の板状試料との接触面（載置面）の表面状態が磨耗により変化したとしても、板状試料との接触状態への影響が軽微であり、また、ウエハレスドライクリーニングにおける処理時間が増大しても、サセプタ装置の板状試料との接触面の表面状態の変化が軽微であることを知見し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明のサセプタ装置は、基体の一主面に複数の突起部を設け、これらの突起部それぞれの頂面に複数の微小突起部を設け、これら微小突起部それぞれの頂面を板状試料を載置する載置面とし、前記突起部の前記一主面に沿う断面積は８×１０ ^−３ｍｍ ^２以上かつ８×１０ ^−１ｍｍ ^２以下であり、前記微小突起部の前記一主面に沿う断面積は２×１０ ^−５ｍｍ ^２以上かつ２×１０ ^−３ｍｍ ^２以下であることを特徴とする。
このサセプタ装置では、突起部それぞれの頂面に設けられた微小突起部それぞれの頂面を板状試料を載置する載置面としたことにより、サセプタ装置に板状試料を繰り返し載置した場合においても、また、ウエハレスドライクリーニング処理時間が増大した場合においても、サセプタ装置と板状試料との間の熱伝導特性の経時的変動を抑えることが可能になり、その結果、パーティクルの発生も少なくなり、板状試料の裏面へのパーティクルの付着を防止することも可能である。
さらに、サセプタ装置を静電チャックとして用いた場合においても、静電吸着力が変動したり、電圧印加中止後の離脱性が変化する等もなくなる。

前記突起部の前記一主面に沿う断面積を８×１０ ^−３ｍｍ ^２以上かつ８×１０ ^−１ｍｍ ^２以下とした理由は、前記突起部の前記一主面に沿う断面積が８×１０^−３ｍｍ^２未満であると、この突起部が磨耗し易くなり、パーティクル発生の原因となるからであり、一方、この断面積が８×１０^−１ｍｍ^２を越えると、この突起部の形状に呼応した温度差分布が板状試料に発生するからである。

また、前記微小突起部においては、その前記一主面に沿う断面積が２×１０^−５ｍｍ^２未満であると、ウエハレスドライクリーニングを施した場合に、処理時間が増大するに伴ってプラズマに曝されることにより、微小突起部の板状試料に対向する面の表面状態が経時的に大きく変化し、サセプタ装置の熱特性が変動するからであり、一方、微小突起部の前記一主面に沿う断面積が２×１０^−３ｍｍ^２を越えると、この微小突起部と微小突起部間に形成される微細な溝部との間に熱伝導性に差異が生じるために板状試料に局所的な温度差が生じ、また、微小突起部上に付着したパーティクルが上記の溝部に落下できず、微小突起部の頂面と板状試料との間にパーティクルが介在することとなり、板状試料と微小突起部との間の熱伝導特性が変化するからである。

本発明のサセプタ装置においては、前記微小突起部の前記突起部の頂面からの高さは、１μｍ以上かつ１０μｍ以下であることが好ましい。
このサセプタ装置では、微小突起部の前記突起部の頂面からの高さが１μｍ未満であると、板状試料の裏面にパーティクルが付着し易くなり、また、パーティクルが付着した際の熱伝導率の変化が大きくなるからであり、一方、微小突起部の前記突起部の頂面からの高さが１０μｍを越えると、パーティクル付着の防止効果や熱伝導性の変化の防止効果の増大が望めず、吸着力が低下し、微小突起部の加工時に形状崩れ等が生じ易く、加工コストの増加をもたらすからである。

本発明のサセプタ装置においては、前記突起部における前記複数の微小突起部の前記一主面に沿う面積の合計は、前記突起部の頂面の面積の１％以上かつ４０％以下であることが好ましい。
このサセプタ装置では、複数の微小突起部の前記一主面に沿う面積の合計が突起部の頂面の面積の１％未満であると、必要な静電吸着力を確保することが難しくなるからであり、一方、複数の微小突起部の前記一主面に沿う面積の合計が突起部の頂面の面積の４０％を越えると、載置面にパーティクルが付着し易くなり、しかも電圧印加中止後の板状試料の脱離性を確保することが難しくなるからである。

本発明のサセプタ装置においては、前記微小突起部の頂面の周縁部は、曲面とされていることが好ましい。
このサセプタ装置では、微小突起部の頂面の周縁部を曲面としたことにより、板状試料との接触による板状試料の損傷を防止すると共に、板状試料のズレによる前記微小突起部の頂面の形状変化を抑制し、板状試料の載置面と板状試料との間の熱伝導性の変化を防止する。

本発明のサセプタ装置においては、前記曲面の曲率半径は、０．５μｍ以上かつ５μｍ以下であることが好ましい。
このサセプタ装置では、前記曲面の曲率半径を０．５μｍ以上かつ５μｍ以下としたことにより、前記微小突起部の外周部の欠け、板状試料との接触による板状試料の損傷、およびパーティクルの発生を抑制する。

本発明の他のサセプタ装置は、基体の一主面に複数の突起部を設け、これらの突起部それぞれの頂面に複数の微小突起部を設け、これら微小突起部それぞれの頂面を板状試料を載置する載置面とし、前記複数の突起部及び前記複数の微小突起部は、炭化ケイ素を１重量％以上かつ１２重量％以下含む酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体であり、前記酸化アルミニウムの平均粒子径は２μｍ以下、前記炭化ケイ素の平均粒子径は０．２μｍ以下であることを特徴とする。

このサセプタ装置では、炭化ケイ素の含有量が１重量％未満であると、酸化アルミニウムの平均粒子径が２μｍより大きくなり、よって、プラズマエッチングされ易くなるからであり、一方、１２重量％を越えると、サセプタ基体の固有抵抗値が１×１０^８Ω・ｃｍより小さくなり、良好なサセプタ基体とならないからである。

また、酸化アルミニウムの平均粒子径を２μｍ以下とすることにより、酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体がプラズマエッチングされてスパッタ痕が形成されることを防止する。
また、炭化珪素の平均粒子径を０．２μｍ以下とすることにより、プラズマ照射時の電場が酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体中の炭化珪素粒子の部分に集中して炭化珪素粒子の周辺が損傷することを防止する。

本発明のサセプタ装置においては、前記一主面の周縁部に沿って連続する壁部を設け、この壁部の頂面及び前記微小突起部の頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことが好ましい。
このサセプタ装置では、前記一主面の周縁部に沿って設けられた連続する壁部の頂面及び前記微小突起部の頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことにより、前記板状試料の載置面と前記板状試料との間の隙間に冷却ガスをシールすることが可能である。

本発明のサセプタ装置においては、前記壁部の頂面の内周側には、その周方向に沿う段差部が形成され、前記頂面の前記段差部を除く領域を前記板状試料を載置する載置面としたことが好ましい。
このサセプタ装置では、前記壁部の頂面の内周側に、その周方向に沿う段差部を形成し、前記頂面の前記段差部を除く領域と前記微小突起部の頂面とを前記板状試料を載置する載置面としたことにより、前記壁部の頂面上へのパーティクルの付着が低減され、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下を大幅に低減する。

本発明のサセプタ装置においては、前記段差部に、複数の第２の微小突起部を設け、これら第２の微小突起部それぞれの頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことが好ましい。
このサセプタ装置では、前記段差部に、複数の第２の微小突起部を設け、これら第２の微小突起部それぞれの頂面と、前記壁部の頂面と、前記微小突起部の頂面とを前記板状試料を載置する載置面としたことにより、第２の微小突起部の頂面上へのパーティクルの付着が低減され、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下を大幅に低減する。

本発明のサセプタ装置においては、前記段差部に、その周方向に沿って連続する第２の壁部を設け、この第２の壁部の頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことが好ましい。
このサセプタ装置では、前記段差部に、その周方向に沿って連続する第２の壁部を設け、この第２の壁部の頂面と、前記（第１の）壁部の頂面と、前記微小突起部の頂面とを前記板状試料を載置する載置面としたことにより、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下を低減するとともに、十分な吸着力を確保することが可能になる。

本発明のサセプタ装置においては、前記第２の壁部の前記段差部からの高さは、１μｍ以上かつ１０μｍ以下であることが好ましい。
このサセプタ装置では、第２の壁部の前記段差部からの高さが１μｍ未満であると、板状試料の裏面にパーティクルが付着し易くなり、また、パーティクルが付着した際の熱伝導率の変化が大きくなるからであり、一方、第２の壁部の前記段差部からの高さが１０μｍを越えると、パーティクル付着の防止効果や熱伝導性の変化の防止効果の増大が望めず、吸着力が低下し、微小突起部の加工時に形状崩れ等が生じ易く、加工コストの増加をもたらすからである。

本発明のサセプタ装置においては、前記基体内に、内部電極を備えたことが好ましい。
この内部電極は、直流電圧が印加されて静電吸着力を発生させるための内部電極、高周波電力が印加されてプラズマを発生させるための内部電極、交流電圧または直流電圧が印加されて発熱するヒータ用の内部電極のいずれであってもよい。

以上説明したように、本発明のサセプタ装置によれば、このサセプタ装置に板状試料を繰り返し載置した場合においても、また、ウエハレスドライクリーニング処理時間が増大した場合においても、サセプタ装置と板状試料との間の熱伝導特性の経時的変動を抑えることができ、よって、板状試料毎に均一な処理を施すことができる。また、パーティクルの発生も抑制することができ、板状試料の裏面へのパーティクルの付着を防止することができる。
さらに、サセプタ装置を静電チャックとして用いた場合には、静電吸着力の変動を抑制し、電圧印加中止後の離脱性が変化する虞もなくなる。

本発明のサセプタ装置の各実施の形態について、静電吸着用の内部電極を備えた静電チャック装置を例にとり説明する。
なお、以下の各実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態の静電チャック装置を示す断面図、図２は同静電チャック装置の要部を示す拡大断面図、図３は同静電チャック装置の要部を示す拡大平面図であり、この静電チャック装置１１は、円板状の基体１２と、この基体１２の下面側にシリコン樹脂系接着剤１３を介して接着一体化された金属製の温度調節ベース部材１４とを主体として構成されている。

基体１２は、上面（一主面）２１ａ側が半導体ウエハ、金属ウエハ、ガラス板等の板状試料Ｗを載置するための載置面とされた円形状の誘電体板２１と、この誘電体板２１の下面（他の一主面）２１ｂ側に対向配置された円板状の絶縁部材２２と、誘電体板２１と絶縁部材２２との間に挟持された面状の内部電極２３と、内部電極２３の外周側にこれを囲む様に設けられた環状の絶縁部材２４とを主体として構成されている。

一方、温度調節ベース部材１４には、その内部に水や有機溶媒等の冷却用媒体を循環させる流路２５が形成されている。
そして、これら基体１２及び温度調節ベース部材１４の中央部には、誘電体板２１に静電吸着された板状試料Ｗを脱着するために、板状試料Ｗを図中下方から押圧する押圧部材（図示略）を挿通させるための貫通孔２６が形成されている。

また、絶縁部材２２及び温度調節ベース部材１４の中央部近傍には、電極挿入孔２７が形成され、この電極挿入孔２７には内部電極２３に電圧を印加するための取り出し電極２８が装填されている。この取り出し電極２８の上端部は内部電極２３に電気的に接続されている。

また、誘電体板２１、絶縁部材２２、内部電極２３及び温度調整ベース部材１４には、これらを貫通する冷却ガス導入孔２９が形成され、この冷却ガス導入孔２９により絶縁部材２１と板状試料Ｗの下面との隙間にＨｅ等の冷却ガスが供給されるようになっている。

上記の誘電体板２１の上面２１ａには、その周縁部を除き、この上面２１ａに沿う断面が略円形状の円柱状の突起部３１が複数個設けられ、これらの突起部３１各々の頂面３１ａには、この頂面３１ａに沿う断面が略円形状の円柱状の微小突起部３２が複数個設けられ、これらの微小突起部３２各々の頂面３２ａは、頂面３１ａ、すなわち上面２１ａに平行とされている。

また、この上面２１ａの周縁部には、Ｈｅ等の冷却ガスが漏れないように、この周縁部に沿って連続し、かつ突起部３１と微小突起部３２との合計高さと同じ高さの壁部３３が、この上面２１ａの周縁部を一巡する様に形成されている。
この静電チャック装置では、微小突起部３２各々の頂面３２ａ上に板状試料Ｗを載置し、内部電極２３に所定の電圧を印加することにより、静電気力を利用して板状試料Ｗを吸着固定することが可能な構造となっている。
上記の突起部３１の上面２１ａに沿う断面積は８×１０^−３ｍｍ^２以上かつ８×１０^−１ｍｍ^２以下が好ましく、より好ましくは２×１０^−２ｍｍ^２以上かつ４×１０^−１ｍｍ^２以下である。

ここで、突起部３１の上面２１ａに沿う断面積を上記の様に限定した理由は、断面積が８×１０^−３ｍｍ^２未満であると、微小突起部３２、３２…が突起部３１の上面２１ａの周縁部に形成される（掛かる）割合が増加し、微小突起部３２、３２…が磨耗し易くなり、パーティクル発生の原因となるからであり、一方、この断面積が８×１０^−１ｍｍ^２を越えると、板状試料Ｗに突起部３１の形状に呼応した温度差分布が形成され、板状試料Ｗの温度分布の面内均一性が保持できなくなり、その結果、板状試料Ｗの特性分布が大きくなるからである。

また、微小突起部３２の上面２１ａに沿う断面積は２×１０^−５ｍｍ^２以上かつ２×１０^−３ｍｍ^２以下が好ましく、より好ましくは８×１０^−５ｍｍ^２以上かつ４×１０^−４ｍｍ^２以下である。

ここで、微小突起部３２の上面２１ａに沿う断面積を上記の様に限定した理由は、断面積が２×１０^−５ｍｍ^２未満であると、ウエハレスドライクリーニングを施した場合に、処理時間が増大するに伴い、プラズマに曝されて主として微小突起部３２の側面部がエッチングされることにより、微小突起部３２の板状試料Ｗに対向する面の表面状態が経時的に大きく変化し、静電チャック装置の熱特性が変動するからであり、一方、この断面積が２×１０^−３ｍｍ^２を越えると、この微小突起部３２、３２間に形成される平坦部３５との間に熱伝導性に差異が生じるために板状試料Ｗに局所的な温度差が生じ、また、微小突起部３２上に付着したパーティクルが上記の平坦部３５に落下できず、微小突起部３２の頂面３２ａと板状試料Ｗとの間にパーティクルが介在することとなり、板状試料Ｗと微小突起部３２との間の熱伝導特性が変化するからである。

これにより、誘電体板２１の静電吸着面がウエハレスドライクリーニング中、直接プラズマに曝されてウエハドライクリーニングの累積時間が増加しても、微小突起部３２の表面状態における表面粗さの変動が軽微であり、もって、板状試料Ｗとの間の熱伝導特性が変化することはなく、板状試料Ｗごとに均一な処理を施すことができる。また、パーティクルの発生も少なく、静電吸着力の変動や電圧印加中止後の離脱性の変化もない。したがって、ウエハレスドライクリーニングを繰り返し行っても何らの支障はない。

微小突起部３２の、突起部３１の頂面３１ａからの高さは、１μｍ以上かつ１０μｍ以下が好ましく、より好ましく１μｍ以上かつ５μｍ以下である。
微小突起部３２の高さが１μｍ未満であると、微小突起部３２、３２、…の頂面３２ａ、３２ａ、…に付着したパーティクルが微小突起部３２、３２間に形成される平坦部３５、３５、…に落下できず、また平坦部３５、３５、…内のパーティクルも容易に微小突起部３２、３２、…の頂面３２ａ、３２ａ、…に移動し易くなるために、板状試料Ｗの裏面にパーティクルが付着し易くなり、また、パーティクルが付着したときの熱伝導率の変化が大きくなってしまうからであり、一方、高さが１０μｍを超えると、パーティクルの付着防止効果や熱伝導率変化の防止効果が望めず、吸着力が低下し、微小突起部３２、３２、…の加工時に形状崩れ等が生じ易くなり、加工コストの増加をもたらすからである。

突起部３１における微小突起部３２、３２、…の上面２１ａに沿う面積の合計は、突起部３１の頂面３１ａの面積の１％以上かつ４０％以下であることが好ましい。
ここで、微小突起部３２の面積の合計を１％以上としたのは、必要な静電吸着力を確保するためであり、また、この面積の合計を４０％以下としたのは、静電吸着面に存在するパーティクルを付着させ難くし、しかも電圧印加中止後の板状試料Ｗの脱離性を確保するためである。

この微小突起部３２は、図４に示すように、中央部の平坦な頂面３２ａと、外周部のＲ形状の曲面部３２ｂとからなるもので、頂面３２ａのＲａ（中心線平均粗さ）は０．０１μｍ〜０．３μｍが好ましく、より好ましくは０．０１μｍ〜０．１μｍであり、また、曲面部３２ｂの曲率（Ｒ）は０．５μｍ〜５μｍが好ましく、より好ましくは１μｍ〜２μｍである。

この微小突起部３２では、頂面３２ａのＲａを０．０１μｍ〜０．３μｍとしたことにより、板状試料Ｗとの接触によって板状試料Ｗが損傷することを防止すると共に、板状試料Ｗのズレによる突起部３１の頂面３１ａの表面粗さの変化を抑制し、板状試料Ｗの載置面である微小突起部３２の頂面３２ａと板状試料Ｗとの間の熱伝導性の変化を防止することができる。また、曲面部３２ｂの曲率（Ｒ）を０．５μｍ〜５μｍとしたことにより、微小突起部３２、３２…の外周部の欠け、板状試料Ｗとの接触による板状試料Ｗの損傷、パーティクルの発生等を抑制することができる。

また、突起部３１、３１…の頂面３１ａの合計面積の吸着領域の全面積（誘電体板２１の表面の面積から壁部３３の面積を除いた面積）に対する比は０．５〜３０％、好ましくは５〜１５％の範囲とされている。この面積比を０．５％以上とするのは必要な静電吸着力を確保するためであり、３０％以下とするのは静電吸着面に存在するパーティクルを付着させ難くし、しかも電圧印加中止後の板状試料Ｗの脱離性を確保するためである。

また、突起部３１、３１に挟まれる平坦部３６の深さＨは１０μｍ〜５０μｍが好ましく、より好ましくは３０μｍ〜４５μｍである。
平坦部３６の深さＨが１０μｍ未満であると、板状試料Ｗが平坦部３６の底面に接触する可能性があり、一方、平坦部３６の深さＨが５０μｍを超えると、吸着力の低下の原因となるので好ましくない。
また、Ｈｅガス等の冷却ガスによる冷却効果を考慮すると、平坦部３６の深さＨを特に３０μｍ〜４５μｍとすることにより、冷却ガス圧の均一化が達成されて板状試料Ｗの面内温度が均一となるので好ましい。

誘電体板２１、突起部３１及び微小突起部３２は、ともに、セラミックスからなるものである。
このセラミックスとしては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化ジルコニウム、サイアロン、窒化ホウ素、炭化珪素から選択された１種からなるセラミックス、あるいは２種以上を含む複合セラミックスが好ましい。

また、これらを構成する材料は、単一であっても混合物であってもよいが、熱膨張係数が可能な限り内部電極２３の熱膨張係数に近似したもので、しかも焼結し易いものが好ましい。また、誘電体板２１の上面２１ａ側は静電吸着面となるから、特に誘電率が高い材質であって、静電吸着する板状試料Ｗに対して不純物とならないものを選択することが好ましい。
以上のことを考慮すれば、誘電体板２１、突起部３１及び微小突起部３２は、実質的に１重量％〜１２重量％の炭化珪素を含み、残部を酸化アルミニウムとする炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体が好ましい。

この炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体は、室温（２５℃）における体積固有抵抗値が１×１０^８Ω・ｃｍ〜１×１０^１５Ω・ｃｍ程度であるから、静電チャックの絶縁部材（誘電体板）として好適であり、しかも、耐プラズマ性も向上したものとなっている。

ここで、この炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体における炭化珪素の含有量が１重量％未満であると、誘電体板２１に含有される酸化アルミニウム粒子の平均粒子径が２μｍより大きくなり、よって、プラズマエッチングされ易くなるからであり、一方、１２重量％を越えると、誘電体板２１の体積固有抵抗値が１×１０^８Ω・ｃｍより小さくなり、静電チャックとして好ましい体積固有抵抗値とならないからである。
この複合焼結体においては、少量の不純物は許容される。しかしながら、アルミニウム（Ａｌ）、珪素（Ｓｉ）以外の金属不純物が０．１重量％を越えると、ウエハ等の板状試料を汚染する可能性が高くなるとともに、電気抵抗の温度依存性が大きくなるので好ましくない。

また、この炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体における炭化珪素粒子の平均粒子径は０．２μｍ以下が好ましい。
炭化珪素粒子の平均粒子径が０．２μｍを超えると、プラズマ照射時の電場が炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体中の炭化珪素粒子の部分に集中し、炭化珪素粒子の周辺が損傷を受け易くなるからである。

また、この炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体における酸化アルミニウム粒子の平均粒子径は２μｍ以下が好ましい。
酸化アルミニウム粒子の平均粒子径が２μｍを超えると、炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体がプラズマエッチングされ、スパッタ痕が形成され易くなり、表面粗さが粗くなるからである。

なお、誘電体板２１、突起部３１及び微小突起部３２が共に、１重量％〜１２重量％の炭化珪素を含み、残部を酸化アルミニウムとする炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体により構成されている必要はなく、少なくとも突起部３１及び微小突起部３２のみが１重量％〜１２重量％の炭化珪素を含む炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体により構成されていてもよい。

また、絶縁部材２２は、誘電体板２１と異なる構造を有する絶縁部材からなっていても良いが、誘電体板２１と同じ構造を有する複合焼結体からなっていることが望ましい。誘電体板２１と同じ構造を有する複合焼結体であれば、ハロゲンガスやプラズマに対する耐食性に優れ、高い強度及び硬度を有し、耐熱性、耐熱衝撃性に優れたものにすることができるとともに、静電チャックの製造工程を簡略化することができるので望ましい。

次に、本実施形態の静電チャック装置の製造方法について説明する。
ここでは、誘電体板２１、絶縁部材２２，突起部３１及び微小突起部３２を、実質的に１重量％〜１２重量％の炭化珪素を含む炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体を用いて製造する場合を例にとり説明する。
用いる炭化珪素粒子の原料粉末としては、平均粒子径が０．１μｍ以下の炭化珪素粉末を用いることが好ましい。

その理由は、炭化珪素粉末の平均粒子径が０．１μｍを越えると、得られた炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体は、炭化珪素粒子の平均粒子径が０．２μｍを超えることとなり、誘電体板２１及び絶縁部材２２の強度向上の効果が小さくなるからである。
また、この炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体からなる誘電体板２１は、プラズマに曝されたときに電場が炭化珪素粒子の部分に集中して大きな損傷を受け易くなり、プラズマ耐性が低く、プラズマ損傷後の静電吸着力が低下する虞があるからである。

この炭化珪素粉末としては、プラズマＣＶＤ法により得られた粉末が好ましく、特に、非酸化性雰囲気のプラズマ中に、シラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素の原料ガスを導入し、反応系の圧力を１×１０^５Ｐａ（１気圧）未満から１．３３×１０Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）の範囲で制御しつつ気相反応させることにより得られた平均粒子径が０．１μｍ以下の超微粉末が、焼結性に優れ、高純度であり、粒子形状が球状であるために成形時の分散性が良好であるので、好ましい。

一方、酸化アルミニウム粒子の原料粉末としては、平均粒子径が１μｍ以下の酸化アルミニウム粉末を用いることが好ましい。
その理由は、平均粒子径が１μｍを越える酸化アルミニウム粉末を用いて得られた炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体においては、複合焼結体中の酸化アルミニウム粒子の平均粒子径が２μｍを越えるために、誘電体板２１の板状試料を載置する側の上面２１ａがプラズマによりエッチングされ易くなるために、スパッタ痕が形成されることとなり、この上面２１ａの表面粗さが粗くなり、静電チャック装置１１の静電吸着力が低下する虞があるからである。
なお、使用する酸化アルミニウム粉末としては、平均粒子径が１μｍ以下のものであれば特段限定されず、高純度のものであればよい。

次いで、上記の炭化珪素粉末と酸化アルミニウム粉末とを、炭化珪素粉末が１〜１２重量％、残部が酸化アルミニウム粉末となるように秤量、混合する。
次いで、得られた混合粉を、金型を用いて所定形状に成形し、その後、得られた成形体を、例えば、ホットプレス（ＨＰ）を用いて、加圧しながら焼成し、炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体を得る。

ホットプレス（ＨＰ）の条件としては、加圧力は、特に制限されるものではないが、炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体を得る場合には、例えば、５〜４０ＭＰａが好ましい。加圧力が５ＭＰａを下回ると、充分な焼結密度の複合焼結体が得られず、一方、加圧力が４０ＭＰａを超えると、黒鉛等からなる治具が変形損耗するからである。

また、焼成する際の温度としては、１６５０〜１８５０℃が好ましい。焼成温度が１６５０℃未満であると、充分緻密な炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体を得ることができず、一方、１８５０℃を超えると、焼成過程にて焼結体の分解や粒成長が生じ易くなるからである。
また、焼成時の雰囲気としては、アルゴン雰囲気、窒素雰囲気等の不活性雰囲気が炭化珪素の酸化を防止するので好ましい。

この様にして得られた２枚の炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体のうち、一方の複合焼結体の所定位置に電極挿入孔２７を機械加工により形成し、絶縁部材２２とする。
また、この絶縁部材２２の内部電極を形成する領域内に、導電性フィラーを含むペーストを塗布して導電層を形成し、この導電層を形成した領域の外側の領域に、絶縁性フィラーを含むペーストを塗布し、絶縁層を形成する。
一方、上記の２枚の複合焼結体のうち、他方の複合焼結体の表面（板状試料の載置面となる面）をＲａ（中心線平均粗さ）が０．３μｍ以下となるように研磨して平坦面とし、誘電体板２１とする。

次いで、電極挿入孔２７に取り出し電極２８を挿入し、この絶縁部材２２の導電層及び絶縁層が形成されている面と、誘電体板２１の研磨されていない面とを対向して重ね合わせ、次いで、これら誘電体板２１及び絶縁部材２２を、例えば、１６００℃以上に加熱しながら加圧し、上記の導電層により内部電極２３を形成するとともに、絶縁層により接合層となる絶縁部材２４を形成し、誘電体板２１及び絶縁部材２２を内部電極２３及び絶縁部材２４を介して接合する。
突起部３１，微小突起部３２及び壁部３３は、例えば、砥石加工、レーザ彫刻等の機械的加工、あるいはブラスト加工を用いて形成することができる。

以下、ブラスト加工法を用いて製造する方法について、図５に基づき説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体４１の板状試料の載置面となる平坦な面を再研磨し、Ｒａ（中心線平均粗さ）が、例えば、０．０１〜０．３μｍの表面４１ａとし、この表面４１ａを脱脂・洗浄する。
洗浄は、例えば、アセトン、メタノール、エタノール、２−プロパノール等の有機溶剤を用い、脱脂を行う。その後、温水等にて洗浄を行う。

洗浄後、この表面４１ａ上に、所定のパターンを有するマスク４２を載置する。このマスク４２のパターンは、図１〜図３に示す突起部３１のパターンと同一形状とする。このマスク４２としては、紫外線や可視光に感光する感光性樹脂（レジスト）やメタルマスク等の板状マスクが用いられる。

次いで、このマスク４２を用いて複合焼結体４１の表面４１ａにブラスト加工を施す。これにより、図５（ｂ）に示すように、マスク４２によって覆われている部分が研削されずに残って突起部３１となり、マスク４２によって覆われている部分が研削されて平坦部３６となる。
このブラスト加工に使用される粒子としては、アルミナ、炭化珪素、ガラスビーズ等が好適に用いられる。これらの粒径としては、粒度分布における累積百分率が５０％（Ｄ５０）で８．５μｍ〜６０μｍ程度が好ましい。

次いで、図５（ｃ）に示すように、マスク４２を除去する。この際、マスク４２が感光性樹脂からなる場合には、塩化メチレン等の剥離液を用いる。
これにより、炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体４１の表面４１ａに、突起部３１及び平坦部３６が同時に形成される。

次いで、図５（ｄ）に示すように、突起部３１、３１、…それぞれの頂面３１ａにマスク４３を設ける。このマスク４３のパターンは、微小突起部３２のパターンと同一形状とする。
このマスク４３としては、紫外線や可視光に感光する感光性樹脂（レジスト）やメタルマスク等の板状マスクが用いられる。

次いで、このマスク４３を用いて突起部３１、３１、…それぞれの頂面３１ａにブラスト加工を施す。これにより、図５（ｅ）に示すように、マスク４３によって覆われている部分が研削されずに残って微小突起部３２となり、マスク４３によって覆われている部分が研削されて平坦部３５となる。
この際、平坦部３６がブラスト加工により研削されないように、この平坦部３６を耐ブラスト性の高い有機高分子（レジスト）等で覆っておくのが望ましい。
このブラスト加工に使用される粒子の粒径としては、粒度分布における累積百分率が５０％（Ｄ５０）で６μｍ〜１７μｍ程度が好ましい。

次いで、突起部３１、３１、…及び微小突起部３２、３２、…が形成された複合焼結体４１の脱脂を行う。この脱脂は、アセトン、メタノール、エタノール、２−プロパノール等の有機溶剤を用いて行う。その後、温水等にて洗浄を行う。
これにより、表面に突起部３１、３１、…及び微小突起部３２、３２、…が形成される。
その後、基体１２の下面側にシリコン樹脂系接着剤１３を介して温度調節ベース部材１４を接着一体化することにより、本実施形態の静電チャック装置を得る。

以上説明したように、本実施形態の静電チャック装置によれば、基体１２を構成する誘電体板２１の上面２１ａに突起部３１を複数個設け、これらの突起部３１各々の頂面３１ａに微小突起部３２を複数個設けたので、板状試料Ｗを繰り返し載置した場合においても、また、ウエハレスドライクリーニング処理時間が増大した場合においても、誘電体板２１と板状試料Ｗとの間の熱伝導特性の経時的変動を抑えることができ、また、パーティクルの発生を抑制することができ、板状試料Ｗの裏面へのパーティクルの付着を防止することができる。
さらに、微小突起部３２、３２、…各々の頂面３２ａにより板状試料Ｗを支持する構成であるから、静電吸着力が変動したり、電圧印加中止後の離脱性が変化する等の虞もない。

［第２の実施形態］
図６は、本発明の第２の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す断面図、図７は、同静電チャック装置の周縁部近傍を示す平面図であり、この静電チャック装置５１が第１の実施形態の静電チャック装置１１と異なる点は、壁部３３の頂面３３ａの内周側に、その周方向に沿う断面矩形状の段差部５２を形成し、残った環状の壁部３３Ｂ上の頂面を板状試料Ｗを載置する載置面とし，これら段差部５２及び壁部３３ＢによりＨｅ等の冷却ガスをシールするように構成した点である。
残った壁部３３Ｂの幅は１０μｍ〜５０μｍ、その高さは１μｍ〜１０μｍである。

ここで、壁部３３Ｂの幅が１０μｍ未満であると、ウエハレスドライクリーニングの処理時間数の増加に伴って壁部３３Ｂのコーナ部が消耗し、冷却ガスのシール性が大幅に低下する他、壁部３３Ｂの加工時に形状崩れ等が生じ易く、加工コストの増加をもたらすからであり、一方、壁部３３Ｂの幅が５０μｍを超えると、パーティクルが壁部３３Ｂ上に留まり易くなり、冷却ガスのシール性が低下するからである。

この静電チャック装置５１にあっては、段差部５２が形成されていない場合には、壁部３３の頂面３３ａ上にパーティクルが付着すると、冷却ガスのシール性が大幅に低下するが、この壁部３３の頂面３３ａの内周側に段差部５２を形成したことにより、壁部３３の頂面３３ａ上にパーティクルが付着するのを低減することができ、もって、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下を防止することができる。

［第３の実施形態］
図８は、本発明の第３の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す断面図、図９は、同静電チャック装置の周縁部近傍を示す平面図であり、この静電チャック装置６１が第２の実施形態の静電チャック装置５１と異なる点は、段差部５２上に、微小突起部３２を複数個設け、残った環状の壁部３３Ｂ上の頂面及び微小突起部３２の頂面３２ａを板状試料Ｗを載置する載置面とし、段差部５２及び壁部３３ＢによりＨｅ等の冷却ガスをシールするように構成した点である。
微小突起部３２の断面積は８×１０^−５ｍｍ^２以上かつ２×１０^−３ｍｍ^２以下が好ましい。

本実施形態の静電チャック装置６１においても、第２の実施形態の静電チャック装置５１と全く同様の効果を奏することができる。
特に、段差部５２上に微小突起部３２を複数個設けたので、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下を防止することができ他、十分な吸着力を確保することができる。

［第４の実施形態］
図１０は、本発明の第４の実施形態の静電チャック装置を示す断面図、図１１は、同静電チャック装置を示す平面図であり、この静電チャック装置７１が第２の実施形態の静電チャック装置５１と異なる点は、段差部５２上に、この段差部５２の周方向に沿って連続しかつ壁部３３Ｂと同心円状の壁部３３Ｃを形成し，環状の壁部３３Ｂ，３３Ｃ上の頂面及び微小突起部３２の頂面３２ａを板状試料Ｗを載置する載置面とし、段差部５２及び壁部３３Ｂ、３３ＣによりＨｅ等の冷却ガスをシールするように構成した点である。

この壁部３３Ｃの段差部５２からの高さは、１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、この壁部３３Ｃの頂面の幅は、１０μｍ以上かつ５０μｍ以下であることが好ましい。また、この壁部３３Ｃの断面積は８×１０^−５ｍｍ^２以上かつ２×１０^−３ｍｍ^２以下が好ましい。

本実施形態の静電チャック装置７１においても、第２の実施形態の静電チャック装置５１と全く同様の効果を奏することができる。
特に、段差部５２上に、この段差部５２の周方向に沿って連続しかつ壁部３３Ｂと同心円状の壁部３３Ｃを形成したので、パーティクル付着による冷却ガスのシール性の低下をより一層防止することができ他、十分な吸着力を確保することができる。

以下、実施例及び比較例を挙げ、本発明をさらに詳しく説明する。ここでは、第４の実施形態に係る静電チャック装置、すなわち図１０に示す静電チャック装置７１を作製した。

「実施例１」
（静電チャック装置の作製）
平均粒子径０．０６μｍの炭化珪素超微粒子をプラズマＣＶＤ法により気相合成し、この炭化珪素超微粒子と、平均粒子径０．１５μｍの酸化アルミニウム粉末とを、炭化珪素超微粒子／酸化アルミニウム粉末が重量比で９／９１となるように秤量し、均一に混合した。
この混合粉末を粉末成形機を用いて円板状に成形し、次いで、ホットプレス（ＨＰ）を用いて、アルゴン雰囲気中、１８００℃の温度で４時間、加圧しながら焼成し、直径２９８ｍｍ、厚み４ｍｍの円板状の複合焼結体を２枚作製した。加圧力は４０ＭＰａとした。

得られた複合焼結体の炭化珪素粒子、酸化アルミニウム粒子それぞれの平均粒子径を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定したところ、それぞれ０．０７μｍ、１．４μｍであった。また、この複合焼結体の体積固有抵抗値を、静電チャック装置の使用温度である２０℃にて測定したところ、２×１０^１１Ω・ｃｍであった。

次いで、この２枚の複合焼結体のうち、一方の複合焼結体の中心より１００ｍｍ離れた位置に内径５ｍｍの電極挿入孔２７を機械加工により形成し、絶縁部材２２とした。
また、この絶縁部材２２の内部電極を形成する領域内（中心から半径１４５ｍｍ内の領域）に、スクリーン印刷法により導電性ペースト（導電性フィラーを含むペースト）を塗布し、導電層を形成した。
導電性ペーストとしては、炭化タンタル粉末と酸化アルミニウム粉末とを、炭化タンタル粉末／酸化アルミニウム粉末が体積比で３５／６５となるよう秤量し、有機溶剤等を加えて混練したものを用いた。

また、この絶縁部材２２の導電層を形成した領域の外側の領域（中心から半径１４５〜１４９ｍｍの領域）に、スクリーン印刷法により酸化アルミニウム粉末を含むペーストを塗布し、絶縁層を形成した。
一方、上記の２枚の複合焼結体のうち、他方の複合焼結体の表面（板状試料の載置面となる面）をＲａ（中心線平均粗さ）が０．３μｍとなるように研磨して平坦面とし、誘電体板２１とした。

次いで、上記の電極挿入孔２７に炭化タンタルからなる取り出し電極２８を挿入し、この絶縁部材２２の導電層及び絶縁層が形成されている面と、誘電体板２１の研磨されていない面とを、対向して重ね合わせ、次いで、これら誘電体板２１及び絶縁部材２２を、１７００℃に加熱しながら７．５ＭＰａに加圧し、導電層により内部電極２３を形成するとともに、絶縁層により接合層となる絶縁部材２４を形成し、誘電体板２１及び絶縁部材２２を内部電極２３及び絶縁部材２４を介して接合した。

次いで、誘電体板２１の平坦面（板状試料の載置面となる面）を、Ｒａ（中心線平均粗さ）が０．０５μｍとなるように研磨し、その後、ブラスト加工により、壁部３３、３３Ｂ、３３Ｃと、断面積が０．２ｍｍ^２の円柱状の突起部３１、３１…と、断面積が７×１０^−４ｍｍ^２の円柱状の微小突起部３２、３２…とを形成した。

ここでは、突起部３１の頂面３１ａの合計面積の吸着領域の全面積に対する比を１％、１つの突起部３１の頂面３１ａにおける微小突起部３２、３２、…の合計面積の突起部３１の頂面３１ａに対する面積比を３０％とした。
また、平坦部３６からの壁部３３Ｂ、３３Ｃの頂面までの高さｈ１を３０μｍ、平坦部３６からの突起部３１の高さｈ２を２５μｍ、突起部３１の頂面３１ａからの微小突起部３２の高さｈ３を５μｍとした。また、壁部３３Ｂ、３３Ｃの幅を、共に２５μｍとした。

以上のようにして製造された基体１２の下部に、内部に冷却用媒体を循環させる流路２５が形成された金属製の温度調整ベース部材１４をシリコーン系接着剤１３にて接着一体化し、静電チャック装置を得た。

（静電チャック装置の特性評価）
この静電チャック装置をプラズマＣＶＤ装置に搭載し、静電チャック装置の板状試料載置面に直径３０ｃｍ（１２インチ）のシリコンウエハーを、直流１０００Ｖの印加電圧で吸着固定しつつ、シランガスと酸素ガスとの混合ガス（シラン：２０ｖ／ｖ％、酸素：８０ｖ／ｖ％）を用いて発生させたプラズマ雰囲気下にて、静電チャック装置の板状試料載置面と板状試料との間にＨｅガスを圧力１．３３×１０^３Ｐａ（１０torr）にて流しつつ、また、温度調整ベース部材１４の流路２５に２０℃の冷却水を流しつつ、シリコンウエハー上にＳｉＯ_２膜を成膜し、処理枚数：１枚、１００枚、１０００枚毎に平均膜厚を測定した。

また、このときのシリコンウエハーの温度を測定するとともに、成膜処理後のシリコンウエハー裏面のパーティクル付着量を測定した。また、Ｈｅリーク試験は、別途、シリコンウエハーを直流１０００Ｖの印加電圧で吸着固定し、冷却ガス導入孔２９より４．００×１０^３Ｐａ（３０torr）のガス圧力にてＨｅを導入し、そのリーク量を測定した。得られた結果を表１に示す。

また、プラズマ処理装置のチャンバー内に、フロン：５０ｖ／ｖ％、酸素：５０ｖ／ｖ％の混合ガスを１．３３×１０^−１Ｐａ（０．０１torr）にて導入し、発生させたプラズマ雰囲気下にて、上部出力１ｋＷ、下部バイアス出力０．５ｋＷの条件下、ウエハレスドライクリーニング（ＷＬＤＣ）処理を行った。
ウエハレスドライクリーニング（ＷＬＤＣ）処理の累積時間が１時間、５０時間、２００時間を経過する毎に、それぞれ上記と同様にして、ＳｉＯ_２膜の膜厚、シリコンウエハーの温度、パーティクル数、Ｈｅリーク量を測定した。得られた結果を表２に示す。

「実施例２」
実施例１と同様にして静電チャック装置を得た。
ただし、突起部３１の頂面３１ａの合計面積の吸着領域の全面積に対する比を８％、１つの突起部３１の頂面３１ａにおける微小突起部３２、３２…の合計面積の突起部３１の頂面３１ａに対する面積比を４％とした。
そして、実施例１に準じて、得られた静電チャック装置の各種特性を評価した。得られた結果を表３、表４に示した。

「比較例」
実施例１と同様にして静電チャック装置を得た。
ただし、突起部３１の頂面３１ａには微小突起部３２、３２…を形成せず、この頂面３１ａに表面粗し加工を施した。表面粗し加工を行った頂面３１ａの表面粗さＲａ（中心線平均粗さ）は０．３５μｍであった。
そして、実施例１に準じて、得られた静電チャック装置の各種特性を評価した。得られた結果を表５、表６に示した。

「評価結果」
上記の評価結果から、次のことが分かった。
実施例１、２では、ウエハー処理枚数が１０００枚まで増加した場合においても、ＳｉＯ_２膜の膜厚、ウエハー温度、Ｈｅリーク量は変化しないか、変化したとしてもその変化量が小さかった。このことは、静電チャック装置の板状試料載置面が磨耗しても、その影響がないことを示している。また、パーティクル付着量も少なかった。

実施例１、２では、ウエハレスドライクリーニングの累積時間が２５０時間に達した場合であっても、ＳｉＯ_２膜の膜厚、Ｈｅリーク量、ウエハー温度の変化も小さい。このことは、静電チャック装置の板状試料載置面がプラズマによる損傷を受けず、例え損傷を受けてもその影響が軽微であることを示している。また、パーティクル付着量も少ない。

比較例では、ウエハー処理枚数が増加するに伴ってＳｉＯ_２膜の膜厚、ウエハー温度、Ｈｅリーク量が大きく変化していた。このことは、静電チャック装置の板状試料載置面が磨耗すると、その影響が大きいことを示している。また、パーティクル付着量も多い。
この比較例では、ウエハレスドライクリーニングの累積時間が増加するに伴って、ＳｉＯ_２膜の膜厚、ウエハー温度、Ｈｅリーク量が大きく変化していた。
このことは、静電チャック装置の板状試料載置面がプラズマによる損傷を受け、その影響が大きいことを示している。また、パーティクル付着量も多い。

以上により、本実施形態の静電チャック装置によれば、多数の微小突起部３２が板状試料Ｗとの接触により磨耗して微小突起部３２の頂面３２ａの表面状態が変動したとしても、その影響は非常に小さいことが分かった。
また、ウエハレスドライクリーニングの累積時間が増加した場合であっても、静電チャック装置の板状試料載置面の表面状態の変動が軽微であり、よって、板状試料Ｗとの間の熱伝導特性が変化することはなく、板状試料の処理枚数が増加しても、板状試料ごとに均一な処理を施すことができ、パーティクルの付着量も少ない。

本発明の第１の実施形態の静電チャック装置を示す断面図である。本発明の第１の実施形態の静電チャック装置の要部を示す拡大断面図である。本発明の第１の実施形態の静電チャック装置の要部を示す拡大平面図である。本発明の第１の実施形態の静電チャック装置の微小突起部を示す断面図である。本発明の第１の実施形態の複合焼結体をブラスト加工法を用いて製造する方法を示す過程図である。本発明の第２の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す平面図である。本発明の第３の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す断面図である。本発明の第３の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す平面図である。本発明の第４の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す断面図である。本発明の第４の実施形態の静電チャック装置の周縁部近傍を示す平面図である。従来のサセプタ装置の１例を示す断面図である。

符号の説明

１１、５１、６１、７１静電チャック装置
１２基体
１３シリコン樹脂系接着剤
１４温度調節ベース部材
２１誘電体板
２１ａ上面
２１ｂ下面
２２絶縁部材
２３内部電極
２４絶縁部材
２５流路
２６貫通孔
２７電極挿入孔
２８取り出し電極
２９冷却ガス導入孔
３１突起部
３１ａ頂面
３２微小突起部
３２ａ頂面
３３、３３Ｂ、３３Ｃ壁部
４１炭化珪素−酸化アルミニウム複合焼結体
４１ａ表面
４２、４３マスク
５２段差部

Claims

基体の一主面に複数の突起部を設け、これらの突起部それぞれの頂面に複数の微小突起部を設け、これら微小突起部それぞれの頂面を板状試料を載置する載置面とし、
前記突起部の前記一主面に沿う断面積は８×１０ ^−３ｍｍ ^２以上かつ８×１０ ^−１ｍｍ ^２以下であり、前記微小突起部の前記一主面に沿う断面積は２×１０ ^−５ｍｍ ^２以上かつ２×１０ ^−３ｍｍ ^２以下であることを特徴とするサセプタ装置。
前記微小突起部の前記突起部の頂面からの高さは、１μｍ以上かつ１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のサセプタ装置。
前記突起部における前記複数の微小突起部の前記一主面に沿う面積の合計は、前記突起部の頂面の面積の１％以上かつ４０％以下であることを特徴とする請求項１または２記載のサセプタ装置。
前記微小突起部の頂面の周縁部は、曲面とされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載のサセプタ装置。
前記曲面の曲率半径は、０．５μｍ以上かつ５μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載のサセプタ装置。
基体の一主面に複数の突起部を設け、これらの突起部それぞれの頂面に複数の微小突起部を設け、これら微小突起部それぞれの頂面を板状試料を載置する載置面とし、
前記複数の突起部及び前記複数の微小突起部は、炭化ケイ素を１重量％以上かつ１２重量％以下含む酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体であり、前記酸化アルミニウムの平均粒子径は２μｍ以下、前記炭化ケイ素の平均粒子径は０．２μｍ以下であることを特徴とするサセプタ装置。
前記一主面の周縁部に沿って連続する壁部を設け、この壁部の頂面及び前記微小突起部の頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載のサセプタ装置。
前記壁部の頂面の内周側には、その周方向に沿う段差部が形成され、前記頂面の前記段差部を除く領域を前記板状試料を載置する載置面としたことを特徴とする請求項７記載のサセプタ装置。
前記段差部に、複数の第２の微小突起部を設け、これら第２の微小突起部それぞれの頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことを特徴とする請求項８記載のサセプタ装置。
前記段差部に、その周方向に沿って連続する第２の壁部を設け、この第２の壁部の頂面を前記板状試料を載置する載置面としたことを特徴とする請求項８または９記載のサセプタ装置。
前記第２の壁部の前記段差部からの高さは、１μｍ以上かつ１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１０記載のサセプタ装置。
前記基体内に、内部電極を備えたことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項記載のサセプタ装置。