JP2008244149A - 静電チャック及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材上の絶縁体層2と、絶縁体層2上の双極の櫛歯電極3と、双極の櫛歯電極3を被覆する誘電体層4と、を具備する静電チャックであって、双極の櫛歯電極3は、裾広がりのテーパ形状3bを有する。また、少なくとも前記双極の櫛歯電極間の、電極が形成されていない前記絶縁体層が、凹形状2aを有する。
【選択図】 図4
Description
図1および図2に模式的に示すように、本発明の静電チャック10は、基材1と、この基材1上に溶射により形成された酸化物系セラミックスからなる絶縁体層2と、絶縁体層2上に溶射により形成された双極の櫛歯電極3と、双極の櫛歯電極3を被覆するように溶射により形成された酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層4と、を具備している。図2において、Wは櫛歯電極の櫛歯幅であり、Lは櫛歯間距離である。図2に示したように、櫛歯間距離とは、双極の一方の電極の櫛歯と、もう一方の電極の櫛歯との間の距離である。
外部電源5と櫛歯電極3との接続は、図1の例のように、端子接続用の穴を開けた基材に端子6を接続しても良いし、図5のように櫛歯電極3の一部を露出させて、その部分に接続しても良い。基材の穴に端子を挿入する場合、基材に導電性があると短絡してしまうおそれがあるので、端子周りを絶縁管7で保護すると良い。絶縁管7の部分は、他の形態、例えば絶縁性の充填材を入れたり、何もいれずに間隙としたりする方法も採用できる。なお、図5の断面図においては双極の片方のみ電源に接続されているが、双極のもう一方の電極が電源に接続されていることは言うまでも無い。
(1)電極形成試験
はじめに、ブラスト加工条件を調べるための電極形成試験を行った。基材として金属基複合材料(寸法:209×157mm、厚さ40mm、SiC70質量%、Al合金加圧浸透品)を用いた。まず、金属基複合材料の表面のブラスト処理を行った。次に、この基材の上面に溶射法により下地層としてのAl2O3絶縁体層を500μmの厚さで形成した。その後、Al2O3絶縁体層上に厚さ40μmのべた状のNi膜を溶射した。次に、櫛歯形状のマスクをNi膜上に設置し、炭化ケイ素砥粒を用いてブラスト加工を行った。ブラスト加工の前期工程においては、平均粒径50μmの砥粒を使用した後、後期工程において平均粒径20μmの砥粒を用いて形状を調整した(試験例1〜5)。比較のため櫛歯形状の開口部を有するマスキング冶具を用いて溶射を行って電極を形成したものも作製した(試験例6)。櫛歯幅Wおよび櫛歯間距離Lはそれぞれ3mmとした。なお、櫛歯を繋ぐ連結軸の幅は3mmで一定とし、双極の一方の連結軸と他方の櫛歯の先端との距離は櫛歯間距離と同一とした。また、櫛歯電極形成の範囲は、櫛歯電極を模式的に示した図2におけるCを180mm、Dを150mmとした。次に、櫛歯電極およびAl2O3絶縁体層を被覆するように誘電体層(5質量%のTiO2を含むAl2O3)を形成した。その後、誘電体層を研削加工、ラップ処理を実施し、誘電体層の厚さ(500μm)および表面粗さ(Ra0.2μm)を調整し静電チャックを作製した。電極との接続は、図5に示したように、櫛歯電極の一部を露出させ、露出部に導線を接続した。絶縁体層の凹形状のブラスト加工深さを変えた試験例1〜5およびマスキング冶具を用いた試験例6について、それぞれ10個作製して評価を行った。評価は、外観の目視観察および、大気中で櫛歯電極間に±2000Vの電圧を印加したときの絶縁破壊の有無で行った。外観については、櫛歯電極の形成時に剥離が生じたものおよび誘電体層の剥離が起きたものをNGとした。評価結果を表1に示す。
上記試験に用いた試験例2〜4については、試験に用いた基材のうち評価の良好であった1つをそれぞれ試験例7〜9として、評価試験に進めた。
それ以外の試験例(試験例10〜21)についても、上記試験同様、基材として金属基複合材料(寸法:209×157mm、厚さ40mm、SiC70質量%、Al合金加圧浸透品)を用い、基材表面のブラスト処理を行った後、この基材の上面に溶射法により下地層としてのAl2O3絶縁体層を500μmの厚さで形成した。その後、Al2O3絶縁体層上に厚さ40μmのべた状のNi膜を溶射した。次に、櫛歯形状のマスクをNi膜上に設置し、アルミナ砥粒を用いてブラスト加工を行った。ブラスト加工の前期工程においては、平均粒径65μmの砥粒を使用した後、後期工程において平均粒径20μmの砥粒を用いて加工深さを10μmに調整した。櫛歯厚さと連結軸厚さは同一とし、櫛歯電極の形状はマスク形状を変えて櫛歯幅Wおよび櫛歯間距離Lを調整した(表2参照)。なお、連結軸の幅は3mmで一定とし、連結軸と櫛歯の先端との距離は櫛歯間距離と同一とした。また、櫛歯電極形成の範囲は、櫛歯電極を模式的に示した図2におけるDに相当する幅を150mmとし、櫛歯幅および櫛歯間距離によって多少の差はあるもののCをおよそ180mmの幅とした。
次に、櫛歯電極およびAl2O3絶縁体層を被覆するように誘電体層(5質量%のTiO2を含むAl2O3)を形成した。その後、誘電体層を研削加工、ラップ処理を実施し、誘電体層の厚さ(表2参照)および表面粗さ(Ra0.2μm)を調整し静電チャックを作製した。電極との接続は、図5に示したように、櫛歯電極の一部を露出させ、露出部に導線を接続した。なお、評価に使用するガラス基板は露出部にかからない大きさのものを用いた。
吸着力の測定は、静電吸着させたガラス基板を垂直方向に引き上げて、ガラス基板が静電チャックの吸着面から外れたときの力を測定した。その結果を、表2にまとめて示した。
一方、本発明の範囲外であるNo.10、15、16、21では十分な吸着力が得られないか、不具合により吸着力の評価ができない結果となった。櫛歯幅および櫛歯間距離が小さい試験例10では、櫛歯電極に電圧を印加したところ絶縁破壊が起こり、吸着力の評価ができなかった。また、櫛歯幅および櫛歯間距離が大きい試験例15では、十分な吸着力が得られなかった。誘電体層厚さが小さい試験例16では、絶縁破壊が発生し、また、誘電体層厚さの大きい試験例21では、十分な吸着力が得られなかった。
10;静電チャック
2;絶縁体層
2a;絶縁体層の凹形状
3;双極の櫛歯電極
3a;金属膜
3b;櫛歯電極のテーパ形状
4;誘電体層
5;電源
6;電極端子
7;絶縁管
8;マスク
W;櫛歯幅
L;櫛歯間距離
Claims (6)
- 基材上の絶縁体層と
前記絶縁体層上の双極の櫛歯電極と、
前記双極の櫛歯電極を被覆する誘電体層と、
を具備する静電チャックであって、
前記双極の櫛歯電極は、裾広がりのテーパ形状を有することを特徴とする静電チャック。 - 少なくとも前記双極の櫛歯電極間の、電極が形成されていない前記絶縁体層が、凹形状を有することを特徴とする請求項1記載の静電チャック。
- 前記凹形状の深さが5〜20μmであることを特徴とする請求項1または2記載の静電チャック。
- 基材上に溶射により形成された酸化物系セラミックスからなる絶縁体層と、
前記絶縁体層上に溶射により形成された双極の櫛歯電極と、
前記双極の櫛歯電極を被覆するように溶射により形成された酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層と、
を具備することを特徴とする請求項1〜3記載の静電チャック。 - 前記双極の櫛歯電極の櫛歯幅が2.5〜5.0mm、櫛歯間距離が2.5〜5.0mm、前記誘電体層の厚さが100〜600μmであることを特徴とする請求項1〜4記載の静電チャック。
- 絶縁体層上に金属膜を溶射する工程と、
前記金属膜をブラスト加工することにより櫛歯電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1〜5記載の静電チャックの製造方法。
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